JP2004240221A - Photomask, device for applying and removing pellicle, and device for processing substrate - Google Patents

Photomask, device for applying and removing pellicle, and device for processing substrate Download PDF

Info

Publication number
JP2004240221A
JP2004240221A JP2003030087A JP2003030087A JP2004240221A JP 2004240221 A JP2004240221 A JP 2004240221A JP 2003030087 A JP2003030087 A JP 2003030087A JP 2003030087 A JP2003030087 A JP 2003030087A JP 2004240221 A JP2004240221 A JP 2004240221A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photomask
pellicle
frame
substrate
mounting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003030087A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Yasui
孝史 安井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Leading Edge Technologies Inc
Original Assignee
Semiconductor Leading Edge Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Leading Edge Technologies Inc filed Critical Semiconductor Leading Edge Technologies Inc
Priority to JP2003030087A priority Critical patent/JP2004240221A/en
Publication of JP2004240221A publication Critical patent/JP2004240221A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate attachment/detachment of a pellicle to/from a photomask substrate. <P>SOLUTION: In the photomask equipped with the photomask substrate with a predetermined pattern formed on a surface thereof, a frame disposed vertical to the surface of the photomask substrate so as to surround an outer circumference of the pattern and a pellicle film provided on the frame in a tensioned state, placed opposite to the surface of the photomask substrate and disposed at predetermined intervals, the frame is a hollow frame opened on a part in contact with the surface of the photomask substrate and is equipped with a hole part on at least a position of the frame. When the frame is to be applied to the photomask substrate, the frame is disposed on the photomask substrate placed on a supporting table and gas in a space inside the frame is evacuated. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、フォトマスク、ペリクル装脱着装置及び基板処理装置に関する。更に、具体的には、所望のパターンが形成されたフォトマスク基板と、このパターンを保護するペリクル膜と、このペリクル膜を張設するフレームとを備えるフォトマスクと、このフォトマスクのペリクル装脱着装置及びこれを用いた基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造におけるリソグラフィ工程においては、フォトマスク基板に形成されたパターンに、光を照射し、このフォトマスクを透過した光を、ウェーハ上で結像させて、ウェーハ上の感光剤を感光させることにより、ウェーハに所定のパターンを転写する。
【０００３】
ここで用いられるフォトマスク基板のパターン上に、異物が直接付着すると、その異物がそのままパターンと共に転写されるため、半導体チップの欠陥につながる場合がある。これを防止するため、一般に、パターンの形成されたフォトマスク基板を、ペリクル膜と呼ばれる薄膜により保護する方法が採られている。
【０００４】
具体的に、ペリクル膜は、フォトマスク基板のパターン形成面の外側を囲むように配置されたペリクルフレームに保持され、これにより、フォトマスク基板のパターン形成面と所定の間隔を置いて張設される。即ち、フォトマスク基板のパターンの形成された部分は、ペリクルフレームと、これに張設されたペリクル膜とにより、パターン形成面に異物が付着しないように保護されている。
【０００５】
一方、近年の半導体集積回路の微細化に伴い、リソグラフィ工程においても、露光光の短波長化が進み、次世代の露光光として、波長１５７ｎｍのＦ２エキシマレーザ光を用いる研究が進められている。このＦ２エキシマレーザ光は、空気により吸収される性質をもつため、吸収の少ない窒素等の不活性ガス中での使用が必要となる。
【０００６】
露光の際、基板処理装置内では、ペリクル装着済みのフォトマスクの保管されたフォトマスクライブラリから、ロボットハンドにより、所定のフォトマスクが取り出され、パーティクル検査室において、フォトマスク基板やペリクル表面の異物の有無について検査された後、再びロボットハンドにより搬送され露光装置に移動される。この時、基板処理装置内は、全体が窒素ガス等の不活性ガスにより置換され、一連の動作は、窒素等の不活性ガス内で行われる。
【０００７】
また、フォトマスク基板と、ペリクルフレームと、ペリクル膜とで閉じられる空間の内部の空気によっても、Ｆ２エキシマレーザ光が吸収されるため、フォトマスク内部の空間内のガスを、基板処理装置内で置換できるように、ペリクルフレームには通気孔が多数設けられているものが提案されている。このようなフォトマスクを用いる場合、パーティクル検査の前に、フォトマスク内のガスを、ペリクルフレームの通気孔から、窒素等の不活性ガスに置換させる。（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−１３３９６１号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のようなフォトマスクにおいて、ペリクルフレームは、フォトマスク基板に、シリコン系の粘着剤などにより接着されている。このため、ペリクル膜に傷が生じた等の理由により、ペリクルの剥離が必要となる場合には、ペリクルフレームを剥離した後、この接着剤の残留を落とす洗浄等の工程が必要となる。このとき、フォトマスクのパターンに、ダメージを与えてしまう場合がある。
【００１０】
また、ペリクル膜の再装着には再び接着剤を用いた装着が必要となる。従って、ペリクル膜の剥離や再装着には長時間を要し、半導体製造におけるスループットを低下させるという問題がある。
【００１１】
また、Ｆ２エキシマレーザ光を使用するためには、フォトマスク内の雰囲気を窒素ガス等の不活性ガスに置換する必要がある。しかし、上述のような、フレームの通気孔からの置換では、フォトマスクが完全に置換されるまで長時間を要し、このため、スループットを低下させるという問題があった。
【００１２】
従って、この発明は、上記問題を解決しスループットの向上を図ることを目的として、フレームの脱着を容易にし、及び、フォトマスク内部のガス置換のための時間を短縮できるように改良したフォトマスク、フォトマスク装脱着装置及び基板処理装置を提案するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
従って、この発明におけるフォトマスクは、一面に所定のパターンの形成されたフォトマスク基板と、
前記フォトマスク基板の前記一面に対して垂直に、前記パターンの外周を囲むように配置されたフレームと、
前記フレームに張設され、フォトマスク基板の前記一面に対向し、所定の間隔を置いて配置されたペリクル膜と、
を備え、
前記フレームは、前記フォトマスク基板の前記一面と接する部分において開放する中空のフレームであり、
前記フレームの少なくとも一箇所に孔部を備えるものである。
【００１４】
また、この発明におけるペリクル装脱着装置は、フォトマスクを支持する支持台と、
前記支持台に配置されたフォトマスクのペリクル膜を張設して支持する中空のフレーム内部の空間のガスを排気する排気手段と、を備えるものである。
【００１５】
また、この発明の基板処理装置は、この発明のペリクル装脱着装置の配置されたペリクル装脱着装置部と、
フォトマスクを収納して保管するフォトマスク収納部と、
前記フォトマスクの検査を行う検査部と、
前記フォトマスクに形成されたフォトマスクパターンを基板に転写する基板処理部と、
を備えるものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。なお、各図において、同一または相当する部分には同一符号を付してその説明を省略ないし簡略化する。
【００１７】
実施の形態
図１は、この発明の実施の形態におけるフォトマスク１００を説明するための断面模式図であり、図２は、図１のＡ−Ａ´方向におけるフォトマスク１００の断面模式図である。
図１に示すように、フォトマスク１００は、フォトマスク基板２と、ペリクルフレーム４と、ペリクル膜８とを含んで構成される。
【００１８】
フォトマスク基板２には、所定のパターン（図示せず）が形成されている。このパターンの形成されたパターン形成面の外周部分には、この面に対して垂直に、ペリクルフレーム４が配置されている。ペリクルフレーム４は、石英ガラスにより形成されている。ペリクルフレーム４は、フォトマスク基板２のパターン形成面と接する部分において開放面を有する中空の枠体であり、その断面は、角張ったＵ字形状である。また、ペリクルフレーム４は、このＵ字の枠体と、フォトマスク基板２とによって閉じられる空間６を有する。
【００１９】
ペリクル膜８は、ペリクルフレーム４に張設され、これにより、フォトマスク基板と所定の間隔をおいて、パターン形成面に対向するようにペリクル膜８が配置されている。ペリクル膜４は、石英ガラスにより形成されている。
また、ペリクルフレーム４の外枠の１箇所には、ペリクルフレーム４の外枠を、空間６から外側にまで貫通する通気孔１０が設けられている。通気孔１０には、栓１２が設けられている。
【００２０】
フォトマスク１００においては、ペリクルフレーム４内の空間６は、通気孔１０が栓１２により閉じられ、ペリクルフレーム４が、フォトマスク基板２に装着されている状態においては、ペリクルフレーム４の内の空間６は、ペリクルフレーム４とフォトマスク基板２とにより密閉されている。また、このとき、フォトマスク基板２と、ペリクルフレーム４と、ペリクル膜８とにより閉じられる空間もまた、密閉された状態にある。
【００２１】
図３は、この発明の実施の形態におけるペリクル装脱着装置２００を説明するための一部透視部を含む概念図である。
図３に示すように、ペリクル装脱着装置２００には、フォトマスク基板２を載置するフォトマスク支持台２０が備えられている。フォトマスク支持台２０付近の１箇所には、ペリクル用ロボットハンド２２が設置されている。ペリクル用ロボットハンド２２は、ペリクルフレーム４を保持し、または、搬送する。また、ペリクルフレーム４の栓１２付近には、栓用ロボットハンド２４が設置されている。栓用ロボットハンド２４は、栓１２の開閉を行うことができる。
【００２２】
また、ペリクル装脱着装置２００は、装着機構３０を備える。装着機構３０は、真空ポンプ３２と、これに接続するエアチューブ３４と、エアチューブ３４の先端に形成されたエアノズル３６とにより構成される。エアノズル３６は、ペリクルフレーム４に設けられた通気孔１０に係合するようになっている。
【００２３】
また、ペリクル装脱着装置２００は、脱着機構４０を備える。脱着機構４０は、窒素供給源４２と、これに接続するエアチューブ４４とを備える。また、エアチューブ４４の途中、１箇所には、フィルタ４６が設けられ、エアチューブ４４の先端には、エアノズル４８が設けられている。窒素ガス供給源４２は、酸素濃度が１００ｐｐｍ程度の窒素ガスを供給することができる。また、エアノズル４８は、ペリクルフレーム４に設けられた通気孔１０に係合するようになっている。
【００２４】
図４は、この発明の実施の形態における基板処理装置３００を説明するための概念図である。
図４に示すように、基板処理装置３００には、フォトマスクライブラリ５０、ペリクル装脱着装置室５２、パーティクル検査室５４、及びチャンバ５６の各部屋が設けられている。フォトマスクライブラリ５０には、複数のフォトマスク１００が保管されている。ペリクル装脱着室５２には、ペリクル装脱着装置２００が設置されている。パーティクル検査室５４では、フォトマスク基板２に異物の付着や傷等の異常がないかどうか検査され、また、チャンバ５６においては、露光が行われるようになっている。
【００２５】
また、フォトマスクライブラリ５０と、ペリクル装脱着室５２との間には、フォトマスク１００を保持して搬送するロボットハンド６０が設けられている。また、ペリクル装脱着室５２と、パーティクル検査室５４との間のフォトマスク基板２の搬送用には、ロボットハンド６２が設けられている。またロボットハンド６２と、チャンバ５６との間の搬送用には、アライメント用ロボットハンド６４が設けられている。
【００２６】
基板処理装置３００には、エアフィルタ６６が配置され、エアフィルタ６６を介して、常に、窒素ガスが処理装置３００内全体に供給されるようになっている。
【００２７】
次に、以上のように構成されたペリクル装脱着装置２００及び基板処理装置３００の動作について説明する。
【００２８】
図３を参照して、フォトマスク基板２にペリクルフレーム４を装着する際には、ペリクル装脱着装置２００の装着機構３０を用いる。具体的には、まず、フォトマスク支持台２０に、フォトマスク基板２が、パターン形成面を上側にして載置される。その後、ペリクル用ロボットハンド２２により、ペリクル膜８の張設されたペリクルフレーム４が搬送される。ペリクルフレーム４は、栓１２が、栓用ロボットハンド２４側に来るようにしてフォトマスク基板２上に載置される。
【００２９】
次に、栓用ロボットハンド２４により、栓１２が引き抜かれ、通気孔１０に、エアノズル３６が挿入される。その後、真空ポンプ３２により吸引を開始し、ペリクルフレーム４内の空間６のガスを排気する。その後、エアノズル３６を外し、栓用ロボットハンド２４により、再び、栓１２を通気孔１０に嵌め込む。これにより、ペリクルフレーム４内の空間６は陰圧になり、フォトマスク基板２に密着する。このようにして、接着剤なしで、フォトマスク基板２に、ペリクルフレーム４を装着することができる。
【００３０】
フォトマスク１００の、ペリクルフレーム４を外す場合には、ペリクル装脱着装置２００の脱着機構４０を用いる。具体的には、まず、フォトマスク１００が、フォトマスク支持台２０に載置される。このとき、フォトマスク１００は、栓１２が、栓用ロボットハンド２４側に来るように載置される。
【００３１】
次に、ペリクル用ロボットハンド２４により、ペリクルフレーム４を保持し、この状態で、栓用ロボットハンド２４により、栓１２を取り外す。その後、通気孔１０に、エアノズル４８を挿入し、窒素供給源４２から、酸素濃度が１００ｐｐｍ程度の窒素ガスの供給を開始する。窒素ガスは、エアチューブ４４内を通り、フィルタ４６を通過して異物が取り除かれた後、エアノズル４８から、ペリクルフレーム４の空間６内に充填される。これにより、ペリクルフレーム４内の空間６は陽圧になり、フォトマスク基板２から、ペリクルフレーム４が取り外される。
【００３２】
次に、基板処理装置３００内の動作について説明する。
基板処理装置３００のフォトマスクライブラリ５０には、フォトマスク１００が複数保管されている。このフォトマスクライブラリ５０から、ロボットハンド６０により、所定のフォトマスク１００を選択して、ペリクル装脱着室５２に搬送する。フォトマスク基板２は、ペリクル装脱着室５２内の、ペリクル装脱着装置２００のフォトマスク支持台２０に配置される。ペリクル装脱着室５２内では、上述したように、ペリクル装脱着装置２００の脱着機構４０により、ペリクルフレーム４内の空間６に窒素ガスが供給され、これにより、ペリクルフレーム４が外される。
【００３３】
次に、ロボットハンド６２により、パーティクル検査室５４に、フォトマスク基板２が搬送される。パーティクル検査室５４内では、フォトマスク基板２に、異物の付着や、傷等の異常がないかどうか検査される。
【００３４】
検査終了後、ロボットハンド６２により、フォトマスク基板２がアライメント用ロボットハンド６４に搬送される。アライメント用ロボットハンド６４により、フォトマスク基板２のアライメントが行われた後、チャンバ５６内に搬送され、フォトマスク基板２のパターンがウェーハに転写される。
【００３５】
露光後、フォトマスク基板２は、アライメント用ロボットハンド６４により、チャンバ５６から、ロボットハンド６２に搬送され、ロボットハンド６２により、ペリクル装脱着室５２内のフォトマスク支持台２０に載置される。ペリクル装脱着室５２では、上述したように、フォトマスク基板２上に、ペリクルフレーム４が載置され、装着機構３０により、ペリクルフレーム４内の空間６のガスが吸引され、これにより、再び、フォトマスク基板２に、ペリクルフレーム４が装着される。なお、ここで、ペリクル装脱着室５２内は、窒素ガスによりパージされているため、フォトマスク１００の内部の空間も窒素ガスが充填される。
【００３６】
以上説明したように、この実施の形態によれば、ペリクルフレーム４内の空間６を陰圧にして、ペリクルフレーム４とフォトマスク基板２とによりこの空間を密封し、これによって、フォトマスク基板２に、ペリクルフレーム４を装着することができる。また、ペリクルフレーム４内の空間６に、窒素ガスを供給し、これによって、フォトマスク基板２から、ペリクルフレーム４を取り外すことができる。従って、フォトマスク基板２や、ペリクル膜８等に異常が発見され、ペリクル膜８を取り外さなければならない時などでも、ガスの吸引や供給のみで、ペリクルフレーム４の脱着を容易に行うことができる。従って、ペリクルフレーム４を取り外す際に、特別な洗浄工程を必要とせず、フォトマスク基板２のパターンにダメージを与えることを防ぐことができる。また、ペリクルフレーム４の装脱着に、粘着剤等の接着手段を必要とせず、また、取り外し後の洗浄の工程を必要としないため、スループットの向上を図ることができる。
【００３７】
また、この実施の形態によれば、ペリクルフレーム４は、基板処理装置内で、装着を行うことができる。従って、ペリクルフレーム４を取り外して、フォトマスク基板２のみを露光装置内で用いることができる。従って、フォトマスク１００内の空間を、窒素ガスに置換する工程を省略することができ、従って、半導体装置の製造のスループットの向上を図ることができる。また、この実施の形態によれば、窒素ガス内で容易にペリクルフレーム４を装着できるため、装着と同時に、フォトマスク１００内の空間に窒素ガスを充填することができる。従って、ペリクル膜８を装着した状態のままフォトマスク１００を用いて露光を行う場合にも、フォトマスク１００内の空間に窒素ガスを充填する時間を短縮することができ、スループットの向上を図ることができる。
【００３８】
なお、この実施の形態においては、ペリクル装脱着装置２００に、装着機構３０と、脱着機構４０の両方を備える場合について説明した。しかし、この発明は、これに限るものではなく、例えば、装着機構３０のみを備え、ペリクルフレーム４の取り外しについては、栓１２を取り外すのみで対応するもの等であってもよい。
【００３９】
また、この実施の形態においては、通気孔１０に栓１２が設けられているものについて説明した。しかし、この発明は、栓１２が設けられているものに限るものではない。例えば、栓１２の代わりに、通気孔１０を、シールで閉じるもの等でもよく、また、通気孔１０に弁を設けて、ガスの逆流を防止できるようにしたもの等であっても良い。
【００４０】
また、この実施の形態において、装着機構３０、脱着機構４０は、ポンプ３２あるいは、供給源４２と、エアチューブ３４、４４、エアノズル３６、４８を備える場合について説明した。しかし、この発明においては、装脱着の手段は、これに限るものではなく、ペリクルフレーム４内の空間６から、適切にガスを排気し、あるいは、適切にガスを供給できるものであれば、他の手段を用いたものであってもよい。また、脱着機構４０の窒素供給源４２からは、酸素濃度１００ｐｐｍ程度の窒素ガスを供給する場合について説明した。しかし、この発明において、供給するガスは、このガスに限るものではなく、他のガスであってもよい。好適には、供給するガスとしては、酸素濃度が異なる窒素ガス等の不活性ガスや、また酸素が含まれない窒素ガス等の不活性ガス等が望ましい。
【００４１】
また、この実施の形態においては、基板処理装置３００内に、複数の部屋を設け、その部屋の間をロボットハンドが、フォトマスク１００あるいはフォトマスク基板２を搬送する場合について説明した。しかし、この発明においては、これらの部屋の全てを基板処理装置３００内に備える場合に限るものではなく、また、ロボットハンドにより、自動搬送できるようなものに限るものでもない。基板処理装置としては、ペリクル装脱着装置２００と、露光装置とを組み合わせて使用できるものであれば、他の構成であってもよい。
【００４２】
また、基板処理装置３００内は、常に、フィルタ６６を介して窒素ガスを供給している場合について説明した。しかし、この発明はこれに限るものではなく、基板処理装置３００内を先に窒素ガスなどで、充填し、ガスの供給は行わないものであっても良い。また、供給するガスは、窒素ガスに限るものではなく、他の不活性ガスであってもよい。また、窒素ガス等の不活性ガスに、少量の酸素を含むものであっても良い。
【００４３】
また、この実施の形態において、ペリクルフレーム４や、ペリクル膜８の材料を石英ガラスとしたが、この発明は、これに限るものではなく、他の材料で形成されたものであってもよい。但し、例えば、ペリクル膜８を装着したまま露光装置内で使用する場合には、露光光の透過率などは考慮する必要がある。
【００４４】
尚、この発明において、孔部には、例えば、実施の形態における通気孔１０が該当し、栓部材には、例えば、実施の形態における栓１２が該当する。また、この発明において、排気手段には、例えば、この実施の形態における装着機構３０が該当し、ガス供給手段には、例えば、脱着機構４０が該当する。
【００４５】
また、この発明において、ペリクル装脱着装置部には、例えば、実施の形態におけるペリクル装脱着室５２が該当し、フォトマスク収納部には、例えば、フォトマスクライブラリ５０が該当し、検査部には、例えば、パーティクル検査室５４が該当し、基板処理部には、例えば、チャンバ５６が該当する。
【００４６】
また、この発明において、第一、第二、第三のロボットハンドには、例えば、それぞれ、ロボットハンド６０、ロボットハンド６２及び、アライメント用ロボットハンド６４が該当する。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、フォトマスクのフレーム内部の空間のガスを吸引することにより、フレームを、フォトマスク基板に、容易に装着することが出来る。また、この空間にガスを供給することにより、フレームを容易に取り外すことができる。従って、フォトマスク基板や、ペリクル膜に異常があった場合にも、ペリクルの取り外しが容易であり、従って、スループットの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、この発明の実施の形態におけるフォトマスクを説明するための断面模式図である。
【図２】図１のＡ−Ａ´方向におけるフォトマスクの断面模式図である。
【図３】この発明の実施の形態におけるペリクル装脱着装置を説明するための概念図である。
【図４】この発明の実施の形態における基板処理装置を説明するための概念図である。
【符号の説明】
１００ フォトマスク
２００ ペリクル装脱着装置
３００ 基板処理装置
２ フォトマスク基板
４ ペリクルフレーム
６ 空間
８ ペリクル膜
１０ 通気孔
１２ 栓
２０ フォトマスク支持台
２２ ペリクル用ロボットハンド
２４ 栓用ロボットハンド
３０ 装着機構
３２ 真空ポンプ
３４ エアチューブ
３６ エアノズル
４０ 脱着機構
４２ 窒素供給源
４４ エアチューブ
４６ エアフィルタ
４８ エアノズル
５０ フォトマスクライブラリ
５２ ペリクル装脱着室
５４ パーティクル検査室
５６ チャンバ
６０、６２ ロボットハンド
６４ アライメント用ロボットハンド
６６ エアフィルタ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a photomask, a pellicle mounting / removing apparatus, and a substrate processing apparatus. More specifically, a photomask including a photomask substrate on which a desired pattern is formed, a pellicle film for protecting the pattern, and a frame on which the pellicle film is stretched, and a pellicle mounting / detaching of the photomask The present invention relates to an apparatus and a substrate processing apparatus using the same.
[0002]
[Prior art]
In a lithography process in semiconductor manufacturing, a pattern formed on a photomask substrate is irradiated with light, the light transmitted through the photomask is imaged on a wafer, and a photosensitive agent on the wafer is exposed to light. Then, a predetermined pattern is transferred to the wafer.
[0003]
If foreign matter directly adheres to the pattern of the photomask substrate used here, the foreign matter is transferred together with the pattern as it is, which may lead to a defect of the semiconductor chip. In order to prevent this, a method is generally employed in which a photomask substrate on which a pattern is formed is protected by a thin film called a pellicle film.
[0004]
Specifically, the pellicle film is held by a pellicle frame arranged so as to surround the outside of the pattern forming surface of the photomask substrate, thereby being stretched at a predetermined interval from the pattern forming surface of the photomask substrate. You. That is, the portion of the photomask substrate where the pattern is formed is protected by the pellicle frame and the pellicle film stretched over the pellicle frame so that foreign matter does not adhere to the pattern formation surface.
[0005]
Meanwhile, with miniaturization of recent semiconductor integrated circuits, also in the lithography process, the process proceeds to reduce the wavelength of exposure light, as a next generation exposure light, studies using a F 2 excimer laser beam having a wavelength of 157nm is in progress . The F 2 excimer laser light, because it has the property of being absorbed by the air, it is necessary to use an inert gas such as nitrogen little absorption.
[0006]
At the time of exposure, in the substrate processing apparatus, a predetermined photomask is taken out by a robot hand from a photomask library in which a photomask with a pellicle mounted is stored, and foreign matter on the photomask substrate or the surface of the pellicle in a particle inspection room. After being inspected for the presence or absence, the robot hand is again transported by the robot hand and moved to the exposure apparatus. At this time, the entire inside of the substrate processing apparatus is replaced with an inert gas such as nitrogen gas, and a series of operations are performed in an inert gas such as nitrogen.
[0007]
Further, since the F 2 excimer laser light is absorbed by the air inside the space closed by the photomask substrate, the pellicle frame, and the pellicle film, the gas in the space inside the photomask is removed from the substrate processing apparatus. There has been proposed a pellicle frame provided with a large number of ventilation holes so that it can be replaced with a pellicle frame. When such a photomask is used, the gas in the photomask is replaced with an inert gas such as nitrogen through the vent holes of the pellicle frame before the particle inspection. (For example, refer to Patent Document 1).
[0008]
[Patent Document 1]
JP 2001-133961 A
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the above-described photomask, the pellicle frame is bonded to the photomask substrate with a silicon-based adhesive or the like. For this reason, if the pellicle needs to be peeled off because the pellicle film is damaged or the like, a step of removing the adhesive is required after the pellicle frame is peeled off. At this time, the photomask pattern may be damaged.
[0010]
Further, in order to remount the pellicle film, it is necessary to mount the pellicle film again using an adhesive. Therefore, there is a problem that it takes a long time to peel or re-attach the pellicle film, which lowers the throughput in semiconductor manufacturing.
[0011]
Further, in order to use an F 2 excimer laser light, it is necessary to replace the atmosphere in the photomask inert gas such as nitrogen gas. However, in the above-described replacement from the ventilation holes of the frame, it takes a long time until the photomask is completely replaced, and thus there is a problem that the throughput is reduced.
[0012]
Therefore, the present invention aims to solve the above-mentioned problems and improve the throughput, thereby facilitating the attachment and detachment of the frame, and an improved photomask capable of shortening the time for gas replacement inside the photomask. A photomask mounting / removing device and a substrate processing device are proposed.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
Therefore, a photomask according to the present invention includes a photomask substrate having a predetermined pattern formed on one surface thereof,
Perpendicular to the one surface of the photomask substrate, a frame arranged to surround the outer periphery of the pattern,
A pellicle film stretched on the frame, facing the one surface of the photomask substrate, and arranged at a predetermined interval,
With
The frame is a hollow frame that is open at a portion in contact with the one surface of the photomask substrate,
A hole is provided in at least one place of the frame.
[0014]
Further, a pellicle mounting / removing device according to the present invention includes a support base for supporting a photomask,
Exhaust means for exhausting gas in the space inside the hollow frame that supports the pellicle film of the photomask stretched and supported on the support base.
[0015]
Further, the substrate processing apparatus of the present invention is a pellicle mounting / removing apparatus unit in which the pellicle mounting / removing apparatus of the present invention is disposed,
A photomask storage unit that stores and stores the photomask,
An inspection unit for inspecting the photomask,
A substrate processing unit that transfers a photomask pattern formed on the photomask to a substrate,
It is provided with.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In each of the drawings, the same or corresponding portions have the same reference characters allotted, and description thereof will be omitted or simplified.
[0017]
Embodiment FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining a photomask 100 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the photomask 100 in the AA ′ direction of FIG. .
As shown in FIG. 1, the photomask 100 includes a photomask substrate 2, a pellicle frame 4, and a pellicle film 8.
[0018]
A predetermined pattern (not shown) is formed on the photomask substrate 2. A pellicle frame 4 is arranged on an outer peripheral portion of the pattern forming surface on which the pattern is formed, perpendicular to the surface. The pellicle frame 4 is formed of quartz glass. The pellicle frame 4 is a hollow frame having an open surface at a portion in contact with the pattern forming surface of the photomask substrate 2, and has a square U-shaped cross section. The pellicle frame 4 has a space 6 closed by the U-shaped frame and the photomask substrate 2.
[0019]
The pellicle film 8 is stretched over the pellicle frame 4, and the pellicle film 8 is arranged at a predetermined distance from the photomask substrate so as to face the pattern formation surface. The pellicle film 4 is formed of quartz glass.
In addition, a vent hole 10 that penetrates the outer frame of the pellicle frame 4 from the space 6 to the outside is provided at one position of the outer frame of the pellicle frame 4. A plug 12 is provided in the ventilation hole 10.
[0020]
In the photomask 100, the space 6 in the pellicle frame 4 has a space inside the pellicle frame 4 when the vent hole 10 is closed by the plug 12 and the pellicle frame 4 is mounted on the photomask substrate 2. Reference numeral 6 is hermetically sealed by the pellicle frame 4 and the photomask substrate 2. At this time, the space closed by the photomask substrate 2, the pellicle frame 4, and the pellicle film 8 is also in a sealed state.
[0021]
FIG. 3 is a conceptual diagram including a partially transparent portion for describing the pellicle mounting / removing device 200 according to the embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 3, the pellicle mounting / removing apparatus 200 includes a photomask support 20 on which the photomask substrate 2 is placed. A pellicle robot hand 22 is provided at one location near the photomask support 20. The pellicle robot hand 22 holds or transports the pellicle frame 4. A stopper robot hand 24 is installed near the stopper 12 of the pellicle frame 4. The stopper robot hand 24 can open and close the stopper 12.
[0022]
The pellicle mounting / removing device 200 includes a mounting mechanism 30. The mounting mechanism 30 includes a vacuum pump 32, an air tube 34 connected to the vacuum pump 32, and an air nozzle 36 formed at the tip of the air tube 34. The air nozzle 36 is adapted to engage with the ventilation hole 10 provided in the pellicle frame 4.
[0023]
Further, the pellicle mounting / removing device 200 includes a removable mechanism 40. The desorption mechanism 40 includes a nitrogen supply source 42 and an air tube 44 connected thereto. A filter 46 is provided at one location in the air tube 44, and an air nozzle 48 is provided at the tip of the air tube 44. The nitrogen gas supply source 42 can supply a nitrogen gas having an oxygen concentration of about 100 ppm. The air nozzle 48 is adapted to engage with the ventilation hole 10 provided in the pellicle frame 4.
[0024]
FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating a substrate processing apparatus 300 according to an embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 4, the substrate processing apparatus 300 includes a photomask library 50, a pellicle mounting / removing apparatus room 52, a particle inspection room 54, and a chamber 56. A plurality of photomasks 100 are stored in the photomask library 50. In the pellicle loading / unloading chamber 52, a pellicle loading / unloading device 200 is installed. In the particle inspection room 54, the photomask substrate 2 is inspected for any abnormality such as adhesion of foreign matter and scratches, and in the chamber 56, exposure is performed.
[0025]
In addition, a robot hand 60 that holds and transports the photomask 100 is provided between the photomask library 50 and the pellicle loading / unloading chamber 52. Further, a robot hand 62 is provided for transporting the photomask substrate 2 between the pellicle mounting / removing chamber 52 and the particle inspection chamber 54. An alignment robot hand 64 is provided for transfer between the robot hand 62 and the chamber 56.
[0026]
An air filter 66 is provided in the substrate processing apparatus 300, and a nitrogen gas is always supplied to the entire inside of the processing apparatus 300 via the air filter 66.
[0027]
Next, the operation of the pellicle mounting / removing apparatus 200 and the substrate processing apparatus 300 configured as described above will be described.
[0028]
Referring to FIG. 3, when mounting pellicle frame 4 on photomask substrate 2, mounting mechanism 30 of pellicle mounting / removing device 200 is used. Specifically, first, the photomask substrate 2 is placed on the photomask support 20 with the pattern formation surface facing upward. Thereafter, the pellicle frame 4 on which the pellicle film 8 is stretched is transported by the pellicle robot hand 22. The pellicle frame 4 is placed on the photomask substrate 2 such that the stopper 12 comes to the stopper robot hand 24 side.
[0029]
Next, the stopper 12 is pulled out by the stopper robot hand 24, and the air nozzle 36 is inserted into the ventilation hole 10. Thereafter, suction is started by the vacuum pump 32, and the gas in the space 6 in the pellicle frame 4 is exhausted. Thereafter, the air nozzle 36 is removed, and the stopper 12 is fitted into the vent hole 10 again by the stopper robot hand 24. As a result, the space 6 in the pellicle frame 4 has a negative pressure, and adheres to the photomask substrate 2. In this way, the pellicle frame 4 can be mounted on the photomask substrate 2 without using an adhesive.
[0030]
When removing the pellicle frame 4 of the photomask 100, the attachment / detachment mechanism 40 of the pellicle attachment / detachment device 200 is used. Specifically, first, the photomask 100 is placed on the photomask support 20. At this time, the photomask 100 is placed so that the stopper 12 comes to the stopper robot hand 24 side.
[0031]
Next, the pellicle frame 4 is held by the pellicle robot hand 24, and in this state, the stopper 12 is removed by the stopper robot hand 24. Thereafter, the air nozzle 48 is inserted into the vent hole 10, and the supply of nitrogen gas having an oxygen concentration of about 100 ppm from the nitrogen supply source 42 is started. After the nitrogen gas passes through the air tube 44 and passes through the filter 46 to remove foreign matter, the nitrogen gas is filled into the space 6 of the pellicle frame 4 from the air nozzle 48. Thereby, the space 6 in the pellicle frame 4 becomes positive pressure, and the pellicle frame 4 is removed from the photomask substrate 2.
[0032]
Next, an operation in the substrate processing apparatus 300 will be described.
A plurality of photomasks 100 are stored in the photomask library 50 of the substrate processing apparatus 300. A predetermined photomask 100 is selected from the photomask library 50 by the robot hand 60 and transported to the pellicle mounting / removing chamber 52. The photomask substrate 2 is arranged on the photomask support base 20 of the pellicle mounting / removing apparatus 200 in the pellicle mounting / removing chamber 52. In the pellicle mounting / removing chamber 52, as described above, the nitrogen gas is supplied to the space 6 in the pellicle frame 4 by the mounting / removing mechanism 40 of the pellicle mounting / removing apparatus 200, whereby the pellicle frame 4 is removed.
[0033]
Next, the photomask substrate 2 is transported to the particle inspection room 54 by the robot hand 62. In the particle inspection room 54, the photomask substrate 2 is inspected for any foreign matter such as adhesion of foreign matter and scratches.
[0034]
After the inspection, the robot mask 62 transfers the photomask substrate 2 to the alignment robot hand 64. After the alignment of the photomask substrate 2 is performed by the alignment robot hand 64, the photomask substrate 2 is transferred into the chamber 56, and the pattern of the photomask substrate 2 is transferred to the wafer.
[0035]
After the exposure, the photomask substrate 2 is transferred from the chamber 56 to the robot hand 62 by the alignment robot hand 64, and is placed on the photomask support base 20 in the pellicle loading / unloading chamber 52 by the robot hand 62. In the pellicle loading / unloading chamber 52, as described above, the pellicle frame 4 is placed on the photomask substrate 2, and the gas in the space 6 in the pellicle frame 4 is sucked by the mounting mechanism 30, thereby again. The pellicle frame 4 is mounted on the photomask substrate 2. Here, since the inside of the pellicle mounting / removing chamber 52 is purged with nitrogen gas, the space inside the photomask 100 is also filled with nitrogen gas.
[0036]
As described above, according to this embodiment, the space 6 in the pellicle frame 4 is set to a negative pressure, and the space is sealed by the pellicle frame 4 and the photomask substrate 2, whereby the photomask substrate 2 In addition, the pellicle frame 4 can be mounted. Further, a nitrogen gas is supplied to the space 6 in the pellicle frame 4, whereby the pellicle frame 4 can be removed from the photomask substrate 2. Therefore, even when an abnormality is found in the photomask substrate 2, the pellicle film 8, or the like and the pellicle film 8 has to be removed, the pellicle frame 4 can be easily attached and detached only by sucking or supplying gas. . Therefore, when removing the pellicle frame 4, a special cleaning step is not required, and it is possible to prevent the pattern of the photomask substrate 2 from being damaged. Further, the mounting and demounting of the pellicle frame 4 does not require an adhesive means such as an adhesive, and does not require a cleaning step after removal, so that the throughput can be improved.
[0037]
Further, according to this embodiment, the pellicle frame 4 can be mounted in the substrate processing apparatus. Therefore, the pellicle frame 4 can be removed, and only the photomask substrate 2 can be used in the exposure apparatus. Therefore, the step of replacing the space in the photomask 100 with the nitrogen gas can be omitted, and thus, the throughput of manufacturing the semiconductor device can be improved. Further, according to this embodiment, since pellicle frame 4 can be easily mounted in nitrogen gas, the space in photomask 100 can be filled with nitrogen gas simultaneously with mounting. Therefore, even when exposure is performed using the photomask 100 while the pellicle film 8 is mounted, the time for filling the space inside the photomask 100 with nitrogen gas can be reduced, and the throughput can be improved. Can be.
[0038]
In this embodiment, a case has been described in which the pellicle mounting / removing device 200 includes both the mounting mechanism 30 and the removable mechanism 40. However, the present invention is not limited to this. For example, the pellicle frame 4 may be provided with only the mounting mechanism 30, and the pellicle frame 4 may be removed only by removing the plug 12.
[0039]
Further, in this embodiment, the case where the plug 12 is provided in the ventilation hole 10 has been described. However, the present invention is not limited to the one provided with the stopper 12. For example, instead of the plug 12, the vent hole 10 may be closed with a seal or the like, or a valve may be provided in the vent hole 10 to prevent backflow of gas.
[0040]
In this embodiment, the case where the mounting mechanism 30 and the detaching mechanism 40 include the pump 32 or the supply source 42, the air tubes 34 and 44, and the air nozzles 36 and 48 has been described. However, in the present invention, the mounting / removing means is not limited to this, and any other means can be used as long as it can appropriately exhaust gas from the space 6 in the pellicle frame 4 or supply gas appropriately. May be used. Further, the case where the nitrogen gas having the oxygen concentration of about 100 ppm is supplied from the nitrogen supply source 42 of the desorption mechanism 40 has been described. However, in the present invention, the gas to be supplied is not limited to this gas, and may be another gas. Preferably, the supplied gas is an inert gas such as a nitrogen gas having a different oxygen concentration, or an inert gas such as a nitrogen gas containing no oxygen.
[0041]
In this embodiment, a case has been described in which a plurality of rooms are provided in the substrate processing apparatus 300 and the robot hand transports the photomask 100 or the photomask substrate 2 between the rooms. However, the present invention is not limited to the case where all of these rooms are provided in the substrate processing apparatus 300, and is not limited to the case where the robot hand can automatically transfer the rooms. As the substrate processing apparatus, another configuration may be used as long as the pellicle mounting / removing apparatus 200 and the exposure apparatus can be used in combination.
[0042]
Further, the case where the nitrogen gas is always supplied through the filter 66 in the substrate processing apparatus 300 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the inside of the substrate processing apparatus 300 may be filled with nitrogen gas or the like first, and the gas may not be supplied. Further, the gas to be supplied is not limited to nitrogen gas, but may be another inert gas. Further, an inert gas such as a nitrogen gas may contain a small amount of oxygen.
[0043]
In this embodiment, the material of the pellicle frame 4 and the pellicle film 8 is quartz glass. However, the present invention is not limited to this, and may be formed of another material. However, for example, when the pellicle film 8 is used in an exposure apparatus with the pellicle film 8 mounted, it is necessary to consider the transmittance of the exposure light.
[0044]
In the present invention, the hole corresponds to, for example, the vent hole 10 in the embodiment, and the plug member corresponds to, for example, the plug 12 in the embodiment. Further, in the present invention, for example, the mounting mechanism 30 in this embodiment corresponds to the exhaust means, and the desorption mechanism corresponds to the gas supply means, for example.
[0045]
In the present invention, for example, the pellicle mounting / removing device section corresponds to the pellicle mounting / removing chamber 52 in the embodiment, the photomask storage section corresponds to, for example, the photomask library 50, and the inspection section corresponds to, for example. For example, the particle inspection room 54 corresponds, and the substrate processing unit corresponds to, for example, a chamber 56.
[0046]
In the present invention, the first, second, and third robot hands correspond to, for example, the robot hand 60, the robot hand 62, and the alignment robot hand 64, respectively.
[0047]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the frame can be easily mounted on the photomask substrate by sucking the gas in the space inside the frame of the photomask. Also, by supplying gas to this space, the frame can be easily removed. Therefore, even if there is an abnormality in the photomask substrate or the pellicle film, the pellicle can be easily removed, and the throughput can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a photomask according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the photomask in the AA ′ direction of FIG.
FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating a pellicle mounting / removing device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
REFERENCE SIGNS LIST 100 Photomask 200 Pellicle attachment / detachment device 300 Substrate processing device 2 Photomask substrate 4 Pellicle frame 6 Space 8 Pellicle film 10 Vent hole 12 Plug 20 Photomask support 22 Pellicle robot hand 24 Plug robot hand 30 Mounting mechanism 32 Vacuum pump 34 air tube 36 air nozzle 40 desorption mechanism 42 nitrogen supply source 44 air tube 46 air filter 48 air nozzle 50 photomask library 52 pellicle mounting / removal chamber 54 particle inspection chamber 56 chamber 60, 62 robot hand 64 alignment robot hand 66 air filter

Claims (9)

一面に所定のパターンの形成されたフォトマスク基板と、
前記フォトマスク基板の前記一面に対して垂直に、前記パターンの外周を囲むように配置されたフレームと、
前記フレームに張設され、フォトマスク基板の前記一面に対向し、所定の間隔を置いて配置されたペリクル膜と、
を備え、
前記フレームは、前記フォトマスク基板の前記一面と接する部分において開放する中空のフレームであり、
前記フレームの少なくとも一箇所に孔部を備えることを特徴とするフォトマスク。A photomask substrate having a predetermined pattern formed on one surface;
Perpendicular to the one surface of the photomask substrate, a frame arranged to surround the outer periphery of the pattern,
A pellicle film stretched on the frame, facing the one surface of the photomask substrate, and arranged at a predetermined interval,
With
The frame is a hollow frame that is open at a portion in contact with the one surface of the photomask substrate,
A photomask comprising a hole in at least one portion of the frame. 前記孔部に、前記孔部を閉じる栓部材を備えることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。The photomask according to claim 1, further comprising a plug member that closes the hole. フォトマスクを支持する支持台と、
前記支持台に配置されたフォトマスクのペリクル膜を張設して支持する中空のフレーム内部の空間のガスを排気する排気手段と、
を備えることを特徴とするペリクル装脱着装置。A support for supporting the photomask,
Exhaust means for exhausting gas in the space inside the hollow frame that stretches and supports the pellicle film of the photomask disposed on the support base,
A pellicle mounting / removing device comprising: 前記排気手段は、
前記フレームに設けられた孔部に接続するエアノズルと、
前記エアノズルを介してガスを吸引するポンプと、
を備えることを特徴とする請求項３に記載のペリクル装脱着装置。The exhaust means,
An air nozzle connected to a hole provided in the frame,
A pump for sucking gas through the air nozzle,
The pellicle mounting / removing apparatus according to claim 3, further comprising: 前記フレーム内部の空間にガスを供給するガス供給手段を備えることを特徴とする請求項３または４に記載のペリクル装脱着装置。The pellicle mounting / removing device according to claim 3, further comprising a gas supply unit configured to supply gas to a space inside the frame. フォトマスクを支持する支持台と、
前記支持台に配置されたフォトマスクのペリクル膜を張設して支持する中空のフレーム内部の空間にガスを供給するガス供給手段と、
を備えることを特徴とするペリクル装脱着装置。A support for supporting the photomask,
Gas supply means for supplying gas to the space inside the hollow frame that supports the pellicle film of the photomask stretched and supported on the support base,
A pellicle mounting / removing device comprising: 前記供給手段は、
前記フレームに設けられた孔部に接続するエアノズルと、
前記エアノズルを介してガスを供給する供給源と、
を備えることを特徴とする請求項５または６に記載のペリクル装脱着装置。The supply means,
An air nozzle connected to a hole provided in the frame,
A supply source for supplying gas through the air nozzle;
The pellicle mounting / removing device according to claim 5 or 6, further comprising: 請求項３から７のいずれかに記載のペリクル装脱着装置の配置されたペリクル装脱着装置部と、
フォトマスクを収納して保管するフォトマスク収納部と、
前記フォトマスクの検査を行う検査部と、
前記フォトマスクに形成されたパターンを基板に転写する基板処理部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。A pellicle attachment / detachment device section in which the pellicle attachment / detachment device according to any one of claims 3 to 7 is arranged,
A photomask storage unit that stores and stores the photomask,
An inspection unit for inspecting the photomask,
A substrate processing unit for transferring a pattern formed on the photomask to a substrate,
A substrate processing apparatus comprising: 前記ペリクル装脱着装置部と、前記フォトマスク収納部との間で、フォトマスクを自動的に搬送する第一のロボットハンドと、
前記ペリクル装脱着装置部と、前記検査部との間で、フォトマスクを自動的に搬送する第二のロボットハンドと、
前記フォトマスク装脱着装置部と、前記基板処理部との間で、フォトマスクを自動的に搬送する第三のロボットハンドと、
を備えることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。The pellicle mounting / removing device unit, between the photomask storage unit, a first robot hand that automatically transports a photomask,
The pellicle loading / unloading device unit, between the inspection unit, a second robot hand that automatically transports the photomask,
A third robot hand that automatically transports a photomask between the photomask mounting / detaching device unit and the substrate processing unit,
The substrate processing apparatus according to claim 8, further comprising:
JP2003030087A 2003-02-06 2003-02-06 Photomask, device for applying and removing pellicle, and device for processing substrate Pending JP2004240221A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003030087A JP2004240221A (en) 2003-02-06 2003-02-06 Photomask, device for applying and removing pellicle, and device for processing substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003030087A JP2004240221A (en) 2003-02-06 2003-02-06 Photomask, device for applying and removing pellicle, and device for processing substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004240221A true JP2004240221A (en) 2004-08-26

Family

ID=32957068

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003030087A Pending JP2004240221A (en) 2003-02-06 2003-02-06 Photomask, device for applying and removing pellicle, and device for processing substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004240221A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015182482A1 (en) * 2014-05-27 2015-12-03 三井化学株式会社 Pellicle mounting device
WO2015182483A1 (en) * 2014-05-27 2015-12-03 三井化学株式会社 Pellicle-manufacturing device
WO2016072149A1 (en) * 2014-11-04 2016-05-12 日本軽金属株式会社 Pellicle support frame and production method
WO2016113981A1 (en) * 2015-01-16 2016-07-21 日本軽金属株式会社 Support frame for pellicle
JP2016139103A (en) * 2015-01-29 2016-08-04 日本軽金属株式会社 Supporting frame for pellicle
KR20190135562A (en) * 2014-11-17 2019-12-06 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Apparatus

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2015182482A1 (en) * 2014-05-27 2017-04-20 三井化学株式会社 Pellicle mount device
WO2015182483A1 (en) * 2014-05-27 2015-12-03 三井化学株式会社 Pellicle-manufacturing device
WO2015182482A1 (en) * 2014-05-27 2015-12-03 三井化学株式会社 Pellicle mounting device
JPWO2015182483A1 (en) * 2014-05-27 2017-04-20 三井化学株式会社 Pellicle manufacturing equipment
WO2016072149A1 (en) * 2014-11-04 2016-05-12 日本軽金属株式会社 Pellicle support frame and production method
JP2016090784A (en) * 2014-11-04 2016-05-23 日本軽金属株式会社 Pellicle support frame and manufacturing method
US10642151B2 (en) 2014-11-04 2020-05-05 Nippon Light Metal Company, Ltd. Pellicle support frame and production method
JP2020024470A (en) * 2014-11-17 2020-02-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． apparatus
KR20190135562A (en) * 2014-11-17 2019-12-06 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Apparatus
US10969701B2 (en) 2014-11-17 2021-04-06 Asml Netherlands B.V. Pellicle attachment apparatus
US11003098B2 (en) 2014-11-17 2021-05-11 Asml Netherlands B.V Pellicle attachment apparatus
US11009803B2 (en) 2014-11-17 2021-05-18 Asml Netherlands B.V. Mask assembly
KR102544694B1 (en) 2014-11-17 2023-06-16 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Apparatus
EP4286941A3 (en) * 2014-11-17 2024-03-06 ASML Netherlands B.V. Pellicle attachment apparatus
US10281814B2 (en) 2015-01-16 2019-05-07 Nippon Light Metal Company, Ltd. Support frame for pellicle
JP2016133559A (en) * 2015-01-16 2016-07-25 日本軽金属株式会社 Support frame for pellicle
WO2016113981A1 (en) * 2015-01-16 2016-07-21 日本軽金属株式会社 Support frame for pellicle
WO2016121180A1 (en) * 2015-01-29 2016-08-04 日本軽金属株式会社 Support frame for pellicles
JP2016139103A (en) * 2015-01-29 2016-08-04 日本軽金属株式会社 Supporting frame for pellicle

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6732746B2 (en) Reduced particle contamination manufacturing and packaging for reticles
TW480610B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US7718008B2 (en) Method for cleaning photo mask
US8724088B2 (en) Pellicle mounting apparatus and assembly with pellicle mounted on mask
JP2006128188A (en) Substrate carrying apparatus, substrate carrying method and exposure apparatus
US20060016458A1 (en) Reduced pressure irradiation processing method and apparatus
TWI450045B (en) Exposure method and apparatus for reducing photomask haze via ventilation
JP2004240221A (en) Photomask, device for applying and removing pellicle, and device for processing substrate
JP2004179515A (en) Conveyer
JP4096246B2 (en) Mask cleaning method and apparatus, and device manufacturing system
JP2005123292A (en) Storage device and exposure method using it
JP2000200745A (en) Projection aligner
US20080173339A1 (en) Method for cleaning semiconductor device
WO2002093626A1 (en) Aligning method and aligner, and method and system for conveying substrate
JP4403775B2 (en) Pellicle and photomask
NL2033682B1 (en) Lithographic method by using a photomask contained in a transparent pod
JP2000098589A (en) Reticle foreign matter inspection device, exposure device having reticle foreign matter inspection function and production of semiconductor device
JP5263274B2 (en) Exposure apparatus and method
JP2004241740A (en) Dust-proofing device, stencil mask with dust-proofing device, exposure method, inspection method and defect correcting method
JP2004302107A (en) Purging system and purging method
JP2004214562A (en) Exposure system and mask manufacturing system
JP2004289147A (en) Aligner and its method, and manufacturing method for electronic device
JP2000082666A (en) X ray mask structure, x ray aligner, x ray exposing method using the x ray aligner, semiconductor device manufacture by using the x ray mask structure or the x ray aligner and manufacture of the semiconductor device
JP2005086138A (en) Device and method for exposure and semiconductor device
JP2004170802A (en) Reticle drying apparatus, exposure apparatus, semiconductor device and exposure method

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050512

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20050729

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20050811