KR100983006B1 - 증기 기상 식각방식을 이용하여 수직으로 배열된 다량의웨이퍼를 가공하는 반도체 또는 전자소자용 증기 식각 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 공정 중 하나인 MEMS 구조에서 실리콘 웨이퍼 면 상에 마이크론 단위의 특수한 구조물을 만들기 위해 수직으로 배열된 다수의 웨이퍼 가공 및 식각장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다수의 웨이퍼를 수평방향으로 일정간격 이격시켜 수직방향으로 세워서 거치시키는 카세트가 챔버의 내부 공간부에 설치되고, 챔버의 상단부와 하단부에 각각 구비된 샤워헤드와 배플에 의해 반응가스가 상하방향으로 이동되게 하여 웨이퍼의 면을 가공 및 식각 시키는 반도체 공정용 장비이다.

상기와 같은 구조에 의하면, 한 번의 공정에 다수의 웨이퍼를 미세 식각 가공 시킬 수 있고, 상하방향에서 공급된 반응가스에 의해 다수의 웨이퍼 양면을 균일하게 가공시킬 수 있으며, 이에 따라 종래보다 단시간에 다량의 웨이퍼를 가공할 수 있어 작업시간이 단축되고, 작업비용을 감소시킬 수 있는 등의 작업효율을 향상시킬 수 있다.

반도체, 웨이퍼, 다량, 수직, 거치, 샤워헤드, 가공, 건조

Description

증기 기상 식각방식을 이용하여 수직으로 배열된 다량의 웨이퍼를 가공하는 반도체 또는 전자소자용 증기 식각 장치{Gas phase vapor etcher for processing the wafer of the perpendicularly arranged large amount}

본 발명은 수직으로 배열된 다량의 웨이퍼를 가공하는 반도체 또는 전자소자용 증기 식각 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다수의 웨이퍼를 수직방향으로 세워서 수납하고, 반응가스를 상하방향으로 공급하여 웨이퍼를 가공할 수 있도록 하여 한 번의 공정에 다수의 웨이퍼를 미세가공 시킬 수 있다.

그리고 상하방향에서 공급된 반응가스에 의해 다수의 웨이퍼 단면 혹은 양면을 균일하게 가공시킬 수 있으며, 이에 따라 종래보다 단시간에 다량의 웨이퍼를 가공할 수 있어 작업시간이 단축되고, 작업비용을 감소시킬 수 있는 등의 작업효율을 향상시킬 수 있는 증기 기상 식각방식을 이용하여 수직으로 배열된 다량의 웨이퍼를 가공하는 반도체 또는 전자소자용 증기 식각 장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 제조 공정은 웨이퍼 표면에 박막의 적층, 식각 및 이온주입을 반복적으로 실시하여 원하는 회로의 동작 특성을 가지는 반도체 소자를 형 성하는 것이다.

여기서 적층된 박막을 선택적으로 제거하는 식각작업은 습식식각과 건식식각으로 나눠지며, 습식식각은 용액을 사용하여 웨이퍼의 표면을 식각하는 것이고, 건식식각은 플라즈마를 이용하여 반응가스에 의한 웨이퍼 면을 식각하는 것이다.

본 발명은 이러한 건식 식각과 습식 식각의 장점을 이용하여 반도체에서의 미세한 특수 구조물을 만들기 위한 최적의 공정 조건을 제공하기 위한 장치이다.

통상적 식각 방법인 건식 플라즈마 및 습식 식각용 용액을 이용하지 않고 낮은 진공 상태의 챔버를 이용하여 가스 형태의 불산(HF)과 알콜을 증기 기상 상태로 혼합하여 이산화규소(SiO2)를 선택적으로 식각하는 새로운 형태의 식각 장치이다.

본 발명의 식각 장치는 기판(substrate)과 미세 구조체(microstructure) 사이의 중간층인 희생 산화막을 식각하여 고착현상이나 잔류물질 없이 기판으로부터 미세 구조를 분리시켜 띄우는 방법으로 MEMS 소자에서 제조에 이용하기 위해 불화 수소와 버블링한 알코올 증기를 공급하여 알코올을 끓는 점 이상으로 유지시켜 반응로인 챔버에 이동시켜 희생 산화막을 제거하게 함으로서 미세구조물을 형성하게끔 하는 장치이다.

이러한 장치의 기존 방식으로는 한 장의 기판을 챔버에 넣고 가공하는 방식의 연구용 장비와 여러 장의 기판을 수평방향으로 넣어 가스를 옆에서 흐르게 하여 다량의 시판을 가공하는 생산용 장치로 나뉘어져 있다.

본 발명에서는 다량의 기판을 가공하기 위해 반응 가스를 옆에서 공급하는 방식을 완전히 탈피하여 더 가공성이 좋고 생산성에서 유리하게끔 다량의 기판을 수직으로 세워 챔버에 수납하고, 한번에 이송한 후 반응가스를 위에서 아래로, 즉 상하로 흐르게 하여 반응가스의 반응성 및 직진성을 향상시키고, 생산성에서 기존 방식보다 훨씬 향상되게 차별화하였다.

이러한 방법을 이용하면 기판의 크기나 면적에 관계없이 용도에 따라 원하는 크기의 챔버를 제작할 수 있을 뿐만 아니라 공정 조건도 크기 면적에 따라 다르지 않아 공정 조건을 쉽게 확보할 수 있고 생산성 향상에도 크게 기여할 수 있다.

본 발명 장치는 기존 방식인 한 장의 수평으로 놓인 기판 가공에서 다량의 수직으로 놓인 기판 가공까지 다양하게 응용될 수 있다.

한편, 본 발명품은 다량의 기판을 반응 가스와 반응시 회전할 수 있게끔 구성함으로서 얻을 수 있는 최적의 가공 균일도를 확보하였다.

이와 같은, 웨이퍼의 가공은, 카세트에 고정 거치된 웨이퍼를 로봇암을 이용하여 가공장치의 챔버 내에 수평으로 거치시킨 후, 챔버 내부에 불산(HF) 와 메탄올(CH3OH) 혹은 알코올의 혼합 증기 반응가스를 형성시켜 웨이퍼의 표면을 가공하게 된다.

도 1은 종래 웨이퍼 가공장치를 계략적으로 도시한 도면이다.

도면에서 도시한 바와 같이, 종래 웨이퍼 가공 장치(2)는 챔버(3) 내부에 구비된 척(4)에 하나의 웨이퍼(1)를 수평 방향으로 거치시키고, 가스공급부(5)에서 반응가스를 공급하여 웨이퍼(1)의 표면을 가공시키게 된다.

이때, 가스공급부(5)가 연결된 챔버(3)의 반대편에는 진공펌프(미 도시)가 구비되어 챔버(3) 내부에 있는 기체들을 배출시킴에 따라 챔버(3) 내부는 진공상태 를 유지하게 된다.

상기와 같은 과정을 거쳐 가공이 끝난 웨이퍼(1)는 다음 공정으로 이동되고, 가공이 필요한 새로운 웨이퍼(1)가 척(4)에 거치되어 다시 일정 시간 가공된다.

가공이 끝난 웨이퍼(1)는 척(4)의 온도를 높여 줌으로서 반응 가스에 의해 형성된 수분(H2O)을 제거, 건조시키게 된다.

그러나, 상기의 장치들은 챔버 내부에 하나의 웨이퍼(1)를 수평으로 거치시킨 후, 일정시간 경과 후 완료되는 과정을 거침에 따라 다량의 웨이퍼를 가공 및 건조하는 시간이 오래 걸리게 되는 문제점이 있다.

다시 말해, 하루에 최대 25매의 웨이퍼만 가공할 수 있고, 각 장마다 로봇암에 의해 거치대에 이송시켜야 함으로서 웨이퍼의 이송시간이 너무 오래 걸려 생산성에 한계가 있는 문제점이 있다.

이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로써, 내부에 수납공간이 형성된 카세트에 의해 웨이퍼를 상하방향으로 세워서 수납할 수 있고, 카세트 롤러에 의해 다수의 웨이퍼를 일정간격으로 이격시켜 수납할 수 있다.

그리고 샤워헤드와 배플에 의해 반응가스를 상하방향으로 공급 및 배출시킬 수 있어 카세트에 의해 세워서 거치된 다수의 웨이퍼를 가공할 수 있을뿐만 아니라 양면을 미세가공 할 수 있다.

이에 따라, 이미 웨이퍼가 수납된 거치대를 한번에 로봇을 이용하여 챔버로 이송시킴으로서 웨이퍼 이송시간을 획기적으로 단축 시킬 수 있으며 또한, 한 번의 공정에 다수의 웨이퍼를 가공 시킬 수 있고, 상하 수직 방향에서 공급된 반응가스에 의해 다수의 웨이퍼 단면 혹은 양면을 균일하게 가공시킬 수 있으며, 이에 따라 종래보다 단시간에 보다 많은 다량의 웨이퍼를 가공할 수 있어 작업시간이 단축되고, 작업비용을 감소시킬 수 있는 등의 작업효율을 향상시킬 수 있는 수직으로 배열된 다수의 웨이퍼 가공장치를 제공하는 것이 목적이다.

상기 목적을 이루기 위한 본 발명은, 내부에 공간부가 형성된 챔버, 상기 챔버 공간부에 설치되며, 다수의 웨이퍼를 수평방향으로 일정간격 이격시켜 수직방향으로 세워서 거치시키는 카세트, 상기 챔버의 상단부에 설치되며, 다수의 샤워공이 형성된 샤워헤드, 상기 샤워헤드를 통해 상기 챔버 내부에 불산(HF)과 알코올의 혼합반응가스를 증기 상태로 위에서 아래로 균일하게 수직방향으로 공급하는 가스공급부, 상기 챔버 하단부에 설치되며, 다수의 배출공으로 구성하여 균일한 배기를 할 수 있도록 형성된 배플, 및 상기 배플을 통해 상기 챔버에 공급된 반응가스를 배출시킴에 따라 챔버 내부를 진공상태로 유지시키는 진공배기부를 포함하여 이루어지며, 상기 카세트에 의해 다수의 웨이퍼를 상기 챔버에 거치시키고, 각 웨이퍼의 단면 혹은 양면을 동시에 미세가공 및 건조시키도록 반응가스를 수직방향으로 공급한다.

바람직하게, 상기 카세트는, 웨이퍼 수납공간이 형성되도록 상호 일정간격 이격된 한 쌍의 카세트 플레이트, 상기 한 쌍의 카세트 플레이트의 간격을 유지하도록 하단에 설치되며, 다수의 카세트 배플공이 통공된 카세트 배플, 및 상기 한 쌍의 카세트 플레이트에 회전가능하도록 설치되어 세워져 수납되는 웨이퍼를 거치시키는 다수의 카세트 롤러를 포함하여 이루어진다.

그리고 상기 카세트 플레이트는 상단 중간부가 원호형상으로 하향절곡되어 수납되는 웨이퍼 면의 중앙부가 외측에서 보이도록 형성된다.

또한, 상기 카세트 배플공은 카세트 배플의 중앙부에서 길이방향 단부로 갈수록 직경이 다르게 형성된다.

그리고 상기 카세트 배플공은 카세트 배플의 중앙부에서 길이방향 단부로 갈수록 직경이 점진적으로 작아지게 형성된다.

또한, 상기 카세트 롤러는 외주면에 띠형상의 거치홈이 길이방향을 따라 일 정간격으로 다수 개 형성된다.

그리고 상기 샤워헤드는 사각 혹은 원형 형상으로 이루어지며, 샤워공은 샤워헤드의 중앙부에서 가장자리로 갈수록 형성밀도가 점진적으로 다르게 형성된다.

또한, 상기 배플은 사각 혹은 원형 형상으로 이루어지며, 배출공은 배플의 중앙부에서 가장자리로 갈수록 형성밀도가 점진적으로 다르게 형성된다.

그리고 상기 가스공급부의 반응가스는 불산(HF), 질소(N2), 산소(O2), 메탄올(CH3OH), 알코올 중 선택된 어느 하나 이상이다.

상기한 바와 같이, 본 발명에 의한 증기 기상 식각방식을 이용하여 수직으로 배열된 다량의 웨이퍼를 가공하는 반도체 또는 전자소자용 증기 식각 장치에 의한 불산(HF)과 메탄올 혹은 에탄올의 증기형태의 반응가스를 이용하여, 카세트에 의해 다수의 웨이퍼를 수직방향으로 세워 거치시킨 다수의 웨이퍼를 한번에 선택적 미세 식각 가공 시킬 수 있고, 샤워헤드와 배플이 챔버의 상단 및 하단에 각각 구비되어 반응가스를 상하 수직 방향으로 공급됨에 따라 수직으로 거치된 웨이퍼의 단면 및 양면을 균일하게 가공시킬 수 있다.

이와 같은, 공정에 의해 종래보다 단시간에 다량의 웨이퍼를 미세가공할 수 있어 작업시간이 단축되고, 작업비용을 감소시킬 수 있는 등의 작업효율을 향상시킬 수 있게 하는 매우 유용하고 효과적인 발명이다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.

또한, 본 실시 예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고 단지 예시로 제시된 것이며, 그 기술적 요지를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변경이 가능하다.

도 2는 본 발명에 따른 증기 기상 식각방식을 이용하여 수직으로 배열된 다량의 웨이퍼를 가공하는 반도체 또는 전자소자용 증기 식각 장치를 도시한 도면이고, 도 3은 본 발명에 따른 증기 기상 식각방식을 이용하여 수직으로 배열된 다량의 웨이퍼를 가공하는 반도체 또는 전자소자용 증기 식각 장치의 측면을 도시한 도면이며, 도 4는 본 발명에 따른 증기 기상 식각방식을 이용하여 수직으로 배열된 다량의 웨이퍼를 가공하는 반도체 또는 전자소자용 증기 식각 장치의 카세트를 도시한 도면이고, 도 5는 본 발명에 따른 수직으로 배열된 다수의 웨이퍼 가공 장치의 카세트 측면을 도시한 도면이며, 도 6은 본 발명에 따른 수직으로 배열된 다수의 웨이퍼 가공 장치의 샤워헤드를 도시한 도면이고, 도 7은 본 발명에 따른 수직으로 배열된 다수의 웨이퍼 가공 장치의 사용상태를 도시한 도면이다.

도면에서 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공 장치(10)는 챔버(100)와 카세트(300), 샤워헤드(400), 가스공급부(500), 배플(600) 및 진공배기부(700)로 구성되며, 챔버(100)는 내부에 공간부가 형성된다.

챔버(100)는 원기둥형이나 다각면체로 형성될 수 있는 것으로, 본 발명에서는 사각면체로 형성되고, 상단부가 분리되어 내부 공간부가 개방될 수 있도록 구성 됨이 바람직하다.

이는, 카세트(300)가 다수의 웨이퍼(1)를 세워서 수납시키기 때문에 사각면체 형태로 유지되며, 이 카세트(300)를 효율적으로 설치하기 위해 챔버(100)가 사각면체로 형성되는 것이다.

그리고 챔버(100)의 상측에 가스공급부(500)가 구비되어 샤워헤드(400)의 샤워공(410)을 통해 반응가스를 공급하고, 챔버(100)의 하측에는 진공배기부(700)가 구비되어 배플(600)의 배플공(610)을 통해 챔버(100) 내부의 물질을 배출시킴에 따라 일정한 진공도를 유지하게 된다.

이때, 가스공급부(500)의 반응가스는 불소(HF), 질소(N2), 산소(O2), 메탄올(CH3OH), 알코올 중 선택된 어느 하나 이상 사용된다.

카세트(300)는 도 4에서 도시한 바와 같이, 카세트 플레이트(310)와 카세트 배플(320) 및 카세트 롤러(330)로 구성되며, 카세트 플레이트(310)는 한 쌍으로 이루어져 상호 일정간격 이격되어 배치됨에 따라 웨이퍼(1)를 세워서 수납시킬 수 있는 수납공간(312)을 형성하게 된다.

그리고 카세트 플레이트(310)의 상단은 중간부가 원호형상으로 하향절곡되어 수납되는 웨이퍼(1) 면의 중앙부가 외측에서 보이도록 형성된다.

이는, 웨이퍼(1)를 카세트(300)에 수납하기 위한 로봇암(미 도시)의 이동로를 확보하기 위한 것으로, 웨이퍼(1)의 용이한 수납 및 웨이퍼(1)의 면 주변에 공간부를 확보하여 반응가스의 균일한 증기 상태를 형성하여 반응가스와의 접촉을 용이하도록 한다.

그리고 카세트 배플(320)은 한 쌍의 카세트 플레이트(310)의 간격을 유지하도록 하단에 설치되며, 다수의 카세트 배플공(322)이 통공된다.

이때, 카세트 배플공(322)은 카세트 배플(320)의 중앙부에서 길이방향 단부로 갈수록 직경이 다르게 형성되는 것으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 카세트 배플(320)의 중앙부에서 길이방향 단부로 갈수록 직경이 점진적으로 작아지게 형성된다.

한편, 카세트 배플공(322)은 카세트 배플(320)의 중앙부와 길이방향 단부에 형성된 밀도가 다르게 형성될 수 있으며, 단부에서 중앙부로 갈수록 형성밀도가 증가됨이 바람직하다.

그리고 카세트 롤러(330)는 한 쌍의 카세트 플레이트(310)에 회전가능하도록 다수 개 설치되는 것으로, 세워진 웨이퍼(1)의 하측을 받치게 된다.

이러한 카세트 롤러(330)는 세워진 웨이퍼(1)의 면 중심선을 기준으로, 양단부와 하단을 받칠 수 있도록 설치됨이 바람직하다.

또한, 카세트 롤러(330)는 외주면에 띠형상의 거치홈(332)이 길이방향을 따라 일정간격으로 다수 개 형성되며, 이 거치홈(332)은 웨이퍼(1) 면을 기준으로 가장자리가 끼워짐에 따라 웨이퍼(1)를 일정간격으로 세워서 거치시킬 수 있다.

그리고 샤워헤드(400)는 챔버(100)의 상단부에 구비되고, 배플(600)은 챔버(100)의 하단부에 구비되어 반응가스가 공급 및 배출되는 통로를 형성하게 된다.

다시 말해, 샤워헤드(400)에는 다수의 샤워공(410)이 형성되고, 배플(600)에는 다수의 배플공(610)이 형성되어 가스공급부(500)에서 공급되는 반응가스가 샤워 공(410)을 통해 챔버(100) 내부로 유입되고, 진공배기부(700)에 의해 챔버(100) 내부의 물질들이 배플공(610)을 통해 배출되는 것이다.

샤워헤드(400)는 도 6에 도시된 바와 같이, 사각형상으로 이루어지고, 샤워공(410)은 샤워헤드(400)의 중앙부에서 가장자리로 갈수록 형성밀도가 점진적으로 다르게 형성된다.

이는, 웨이퍼(1)를 수납한 카세트(300)의 평면이 사각형상이기 때문에 동일 또는 유사한 형상으로 이루어지는 것이고, 웨이퍼(1)의 상하방향 면 길이가 카세트(300)의 중앙부분에서 가장 길기 때문에 가공 및 건조공정에 필요한 반응가스가 더욱 많이 공급되기 위함이다.

또한, 배플(600)도 샤워헤드(400)와 유사하게 사각형상으로 이루어지며, 배플공(610)은 배플(600)의 중앙부에서 가장자리로 갈수록 형성밀도가 점진적으로 다르게 형성된다.

배플공(610)은 샤워공(410)과 동일하게 웨이퍼(1)의 상하방향 면 길이가 가장 긴 부분에서 챔버(100) 내의 물질을 신속하게 배출시키기 위한 것으로, 진공배기부(700)에 의해 챔버(100) 내부 물질을 배출시키게 된다.

도 1은 종래 웨이퍼 가공장치를 계략적으로 도시한 도면이고,

도 2는 본 발명에 따른 증기 기상 식각방식을 이용하여 수직으로 배열된 다량의 웨이퍼를 가공하는 반도체 또는 전자소자용 증기 식각 장치를 도시한 도면이며,

도 3은 본 발명에 따른 증기 기상 식각방식을 이용하여 수직으로 배열된 다량의 웨이퍼를 가공하는 반도체 또는 전자소자용 증기 식각 장치의 측면을 도시한 도면이고,

도 4는 본 발명에 따른 증기 기상 식각방식을 이용하여 수직으로 배열된 다량의 웨이퍼를 가공하는 반도체 또는 전자소자용 증기 식각 장치의 카세트를 도시한 도면이며,

도 5는 본 발명에 따른 수직으로 배열된 다수의 웨이퍼 가공 장치의 카세트 측면을 도시한 도면이고,

도 6은 본 발명에 따른 수직으로 배열된 다수의 웨이퍼 가공 장치의 샤워헤드를 도시한 도면이며,

도 7은 본 발명에 따른 수직으로 배열된 다수의 웨이퍼 가공 장치의 사용상태를 도시한 도면이다.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

1 : 웨이퍼 10 : 가공 장치

100 : 챔버 300 : 카세트

310 : 카세트 플레이트 312 : 수납공간

320 : 카세트 배플 322 : 카세트 배플공

330 : 카세트 롤러 332 : 거치홈

400 : 샤워헤드 410 : 샤워공

500 : 가스공급부 600 : 배플

610 : 배플공 700 : 진공배기부

Claims (9)

1. 내부에 공간부가 형성된 챔버;

   상기 챔버 공간부에 설치되며, 다수의 웨이퍼를 수평방향으로 일정간격 이격시켜 수직방향으로 세워서 거치시키는 카세트;

   상기 챔버의 상단부에 설치되며, 다수의 샤워공이 형성된 샤워헤드;

   상기 샤워헤드를 통해 상기 챔버 내부에 불산(HF)과 알코올의 혼합반응가스를 증기 상태로 위에서 아래로 균일하게 수직방향으로 공급하는 가스공급부;

   상기 챔버 하단부에 설치되며, 다수의 배플공으로 구성하여 균일한 배기를 할 수 있도록 형성된 배플; 및

   상기 배플을 통해 상기 챔버에 공급된 반응가스를 배출시킴에 따라 챔버 내부를 진공상태로 유지시키는 진공배기부를 포함하여 이루어지며,

   상기 카세트에 의해 다수의 웨이퍼를 상기 챔버에 거치시키고, 각 웨이퍼의 단면 혹은 양면을 동시에 미세가공 및 건조시키도록 반응가스를 수직방향으로 공급하며,

   상기 카세트는,

   웨이퍼 수납공간이 형성되도록 상호 일정간격 이격된 한 쌍의 카세트 플레이트;

   상기 한 쌍의 카세트 플레이트의 간격을 유지하도록 하단에 설치되며, 다수의 카세트 배플공이 통공된 카세트 배플; 및

   상기 한 쌍의 카세트 플레이트에 회전가능하도록 설치되어 세워져 수납되는 웨이퍼를 거치시키는 다수의 카세트 롤러를 포함하여 이루어지는 수직으로 배열된 다수의 웨이퍼 가공장치.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서,

   상기 카세트 플레이트는 상단 중간부가 원호형상으로 하향절곡되어 수납되는 웨이퍼 면의 중앙부가 외측에서 보이도록 형성되는 것을 특징으로 하는 수직으로 배열된 다수의 웨이퍼 가공장치.
4. 제1항에 있어서,

   상기 카세트 배플공은 카세트 배플의 중앙부에서 길이방향 단부로 갈수록 직경이 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 수직으로 배열된 다수의 웨이퍼 가공장치.
5. 제4항에 있어서,

   상기 카세트 배플공은 카세트 배플의 중앙부에서 길이방향 단부로 갈수록 직경이 점진적으로 작아지게 형성되는 것을 특징으로 하여 최대한 균일하게 반응된 가스를 배출시킬수 있도록 구성한 수직으로 배열된 다수의 웨이퍼 가공장치.
6. 제1항에 있어서,

   상기 카세트 롤러는 외주면에 띠형상의 거치홈이 길이방향을 따라 일정간격으로 다수 개 형성되는 것을 특징으로 하는 수직으로 배열된 다수의 웨이퍼 가공 장치.
7. 제1항에 있어서,

   상기 샤워헤드는 사각형상(혹은 원형)으로 이루어지며, 샤워공은 샤워헤드의 중앙부에서 가장자리로 갈수록 형성밀도가 점진적으로 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 수직으로 배열된 다수의 웨이퍼 가공장치.
8. 제1항에 있어서,

   상기 배플은 사각형상(혹은 원형)으로 이루어지며, 배플공은 배플의 중앙부에서 가장자리로 갈수록 형성밀도가 점진적으로 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 수직으로 배열된 다수의 웨이퍼 가공 장치.
9. 제1항에 있어서,

   상기 가스공급부의 반응가스는 불산(HF), 질소(N2), 산소(O2), 메탄올(CH3OH), 알코올 중 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 수직으로 배열된 다수의 웨이퍼 가공 장치.

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