KR100978115B1 - 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법 및 플라즈마 챔버용 캐소드 전극 - Google Patents

플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법 및 플라즈마 챔버용 캐소드 전극 Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼와 같은 반도체 부품의 식각 공정 또는 증착 공정에 이용되는 플라즈마 챔버의 일측에 설치되는 캐소드 전극을 제조하는 과정에서 전극판과 전극링을 동일한 실리콘 재질로 할 뿐만 아니라 양 부재를 용접(welding)하는 방식을 개선하여 그 수명이 길어지도록 하며 화학 약품 등을 이용한 세정과정에서도 용접 부분이 분리되지 않도록 하는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극에 관한 것이다. 이를 위해 구성되는 본 발명은 챔버 내부로 공급된 반응가스를 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 인가되는 고주파 전압을 통해 여기된 플라즈마 상태로 변환시키는 플라즈마 챔버에 있어서, 일정 두께를 갖는 원판 형상으로 형성된 실리콘 재질의 전극판; 전극판의 외경에 대응하는 직경을 갖는 환형을 이루되 플라즈마 챔버의 일측에 고정되는 실리콘 재질의 전극링; 및 전극링의 하면에 대응하는 링 형태로 이루어지되 가열에 의한 용융접착을 통해 전극판과 전극링을 용접(welding)시키는 글라스 트랜스퍼 테이프(glass transfer tapes)를 포함하여 이루어진다.
플라즈마 챔버, 캐소드 전극, 전극링, 글라스 트랜스퍼 테이프, 용접

Description

플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법 및 플라즈마 챔버용 캐소드 전극{Mothod for manufacturing a cathode arc for the plasma chamber and a cathode arc for the plasma chamber}
본 발명은 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법 및 플라즈마 챔버용 캐소드 전극에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼와 같은 반도체 부품의 식각 공정 또는 증착 공정에 이용되는 플라즈마 챔버의 일측에 설치되는 캐소드 전극을 제조하는 과정에서 전극판과 전극링을 동일한 실리콘 재질로 할 뿐만 아니라 양 부재를 용접(welding)하는 방식을 개선하여 그 수명이 길어지도록 하며 화학 약품 등을 이용한 세정과정에서도 용접 부분이 분리되지 않도록 하는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법 및 플라즈마 챔버용 캐소드 전극에 관한 것이다.
일반적으로, 플라즈마 챔버(plasma chamber)는 웨이퍼 등의 반도체 부품을 생산하는 과정뿐만 아니라 일반적인 공산품을 제조하는 과정에서 가공 중인 작업 대상물(workpiece)에 식각(etching) 또는 플라즈마 화학 증착(plasma chemical vapor deposition) 공정이 수행되도록 하는 데 사용되는 설비들 중의 하나이다.
전술한 바와 같은 플라즈마 챔버는 작업 대상물(workpiece)에 따라서 그 구성 및 크기 등이 다양한 형태로 설비되는 것이 일반적인데, 웨이퍼와 같은 반도체 부품에 식각 또는 증착 공정을 수행하는 데 있어서는 도 1 에 도시된 바와 같은 형 태의 플라즈마 챔버가 이용된다.
도 1 은 대한민국 특허청 등록특허공보 10-299975호에 실린 플라즈마 챔버의 구성을 설명하기 위한 도면으로서, 플라즈마 챔버(10)의 상부 및 하부에는 각각 캐소드 전극(20)과 애노드 전극(30)이 설치된다. 플라즈마 챔버(10)의 챔버(12) 일측에는 챔버 내부의 공기를 빼내기 위한 진공펌프(14)가 설치되는 한편 챔버(10)의 다른 일측에는 챔버 내부로 플루오르, 질소 등의 반응가스를 주입시키기 위한 가스주입구(16)가 설치된다. 또한, 고온 고압의 상태에 노출되는 플라즈마 챔버의 지속적인 냉각을 위해서 캐소드 전극(20)의 일측에는 냉각수의 순환이 가능한 냉각수 라인(18)이 구비된다.
따라서, 플라즈마 챔버(10)의 운전이 시작되어 챔버(12)의 내부가 진공 상태가 되도록 하면서 가스주입구(16)를 통해서 플루오르나 질소 등의 반응가스를 주입시킴과 동시에 전원(40)으로부터 캐소드 전극(20) 및 애노드 전극(30)에 고전압이 인가되면, 챔버(12) 내부가 플라즈마 상태에 이르게 된다. 이 과정에서 웨이퍼 등의 작업대상물(50)에는 플라즈마 상태의 반응가스에 의해서 식각 또는 증착 공정에 따른 가공이 이루어지게 된다.
한편, 캐소드 전극(20)은 도 2 에 도시된 바와 같이 다수의 작은 가스통과공(22a)들이 형성된 다공판 구조의 전극판(22) 및 그 전극판(22)이 챔버(12)의 일측에 부착된 상태가 유지될 수 있도록 하기 위한 전극링(24)으로 구분된 형태로 이루어지는 것이 일반적이다.
전술한 바와 같이 캐소드 전극(20)을 전극판(22)과 전극링(24)으로 구분된 형태로 제작하는 이유는 캐소드 전극(20) 전체를 단일의 실리콘 부재로 제작하였을 경우에 비하여 제작비용이 절감될 수 있기 때문이다. 즉, 캐소드 전극(20)을 실리콘 재질의 단일의 몸체로 제작할 경우, 전기 및 열 전도성 등이 우수하기 때문에 애노드 전극과의 사이에서 최적의 플라즈마 상태를 구현할 수 있으나, 그 가공공정이 복잡할 뿐만 아니라 가공시간이 오래 걸리기 때문에 제조단가가 높게 되는 문제점이 있었다. 따라서, 일반적인 캐소드 전극(20)은 전술한 바와 같이 서로 다른 재질로 전극판(22) 및 전극링(24)을 분리 가공한 후에, 별도의 접착과정을 통해서 양 부재를 일체화시키는 공정을 거쳐 제작되고 있다.
전극판(22)과 전극링(24)의 접합을 위해서 전극링(24) 상에는 접착제(26)인 엘라스토머(elastomer, 탄성중합체)가 도포되기 위한 환형상의 공간을 갖는 접착제 그루브(24a)가 형성된다. 즉, 전극판(22)과 전극링(24)을 접착시키는 과정에서 전극링(24) 상에 형성된 접착제 그루브(24a)에는 접착제(26)인 엘라스트머의 도포가 이루어진 상태에서 전극판(22)과 전극링(24)이 포개져 압착이 이루어진다.
그러나, 종래의 방식으로 캐소드 전극의 전극판과 전극링을 접착시키게 되면 접착제 그루브의 형성에 의해서 전극판과 전극링이 직접 접촉하게 되는 접촉면적이 상대적으로 줄어들 수밖에 없어서 전극판과 전극링 사이의 전기 및 열 전도도가 상대적으로 떨어지게 되는 문제점이 있었다.
또한, 플라즈마 챔버의 가동 중에 발생되는 미세한 입자(particle)들이 캐소드 전극에 흡착이 이루어져 오염이 발생되었을 경우 이들을 세정하는 과정에서 사용되는 화학 세정제로 인하여 접착제인 엘라스토머의 접착력이 저하되는 등의 문제 점이 있었다.
특히, 종래의 캐소드 전극의 경우에는 전극판과 전극링이 각기 다른 재질로 이루어진 상태에서 엘라스토머를 주성분으로 하는 접착제 등을 매개체로 접착이 이루어지게 되기 때문에 양 부재 사이의 접착력이 강하지 못하였을 뿐만 아니라 화학 약품 등을 이용한 세정과정에서 접착된 부분의 분리가 발생하는 등의 문제점이 있었다.
본 발명은 전술한 바와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 감안하여 창안된 것으로서, 웨이퍼 등과 같은 반도체 부품의 식각 공정 또는 증착 공정에 이용되는 플라즈마 챔버에 설치되는 캐소드 전극을 제조하는 과정에서 전극판과 전극링을 동일한 실리콘 재질로 할 뿐만 아니라 양 부재를 용접하는 방식을 개선하여 그 수명이 길어지도록 하는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법 및 플라즈마 챔버용 캐소드 전극을 제공하는 데 목적이 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 캐소드 전극의 전극판과 전극링 사이를 용접시키는 과정에서 사용되는 매개체로써 글라스 트랜스퍼 테이프를 사용하여 전극판과 전극링 간의 접착력이 우수해지도록 함으로서 화학 약품 등을 이용한 세정과정에서도 용접 부분이 분리되지 않도록 하는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법 및 플라즈마 챔버용 캐소드 전극을 제공하는 데 있다.
전술한 목적을 달성하기 위해 구성되는 본 발명은 다음과 같다.
본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극은 챔버 내부로 공급된 반응가스를 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 인가되는 고주파 전압을 통해 여기된 플라즈마 상태로 변환시키는 플라즈마 챔버에 있어서, 일정 두께를 갖는 원판 형상으로 형성된 실리콘 재질의 전극판; 전극판의 외경에 대응하는 직경을 갖는 환형을 이루되 플라즈마 챔버의 일측에 고정되는 실리콘 재질의 전극링; 및 전극링의 하면에 대응하는 링 형태로 이루어지되 가열에 의한 용융접착을 통해 전극판과 전극링을 용접(welding)시키는 글라스 트랜스퍼 테이프(glass transfer tapes)를 포함하여 이루어진다.
또한, 본 발명에 따른 기술에서 글라스 트랜스퍼 테이프는 400 ~ 1250 ℃의 가열온도 조건하에서 용융되어 전극판과 전극링을 상호 용접(welding)시키는 형태로 이루어질 수 있다.
아울러, 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극에서 전극판 상에는 상하방향으로 다수의 작은 가스통과공들이 관통형성될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법은 챔버 내부로 공급된 반응가스를 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 인가되는 고주파 전압을 통해 여기된 플라즈마 상태로 변환시키는 플라즈마 챔버의 캐소드 전극을 제조하는 방법에 있어서, (a) 전극판의 직경에 대응하는 위치 상에 위치고정돌기가 다수 돌출형성된 지그의 상부에 기제작된 전극판을 위치시키는 단계; (b) 단계 (a) 과정을 통해 지그 상에 안치된 전극판의 상부 외곽에 환 형태의 글라스 트랜스퍼 테이프를 배치하는 단계; (c) 단계 (b) 과정을 통해 전극판의 상부 외곽에 올려진 글라스 트랜스퍼 테이프 상부 면에 실리콘 재질의 전극링 하부면이 면접하도록 적층하는 단계; (d) 단계 (c) 과정을 통해 적층된 전극링의 상부에 중량체를 올려 글라스 트랜스퍼 테이프에 압력이 가해지도록 하는 단계; 및 (e) 단계 (d) 과정의 적층물을 일정 가열온도 조건의 가열로(furnace)의 가열을 통해 글라스 트랜스퍼 테이프를 용융접착시켜 전극판과 전극링이 상호 용접(welding)되도록 하는 단계를 포함하여 이루어진다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법 중 단계 (e)의 과정에서 가열로의 온도 조건은 400 ~ 1250 ℃의 범위 내에서 설정될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법 중 단계 (e)의 과정에서 가열로의 내부에는 반응가스로서 아르곤 가스 또는 질소 가스가 투입될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법 중 단계 (e)의 과정에서 가열로 내부의 압력은 대기압 이상으로 작용하도록 하는 한편 반응가스의 투입과 투입된 반응가스의 반응에 따른 반응 후 가스의 배기가 이루어져 반응가스의 순환이 이루어지게 할 수 있다.
본 발명에 의해 구성되는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극은 전극판과 전극링이 서로 동일한 재질인 실리콘으로 이루어지고 양 부재가 면접하는 사이에 위치된 글라스 트랜스퍼 테이프(glass transfer tapes)가 용접(welding) 공정을 통해서 양부재를 긴밀하게 일체화시켜 캐소드 전극의 수명이 길어지도록 하는 커다란 장점이 있다.
또한, 본 발명에서는 동일한 실리콘 재질로 제작된 전극판과 전극링이 글라스 트랜스퍼 테이프를 매개체로 용접됨으로 인하여 플라즈마 챔버의 운전과정에서 발생되어 달라붙는 이물질(particle)의 양을 줄일 수 있는 효과가 있다.
아울러, 본 발명에 따른 캐소드 전극의 전극판과 전극링이 강력하게 용접되기 때문에 화학 약품 등으로서 캐소드 전극을 세정하는 과정에서도 그 용접 부분이 분리되지 않는 효과가 있게 된다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 구성 및 그 제조방법 등에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 3 은 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 분해 사시도, 도 4 는 본 발명에 따른 전극링의 저면 사시도, 도 5 는 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 단면도이다.
본 발명에 따른 캐소드 전극(100)이 완성되기 전에는 도 3 에 도시된 바와 같이 세부분 즉, 전극판(110), 전극링(120) 및 글라스 트랜스퍼 테이프(130)로 구분된 형태로 이루어진다. 그 후, 본 발명의 일 실시 예에 따른 캐소드 전극(100)의 제조방법 등을 통해서 도 5 에 도시된 바와 같이 일체화된 구조를 이루게 된다.
전극판(110)은 플라즈마 챔버의 일측에 애노드 전극과 대응되게 설치되기 위 한 것으로, 일정 지름을 갖는 실리콘 재질의 원판 형상으로 이루어진다. 또한, 전극판(110)에는 상하방향으로 관통된 다수의 작은 가스통과공(112)들이 형성되는데, 이 가스통과공(112)들을 통해서는 플라즈마 챔버 내측으로 공급되는 플루오르, 질소 등의 반응가스가 통과되기도 한다.
전극링(120)은 전극판(110)의 외경에 대응하는 지름을 갖는 링 형상으로 형성되는 것으로, 도면상 전극판(110)의 상부 측에 용접 과정을 통해 일체화된 상태로 플라즈마 챔버의 일측에 고정장착된다. 따라서 전극링(120)은 전극판(110)이 플라즈마 챔버에 고정장착된 상태가 되도록 지지하게 된다. 특히, 전극링(120)은 전극판(110)과 동일한 실리콘 재질로 성형되거나 가공되어 그 형태가 이루어진다.
전극링(120)은 도 3 내지 도 5 에 도시된 바와 같이 그 측단면 형상이 상단부(120a)와 하단부(120b)로 구분될 수 있도록 단차진 형태로 이루어질 수 있다. 즉, 상단부(120a)는 하단부(120b)에 비하여 넓은 폭을 가진 구조로 이루어질 수 있다.
한편, 전극판(110)과 전극링(120)을 용접시키기 위한 매개체로 사용되는 글라스 트랜스퍼 테이프(130)는 전극링(120)의 하부에 대응하는 링 형태로 이루어진다.
이 글라스 트랜스퍼 테이프(glass transfer tapes)는 독일 국가의 비타사(Vitta corporation)라는 업체에서 제조 판매하는 제품 중의 하나로 400 ~ 1250 ℃의 가열온도 조건에 용융되면서 그 상하 양측에 위치된 부재를 서로 강력하게 용접시키는 특징을 가진 것이다. 물론, 본 발명에 따른 캐소드 전극(100)의 전극판(110)과 전극링(120)을 용접시키는 매개체로 사용되는 글라스 트랜스퍼 테이프(130)는 반드시 독일 국가의 비타사(Vitta corporation)에서 제조 판매되는 것이 아니더라도 그와 동일한 범주 내에서 제조되는 것이라면 타사의 제품이라도 무방할 것이다.
도 6a 내지 도 6f 는 전술한 바와 같은 캐소드 전극이 일 실시 예에 의해서 제조되는 과정을 보인 도면들이다.
우선, 본 발명에 따른 캐소드 전극(100)의 전극판(110)과 전극링(120)을 일체화시키기 위한 용접 과정이 용이하게 이루어지도록 하기 위해서는 도 6a 에 도시된 바와 같은 지그(200)가 필요하다. 즉, 일정 두께를 갖는 판형상으로 이루어진 지그(200)의 상부 측에는 소정 높이를 가지는 다수의 위치고정돌기(210)가 돌출형성되는데, 이 위치고정돌기(210)들은 전극판(110)의 직경에 대응되는 위치에 일정 각도 간격으로 배치된다.
전극판(110)과 전극링(120)을 일체화시키기 위한 초기 단계로서 전술한 바와 같은 지그(200)의 상부 측에는 기제작된 전극판(110)이 도 6b 에 도시된 바와 같이 놓이는데, 이 과정에서 전극판(110)의 외주가 각각의 위치고정돌기(210)에 접하여 갇힌 상태가 된다.(단계 (a) 참조).
그 다음의 단계로서 전극판(110)의 상면 외곽에는 전극판(110)의 직경에 대응하는 직경으로 이루어진 글라스 트랜스퍼 테이프(130)가 도 6c 과 같이 놓인다(단계 (b) 참조).
그리고 글라스 트랜스퍼 테이프(130)의 상부 측에는 용접 공정의 다른 측 대상물이 되는 전극링(120)이 도 6d 에 도시된 바와 같이 올려진다(단계 (d) 참조).
한편, 전술한 바와 같은 단계를 거치면서 전극판(110), 글라스 트랜스퍼 테이프(130) 및 전극링(120)이 차례로 적층된 상태에서 용접 대상물에 압력을 가하여 더욱 견고하게 용접될 수 있도록 하기 위하여 도 6e 과 같이 전극링(120)의 상면에 중량체(300)를 올린다(단계 (d) 참조).
캐소드 전극(100)의 전극판(110)과 전극링(120)을 일체화시키는 말기 단계로, 전술한 과정에서 중량체(300)가 올려진 상태가 유지되도록 하면서 전극판(110), 글라스 트랜스퍼 테이프(130) 및 전극링(120)은 가열로(furnace, 400)에 넣어진다(단계 (e) 참조). 이때의 가열로(400)는 그 내부의 온도 조건 및 압력 조건 등을 설정할 수 있는 구조로 이루어질 뿐만 아니라, 도 6e 에 도시된 바와 같이 그 내부의 공기를 빼내기 위한 공기토출구(410) 및 그 내부로 투입된 제품에 영향을 미치지 않는 가스가 공급되도록 하기 위한 가스주입구(420)가 구비된다.
한편, 본 발명에 따른 캐소드 전극(100)의 전극판(110)과 전극링(120)의 용접 과정을 위한 가열로(400)의 온도 조건은 400 ~ 1250℃ 범위 내에서 설정되고, 그 내부의 압력은 대기압 이상으로 설정되도록 하는 것이 바람직하다. 가열로(400)의 온도 조건인 400 ~ 1250℃는 글라스 트랜스퍼 테이프(130)가 용접 대상물인 양 부재 사이에서 효과적으로 용접이 이루어질 수 있는 온도이다.
또한, 가열로(400) 내부의 압력이 대기압 이상으로 설정되도록 하는 과정에 서 가열로(400) 내의 공기는 공기토출구(410)를 통해서 배출이 이루어지는 한편 가스주입구(420)를 통해서는 제품에 영향을 미치지 않는 아르곤 가스 또는 질소 가스 등이 주입된다. 이와 같이 가스주입구(420)를 통해서 주입되는 가스는 가열로(400) 내부에서 순환된 후 공기토출구(410)를 통해서 배출이 이루어진다.
전술한 바와 같은 온도 및 압력 조건 아래에서 일정 시간이 지나면 글라스 트랜스퍼 테이프(130)에 의해서 전극판(110)과 전극링(120)의 용접이 이루어져 일체화된다. 이렇게 일체화된 캐소드 전극(100) 제품은 가열로 내에서 꺼내져 플라즈마 챔버를 구성하는 한 부품으로 사용된다.
특히, 본 발명에 따른 캐소드 전극(100)은 전극판(110)과 전극링(120)이 동일한 실리콘 재질로 이루어지게 됨에 따라서 서로 다른 재질로 된 캐소드 전극의 상하 부분이 구성된 경우에 비하여 전기 및 열 전도도 측면에서 상대적으로 우수하게 된다.
또한, 본 발명에 따른 캐소드 전극(100)을 구성하는 전극판(110)과 전극링(120)을 일체화시키는 매개체로써 글라스 트랜스퍼 테이프(130)가 이용됨으로서 기존에 접착제인 엘라스토머를 사용하여 접합시켰던 경우에 비하여 월등한 결합력을 가지게 된다. 즉, 전극판(110)과 전극링(120)이 별도의 매개체로서 단순히 접합되는 것이 아니라 강력하게 용접이 이루어지는 효과가 있게 된다.
한편, 접착제인 엘라스토머로 접합이 이루어졌던 기존의 캐소드 전극 제품의 경우에는 플라즈마 챔버의 운전 과정에서 엘라스토머 성분의 접착제로부터 이물질(particle)이 발생되는 문제점이 있었으나 본 발명에 따른 캐소드 전극(100)의 경우에는 그러한 이물질의 발생이 방지될 수 있다. 또한, 엘라스토머 접착제를 매개체로 전극판과 전극링을 접착시키기 위해서는 전극링의 하부면에 접착수단이 끼워지기 위한 별도의 접착제 그루브가 구성되어야 하지만, 본 발명에 따른 캐소드 전극(100)의 경우에는 그러한 접착제 그루브 등의 구조가 요구되지 않는 가공 상의 장점이 있다.
아울러, 플라즈마 챔버를 구성하는 다수의 부품 중에서 소모품으로 취급되는 캐소드 전극을 화학 약품 등으로 세정하는 경우에 전극판(110)과 전극링(120) 사이가 분리되는 등의 현상이 방지되는 커다란 장점이 있게 된다.
본 발명은 전술한 실시 예에 국한되지 않고 본 발명의 기술사상이 허용하는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수가 있다.
도 1 은 종래의 일반적인 플라즈마 챔버의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 2 는 종래의 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 단면도.
도 3 은 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 분해 사시도.
도 4 는 본 발명에 따른 전극링의 저면 사시도.
도 5 는 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 단면도.
도 6a 내지 도 6f 는 전술한 바와 같은 캐소드 전극이 일 실시 예에 의해서 제조되는 과정을 보인 도면.
[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명]
100. 캐소드 전극 110. 전극판
112. 가스통과공 120. 전극링
120a. 상단부 120b. 하단부
130. 글라스 트랜스퍼 테이프 200. 지그
210. 위치고정돌기 300. 중량체
400. 가열로(furnace) 410. 공기토출구
420. 가스주입구

Claims (7)

  1. 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 인가되는 고주파 전압을 통해 챔버 내부로 공급된 반응가스를 여기된 플라즈마 상태로 변환시키는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극을 제조하기 위한 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법에 있어서,
    (a) 전극판의 직경에 대응하는 위치 상에 위치고정돌기가 돌출형성된 지그의 상부에 기제작된 전극판을 위치시키는 단계;
    (b) 단계 (a) 과정을 통해 지그 상에 안치된 전극판의 상부 외곽에 글라스 트랜스퍼 테이프를 배치하는 단계;
    (c) 단계 (b) 과정을 통해 전극판의 상부 외곽에 올려진 글라스 트랜스퍼 테이프 상부 면에 실리콘 재질의 전극링 하부면이 면접하도록 적층하는 단계;
    (d) 단계 (c) 과정을 통해 적층된 전극링의 상부에 중량체를 올려 글라스 트랜스퍼 테이프에 압력이 가해지도록 하는 단계; 및
    (e) 단계 (d) 과정의 적층물을 일정 범위 가열온도 조건의 가열로(furnace)의 가열을 통해 상기 글라스 트랜스퍼 테이프를 용융 접합시켜 상기 전극판과 전극링이 상호 용접(welding)되도록 하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 단계 (e)의 과정에서 가열로의 온도 조건은 400 ~ 1250 ℃의 범위 내에서 설정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 단계 (e)의 과정에서 상기 가열로 내부에는 반응가스로서 아르곤 가스 또는 질소 가스가 주입되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 단계 (e)의 과정에서 상기 가열로 내부의 압력은 대기압 이상으로 작용되도록 하는 한편 반응가스의 주입과 주입된 반응가스의 반응에 따른 반응 후 가스의 배기가 이루어져 상기 반응가스의 순환이 이루어질 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법에 의해서 제조된 플라즈마 챔버용 캐소드 전극.
  6. 삭제
  7. 삭제
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