KR100968976B1 - Probe card - Google Patents

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Abstract

프로브 카드는, 일면에 적어도 하나의 홈부가 형성되며, 탐지용 회로라인을 갖는 프로브 헤드와, 상기 프로브 헤드의 일면에 상기 홈부의 공간이 유지되도록 형성되며, 탄성물질로 이루어진 탄성지지층과, 상기 탄성지지층 중 상기 홈부에 접하는 면의 반대에 위치한 면에 형성되며, 상기 탐지용 회로라인과 전기적으로 연결된 프로브 핀과, 상기 홈부에서 상기 프로브 헤드와 상기 탄성지지층의 서로 대응되는 영역에 각각 형성된 제1 및 제2 전극패드와, 상기 프로브 헤드에 형성되며 상기 제1 전극패드에 연결된 제1 회로라인과, 상기 프로브 헤드 및 상기 탄성지지층에 형성되며 상기 제2 전극패드에 연결된 제2 회로라인을 포함한다. The probe card has at least one groove formed on one surface thereof, a probe head having a detection circuit line, a space supported by the groove portion on one surface of the probe head, an elastic support layer made of an elastic material, and the elasticity. First and second probe pins formed on opposite sides of the support layer, the probe pins electrically connected to the detection circuit line, and the first and second regions respectively formed in the groove portions in the corresponding regions of the probe head and the elastic support layer. And a second electrode pad, a first circuit line formed on the probe head and connected to the first electrode pad, and a second circuit line formed on the probe head and the elastic support layer and connected to the second electrode pad.

Description

프로브 카드{PROBE CARD}Probe Card {PROBE CARD}

본 발명은 프로브 카드에 관한 것으로서, 특히 탐침 대상물과 접촉시에 프로브 핀의 수직 변형을 원활하게 보장할 수 있는 프로브 카드에 관한 것이다.The present invention relates to a probe card, and more particularly, to a probe card capable of smoothly guaranteeing vertical deformation of a probe pin when in contact with a probe object.

최근에, 프로브 카드는 반도체 소자의 전극패드와 접촉하여 전기적 신호를 도통시킴으로써 해당 반도체 소자의 필요한 전기적 특성을 평가하는데 널리 사용되고 있다. In recent years, probe cards have been widely used for evaluating required electrical characteristics of semiconductor devices by conducting electrical signals in contact with electrode pads of semiconductor devices.

통상적인 프로브 카드의 제조에서는, 세라믹 기판이 주로 이용된다. 예를 들어, 세라믹 기판의 일면에 전극을 형성하고, 실리콘 웨이퍼에 MEMS 공정을 실시하여 프로브 핀을 형성한 후에 세라믹 기판과 실리콘 웨이퍼의 접합공정을 실시하여 세라믹 기판의 일면에 상기 전극과 직접 접속하는 프로브 핀을 제공한다. 일반적으로, 세라믹 기판에 제공된 프로브 핀은 전도성 물질로 구성되며, 측정대상인 반도체 소자의 전극 패드와 접촉하여 전기적 신호를 검지한다. In the manufacture of a conventional probe card, a ceramic substrate is mainly used. For example, an electrode is formed on one surface of the ceramic substrate, a MEMS process is performed on the silicon wafer to form a probe pin, and a bonding process of the ceramic substrate and the silicon wafer is performed to directly connect the electrode to one surface of the ceramic substrate. Provide probe pins. In general, the probe pin provided on the ceramic substrate is made of a conductive material and detects an electrical signal by contacting an electrode pad of a semiconductor device to be measured.

하지만, 이러한 접촉과정에서 측정환경에 따라 금속재질인 프로브 핀은 쉽게 파손될 수 있으며, 경우에 따라 프로브 핀의 강한 접촉에 반도체 소자의 전극패드 에 원하지 않는 손상이 야기될 수 있다.However, in this contact process, the metal probe pin may be easily broken according to the measurement environment, and in some cases, the strong contact of the probe pin may cause unwanted damage to the electrode pad of the semiconductor device.

특히, 프로브 핀이 경성(rigid)이면서 비탄성 재질인 세라믹 기판 위에 탑재되는 경우에, 이러한 접촉에 의한 프로브 핀의 파손 또는 전극 패드의 손상이 심각하게 문제될 수 있다.In particular, when the probe pin is mounted on a rigid and inelastic ceramic substrate, breakage of the probe pin or damage to the electrode pad due to such contact may seriously be a problem.

종래에는 이러한 접촉시 발생되는 충격을 완화하기 위해서, 프로브 핀의 구조를 코일 또는 캔틸레버 형상의 프로브 핀을 채용하여 왔으나, 이 경우에 프로브 핀의 점유하는 면적이 커진다는 단점이 있다.Conventionally, in order to alleviate the impact generated at the time of contact, the structure of the probe pin has been adopted a coil or cantilever-shaped probe pin, but in this case there is a disadvantage that the area occupied by the probe pin becomes large.

본 발명은 상술된 종래 기술의 문제를 해결하기 위한 것으로서 그 목적은 탐침과정에서 프로브 팀과 측정대상물의 접촉시에 측정대상물의 표면에 발생되는 손상과 프로브 팀의 원하지 않는 변형을 방지하기 위한 새로운 프로브 카드를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object thereof is to provide a novel probe for preventing damage to the surface of an object and undesired deformation of the probe team during contact between the probe team and the object during the probe. To provide the card.

상기한 기술적 과제를 실현하기 위해서, 본 발명은,In order to realize the above technical problem, the present invention,

일면에 적어도 하나의 홈부가 형성되며, 탐지용 회로라인을 갖는 프로브 헤드와, 상기 프로브 헤드의 일면에 상기 홈부의 공간이 유지되도록 형성되며, 탄성물질로 이루어진 탄성지지층과, 상기 탄성지지층 중 상기 홈부에 접하는 면의 반대에 위치한 면에 형성되며, 상기 탐지용 회로라인과 전기적으로 연결된 프로브 핀과, 상기 홈부에서 상기 프로브 헤드와 상기 탄성지지층의 서로 대응되는 영역에 각각 형성된 제1 및 제2 전극패드와, 상기 프로브 헤드에 형성되며 상기 제1 전극패드에 연결된 제1 회로라인과, 상기 프로브 헤드 및 상기 탄성지지층에 형성되며 상기 제2 전극패드에 연결된 제2 회로라인을 포함한다. 상기 프로브 핀에 적용되는 압력에 의해 상기 홈부에 대응되는 상기 탄성지지층 영역이 수직방향으로 변형되고, 이에 따라 상기 제1 및 제2 전극패드의 간격이 변경된다. 이러한 간격에 따른 제1 및 제2 전극패드 사이의 정전용량 변화를 근거하여 핀에 인가되는 압력을 측정 할 수 있다.At least one groove is formed on one surface, the probe head having a detection circuit line, the groove is formed on one surface of the probe head, the elastic support layer made of an elastic material and the groove portion of the elastic support layer First and second electrode pads formed on a surface opposite to a surface in contact with each other, the probe pins electrically connected to the detection circuit line, and formed in regions corresponding to the probe head and the elastic support layer in the groove, respectively; And a first circuit line formed on the probe head and connected to the first electrode pad, and a second circuit line formed on the probe head and the elastic support layer and connected to the second electrode pad. The elastic support layer region corresponding to the groove portion is deformed in the vertical direction by the pressure applied to the probe pin, thereby changing the distance between the first and second electrode pads. The pressure applied to the pin may be measured based on the capacitance change between the first and second electrode pads according to the gap.

바람직한 실시형태에서, 상기 적어도 하나의 홈부는 일정한 간격을 따라 형성된 복수개이며, 상기 탄성지지층의 일면에 장착된 프로브 핀은 복수개일 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 전극패드는 복수개의 홈부 중 일부 홈부에 한하여 형성될 수 있다.In a preferred embodiment, the at least one groove may be a plurality of grooves formed at regular intervals, and a plurality of probe pins may be mounted on one surface of the elastic support layer. In addition, the first and second electrode pads may be formed in only some of the plurality of grooves.

바람직하게, 상기 홈부의 깊이는 상기 프로브 핀에 의한 탄성지지층의 수직방향으로 변형거리보다 상기 제1 및 제2 전극패드의 간격이 크도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 프로브 헤드는 다층 세라믹 기판일 수 있다.Preferably, the depth of the groove portion may be formed such that the distance between the first and second electrode pads is greater than the deformation distance in the vertical direction of the elastic support layer by the probe pin. In addition, the probe head may be a multilayer ceramic substrate.

본 발명에 따르면, 탄성지지층을 이용하여 프로브 핀의 접촉시 발생되는 충격을 완화시킬 수 있을 뿐만 아니라, 추가적으로 프로브 핀의 수직 운동에 따라 홈부 공간의 상하간격 변화를 정전용량값으로 측정할 수 있다. 즉, 핀에 적용되는 압력에 따라 제1 및 제2 전극패드 사이의 정전용량이 변경되고, 그 역으로 그 정전용량을 근거하여 핀에 인가되는 압력을 측정할 수 있다. 따라서, 프로브 카드를 측정대상물과 접속되도록 이동할 때에 무리한 압력이 가해지지 않도록 사전에 판단하여 프로브 팁의 파손이나 측정대상인 전극표면의 손상을 예방할 수 있다.According to the present invention, not only the impact generated when the probe pin contacts by using the elastic support layer can be mitigated, but also the vertical gap of the groove space can be measured as the capacitance value according to the vertical movement of the probe pin. That is, the capacitance between the first and second electrode pads is changed according to the pressure applied to the pin, and vice versa, the pressure applied to the pin can be measured based on the capacitance. Therefore, it is possible to prevent damage to the probe tip or damage to the electrode surface to be measured by judging in advance so that excessive pressure is not applied when moving the probe card to be connected with the measurement object.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하기로 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a specific embodiment of the present invention.

도1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 프로브 카드를 나타내는 측단면도이다.1 is a side sectional view showing a probe card according to an embodiment of the present invention.

도1에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 따른 프로브 카드(10)는, 프로브 헤드(11)와, 상기 프로브 헤드(11)의 일면에 형성된 탄성지지층(15)과, 상기 탄성지지층(15)에 장착된 프로브 핀(16)을 포함한다. As shown in FIG. 1, the probe card 10 according to the present embodiment includes a probe head 11, an elastic support layer 15 formed on one surface of the probe head 11, and the elastic support layer 15. It includes a probe pin 16 mounted to.

물론, 도시되지 않았으나, 상기 프로브 헤드(11)의 타면에는 인쇄회로기판이 장착되며, 인쇄회로기판과 함께 프로브 카드로 제공될 수 있다.Of course, although not shown, a printed circuit board is mounted on the other surface of the probe head 11 and may be provided as a probe card together with the printed circuit board.

상기 프로브 헤드(11)는 다수의 세라믹층(11a,11b,11c,11d)이 적층되어 이루어진 세라믹 기판을 포함한다. 상기 프로브 헤드(11)의 일면에는 홈부가 형성된다. 상기 탄성지지층(15)은 그 홈부(C)의 공간이 유지되도록 상기 프로브 헤드(11)의 일면에 형성된다. The probe head 11 includes a ceramic substrate on which a plurality of ceramic layers 11a, 11b, 11c, and 11d are stacked. A groove portion is formed on one surface of the probe head 11. The elastic support layer 15 is formed on one surface of the probe head 11 so that the space of the groove portion C is maintained.

상기 탄성지지층(15)은 상기 프로브 핀(16)에 프로브 헤드(11) 방향으로 압력을 가할 때에 홈부(C) 내로 들어가며, 압력이 해제되면 다시 원래 위치로 복원될 수 있다. 이러한 탄성지지층(15)은, 실리콘 러버와 같은 폴리머 재질이 사용될 수 있다. The elastic support layer 15 enters into the groove portion C when the pressure is applied to the probe pin 16 in the direction of the probe head 11, and may be restored to its original position when the pressure is released. The elastic support layer 15 may be a polymer material such as silicon rubber.

상기 프로브 핀(16)은 상기 탄성지지층(15) 중 상기 홈부(C)에 접하는 면의 반대에 위치한 면에 형성된다. 본 실시형태와 같이, 상기 프로브 핀(16)은 점유면적이 상대적으로 작은 수직형 프로브 핀이 바람직하게 사용될 수 있다. The probe pin 16 is formed on a surface opposite to a surface of the elastic support layer 15 that is in contact with the groove C. As in this embodiment, the probe pin 16 may be preferably a vertical probe pin having a relatively small occupied area.

상기 홈부(C)에서 상기 프로브 헤드(11)와 상기 탄성지지층(15)의 서로 대응되는 영역에 각각 제1 및 제2 전극패드(17a,17b)가 형성된다. 상기 제1 및 제2 전극 패드(17a,17b)는 상기 홈부(C) 내에서 서로 일정한 간격(d)으로 이격될 수 있도록 형성된다. 상기 제1 및 제2 전극패드(17a,17b)의 간격(d)은 앞서 설명된 프로브 핀에 수직방향으로 가해진 압력에 따라 변동될 수 있다. First and second electrode pads 17a and 17b are formed in regions of the groove C corresponding to each other of the probe head 11 and the elastic support layer 15, respectively. The first and second electrode pads 17a and 17b are formed to be spaced apart from each other at a predetermined interval d in the groove portion C. The interval d between the first and second electrode pads 17a and 17b may vary depending on the pressure applied in the vertical direction to the probe pin described above.

이러한 간격(d)의 변동에 따라 제1 및 제2 전극패드(17a,17b) 사이에 발생되는 정전용량값을 달라지며, 이렇게 변동되는 정전용량값을 근거하여 프로브 핀(16)에 가해진 압력의 크기를 측정할 수 있다. 이와 관련한 사항은 도2 및 도3을 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다.The capacitance value generated between the first and second electrode pads 17a and 17b varies according to the variation of the interval d, and the pressure applied to the probe pin 16 based on the capacitance value thus varied. The size can be measured. Related matters will be described in more detail with reference to FIGS. 2 and 3.

상기 프로브 헤드(11)는 층간회로(12,14a,14b)를 갖는다. 세라믹 기판에 위치한 층간회로는 각 세라믹층에 형성된 도전성 패턴) 및/또는 도전성 비아로 이루어질 수 있다. The probe head 11 has interlayer circuits 12, 14a and 14b. The interlayer circuit located on the ceramic substrate may be formed of a conductive pattern formed on each ceramic layer) and / or conductive vias.

상기 층간회로는 상기 탄성지지층(15)의 프로브 핀(16)에 연결된 탐지용 회로라인(12)을 포함한다. 또한, 본 실시형태에 따른 층간회로는, 서로 분리된 제1 및 제2 회로라인(14a,14b)을 포함한다. 상기 제1 회로라인(14a)은 상기 제1 전극패드(17a)에 연결되도록 상기 프로브 헤드(11)에 형성된다. 상기 제2 회로라인(14b)은 상기 제2 전극패드(17b)에 연결되도록 상기 프로브 헤드(11)로부터 상기 탄성지지층(15)으로 연장된다.The interlayer circuit includes a detection circuit line 12 connected to the probe pin 16 of the elastic support layer 15. The interlayer circuit according to the present embodiment also includes first and second circuit lines 14a and 14b separated from each other. The first circuit line 14a is formed in the probe head 11 to be connected to the first electrode pad 17a. The second circuit line 14b extends from the probe head 11 to the elastic support layer 15 so as to be connected to the second electrode pad 17b.

도2는 도1에 도시된 프로브 카드(10)의 동작 중 상태를 나타내는 개략도이다.FIG. 2 is a schematic diagram showing a state during operation of the probe card 10 shown in FIG.

탐침과정에서, 상기 프로브 핀(16)을 IC칩의 단자와 같은 접촉대상물(20)에 접촉된 상태에서 일정한 압력에 적용된다. 이에 따라 프로브 핀(16)이 위치한 탄성지지층(15)부분은 홈부(C) 내로 들어가게 되고, 상기 제2 전극패드(17b)는 제1 전극패드(17a)측으로 이동한다. 이러한 이동으로 인해 제1 전극패드(17a)와 제2 전극패드(17b)의 간격(d1)은 좁아진다. In the probe process, the probe pin 16 is applied to a constant pressure in contact with the contact object 20 such as a terminal of the IC chip. Accordingly, the portion of the elastic support layer 15 on which the probe pin 16 is located enters the groove portion C, and the second electrode pad 17b moves toward the first electrode pad 17a. Due to this movement, the distance d1 between the first electrode pad 17a and the second electrode pad 17b is narrowed.

상기 제1 및 제2 회로라인(14a,14b)을 이용하여 제1 및 제2 전극패드(17a,17b) 사이의 정전용량의 변화를 감지할 수 있다. 즉 도3를 참조하면, 제1 및 제2 전극패드(17a,17b)의 사이의 간격이 압력이 인가되지 않은 상태인 초기의 간격(d0)에서 도2에 도시된 바와 같이 소정의 압력이 안가되는 상태의 간격(d1)으로 변동되면, 이에 따라 제1 및 제2 전극패드의 정전용량은 C0에서 C1으로 증가된다. The change in capacitance between the first and second electrode pads 17a and 17b may be sensed using the first and second circuit lines 14a and 14b. I.e., Referring now to Figure 3, the first and second electrode pads of a predetermined pressure as shown in Figure 2 in the interval (d 0) of the initial state interval is not applied with a pressure of between (17a, 17b) When the gap d 1 is unstable, the capacitance of the first and second electrode pads is increased from C 0 to C 1.

측정된 정전용량 값에 따라 프로브 핀에 인가된 압력의 크기가 예측되므로, 측정될 수 있으며, 프로브 핀 또는 측정되는 대상물에 무리한 압력이 가해지지 않도록 사전에 판단하여 프로브 팁의 파손이나 측정대상인 전극표면의 손상을 예방할 수 있다. Since the magnitude of the pressure applied to the probe pin is predicted according to the measured capacitance value, it can be measured, and it is determined in advance so that excessive pressure is not applied to the probe pin or the object to be measured. Damage can be prevented.

본 발명은 동시에 다수의 전극패드 위치에 탐지할 수 있도록 다수의 프로브 핀을 갖는 형태로도 구현될 수 있다. 도4은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 프로브 카드를 나타내는 측단면도이다.The present invention can also be implemented in the form of having a plurality of probe pins to be detected at a plurality of electrode pad positions at the same time. 4 is a side sectional view showing a probe card according to a preferred embodiment of the present invention.

도4에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 따른 프로브 카드(30)는, 프로브 헤드(31)와, 상기 프로브 헤드(31)의 일면에 형성된 탄성지지층(35)과, 상기 탄성지지층(35)에 장착된 프로브 핀(36)을 포함한다. 물론, 도시되지 않았으나, 상기 프로브 헤드(31)의 타면에는 인쇄회로기판이 장착되며, 인쇄회로기판과 함께 프로브 카드로 제공될 수 있다.As shown in FIG. 4, the probe card 30 according to the present embodiment includes a probe head 31, an elastic support layer 35 formed on one surface of the probe head 31, and the elastic support layer 35. It includes a probe pin 36 mounted to. Of course, although not shown, a printed circuit board is mounted on the other surface of the probe head 31, and may be provided as a probe card together with the printed circuit board.

상기 프로브 헤드(31)는 다수의 세라믹층(31a,31b,31c,31d)이 적층되어 이루어진 세라믹 기판일 수 있다. 상기 프로브 헤드(31)의 일면에는 일정한 간격으로 복수의 홈부(C)가 형성된다. The probe head 31 may be a ceramic substrate in which a plurality of ceramic layers 31a, 31b, 31c, and 31d are stacked. One surface of the probe head 31 is formed with a plurality of grooves (C) at regular intervals.

상기 탄성지지층(35)은 그 홈부(C)의 공간이 유지되도록 상기 프로브 헤 드(31)의 일면에 형성된다. 상기 탄성지지층(35)은 실리콘 러버와 같은 폴리머 재질이 사용될 수 있다. The elastic support layer 35 is formed on one surface of the probe head 31 so that the space of the groove portion C is maintained. The elastic support layer 35 may be a polymer material such as silicon rubber.

상기 프로브 핀(36)은 상기 탄성지지층(35) 중 상기 홈부(C)에 접하는 면의 반대에 위치한 면에 형성된다. 본 실시형태와 같이, 상기 프로브 핀(36)은 점유면적이 상대적으로 작은 수직형 프로브 핀이 바람직하게 사용될 수 있다. The probe pin 36 is formed on a surface opposite to a surface of the elastic support layer 35 that contacts the groove C. As in this embodiment, the probe pin 36 may be preferably a vertical probe pin having a relatively small occupied area.

상기 홈부(C)에서 상기 프로브 헤드(31)와 상기 탄성지지층(35)의 서로 대응되는 영역에 각각 제1 및 제2 전극패드(37a,37b)가 형성된다. 상기 제1 및 제2 전극 패드(37a,37b)는 상기 홈부(C) 내에서 서로 일정한 간격으로 이격될 수 있도록 형성된다. 이러한 제1 및 제2 전극패드(37a,37b)는 다수의 프로브 핀을 갖는 프로브 카드에서는 복수의 홈부 중 일부의 홈부에 한하여 형성될 수 있다. 즉, 제1 및 제2 전극패드는 프로브 핀에 인가되는 압력을 측정하는 것이므로, 대표적인 위치에 한하여 선택적으로만 형성될 수 있다.First and second electrode pads 37a and 37b are formed in regions of the groove C corresponding to each other of the probe head 31 and the elastic support layer 35, respectively. The first and second electrode pads 37a and 37b are formed to be spaced apart from each other in the groove portion C at regular intervals. The first and second electrode pads 37a and 37b may be formed in a groove portion of a plurality of groove portions in a probe card having a plurality of probe pins. That is, since the first and second electrode pads measure the pressure applied to the probe pins, the first and second electrode pads may be selectively formed only at representative positions.

상기 프로브 헤드(31)는 층간회로(32,34a,34b)를 갖는다. 상기 층간회로는 상기 탄성지지층(35)의 프로브 핀(36)에 연결된 탐지용 회로라인(32)을 포함한다. 또한, 상기 층간회로는, 서로 분리된 제1 및 제2 회로라인(34a,34b)을 포함한다. 상기 제1 회로라인(34a)은 상기 제1 전극패드(37a)에 연결되도록 상기 프로브 헤드(31)에 형성된다. 상기 제2 회로라인(34b)은 상기 제2 전극패드(37b)에 연결되도록 상기 프로브 헤드(31)로부터 상기 탄성지지층(35)으로 연장된다.The probe head 31 has interlayer circuits 32, 34a, 34b. The interlayer circuit includes a detection circuit line 32 connected to the probe pin 36 of the elastic support layer 35. In addition, the interlayer circuit includes first and second circuit lines 34a and 34b separated from each other. The first circuit line 34a is formed in the probe head 31 to be connected to the first electrode pad 37a. The second circuit line 34b extends from the probe head 31 to the elastic support layer 35 so as to be connected to the second electrode pad 37b.

또한, 상기 프로브 헤드(31)의 타면에는 인쇄회로기판(미도시)의 회로에 전기적으로 연결하면서 장착될 수 있도록 구성된 단자부(38,39a,39b)가 형성된다. 상기 단자부(38,39a,39b)는 상기 프로브 헤드(31)의 탐지용 회로라인(32)과 상기 제1 및 제2 회로라인(34a,34b)에 각각 연결된다.In addition, terminal parts 38, 39a, and 39b are formed on the other surface of the probe head 31 to be mounted while being electrically connected to a circuit of a printed circuit board (not shown). The terminal parts 38, 39a and 39b are connected to the detection circuit line 32 and the first and second circuit lines 34a and 34b of the probe head 31, respectively.

본 실시형태에서, 상기 제1 및 제2 전극패드(37a,37b)의 간격은 상기 프로브 핀(36)에 수직방향으로 가해진 압력에 따라 변동될 수 있다. 이러한 간격의 변동에 따라 제1 및 제2 전극패드(37a,37b) 사이에 발생되는 정전용량값을 달라지며, 이를 근거하여 프로브 핀에 적용되는 압력을 측정하여 무리한 압력에 의한 손상을 방지할 수 있다. In the present embodiment, the interval between the first and second electrode pads 37a and 37b may vary depending on the pressure applied in the vertical direction to the probe pin 36. The capacitance value generated between the first and second electrode pads 37a and 37b varies according to the variation of the interval, and the pressure applied to the probe pin may be measured based on this to prevent damage due to excessive pressure. have.

이와 같이, 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다. As such, the invention is not limited by the embodiments described above and the accompanying drawings, but is defined by the appended claims. Therefore, it will be apparent to those skilled in the art that various forms of substitution, modification, and alteration are possible without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims, and the appended claims. Will belong to the technical spirit described in.

도1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 프로브 카드를 나타내는 측단면도이다.1 is a side sectional view showing a probe card according to an embodiment of the present invention.

도2는 도1에 도시된 프로브 카드의 동작 중 상태를 나타내는 개략도이다.FIG. 2 is a schematic diagram showing a state during operation of the probe card shown in FIG.

도3은 본 발명에 따른 프로브 카드의 측정원리를 설명하기 위한 접속패드의 간격과 정전력 변화를 나타내는 그래프이다.Figure 3 is a graph showing the interval and the constant power change of the connection pad for explaining the measurement principle of the probe card according to the present invention.

도4는 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 프로브 카드를 나타내는 측단면도이다.4 is a side sectional view showing a probe card according to a preferred embodiment of the present invention.

Claims (5)

일면에 적어도 하나의 홈부가 형성되며, 탐지용 회로라인을 갖는 프로브 헤드;A probe head having at least one groove formed on one surface and having a detection circuit line; 상기 프로브 헤드의 일면에 상기 홈부의 공간이 유지되도록 형성되며, 탄성물질로 이루어진 탄성지지층;An elastic support layer formed on one surface of the probe head to maintain a space of the groove, and made of an elastic material; 상기 탄성지지층 중 상기 홈부에 접하는 면의 반대에 위치한 면에 형성되며, 상기 탐지용 회로라인과 전기적으로 연결된 프로브 핀;A probe pin formed on a surface of the elastic support layer opposite to a surface of the elastic support layer and electrically connected to the detection circuit line; 상기 홈부 중 에서 상기 프로브 헤드와 상기 탄성지지층의 서로 대응되는 영역에 각각 형성된 제1 및 제2 전극패드; First and second electrode pads formed in regions corresponding to each other of the probe head and the elastic support layer among the grooves, respectively; 상기 프로브 헤드에 형성되며 상기 제1 전극패드에 연결된 제1 회로라인; 및A first circuit line formed on the probe head and connected to the first electrode pad; And 상기 프로브 헤드 및 상기 탄성지지층에 형성되며 상기 제2 전극패드에 연결된 제2 회로라인을 포함하며,A second circuit line formed on the probe head and the elastic support layer and connected to the second electrode pad; 상기 프로브 핀에 적용되는 압력에 의해 상기 홈부에 대응되는 상기 탄성지지층 영역이 수직방향으로 변형되고, 이에 따라 상기 제1 및 제2 전극패드의 간격이 변경되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.And the elastic support layer region corresponding to the groove portion is deformed in the vertical direction by the pressure applied to the probe pin, and thus the gap between the first and second electrode pads is changed. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 적어도 하나의 홈부는 일정한 간격을 따라 형성된 복수개이며,The at least one groove portion is a plurality of formed along a predetermined interval, 상기 탄성지지층의 일면에 장착된 프로브 핀은 복수개인 것을 특징으로 하는 프로브 카드.And a plurality of probe pins mounted on one surface of the elastic support layer. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1 및 제2 전극패드는 상기 복수개의 홈부 중 일부 홈부에 한하여 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 카드.And the first and second electrode pads are formed in only some of the grooves of the plurality of grooves. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 홈부의 깊이는 상기 프로브 핀에 의한 탄성지지층의 수직방향으로 변형거리보다 상기 제1 및 제2 전극패드의 간격이 크도록 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 카드.The depth of the groove portion is a probe card, characterized in that formed so that the distance between the first and second electrode pads greater than the deformation distance in the vertical direction of the elastic support layer by the probe pin. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 프로브 헤드는 다층 세라믹 기판인 것을 특징으로 하는 프로브 카드.And the probe head is a multilayer ceramic substrate.
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