KR100953388B1 - 태양전지 모듈 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
반사방지 특성이 우수한 반사방지막이 형성된 태양전지 모듈 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다.
본 발명에 따른 태양전지 모듈은 제1도전형 반도체로 이루어진 제1도전형 반도체 기판; 상기 제1도전형 반도체 기판 상에 형성되며, 제1도전형 반도체와 반대되는 도전형 반도체로 이루어진 제2도전형 반도체층; 상기 제2도전형 반도체층 표면에 형성되는 전면 전극; 상기 제1도전형 반도체 기판 배면에 형성되는 후면 전극; 및 상기 제2도전형 반도체층의 표면 중 전면 전극이 형성된 부분 이외의 부분에 형성되는 반사방지층;을 포함하고, 상기 반사방지층의 표면에는 10~200nm의 패턴 피치를 갖는 나노 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 p-n 접합을 이용하는 태양전지(solar cell)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표면에 우수한 반사방지 특성을 갖는 반사방지막이 형성된 태양전지 모듈 및 조성물 도포법 및 나노 임프린트 리소그래피법을 이용하여 간단하면서도 저가의 공정비용으로도 반사방지막을 쉽게 형성할 수 있는 태양전지 모듈의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 화석 에너지 자원의 고갈이 예측되고, 환경에 대한 관심이 높아지면서, 이들을 대체할 수 있는 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양전지는 p-n 접합을 이용하여 태양광에 포함된 빛 에너지를 전기에너지를 변환하는 것으로서, 에너지 자원이 무한하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목 받고 있다.
태양전지에는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시 키는 태양열 전지와, 반도체의 성질을 이용하여 태양빛(photons)을 전기에너지로 변환시키는 태양광 전지가 있다. 태양전지라고 하면 일반적으로 태양광 전지를 의미한다.
태양전지의 효율 상승을 위하여, 최근에는 p-n접합에 의한 광기전력 효과(photovoltaic effect)를 최적화하여 효율 상승을 위한 다양한 방법이 개발되고 있다. 전자-홀 생성을 위한 p-n 접합 구조의 최적화 방법, 생성된 전자의 누설을 방지하기 위한 표면 패시베이션 방법, 전자수집효율 상승을 위한 전극형성방법의 최적화 방법, 전면 반사방지막 형성 방법 등 태양전지 효율 상승을 위하여 다각도의 연구가 진행되고 있다.
일반적으로 태양전지에서 광 포획량을 증가시키기 위한 방법으로는 플라즈마를 사용한 건식 식각법 및 습식 식각과 실리콘질화막(SiNx)을 사용한 방법이 주로 사용되고 있으나, 상기의 방법들은 실리콘 기반 태양전지에만 적용이 가능한 방법이다. 또한 이러한 방법은 600nm 파장의 영역에서만 투과율 상승을 나타내고 그 외의 파장대 영역은 변화가 없거나 오히려 반사방지 특성이 더 저하되는 문제점이 있었다.
일반적으로 나노패턴을 형성하기 위한 기술로 반도체 제작 공정에 주로 쓰이는 탑-다운 기술과 바텀-업 기술이 있다. 그러나, 태양전지 제조 공정에 탑-다운 기술을 적용하기에는 공정 비용이 너무 높은 문제가 있고, 바텀-업 기술의 경우, 형성되는 나노패턴의 정밀도가 낮고 대면적 태양전지에 적용하기 어려운 문제가 있다.
따라서, 실리콘 기반뿐만 아니라 유·무기 복합 기반의 태양전지의 광투과 효율을 극대화할 수 있도록, 태양전지의 표면에 반사방지막을 형성하되, 반사방지막이 우수한 반사방지 특성을 가지고, 또한 기존의 식각이나 포토 리소그래피 공정에 간단한 공정으로 반사방지막을 형성할 수 있는 방법이 필요하다.
본 발명의 목적은 p-n 접합을 이용하는 태양전지 모듈에 있어서, 모듈 표면에 우수한 반사방지 특성을 갖는 반사방지막이 형성되어 있는 태양전지 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 반사방지막을 기존의 식각이나 포토리소그래피법이 아닌 조성물 도포법 및 나노 임프린트 리소그래피법(nano imprint lithography)을 이용하여 간단하면서도 저가의 공정비용이 소요되는 태양전지 모듈 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 하나의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지 모듈은 제1도전형 반도체로 이루어진 제1도전형 반도체 기판; 상기 제1도전형 반도체 기판 상에 형성되며, 제1도전형 반도체와 반대되는 도전형 반도체로 이루어진 제2도전형 반도체층; 상기 제2도전형 반도체층 표면에 형성되는 전면 전극; 상기 제1 도전형 반도체 기판 배면에 형성되는 후면 전극; 및 상기 제2도전형 반도체층의 표면 중 전면 전극이 형성된 부분 이외의 부분에 형성되는 반사방지층;을 포함하고, 상기 반사방지층은 유기 용매 100중량부에 대하여, 실리콘 나이트라이드(Si3N4) 30~35 중량부, 메틸 p-톨루엔 술폰산염 7~15중량부, 에틸 2-[3-(6-니트로벤졸[d]티아졸-2-일)우레이도]아세테이트 5~11중량부, 폴리디오가노 실록산 3~7중량부 및 휘발성 유기 발포제 1~3중량부를 포함하는 조성물로부터 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지 모듈 제조 방법은 (a)p형 반도체 기판의 배면에 후면 전극을 형성하는 단계; (b)상기 p형 반도체 기판 상에 n형 반도체층을 형성하는 단계; (c)상기 n형 반도체층 상에 전면 전극을 형성하는 단계; 및 (d)상기 n형 반도체층 표면 중 상기 전면 전극이 형성되지 않은 부분에 반사방지막을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 반사방지막은 (d1)물, 에탄올 및 톨루엔 중에서 선택되는 유기 용매 100중량부에 대하여, 실리콘 나이트라이드(Si3N4) 30~35중량부, 메틸 p-톨루엔 술폰산염 7~15중량부, 에틸 2-[3-(6-니트로벤졸[d]티아졸-2-일)우레이도]아세테이트 5~11중량부, 폴리디오가노 실록산 3~7중량부 및 휘발성 유기 발포제 1~3중량부를 포함하는 조성물을 이용하여 도포막을 형성하는 단계; (d2)나노 임프린트 리소그래피 공정을 이용하여 상기 도포막의 표면에 나노 패턴을 형성하는 단계; 및 (d3)상기 도포막을 건조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 태양전지 모듈은 표면에 실리콘 나이트라이드(Si3N4), 메틸 p-톨루엔 술폰산염, 에틸 2-[3-(6-니트로벤졸[d]티아졸-2-일)우레이도]아세테이트 등이 포함된 반사방지층이 형성되어 있어 우수한 반사방지 특성을 통한 태양전지의 광 투과 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 태양전지 모듈 제조 방법은 상기 물질들을 포함하는 조성물을 도포하고, 조성물의 건조 과정 이전에 나노 임프린트 리소그래피법(nano imprint lithography)에 의하여 표면에 나노 패턴을 형성함으로써 기존의 식각 공정이나 포토 리소그래피법(photo lithography)에 의한 반사방지막 형성에 비하여 간단하면서도 저비용으로 반사방지막을 형성하여, 태양전지 모듈 제조 방법을 단순화할 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 태양전지 모듈 및 그 제조 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지 모듈을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 태양전지 모듈은 제1도전형 반도체 기판(110), 제2도전형 반도체층(120), 전면 전극(130), 후면 전극(140) 및 반사방지층(150)을 포함한다.
제1도전형 반도체 기판(110)은 n형 반도체 기판 또는 p형 반도체 기판이 될 수 있으며, 실리콘 기판에 n형 반도체 물질이 도핑되거나, p형 반도체 물질이 도핑되어 이루어질 수 있다.
제2도전형 반도체층(120)은 상기의 제1도전형 반도체 기판(110) 상에 형성된다. 이때 제2도전형 반도체층(120)을 이루는 제2도전형 반도체는 제1도전형 반도체 기판(110)을 이루는 제1도전형 반도체와 반대되는 타입이 된다. 즉, 제1도전형 반도체 기판(110)이 n형 반도체 기판일 경우 제2도전형 반도체층(120)은 p형 반도체층이 되고, 제1도전형 반도체 기판(110)이 p형 반도체 기판일 경우 제2도전형 반도체층(120)은 n형 반도체층이 된다.
제2도전형 반도체층(120)은 제1도전형 반도체 기판(110)에 불순물 임플란트 등의 방법을 이용하여 제1도전형 반도체 물질과 반대되는 제2도전형 반도체 물질을 주입함으로서 형성될 수 있다. 또한, 제1도전형 반도체 기판과 제2도전형 반도체 기판을 별도로 제조한 후, 웨이퍼 접합 등의 공정을 이용하여 제2도전형 반도체층(120)을 형성할 수 있다.
제1도전형 반도체 기판(110) 상에 제2도전형 반도체층(120)이 형성됨으로써 그 경계면은 p-n 접합면이 된다.
전면 전극(front electrode, 130)은 제2도전형 반도체층(120) 표면에 형성된다. 도 1에서는 전면 전극(130)이 하나가 형성되어 있는 예가 도시되어 있으나, 전면 전극(130)은 복수개로 이루어질 수 있다.
전면 전극(130)을 이루는 물질은 은(Ag)을 포함할 수 있으며, 상업적으로는 NSFG-XP100(엔바로테크 제조) 등이 될 수 있다.
후면 전극(rearelectrode, 140)은 제1도전형 반도체 기판(110)의 배면에 형성된다.
후면 전극(140)을 이루는 물질은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있으며, 상업적으로는 NSRL-XP200(엔바로테크 제조) 등이 될 수 있다.
전면 전극(130)과 후면 전극(140)은 부하저항과 연결된다. 태양전지에 광이 입사되면 광과 태양전지의 반도체와의 상호 작용으로 전자와 정공이 발생하여 전자는 n형 반도체 쪽에 연결되는 전극으로, 정공은 p형 반도체 쪽에 연결되는 전극으로 이동하면서 전류가 흐르게 된다.
반사방지층(150)은 제2도전형 반도체층(120)의 표면 중 전면 전극(130)이 형성된 부분 이외의 부분에 형성된다.
이때, 본 발명에 따른 태양전지 모듈에 적용되는 반사방지층(150)은 유기 용 매 100중량부에 대하여, 실리콘 나이트라이드(Si3N4) 30~35중량부, 메틸 p-톨루엔 술폰산염 7~15중량부, 에틸 2-[3-(6-니트로벤졸[d]티아졸-2-일)우레이도]아세테이트 5~11중량부, 폴리디오가노 실록산 3~7중량부 및 휘발성 유기 발포제 1~3중량부를 포함하는 조성물로부터 형성될 수 있다. 이때, 유기 용매는 유기용매는 물, 에탄올, 톨루엔 등이 될 수 있으며, 이들을 단독으로 혹은 2이상을 혼합하여 이용할 수 있다. 또한 휘발성 유기 발포제는 부탄과 프로판이 혼합된 PS 발포제(영부케미칼 제조) 등이 이용될 수 있다.
상기 조성물로부터 형성된 반사방지층의 반사방지 특성을 측정하기 위하여 다음과 같은 실험을 수행하였다.
1. 시편의 제조
실시예 1로, 물 50g에 Si3N4 30g, 메틸 p-톨루엔 술폰산염 7g, 에틸 2-[3-(6-니트로벤졸[d]티아졸-2-일)우레이도]아세테이트 5g, 폴리디오가노 실록산 3g 및 PS 발포제(영부케미칼 제조) 1g을 첨가하여 교반한 후, 물 50g을 더 첨가하고 재차 교반하여 조성물을 제조하였다.
제조된 조성물을 실리콘 기판 위에 도포한 후, 온도를 150℃로 가열하여 반사방지층을 형성하였다.
실시예 2로, 물 50g에 Si3N4 35g, 메틸 p-톨루엔 술폰산염 15g, 에틸 2-[3-(6-니트로벤졸[d]티아졸-2-일)우레이도]아세테이트 11g, 폴리디오가노 실록산 7g 및 PS 발포제(영부케미칼 제조) 3g을 첨가하여 교반한 후, 실시예 1과 동일한 동일한 과정으로 반사방지층을 형성하였다.
실시예 3으로, 물 50g에 Si3N4 33g, 메틸 p-톨루엔 술폰산염 10g, 에틸 2-[3-(6-니트로벤졸[d]티아졸-2-일)우레이도]아세테이트 8g, 폴리디오가노 실록산 5g 및 PS 발포제(영부케미칼 제조) 2g을 첨가하여 교반한 후, 실시예 1과 동일한 동일한 과정으로 반사방지층을 형성하였다.
비교예 1로, 물 50g에 Si3N4 50g, 메틸 p-톨루엔 술폰산염 7g, 에틸 2-[3-(6-니트로벤졸[d]티아졸-2-일)우레이도]아세테이트 8g, 폴리디오가노 실록산 5g 및 PS 발포제(영부케미칼 제조) 2g을 첨가하여 교반한 후, 실시예 1과 동일한 동일한 과정으로 반사방지층을 형성하였다.
비교예 2로, 물 50g에 Si3N4 33g, 메틸 p-톨루엔 술폰산염 20g, 에틸 2-[3-(6-니트로벤졸[d]티아졸-2-일)우레이도]아세테이트 5g, 폴리디오가노 실록산 5g 및 PS 발포제(영부케미칼 제조) 2g을 첨가하여 교반한 후, 실시예 1과 동일한 동일한 과정으로 반사방지층을 형성하였다.
비교예 3으로, 물 50g에 Si3N4 33g, 메틸 p-톨루엔 술폰산염 10g, 에틸 2-[3-(6-니트로벤졸[d]티아졸-2-일)우레이도]아세테이트 2g, 폴리디오가노 실록산 1g 및 PS 발포제(영부케미칼 제조) 2g을 첨가하여 교반한 후, 실시예 1과 동일한 동일한 과정으로 반사방지층을 형성하였다.
비교예 4로, 물 50g에 Si3N4 25g, 메틸 p-톨루엔 술폰산염 10g, 에틸 2-[3-(6-니트로벤졸[d]티아졸-2-일)우레이도]아세테이트 8g, 폴리디오가노 실록산 5g 및 PS 발포제(영부케미칼 제조) 4g을 첨가하여 교반한 후, 실시예 1과 동일한 동일한 과정으로 반사방지층을 형성하였다.
비교예 5로, 물 50g에 Si3N4 33g, 메틸 p-톨루엔 술폰산염 10g, 에틸 2-[3-(6-니트로벤졸[d]티아졸-2-일)우레이도]아세테이트 8g, 폴리디오가노 실록산 8g 및 PS 발포제(영부케미칼 제조) 2g을 첨가하여 교반한 후, 실시예 1과 동일한 동일한 과정으로 반사방지층을 형성하였다.
상기 실시예 1~3, 비교예 1~5에서 제시된 조성을 표 1에 정리하였으며, 단위는 그램(g), 물의 함량은 제외하였다.
[표 1]
2. 반사율 측정
반사율은 스펙트로포토미터(Perkin-Elmer사제 Lambda 950 spectrophotometer)로 3회 측정하여 평균값을 계산하였다.
3. 결과 및 분석
상기 제시된 조성 범위에 있는 실시예 1~3의 경우, 평균 반사율이 2~3%로 매우 낮았다. 이는 그만큼 반사방지 특성이 우수한 것을 의미한다.
반면, 상기 제시된 조성 범위 밖에 있는 비교예 1~5의 경우, 평균 반사율이 6.5~8%로 실시예의 경우보다 상대적으로 2배이상 높게 나타났다. 이는 그만큼 반사방지 특성이 실시예보다 우수하지 못한 것을 의미한다.
도 2는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 태양전지 모듈을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2에 도시된 태양전지 모듈은 도 1에 도시된 태양전지 모듈과 동일한 구조로 이루어져 있다. 다만 도 2에서는 도 1과 달리 반사방지층(150)의 표면에 나노 패턴이 형성되어 있다.
한편, 반사방지층(150)의 표면에는 10~200nm의 패턴 피치를 갖는 나노 패턴(210)이 형성되어 있을 수 있다. 이는 나방 눈이 모든 빛을 투과하는 이른바 모스아이 효과(moth-eye pattern)를 이용한 것으로, 나방의 눈에 나타나는 저반사 효과를 일컫는다. 나방의 눈 표면은 수백 나노급의 미세 원뿔형 돌기로 덮여 있다. 이러한 구조는 점진적인 굴절률 변화를 야기하여, 반사의 기본 조건인 매질 굴절률의 급격한 변화를 방지함으로써 반사를 방지하게 된다.
표면에 모스아이 패턴과 같은 나노 패턴이 형성되어 있는 경우, 나노 패턴이 형성되어 있지 않은 경우보다 넓은 파장대에서 광투과율이 6~7% 정도 향상될 수 있는 것으로 알려져 있으며, 이때, 나노 패턴의 패턴 피치(pattern pitch)는 10~200nm 정도가 될 수 있다.
따라서, 본 발명에 적용되는 반사방지층(150)은 상기 조성을 통한 반사방지 특성이 향상될 수 있고, 또한 표면의 나노 패턴에 의하여 그 효과를 더할 수 있게 된다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 태양전지 모듈 제조 방법은 후면 전극 형성 단계(S310), n형 반도체층 형성 단계(S320), 전면 전극 형성 단계(S330), 반사방지막 형성 단계(S340)를 포함한다.
후면 전극 형성 단계(S310)에서는 p형 반도체 기판의 배면에 NSRL-XP200(엔바로테크 제조)와 같이 알루미늄을 포함하는 페이스트 조성물 도포하고, 건조하는 과정 등을 통하여 후면 전극을 형성한다.
이때, 후면 전극의 형성은 도 3에 도시된 바와 같이, n형 반도체층의 형성(S320) 전에도 이루어질 수 있으나, n형 반도체층의 형성(S320) 이후, 또는 전면 전극의 형성(S330)이나 반사방지막의 형성(S340) 이후에도 이루어질 수 있다.
n형 반도체층 형성 단계(S320)에서는 p형 반도체 기판 상에 n형 반도체층을 형성한다. 이는 전술한 바와 같이, 불순물 임플란트 공정을 이용하여 p형 반도체 기판에 보론(B)과 같은 n형 반도체 물질을 주입하여 형성될 수 있으며, p형 반도체 기판과 n형 반도체 기판을 웨이퍼 접합의 형태로 접합하여 형성될 수 있다.
전면 전극 형성 단계(S330)에서는 n형 반도체층 상에 NSFG-XP100(엔바로테크 제조)와 같은 은(Ag)이 포함된 페이스트 조성물을 도포하고 건조하는 과정 등을 통하여 전면 전극을 형성한다.
반사방지막 형성 단계(S340)에서는 n형 반도체층 표면 중 전면 전극이 형성되지 않은 부분에 반사방지막을 형성한다.
도 4는 도 3에 도시된 반사방지막 형성 단계를 구체적으로 나타낸 것이다.
구체적으로 반사방지막은 도포막 형성 단계(S341), 나노 패턴 형성 단계(S342) 및 도포막 건조 단계(S343)를 포함한다.
도포막 형성 단계(S341)에서는 물, 에탄올 및 톨루엔 중에서 선택되는 유기 용매 100중량부에 대하여, 실리콘 나이트라이드(Si3N4) 30~35중량부, 메틸 p-톨루엔 술폰산염 7~15중량부, 에틸 2-[3-(6-니트로벤졸[d]티아졸-2-일)우레이도]아세테이트 5~11중량부, 폴리디오가노 실록산 3~7중량부 및 휘발성 유기 발포제 1~3중량부를 포함하는 조성물을 이용하여 도포막을 형성한다.
상기 조성물은 10~75cps 범위의 점도를 갖는다. 후술하는 나노 임프린트 리소그래피 단계(S342)를 수행하기 위해서는 도포막은 대략 1~100cps 범위의 점도를 가져야 한다. 도포막의 점도가 너무 낮은 경우 유기 용매에 첨가된 물질들의 함량이 너무 적은 문제점이 있고, 도포막의 점도가 너무 높을 경우 막의 유동성이 저하되어 나노 임프린트 리소그래피 공정이 제대로 이루어지지 않는 문제점이 있기 때문이다. 본 발명에 적용되는 상기 조성물의 점도 범위는 10~75cps의 범위로서, 상기 나노 임프린트 리소그래피 공정을 수행할 수 있는 점도를 만족한다.
나노 패턴 형성 단계(S342)에서는 나노 임프린트 리소그래피 공정을 이용하여 상기 도포막의 표면에 나노 패턴을 형성한다. 이는 나노패턴이 형성된 스탬프를 이용하여 도포막을 직접 나노 패턴을 전사함으로써 이루어질 수 있다.
그리고, 도포막 건조 단계(S343)에서는 건조 과정을 통하여 도포막에 포함된 유기 용매 등을 제거한다.
또한, 반사방지막을 구성하는 물질들의 결합을 강화하고, 막을 치밀화하기 위하여 300~600℃ 정도의 온도에서 열처리하는 열처리 단계(S344)를 더 포함할 수 있다.
상기와 같은 태양전지 모듈 제조 방법은 식각 공정이나 포토 리소그래피와 같이 복잡한 공정을 거치지 않으면서도 우수한 반사방지특성을 갖는 반사방지막을 형성할 수 있으므로, 그만큼 태양전지 모듈의 제조 효율을 높일 수 있다.
이상에서는 본 발명의 일 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지 모듈을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 태양전지 모듈을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 4는 도 3에 도시된 반사방지막 형성 단계를 구체적으로 나타낸 것이다.
Claims (6)
- 제1도전형 반도체로 이루어진 제1도전형 반도체 기판;상기 제1도전형 반도체 기판 상에 형성되며, 제1도전형 반도체와 반대되는 도전형 반도체로 이루어진 제2도전형 반도체층;상기 제2도전형 반도체층 표면에 형성되는 전면 전극;상기 제1도전형 반도체 기판 배면에 형성되는 후면 전극; 및상기 제2도전형 반도체층의 표면 중 전면 전극이 형성된 부분 이외의 부분에 형성되는 반사방지층;을 포함하고,상기 반사방지층은 유기 용매 100중량부에 대하여, 실리콘 나이트라이드(Si3N4) 30~35중량부, 메틸 p-톨루엔 술폰산염 7~15중량부, 에틸 2-[3-(6-니트로벤졸[d]티아졸-2-일)우레이도]아세테이트 5~11중량부, 폴리디오가노 실록산 3~7중량부 및 휘발성 유기 발포제 1~3중량부를 포함하는 조성물로부터 형성되고,상기 반사방지층의 표면에는 10~200nm의 패턴 피치를 갖는 나노 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 제1도전형 반도체는 p형 반도체이고, 상기 제2도전형 반도체는 n형 반도체인 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
- 제1항에 있어서,상기 유기용매는 물, 에탄올 및 톨루엔 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
- 제1항에 있어서,상기 전면 전극은 은(Ag)을 포함하고, 상기 후면 전극은 알루미늄(Ag)을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
- (a)p형 반도체 기판의 배면에 후면 전극을 형성하는 단계;(b)상기 p형 반도체 기판 상에 n형 반도체층을 형성하는 단계;(c)상기 n형 반도체층 상에 전면 전극을 형성하는 단계; 및(d)상기 n형 반도체층 표면 중 상기 전면 전극이 형성되지 않은 부분에 반사방지막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 반사방지막 형성 단계는(d1)물, 에탄올 및 톨루엔 중에서 선택되는 유기 용매 100중량부에 대하여, 실리콘 나이트라이드(Si3N4) 30~35중량부, 메틸 p-톨루엔 술폰산염 7~15중량부, 에틸 2-[3-(6-니트로벤졸[d]티아졸-2-일)우레이도]아세테이트 5~11중량부, 폴리디오가노 실록산 3~7중량부 및 휘발성 유기 발포제 1~3중량부를 포함하는 조성물을 이용하여 10~75cps 범위의 점도를 갖는 도포막을 형성하는 단계;(d2)나노 임프린트 리소그래피 공정을 이용하여 상기 도포막의 표면에 나노 패턴을 형성하는 단계; 및(d3)상기 도포막을 건조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈 제조 방법.
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