KR100938220B1 - 방사 다이버시티를 갖는 신호를 수신 및/또는 방사하기 위한 디바이스 - Google Patents

방사 다이버시티를 갖는 신호를 수신 및/또는 방사하기 위한 디바이스 Download PDF

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KR100938220B1
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Abstract

본 발명은, 슬롯 안테나 타입(10, 11)의 전자기파를 수신 및/또는 방사하기 위한 적어도 두 개의 수단과, 상기 수신 및/또는 방사 수단을 신호를 이용하기 위한 수단에 연결하기 위한 수단을 포함하며, 여기서 전자기파를 수신 및/또는 방사하기 위한 상기 수단은 어느 한 점에 대하여 대칭이며, 그리고 상기 연결 수단은 슬롯 안테나의 슬롯에 전자기적으로 연결된 공급 라인(12, 13)으로 구성되며, 상기 공급 라인은, 한쪽에서는 대칭 점을 통과하는 평면 내에 있는 공통 공급 라인(14)에 연결되며, 다른 한쪽에서는 상기 라인 중 하나의 라인의 단부에서 단락 회로 또는 개방 회로가 시뮬레이트되게 해주고 그리고 다른 라인의 단부에서 개방 회로 또는 단락 회로가 시뮬레이트되게 해주는 전자 소자(15, 16)에 연결되는, 신호를 수신 및/또는 방사하기 위한 디바이스에 관한 것이다. 본 발명은 무선 네트워크에 적용가능하다.

Description

방사 다이버시티를 갖는 신호를 수신 및/또는 방사하기 위한 디바이스 {DEVICE FOR RECEIVING AND/OR EMITTING SIGNALS WITH RADIATION DIVERSITY}
도 1은 본 발명에 따른 공간 다이버시티를 갖는 방사/수신 디바이스의 평면도를 개략적으로 도시하는 도면.
도 2는 본 발명에 따른 방사/수신 디바이스의 제 1 실시예의 평면도를 개략적으로 도시하는 도면.
도 3은 도 2에 따른 디바이스를 시뮬레이트하는데 사용되는 실물모형(mockup)의 평면도.
도 3a, 도 3b, 및 도 3c는 3개의 안테나 동작 상태에 따라 도 3의 디바이스의 방사파를 도시하는 도면.
도 4는 본 발명에 따른 방사/수신 디바이스의 다른 실시예의 평면도를 개략적으로 도시하는 도면.
도 5 및 도 6은 원편광으로 동작할 수 있는 방식으로 두 개의 변형예를 개략적으로 도시하는 도면.
도 7은 코플레이너 기술을 사용하여 본 발명에 따른 방사/수신 디바이스의 다른 실시예의 평면도를 개략적으로 도시하는 도면.
도 8은 본 발명에 따른 방사/수신 디바이스의 또다른 실시예를 도시하는 평면도.
<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1, 2; 10, 11; 20, 21; 30, 31; 40, 41; 50, 51; 60, 61 : 안테나
3 : 스위치
4, 5; 12, 13; 22, 23; 32, 33; 42, 43; 52, 53; 62, 63 : 공급 라인
14, 24, 34, 44, 54, 64 : 공통 공급 라인
15, 16; 25, 26; 35, 36; 45, 46; 55, 56; 65, 66 : 다이오드
본 발명은, 방사 다이버시티(radiation diversity)를 갖는 전자기 신호를 수신 및/또는 방사하기 위한 디바이스에 관한 것이며, 상기 디바이스는 무선 송신 분야에, 특히 가정 환경, 체육관, 텔레비전 스튜디오, 극장, 등과 같은 밀폐된 또는 반밀폐된 환경에서 송신하는 상황에서 사용될 수 있다.
알려져 있는 고속 무선 송신 시스템에서, 방사체(emitter)에 의해 송신된 신호는 복수의 경로를 따라 수신기에 도달한다. 이 신호가 수신기에서 결합될 때, 서로다른 길이의 진행 경로를 가지는 서로다른 방사선 사이의 위상 차이에 의해 신호를 상당히 페이딩하거나 저하시킬 수 있는 간섭 패턴이 유발된다.
게다가, 페이딩의 위치는 사람의 움직임이나 새로운 물체의 존재와 같은 환 경에 대한 변경에 따라, 시간에 따라 변화된다. 다중 경로로 인한 페이딩은 시스템 성능 면과 수신 신호의 품질 면에서 상당한 저하를 유발할 수 있다. 이들 페이딩 현상과 싸우기 위해, 가장 흔히 사용되는 기술은 공간 다이버시티(spatial diversity)를 구현하는 기술이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 이러한 기술은, 특히, 공급 라인(4, 5)에 의해 스위치(3)에 연결된 슬롯 타입의 두 안테나(1, 2)와 같은, 넓은 공간 커버리지를 갖는 한 쌍의 안테나를 사용하는 것이다. 환형 슬롯(annular slot)으로 구성된 두 안테나(1, 2)는 λ0/2보다 더 크거나 이와 같아야 하는 거리만큼 떨어져 있는데, 여기서 λ0는 안테나의 동작 주파수에 대응하는 진공 중에서의 파장이다. 게다가, 공급 라인(4, 5)은 그 단부에서 kλm/4의 거리에 슬롯 안테나의 슬롯을 가로지르며(cut) 공급 라인(4, 5)은 k'λm/2와 같은 라인의 길이를 거쳐 스위치(3)에 연결되도록, 공급 라인(4, 5)의 길이가 정해지며(dimensioned), 여기서 λm은 λm = λ0 /
Figure 112002024342203-pat00001
의 중심 동작 주파수에서 라인에 의해 가이드되는 파장이며, 여기서 λ0는 진공 중에서의 파장이고,
Figure 112002024342203-pat00002
는 라인의 유효 유전율(effective permittivity)이며, k 및 k'는 정수이며 k는 홀수 정수이다.
슬롯 타입의 안테나는 패치 타입의 안테나로 교체될 수도 있다. 이 타입의 디바이스에 의하면, 두 안테나가 동시에 페이딩될 가능성이 매우 작은 것을 실증할 수 있다. 이 실증은 특히 닥터 카미로 페어(Dr Kamilo Feher)에 의한 "무선 디지털 통신(WIRELESS DIGITAL COMMUNICATIONS)", 제7장, "모바일 무선 라디오 시스템을 위한 다이버시티 기술(DIVERSITY TECHNIQUES FOR MOBILE WIRELESS RADIO SYSTEMS)"에 주어져 있는 설명으로부터 유래한다. 각 안테나에 의해 수신되는 레벨이 완전히 독립적이라는 가정 아래, 순전히 확률적 계산에 의해 이것을 실증할 수도 있다. 스위치(3)에 의해, 제어 회로(도시되지 않음)에 의해 수신되는 신호를 검사하여 최고 레벨을 가지는 안테나에 연결된 지선(branch)을 선택할 수 있다. 사실, 두 개의 안테나(1, 2)가 충분히 떨어져 있기 때문에, 두 개의 상관되지 않은 채널 응답(uncorrelated channel responses)이 얻어진다. 그리하여 두 개의 안테나 중 더 나은 안테나로 스위칭하여 페이딩 확률을 상당히 줄일 수 있다.
본 발명의 목적은 전술한 해법과 같은 공간 다이버시티를 사용하여 종래의 해법에 대한 대안적 해법을 제공하는 것이다.
그러므로 본 발명의 과제는, 슬롯 안테나 타입의 전자기파를 수신 및/또는 방사하기 위한 적어도 두 개의 수단과, 상기 수신 및/또는 방사 수단을 신호를 이용하기 위한 수단에 연결하기 위한 수단을 포함하며, 여기서 전자기파를 수신 및/또는 방사하기 위한 수단은 어느 한 점에 대하여 대칭이며, 그리고 상기 연결 수단은 슬롯 안테나의 슬롯에 전자기적으로 연결된 공급 라인으로 구성되며, 상기 공급 라인은 한쪽에서는 대칭점을 통과하는 면 내에 있는 공통 공급 라인에 연결되며, 다른 한쪽에서는 상기 라인 중 하나의 라인의 단부에서 단락 회로 또는 개방 회로가 시뮬레이트되게 해주고 그리고 다른 라인의 단부에서 개방 회로 또는 단락 회로 가 시뮬레이트되게 해주는 전자 소자에 연결되는 것을 특징으로 하는, 신호를 수신 및/또는 방사하기 위한 디바이스에 있다.
전술한 해법은 방사 다이버시티의 원리에 따라 동작하는 새로운 안테나 토폴로지를 제공한다. 이것은 서로 가까이 놓여 있는 전방향성 방사 요소를 스위칭하는 것에 기초하고 있다.
일 실시예에 따라, 슬롯 안테나 타입의 전자기파를 수신 및/또는 방사하기 위한 수단은 프린티드 또는 코플레이너 기술(printed or coplanar technology)에 의해 생성된 공진 슬롯으로 구성된다. 이 슬롯은 환형, 정사각형 또는 직사각형 형상을 가지며 또는 다이폴로 형성된다. 일 변형에 따라, 이 슬롯에는 원편광된 파가 방사되게 해주는 수단이 설치된다.
게다가, 본 발명에 따라, 만약 스위칭을 제공하는 전자 소자가 완전하다면, 즉, 만약 전자 소자가 완전한 단락 회로와 개방 회로를 가진다면, 상기 공급 라인에 전자기적으로 연결된 슬롯과 전자 소자 사이의 라인의 길이는 kλm/4의 중심 동작 주파수와 같으며, 여기서 λm = λ0 /
Figure 112002024342203-pat00003
이며, 여기서 λ0는 진공 중에서의 파장이며,
Figure 112002024342203-pat00004
는 라인의 유효 유전율이며, k는 홀수 정수이다. 만약 전자 소자가 완전하지 않으면, 라인의 길이는 기생 요소(parasitic elements)를 고려하여 매칭되게 하여야 한다.
바람직한 실시예에 따라, 전자 소자는, 다이오드, 전자 스위치, 트랜지스터, 또는 "Micro-ElectroMechanical System" 즉 MEM이라고 알려져 있는 마이크로 전자 기계 시스템(micro-electromechanical system)과 같은 임의의 스위칭 회로로 구성된다.
본 발명의 다른 특성과 이점은 첨부된 도면을 참조하여 이루어진, 여러 실시예에 관한 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명에 따라 방사 다이버시티를 갖는 전자기 신호를 수신 및/또는 방사하기 위한 제 1 실시예가 먼저 기술된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 프린티드 기술(printed technology)에 의해 생성된 신호를 수신 및/또는 방사하기 위한 이러한 디바이스는 환형 슬롯(10, 11)으로 형성된 슬롯 안테나 타입의 두 개의 요소로 구성되며, 이들 두 슬롯은 평면 P에 대하여 대칭이고 도시된 실시예의 점 P0에서의 코탄젠트(cotangent)이다.
본 발명에 따라, 방사 다이버시티를 얻기 위하여, 두 개의 환형 슬롯은 도시된 실시예에서와 같이, 중첩하도록 배열되거나, 또는 떨어져 있지만 서로 매우 가까이 놓여 있도록 배열된다. 바람직하게는, 슬롯 안테나 타입의 두 안테나 사이의 극단 거리는 2 ×λs /π와 같으며, 여기서 λs는 동작 주파수에서 슬롯 내에 가이드되는 파장이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 환형 슬롯 타입의 두 개의 안테나(10, 11)는 마이크로스트립 기술(microstrip technology)에 의해 생성된 공급 라인에 의해 공급된다. 종래에는, 이들이 kλm/4와 같아지도록 길이가 정해진 두 개의 마이크로스트립 라인(12, 13)에 의해 공급되는데, 여기서 λm = λ0 /
Figure 112002024342203-pat00005
이며 λ0는 중심 동작 주파수에서 진공 중에서의 파장이며,
Figure 112002024342203-pat00006
는 라인의 유효 유전율이며, k는 홀수 정수이다. 두 개의 마이크로스트립 라인(12, 13)은 두 개의 슬롯(10, 11)의 접촉 면(contact plane) P의 양 쪽에 위치되며, 슬롯의 내부로 뻗어있다. 이들 라인은 이 구조와 매칭되도록 길이가 한정된 공통 라인(14)에 의해 공급된다. 이 공급 라인(14)은 평면 P 상에 중심이 있으며 라인(12, 13)에 수직으로 배열된다. 공급 라인(14)은 다른 단부에서 요소(17)에 의해 부호화된(symbolized) 신호를 공급하고 이용하기 위한 수단에 연결된다. 이들 수단은 방사 및 수신 수단의 알려져 있는 방식으로 구성된다.
본 발명에 따라, 도 2에서 도시된 바와 같이, 마이크로스트립 라인/슬롯의 연결은 두 개의 공급 라인(12, 13)의 단부들에서 특정 방식으로 연결된 다이오드(15, 16)에 의해 제어된다. 이리하여, 다이오드(15)는 공급 라인(13)의 단부와 접지 사이에 역방향 바이어스(reverse bias)로 연결되는 반면, 다이오드(16)는 공급 라인의 단부와 접지 사이에 순방향 바이어스로 연결된다. 이러한 특정 타입의 다이오드 연결은, 두 개의 다이오드(15, 16)가 동일하고 바이어스 전압(V1)이 0보다 더 크다고 가정할 때 공급 라인(14)에 의해 제공되는 바이어스 전압에 따라 디바이스에 대한 3 가지의 동작 상태를 얻을 수 있게 해준다.
상태 1: 만약 바이어스 전압 v가 v>V1으로 되게 선택되면, 이 경우에, 다이오드(15)는 온(on)되는 반면, 다이오드(16)는 오프(off)된다. 그 결과, 환형 슬롯(11)은 유리하게(favoured manner) 여기(excited)되는 반면, 환형 슬롯(10)은 반사경으로서 보다 더 작용한다.
이 경우에, 도 3a에 도시된 바와 같은 방사 패턴이 얻어진다. 이 패턴은 환형 슬롯(11)에서 멀어지게 기울어져 있다.
상태 2: 바이어스 전압 v가 v<V1으로 되게 선택된다. 이 경우에, 다이오드(15)는 오프(off)되는 반면, 다이오드(16)는 온(on)된다. 상태 1과 대칭인 상황이 얻어진다. 그 결과, 환형 슬롯(10)은 여기되는 반면, 환형 슬롯(11)은 반사경으로서 작용한다. 그리하여 도 3b에 도시된 바와 같은 방사 패턴이 얻어지고 이 패턴은 슬롯(10)에서 멀어지게 기울어져 있다.
상태 3: 바이어스 전압이 0이다. 이 경우에, 두 개의 다이오드(15, 16)가 오프되며, 두 개의 환형 슬롯(10, 11)은 동시에 여기되며, 전기장은 반대 방향으로 평행하다. 그 결과 방사 패턴은 도 3c에 도시된 것이 된다.
도 3a 및 도 3b의 방사 패턴은 도 3에 도시된 바와 같은 실물모형(mockup)에 의해 얻은 것이다. 이 실물모형은 도 2에 도시된 타입의 방사 및/또는 수신 디바이스를 도시한다. 이 디바이스는 P0에서 코탄젠트인 두 개의 환형 슬롯(10, 11)을 포함한다. 환형 슬롯은 반경 R=6.5㎜이고 폭 Ws = 0.4㎜를 가진다. 이 환형 슬롯은 길이 Lm=5.75㎜와 폭 0.3㎜를 가지는 두 개의 동일한 공급 라인(12, 13)에 의해 공급된다. 이 공급 라인은, 길이 Lm'=3.6㎜와 폭 Wm'=0.3㎜를 가지며 그 다음에 매칭 길이 Lm''=7.5㎜와 폭 Wm''=0.25㎜를 가지는 공급 라인(14)과 점 P0에서 연결된다. 다이오드(15, 16)는 길이 h=3㎜와 d=1.5㎜의 금속성 직사각형 베이스 위에 라인 근처에 놓여 있는, 반경 r=0.4㎜의 두 개의 도금된 관통홀에 의해 접지에 연결된다. 이 실물모형에 대해 수행되는 테스트는 방사 다이버시티가 전술된 바와 같이 나타나게 한다.
이와 같이, 도 2에 도시된 바와 같은 디바이스에 의하면, 3개의 실질적으로 서로다른 방사 패턴 사이를 스위칭하는 것이 가능하게 된다. 그리하여 순서 3의 방사 다이버시티를 갖는 안테나(antenna with order 3 radiation diversity)가 얻어지며, 그 결과 무선 연결의 품질을 상당히 증가시킨다.
이러한 해법은 이 패턴을 제어하기 위한 MEM과 같은 유사한 스위칭 요소나 두 개의 다이오드의 사용만을 필요로 하여서 전체적으로 작은 크기를 갖는 안테나를 제공한다.
프린티드 기술을 사용하여 이루어진 본 발명에 따른 디바이스의 여러 실시예는 도 4 내지 도 6을 참조하여 이제 기술된다. 이리하여 도 4에 도시된 바와 같이, 슬롯 안테나 타입의 방사/수신 수단은 어느 한 점 P0에 대하여 대칭인 두 개의 정사각형 슬롯(20, 21)으로 구성된다.
본 발명에 따라, 두 개의 안테나(20, 21)는 점 P0에서 시작하여 정사각형 형상의 슬롯으로 구성된 안테나의 내부로 가며 알려진 방식으로 kλm/4와 같은 길이를 가지는 두 개의 공급 라인(22, 23)에 의해 공급되는데, 여기서 λm = λ0 /
Figure 112002024342203-pat00007
이며, λ0는 중심 동작 주파수에서의 진공 중의 파장이며,
Figure 112002024342203-pat00008
는 라인의 유효 유전율이며, k는 홀수 정수이다.
도 2의 실시예와 동일한 방식으로 배치된 다이오드(25, 26)는 각 공급 라인(23, 22)의 단부에 각각 제공된다. 즉, 다이오드(25)는 라인(23)의 단부와 접지 사이에 역방향 바이어스로 배치되는 반면, 다이오드(26)는 라인(22)의 단부와 접지 사이에 순방향 바이어스로 배치된다. 두 개의 공급 라인(22, 23)은 점 P0에서 공통 공급 라인(24)에 연결된다. 두 개의 공급 라인(23, 22)에 수직인 공급 라인(24)은 대칭 면 P' 내에 있으며, 방사/수신 회로(도시되지 않음)와 매칭되는 길이를 가진다.
본 발명에 따른 방사/수신 디바이스의 두 개의 다른 실시예는 도 5 및 도 6을 참조하여 이제 기술된다.
이 경우에, 슬롯 안테나 타입의 안테나는 원편광된 파가 방사되게 해준다. 도 5의 실시예에서, 안테나는 접촉 점(contact point)을 통과하는 평면에 대하여 대칭인 환형 슬롯(30, 31)으로 구성된다. 알려져 있는 방식으로, 원 편광을 만들기 위하여, 슬롯(30, 31)에는 대각선으로 마주보는 노치(30', 31')가 설치된다.
본 발명에 따라, 안테나(30, 31)는 도2의 공급 라인(12, 13, 14)과 동일한 특성을 가지는 공급 라인(32, 33, 34)에 의해 공급된다. 더구나, 공급 라인(32, 33)은 도 2의 실시예에 있는 다이오드(15, 16)와 동일한 방식으로, 공급 라인의 단부와 접지 사이에 배치된 다이오드(36, 35)에 연결된다. 결과적으로, 도 5의 디바 이스의 동작은 도 2의 디바이스의 동작과 동일하게 되며, 다이오드에 인가되는 바이어스 전압에 따라 3가지 상태가 얻어진다.
도 6은 원 편광을 가능하게 하는 안테나의 다른 실시예를 도시한다. 이 경우에, 이 안테나는 그 정점 중 하나 S에 대하여 대칭인 두 개의 직사각형 슬롯(40, 41)으로 구성된다. 본 발명에 따라, 안테나(40, 41)는 도 4의 실시예에서와 같이 마이크로스트립 공급 라인(microstrip supply line)(42, 43, 44)에 의해 공급된다. 다이오드(46, 45)는 도 4의 실시예에서와 동일한 방식으로 공급 라인(42, 43)의 단부에 각각 연결된다.
도 7은 코플레이너 기술에 의해 생성된 본 발명에 따른 방사/수신 디바이스를 도시한다. 이 경우에, 이 안테나는 코플레이너 기술에 의해 생성된 두 개의 안테나(50, 51)로 구성된다. 이리하여, 금속 층(A)은 기판 위에 증착되어 있으며, 이 층에 점 B에서 코탄젠트인 두 개의 환형 슬롯(50, 51)이 생성되어 있다. 이 경우에, 공급 라인은 라인 요소(52)와 라인 요소(53)를 포함하는 코플레이너 라인(coplanar line)으로 구성되며, 각 라인 요소는 kλm/4와 같은 길이를 가지며, λm 및 k는 스위칭 소자가 완전한 경우에 대해 전술된 값과 동일한 값을 가진다.
본 발명에 따라, 두 개의 라인 요소(52, 53)의 단부는 특별히 연결된 다이오드(56, 55)를 통해 금속 층(A)에 의해 형성된 접지에 연결된다.
두 개의 코플레이너 라인 요소(52, 53)는 점(B)을 통과하는 면을 따라 수직 공급 라인(54)에 연결되며, 이 라인 자체는 코플레이너 기술(coplanar technology) 에 의해 또한 생성된다.
본 발명의 또다른 실시예가 도 8을 참조하여 이제 기술된다. 이 경우에, 두 개의 안테나는 평면 P1에 대하여 대칭인 다이폴(dipole)로 구성된다. 이 경우에, 두 개의 안테나는 T 형상의 다이폴(60, 61)로 구성되며, 이들 다이폴의 T의 지선(branch)은 λ0/2에 가까운 길이를 가지며, 여기서 λ0는 진공 중에서의 파장이다. T의 각 지선에는 그 중간에 슬롯(60', 61')이 제공된다. 각 다이폴은 프린티드 기술에 의해 생성된 공급 라인(62, 63)에 의한 전자기적 연결에 의해 공급된다. 공급 라인(62, 63)은 대칭 면(P1) 내에 있는 공통 공급 라인(64)에 모두 연결된다. 공급 라인(62, 63)은 λm/2와 같은 슬롯(60', 61')으로의 길이를 가지며, λm/4와 같은 공급 라인의 길이만큼 슬롯을 지나 연장되는데, 여기서 λm은 마이크로스트립 라인 내에서 가이드되는 파장이며, 이것은 스위칭 소자가 완전한 경우이다.
본 발명에 따라, 다른 실시예와 동일한 방식으로 연결된 다이오드(65, 66)는 두 개의 공급 라인(62, 63)의 단부에 제공된다. 이리하여 다이오드(65)는 공급 라인(62)의 단부와 접지 사이에 역방향 바이어스로 연결되는 반면, 다이오드(66)는 공급 라인(63)의 단부와 접지 사이에 순방향 바이어스로 연결된다.
도면에 도시된 바와 같이, 공급 라인(62, 63)은 슬롯(60', 61')의 내부 단부의 바닥으로부터 거리 λs /4에서 상기 슬롯(60', 61')과 전자기 방식으로 연결된다. 게다가, 도시된 실시예에서, 공급 라인(62, 63)은 다이폴의 단부로부터 거리 λs /10에 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명은, 방사 다이버시티(radiation diversity)를 갖는 전자기 신호를 수신 및/또는 방사하기 위한 디바이스에 관한 것으로, 상기 디바이스는 무선 송신 분야에, 특히 가정 환경, 체육관, 텔레비전 스튜디오, 극장, 등과 같은 밀폐된 또는 반밀폐된 환경에서 송신하는 상황에서 사용될 수 있는 효과를 제공한다.

Claims (7)

  1. 슬롯 안테나 타입(10, 11; 20, 21; 30, 31; 40, 41; 50, 51; 60, 61)의 전자기파를 수신 및/또는 방사하기 위한 적어도 두 개의 수단과, 상기 수신 및/또는 방사 수단을 신호를 이용하기 위한 수단에 연결하기 위한 수단을 포함하는, 신호를 수신 및/또는 방사하기 위한 디바이스에 있어서,
    상기 전자기파를 수신 및/또는 방사하기 위한 상기 수단은 어느 한 점에 대하여 대칭이며, 그리고 상기 연결 수단은 상기 슬롯 안테나의 슬롯에 전자기적으로 연결된 공급 라인(12, 13; 22, 23; 32, 33; 42,43; 52, 53; 62, 63)으로 구성되며, 상기 공급 라인은 한쪽에는 대칭점을 통과하는 평면 내에 있는 공통 공급 라인(14, 24, 34, 44, 54, 64)에 연결되며, 다른 한쪽에는 상기 라인의 어느 하나의 라인의 단부에서 단락 회로 또는 개방 회로가 시뮬레이트 되게 해주고 그리고 상기 다른 라인의 단부에서 개방 회로 또는 단락 회로가 시뮬레이트 되게 해주는 전자 소자(15, 16; 25, 26; 35, 36; 45, 46; 55, 56; 65, 66)에 연결되는 것을 특징으로 하는, 신호를 수신 및/또는 방사하기 위한 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 슬롯 안테나 타입의 전자기파를 수신 및/또는 방사하기 위한 상기 수단은 프린티드 또는 코플레이너 기술(printed or coplanar technology)에 의해 생성된 공진 슬롯으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 신호를 수신 및/또는 방사하기 위한 디바이스.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 슬롯은 환형(annular), 정사각형(square) 또는 직사각형(rectangular) 형상을 가지며 또는 다이폴(dipole)(60, 61)로 형성되는 것을 특징으로 하는, 신호를 수신 및/또는 방사하기 위한 디바이스.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 슬롯에는 원편광된 파(circularly polarized wave)가 방사되게 해주는 수단(30', 31'; 40, 41)이 설치(fitted)되는 것을 특징으로 하는, 신호를 수신 및/또는 방사하기 위한 디바이스.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 라인에 전자기 방식으로 연결된 상기 슬롯과 상기 완전한 전자 소자 사이의 상기 공급 라인의 길이는 kλm/4에서 중심 동작 주파수와 같으며, 여기서 λm = λ0 /
    Figure 112009032672744-pat00009
    이며, λ0는 진공 중에서의 파장이며,
    Figure 112009032672744-pat00010
    는 라인의 유효 유전율이며, k는 홀수 정수인 것을 특징으로 하는, 신호를 수신 및/또는 방사하기 위한 디바이스.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 공급 라인은 마이크로스트립 기술이나 코플레이너 기술을 사용하여 만들어지는 것을 특징으로 하는, 신호를 수신 및/또는 방사하기 위한 디바이스.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전자 소자는 다이오드, 전자 스위치, 트랜지스터, 또는 마이크로-전자기계 시스템으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 신호를 수신 및/또는 방사하기 위한 디바이스.
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