KR100975229B1 - 고출력 발광다이오드 정전류 제어회로 - Google Patents

고출력 발광다이오드 정전류 제어회로 Download PDF

Info

Publication number
KR100975229B1
KR100975229B1 KR1020080042421A KR20080042421A KR100975229B1 KR 100975229 B1 KR100975229 B1 KR 100975229B1 KR 1020080042421 A KR1020080042421 A KR 1020080042421A KR 20080042421 A KR20080042421 A KR 20080042421A KR 100975229 B1 KR100975229 B1 KR 100975229B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resistor
signal
comparison
output
voltage
Prior art date
Application number
KR1020080042421A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090116459A (ko
Inventor
김재민
Original Assignee
김재민
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김재민 filed Critical 김재민
Priority to KR1020080042421A priority Critical patent/KR100975229B1/ko
Publication of KR20090116459A publication Critical patent/KR20090116459A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100975229B1 publication Critical patent/KR100975229B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H05B45/44—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/37—Converter circuits

Landscapes

  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 고출력 발광다이오드 정전류 제어회로에 관한 것으로서,
전원부와, LED 램프부와, 정 전압 IC, 및 동작 기준 전압과 비교 전압이 비교되어 정전류가 출력되도록 하는 신호 비교 검출용 IC를 포함하는 전류 제어부와, 상기 전류 제어부에서 비교 출력된 전압에 따라 제어에 필요한 펄스파를 만들고, 만들어진 펄스파는 FET(Q1)의 구동에 필요한 제어신호를 만들고, 이 제어신호는 FET(Q1)로 인가되어 출력이 제어되며, 제어 출력된 FET(Q1)의 출력은 LED 램프 소자를 제어하는 펄스파 제어부, 및 상기 FET(Q1)의 출력의 동작 상태를 감지하고, 감지된 신호를 비교 신호 전압이 되도록 제어하는 비교 신호 전원 발생부로 구성되어, 동작 기준 전압과 이에 비교되는 비교 전압이 계속 생성되어 그 차이를 항상 체크할 수 있고, 이 비교에 따라 출력을 제어하여 정전류가 유지된다.
정전류,LED,발광다이오드

Description

고출력 발광다이오드 정전류 제어회로{HIGH OUTPUT LIGHT EMITTING DIODE CONSTANT CURRENT CONTROL CIRCUIT}
본 발명은 고출력 발광다이오드 정전류 제어회로에 관한 것으로서, 보다 상세히는 안정회로의 적용으로 일정한 전류를 LED 소자에 공급하여 LED 소자의 소모 전류를 줄이면서도 사용 수명을 오래 유지시킬 수 있는 고출력 발광다이오드 정전류 제어회로에 관한 것이다.
고출력 LED 소자의 특성이 조명 시 발열하고, 발열되면 LED 소자는 용량이 증가하여 더 많은 전류가 소모된다. 장시간 사용 시, 이와 같은 현상이 순환 반복되어, LED 소자는 손상 또는 파열 되므로써, 현재까지의 제어 방법은 방열판과 안정 저항을 사용하여 제어하였다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 LED 구동 회로에 방열판과 소모전력을 제어하는 안정회로를 적용하여, 기존 기술의 적용 시보다 방열판 용적을 줄일 수 있고, 안정 저항을 사용하지 않으므로 소모 전류도 획기적으로 줄일 수 있으며, 또한 안정회로의 적용으로 일정한 전류를 공급하여 LED 소자의 소모 전류를 줄이면서도 사용 수명을 오래 유지시킬 수 있는 고출력 발광다이오드 정전류 제어회로를 제공하는데 있다.
본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 정전류 제어회로의 일예로서,
전원부와,
LED 램프부와,
정 전압 IC, 및 동작 기준 전압과 비교 전압이 비교되어 정전류가 출력되도록 하는 신호 비교 검출용 IC를 포함하는 전류 제어부와,
상기 전류 제어부에서 비교 출력된 전압에 따라 제어에 필요한 펄스파를 만들고, 만들어진 펄스파는 FET(Q1)의 구동에 필요한 제어신호를 만들고, 이 제어신호는 FET(Q1)로 인가되어 출력이 제어되며, 제어 출력된 FET(Q1)의 출력은 LED 램프 소자를 제어하는 펄스파 제어부, 및
상기 FET(Q1)의 출력의 동작 상태를 감지하고, 감지된 신호를 비교 신호 전 압이 되도록 제어하는 비교 신호 전원 발생부
로 구성되어, 동작 기준 전압과 이에 비교되는 비교 전압이 계속 생성되어 그 차이를 항상 체크할 수 있고, 이 비교에 따라 출력을 제어하여 정전류가 유지되게 한다.
상기 전류 제어부는 회로에 안정적인 전원을 공급하는 정 전압 IC와, 신호 비교 검출용 IC를 포함하며, 저항(R1)과 다이오드(D1)의 회로가 조합하여, 신호 비교 검출용 IC의 동작 기준 전압이 설정되며, 이에 비교되는 전압은 신호 비교 검출용 IC의 2에 연결된 저항(R3), 콘덴서(C1)와, 트랜지스터(Q3)의 에미터에 연결된 저항(R6)의 제어 전류에 따라 신호 비교 검출용 IC의 1에 출력이 검출되며,
비교 출력된 전압은 그 크기에 따라 저항(R4)을 통하여 펄스파 제어부로 인가되며, 펄스파 제어부의 펄스파 생성 IC(IC-3)은 콘덴서(C3), 저항(R6), 저항(R7), 콘덴서(C4)와 회로를 형성하여 제어에 필요한 펄스파를 만들고, 만들어진 펄스파는 구형파 생성 IC(IC-4)에 인가되며, 구형파 생성 IC(IC-4)는 FET의 구동에 필요한 제어신호를 만들고, 이 제어신호는 저항(R8)과 저항(R9)을 조합한 회로를 통하여 FET(Q1)로 인가되어 그 출력이 제어되며, 제어 출력된 FET(Q1)의 출력은 LED 램프 소자를 제어하며,
비교 신호 전원 발생부는 트랜지스터(Q2)와 저항(R10), 저항(R11), 저항(R12), 저항(R13)의 회로에서 감지하고, 감지된 신호를 저항(R14)을 통하여 트랜지스터(Q3)와 저항(R15), 저항(R16)에서 제어되어, 트랜지스터(Q3)의 에미터를 통하여 저항(R6)에 전달되고 저항(R6)의 신호가 신호 비교 검출용 IC의 2에서 비교 신호 전원이 된다.
신호 비교 검출용 IC의 기준 전압에 비교되는 비교 전압이 높게 나타나면, 신호 비교 검출용 IC의 출력은 이에 반비례하여 낮은 전압이 출력되고, 신호 비교 검출용 IC의 기준 전압에 비교되는 비교 전압이 낮게 나타나면, 신호 비교 검출용 IC의 출력은 이에 반비례하여 높은 전압이 출력된다.
본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 정전류 제어회로는 안정회로를 적용하여 LED 램프 소자의 소모 전류를 항상 일정하게 유지하여 LED 램프 소자의 수명을 안정화시키며, LED 램프 소자의 발열을 제어하게 하여, 방열판의 용적을 줄이게 된다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 정전류 제어회로를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 본 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구의 범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
삭제
이하, 본 발명의 실시예를 도 1을 참조하여 설명하기로 한다.
D-1은 전원부로서, 배터리, 스위치(SW), 퓨즈로 구성된다.
D-2는 LED 램프부로서, 부하 부분이며, 고휘도 LED 램프 소자와, P.S 는 과전류 방지 폴리 스위치이다.
D-3는 전류 제어부로서, IC-1은 정 전압 IC 이며 회로에 안정적인 전원을 공급한다. IC-2는 신호 비교 검출용 IC 이며, 정전압 IC(IC-1)는 저항(R1)과 다이오드(D1)의 회로와 조합하여, 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 동작 기준 전압이 설정되며, 이 전압이 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 3에 인가되고, 이에 비교되는 전압은 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 2에 연결된 저항(R3), 콘덴서(C1)와, 트랜지스터(Q3)의 에미터에 연결된 저항(R6)의 제어 전류에 따라 입력되어 비교 검출된 출력이 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 1에서 출력된다.
이때, 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 3의 기준 전압에 비교되는 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 2에 전압이 기준 전압보다 높게 나타나면, 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 1의 출력은 이에 반비례하여 낮은 전압이 출력되고, 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 3의 기준 전압에 비교되는 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 2의 전압이 기준 전압보다 낮게 나타나면, 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 1의 출력은 이에 반비례하여 높은 전압이 출력된다.
비교 출력된 전압은 그 크기에 따라 저항(R4)과 콘덴서(C2)를 통하여 펄스파 제어부(D-4)의 구형파 생성 IC(IC-4)의 5에 인가된다.
D-4는 펄스파 제어부로서, 펄스파 생성 IC(IC-3)는 콘덴서(C3), 저항(R6), 저항(R7), 콘덴서(C4)가 회로를 형성하여 제어에 필요한 펄스파를 만들고, 만들어진 펄스파는 펄스파 생성 IC(IC-3)의 5를 통하여 구형파 생성 IC(IC-4)의 2에 인가된다.
IC-4는 펄스파 생성 IC이며, 펄스파 생성 IC(IC-3)의 5에서 출력된 구형파를 FET(Q1)의 구동에 필요한 제어신호인 펄스파를 만들고, 이 제어신호는 구형파 생성 IC(IC-4)의 3에서 출력된다.
이때, 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 1에 출력된 신호에 따라 구형파 생성 IC(IC-4)는 FET(Q1)의 구동에 필요한 펄스파를 저항(R8)과 저항(R9)을 조합한 회로를 통하여 FET(Q1)로 인가되어 출력이 제어되며, 제어 출력된 FET(Q1)의 출력이 LED 램프부(D-2)의 LED 램프 소자를 제어한다.
D-5는 비교 신호 전원 발생부로서, FET(Q1)에서 출력된 전력은 LED 램프 소자를 제어 발광하게 하고, FET(Q1)의 출력의 크기에 따라 밝기도 달라지며 전류의 크기도 다르게 나타난다. 이러한 동작 상태는 D-5부분의 트랜지스터(Q2)와 저항(R10), 저항(R11), 저항(R12), 저항(R13)의 회로에서 감지하고, 감지된 신호를 저항(R14)을 통하여 트랜지스터(Q3)와 저항(R15), 저항(R16)에서 제어되어, 트랜지스터(Q3)의 에미터를 통하여 저항(R6)에 전달되고 저항(R6)의 신호가 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 2에서 비교 신호 전원이 된다.
보다 상세히는 전류 제어부(D-3)의 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 3의 동작 기준전압은 항상 일정하게 설정되어 인가 되고(0.5V), 이에 비교되는 전압은 펄스파 제어부(D-4)의 FET(Q1)의 동작 상태에 따라 0.4V ~ 0.6V로 변화하면, 전류 제어부(D-3)의 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 3의 동작 기준전압(0.5V) 보다 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 2의 비교전압(0.6V)이 높으면, 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 1의 출력전압은 반비례하여 낮아지고(공급전압 12V 일때 출력전압 10V), 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 3의 동작 기준전압(0.5V)보다 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 2의 비교전압(0.4V)이 낮으면 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 1의 출력은 반비례하여 높아진다(공급전압 12V 일 때, 출력전압 12V). 이 출력전압이 FET(Q1)의 제어신호이며, FET(Q1)를 제어하기 위하여, 먼저 펄스파 제어부(D-4)회로의 펄스파 생성 IC(IC-3)에서 펄스파를 만들고, FET(Q1)의 제어에 맞는 신호인 구형파를 구형파 생성 IC(IC-4)를 통하여 만들고 제어한다. FET(Q1)의 출력이 LED 램프를 조명하고, 조명전류가 많이 흐르게 되면, 비교신호 전원발생부(D-5)의 저항(R10)에 높은 전위가 발생되며, 발생한 높은 전위는 비교신호 전원발생부(D-5)를 통하여 전류제어부(D-3)의 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 3 기준 전위보다 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 2의 전위가 높아지며 이로써 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 1의 출력 전압은 낮아진다. 조명 전류가 적게 흐르게 되면, 비교신호 전원발생부(D-5)의 저항(R10)에 낮은 전위가 발생되며, 발생한 낮은 전위는 비교신호 전원발생부(D-5)를 통하여 전류 제어부(D-3)의 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 3 기준 전위 보다 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 2의 전위가 낮아지며, 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 1 출력 전압은 높아지는 동작을 반복하는 정전류 회로로 동작한다.
이상으로 살펴본 바와같이, 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 3의 동작 기준 전압과 이에 비교되는 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 2의 비교 전압이 계속 생성되어 그 차이를 항상 체크할 수 있고 이를 신호 비교 검출용 IC(IC-2)의 1의 출력으로 제어하여 정전류가 유지된다.
도 1은 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 정전류 제어회로도

Claims (3)

  1. 삭제
  2. 전원부와,
    LED 램프부와,
    회로에 안정적인 전원을 공급하고, 저항(R1)과 다이오드(D1)의 회로와 조합하여 신호 비교 검출용 IC의 동작 기준 전압이 설정되도록 하는 정 전압 IC와, 상기 동작 기준 전압과 비교되는 비교전압이 신호 비교 검출용 IC의 2에 연결된 저항(R3), 콘덴서(C1)와, 트랜지스터(Q3)의 에미터에 연결된 저항(R6)의 제어 전류에 따라 생성되어 신호 비교 검출용 IC에서 비교되어 신호 비교 검출용 IC의 1에서 출력되는 전류 제어부와,
    비교 출력된 전압이 그 크기에 따라 저항(R4)을 통하여 인가되며, 펄스파 제어부의 펄스파 생성 IC는 콘덴서(C3), 저항(R6), 저항(R7), 콘덴서(C4)와 회로를 형성하여 제어에 필요한 펄스파를 만들고, 만들어진 펄스파는 구형파 생성 IC에 인가되며, 구형파 생성 IC는 FET의 구동에 필요한 제어신호를 만들고, 이 제어신호는 저항(R8)과 저항(R9)을 조합한 회로를 통하여 FET로 인가되어 그 출력이 제어되며, 제어 출력된 FET의 출력은 LED 램프 소자를 제어하는 펄스파 제어부, 및
    상기 FET의 동작 상태를 트랜지스터(Q2)와 저항(R10), 저항(R11), 저항(R12), 저항(R13)의 회로에서 감지하고, 감지된 신호를 저항(R14)을 통하여 트랜지스터(Q3)와 저항(R15), 저항(R16)에서 제어되어, 트랜지스터(Q3)의 에미터를 통하여 상기 저항(R6)에 전달되고 상기 저항(R6)의 신호가 신호 비교 검출용 IC의 2에서 비교 신호 전원이 되도록 하는 비교 신호 전원 발생부
    로 구성되어, 동작 기준 전압과 이에 비교되는 비교 전압이 계속 생성되어 그 차이를 항상 체크할 수 있고, 이 비교에 따라 출력을 제어하여 정전류가 유지되게 하는 것을 특징으로 하는 고출력 발광다이오드 정전류 제어회로.
  3. 제2항에 있어서,
    신호 비교 검출용 IC의 기준 전압에 비교되는 비교 전압 사이를 비교하여 비교 전압이 높게 나타나면, 신호 비교 검출용 IC의 출력은 이에 반비례하여 낮은 전압이 출력되고, 신호 비교 검출용 IC의 기준 전압에 비교되는 비교 전압 사이를 비교하여 비교전압이 낮게 나타나면, 신호 비교 검출용 IC의 출력은 이에 반비례하여 높은 전압이 출력되는 것을 특징으로 하는 고출력 발광다이오드 정전류 제어회로.
KR1020080042421A 2008-05-07 2008-05-07 고출력 발광다이오드 정전류 제어회로 KR100975229B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080042421A KR100975229B1 (ko) 2008-05-07 2008-05-07 고출력 발광다이오드 정전류 제어회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080042421A KR100975229B1 (ko) 2008-05-07 2008-05-07 고출력 발광다이오드 정전류 제어회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090116459A KR20090116459A (ko) 2009-11-11
KR100975229B1 true KR100975229B1 (ko) 2010-08-11

Family

ID=41601229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080042421A KR100975229B1 (ko) 2008-05-07 2008-05-07 고출력 발광다이오드 정전류 제어회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100975229B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010098937A (ko) * 2000-04-28 2001-11-08 가노 다다오 발광 다이오드 구동 장치
KR100738463B1 (ko) 2006-08-22 2007-07-11 주식회사 우영 발광 다이오드 구동 장치
KR100736329B1 (ko) 2006-05-25 2007-07-11 (주)큐피디텍 고효율 엘이디 구동 회로
KR100827279B1 (ko) 2005-05-11 2008-05-07 가부시키가이샤 리코 발광 다이오드 구동 회로 및 이 회로의 제어 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010098937A (ko) * 2000-04-28 2001-11-08 가노 다다오 발광 다이오드 구동 장치
KR100827279B1 (ko) 2005-05-11 2008-05-07 가부시키가이샤 리코 발광 다이오드 구동 회로 및 이 회로의 제어 방법
KR100736329B1 (ko) 2006-05-25 2007-07-11 (주)큐피디텍 고효율 엘이디 구동 회로
KR100738463B1 (ko) 2006-08-22 2007-07-11 주식회사 우영 발광 다이오드 구동 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090116459A (ko) 2009-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104753349B (zh) 电源装置和包括该电源装置的显示设备
WO2006043636A1 (ja) 半導体発光素子用電源および照明装置
KR101157729B1 (ko) 정전류장치 및 그 응용
JP2009212493A (ja) 発光ダイオード列の直列電力供給
KR20070104804A (ko) 과전압 보호 및 듀티 제어 기능을 갖는 ｌｅｄ 구동장치
TWI594664B (zh) 發光二極體驅動裝置及驅動裝置的短路保護方法
US20140210350A1 (en) Load driving apparatus relating to light-emitting-diodes
JP2010056314A (ja) 発光ダイオードの駆動回路、それを用いた発光装置および照明装置
US7714812B2 (en) Driving circuit for providing constant current
KR101243144B1 (ko) Ｌｃｄ 패널용 ｌｅｄ 드라이버의 구동회로
KR100691189B1 (ko) Ｌｅｄ 어레이 구동 장치
TWI451809B (zh) 發光模組驅動電路及其短路保護方法
JP2013062032A (ja) 照明装置
TWI709359B (zh) 具自動洩流電流控制之發光二極體照明系統
KR100975229B1 (ko) 고출력 발광다이오드 정전류 제어회로
TWI611722B (zh) 發光二極體之控制電路
KR100753665B1 (ko) Ｌｅｄ 정전류 구동회로
JP5054236B1 (ja) Ｌｅｄ点灯装置
TWI484865B (zh) 光源調光控制電路
CN204986459U (zh) 发光二极管灯
JP5214047B1 (ja) Ｌｅｄ点灯装置
US9204507B2 (en) LED lighting device
JP5149458B1 (ja) Ｌｅｄ点灯装置
KR101306522B1 (ko) Ｌｅｄ 전류 구동회로
KR101074216B1 (ko) 전류 구동회로 및 그를 이용한 ｌｅｄ 구동회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131015

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140715

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150725

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee