KR100957788B1 - 바이폴라 트랜지스터 또는 mosfet와 같은 개별소자를이용하여 콘트롤 ic를 기동시키는 전원 공급 장치 및방법 - Google Patents

바이폴라 트랜지스터 또는 mosfet와 같은 개별소자를이용하여 콘트롤 ic를 기동시키는 전원 공급 장치 및방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 AC 전원을 사용하여 DC 전원의 초기 기동전류를 공급하는 장치 및 방법에 관한 것으로서, NPN 트랜지스터 또는 MOSFET 등의 개별소자를 이용하여 콘트롤 IC의 전원을 공급하고 동작 전압 보다 높은 일정 수준이 되면 NPN 트랜지스터 또는 MOSFET 등의 개별소자 동작을 오프시켜서 대기전력이 절감된 DC 전원이 생성되도록 함으로써, AC 전원을 입력으로 사용하는 전자제품 등의 내부 회로에 필요한 DC 전원을 안정적이고 효율적으로 공급하는 전원 공급 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전원 공급 장치는, 콘트롤 IC의 제어를 이용하여 AC 전원을 입력받는 브리지 다이오드의 출력으로부터 DC 전원을 생성하는데 있어서, 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자가 기준 전압보다 낮은 수준일 때 온되는 트랜지스터를 이용하여 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자에 기동전류를 공급할 수 있다.
AC, DC, 콘트롤 IC, NPN TR, 파워, 효율

Description

바이폴라 트랜지스터 또는 MOSFET와 같은 개별소자를 이용하여 콘트롤 IC를 기동시키는 전원 공급 장치 및 방법{Power Supplying Apparatus and Method for Starting up Control IC using a Discrete Component like as Bipolar Transistor or MOSFET}
본 발명은 AC 전원을 사용하여 DC 전원의 초기 기동전류를 공급하는 장치 및 방법에 관한 것으로서, NPN 트랜지스터 또는 MOSFET등의 개별소자를 이용하여 기동시 콘트롤 IC의 기동전류를 공급하고 동작 전압 보다 높은 일정 수준이 되면 바이폴라 트랜지스터 또는 MOSFET의 동작을 오프시켜서 대기전력이 최소화된 DC 전원이 생성되도록 함으로써, AC 전원을 입력으로 사용하는 전자제품 등의 내부 회로에 필요한 DC 전원을 안정적이고 효율적으로 공급하는 전원 공급 장치 및 방법에 관한 것이다.
AC 전원을 입력으로 사용하는 모든 전자제품은 AC 전원으로부터 DC 전원을 생성하는 AC/DC 변환기를 채용하고 있다. AC/DC 변환기로부터 생성되는 DC 전원은 전자 제품을 작동시키키 위하여 여러가지 수동 소자, 능동 소자, 및 IC(Integrated Circuit) 등에 공급된다.
도 1은 종래의 AC/DC 변환기(100)의 회로도이다. 도 1을 참조하면, 종래의 AC/DC 변환기(100)는 AC 전원(VAC), 브리지 다이오드(BD), 커패시터들(C1, C2), 저항(R1) 및 콘트롤 IC를 포함한다.
이와 같이 종래의 AC/DC 변환기(100)에서는 브리지 다이오드(BD)와 커패시터(C1)의 동작으로 출력 VLINK가 일정 전압이 되는 동안에, 콘트롤 IC의 동작 전원(VCC)을 공급하기 위하여 초기에는 기동 저항(R1)을 통하여 커패시터(C2)를 충전시킨다. 이때, 기동 저항(R1)은 콘트롤 IC의 전원(VCC)에 연결된 커패시터(C2)를 충전하여 콘트롤 IC가 동작하는데 필요한 전류를 공급하기 위한 것이다. 콘트롤 IC는 일반적인 AC/DC 변환 회로에 채용되며, 전원(VCC)에 충분한 수준의 전압이 공급되면, VLINK를 사용하는 후속 회로를 제어하여 전자 제품 내부에 필요한 여러가지 DC 전원이 생성되도록 한다.
그러나, 종래의 AC/DC 변환기(100)에서는, 기동 저항(R1)의 사용으로 인하여 기동 후 정상 동작 시에도 기동 저항(R1)을 통하여 상당량의 전류가 불필요하게 흐름에 따라 원치않는 파워 손실이 발생하고 효율이 떨어지는 문제점이 있다. 정상 동작 전 기동 시에 콘트롤 IC에서 소비하는 전류는 수십~수백 마이크로 암페어에 불과하기 때문에 기동 저항(R1)의 크기를 크게하여 파워 손실을 줄일 수 있다 하더라도, 이러한 경우에는 커패시터(C2)의 충전 시간이 너무 길어져 콘트롤 IC의 정상 동작이 늦어지는 문제점이 있다. 또한, 600V 이상에서 동작하는 BCD(Bipolar, CMOS, DMOS) 공정을 사용하면 기동 저항(R1)의 문제를 해결할 수도 있지만, 공정 접근이 가능한 업체가 제한적이고 비용도 많이 발생하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은, 콘트롤 IC로의 작은 기동 전류로 AC 전원을 입력으로 사용하는 전자제품 등의 콘트롤 IC기동에 필요한 기동 전류를 안정적이고 효율적으로 생성하여 공급할 수 있는 전원 공급 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.
그리고, 본 발명의 다른 목적은, NPN 트랜지스터 등 바이폴라 트랜지스터 또는 MOSFET과 같은 개별(Discrete) 소자를 이용하여 콘트롤 IC에 전원 전류를 공급하고 콘트롤 IC의 전원 단자가 동작 전압 보다 높은 일정 수준이 되면 상기 개별소자의 동작을 오프시켜서 대기전력이 절감된 DC 전원을 생성함으로써 파워 손실을 줄이며 효율을 개선할 수 있는 전원 공급 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.
먼저, 본 발명의 특징을 요약하면, 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면에 따른 전원 공급 장치는, 콘트롤 IC의 제어를 이용하여 AC 전원을 입력받는 브리지 다이오드의 출력으로부터 DC 전원을 생성하고, 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자가 기준 전압보다 낮은 수준일 때 온되는 개별 소자를 이용하여 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자에 기동전류를 공급하는 것을 특징으로 한다.
상기 개별소자는 NPN 바이폴라 트랜지스터 또는 N-채널 MOSFET형태이고, 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자가 기준 전압보다 낮은 수준일 때에 상기 브리지 다 이오드의 출력을 기반으로 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자로 기동전류를 공급하는 것을 특징으로 한다.
상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자가 상기 기준 전압 이상인 경우에, 상기 NPN 바이폴라 트랜지스터 또는 N-채널 MOSFET를 오프시키는 회로를 포함한다. 상기 회로는 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자가 상기 기준 전압 보다 낮은 수준일 때, 상기 NPN 바이폴라 트랜지스터 또는 N-채널 MOSFET의 기동 전류를 적절히 설정하여 조절할 수도 있다.
상기 회로는 상기 콘트롤 IC에 포함될 수 있으며, 상기 개별 소자도 상기 콘트롤 IC에 포함될 수 있다.
본 발명의 다른 일면에 따른 전원 공급 장치는, AC 전원을 입력받는 브리지 다이오드를 이용하여 상기 AC 전원을 정류하는 정류회로; 상기 정류회로의 출력으로부터 DC 전원을 생성하는 회로를 제어하는 콘트롤 IC; 저항; 및 제1 단자가 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자에 연결되고, 제2 단자가 상기 저항을 통하여 상기 정류회로의 출력에 연결되며, 제3 단자가 상기 정류회로의 출력에 직접 연결된 바이폴라 트랜지스터 또는 MOSFET를 포함하고, 상기 콘트롤 IC는, 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자의 전압에 따라 상기 바이폴라 트랜지스터 또는 MOSFET의 온/오프를 제어하는 제어회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자와 접지 사이에 연결된 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 일면에 따른 전원 공급 방법은, 콘트롤 IC의 제어를 이용 하여 AC 전원을 정류한 전압으로부터 DC 전원을 생성하고, 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자가 기준 전압보다 낮은 수준일 때 온되는 개별 소자를 이용하여 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자에 전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 전원 공급 방법.
본 발명에 따른 전원 공급 장치 및 방법에 따르면, AC 전원을 입력으로 사용하는 전자제품 등의 초기 기동시 내부 회로와 전원 콘덴서 충전에 필요한 기동전류를 공급하여 콘트롤 IC를 안정적이고 효율적으로 동작시킬 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 전원 공급 장치 및 방법에 따르면, NPN 트랜지스터 또는 MOSFET등의 개별소자를 이용하여 콘트롤 IC의 전원 단자의 일정 수준 이하에서 콘트롤 IC에 기동 전류를 공급하고, 콘트롤 IC가 정상 동작시에는 기동전류를 거의 0으로 줄이기 때문에, 대기전력을 절감하여 파워 손실을 줄이며 효율이 개선된 DC 전원을 공급할 수 있다. 이에 따라 기존의 콘트롤 IC의 큰 변형 없이도, 콘트롤 IC를 통하여 그린 모드(green mode)와 같은 대기 전력 규제에도 효과적으로 대응할 수 있도록 한다.
이하 첨부 도면들 및 첨부 도면들에 기재된 내용들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전원 공급 장치(200)의 회로도이다. 도 2 를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 전원 공급 장치(200)는 AC 전원(VAC), 브리지 다이오드(BD)와 커패시터(C11)을 포함하는 정류회로(210), 저항(R11), 트랜지스터(TR), 커패시터(C12), 및 제어회로(221)를 포함하는 콘트롤 IC(220)를 포함한다.
정류회로(210)는 AC 전원(VAC)을 입력받는 브리지 다이오드(BD)를 이용하여 AC 전원(VAC)을 정류한다. 브리지 다이오드(BD)의 출력(VLINK)과 접지 사이에는 커패시터(C11)가 연결되어, VLINK 가 어느 정도 DC 전압을 가질 수 있다.
콘트롤 IC(220)는 정류회로(210)의 출력(VLINK), 즉, 브리지 다이오드(BD)의 출력(VLINK)으로부터 다른 DC 전원을 생성하는 회로(도시되지 않음)를 제어한다. 이러한 콘트롤 IC(220)는 일반적인 AC/DC 변환 회로에 채용되어 있으며, 전원 단자(VCC)에 충분한 수준의 전압이 공급되면, VLINK를 사용하는 후속 회로를 제어(스위치의 온/오프나 인에이블/디스에이블 등 제어)하여 전자 제품 등의 내부 회로에 필요한 여러 가지 DC 전원이 생성되도록 한다. 이와 같은 후속 회로는 TF(transformer), 저항, 커패시터, 인덕터, 스위치 등 수동 또는 능동 소자들을 포함하고, VLINK로부터 보다 안정된 DC 전압이나 여러 수준의 DC 전압을 생성할 수 있다.
본 발명에서는, 특히, 콘트롤 IC(220)의 동작 전원 단자(VCC)가 기준 전압(VREF)보다 낮은 수준일 때 온(on)되는 트랜지스터(TR)를 이용하여 콘트롤 IC(220)의 동작 전원 단자(VCC)와 전원 커패시터(C12)에 기동전류를 공급한다.
트랜지스터(TR)가 도 2와 같이 NPN 바이폴라 트랜지스터인 경우에, 트랜지스 터(TR)의 제1 단자인 에미터(emitter)는 콘트롤 IC(220)의 동작 전원 단자(VCC)에 연결되고, 트랜지스터(TR)의 제2 단자인 베이스(base)는 저항(R11)을 통하여 정류회로(210)의 출력, 즉, 브리지 다이오드(BD)의 출력(VLINK)에 연결되며, 트랜지스터(TR)의 제3 단자인 콜렉터는 브리지 다이오드(BD)의 출력(VLINK)에 직접 연결된다.
또한, 콘트롤 IC(220)의 동작 전원 단자(VCC)와 접지(GND:ground) 사이에는 커패시터(C12)가 연결된다.
그리고, 콘트롤 IC(220)에는 콘트롤 IC(220)의 동작 전원 단자(VCC)의 전압에 따라 트랜지스터(TR)의 온/오프를 제어하는 제어회로(221)가 포함된다.
제어회로(221)는 스위치(SW)와 비교기(COMP)를 포함한다. 비교기(COMP)는 콘트롤 IC(220)의 동작 전원 단자(VCC)가 기준 전압(VREF) 이상인 경우에, 하이(high)를 출력하고, 이에 따라 스위치(SW)가 온되어 트랜지스터(TR)의 베이스를 접지시킨다. 도 3과 같이 전원 공급 장치(200)를 구성할 수도 있는데, 이때에는 스위치(SW)가 온될 때 트랜지스터(TR)의 베이스와 에미터 사이를 연결시켜 트랜지스터(TR)를 오프시킬 수도 있다. 스위치(SW)는 MOSFET, BJT 등 다양한 소자로 구현될 수 있다.
위에서 도 2 또는 도 3과 같은 전원 공급 장치(200)의 트랜지스터(TR)는 NPN 바이폴라 트랜지스터인 것으로 설명하였으나, 이는 도 4 및 도 5와 같이 N-채널 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)로 대체될 수도 있다. 이때에는 N-채널 MOSFET의 소스(source), 게이트(gate) 및 드레인(drain) 각 단자 가 NPN 바이폴라 트랜지스터의 에미터(emitter), 베이스(base) 및 콜렉터(collector) 각각의 단자 대신에 동작 전원 단자(VCC), 저항(R11)의 한 단자, 및 브리지 다이오드(BD)의 출력(VLINK) 각각에 연결될 수 있다.
또한, 제어회로(221)가 콘트롤 IC(220)에 포함되도록 하는 것이 바람직하지만, 그렇지 않고 제어회로(221)가 콘트롤 IC(220) 외부에 구비될 수도 있다. 또한, 트랜지스터(TR)도 콘트롤 IC(220) 내부에 2칩(chip) 1패키지 형태로 내장될 수 있다. 예를 들어, 제어회로(221)가 포함된(또는 포함되지 않은) 콘트롤 IC(220)를 하나의 칩으로하고 트랜지스터(TR)를 별도의 칩으로 하여 하나의 패키지 내에 2개의 칩을 내장하는 형태로 구현될 수 있다.
도 6은 도 2 내지 도 4의 전원 공급 장치(200)의 동작 설명을 위한 신호 파형도이다. 도 6을 참조하면, 콘트롤 IC(220)의 동작 전원 단자(VCC)가 기준 전압(VREF)보다 낮은 수준일 때에 제어회로(221)의 동작에 따라 스위치(SW)는 오프되고, 이때 브리지 다이오드(BD)의 출력(VLINK)을 기반으로 트랜지스터(TR)는 온되어 콘트롤 IC(220)의 동작 전원 단자(VCC)로 기동 전류를 공급한다. 종래와 같이 기동 저항(R11)을 통하여 직접VCC에 전류를 공급하는 것이 아니라, NPN 바이폴라 트랜지스터의 경우 기동 저항(R11)은 매우 작은 값의 전류를 트랜지스터(TR)의 베이스에 공급하고 증폭된 트랜지스터(TR)의 콜렉터 전류가 VCC 단에 기동 전류를 공급한다. 트랜지스터(TR)의 전류 증폭율 hfe가 100이라 가정할 때, VCC 단에 전류 1mA를 공급하기 위하여 기동 저항(R11)에서는 10μA만 공급해 주면 된다. 제어회로(221)의 비 교기(COMP) 출력이 스위치(SW)에 인가하는 전압이 로우 일 때 그 전압 크기에 따라 트랜지스터(TR)의 기동 전류의 양이 조절될 수도 있다. 예를 들어, 필요한 경우 로우 상태인 비교기(COMP) 출력 전압의 크기에 따라 도 2 또는 도 3의 NPN 바이폴라 트랜지스터(TR)나, 또는 도 4 또는 도 5의 N-채널 MOSFET에 흐르는 기동 전류의 양을 원하는 수준으로 조절하여 사용할 수 있을 것이다. 위와 같이 트랜지스터(TR)의 전류 1mA에 의하여 커패시터(C12)가 충전되어, 콘트롤 IC(220)의 동작 전원 단자(VCC)가 기준 전압(VREF)에 이르게 되면, 비교기(COMP) 출력이 하이로 액티브되고 이에 따라 스위치(SW)가 온되어 트랜지스터(TR)를 오프시킬 수 있게 된다.
트랜지스터(TR)로서 N-채널 MOSFET를 사용하는 경우에도, NPN 바이폴라 트랜지스터의 경우와 유사하게 비교기(COMP) 출력이 로우일 때에는 대단히 큰 값의 기동저항(R11)을 통하여 게이트에 충분한 전압이 인가되기 때문에 MOSFET 전류에 의해 콘트롤 IC(220)의 동작 전원 단자(VCC)로 기동 전류가 공급된다. MOSFET의 경우 바이폴라 트랜지스터와 달리 전압 구동이기 때문에 기동저항(R11)의 값을 더 키울 수 있다는 장점도 있다.
기동이 끝난 이후에는 별도로 구비된 소정 전원공급회로(도시되지 않았음)에 의해 콘트롤 IC(220)의 정상동작에 필요한 전원전류가 동작 전원 단자(VCC)로 공급된다. 기존의 회로에서도 기동이 끝나면 정상 동작 시에 기동저항(R11)을 통해 지속적으로 흐르는 전류에 의해 파워 손실이 컸지만 본 발명에서는 그 손실을 최소화할 수 있다.
위와 같은 예에서 종래의 회로에 비교하여 파워 손실이 약 1/100로 줄어들기 때문에 대기 전력 규제에도 충분히 대응 가능하다. 예를 들어, 종래의 파워 손실이 1mA*220V=220mW라면, 본 발명에서는 10μA*220V=2.2mW로 줄어든다.
이와 같이, 본 발명에서는 콘트롤 IC(220)의 제어를 이용하여 AC 전원(VAC)을 입력받는 브리지 다이오드(BD)의 출력(VLINK)으로부터 DC 전원을 생성하기 위하여, 초기 기동시 콘트롤 IC(220)의 동작 전원 단자(VCC)가 기준 전압(VREF)에 다다를 때까지 온되는 트랜지스터(TR) 또는 MOSFET의 개별소자를 이용하여 콘트롤 IC(220)의 동작 전원 단자(VCC)에 기동전류를 공급할 수 있게 된다.
본 발명에 따라, NPN 트랜지스터(TR) 등 바이폴라 트랜지스터를 이용하여 VCC 단자의 일정 수준(VREF) 이하에서 콘트롤 IC(220)에 기동 전원 전류를 공급하여 콘트롤 IC(220)가 동작하도록 하고 정상동작시에 기동전류를 최소화함으로써, 대기전력을 절감하여 파워 손실을 줄이며 효율이 개선된 DC 전원을 공급할 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
도 1은 종래의 AC/DC 변환기의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전원 공급 장치의 회로도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전원 공급 장치의 회로도이다.
도 4는 도 2의 TR 대신에 MOSFET로 대체한 회로도이다.
도 5는 도 3의 TR 대신에 MOSFET로 대체한 회로도이다.
도 6은 도 2의 전원 공급 장치의 동작 설명을 위한 신호 파형도이다.

Claims (9)

  1. 콘트롤 IC의 제어를 이용하여, AC 전원을 입력받는 브리지 다이오드의 출력으로부터 DC 전원을 생성하고,
    상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자가 기준 전압보다 낮은 수준일 때 온되는 개별 소자를 이용하여 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자에 기동 전류를 공급하며,
    상기 개별 소자는, NPN 바이폴라 트랜지스터 또는 N-채널 MOSFET이고, 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자가 기준 전압보다 낮은 수준일 때에 상기 브리지 다이오드의 출력을 기반으로 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자로 기동전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 전원 공급 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자가 상기 기준 전압 이상인 경우에, 상기 NPN 바이폴라 트랜지스터 또는 N-채널 MOSFET를 오프시키는 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전원 공급 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자가 상기 기준 전압 보다 낮은 수준일 때, 상기 NPN 바이폴라 트랜지스터 또는 N-채널 MOSFET의 기동 전류를 조절하는 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전원 공급 장치.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 회로는 상기 콘트롤 IC에 포함되는 것을 특징으로 하는 전원 공급 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 개별 소자는 상기 콘트롤 IC에 포함되는 것을 특징으로 하는 전원 공급 장치.
  7. AC 전원을 입력받는 브리지 다이오드를 이용하여 상기 AC 전원을 정류하는 정류회로;
    상기 정류회로의 출력으로부터 DC 전원을 생성하는 회로를 제어하는 콘트롤 IC;
    저항; 및
    제1 단자가 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자에 연결되고, 제2 단자가 상기 저항을 통하여 상기 정류회로의 출력에 연결되며, 제3 단자가 상기 정류회로의 출력에 직접 연결된 바이폴라 트랜지스터 또는 MOSFET를 포함하고,
    상기 콘트롤 IC는,
    상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자의 전압에 따라 상기 바이폴라 트랜지스터 또는 MOSFET의 온/오프를 제어하는 제어회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전원 공급 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자와 접지 사이에 연결된 커패시터
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전원 공급 장치.
  9. 콘트롤 IC의 제어를 이용하여, AC 전원을 정류한 전압으로부터 DC 전원을 생성하는 단계; 및
    상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자가 기준 전압보다 낮은 수준일 때 온되는 온되는 개별 소자를 이용하여 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자에 기동 전류를 공급하는 단계를 포함하고,
    상기 개별 소자는, NPN 바이폴라 트랜지스터 또는 N-채널 MOSFET이고, 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자가 기준 전압보다 낮은 수준일 때에 상기 AC 전원을 정류한 전압을 기반으로 상기 콘트롤 IC의 동작 전원 단자로 기동전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 전원 공급 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0583937A (ja) * 1991-09-13 1993-04-02 Tamura Seisakusho Co Ltd 1次側制御icへの電力供給回路
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KR20000008739A (ko) * 1998-07-15 2000-02-15 배동만 스위칭방식 전원장치

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