KR100950109B1 - 용융물의 균질화 방법 및 장치 - Google Patents

용융물의 균질화 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

임의의 방향으로부터의 0.1 내지 20 GHz 주파수의 마이크로파 방사선이 104 내지 101 Pa·s 범위의 점성을 갖는 용융물에 적용된다. 상기 마이크로파 방사선의 도파관(11)의 출구가 위치하는 가열된 공간의 외표면이 냉각될 수 있다. 상기 용융물내에서의 마이크로파 방사선은 용융물내의 반사성 금속제 요소에 의해 상기 용융물로의 방사선 진입 장소로 되반사되며, 차단하는 금속제 요소에 의해 주위로부터 차단된다. 마이크로파 방사선의 소스(10)로부터는 한 개 이상의 도파관(11)의 출구가 용융물의 외표면에 대해 임의의 방향으로, 소정 점성의 용융물이 있는 공간내로 제공될 것이다. 한 개 이상의 도파관(11)은 전로의 채널(1)의 저부(13)의 외표면으로 및/또는 노의 작업 단부의 분지(16)의 저부(17)의 외표면으로 및/또는 노의 작업 단부의 분지(16)의 측벽으로, 가능하게는 용융 유리(8)의 표면 위 또는 채널(1)의 천정부(5) 위로 유도된다. 도파관(11) 입구에는 절연층(2)이 구비될 수 있다. 상기 용융물에는 반사성 금속제 요소가 침지될 수 있다. 용융물이 있는 공간은 이 공간의 종축에 대해 수직한 방향으로 정방형, 장방형, 원형 또는 타원형 단면을 갖는다.
전로, 내화 채널, 도파관, 마이크로파 방사선, 천정부, 절연층

Description

용융물의 균질화 방법 및 장치{Method and apparatus for homogenisation melt}
본 발명은 유전형(dielectric type)의 예를 들면 유리와 같은 용융물을 이 용융물내의 국부적인 농도 차이, 즉 비균질성을 제거 또는 최소화함으로써 균질화하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 이 방법을 실시하기 위한 장치에 관한 것이다.
예를 들어 유리와 같은 균질 용융물을 얻기 위해서는, 기포가 표면으로 올라와서 배쓰의 내용물을 혼합할 때 용융 유리에 가스 발생 원소를 삽입하는 전통적인 방법이 여전히 사용되고 있다.
오늘날의 균질화 방법은 회전 교반기(rotating stirrers)에 의한 기계적 교반이다. 완전히 층류적인 유동(laminar flow)에 있어서, 이는 코드(cords)의 신장만을 초래할 뿐이다. 기계적 회전 교반의 주요 단점은 교반기 작용이 코드가 위치하는 바닥까지 도달하지 못한다는 점이다. 교반기를 코드 레벨까지, 즉 바닥 위 1㎜까지 하강시키는 것은 불가능하다.
주로 용융 유리에서 용융물의 불균질도는 주로 코드로서, 즉 치수적으로 0.001 내지 1 ㎜ 두께의 얇은 층 또는 코드 형상의 용융물 부분으로서 존재하며, 이는 가시광선의 확산을 초래한다. 코드를 갖는 유리용융물은 상이한 화학적 조성을 가지며 따라서 하기의 상이한 물리적 특성들을 갖는다:
- 굴절율: 유리에서 코드를 볼 수 있고 이는 시각적으로 혼란스럽게 되어 빛의 확산을 증대시키고 따라서 스펙트럼 투과율을 저하시키며 유리의 휘도를 저하시킴,
- 열팽창: 이는 제품의 강도를 저하시킴,
- 점성 및 표면장력: 성형 공정에서 역효과를 갖는 이들 특성을 통해서 코드 저감에 영향을 줌,
- 코드는 대개 높은 비중을 갖는바, 바닥에 집중되어 그곳에 두꺼운 코드를 생성하며 이는 특히 완제품에 있어서 위험하다.
체코 특허 제 289191호 및 289193호에는, 탄화물, 붕소화물 또는 질화물중에서 선택되는 불활성 첨가물(inert additive)이 유리 재료 1 kg에 대해 5 내지 50 g의 양으로 유리 재료 혼합물에 첨가되고, 주파수가 2450 MHz 인 마이크로파 방사를 이용하여 용융시키는 방식의 마이크로파 가열이 개시되어 있다. 이 장치는 하나 이상의 발생기(generator)를 구비하는 마이크로파 노(microwave furnace)로 구성된다. 이는 마이크로파 에너지 가열을 사용하여 유리 배쓰(glass bath)의 저온 상태로부터 유리 재료를 용융시키는 현대적 방법이다.
유리를 용융하기 위해서는 추가적인 작용물로서, 첨가물이 사용될 필요가 있다.
본 발명의 목적은 용융 영역에서보다 높은 용융 점성을 갖는 이미 용융된 유 리를 첨가물 없이 균질화하는 것이다.
상기의 목적은, 전로(前爐:forehearth)의 내화(refractory) 채널 (channel)(1)의 공간에서, 가능하게는 용융물의 점성이 항상 용융 영역(melting area)에서보다 높은 노(furnace)의 작업 단부(working end)의 내화 분지(basin)에서, 용융물을, 바람직하게는 유리를, 균질화하는 본 발명에 따른 신규한 방법에 의해 달성될 것인데, 본 발명은, 점성이 104 내지 101 Pa·s(파스칼·초) 범위이며 정지상태(stationary state)이거나 또는 유동상태(flowing state)인 유전성 용융물(dielectric melt)에, 0.1 내지 20 GHz 주파수의 마이크로파를 임의의 방향으로부터, 즉 용융물 함유 공간의 상부, 하부 또는 측부로부터, 또는 이들의 조합된 방향으로부터 적용시키는 것을 기초로 하고 있다.
상기 신규한 용융물 균질화 방법의 주요 장점은 균질화하기에 어려운 저부에 있는 용융물 또는 매우 고점성의 용융물을 균질화할 수 있다는 것이다.
마이크로파 방사 도파관 출구가 배치되는 용융물 함유 공간의 외부가 냉각될 때, 내화 벽돌 유전율(permitivity)에 대한 용융물 유전율의 바람직한 높은 비율이 달성된다.
용융물 내부에서 및 또한 용융물 외부에서의 마이크로파 방사선은 용융물내의 반사성 금속 요소에 의해 반사되어 다시 용융물내로의 입구 위치로 향할 수 있으며, 이는 불균질화 용융물이 대개 배치되는 용융물의 저부에서의 흡수된 에너지의 공유를 증대시키고, 상기 용융물의 상부는 잉여 에너지에 의해 필요없이 과열되 지는 않는다.
용융물에 대한 마이크로파 필드(field)를 집중시키고 마이크로파 방사선이 주위로 새나가는 것을 방지하는 목적을 지닌 차단 금속제 요소(shielding metallic element)에 의해, 용융물 내부 및 외부의 마이크로파 방사선은 주위로부터 차단되어 진다.
이미 용융된 재료를 균질화하는 상기 신규 방법의 실시는 본 발명에 따른 장치에 의해 이루어지는데, 이 장치의 주 원리는, 한 개 이상의 마이크로파 방사선 소스의 도파관 출구가 임의의 방향에서 용융물의 외면으로 유도되는 것에 있다. 예를 들면, 전로의 내화 채널 또는 작업 단부의 분지에서, 점성이 104 내지 101 Pa·s 범위인 용융물이 함유된 공간의 저부(bottom) 및/또는 측벽(sidewall)으로 유도되고, 및/또는 용융물 표면 위에서 점성이 104 내지 101 Pa·s 범위인 용융물이 함유된 공간으로 유도되는 것에 있다. 한 개 이상의 도파관은 전로 채널 저부의 외표면으로 유도될 수 있으며, 가능하게는, 전로 채널 금속제 케이싱의 외표면으로, 또는 작업 단부의 측부 전로 벽으로, 또는 용융물의 표면 위 또는 커버링 혹은 천정판(roof plate) 위에 배치되어 용융물의 상부로부터 유도될 수 있다.
본 설계의 주요 장점은, 공급되는 마이크로파 에너지가, 낮은 유전율을 갖고 이러한 투과의 효율을 저하시키는 요소가 방해받지 않는 환경에서, 가장 직접적인 방식으로 용융물로 향하는 것이다.
예를 들어 냉각 공기와 같은 냉각 요소가 도파관 출구의 장소로 용융물이 있는 공간으로 도입되면, 내화벽의 온도가 저하되고 따라서 또한 그 유전율 및 용융물과 벽 유전율의 비율이 증가되는 바, 이는 벽에서 손실되는 에너지에 대한 용융 물내의 에너지의 비율을 증가시킨다.
도파관 출구의 장소에 적절한 절연층이 배치되면, 냉각에 민감한 세라믹 재료도 사용할 수 있다.
마이크로파 에너지를 용융물의 저부로 반사 및 집중시키고 따라서 용융물의 저부에서의 에너지 집중을 증가시키는 예를 들어 몰리브덴 로드와 같은 차단 반사성 금속 요소는 용융물이 있는 공간에 편리한 배치로 조립된다.
내화 전로 또는 작업 단부의 분지의 금속제 케이싱은 실드의 부분으로서 작용한다.
본 발명은 첨부하는 개략적 도면들에서 명확해지는 예들에 상세히 기재되어 있다.
도 1은 용융물과, 저부로부터 장착되는 마이크로파 에너지 소스를 갖는 전로 채널의 수직 단면도.
도 2는 용융물과, 저부 및 상부로부터 장착되는 마이크로파 에너지 소스들을 갖는 전로 채널의 수직 단면도.
도 3은 용융물과, 분지의 저부 및 측부로부터 장착되는 마이크로파 에너지 소스들을 갖는 작업 단부의 수직 단면도.
실시예 1 (도 1)
전로의 내화 채널(1)은 이 채널의 종축에 대해 수직한 단면에서 사각형 단면을 갖는다. 예를 들어 유리 용융물(8)과 같은 유전성 용융물이 상기 채널(1)을 통해서 유동한다. 상기 채널(1)은 스틸 케이싱(3)에서 열 절연체(2)에 의해 둘러싸인다. 상기 채널(1)은 유리 용융물(8) 위에서 전기 저항 요소(4)에 의해 또는 동일 위치에 있는 도시되지 않은 버너에 의해 가열된다. 상기 채널(1)은 상부 절연체(6)에 의해 덮이는 천정부(roof)(5)에 의해 상기 용융 유리(8)의 표면 위에서 커버된다. 유리의 표면은 침지되는 표면 플레이트(19)에 의해 커버된다. 상기 채널(1)의 상부 구조는, 채널(1)내의 금속제 케이싱(3)과 연결되는 차단 금속 시트(7)에 의해 커버된다. 예를 들어 몰리브덴과 같은 금속제 로드(9)가 상기 용융 유리(8)에 침지된다. 상기 채널(1)의 저부에 배치된 도파관(11)에 의해 마이크로파 방사선 소스(10)로부터 용융 유리(8)내로 마이크로파 필드가 도입되어, 금속제 케이싱(3)의 개구와, 저부 절연체(2)를 통과하여 상기 채널(1)의 저부(13)의 외표면으로 이동된다.
상기 용융 유리(8)는 104 내지 101 Pa·s 범위의 점성을 가지며, 0.1 내지 20 GHz 주파수의 마이크로파 방사선에 노출된다. 상기 용융물은 예를 들면 전로의 채널(1)에서 104 Pa·s까지의 점성을 갖는 붕규산 유리이며, 2.45 GHz 까지의 주파수를 갖는 방사선에 노출된다.
2.45 GHz 주파수의 마이크로파는 상기 도파관(11)으로부터 상기 전로의 채널(1)로 진입된다. 도파관(11) 및 상기 도파관(11)이 위치한 채널(1)의 절연되지 않은 저부(bottom)는 공기에 의해 냉각된다. 따라서, 용융 유리(8)의 유전율에 대한 전로의 채널(1)의 내화 재료의 유전율의 비율이 충분히 낮게 유지된다. 이것이 에너지의 대부분이 용융 유리(8) 내로 들어가는 이유이다. 이 에너지는 저부(13)를 통해서 채널(1)에 진입된다. 유해한 코드(cord)의 소스인 무거운 부식성 용융물(12)은 저부에 축적되는데, 이는 가열시에 우선권을 갖게 되고, 따라서 코드와 기초 용융 유리(8)간의 온도 차이의 상승을 초래하며, 이는 코드의 점성을 저하시키는 바, 코드는 대류 유동 및 확산에 의해 유리내로 보다 쉽게 교반된다. 또한 용융 유리(8) 내에 설치되는 금속제 로드(rod)(9)가 이러한 과열을 도와주는데, 상기 로드는 마이크로파 에너지를 채널(1)의 저부(13)로 되반사시켜 준다. 이는 다시 코드에 흡수된 에너지와 기초 용융 유리(8)(basic moten glass)에 흡수된 에너지의 비율을 향상시켜 주어서, 마이크로파 소스(10)의 파워 출력을 높게 사용할 필요가 없게 된다. 차단 시트(shielding sheet)(7)의 위치는 공진 공간(resonance space)의 크기를 변화시키고 따라서 안티노드 루프(antinode loops) 및 마디 지점(nodal points)의 위치를 변화시킨다. 마찬가지로 저항 가열 요소(resistance heating element)(4)의 위치는 용융 유리(8)로의 마이크로파의 반사에 대해 영향을 미치며, 따라서 용융물에서의 온도 필드 형상 및 필요한 입력 파워(power input)에도 영향을 미친다. 수평 가열 요소(4)가 충분히 가깝게, 즉 사용되는 방사선 파장의 1/4 미만의 간격으로 감기면, 반사는 거의 완전하게 된다
폐기되는 열의 양은 마이크로파 방사선의 소스에서 측정될 수 있으며, 이 양에 따라 상부 반사성 금속제 요소의 최적 높이는, 마이크로파 방사선 소스상의 폐기되는 열의 양이 최소화되도록, 용융물의 표면의 레벨과, 용융물을 갖는 공간의 외측 벽에 대한 도파관 출구의 거리에 대해 셋업될 수 있다.
용융물, 예를 들면 용융 유리(8)의 균질화 개선과 관련하여, 전로의 채널(1)에서의 조건들을 시뮬레이팅하여, 후술하는 모델 측정이 이루어졌다. 마이크로파, 즉 주파수가 0.1 내지 15 GHz의 전자기 방사선은 낮은 전기 편파(electric polarization)의 유전율(permitivity) 및 자기 편파(magnetic polarization)의 도자성(permeability)을 지닌 물질을 통과한다. 유전율이 높은 물질에서 유전 가열이 발생하며, 이것이 밀폐된 반사 공간의 용융물에서 실행되면, 전기장의 다중 정재파(multiple standing waves)가 생성된다. 따라서 상기 공간에는 안티노드 루프(antinode loop)와 마디 지점들(nodal points)이 생성된다. 가장 빈번히 사용되는 주파수 2.45 GHz 를 사용할 때, 파장은 12.2 cm 가 된다. 이 동안에, 용융물에서는 다음의 이유로 불균질한 전기장이 생성된다.
- 차단 반사성 금속제 케이스로부터 반사에 의해 생성되는 정재파들로 인해( 간격 2 내지 4 cm 의 온도 피크가 생성됨)
- 흡수물(용융물)의 출발점으로부터 간격을 둔 흡수된 출력의 지수적 저하(exponential drop)으로 인해
- 불균질한 환경으로 인해(즉, 배쓰의 상이한 온도, 불균일한 화학적 조성으로 인해 모든 지점에서 유전율이 동일하지 않음)
- 반사성 금속제 또는 세라믹 전도체들로 인해(이들은 에너지를 다시 반사하며 따라서 그것과 벽 사이 공간에서 흡수가 몇 배 높다)
따라서, 용융물의 유전율 및 그것의 온도와의 관계를 아는 것이 중요하다. 고온의 용융물에서 유전율을 측정하는 것은 복잡하기 때문에, 계량된 용융물 샘플에서 흡수된 에너지를 측정하는 방법이 사용된다. 이는 보통 마주하는 일정 비열(constant specific heat) 조건 하에서 계량된 샘플의 온도 변화 속도와 동등하다. 이것이 마이크로파 노 내의 단지(pot)에서 붕규산 유리 용융 실험이 이루어지는 이유이다. 4% 매스(mass)의 Na2O 를 갖는 붕규산 유리 945g 을 660g 중량의 단지에서 1255℃까지 가열하고, 노의 일정 입력에서 0.92 K·sec-1 의 온도 상승을 안정화시킨 후, 기초 유리(basic glass)를 용융하고 부식 용융물(corrosion melt)(12)인 코드를 제공하는 제조 노(producing firnace)의 배출에 의해 얻어지는 14.7g의 유리가 상기 단지 내의 유리 속에 넣어진다. 이 부식 용융물(12)인 코드의 열팽창은 기초 용융 유리(8)의 열팽창보다 현저히 크다. 부식 용융물(12)의 유리 조각(glass cullet)의 최대 크기는 20 ㎜ 였다. 온도를 조절한 후, 즉 10분 후에, 일정한 파워 입력 및 열손실 상태에서, 25분 동안 1.32 K·min-1의 온도 상승이 판독되었다. 이후 15분 동안에, 온도가 1450℃까지 상승하여 점성이 310 Pa·s이 되고, 이값으로 30분 동안 유지되었다. 단지를 냉각시킨 후, 유리에서는, 심지어 편광된 광(polarized light)에서도 코드가 전혀 발견되지 않았다.
실시예 2 (도 2)
전로(forehearth)의 내화 채널(1)이 냉각될 수 없는 경우에는, 도 2에 따라 도파관들(wave guides)을 배치하는 것이 편리하다. 즉 하나의 도파관(11)은 금속제 케이싱(3)의 저부(bottom)(14)에 배치되고 하나의 도파관(11)은 용융 유리(8)의 표면 상부에 배치된다. 가능하게는 저부 도파관(11)이 고정부(anchoring)(15) 아래에서 금속제 케이싱(3)의 저부(14)를 통과할 수도 있다. 상부 도파관(11)은 상부 차단판(top shielding plate)(7)과, 상부 절연체(top insulation)(6) 및 천정부(roof)(5)를 통과한다. 이러한 설계는, 전로의 내화 채널(1)이 매우 낮은 유전율을 갖는 예를 들면 Al2O3 또는 SiO2 를 함유하는 재료로 제조되는 경우에 적합하다. 도 2에도 나타나 있듯이 마이크로파 에너지를 상부로부터 도입하는 것은 주로 가열을 위해 가스 버너(23)를 사용할 때 편리하다.
실시예 3 (도 3)
용융 유리(8)는 노의 용융 영역으로부터 목부(throat)(21)를 통해 노의 작업 단부로 진입하고 추가적인 처리를 위해 출구(22)를 통해서 전로의 내화 채널(1)내로 배출된다.
도파관(11)들은, 용융 유리(8)를 함유하고 있는 작업 단부(working end)의 분지(basin)(16)의 내화 벽들의 외표면에 배치된다. 상기 분지(16)는 이전의 전로 채널(1)에 비해서 보다 큰 깊이 및 폭을 갖는다. 상기 분지(16)는 그 종축에 수직한 단면에서 사각형 단면을 갖는다. 다량의 부식성 용융물(12)이 작업 단부의 분지(16)의 저부(17)에 축적되는데, 이것들은 분지(16) 내에서 기초 용융 유리(8)와 균질화되어야 한다. 상기 도파관(11)들은 작업 단부의 분지(16)의 저부(17)에 배치되고 분지(16)의 측벽(18)에도 배치된다. 분지(16)내의 부식성 용융물(12)에 대한 마이크로파 필드(field) 효과 및 절연체(20)를 갖는 것의 장점은 고온과 그로 인한 유리의 높은 유전율(permitivity)이다. 노의 작업 단부의 분지(16)의 큰 치수와 관련해서, 보다 강력한 마이크로파 필드를 사용하는 것이 편리하며, 따라서 보다 많은 수의 도파관(11)을 사용하는 것이 편리하다. 이 경우에 금속 케이싱(3)은 공진 공간(resonating space)의 경계로서 이용된다.
이 해결책은 주로 작업 단부의 분지(16) 폭이 큰 경우, 또는 용융물의 유전율이 낮은 경우를 위해 의도된 것이며, 2.45 GHz 미만의 주파수, 예를 들면 0.915 GHz, 가능하게는 0.895 GHz의 마이크로파 필드 주파수를 사용하는 것이 적합하다.
또한, 도 3에 따른 설계는 점성이 10 내지 100 Pa·s 범위인 용융 유리(8)에 대해 적합한데, 이는 점성이 현저히 낮은 상태이고 따라서 온도가 보다 높은 상태이다. 또한 이 설계는 연속적으로뿐 아니라 비연속적으로도 작동될 수 있다.
상기 설계는 상기 분지(16) 대신에 그 높이가 폭보다 큰 장방형 단면의 비도시된 수직 상승 채널이 사용되는 방식으로 적용될 수도 있다. 이 경우에 마이크로파 필드는 용융 중에, 예를 들면 용융 유리가 상승하는 도중에 부식성 용융물(12)의 코드가 채널의 저부로 분리되는 것을 방지한다.
물론, 본 발명의 여러가지 다양한 수정예 및 변경예들이 가능하며, 본 발명은 상기 실시예들에 개시된 것과 다른 방식으로도 사용될 수 있음은 명백하다.
상기 해결책은 이미 용융된 재료, 주로 용융 유리(8)를 유리 피더(feeder) 및 노의 작업 단부에서 화학적으로 균질화, 가능하다면 열적으로 균질화하는 것을 의도하고 있다. 이들 용융물은 또한 열가소성 무기 재료로 이루어진 용융물이 될 수 있다.

Claims (11)

  1. 전로(forehearth)의 내화 채널(refractory channel)(1)에서, 또는 노(furnace)의 작업 단부(working end)의 분지(basin)(16)에서, 이미 용융된 유전체의 용융물(dielecric melt)을 균질화하는(homogenizing) 방법에 있어서,
    한 개 이상의 도파관(waveguide)(11)으로부터 0.1 내지 20 GHz 주파수의 마이크로파 방사선(microwave radiation)을 임의의 방향으로부터, 점성이 104 내지 101 Pa·s 범위이며, 정지상태(stationary state) 또는 유동상태(flowing state)인 용융물로 도입하고, 차단 금속제 요소(shielding metallic element)를 이용하여 상기 마이크로파 방사선을 주위로부터 차단하는 것을 특징으로 하는 균질화 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 마이크로파가 방사되는 상기 도파관(11)의 출구가 있는 곳에서, 상기 용융물의 외부를 냉각시키는 것을 특징으로 하는 균질화 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 용융물 내의 마이크로파 방사선을 용융물 내의 반사성 금속제 요소(reflective metallic elements)를 이용하여, 상기 용융물 내로 들어오는 입구 위치로 다시 반사시키는 것을 특징으로 하는 균질화 방법.
  4. 삭제
  5. 이미 용융된 재료의 추가적인 처리를 위해, 전로의 내화 채널(1)에서 또는 노(furnace) 작업 단부(working end)의 내화 분지(refractory basin)(16)에서 균질화하기 위한, 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 방법을 실시하기 위한 장치에 있어서,
    한 개 이상의 마이크로파 방사선 소스(source)(10)의 도파관(waveguide)(11)의 출구(outlet)가 용융물의 외면(outside surface)에 대해 임의의 방향에서, 점성이 104 내지 101 Pa·s 범위인 용융물이 있는 공간 내로 향해 있는 것을 특징으로 하는 균질화 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 한 개 이상의 도파관(11)은 상기 전로(forehearth)의 채널(channel)(1) 저부(bottom)(13)의 외표면 또는 상기 전로의 금속제 케이싱(3) 저부(14)의 외표면으로 유도되어 있는 것을 특징으로 하는 균질화 장치.
  7. 제 5 항에 있어서, 한 개 이상의 도파관(11)이 노(furnace)의 작업 단부(working end)의 분지(basin)(16) 저부(bottom)(17)의 외표면으로 유도되거나, 또는 노의 작업 단부의 분지(16) 측벽(sidewalls)으로 유도되는 것을 특징으로 하는 균질화 장치.
  8. 제 5 항에 있어서, 한 개 이상의 도파관(11)이 용융 유리(8)의 표면 위 또는 채널(1)의 천정부(5) 위에서 유도되는 것을 특징으로 하는 균질화 장치.
  9. 제 5 항에 있어서, 상기 도파관(11)의 출구는 절연체(insulation)(2)에 의해단열되어 있는 것을 특징으로 하는 균질화 장치.
  10. 제 5 항에 있어서, 반사성 금속제 요소들(reflective metallic elements)이 용융물이 있는 공간에 침지되어 있는 것을 특징으로 하는 균질화 장치.
  11. 제 5 항에 있어서, 용융물이 있는 공간이, 이 공간의 종축(longitudinal axis)에 대해 수직한 방향으로 정방형, 장방형, 원형 또는 타원형의 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 균질화 장치.
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