KR100940262B1 - 블랭크 마스크 및 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

투명한 석영 기판 상에 형성된 마스크층, 및 마스크층 표면에 도포되어 마스크층 표면에 잔존하는 잔류 오염원을 흡착하고 마스크층 표면을 외부 오염원으로부터 보호하는 나노(nano) 크기의 나노 무기질-고분자 복합체층을 포함하는 블랭크 마스크를 제시한다. 이때, 나노 무기질-고분자 복합체층은 나노 클레이(nano clay)의 판상층 간에 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF)가 삽입된 나노 클레이-고분자 복합체를 포함할 수 있다. 이러한 복합체층을 제거함으로써 마스크층 표면을 외부 오염원을 제거할 수 있다.
블랭크 마스크, 파티클, 나노 클레이

Description

블랭크 마스크 및 제조 방법{Blank mask and manufacturing method for the same}
도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 블랭크 마스크를 설명하기 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 4 내지 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 블랭크 마스크의 나노 클레이 고분자 복합체층을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면들이다.
본 발명은 반도체 소자 제조에 관한 것으로, 특히, 블랭크(blank) 마스크 및 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 위한 패턴을 웨이퍼 상으로 전사하는 과정에 마스크(mask)가 이용되고 있다. 마스크는 투명한 기판 상에 전사할 패턴의 레이아웃(layout)을 가지는 마스크 패턴을 형성하여 제작되고 있다. 이러한 마스크는 투명한 기판 상에 마스크 패턴을 위한 층이 형성된 블랭크 마스크에 마스크 패턴을 위한 패터닝 과정을 수행하여 제작되고 있다. 블랭크 마스크는 마스크층의 패터닝 이전까지 결함이 실질적으로 발생되지 않은 상태로 유지되는 것이 바람직하다.
그런데, 블랭크 마스크에 대한 보관 포장(packing)이 이루어지고 있지만, 블랭크 마스크 표면에 이물질이 발생되거나 흡착되어 후속 공정에서 결함으로 나타나는 경우가 많이 발생되고 있다. 이러한 결함 발생을 억제하기 위해서, 블랭크 마스크 상에 패터닝 공정 등을 수행하기 이전에 사전 검사 및 이물 검출 시 이물을 제거하기 위한 세정을 수행하고 있다. 그런데, 이러한 검사 및 세정 과정의 도입에 따라 공정 시간의 소모가 커져 전체 마스크 제작 생산성의 저하가 유발되고 있다. 또한, 마스크 제작 후 검사 과정에서 결함이 발생할 경우, 고가의 마스크가 폐기 처리되고 있으므로, 초기 블랭크 마스크에서의 이물질 또는 파티클(particle)을 억제하는 것이 상당히 중요시되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 블랭크 마스크 표면에 이물질이 흡착되어 후속 마스크 제작 과정에서 결함이 발생되는 것을 억제할 수 있는 블랭크 마스크 구조 및 제조 방법을 제시하는 데 있다.
상기의 기술적 과제를 위한 본 발명의 일 관점은, 투명한 석영 기판, 상기 기판 상에 형성된 마스크층, 및 상기 마스크층 표면에 도포되어 상기 마스크층 표면에 잔존하는 잔류 오염원을 흡착하고 상기 마스크층 표면을 외부 오염원으로부터 보호하는 나노(nano) 크기의 나노 무기질-고분자 복합체층을 포함하는 블랭크 마스크를 제시한다.
상기 나노 무기질-고분자 복합체층은 나노 클레이(nano clay)의 판상층 간에 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF)가 삽입된 나노 클레이-고분자 복합체를 포함할 수 있다. 또는, 상기 나노 무기질-고분자 복합체층은 상기 나노 클레이(nano clay)가 상기 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF) 함량에 대해 많아야 5 중량(wt)% 이내로 함유될 수 있다.
본 발명의 다른 일 관점은, 고분자를 극성 용매에 용해시켜 고분자 용액을 준비하는 단계, 나노(nano) 크기의 나노 무기질을 극성 용매에 분산시켜 나노 무기질 분산 용액을 준비하는 단계, 상기 고분자 용액에 상기 나노 무기질 분산 용액을 혼합하여 나노 무기질-고분자 복합체 용액을 형성하는 단계, 및 상기 나노 무기질-고분자 복합체 용액을 투명한 석영 기판 상에 형성된 마스크층 상에 도포하여, 상기 마스크층 표면에 잔존하는 잔류 오염원을 흡착하고 상기 마스크층 표면을 외부 오염원으로부터 보호하는 나노 무기질-고분자 복합체층을 형성하는 단계를 포함하는 블랭크 마스크 제조 방법을 제시한다.
상기 고분자 용액은 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF)를 디메틸포름아미드(DMF)에 용해시켜 형성되고, 상기 나노 무기질 분산 용액은 나노 클레이(nano clay)를 디메틸포름아미드(DMF)에 첨가하여 스터링(stirring)하여 분산하여 형성될 수 있다.
상기 나노 무기질-고분자 복합체 용액은, 상기 폴리비닐리덴플루오라이드 용액에 상기 나노 클레이가 분산된 분산 용액을 혼합하는 단계, 상기 혼합 용액을 스터링(stirring)하는 단계, 및 상기 혼합 용액에 초음파를 인가하는 단계를 포함하여 형성될 수 있다.
상기 기판 및 상기 마스크층을 진공 챔버(chamber)에서 100℃ 이하 상온보다 높은 온도로 가열하여 상기 나노 무기질-고분자 복합체층을 들뜨게 하여 제거하는 단계를 더 포함하는 블랭크 마스크 제조 방법을 제시할 수 있다.
본 발명에 따르면, 블랭크 마스크 표면에 이물질이 흡착되어 후속 마스크 제작 과정에서 결함이 발생되는 것을 억제할 수 있는 블랭크 마스크 구조 및 제조 방법을 제시할 수 있다.
본 발명의 실시예에서는, 블랭크 마스크 표면에 나노 클레이(nano clay)-고분자 복합체의 층을 도포하여, 외부 환경으로부터 기인될 수 있는 오염 요인을 차단하도록 한 구조를 제시한다. 나노 클레이-고분자 복합체의 층은 블랭크 마스크의 마스크층을 패터닝하는 공정 전에 블랭크 마스크 표면으로부터 제거되며, 이러한 제거 시에 블랭크 마스크 표면에 이미 존재하는 파티클과 같은 오염원을 흡착 제거할 수 있다. 따라서, 블랭크 마스크 표면에 발생 가능한 파티클 등의 오염원을 초기에 제거할 수 있어, 후속 공정에서의 공정 결함의 발생을 억제하고 마스크의 오염을 억제할 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 블랭크 마스크를 설명하기 개략적으로 도시한 단면도들이다. 도 4 내지 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 블랭크 마스크의 나노 클레이 고분자 복합체층을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면들이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 블랭크 마스크 구조는 석영(quartz)으로 이루어진 투명한 기판(110) 상에 후속 과정에서 마스크 패턴으로 패터닝될 마스크층(120, 130)이 형성된다. 마스크층(120, 130)은 형성하고자 하는 마스크 구조에 따라 달라질 수 있으며, 위상반전마스크(PSM: Phase Shift Mask)의 경우 위상반전층(120)으로 몰리브데늄실리콘질화물(MoSiN)의 층을 형성하고, 차광층(130)으로 크롬(Cr)층을 형성하여 마스크층을 구성할 수 있다.
이러한 구조의 블랭크 마스크의 표면, 예컨대, 차광층(130) 표면에, 도 2에 제시된 바와 같이, 나노 클레이-고분자 복합체층(200)을 도포한다. 나노 클레이-고분자 복합체층(200)은 외부 오염원(301)이 차광층(130) 표면에 흡착되는 것을 억제하고, 차광층(130) 표면에 존재할 수 있는 잔류 오염원(303)을 흡착하여 오염원(301, 303)들이 차광층(130) 표면에 잔류되거나 흡착되는 것을 억제한다.
나노 클레이-고분자 복합체층(200)은, 도 3에 제시된 바와 같이, 마스크층(120, 130)에 대한 패터닝 과정을 수행하기 이전에 표면으로부터 제거된다. 이때, 블랭크 마스크를 가열하여 온도를 상승시킴으로써, 나노 클레이-고분자 복합체층(200)의 접착력이 감소되는 점을 이용하여, 상대적으로 용이하게 제거될 수 있다. 나노 클레이-고분자 복합체층(200)이 제거됨에 따라, 나노 클레이-고분자 복합체층(200)에 흡착된 오염원(도 2의 300)들이 함께 제거되므로, 차광층(130)의 표면은 오염원(300)이 제거된 깨끗한 상태(clean surface)로 유지된다. 이에 따라, 차광층(130) 표면에 대한 별도의 오염원(300) 또는 이물질에 대한 사전 검사 및 이를 제거하기 위한 세정 과정이 바람직하게 생략될 수 있다.
본 발명의 실시예에서 도입되는 나노 클레이-고분자 복합체층(200)은 이물질 오염원(300)에 대한 흡착 능력뿐만 아니라 외부 환경에 대한 안정성, 예컨대, 내열 성, 내변형성 및 수분(H2O)에 대한 안정성 등을 고려하여 도입된다. 도 4에 제시된 바와 같이, 나노 클레이-고분자 복합체층(200)에 지지체로 함유된 고분자(polymer: 210)는, 상대적으로 높은 결정화도를 가져 열적, 기계적 성질이 상대적으로 우수하고, 소수성(hydrophobic)이 상대적으로 강하여 대기 중에 노출되어도 대기 중의 수분에 대해 안정한 상태를 유지할 수 있는 고분자 물질이 바람직하다. 본 발명의 실시예에서는 이러한 특성을 가지는 것으로 실험 결과 판단되는, 도 5에 제시된 화학식으로 대표되는, 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF: poly(vinylidene fluoride))를 고분자(도 4의 210)로 제시한다.
한편, 오염원(도 2의 300)에 대한 흡착성을 구현하기 위해, 정전기적 인력(electrostatic attraction)이 상대적으로 우수한 실리카(SiO2), 티타니아(TiO2) 또는 바륨티타니아(BaTiO3) 또는 나노 클레이와 같은 나노 무기물을 포함하게 복합체를 구성할 수 있다. 나노 무기물은 나노 크기, 예컨대, 수 ㎚ 내지 수백 ㎚의 크기를 가지는 무기물일 수 있다. 이러한 나노 무기물들 중에 나노 클레이는 오염원에 대한 흡착력을 상대적으로 증가시킬 수 있으므로, 본 발명의 실시예에 따른 복합체를 구성하는 데 보다 바람직하다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 나노 클레이(230)는, 반데르발스 힘(van der Waals force)에 의해 수백 내지 수천 개의 판상층(231)으로 적층된 박편형의 구조로 알려져 있다. 나노 클레이(230) 종류에 따라 대략 100 내지 1000 정도의 형상비(aspect ratio)를 가지고 있으며, 각각의 판상층(231)은 음(-)전하(232) 및 이 온(ion) 치환에 의해 표면 개질이 가능한 Na+ 전하가 고르게 분포되어 있다. 이러한 Na+ 전하를 탄화수소(C-H) 사슬(chain)로 치환하게 되면, 사슬의 기본 구조(back bone)를 가지는 고분자와의 친화력을 증가시킬 수 있다.
이에 따라, 도 8에 제시된 바와 같이, 고분자(210)가 나노 클레이 판상층(231)들 사이에 상당히 고르게 삽입되게 되고, 고분자(210) 삽입에 따라 나노 클레이 판상층(231)들 사이의 층간 거리가, 도 9에 제시된 바와 같이, 더욱 멀어지게 된다. 따라서, 도 10에 제시된 바와 같이, 나노 클레이-고분자 복합체층(200) 내의 나노 클레이(230)의 분산이 더욱 용이하고 상당히 높은 분산도를 구현하게 이루어진다.
나노 클레이의 판상층(231)들이 고분자(210)의 삽입에 의해 보다 더 분산되므로, 외부 환경에 실질적으로 노출되는 나노 클레이(230)의 유효 표면적은 상대적으로 증가되게 된다. 이에 따라, 나노 클레이(230) 표면과 외부의 오염원(도 2의 300)과의 상호 작용이 보다 증가할 수 있어, 나노 클레이(230)에 의한 표면 흡착 능력이 보다 증가하게 된다. 즉, 나노 클레이(230)의 보다 균일한 분산이 가능하여 표면 전하를 가진 나노 클레이 판상층(231)의 유효 표면적이 증가하고, 이에 따라, 외부의 오염원(300) 또는 유기물과의 반응 확률이 증가되어 이들을 흡착하는 효과 또한 증가하게 된다.
본 발명의 실시예에 따른 나노 클레이-고분자 복합체층(도 2의 200)은, 먼저 나노 클레이-고분자 복합체의 용액을 제조한다. 먼저, 이때, 용매로 고분자인 PVDF 에 대한 용해력이 상대적으로 우수하고, 나노 클레이에 대한 분산에 유리한 극성 용매를 선정한다. 본 발명의 실시예에서는 용매로 극성 용매인 디메틸포름아미드(DMF: dimethyl formamide)를 이용한다. 먼저, PVDF를 DMF에 2시간 가량 용해시켜 균질한(homogeneous) PVDF 용액을 만든다. 또한, 대략 3중량(wt)%의 나노 클레이 분산 용액을 만든다. 예컨대, DMF(97g)에 나노 클레이(3g)를 첨가하여 48시간 동안 대략 40℃의 핫 플레이트(hot plate)에서 스터링(stirring)하며 분산시킨다.
이후에, PVDF 용액에, 나노 클레이 분산 용액을 섞는다. 이때, 고분자인 PVDF 함량 대비 대략 5wt% 정도 나노 클레이가 첨가되도록 한다. 이러한 혼합 과정은 대략 24 시간 동안 스터링하는 과정을 포함한다. 이때, 반응 플라스크를 초음파 욕조(ultrasonic bath)에 넣고, 수분동안 초음파에 의한 물리적 힘이 혼합 용액에 인가되도록 하여 PVDF 용액에 나노 클레이가 분산되도록 유도한다.
나노 클레이의 적층된 각 판상층(도 10의 231) 표면에 Na+ 이온과 치환된 탄화수소 유기물의 길이가 길수록 소수성이 강해지게 된다. 따라서, 소수성인 PVDF와의 친화력이 커지므로 PVDF의 판상층(231)간 삽입이 보다 용이하게 이루어져 고른 분산을 이룰 수 있게 된다. 이러한 분산 정도의 확인은 X선 회절 분석 장비(XRD)나 투과전자현미경(TEM) 장비로 확인할 수 있다. 나노 클레이는 구조적 특성상 그 함량이 증가할수록 분산정도는 감소하게 되고, 따라서, 주변 오염물이나 파티클에 대한 흡착을 위한 표면의 정전기적 효과는 오히려 감소될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에서는 PVDF 함량 대비 5wt% 정도나 그 이하로 나노 클레이를 분산시킨 다.
이와 같이 제조된 나노 클레이-고분자 복합체의 용액을 스핀 코팅(spin coating) 장비를 이용하여 블랭크 마스크의 표면, 예컨대, 차광층(도 2의 130)의 표면에 도포한다. 이때, 도포에 의해 형성되는 나노 클레이-고분자 복합체층(도 2의 200)은 대략 200㎚ 정도 두께로 형성될 수 있다. 이와 같이 형성된 나노 클레이-고분자 복합체층(200)은 진공 챔버(chamber) 내에서 대략 100℃ 이하의 상온 보다 높은 온도로 가열할 경우, 나노 클레이-고분자 복합체층(200)이 도 3에 제시된 바와 같이 들뜨게 된다. 이에 따라, 나노 클레이-고분자 복합체층(200)을 마스크 표면으로부터 깨끗하게 벗겨낼 수 있게 된다.
상술한 본 발명에 따르면, 블랭크 마스크에 나노 무기물-고분자 복합체층을 도포하여, 외부 환경으로부터 기인될 수 있는 오염들을 억제시킬 수 있다. 나노 무기질-고분자 복합체층은 이물질에 대한 흡착력을 가진 나노 무기 물질, 예컨대, 나노 클레이를 포함하고 있어, 실질적인 마스크 패터닝 공정 전에 블랭크 마스크가 가질 수 있는 결함 또는 오염물을 제거할 수 있다. 이에 따라, 초기 발생 이물질 또는 오염원로 인한 추가적인 세정 및 오염 검사 단계를 생략할 수 있다. 또한, 이물질에 의한 오염에 따른 후속 패터닝 공정에서의 결함 유발을 억제하여 마스크 제작 후 결함에 의한 폐기를 감소시킬 수 있다.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.

Claims (7)

  1. 투명한 석영 기판;
    상기 기판 상에 형성된 마스크층; 및
    상기 마스크층 표면에 도포되어 상기 마스크층 표면에 잔존하는 잔류 오염원을 흡착하고 상기 마스크층 표면을 외부 오염원으로부터 보호하는 나노(nano) 크기의 나노 무기질-고분자 복합체층을 포함하는 블랭크 마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 나노 무기질-고분자 복합체층은
    나노 클레이(nano clay)의 판상층 간에 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF)가 삽입된 나노 클레이-고분자 복합체를 포함하는 블랭크 마스크.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 나노 무기질-고분자 복합체층은
    상기 나노 클레이(nano clay)가 상기 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF) 함량에 대해 5 중량(Wt)% 이내로 함유된 블랭크 마스크.
  4. 고분자를 극성 용매에 용해시켜 고분자 용액을 준비하는 단계;
    나노(nano) 크기의 나노 무기질을 극성 용매에 분산시켜 나노 무기질 분산 용액을 준비하는 단계;
    상기 고분자 용액에 상기 나노 무기질 분산 용액을 혼합하여 나노 무기질-고분자 복합체 용액을 형성하는 단계; 및
    상기 나노 무기질-고분자 복합체 용액을 투명한 석영 기판 상에 형성된 마스크층 상에 도포하여, 상기 마스크층 표면에 잔존하는 잔류 오염원을 흡착하고 상기 마스크층 표면을 외부 오염원으로부터 보호하는 나노 무기질-고분자 복합체층을 형성하는 단계를 포함하는 블랭크 마스크 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 고분자 용액은 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF)를 디메틸포름아미드(DMF)에 용해시켜 형성되고,
    상기 나노 무기질 분산 용액은 나노 클레이(nano clay)를 디메틸포름아미드(DMF)에 첨가하여 스터링(stirring)하여 분산하여 형성되는 블랭크 마스크 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 나노 무기질-고분자 복합체 용액은
    상기 폴리비닐리덴플루오라이드 용액에 상기 나노 클레이가 분산된 분산 용액을 혼합하는 단계;
    상기 혼합 용액을 스터링(stirring)하는 단계; 및
    상기 혼합 용액에 초음파를 인가하는 단계를 포함하여 형성되는 블랭크 마스크 제조 방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 기판 및 상기 마스크층을 진공 챔버(chamber)에서 100℃ 이하 상온보다 높은 온도로 가열하여 상기 나노 무기질-고분자 복합체층을 들뜨게 하여 제거하는 단계를 더 포함하는 블랭크 마스크 제조 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8173331B2 (en) * 2009-01-09 2012-05-08 International Business Machines Corporation Method and apparatus for sub-pellicle defect reduction on photomasks

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050123264A (ko) * 2004-06-24 2005-12-29 한국화학연구원 무기 아세테이트의 열분해에 의한 무기나노입자/폴리머복합체의 제조방법
KR20060069602A (ko) * 2004-12-17 2006-06-21 주식회사 하이닉스반도체 포토 마스크의 오염 방지구조
WO2006105273A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-05 Cryovac, Inc. Polyvinylidene chloride layered silicate nanocomposite and film made therefrom

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7217754B2 (en) * 1997-02-26 2007-05-15 Integument Technologies, Inc. Polymer composites and methods for making and using same
US20010044077A1 (en) * 1999-04-16 2001-11-22 Zoilo Chen Ho Tan Stabilization of chemically amplified resist coating
SI1581588T1 (sl) * 2003-01-08 2007-08-31 Sued Chemie Ag Sestavek na osnovi predeksofiliirane nanogline in njegova uporaba
US7094503B2 (en) * 2003-03-27 2006-08-22 Kodak Graphics Communications Canada Company Nanopastes for use as patterning compositions
KR100611682B1 (ko) * 2005-07-12 2006-08-14 한국과학기술연구원 은 나노 입자/고분자 나노 복합체를 이용한 올레핀/파라핀분리용 나노 복합 분리막 및 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050123264A (ko) * 2004-06-24 2005-12-29 한국화학연구원 무기 아세테이트의 열분해에 의한 무기나노입자/폴리머복합체의 제조방법
KR20060069602A (ko) * 2004-12-17 2006-06-21 주식회사 하이닉스반도체 포토 마스크의 오염 방지구조
WO2006105273A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-05 Cryovac, Inc. Polyvinylidene chloride layered silicate nanocomposite and film made therefrom

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