KR100954544B1 - 열구동 파장가변 광원 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 출력되는 빛의 파장을 일정 범위 내에서 연속적으로 변화시킬 수 있는 미소기전집적시스템(MEMS: Micro-Electro-Mechanical System) 형태의 열구동 파장가변 광원에 관한 것이다. 본 발명에 따른 열구동 파장가변 광원은 기판, 상기 기판의 상부에 위치하는 하부반사경, 상기 하부반사경의 상부에 위치하는 능동매질, 상기 능동매질의 상부에 위치하는 상부고정반사경, 상기 능동매질에 전류를 통하기 위해 상기 능동매질의 하부에 위치하는 제1전극, 상기 능동매질에 전류를 통하기 위해 상기 능동매질의 상부에 위치하는 제2전극, 상기 하부반사경의 위에 설치되며 양측단부가 상기 하부반사경에 고정되는 열구동체, 상기 열구동체에 전류를 통하기 위해 열구동체에 연결되도록 설치되는 제3전극과 제4전극, 상기 열구동체의 중앙에 일측이 연결되어 일방향으로 연장되는 지지대, 상기 지지대의 회전중심을 형성하기 위해 상기 지지대에 일측이 연결되며 타측이 상기 하부반사경에 고정되고 비틀림 탄성을 갖는 연결부, 및 상기 능동매질의 상부에서 상기 능동매질에 대향되게 위치하며 상기 제2전극보다 높게 위치하도록 상기 지지대의 타측에 연결되는 상부이동반사경을 포함하여 구성된다.
파장가변, 광원, 레이저, 발광 다이오드, 멤스

Description

열구동 파장가변 광원{Apparatus for thermally actuated wavelength tunable light source}
본 발명은 두 반사경 사이의 거리를 조절하여 원하는 파장의 빛을 방출하는 파장가변 광원에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 파브리-페로(Fabry-Perot) 형태의 파장가변 광원에 관한 것이다.
기존의 미소기전집적시스템 방식의 파장가변 광원은 두 개 이상의 반사경과 그 사이에 위치한 능동매질로 이루어지며, 반사경 사이에 전압을 가하여 정전력에 의해 서로 거리가 가까워지도록 구성된다. 반사경은 굴절률이 서로 다른 반도체 혹은 유전체가 교대로 적층되어 이루어지는 분산 브래그 반사경(Distributed Bragg Reflector: DBR)을 이용한다. 이러한 파장가변 광원은 두 반사경 사이의 거리가 처음 간격의 2/3 이하가 되면 서로 달라붙어 고착되어 버리기 때문에 구동 범위가 처음 간격의 1/3 이하로 한정된다. 또한, 출력광의 선폭을 줄이기 위해서 DBR의 페어(pair) 수를 늘리면 구동체의 두께가 증가되어 구동 전압이 급격하게 증가한다. 이 경우 별도의 고전압 발생 장치를 사용해야 하기 때문에 제작비용이 상승하며, 구동 전압이 한계치를 넘어서면 두 반사경 사이에 방전이 일어나 절연체가 파손됨 으로써 소자를 더 이상 사용하지 못하게 된다. 그래서 구동체의 스프링 상수를 낮추기 위하여 구동체와 반사경을 탄성 계수가 다른 물질을 사용하거나 구동체의 두께를 반사경 두께보다 얇게 제작하는 방법들이 연구되었는데 제작 과정이 복잡해지는 단점이 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명은 열구동체를 이용하여 매우 낮은 전압으로 구동 가능하며 가변 범위가 큰 파장가변 광원을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 본 발명의 과제는 기판과, 상기 기판의 상부에 위치하는 하부반사경과, 상기 하부반사경의 상부에 위치하는 능동매질과, 상기 능동매질의 상부에 위치하는 상부고정반사경과, 상기 능동매질에 전류를 통하기 위해 상기 능동매질의 하부에 위치하는 제1전극과, 상기 능동매질에 전류를 통하기 위해 상기 능동매질의 상부에 위치하는 제2전극과, 상기 제2전극보다 높게 위치하도록 상기 하부반사경의 위에 설치되며 양측단부가 상기 하부반사경에 고정되는 열구동체와, 상기 열구동체에 전류를 통하기 위해 열구동체에 연결되도록 설치되는 제3전극과 제4전극 및 상기 능동매질의 상부에서 상기 능동매질에 대향되게 위치하도록 상기 열구동체에 형성되는 상부이동반사경을 포함하는 파장가변 광원에 의해 달성된다.
또한 상기한 본 발명의 과제는 기판과, 상기 기판의 상부에 위치하는 하부반사경과, 상기 하부반사경의 상부에 위치하는 능동매질과, 상기 능동매질의 상부에 위치하는 상부고정반사경과, 상기 능동매질에 전류를 통하기 위해 상기 능동매질의 하부에 위치하는 제1전극과, 상기 능동매질에 전류를 통하기 위해 상기 능동매질의 상부에 위치하는 제2전극과, 상기 제2전극보다 높게 위치하도록 양측단부가 상기 하부반사경에 고정되는 제1열구동체와, 상기 제2전극보다 높게 위치하도록 양측단부가 상기 하부반사경에 고정되며 상기 제1열구동체와 이격되며 동시에 상기 제1열구동체와 나란히 위치하는 제2열구동체와, 상기 제1열구동체 및 상기 제2열구동체 각각에 전류를 통하기 위해 상기 제1열구동체 및 상기 제2열구동체 각각에 연결되도록 설치되는 제3전극 및 제4전극과, 일측단이 상기 제1열구동체에 연결된 제1연결부와, 일측단이 상기 제2열구동체에 연결된 제2연결부 및 상기 제1연결부의 타측단에 일측이 연결되고 상기 제2연결부의 타측단에 타측이 연결되는 상부이동반사경을 포함하는 파장가변 광원에 의해서도 달성된다.
또한 상기한 본 발명의 과제는 기판과, 상기 기판의 상부에 위치하는 하부반사경과, 상기 하부반사경의 상부에 위치하는 능동매질과, 상기 능동매질의 상부에 위치하는 상부고정반사경과, 상기 능동매질에 전류를 통하기 위해 상기 능동매질의 하부에 위치하는 제1전극과, 상기 능동매질에 전류를 통하기 위해 상기 능동매질의 상부에 위치하는 제2전극과, 상기 하부반사경의 위에 설치되며 양측단부가 상기 하부반사경에 고정되는 열구동체와, 상기 열구동체에 전류를 통하기 위해 열구동체에 연결되도록 설치되는 제3전극 및 제4전극과, 상기 열구동체의 중앙에 일측이 연결되어 일방향으로 연장되는 지지대와, 상기 지지대의 회전중심을 형성하기 위해 상기 지지대에 일측이 연결되며 타측이 상기 하부반사경에 고정되고 비틀림 탄성을 갖는 연결부 및 상기 능동매질의 상부에서 상기 능동매질에 대향되게 위치하며 상기 제2전극보다 높게 위치하도록 상기 지지대의 타측에 연결되는 상부이동반사경을 포함하는 파장가변 광원에 의해서도 달성된다.
상기 과제를 달성하기 위해, 상기 열구동체의 중앙으로부터 상기 연결부까지의 거리보다 상기 연결부로부터 상기 상부이동반사경까지의 거리가 더 큰 것이 바람직하다.
또한 상기한 본 발명의 과제는 기판과, 상기 기판의 상부에 위치하는 하부반사경과, 상기 하부반사경의 상부에 위치하는 능동매질과, 상기 능동매질의 상부에 위치하는 상부고정반사경과, 상기 능동매질에 전류를 통하기 위해 상기 능동매질의 하부에 위치하는 제1전극과, 상기 능동매질에 전류를 통하기 위해 상기 능동매질의 상부에 위치하는 제2전극과, 상기 하부반사경의 위에 설치되며 양측단부가 상기 하부반사경에 고정되는 열구동체와, 상기 열구동체에 전류를 통하기 위해 열구동체에 연결되도록 설치되는 제3전극 및 제4전극과, 일측이 상기 하부반사경에 고정되고 상기 일측으로부터 소정의 거리만큼 떨어진 위치에서 상기 열구동체를 교차하도록 상기 열구동체의 중앙에 연결되며 상기 열구동체의 중앙을 지나서 상기 일측과 반대방향으로 연장되는 지지대 및 상기 능동매질의 상부에서 상기 능동매질에 대향되게 위치하며 상기 제2전극보다 높게 위치하도록 상기 지지대의 타측에 연결되는 상부이동반사경을 포함하는 파장가변 광원에 의해서도 달성된다.
본 발명에 따른 열구동 파장가변 광원은 열구동체를 이용하여 매우 낮은 전압으로 구동이 가능하며 정전 구동 방식에 비하여 큰 가변 범위를 갖는다.
또한 본 발명에 따른 열구동 파장가변 광원은 지렛대 원리를 이용하여 파장가변 범위를 확장할 수 있는 효과가 있다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 열구동 파장가변 광원의 구성에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 열구동 파장가변 광원의 사시도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 열구동 파장가변 광원은 기판(10), 하부반사경(20), 능동매질(30), 상부고정반사경(40), 상부이동반사경(60) 및 열구동체(50)를 포함한다.
기판(10)은 열구동 파장가변 광원의 전체적인 구조를 지지하는 역할을 한다.
기판(10)의 위로는 하부반사경(20), 전류를 흘려주면 빛을 발생시키는 능동매질(30), 상부고정반사경(40)이 순차적으로 위치하며, 기판(10)의 아래와 상부고정반사경(40)의 위에는 능동매질(30)에 전류를 흘려주기 위한 제1전극(34) 및 제2전극(35)이 각각 형성된다.
하부반사경(20)은 상부고정반사경(40) 및 상부이동반사경(60)과 함께 빛의 진행 경로를 반복시킴으로써 파브리-페로 공진기를 형성한다.
상부고정반사경(40)의 양측 각각에는 하부반사경(20)의 위로 제1지지층(31) 및 제2지지층(41)이 순차적으로 형성된다. 제2지지층(41)의 상부에는 상부고정반사경(40)과 상부이동반사경(60) 사이의 초기 간격을 결정하는 스페이서(45)가 형성된다.
스페이서(45)의 상부에는 후술할 열구동체(50)의 양단을 고정하기 위한 고정부(55)가 형성된다.
열구동체(50)는 길이방향으로 연장되며 양측 단부가 상기 고정부(55)에 연결되며, 상기 상부고정반사경(40)의 위에 위치한 제2전극(35)보다 높게 위치한다. 열구동체(50)는 복수의 층들이 적층된 반도체가 될 수 있으며, 위부분의 층과 아래부분의 층이 서로 다른 저항을 갖거나 또는 위부분의 층과 아래부분의 층이 서로 다른 열팽창계수를 갖도록 상이한 재질로 구성한다. 따라서 열구동체(50)에 전류를 흘려줄 경우 열구동체(50)의 위부분과 아래부분의 열팽창률이 다르게 되므로 열구동체(50)는 상방 또는 하방으로 휘어지게 된다.
열구동체(50)의 양측이 연결된 고정부(55)들의 상부에는 열구동체(50)에 전류를 흘려주기 위한 제3전극(56) 및 제4전극(57)이 형성된다.
열구동체(50)의 중앙에는 상부고정반사경(40)에 대향하도록 상부이동반사경(60)이 형성된다.
상부이동반사경(60), 열구동체(50) 및 고정부(55)는 일체로 된 하나의 반도체를 가공하여 형성할 수 있다.
본 실시예의 열구동 파장가변 광원은 상부이동반사경(60)과 상부고정반사경(40) 사이의 간격을 조절하기 위하여 열구동 방식을 사용한다. 열구동체(50) 양 끝단에 위치한 제3전극(56) 및 제4전극(57)에 전압을 가해주면 열구동체(50)에 전류가 흐르고, 열구동체(50)의 저항에 의하여 열구동체(50)에서 줄(Joule) 열이 발생한다. 그 결과 열구동체(50)는 열팽창을 하게 된다. 그러나 열구동체(50)의 양 끝단이 고정부(55)에 고정되어 있으므로 열구동체(50)는 길이방향으로 팽창하지 못하고 수직방향으로 휘어지게 된다. 이러한 방식으로 열구동체(50)의 중앙에 위치하 는 상부이동반사경(60)과 상부고정반사경(40)의 사이의 간격을 변화시킬 수 있다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 파장가변 광원의 사시도이다.
도 1에 도시된 바와 같은 본 발명의 제1실시예에 따른 파장가변 광원은 열구동체(50)의 중간에 상부이동반사경(60))이 위치하기 때문에 전류가 통과하면서 전하에 의하여 빛의 흡수가 증가하거나, 상부이동반사경(60)을 이루는 물질의 물성 변화로 인해 공진 파장의 변화가 일어날 수 있다. 또한, 열구동체(50)와 일체로 형성된 상부이동반사경은 열구동체(50)가 휘어질 때에 함께 휘어지기 때문에 상부이동반사경(50) 자체의 내부에서도 변형이 발생하여 빛의 모드에 따라 편광이나 큐 팩터(Q factor)와 같은 광특성이 다르게 나타날 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 열구동 파장가변 광원은 기판(110), 하부반사경(120), 능동매질(130), 상부고정반사경(140), 능동매질(130)에 전류를 흘려주기 위한 제1전극(134)과 제2전극(135), 제1지지층(131)과 제2지지층(141) 및 스페이서(145)의 구성에 있어서는 본 발명의 제1실시예에 따른 열구동 파장가변 광원과 동일하며 다만 열구동체 및 상부이동반사경(160)의 설치구조에 있어서 차이가 있다.
본 실시예에 따른 파장가변 광원은 파장 가변을 위한 구조로서 각각의 스페이서(145)의 위에 고정부(155)가 형성되며 고정부(155)들의 사이에 제1열구동체(150) 및 제2열구동체(151)가 형성된다. 제1열구동체(150)는 길이방향으로 연장된 구조로서 제2전극(135)의 위쪽으로 제2전극(135)보다 높게 위치하며 양측의 단부들이 고정부(155)에 연결되어 고정된다. 제2열구동체(151)는 제1열구동체(150)와 평행하게 상호 이격되어 나란히 배치되며 역시 제2열구동체(151)의 양측의 단부들이 상기 제1열구동체(150)가 연결된 상기 고정부(155)에 연결된다.
상부이동반사경(160)은 제1연결부(161)를 통해 제1열구동체(150)의 중앙에 연결되며 제2연결부(162)를 통해 제2열구동체(151)의 중앙에 연결된다. 제1연결부(161) 및 제2연결부(162)는 비전도성 물질로 형성되는 것도 가능하지만, 제1열구동체(150)와 제2열구동체(151)가 동일한 저항값을 갖는다면 휘트스톤브리지의 원리에 의해 상부이동반사경(160)으로 전류가 흐르지 않으므로 전도성 물질로 형성되는 것도 가능하다.
제1열구동체(150) 및 제2열구동체(151)에 전류를 흘려주기 위한 제3전극(156) 및 제4전극(157)은 양측에 배치된 고정부(155)들 각각의 위에 형성된다.
위 설명한 바와 같이 본 발명의 제2실시예에 따른 열구동 파장가변 광원은 전류가 상부이동반사경(160)을 통하여 흐르는 것을 방지할 수 있으며, 제1열구동체(150) 및 제2열구동체(151)가 수직방향으로 휨이 발생하더라도 상부이동반사경(160)은 휨이 발생하지 않으므로 상부고정반사경(140)과 평행을 유지하게 된다.
본 실시예에 따른 파장가변 광원에서 상부이동반사경(160), 제1 및 제2열구동체(150, 151), 제1 및 제2연결부(161, 162) 및 고정부(155)는 일체로 된 하나의 반도체를 가공하여 형성할 수 있다.
본 실시예에 따른 열구동 파장가변 광원은 2개의 열구동체를 갖는 형태를 설명하였으나 본 발명은 이에 제한되지 않으며 열구동체의 배치구조가 대칭인 조건을 만족한다면 3개 이상의 열구동체들을 갖는 형태도 가능하다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 파장가변 광원의 사시도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 파장가변 광원은 전체 구조를 지지하는 기판(210)의 위로 하부반사경(220), 능동매질(230), 상부고정반사경(240)이 순차적으로 형성되며, 기판(210) 아래와 상부고정반사경(240) 위에는 능동매질(230)에 전류를 흘려주기 위한 제1전극(234) 및 제2전극(235)이 위치한다.
파장 가변을 위한 구조는 하부반사경(220)의 위의 후방 양측에 형성된 제1고정부(255)들에 의해 양단이 고정되는 열구동체(250), 상기 열구동체(250)의 중앙에 일단이 연결되고 상기 일단에서 소정의 거리만큼 떨어진 위치에서 제2고정부(271)와 연결부(275)를 통해 회전이 가능하게 지지되는 지지대(270) 및 상기 지지대(270)의 타단에 형성된 상부이동반사경(260)을 주요 구성으로 한다. 열구동체(250)에 전류를 흘려주는 제3전극(256) 및 제4전극(257)은 제1고정부(255)들의 위에 각각 형성된다.
하부반사경(220)의 상부 일측에는 제1지지층(231), 제2지지층(232) 및 제1스페이서(245)가 순차적으로 형성되며 제1고정부(255)는 제1스페이서(245)의 상부에 위치한다. 하부반사경(220)의 상부 타측에는 제3지지층(232), 제4지지층(242) 및 제2스페이서(246)가 순차적으로 형성되며 제2고정부(271)는 제2스페이서(246)의 상부에 위치한다. 제1스페이서(245)와 제2스페이서(246)는 상부고정반사경(240)과 상부이동반사경(260) 사이의 초기 간격을 결정한다.
지지대(270)를 제2고정부(271)에 연결하는 연결부(275)는 지지대(270)를 회전가능하게 지지하기 위해 비틀림 탄성을 갖는다.
제3전극(256) 및 제4전극(257)의 사이에 전류를 흘려주면 열구동체(250)가 수직방향으로 휨변형을 하게 되고, 그 결과 지지대(270)는 제2고정부(271)에 연결된 연결부(275)를 회전축으로 하여 회전한다. 이 때 상부이동반사경(260)으로부터 연결부(275)까지의 거리를 연결부(275)로부터 열구동체(250)까지의 거리보다 길게 형성함으로써 상부이동반사경(260)의 이동범위를 열구동체(250)의 이동범위보다 더 크게 할 수 있다.
본 실시예에 따른 파장가변 광원에서 상부이동반사경(260), 열구동체(250), 연결부(275) 및 제1고정부(255)와 제2고정부(271)는 일체로 된 하나의 반도체를 가공하여 형성할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 파장가변 광원의 사시도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제4실시예에 따른 파장가변 광원은 전체 구조를 지지하는 기판(310) 위로 하부반사경(320), 능동매질(330), 상부고정반사경(340)이 순차적으로 형성되며, 기판(310) 아래와 상부고정반사경(340) 위에는 능동매질(330)에 전류를 흘려주기 위한 제1전극(334) 및 제2전극(335)이 위치한다.
파장 가변을 위한 구조는 하부반사경(320)의 상부의 중앙의 양측에 각각 형성되는 제1고정부(355)들과 하부반사경(320)의 위의 후방의 중앙에 형성되는 제2고정부(371), 상기 제1고정부(355)들에 각각이 고정되며 제1고정부(355)들의 내측방향으로 각각 연장되는 제1열구동체(350) 및 제2열구동체(351), 일단이 상기 제2고정부(371)에 연결되며 상기 제1고정부(355)들로부터 연장된 제1열구동체(350) 및 제2열구동체(351)가 각각 양측에서 연결되는 지지대(370), 상기 지지대(370)의 타 단에 형성된 상부이동반사경(360)을 주요 구성으로 한다. 제1열구동체(350) 및 제2열구동체(351)에 전류를 흘려주는 제3전극(356) 및 제4전극(357)은 제1고정부(355)들의 위에 각각 형성된다.
하부반사경(320)의 상부 중앙 양측에는 제1지지층(332), 제2지지층(342) 및 제1스페이서(345)가 순차적으로 형성되며 제1고정부(355)는 제1스페이서(345)의 상부에 위치한다. 하부반사경(320)의 상부 후방 중앙에는 제3지지층(331), 제4지지층(341) 및 제2스페이서(346)가 순차적으로 형성되며 제2고정부(371)는 제2스페이서(346)의 상부에 위치한다. 제1스페이서(345)와 제2스페이서(346)는 상부고정반사경(340)과 상부이동반사경(360) 사이의 초기 간격을 결정한다.
상기 제3전극(356) 및 제4전극(357)을 통해 전류를 흘리면 제1열구동체(350) 및 제2열구동체(351)가 열팽창하여 상하방향 중 한 방향으로 휘게 되며 제1열구동체(350) 및 제2열구동체(351)에 양측이 연결된 지지대(370)는 제2고정부(371)와 지지대(370)의 접점을 회전중심으로 하여 회전한다. 이 때 상부이동반사경(360)으로부터 제1열구동체(350) 및 제2열구동체(351)까지의 거리가 멀수록 또는 제1열구동체(350) 및 제2열구동체(351)로부터 제2고정부(371)까지의 거리가 짧을수록 상부이동반사경(360)의 이동범위는 열구동체의 이동범위보다 더 크게 확대된다.
상기 제1 내지 제4실시예에 따른 파장가변 광원에서 기판 아래와 상부고정반사경의 위에 위치하는 제1전극 및 제2전극을 통해 능동매질에 전류를 흘려주면, 능동매질로부터 빛이 발생된다. 이 때 발생되는 빛의 파장 및 선폭은 위, 아래 방향으로 형성되어 있는 파브리-페로 공진기에 의하여 결정된다. 파브리-페로 공진기의 한 쪽은 하부반사경에 의해 중심 파장 및 반사율이 결정되지만, 파브리-페로 공진기의 다른 쪽은 상부이동반사경과 상부고정반사경, 그리고 그 사이의 간격에 의해 유효 중심 파장과 유효 반사율이 결정된다. 상부이동반사경과 상부고정반사경 사이의 간격이 달라지면 파브리-페로 공진기를 구성하는 한 쪽의 유효 중심 파장이 달라지므로, 공진기의 공진파장이 변화하여 광원에서 발생되는 빛의 파장도 달라진다.
이 때 능동매질에서 얻을 수 있는 광이득이 상부고정반사경 및 상부이동반사경과 하부반사경에 의하여 만들어지는 공진기의 손실보다 큰 경우 위의 파장가변 광원은 파장가변 레이저가 되며, 반대의 경우에는 파장가변 발광다이오드가 된다.
상기한 본 발명의 실시예들에 따른 파장가변 광원들에서는 상부고정반사경과 상부이동반사경이 모두 구비된 형태의 것을 설명하였으나, 상부고정반사경이 없이 상부이동반사경만으로 이루어진 파장가변 광원도 본 발명의 목적을 동일하게 달성한다.
상기한 본 발명의 실시예들에 따른 파장가변 광원들에서 제1지지층 및 제3지지층은 상기 능동매질과 동일한 물질로 형성될 수 있으모 제2지지층 및 제4지지층은 상부고정반사경과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 파장가변 광원에서 사용되는 반사경은 굴절률이 서로 다른 반도체 혹은 유전체가 교대로 적층되어 이루어지는 분산 브래그 반사경(Distributed Bragg Reflector: DBR)을 이용한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 열구동 파장가변 광원의 사시도이고,
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 열구동 파장가변 광원의 사시도이고,
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 열구동 파장가변 필터의 사시도이고,
도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 열구동 파장가변 광원의 사시도이다.

Claims (5)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 기판;
    상기 기판의 상부에 위치하는 하부반사경;
    상기 하부반사경의 상부에 위치하는 능동매질;
    상기 능동매질의 상부에 위치하는 상부고정반사경;
    상기 능동매질에 전류를 통하기 위해 상기 능동매질의 하부에 위치하는 제1전극;
    상기 능동매질에 전류를 통하기 위해 상기 능동매질의 상부에 위치하는 제2전극;
    상기 하부반사경의 위에 설치되며 양측단부가 상기 하부반사경에 고정되는 열구동체;
    상기 열구동체에 전류를 통하기 위해 열구동체에 연결되도록 설치되는 제3전극과 제4전극;
    상기 열구동체의 중앙에 일측이 연결되어 일방향으로 연장되는 지지대;
    상기 지지대의 회전중심을 형성하기 위해 상기 지지대에 일측이 연결되며 타측이 상기 하부반사경에 고정되고 비틀림 탄성을 갖는 연결부; 및
    상기 능동매질의 상부에서 상기 능동매질에 대향되게 위치하며 상기 제2전극보다 높게 위치하도록 상기 지지대의 타측에 연결되는 상부이동반사경을 포함하는 파장가변 광원.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 열구동체의 중앙으로부터 상기 연결부까지의 거리보다 상기 연결부로부터 상기 상부이동반사경까지의 거리가 더 큰 것을 특징으로 하는 파장가변 광원.
  5. 기판;
    상기 기판의 상부에 위치하는 하부반사경;
    상기 하부반사경의 상부에 위치하는 능동매질;
    상기 능동매질의 상부에 위치하는 상부고정반사경;
    상기 능동매질에 전류를 통하기 위해 상기 능동매질의 하부에 위치하는 제1전극;
    상기 능동매질에 전류를 통하기 위해 상기 능동매질의 상부에 위치하는 제2전극;
    상기 하부반사경의 위에 설치되며 양측단부가 상기 하부반사경에 고정되는 열구동체;
    상기 열구동체에 전류를 통하기 위해 열구동체에 연결되도록 설치되는 제3전극과 제4전극;
    일측이 상기 하부반사경에 고정되고 상기 일측으로부터 소정의 거리만큼 떨어진 위치에서 상기 열구동체를 교차하도록 상기 열구동체의 중앙에 연결되며 상기 열구동체의 중앙을 지나서 상기 일측과 반대방향으로 연장되는 지지대; 및
    상기 능동매질의 상부에서 상기 능동매질에 대향되게 위치하며 상기 제2전극보다 높게 위치하도록 상기 지지대의 타측에 연결되는 상부이동반사경을 포함하는 파장가변 광원.
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