KR100968471B1 - 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서 및 이를 이용한반도체 집적회로 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가시광 센서 및 이를 이용한 반도체 집적회로 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 빛이 입사되는 포토다이오드(Photo Diode)나 포토트랜지스터(Photo Transistor) 등의 광센싱부 영역이 형성된 실리콘 웨이퍼 표면에 적외선을 차단하는 필터를 코팅하여 포토다이오드나 포토트랜지스터로의 적외선 영역의 유입을 차단한 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서, 및 통상의 실리콘 웨이퍼를 이용한 반도체 집적회로 제조공정을 이용하여 가시광 센서와 다른 반도체 회로를 용이하게 원 칩(One chip)화 할 수 있게 한 반도체 집적회로 제조공정에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼, 가시광 센서, 적외선 차단필터, 광 특성, 집적회로

Description

실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서 및 이를 이용한 반도체 집적회로 제조방법{OPTICAL SENSOR FOR VISIBLE LIGHT USING SILICON WAFER AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF}
본 발명은 가시광 센서 및 이를 이용한 반도체 집적회로 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 빛이 입사되는 포토다이오드(Photo Diode)나 포토트랜지스터(Photo Transistor) 등의 광센싱부 영역이 형성된 실리콘 웨이퍼 표면에 적외선을 차단하는 필터를 코팅하여 포토다이오드나 포토트랜지스터로의 적외선 영역 파장의 유입을 차단한 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서, 및 통상의 실리콘 웨이퍼의 반도체 집적회로 제조공정을 이용하여 가시광 센서와 다른 반도체 회로를 용이하게 원 칩(One chip)화 할 수 있게 한 반도체 집적회로 제조공정에 관한 것이다.
일반적으로 실리콘(Si)은 물질 특성상 가시광 영역 보다는 적외선 영역에서의 감도가 더 높아서 단순히 실리콘 웨이퍼로 가시광 센서를 제조하기는 적합하지 않았다. 즉, 종래의 실리콘 웨이퍼를 이용한 광센서의 광 특성을 나타내는 도 1에 도시된 바와 같이, 실리콘 자체의 특성으로 인해 가시광 영역에서 적색 쪽으로 편 중된 스펙트럼 반응을 갖으면서 적외선 영역으로 계속 증가하므로 약 400 ~ 700㎚의 파장 범위를 갖는 가시광 영역에서의 감도를 이용하는 가시광 센서로 적용하기는 어려웠다.
따라서, 종래에는 단순히 실리콘 웨이퍼로 가시광 센서를 제조하지 못하여 제조비용이 값 비싼 다른 화합물 반도체를 사용하거나, 빛이 들어오면 저항이 증가하고 빛이 사라지면 저항이 낮아지는 성질을 갖는 광전도 셀인 CDS(황화카드뮴) 센서를 사용하여 가시광 센서를 제조하였다.
그러나, 화합물 반도체를 이용할 경우 가시광 센서와 다른 반도체 회로를 하나의 칩으로 원 칩(One chip)화 하기 어려우며, 일반적으로 화합물 반도체를 이용하는 제조비용이 실리콘 웨이퍼를 이용하는 경우보다 값 비싸고 그 제조공정도 복잡한 문제점이 있었다.
또한, CDS 센서를 이용하여 가시광 센서를 제조할 경우 환경규제 물질인 황화카드뮴을 사용하게 되므로 많은 규제조건을 만족해야 하고, 환경 규제로 인하여 더 이상 사용이 불가능하며, 이 경우에도 다른 반도체와 원 칩(One chip)화 하기 어려운 문제점이 있었다.
또한, CMOS 이미지 센서(CIS : CMOS Image Sensor)의 경우 반도체 제조 공정상 R, G, B 컬러 필터가 추가되고, CIS 모듈 조립시 유리에 적외선 차단필터를 코팅하여 구성되는 적외선 차단필터를 채택하여 제조되는데, 이 경우에도 제조비용이 비싸며 일반적인 실리콘 웨이퍼 제조공정으로는 제작할 수 없는 문제점이 있었다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 실리콘 웨이퍼에 포토다이오드나 포토트랜지스터 등으로 이루어진 가시광 센서를 형성하고, 이와 같이 빛이 입사되는 가시광 센서가 형성된 실리콘 웨이퍼 표면에 실리콘 산화막과 광촉매 박막이 교차 적층된 적외선 차단필터를 코팅하여 적외선 영역 파장의 유입을 차단한 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서를 제공함에 있다.
또한, 본 발명은 실리콘 웨이퍼로 가시광 센서를 구현함으로써 통상의 실리콘 웨이퍼를 이용한 반도체 집적회로 제조공정을 이용하여 가시광 센서와 이를 이용한 반도체 회로를 용이하게 원 칩화 할 수 있는 반도체 집적회로 제조공정을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서는, 실리콘 웨이퍼에 형성된 광센싱부; 상기 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 절연층; 상기 광센싱부에 신호를 연결하는 메탈 배선; 및 상기 메탈 배선의 상부에 형성된 적외선 차단필터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 적외선 차단필터가 빛에너지가 입사되는 광센싱부 영역의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하며, 이때, 상기 적외선 차단필터는 실리콘 산화막(SiO2)과 광촉매 박막(TiO2)이 교차 적층되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 적외선 차단필터가 상기 실리콘 산화막(SiO2)과 광촉매 박막(TiO2) 각각의 두께와 적층되는 층 수에 의해 광 특성이 조절되고, 상기 광센싱부는 포토다이오드 또는 포토트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기술적 과제를 이루기 위한 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서를 원 칩화하는 반도체 집적회로 제조방법은, 실리콘 웨이퍼에 포토다이오드나 포토트랜지스터 등의 광센싱부와 반도체 회로부를 포함하는 단위소자를 형성하는 단계; 상기 각 단위소자를 전기적으로 연결하는 메탈 배선을 형성하는 단계; 상기 메탈 배선이 설치된 후 반도체 칩의 보호막을 형성하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼의 상면에 적외선 차단필터를 코팅하는 단계; 및 패드 영역의 보호막과 적외선 차단필터를 제거하는 패드 오픈 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 적외선 차단필터를 코팅하는 단계가 상기 광센싱부의 상면에 실리콘 산화막과 광촉매 박막을 교차 적층하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 적외선 차단필터를 코팅하는 단계가 상기 실리콘 산화막과 광촉매 박막을 원 칩화된 실리콘 웨이퍼의 전면(全面)에 교차 적층하여 코팅하거나, 상기 광센싱부가 형성된 가시광 센서의 영역만을 노출시키는 마스크에 의해 상기 가시광 센서의 상부에만 상기 실리콘 산화막과 광촉매 박막을 교차 적층하여 코팅하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 실리콘 웨이퍼에 형성된 가시광 센서 영역 상부에 실리콘 산화막 과 광촉매 박막이 교차 적층된 적외선 차단필터를 코팅하여 가시광 센서의 광 특성을 현저히 개선할 수 있으며, 통상적인 실리콘 웨이퍼 제조공정을 이용하여 용이하게 가시광 센서를 제조할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 통상적인 실리콘 웨이퍼 제조공정에 의해 가시광 센서와 그 센싱 결과를 이용하는 다른 반도체 회로부를 원 칩화함으로써 반도체 집적회로를 용이하게 제조할 수 있고, 바이폴라 또는 CMOS 공정에도 적용가능하며 저렴한 비용과 추가적인 마스크 없이 원 칩화된 반도체 집적회로를 제조할 수 있는 장점이 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서는 도 2에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(100)와, 상기 실리콘 웨이퍼에 형성된 광센싱부와, 상기 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 절연층(300)과, 상기 광센싱부에 신호를 연결하는 메탈 배선(400)과, 상기 메탈 배선의 상부에 형성된 적외선 차단필터(200)를 포함하여 구성된다.
이때, 상기 실시예에서는 실리콘 웨이퍼(100)가 P형 실리콘 웨이퍼로 이루어진 경우를 설명하지만, 이에 한정되지 않고 N형 실리콘 웨이퍼로 이루어진 경우에도 동일한 방법으로 구현할 수 있음은 물론이다.
상기 광센싱부는 상기 실리콘 웨이퍼에 형성된 PN 포토다이오드로 구성될 수 있음은 물론 포토트랜지스터로 구성될 수도 있다. 상기 PN 포토다이오드와 포토트랜지스터는 실리콘 웨이퍼 상에 형성되는 통상적인 PN 포토다이오드 및 포토트랜지스터와 동일하므로, 이하에서는 PN 포토다이오드가 형성된 경우를 주로 설명하였으나 이에 한정되지 않고 포토트랜지스터에도 용이하게 적용될 수 있음은 물론이다.
상기 포토다이오드는 상기 P형 실리콘 웨이퍼 상에 형성되어 광에너지를 전기에너지로 변환하는 통상적인 PN 포토다이오드로서, 상기 실리콘 웨이퍼에 PN 접합(PN Junction)을 이루는 P형 영역(P+)과 N형 영역(N+)이 도핑되어 구성된다.
이때, 상기 PN 접합을 형성하기 위해 통상적인 바이폴라(Bipolar) 공정일 경우에 상기 P형 영역은 베이스(Base), N형 영역은 N-epi 혹은 에미터(Emitter)로 형성할 수 있으며, 통상적인 CMOS 공정일 경우에 상기 P형 영역(P+)은 P+ 소스/드레인(Source/Drain) 혹은 P 서브(P Sub), N형 영역은 N 웰(N Well) 혹은 N+ 소스/드레인(Source/Drain)으로 형성할 수 있게 된다.
상기 실리콘 웨이퍼 상부에 형성되는 절연층(300)과, 상기 포토다이오드로 입사되는 빛에 의해 전기에너지로 변환된 신호를 관련된 반도체 회로부로 전송하는 메탈 배선(400)은 통상적인 실리콘 웨이퍼를 이용하여 구성되는 경우와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다. 상기 실시예에서는 설명의 편의를 위해 메탈 배선 1층을 사용하는 것을 예시하였으나 이에 한정되지 않고 여러 층이 사용될 수도 있음은 물론이다.
상기 적외선 차단필터(Infra Red Cut Filter, 200)는 입사되는 빛 중 적외선 영역 파장의 빛을 필터링하여 차단하기 위해서, 상기 메탈 배선(400)이 완료된 실 리콘 웨이퍼의 포토다이오드 영역 상부에 형성된다. 즉, 본 발명에 따른 가시광 센서의 개략 단면도를 나타내는 도 3에 도시된 바와 같이, 광에너지를 흡수하는 포토다이오드 영역(Photo Diode 영역)인 실리콘 웨이퍼의 상부에 상기 적외선 차단필터(200)를 코팅하여 적외선 영역 자체를 차단하도록 구성된다.
따라서, 본 발명에 따른 적외선 차단필터의 적용 전후의 광 특성을 함께 나타내는 도 5에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼를 이용한 포토다이오드 자체는 약 700㎚ 이상의 파장 범위를 갖는 적외선 영역에서 우수한 감도를 갖고 있지만(IR Cut Filter 적용 전의 광 특성을 점선으로 표시함.), 상기 포토다이오드 상부에 형성된 적외선 차단필터(200)에 의해 적외선 영역 자체가 포토다이오드로 전달되지 않는다.(IR Cut Filter 적용 후의 광 특성을 실선으로 표시함.)
상기 적외선 차단필터(200)는 상술한 바와 같이 적외선 영역만 차단하고 가시광 영역은 통과시키는 특성을 갖고 있으므로, 상기 포토다이오드로 가시광과 적외선이 혼합된 빛이 인가되면 상기 적외선 차단필터에 의해 적외선은 차단되고 가시광만 필터를 통과하여 포토다이오드로 전달된다.
이러한 상기 적외선 차단필터(200)는 그 단면을 나타내는 도 4에 도시된 바와 같이, 실리콘 산화막(Silicon Oxide : SiO2)과 광촉매 박막(Titatium Dioxide : TiO2)을 번갈아 가면서 여러 층을 적층하여 구성된다. 이와 같이 교차 적층된 실리콘 산화막(SiO2)과 광촉매 박막(TiO2)은 적외선 영역의 파장을 차단하여 포토다이오드로의 유입을 방지하게 된다.
이때, 상기 실리콘 산화막(SiO2)과 광촉매 박막(TiO2) 각각의 두께와 교차 적층된 적외선 차단필터가 몇 층으로 형성되는 가에 따라 가시광 센서에서의 광 특성을 조절할 수 있게 된다. 즉, 실리콘 산화막(SiO2)과 광촉매 박막(TiO2)의 두께를 얇게 하거나 적층되는 층수를 적게 할 경우 일부 적외선 영역의 파장이 유입될 수 있으나, 실리콘 산화막(SiO2)과 광촉매 박막(TiO2)의 두께를 두껍게 형성하거나 적층되는 층수를 많게 할 경우 적외선 영역 파장의 유입을 보다 많이 차단할 수 있게 된다.
다음에는 이와 같이 구성된 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서와 반도체 회로를 원 칩(One Chip)화 한 반도체 집적회로 제조방법을 설명한다. 실리콘 웨이퍼를 이용하여 반도체 집적회로를 제조하기 위해서는 도 6에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼에 저항, 커패시터, 트랜지스터, 다이오드 등의 단위소자를 형성하는 단계(S10)와, 각 단위소자를 전기적으로 연결하는 메탈 배선을 형성하는 단계(S20)와, 배선이 설치된 후 반도체 칩의 보호막을 형성하는 단계(S30), 및 칩 보호막 형성 후 패드 영역의 칩 보호막을 제거하는 패드 오픈 단계(S40)를 포함하여 구성되는 것이 일반적이다.
본 발명에 따라 실리콘 웨이퍼를 이용하여 구성된 가시광 센서와 반도체 회를 원 칩화하는 반도체 집적회로 제조방법은 도 7에 도시된 바와 같이, 일반적인 실리콘 웨이퍼에 저항, 커패시터, 트랜지스터, 다이오드 등의 단위소자를 형성하는 단계(S100)와, 각 단위소자를 전기적으로 연결하는 메탈 배선을 형성하는 단 계(S200)와, 메탈 배선이 설치된 후 반도체 칩의 보호막을 형성하는 단계(S300), 실리콘 웨이퍼의 상면에 적외선 차단필터를 코팅하는 단계(S400), 및 패드 영역의 보호막을 제거하는 패드 오픈 단계(S500)를 포함하여 구성된다.
이러한 반도체 집적회로 제조방법에 의해 원 칩(One Chip)화 된 반도체 집적회로(500)는 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 패드(Pad, 510)와, 가시광 센서(520)와, 상기 가시광 센서로부터 입력받아 신호를 처리하는 반도체 회로부(530)로 구성되며, 적외선 차단필터(음영으로 도시됨)는 상기 패드(510)를 제외한 부분에 전체적으로 코팅되거나, 상기 가시광 센서(520)의 상부에만 코팅되어 구성된다.
상기 단위소자를 형성하는 단계(S100)는 반도체 회로부(530)에서 요구되는 저항, 커패시터, 트랜지스터, 다이오드 등의 소자뿐만 아니라, 실리콘 웨이퍼 상에 가시광 센서(520)를 구현하기 위한 광센싱부인 포토다이오드나 포토트랜지스터를 형성하게 된다. 상기 포토다이오드를 형성하기 위해 실리콘 웨이퍼의 일정 영역에 P형 영역(P+)과 N형 영역(N+)을 형성한다.
상기 가시광 센서(520)를 포함하는 단위소자들의 형성이 완료된 후, 상기 메탈 배선 형성 단계(S200)에서 단위소자 및 반도체 회로부에의 메탈배선(400)을 형성하여 전기적 연결을 이룬다. 그리고, 상기 가시광 센서와 반도체 회로부 등을 보호하기 위한 보호막을 상기 반도체 칩의 상면에 형성(S300)하게 된다.
상기 적외선 차단필터 코팅 단계(S400)는 상기 가시광 센서(520)의 상면에 포토다이오드로의 적외선 유입을 방지할 수 있는 적외선 필터를 형성한다. 이때, 상기 적외선 필터는 실리콘 산화막(SiO2)과 광촉매 박막(TiO2)을 교차 적층하여 구성되며, 교차 적층시 SiO2와 TiO2를 순차적으로 상기 실리콘 웨이퍼 상에 증착하여 구성될 수 있다.
상기 적외선 차단필터(200)의 코팅은 도 8에 도시된 바와 같이 반도체 집적회로(500)를 이루는 원 칩화된 실리콘 웨이퍼 전면에 걸쳐 이루어질 수 있음은 물론, 도 9에 도시된 바와 같이 포토다이오드가 형성되는 가시광 센서(520)의 영역에만 이루어질 수도 있다.
이때, 상기 적외선 차단필터(200)의 코팅이 가시광 센서(520)의 영역에만 이루어질 경우 별도의 마스크(mask)와 이를 이용한 공정이 추가되어야 하지만, 상기 적외선 차단필터(200)의 코팅이 실리콘 웨이퍼 전면에 걸쳐 이루어질 경우 별도의 마스크(mask) 없이 코팅이 이루어지므로 절차가 용이해지는 이점이 있게 된다.
또한 웨이퍼 전면에 코팅되는 적외선 차단필터가 집적회로의 다른 부분에서는 일종의 칩 보호막 역할을 할 수 있으므로 일반적인 반도체 제조에 많이 이용되는 질화막(Nitride) 대신 산화막(Oxide)을 이용할 수 있게 되며, 칩 보호막의 상부에 적외선 차단필터가 코팅되므로 칩 보호막의 두께를 얇게 증착(epitaxy)하여 형성할 수 있고, 경우에 따라서는 칩 보호막이 적용되지 않고 적외선 차단필터만을 코팅할 수도 있게 된다.
상기 패드 오픈 단계(S500)는 빛의 입사에 의해 생성되는 상기 가시광 센서의 입력과 출력을 상기 반도체 집적회로 외부와 송수신하기 위해 전기적으로 연결 하는 패드영역의 칩 보호막 및 적외선 차단필터를 제거하여 패드(510) 영역을 개방하게 된다.
이와 같이 빛이 입사되는 포토다이오드 영역에 실리콘 산화막(SiO2)과 광촉매 박막(TiO2)이 교차 적층된 적외선 차단필터를 형성하여 일반적인 실리콘 웨이퍼로 가시광 센서를 구현함으로써, 통상적인 실리콘 웨이퍼를 이용한 반도체 제조공정을 대부분 활용하면서 반도체 집적회로의 원 칩(One Chip)화를 구현할 수 있게 된다.
이때, 상기 실리콘 웨이퍼 상에 원 칩화되어 상기 가시광 센서와 함께 집적되는 반도체 회로부(530)는 반도체 집적회로(500)가 이용되는 용도에 의해 결정되는 출력의 종류에 따라, 전류 출력의 경우 전류 증폭기로 구성되고, 전압 출력의 경우 트랜스 임피던스 증폭기로 구성되며, 디지털 출력의 경우 증폭기와 A/D 컨버터 등으로 다양하게 구성될 수 있다.
이상에서는 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 이라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.
도 1은 실리콘 웨이퍼를 이용한 센서의 광 특성도.
도 2는 본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서의 단면도.
도 3은 본 발명에 따라 적외선 차단필터가 구비된 가시광 센서의 개략 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 적외선 차단필터의 적층 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 적외선 차단필터 적용 전후의 가시광 센서의 광 특성도.
도 6은 종래의 실리콘 웨이퍼를 이용한 반도체 집적회로의 제조공정도.
도 7은 본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서를 원 칩화하는 반도체 집적회로 제조공정도.
도 8은 본 발명에 따라 가시광 센서와 반도체 회로부가 원 칩화된 반도체 집적회로 전면에 적외선 차단필터가 코팅된 것을 나타내는 구성도.
도 9는 본 발명에 따른 반도체 집적회로의 가시광 센서 영역에만 적외선 차단필터가 코팅된 것을 나타내는 구성도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 - 실리콘 웨이퍼 200 - 적외선 차단필터
300 - 절연층 400 - 메탈 배선
500 - 반도체 집적회로 510 - 패드
520 - 가시광 센서 530 - 반도체 회로부

Claims (11)

  1. 가시광 센서에 있어서,
    실리콘 웨이퍼에 형성된 광센싱부;
    상기 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 절연층;
    상기 광센싱부에 신호를 연결하는 메탈 배선; 및
    상기 메탈 배선의 상부에 형성된 적외선 차단필터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 적외선 차단필터는 빛에너지가 입사되는 광센싱부 영역의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 적외선 차단필터는 실리콘 산화막(SiO2)과 광촉매 박막(TiO2)이 교차 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 적외선 차단필터는 상기 실리콘 산화막(SiO2)과 광촉매 박막(TiO2) 각 각의 두께와 적층되는 층 수에 의해 광 특성이 조절되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광센싱부는 포토다이오드로 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광센싱부는 포토트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서.
  7. 실리콘 웨이퍼를 이용한 광센서를 원 칩화하는 반도체 집적회로 제조방법에 있어서,
    상기 실리콘 웨이퍼에 포토다이오드나 포토트랜지스터 등의 광센싱부와 반도체 회로부를 포함하는 단위소자를 형성하는 단계;
    상기 각 단위소자를 전기적으로 연결하는 메탈 배선을 형성하는 단계;
    상기 메탈 배선이 설치된 후 반도체 칩의 보호막을 형성하는 단계;
    상기 실리콘 웨이퍼의 상면에 적외선 차단필터를 코팅하는 단계; 및
    패드 영역의 보호막과 적외선 차단필터를 제거하는 패드 오픈 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서를 원 칩화하는 반도체 집적회로 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 적외선 차단필터를 코팅하는 단계는 상기 광센싱부의 상면에 실리콘 산화막과 광촉매 박막을 교차 적층하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서를 원 칩화하는 반도체 집적회로 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 적외선 차단필터를 코팅하는 단계는 상기 실리콘 산화막과 광촉매 박막을 원 칩화된 실리콘 웨이퍼의 전면(全面)에 교차 적층하여 코팅하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서를 원 칩화하는 반도체 집적회로 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 적외선 차단필터를 코팅하는 단계는 상기 광센싱부가 형성된 가시광 센서의 영역만을 노출시키는 마스크에 의해 상기 가시광 센서의 상부에만 상기 실리콘 산화막과 광촉매 박막을 교차 적층하여 코팅하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서를 원 칩화하는 반도체 집적회로 제조방법.
  11. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 칩의 보호막을 형성하는 단계는 산화막(Oxide)을 웨이퍼 전면(全面)에 칩 보호막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서를 원 칩화하는 반도체 집적회로 제조방법.
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