KR100956722B1 - Method and apparatus for processing substrates - Google Patents

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Abstract

처리액 압송용 펌프의 고장이나 순환 경로에 설치된 필터의 막힘을 감소시킬 수 있는 동시에, 기판으로의 박막의 재부착을 방지하는 것이 가능한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.

샤워 노즐(11, 12)로부터 기판(W)에 공급되어 처리막을 용해하여 박막을 포함한 처리액을 회수한 후, 이 처리액을 원심분리기(41)로 이송한다. 원심분리기(41)에 있어서는, 박막을 분리하여 처리액 외로 배출한다. 박막이 분리된 처리액은, 다시, 샤워 노즐(11, 12)로부터 기판에 공급된다.

Figure R1020070140175

Provided are a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of reducing a failure of a pump for processing liquid pumping and clogging of a filter provided in a circulation path and preventing re-adhesion of a thin film to a substrate.

After supplying to the board | substrate W from the shower nozzles 11 and 12, the process film is melt | dissolved, the process liquid containing a thin film is collect | recovered, and this process liquid is transferred to the centrifuge 41. FIG. In the centrifuge (41), the thin film is separated and discharged out of the treatment liquid. The processing liquid from which the thin film is separated is again supplied from the shower nozzles 11 and 12 to the substrate.

Figure R1020070140175

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATES}Substrate processing apparatus and substrate processing method {METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATES}

본 발명은, 기판상에 패턴 형상으로 형성된 용해막을 처리액에 의해 용해시킴으로써, 용해막 위에 형성된 박막을 기판상으로부터 제거하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for removing a thin film formed on a dissolved film from a substrate by dissolving a dissolved film formed in a pattern shape on a substrate with a processing liquid.

FPD나 칼라 필터 등의 제조 공정에 있어서, 금속의 에칭을 행하는 대신에, 리프트 오프법에 의해 금속의 박막 패턴을 형성하는 것이 행해지고 있다. 여기에서, 리프트 오프법이란, 포토레지스트(photoresist) 등의 용해막에 의해 기판의 표면에 목적으로 하는 패턴과 반대의 패턴을 형성하고, 이 기판에 대해 금속의 박막을 증착한 후, 용해막을 처리액에 의해 용해시키는 것으로, 용해막상의 금속 박막을 기판상으로부터 제거하여 원하는 패턴을 형성하는 방법이다.In manufacturing processes, such as an FPD and a color filter, instead of etching metal, forming a metal thin film pattern by the lift-off method is performed. Here, the lift-off method forms a pattern opposite to the target pattern on the surface of the substrate by using a dissolved film such as a photoresist, and deposits a thin film of metal on the substrate, then processes the dissolved film. It melt | dissolves with a liquid and is a method of removing a metal thin film of a soluble film from a board | substrate, and forming a desired pattern.

예를 들면, 미국 특허 출원 공개 제 2004／0197966호 명세서에는, 화소 전극의 패턴을 포토레지스트 패턴으로 형성하고, 진공 증착법에 의해 전극 재료를 퇴적한 후, 포토레지스트 패턴을 유기용제로 용해함으로써, 퇴적막을 리프트 오프하고, 소자 전극을 형성하는 공정이 개시되어 있다.For example, in US Patent Application Publication No. 2004/0197966, the pattern of the pixel electrode is formed into a photoresist pattern, the electrode material is deposited by vacuum deposition, and then the photoresist pattern is dissolved in an organic solvent for deposition. A process of lifting off a film and forming an element electrode is disclosed.

이와 같은 리프트 오프법에 의해 패턴을 형성했을 경우에는, 처리액 중에 리프트 오프된 금속의 박막이 가루가 된 상태로 대량으로 혼입한다. 이 금속의 박막은, 에칭시와 같이 처리액에 의해 용해되는 것은 없다. 이 때문에, 이 금속의 박막의 혼입에 기인하여, 처리액 압송용의 펌프의 고장이나, 순환 경로에 설치된 필터의 막힘 등이 발생한다. 또, 가루가 된 금속의 박막이 기판에 재부착함으로써, 제품의 양품률을 저하시키게 된다.When the pattern is formed by such a lift-off method, a large amount of the thin film of the lifted-off metal is mixed in a powdered state in the processing liquid. The thin film of this metal is not dissolved by the processing liquid as in the case of etching. For this reason, due to mixing of the thin film of this metal, the failure of the pump for process liquid pumping, the blockage of the filter provided in the circulation path | route, etc. generate | occur | produce. Moreover, when the thin film of the powdered metal reattaches to a board | substrate, the yield of a product will fall.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여 행해진 것으로서, 처리액 압송용의 펌프의 고장이나 순환 경로에 설치된 필터의 막힘을 감소시킬 수 있는 동시에, 기판으로의 박막의 재부착을 방지하는 것이 가능한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is possible to reduce the failure of the pump for processing liquid feeding and the blockage of the filter installed in the circulation path and to prevent reattachment of the thin film to the substrate. And a substrate processing method.

청구항 1에 기재된 발명은, 기판상에 패턴 형상으로 형성된 용해막을 처리액에 의해 용해시킴으로써, 용해막 위에 형성된 박막을 기판상으로부터 제거하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판에 상기 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 수단과 상기 처리액 공급 수단에 의해 기판에 공급되어 상기 처리막을 용해하여 상기 박막을 포함한 처리액을 회수하는 처리액 회수 수단과, 상기 처리액 회수 수단에 의해 회수된 처리액으로부터, 상기 박막을 분리하여 처리액 외에 배출하는 분리 수단을 구비하고 상기 분리 수단에 의해 박막을 분리하여 배출한 후의 처리액을, 다시, 기 판에 공급하는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 1 is a substrate processing apparatus for removing a thin film formed on a dissolved film from a substrate by dissolving a dissolved film formed in a pattern shape on a substrate with a processing liquid, wherein the processing for supplying the processing liquid to a substrate is performed. The thin film from the processing liquid recovery means supplied to the substrate by the liquid supply means and the processing liquid supply means to dissolve the processing film to recover the processing liquid including the thin film, and the processing liquid recovered by the processing liquid recovery means. Separating means for separating and discharging in addition to the treatment liquid, characterized in that the treatment liquid after separating and discharging the thin film by the separating means, the supply to the substrate again.

청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 발명에 있어서, 상기 처리액 공급 수단이 설치된 복수의 처리부와, 상기 복수의 처리부에 기판을 순차적으로 반송하기 위한 기판 반송 기구를 더 구비한 상기 처리액 회수 수단과, 상기 분리 수단은, 적어도, 상기 기판 반송 기구에 의한 기판의 반송로의 상류 측에 위치하는 처리부에 설치되어 있다.In the invention according to claim 2, in the invention according to claim 1, the processing liquid collection further includes a plurality of processing units provided with the processing liquid supplying means and a substrate transport mechanism for sequentially transporting the substrates to the processing units. The means and the separating means are provided at least in a processing unit located on an upstream side of the transfer path of the substrate by the substrate transfer mechanism.

청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 2에 기재된 발명에 있어서, 상기 복수의 처리부에서의 상기 기판 반송 기구에 의한 기판의 반송로의 하류 측에 위치하는 처리부로부터, 상기 기판 반송 기구에 의한 기판의 반송로의 상류 측에 위치하는 처리부로 향해 처리액을 이송하는 이송 기구를 구비한다.The invention of Claim 3 is a conveyance path of the board | substrate by the said board | substrate conveyance mechanism from the process part located downstream of the conveyance path of the board | substrate by the said board | substrate conveyance mechanism in the invention of Claim 2 in the said some process part. And a transfer mechanism for transferring the processing liquid toward the processing unit located upstream of the control unit.

청구항 4에 기재된 발명은, 청구항 2 또는 청구항 3에 기재된 발명에 있어서, 상기 처리부로부터 반출되는 기판의 표면으로부터, 거기에 잔존하는 처리액을 제거하는 건조 수단을 더 구비한다.Invention of Claim 4 is further provided with the drying means which removes the process liquid which remains in the surface of the board | substrate carried out from the said process part in invention of Claim 2 or Claim 3.

청구항 5에 기재된 발명은, 청구항 4에 기재된 발명에 있어서, 상기 처리액 제거 수단은, 기판의 표면에 기체를 분무하는 에어나이프이다.Invention of Claim 5 is invention of Claim 4 WHEREIN: The said process liquid removal means is an air knife which sprays gas to the surface of a board | substrate.

청구항 6에 기재된 발명은, 청구항 2에 기재된 발명에 있어서, 상기 복수의 처리부 중, 상기 기판 반송 기구에 의한 기판의 반송로의 가장 하류 측에 위치하는 처리부에는, 처리액을 여과하는 필터 수단이 설치된다.In invention of Claim 6, in invention of Claim 2, the filter means which filters a process liquid is provided in the process part located in the most downstream side of the conveyance path of the board | substrate by the said board | substrate conveyance mechanism among the said some process parts. do.

청구항 7에 기재된 발명은, 기판상에 패턴 형상으로 형성된 용해막을 처리액에 의해 용해시킴으로써, 용해막 위에 형성된 박막을 기판상으로부터 제거하는 기 판 처리 방법에 있어서, 기판에 상기 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 공정과, 상기 처리액 공급 공정에 있어서 기판에 공급되어 상기 처리막을 용해하여 상기 박막을 포함한 처리액을 회수하는 처리액 회수 공정과, 상기 처리액 회수 공정에 있어서 회수된 처리액으로부터, 상기 박막을 분리하여 처리액 외에 배출하는 분리 공정과 상기 분리 공정에 있어서 박막을 분리하여 배출한 후의 처리액을, 다시, 기판에 공급하는 처리액 재공급 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 7 is a substrate processing method for removing a thin film formed on a dissolved film from a substrate by dissolving a dissolved film formed in a pattern shape on a substrate with a processing liquid. From the processing liquid supply process, the processing liquid collection process which is supplied to the board | substrate in the said processing liquid supply process, melt | dissolves the said processing film, and collect | recovers the processing liquid containing the said thin film, and the processing liquid collect | recovered in the said processing liquid collection process, And a process liquid resupply process for supplying the process liquid after separating and discharging the thin film in the process of separating and discharging the thin film to be discharged out of the process liquid, to the substrate.

청구항 1 및 청구항 7에 기재된 발명에 의하면, 처리액 압송용 펌프의 고장이나 순환 경로에 설치된 필터의 막힘을 감소시킬 수 있는 동시에, 기판으로의 박막의 재부착을 방지하는 것이 가능해진다.According to the invention of Claims 1 and 7, it is possible to reduce the failure of the processing liquid pump and the blockage of the filter provided in the circulation path, and to prevent the reattachment of the thin film to the substrate.

청구항 2에 기재된 발명에 의하면, 복수의 처리부를 이용하여, 기판을 순차적으로, 청정하게 처리하는 것이 가능해진다.According to invention of Claim 2, it becomes possible to process a board | substrate cleanly sequentially using a some process part.

청구항 3에 기재된 발명에 의하면, 처리액을 유효하게 사용하는 것이 가능해진다.According to invention of Claim 3, it becomes possible to use a process liquid effectively.

청구항 4에 기재된 발명에 의하면, 기판의 반송로의 하류 측의 처리부에, 처리액과 함께 박막이 반입되는 것을 방지할 수 있다.According to invention of Claim 4, it can prevent that a thin film is carried in with the process liquid in the process part of the downstream side of the conveyance path of a board | substrate.

청구항 5에 기재된 발명에 의하면, 기체에 의해, 처리액뿐만 아니라 기판의 표면에 부착된 박막도 제거하는 것이 가능해진다.According to invention of Claim 5, it becomes possible to remove not only a process liquid but also the thin film adhering to the surface of a board | substrate with gas.

청구항 6에 기재된 발명에 의하면, 필터 수단의 막힘을 방지하면서 처리액을 여과하는 것이 가능해진다.According to invention of Claim 6, it becomes possible to filter a process liquid, preventing clogging of a filter means.

이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 근거하여 설명한다. 도 1은, 본 발명과 관련되는 기판 처리 장치의 개요도이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described based on drawing. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention.

이 기판 처리 장치는, 다수의 반송 롤러(10)에 의해 반송되는 기판(W)의 양면에 처리액을 공급하여, 기판(W)상에 패턴 형상으로 형성된 포토레지스트로 이루어진 용해막을 처리액에 의해 용해시킴으로써, 용해막 위에 형성된 박막을 기판(W)상으로부터 제거하기 위한 것이며, 반송 롤러(10)에 의한 기판(W)의 반송로의 상류 측으로부터 하류 측을 향해 순차적으로 설치된 제1 처리부(1), 제2 처리부(2), 제3 처리부(3)와 원심분리기(41)를 구비한다.This substrate processing apparatus supplies a process liquid to both surfaces of the board | substrate W conveyed by many conveyance rollers 10, and uses the process liquid to melt | dissolve the film which consists of photoresists formed in the pattern shape on the board | substrate W. The 1st processing part 1 which removes the thin film formed on the melt | dissolution film from the board | substrate W by dissolving, and is provided in order from the upstream side of the conveyance path of the board | substrate W by the conveyance roller 10 to the downstream side sequentially. ), A second processing unit 2, a third processing unit 3, and a centrifuge 41.

제1 처리부(1)는, 용해막을 용해하기 위한 처리액을 저장하는 저장조(15)와, 반송 롤러(10)에 의해 반송되는 기판(W)의 표면에 처리액을 분출하기 위한 샤워 노즐(11)과, 반송 롤러(10)에 의해 반송되는 기판(W)의 이면에 처리액을 분출하기 위한 샤워 노즐(12)과, 저장조(15) 내의 처리액을 관로(17)를 통해 샤워 노즐(11, 12)에 이송하기 위한 펌프(16)와 기판(W)의 양면에 고압의 기체를 분무하기 위한 상하 한 쌍의 에어나이프(13, 14)를 구비한다. The 1st processing part 1 is the storage tank 15 which stores the processing liquid for melt | dissolving a melt film, and the shower nozzle 11 for spraying a processing liquid on the surface of the board | substrate W conveyed by the conveyance roller 10. As shown in FIG. ), The shower nozzle 12 for ejecting the processing liquid onto the back surface of the substrate W conveyed by the conveying roller 10, and the processing liquid in the storage tank 15 through the pipe line 17. 12 and a pair of upper and lower air knives 13 and 14 for spraying high-pressure gas on both surfaces of the pump 16 and the substrate W.

또, 제2 처리부(2)는, 용해막을 용해하기 위한 처리액을 저장하는 저장조(25)와, 반송 롤러(10)에 의해 반송되는 기판(W)의 표면에 처리액을 분출하기 위한 샤워 노즐(21)과, 반송 롤러(10)에 의해 반송되는 기판(W)의 이면에 처리액을 분출하기 위한 샤워 노즐(22)과, 저장조(25) 내의 처리액을 관로(27)를 통해 샤워 노즐(21, 22)에 이송하기 위한 펌프(26)와, 기판(W)의 양면에 고압의 기체를 분무 하기 위한 상하 한 쌍의 에어나이프(23, 24)를 구비한다.Moreover, the 2nd process part 2 is a shower nozzle for spraying the process liquid to the surface of the storage tank 25 which stores the process liquid for melt | dissolving a melt film, and the board | substrate W conveyed by the conveyance roller 10. (21), the shower nozzle 22 for ejecting a process liquid to the back surface of the board | substrate W conveyed by the conveyance roller 10, and the process liquid in the storage tank 25 through the shower passage 27 A pump 26 for conveying to 21 and 22, and a pair of upper and lower air knives 23 and 24 for spraying a high pressure gas on both surfaces of the board | substrate W are provided.

또한, 제3 처리부(3)는, 용해막을 용해하기 위한 처리액을 저장하는 저장조(35)와, 반송 롤러(10)에 의해 반송되는 기판(W)의 표면에 처리액을 분출하기 위한 샤워 노즐(31)과 반송 롤러(10)에 의해 반송되는 기판(W)의 이면에 처리액을 분출하기 위한 샤워 노즐(32)과, 저장조(35) 내의 처리액을 관로(37)를 통해 샤워 노즐(31, 32)에 이송하기 위한 펌프(36)와, 관로(37)에 설치된 필터 수단(39)과, 기판(W)의 양면에 고압의 기체를 분무하기 위한 상하 한 쌍의 에어나이프(33, 34)를 구비한다.Moreover, the 3rd process part 3 is the shower tank for storing the process liquid for melt | dissolving a melt film, and the shower nozzle for spraying a process liquid on the surface of the board | substrate W conveyed by the conveyance roller 10. FIG. The shower nozzle 32 for ejecting the processing liquid onto the back surface of the substrate W conveyed by the transfer roller 10 and the processing liquid in the storage tank 35 through the conduit 37. Pump 36 for transferring to 31 and 32, the filter means 39 provided in the conduit 37, and a pair of upper and lower air knives 33 for spraying high pressure gas on both sides of the substrate W, 34).

제3 처리부(3)의 저장조(35)는, 새로운 처리액의 공급원과, 관로(61) 및 개폐 밸브(55)를 통해 연결되어 있다. 또, 제3 처리부(3)의 저장조(35)와, 제2 처리부(2)의 저장조(25)는, 관로(62) 및 펌프(49)를 통해 연결되어 있다. 펌프(49)의 작용에 의해, 제3 처리부(3)의 저장조(35) 내의 처리액을 제2 처리부(2)의 저장조(25)에 이송하는 것이 가능해진다. 마찬가지로, 제2 처리부(2)의 저장조(25)와 제1 처리부(1)의 저장조(15)는, 관로(63) 및 펌프(47)를 통해 연결되어 있다. 펌프(47)의 작용에 의해, 제2 처리부(2)의 저장조(25) 내의 처리액을 제1 처리부(1)의 저장조(15)에 이송하는 것이 가능해진다. 제1 처리부(1)의 저장조(15)는, 관로(40) 및 개폐 밸브(45)를 통해, 폐수 배출부(44)와 연결되어 있다.The storage tank 35 of the 3rd processing part 3 is connected through the supply source of a new process liquid, the pipeline 61, and the opening / closing valve 55. As shown in FIG. Moreover, the storage tank 35 of the 3rd processing part 3 and the storage tank 25 of the 2nd processing part 2 are connected through the conduit 62 and the pump 49. By the action of the pump 49, it becomes possible to transfer the processing liquid in the storage tank 35 of the third processing unit 3 to the storage tank 25 of the second processing unit 2. Similarly, the storage tank 25 of the 2nd processing part 2 and the storage tank 15 of the 1st processing part 1 are connected through the conduit 63 and the pump 47. By the action of the pump 47, the processing liquid in the storage tank 25 of the second processing unit 2 can be transferred to the storage tank 15 of the first processing unit 1. The reservoir 15 of the 1st processing part 1 is connected with the wastewater discharge part 44 through the pipeline 40 and the opening / closing valve 45. As shown in FIG.

원심분리기(41)는, 원심력을 이용하여 처리액으로부터 박막을 분리하여, 처리액의 외부에 배출하기 위한 분리 수단으로서 기능을 한다. 필터 등의 여과 수단은, 처리액의 통과를 허가하여 박막의 통과를 금지함으로써 처리액으로부터 박막을 제거하는 것이지만, 처리액으로부터 박막을 분리하여 처리액의 외부에 배출하는 기능은 없다. 이에 대해, 이 원심분리기(41)는, 박막을 처리액의 순환 라인의 외부에 배출하는 기능을 가진다. 또한, 박막을 처리액의 순환 라인의 외부에 배출하는 기능을 가지는 분리 수단이라면, 원심분리기(41) 이외의 분리 수단을 사용해도 된다.The centrifugal separator 41 functions as a separation means for separating the thin film from the processing liquid using a centrifugal force and discharging it to the outside of the processing liquid. Filtration means such as a filter removes the thin film from the processing liquid by allowing passage of the processing liquid and prohibiting passage of the thin film, but has no function of separating the thin film from the processing liquid and discharging it to the outside of the processing liquid. In contrast, the centrifugal separator 41 has a function of discharging the thin film to the outside of the circulation line of the processing liquid. In addition, any separation means other than the centrifuge 41 may be used as long as the separation means has a function of discharging the thin film to the outside of the circulation line of the processing liquid.

이 원심분리기(41)는, 관로(64), 관로(64) 내에 설치된 펌프(46)와, 개폐 밸브(51), 및, 관로(66)를 통해, 제1 처리부(1)의 저장조(15)와 접속되어 있다. 또, 이 원심분리기(41)는, 관로(65), 관로(65) 내에 설치된 펌프(48)와, 개폐 밸브(52), 및, 관로(66)를 통해, 제2 처리부(2)의 저장조(25)와 접속되어 있다.The centrifugal separator 41 is a storage tank 15 of the first processing unit 1 through a pipeline 64, a pump 46 installed in the pipeline 64, an open / close valve 51, and a pipeline 66. ) Is connected. In addition, the centrifugal separator 41 is a storage tank of the second processing unit 2 through the pipeline 65, the pump 48 provided in the pipeline 65, the opening / closing valve 52, and the pipeline 66. It is connected with (25).

또, 원심분리기(41)로부터 배출되는 처리액은 저장조(42)에 저장되고 박막은 박막 회수 드럼(43)에 배출된다. 저장조(42)에는, 펌프(50) 및 관로(60)가 접속되고 있다. 이 관로(60)는, 개폐 밸브(54)를 구비한 관로(68)에 의해 제1 처리부(1)의 저장조(15)에 접속되는 동시에, 개폐 밸브(53)를 구비한 관로(67)에 의해 제2 처리부(1)의 저장조(25)에 접속되어 있다.In addition, the processing liquid discharged from the centrifuge 41 is stored in the storage tank 42 and the thin film is discharged to the thin film recovery drum 43. The pump 50 and the conduit 60 are connected to the reservoir 42. This pipe line 60 is connected to the storage tank 15 of the 1st processing part 1 by the pipe line 68 provided with the opening-closing valve 54, and to the pipe line 67 provided with the opening-closing valve 53. It is connected to the storage tank 25 of the 2nd processing part 1 by this.

도 2는, 상술한 필터 수단(39)의 개요도이다.2 is a schematic view of the filter means 39 described above.

이 필터 수단은, 필터(81)와, 그 전후에 설치된 한 쌍의 개폐 밸브(82, 83)로 구성된 제1 여과계와 필터(84)와, 그 전후에 설치된 한 쌍의 개폐 밸브(85, 86)로 구성된 제2 여과계를 구비한다. 통상은, 제1 여과계 또는 제2 여과계 중, 어느 한편을 이용하여 처리액의 여과를 실행한다. 그리고, 처리액의 여과를 계속함으로써 필터(81) 또는 필터(84) 중 어느 한편이 오염되었을 경우에는, 다른 한편의 여과계의 필터를 사용하여 여과를 실행하고, 이것과 병행하여 오염된 필터의 세정 또 는 교환 작업을 행하는 구성이 되어 있다.The filter means includes a filter 81, a first filtration system composed of a pair of open / close valves 82 and 83, and a pair of open / close valves 85, A second filtration system composed of 86). Usually, filtering of a process liquid is performed using either a 1st filtration system or a 2nd filtration system. When either the filter 81 or the filter 84 is contaminated by continuing the filtration of the processing liquid, the filter is performed using the filter of the other filtration system, and in parallel with this, The cleaning or replacement operation is performed.

다음으로, 상술한 구성을 가지는 기판 처리 장치에 의한 기판 처리 동작에 대해 설명한다.Next, the substrate processing operation by the substrate processing apparatus having the above-described configuration will be described.

다수의 반송 롤러(10)에 의해 반송된 기판(W)은, 맨 처음에, 제1 처리부(1)에 반송된다. 제1 처리부(1)에 있어서는, 저장조(15)에 저장된 처리액이, 펌프(16)의 작용에 의해 관로(17)를 통해 샤워 노즐(11, 12)에 이송되어 기판(W)의 양면에 분출된다. 샤워 노즐(11, 12)로부터 기판(W)에 공급되어 처리막을 용해한 박막을 포함하는 처리액은, 관로(18)을 통해, 다시, 저장조(15)에 회수된다. 기판(W)의 양면에 부착된 박막을 포함하는 처리액은, 한 쌍의 에어나이프(13, 14)로부터 분무되는 고압의 공기에 의해, 기판(W)상으로부터 제거된다. 이 때에는, 기판(W)의 표면에 부착된 박막도, 한 쌍의 에어나이프(13, 14)로부터 분무되는 고압의 공기에 의해, 기판(W)상으로부터 제거된다.The board | substrate W conveyed by the many conveyance roller 10 is conveyed to the 1st process part 1 at the beginning. In the first processing unit 1, the processing liquid stored in the storage tank 15 is transferred to the shower nozzles 11 and 12 through the conduit 17 by the action of the pump 16 to be provided on both sides of the substrate W. Squirt. The processing liquid including the thin film supplied from the shower nozzles 11 and 12 to the substrate W and dissolved in the processing film is recovered through the conduit 18 to the storage tank 15 again. The processing liquid including the thin films attached to both surfaces of the substrate W is removed from the substrate W by the high pressure air sprayed from the pair of air knifes 13 and 14. At this time, the thin film attached to the surface of the substrate W is also removed from the substrate W by the high pressure air sprayed from the pair of air knifes 13 and 14.

제1 처리부(1)에 있어서 처리된 기판(W)은, 다음에, 제2 처리부(2)에 반송된다. 제2 처리부(2)에 있어서는, 저장조(25)에 저장된 처리액이, 펌프(26)의 작용에 의해 관로(27)를 통해 샤워 노즐(21, 22)에 이송되어 기판(W)의 양면에 분출된다. 샤워 노즐(21, 22)로부터 기판(W)에 공급되어 처리막을 용해한 박막을 포함하는 처리액은, 관로(28)를 통해, 다시, 저장조(25)에 회수된다. 기판(W)의 양면에 부착한 박막을 포함하는 처리액은, 한 쌍의 에어나이프(23, 24)로부터 분무되는 고압의 공기에 의해, 기판(W)상으로부터 제거된다. 이 때에는, 기판(W)의 표면에 부착된 박막도, 한 쌍의 에어나이프(23, 214)로부터 분무되는 고압의 공기에 의해, 기판(W) 상으로부터 제거된다.The substrate W processed in the first processing unit 1 is then conveyed to the second processing unit 2. In the second processing unit 2, the processing liquid stored in the storage tank 25 is transferred to the shower nozzles 21 and 22 through the conduit 27 by the action of the pump 26 to be provided on both sides of the substrate W. Squirt. The processing liquid including the thin film supplied from the shower nozzles 21 and 22 to the substrate W and dissolved in the processing film is recovered through the conduit 28 to the storage tank 25 again. The processing liquid including the thin films attached to both surfaces of the substrate W is removed from the substrate W by the high pressure air sprayed from the pair of air knives 23 and 24. At this time, the thin film attached to the surface of the substrate W is also removed from the substrate W by the high-pressure air sprayed from the pair of air knives 23 and 214.

또한, 기판(W)은 제1 처리부에 의한 처리에 의해, 불필요한 박막의 제거가 완료된다. 이 때문에, 제1 처리부(1)로부터 제2 처리부(2)에 반송되는 기판(W)에는, 불필요한 박막은 거의 잔존하지 않는다. 이와 같은 기판(W)을 제2 처리부(2)로 다시 처리함으로써, 제2 처리부(2)를 통과한 후의 기판(W)에는, 불필요한 박막은 실질적으로 존재하지 않게 된다.In addition, the substrate W is completely removed by the processing by the first processing unit. For this reason, the unnecessary thin film hardly remains in the board | substrate W conveyed from the 1st process part 1 to the 2nd process part 2. By treating the substrate W again with the second processing unit 2, the unnecessary thin film is substantially not present in the substrate W after passing through the second processing unit 2.

제2 처리부(2)에 있어서, 처리된 기판(W)은, 다음에, 제3 처리부(3)에 반송된다. 제3 처리부(3)에 있어서는, 저장조(35)에 저장된 처리액이, 펌프(36)의 작용에 의해 관로(37)를 통해 샤워 노즐(31, 32)에 이송되어 기판(W)의 양면에 분출된다. 샤워 노즐(31, 32)로부터 기판(W)에 공급된 처리액은, 관로(38)를 통해, 다시, 저장조(35)에 회수된다. 기판(W)의 양면에 부착된 박막을 포함하는 처리액은, 한 쌍의 에어나이프(33, 34)로부터 분무되는 고압의 공기에 의해, 기판(W)상으로부터 제거된다.In the second processing unit 2, the processed substrate W is then transferred to the third processing unit 3. In the third processing unit 3, the processing liquid stored in the storage tank 35 is transferred to the shower nozzles 31 and 32 through the conduit 37 by the action of the pump 36 to be provided on both sides of the substrate W. Squirt. The processing liquid supplied from the shower nozzles 31 and 32 to the substrate W is again recovered to the storage tank 35 via the pipe line 38. The processing liquid including the thin films attached to both surfaces of the substrate W is removed from the substrate W by the high pressure air sprayed from the pair of air knives 33 and 34.

또한, 이 제3 처리부(3)에 있어서는, 샤워 노즐(31, 32)로부터 기판(W)에 공급되기 전의 처리액은, 필터 수단(39)에 의해 여과되어 청정한 것이 된다. 이 때, 상술한 바와 같이, 제1, 제2 처리부(1, 2)의 작용에 의해, 박막은 기판(W) 및 거기에 부착하는 처리액으로부터 거의 완전하게 제거된다. 이 때문에, 이 제3 처리부(3)에 있어서 필터 수단(39)에서의 필터(81, 84)를 이용하여 처리액의 여과를 행했다고 하더라도, 필터(81, 84)에 막힘이 발생하는 것은 없다.Moreover, in this 3rd process part 3, the process liquid before supplying from the shower nozzles 31 and 32 to the board | substrate W is filtered by the filter means 39, and becomes clean. At this time, as described above, the thin film is almost completely removed from the substrate W and the processing liquid attached thereto by the action of the first and second processing units 1 and 2. For this reason, even if the process liquid is filtered using the filters 81 and 84 in the filter means 39 in this third processing unit 3, clogging does not occur in the filters 81 and 84. .

또, 처리액의 여과를 계속함으로써 필터(81) 또는 필터(84) 중 어느 한편이 오염되었을 경우에는, 다른 한편의 여과계의 필터를 사용하여 여과를 실행하고, 이와 병행하여 오염된 필터의 교환 작업을 행하도록 하면 된다.In addition, when either the filter 81 or the filter 84 is contaminated by continuing the filtration of the processing liquid, the filtration is performed using the filter of the other filtration system, and the exchange of the contaminated filter is performed in parallel with this. You can do it.

일정량의 기판(W)을 처리함으로써, 저장조(15, 25) 내의 처리액 중에 소정량 이상의 박막이 혼입된 상태가 되었을 때에는, 원심분리기(41)를 사용해, 처리액으로부터 박막을 분리하여 처리액 외에 배출하는 분리 동작을 실행한다.When a predetermined amount or more of the thin film is mixed in the processing liquids in the storage tanks 15 and 25 by treating the substrate W in a predetermined amount, the thin film is separated from the processing liquid using the centrifuge 41 to separate the processing liquid. The discharge operation is performed.

이 때, 저장조(15)에 저장된 처리액으로부터 박막을 분리할 경우에는, 개폐 밸브(51) 및 개폐 밸브(54)를 개방하는 동시에, 개폐 밸브(52) 및 개폐 밸브(53)를 폐쇄한다. 그리고, 펌프(46) 및 펌프(50)의 작용에 의해 처리액을 저장조(15), 원심분리기(41) 및 저장조(42) 사이에서 순환시킨다. 그리고, 원심분리기(41)에 의해 처리액으로부터 박막을 분리하여 처리액 외에 배출한다. 박막이 분리된 처리액은, 원심분리기(41)로부터 저장조(42)에 배출된다. 또, 처리액으로부터 분리된 박막은, 박막 회수 드럼(43)에 회수된다.At this time, when the thin film is separated from the processing liquid stored in the storage tank 15, the opening / closing valve 51 and the opening / closing valve 54 are opened, and the opening / closing valve 52 and the opening / closing valve 53 are closed. The treatment liquid is circulated between the reservoir 15, the centrifuge 41, and the reservoir 42 by the action of the pump 46 and the pump 50. Then, the thin film is separated from the treatment liquid by the centrifuge 41 and discharged outside the treatment liquid. The processing liquid from which the thin film is separated is discharged from the centrifugal separator 41 to the storage tank 42. In addition, the thin film separated from the processing liquid is recovered to the thin film recovery drum 43.

또, 저장조(25)에 저장된 처리액으로부터 박막을 분리할 경우에는, 개폐 밸브(52) 및 개폐 밸브(53)를 개방하는 동시에, 개폐 밸브(51) 및 개폐 밸브(54)를 폐쇄한다. 그리고, 펌프(48) 및 펌프(50)의 작용에 의해 처리액을 저장조(25), 원심분리기(41) 및 저장조(42) 사이에서 순환시킨다. 그리고, 원심분리기(41)에 의해 처리액으로부터 박막을 분리하여 처리액 외에 배출한다. 박막이 분리된 처리액은, 원심분리기(41)로부터 저장조(42)에 배출된다. 또, 처리액으로부터 분리된 박막은, 박막 회수 드럼(43)에 회수된다.In addition, when separating a thin film from the process liquid stored in the storage tank 25, the open / close valve 52 and the open / close valve 53 are opened, and the open / close valve 51 and the open / close valve 54 are closed. The treatment liquid is circulated between the reservoir 25, the centrifuge 41, and the reservoir 42 by the action of the pump 48 and the pump 50. Then, the thin film is separated from the treatment liquid by the centrifuge 41 and discharged outside the treatment liquid. The processing liquid from which the thin film is separated is discharged from the centrifugal separator 41 to the storage tank 42. In addition, the thin film separated from the processing liquid is recovered to the thin film recovery drum 43.

또한, 3개의 저장조(15, 25, 35)에 저장된 처리액은, 통상, 반송 롤러(10)에 의한 기판(W)의 반송로의 상류 측에 위치하는 처리부의 것만큼 박막 등에 의한 오염도가 높다고 여겨진다. 이 때문에, 일정량의 기판을 처리할 때마다, 혹은, 일정 기간마다, 펌프(49)의 작용에 의해 관로(62)를 이용하여 저장조(35) 내의 처리액을 저장조(25)에 이송하는 동시에, 펌프(47)의 작용에 의해 관로(63)를 이용하여 저장조(25) 내의 처리액을 저장조(15)에 이송하는 구성이 채용된다. 그리고, 이 때에는, 미리 개폐 밸브(45)를 개방함으로써, 저장조(15) 내의 처리액을, 폐수 배출부(44)에 배출한다.In addition, the processing liquids stored in the three storage tanks 15, 25, and 35 are generally as high as the contamination degree by the thin film or the like as those of the processing units located on the upstream side of the transport path of the substrate W by the transport roller 10. Is considered. For this reason, each time a certain amount of substrates are processed or every fixed period of time, the processing liquid in the storage tank 35 is transferred to the storage tank 25 using the pipe line 62 by the action of the pump 49, The structure which transfers the process liquid in the storage tank 25 to the storage tank 15 using the pipe line 63 by the action of the pump 47 is employ | adopted. At this time, by opening and closing the valve 45 in advance, the processing liquid in the storage tank 15 is discharged to the wastewater discharge portion 44.

또한, 상술한 실시 형태에 있어서, 저장조(15, 25, 35, 42), 원심분리기(41) 및 이것들 사이에서 처리액을 순환하는 순환계를 각각 2개 설치하여 그것들 중에서 한편으로 기판(W)을 처리하고, 다른 한편을 박막의 제거 작업에 사용하도록 해도 된다.In the above-described embodiment, the reservoirs 15, 25, 35, 42, the centrifugal separator 41, and two circulation systems circulating the processing liquid therebetween are respectively provided, and among them, the substrate W is placed on the other hand. The treatment may be performed and the other may be used for removing the thin film.

다음으로, 제1 처리부(1)의 다른 실시 형태에 대해 설명한다. 도 3은, 다른 실시 형태와 관련되는 제1 처리부(1)의 개요도이다.Next, another embodiment of the first processing unit 1 will be described. 3 is a schematic diagram of the first processing unit 1 according to another embodiment.

도 1에 도시한 실시 형태에 있어서는, 원심분리기(41)를 통과하여 박막이 분리·배출된 처리액을 저장조(15)로 이송한다. 이에 대해, 도 3에 도시한 실시 형태에 있어서는, 원심분리기(41)를 통과하여 박막이 분리·배출된 처리액을 샤워 노즐(11, 12)에 이송함으로써, 이것을 기판(W)에 직접 분출하는 구성이 된다. 그 외의 구성에 있어서는, 도 1에 도시한 실시 형태와 동일하다.In the embodiment shown in FIG. 1, the processing liquid in which the thin film is separated and discharged through the centrifuge 41 is transferred to the storage tank 15. On the other hand, in the embodiment shown in FIG. 3, the process liquid in which the thin film was separated and discharged through the centrifugal separator 41 was transferred to the shower nozzles 11 and 12, thereby directly ejecting it to the substrate W. FIG. It becomes a composition. In other structures, it is the same as that of embodiment shown in FIG.

다음에, 제1 처리부(1)의 또한 다른 실시 형태에 대해 설명한다. 도 4는, 또한 다른 실시 형태와 관련되는 제1 처리부(1)의 개요도이다.Next, another embodiment of the first processing unit 1 will be described. 4 is a schematic diagram of the first processing unit 1 according to another embodiment.

도 1 및 도 3에 도시한 실시 형태에 있어서는, 용해막을 용해한 박막을 포함하는 처리액을 저장조(15)에 회수한다. 이에 대해, 도 4에 도시한 실시 형태에 있어서는, 처리막을 용해한 박막을 포함하는 처리액을 직접 원심분리기(41)에 이송하는 구성을 채용하고 있다. 또, 이 실시 형태에 있어서도, 원심분리기(41)를 통과하여 박막이 분리·배출된 처리액을 샤워 노즐(11, 12)에 이송함으로써, 이것을 기판(W)에 직접 분출하는 구성이 되고 있다. 그 외의 구성에 있어서는, 도 1 및 도 3에 도시한 실시 형태와 동일하다.In the embodiment shown in FIG. 1 and FIG. 3, the processing liquid containing the thin film in which the dissolved film is dissolved is collected in the storage tank 15. On the other hand, in the embodiment shown in FIG. 4, the structure which transfers the process liquid containing the thin film which melt | dissolved the process film directly to the centrifuge 41 is employ | adopted. Moreover, also in this embodiment, the process liquid which passed through the centrifugal separator 41 and isolate | separated and discharged the thin film is conveyed to the shower nozzles 11 and 12, and it is set as the structure which sprays this directly to the board | substrate W. As shown in FIG. In other structure, it is the same as that of embodiment shown in FIG. 1 and FIG.

또한, 도 3 및 도 4에 있어서는, 제1 처리부(1)의 변형예를 도시하고 있지만, 제2 처리부에 대해서도, 도 3 및 도 4와 동일한 구성을 채용하는 것도 가능하다.In addition, although the modification of the 1st process part 1 is shown in FIG. 3 and FIG. 4, the structure similar to FIG. 3 and FIG. 4 can also be employ | adopted for a 2nd process part.

도 1은 본 발명과 관련된 기판 처리 장치의 개요도이다.1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2는 필터 수단(39)의 개요도이다.2 is a schematic view of the filter means 39.

도 3은 다른 실시 형태와 관련되는 제1 처리부(1)의 개요도이다.3 is a schematic diagram of the first processing unit 1 according to another embodiment.

도 4는 또한 다른 실시 형태와 관련되는 제1 처리부(1)의 개요도이다.4 is a schematic diagram of the first processing unit 1 according to another embodiment.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

1 : 제1 처리부 2 : 제2 처리부1: first processing unit 2: second processing unit

3 : 제3 처리부 10 : 반송 롤러3: 3rd processing part 10: conveyance roller

11 : 샤워 노즐 12 : 샤워 노즐11: shower nozzle 12: shower nozzle

13 : 에어나이프 14 : 에어나이프13: air knife 14: air knife

15 : 저장조 16 : 펌프15 reservoir 16 pump

21 : 샤워 노즐 22 : 샤워 노즐21: shower nozzle 22: shower nozzle

23 : 에어나이프 24 : 에어나이프23: air knife 24: air knife

25 : 저장조 26 : 펌프25 reservoir 26 pump

31 : 샤워 노즐 32 : 샤워 노즐31: shower nozzle 32: shower nozzle

33 : 에어나이프 34 : 에어나이프33: air knife 34: air knife

35 : 저장조 36 : 펌프35: reservoir 36: pump

39 : 필터 수단 41 : 원심분리기39 filter means 41 centrifuge

42 : 저장조 43 : 박막 회수 드럼42: reservoir 43: thin film recovery drum

44 : 폐수 배출부 W : 기판44: wastewater discharge part W: substrate

Claims (7)

기판상에 패턴 형상으로 형성된 용해막을 처리액에 의해 용해시킴으로써, 용해막 상에 형성된 금속 박막을 기판상으로부터 제거하는 기판 처리 장치에 있어서, In the substrate processing apparatus which removes the metal thin film formed on the melt film from the board | substrate by melt | dissolving the melt film formed in the pattern shape on the board | substrate with a process liquid, 기판에 상기 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 수단과,Processing liquid supply means for supplying the processing liquid to a substrate; 상기 처리액 공급 수단에 의해 기판에 공급되어 상기 용해막을 용해하여 상기 금속 박막을 포함한 처리액을 회수하는 처리액 회수 수단과,Processing liquid recovery means for supplying the substrate by the processing liquid supply means to dissolve the dissolved film to recover the processing liquid including the metal thin film; 상기 처리액 회수 수단에 의해 회수된 처리액으로부터, 상기 금속 박막을 분리하여 처리액 외로 배출하는 원심분리기와,A centrifugal separator for separating the metal thin film from the treatment liquid recovered by the treatment liquid recovery means and discharging it out of the treatment liquid; 상기 처리액 공급 수단이 설치된 제 1, 제 2, 및 제 3 처리부와,First, second, and third processing units provided with the processing liquid supply means, 상기 제 1, 제 2, 및 제 3 처리부에 기판을 순차적으로 반송하기 위한 기판 반송 기구를 구비하고,It is provided with the board | substrate conveyance mechanism for conveying a board | substrate sequentially in said 1st, 2nd, and 3rd process part, 상기 제 1 및 제 2 처리부에는, 상기 원심분리기에 의해 상기 금속 박막이 분리 제거된 처리액을 공급하며,Supplying the first and second processing unit, the processing liquid from which the metal thin film is separated and removed by the centrifugal separator, 상기 제 3 처리부에는 새로운 처리액을 공급하고, 상기 처리액을 여과하는 필터 수단이 설치되어 있으며,The third processing unit is provided with a filter means for supplying a new processing liquid and filtering the processing liquid, 상기 처리액 회수 수단과 상기 원심 분리기는, 적어도, 상기 기판 반송 기구에 의한 기판의 반송로의 상류측에 위치하는 상기 제 1 및 제 2 처리부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The processing liquid recovery means and the centrifugal separator are provided at least in the first and second processing units located on an upstream side of the transfer path of the substrate by the substrate transfer mechanism. 삭제delete 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1, 제 2, 및 제 3 처리부에서의 상기 기판 반송 기구에 의한 기판의 반송로의 하류 측에 위치하는 제 3 처리부로부터, 상기 기판 반송 기구에 의한 기판의 반송로의 상류 측에 위치하는 제 2 및 제 1 처리부를 향해 처리액을 이송하는 처리액 이송 기구를 구비한 기판 처리 장치.Located in the upstream of the conveyance path of a board | substrate by a said board | substrate conveyance mechanism from the 3rd process part located in the downstream of the conveyance path of a board | substrate by the said board | substrate conveyance mechanism in the said 1st, 2nd and 3rd process part. The substrate processing apparatus provided with the process liquid conveyance mechanism which conveys a process liquid toward a 2nd and 1st process part. 청구항 3에 있어서,The method according to claim 3, 상기 제1, 제2 또는 제3 처리부로부터 반출되는 기판 표면으로부터, 거기에 잔존하는 처리액을 제거하는 처리액 제거 수단을 더 구비한 기판 처리 장치.And a processing liquid removing means for removing the processing liquid remaining therefrom from the surface of the substrate carried out from the first, second or third processing unit. 청구항 4에 있어서,The method according to claim 4, 상기 처리액 제거 수단은, 기판의 표면에 기체를 분무하는 에어나이프인 기판 처리 장치.The processing liquid removing means is an air knife that sprays gas onto the surface of the substrate. 삭제delete 기판상에 패턴 형상으로 형성된 용해막을 처리액에 의해 용해시킴으로써, 용해막 상에 형성된 금속 박막을 기판상으로부터 제거하는 기판 처리 방법에 있어서,In the substrate processing method which removes the metal thin film formed on the melt film from the board | substrate by melt | dissolving the melt film formed in the pattern shape on the board | substrate with a process liquid, 기판에 상기 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 공정과,A processing liquid supplying step for supplying the processing liquid to a substrate; 상기 처리액 공급 공정을 수행하기 위해 설치된 제 1, 제 2, 제 3 처리부에 순차적으로 상기 기판을 반송하는 기판 반송 공정과,A substrate transfer step of sequentially transferring the substrate to the first, second, and third processing units provided to perform the processing liquid supplying step; 상기 처리액 공급 공정에서 기판에 공급되어 상기 용해막을 용해하여 상기 금속 박막을 포함한 처리액을 회수하는 처리액 회수 공정과,A processing liquid recovery step of recovering the processing liquid including the metal thin film by dissolving the dissolved film by supplying the substrate in the processing liquid supplying step; 상기 처리액 회수 공정에서 회수된 처리액으로부터, 원심분리기를 이용하여 상기 금속 박막을 분리하여 처리액 외에 배출하는 분리 공정과,A separation step of separating the metal thin film from the treatment liquid recovered in the treatment liquid recovery step using a centrifugal separator and discharging it out of the treatment liquid; 상기 제 1 및 제 2 처리부에, 상기 원심분리기에 의해 상기 금속 박막이 분리 제거된 처리액을 공급하는 공정과,Supplying a processing liquid in which the metal thin film is separated and removed by the centrifugal separator to the first and second processing units; 상기 제 3 처리부에 새로운 처리액을 공급하는 공정과,Supplying a new treatment liquid to the third treatment part; 상기 제 3 처리부에 설치된 필터 수단을 이용하여 상기 처리액을 여과하는 공정을 구비하고,And filtering the treatment liquid using filter means provided in the third treatment part. 상기 처리액 회수 공정을 위한 수단과 상기 원심분리기는, 적어도, 상기 기판 반송 공정을 수행하는 기판의 반송로의 상류측에 위치하는 상기 제 1 및 제 2 처리부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Means for the processing liquid recovery step and the centrifugal separator are provided at least in the first and second processing units located on an upstream side of a transfer path of the substrate for performing the substrate transfer step. Way.
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