KR100937824B1 - Appratus for demounting silicon wafer and demounting process using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실리콘 웨이퍼 탈착 장치 및 이를 이용한 탈착 공정에 관한 것이다. 본 발명의 실리콘 웨이퍼 탈착 장치는, 세라믹 플레이트에 부착된 실리콘 웨이퍼가 탈착된후 슬라이딩되어 이동되는 슬라이딩 플레이트를 포함하고, 상기 슬라이딩 플레이트의 중앙은 실리콘 웨이퍼의 이동 방향으로 개방되고, 상기 개방된 부분에 웨이퍼를 지지하기 위한 롤러가 설치된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 탈착된 실리콘 웨이퍼의 뒷면에 스크래치없이 카세트로 저장할 수 있다.The present invention relates to a silicon wafer desorption apparatus and a desorption process using the same. The silicon wafer desorption apparatus of the present invention includes a sliding plate which is slidably moved after the silicon wafer attached to the ceramic plate is detached, and the center of the sliding plate is opened in the moving direction of the silicon wafer, It characterized in that the roller for supporting the wafer is provided. According to the present invention, the back side of the detached silicon wafer can be stored as a cassette without scratching.

실리콘 웨이퍼, 탈착 장치, 슬라이딩 플레이트, 롤러 Silicon Wafer, Desorption Device, Sliding Plate, Roller

Description

실리콘 웨이퍼 탈착 장치 및 이를 이용한 탈착 공정{Appratus for demounting silicon wafer and demounting process using the same}Silicon wafer desorption apparatus and desorption process using the same {Appratus for demounting silicon wafer and demounting process using the same}

본 발명은 실리콘 웨이퍼 탈착 장치 및 이를 이용한 탈착 공정에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 연마된 실리콘 웨이퍼를 스크래지 발생 없이 카세트에 적재하는 실리콘 웨이퍼 탈착 장치 및 탈착 공정에 관한 것이다.The present invention relates to a silicon wafer desorption apparatus and a desorption process using the same, and more particularly, to a silicon wafer desorption apparatus and a desorption process for loading a polished silicon wafer into a cassette without scratch generation.

일반적으로, 반도체 기판을 제조하기 위하여 실리콘 웨이퍼의 에지 및 표면을 가공하는 연마 공정이 시행된다. 이와 같은 연마 공정이 진행된 실리콘 웨이퍼는 후공정(後工程)(웨이퍼의 표면상에 막 형성, 패턴 형성, 금속 배선 형성 등)으로 이동되기 전에 대기된다. 즉, 상기와 같은 연마된 웨이퍼를 후공정으로 이동시키기 위하여 연마된 웨이퍼를 탈착하여 카세트에 적재한 뒤 대기시킨다. 이와 같이 웨이퍼를 탈착하여 카세트에 적재하는 공정을 도 1 및 도 2를 참조하여 설명하기로 한다.Generally, a polishing process is performed to machine the edges and surfaces of a silicon wafer to produce a semiconductor substrate. The silicon wafer subjected to such a polishing process is waited before being moved to a post process (film formation, pattern formation, metal wiring formation, etc. on the surface of the wafer). That is, in order to move the polished wafer as described above, the polished wafer is detached, loaded into a cassette, and then waited. Thus, the process of detaching and loading the wafer into the cassette will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1은 종래의 연마된 웨이퍼를 탈착하여 보관하는 시스템의 구조도이고, 도 2a 내지 도 2c는 웨이퍼를 탈착하여 카세트에 적재하는 탈착 공정을 각각 보여주는 도면이다.1 is a structural diagram of a system for detaching and storing a conventional polished wafer, and FIGS. 2A to 2C are views illustrating a detachment process for removing and loading a wafer into a cassette.

도면을 참조하면, 실리콘 웨이퍼를 탈착하여 보관하는 시스템은, 실리콘 웨이퍼(W)가 대기되는 블럭 대기부(1), 상기 블럭 대기부(1)로부터 로딩된 세라믹 플레이트(10)가 이동되는 블럭 이동부(2), 상기 이동된 세라믹 플레이트(10)에 부착된 실리콘 웨이퍼(W)를 탈착하는 탈착부(3) 및 상기 탈착된 웨이퍼(W)를 적재하는 카세트 대기부(4)로 이루어진다. 이때, 상기 블럭은 세라믹 플레이트를 의미하는 것이다.Referring to the drawings, a system for detaching and storing a silicon wafer includes a block waiting unit 1 in which the silicon wafer W is waiting, and a block movement in which the ceramic plate 10 loaded from the block waiting unit 1 is moved. A portion 2, a detachable portion 3 for detaching the silicon wafer W attached to the moved ceramic plate 10, and a cassette waiting portion 4 for loading the detached wafer W are provided. In this case, the block means a ceramic plate.

상기 블럭 대기부(1)에 대기되는 세라믹 플레이트(10)에 부착된 실리콘 웨이퍼(W)는, 표면 연마를 위하여 세라믹 플레이트(10)에 왁스(Wax)를 사용하여 부착된 것으로서, 세라믹 플레이트(10)에 부착되어 연마된 후 대기되는 것이다.The silicon wafer W attached to the ceramic plate 10 held in the block waiting portion 1 is attached to the ceramic plate 10 using wax to polish the surface, and the ceramic plate 10 is attached to the ceramic plate 10. It is attached to and polished and then waited.

상기 블럭 대기부(1)로부터 세라믹 플레이트(10)가 블럭 이송부(2)를 통하여 탈착부(3)로 이동되어 진다. 이동되어진 세라믹 플레이트(10)에 부착된 실리콘 웨이퍼(W)는 탈착되어 카세트 대기부(4)의 카세트(20)에 적재된다. 한편, 탈착부(3)에는 실리콘 웨이퍼(W)를 탈착시키기 위한 칼날(11)과 초순수를 분사하는 분사노즐(12)이 설치되어 있다.The ceramic plate 10 is moved from the block standby part 1 to the detachable part 3 through the block transfer part 2. The silicon wafer W attached to the moved ceramic plate 10 is detached and loaded into the cassette 20 of the cassette standby section 4. On the other hand, the detachable part 3 is provided with the blade 11 for detaching and detaching the silicon wafer W, and the injection nozzle 12 which injects ultrapure water.

상기 실리콘 웨이퍼를 탈착하는 공정에 대하여 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.A process of detaching the silicon wafer will be described in more detail with reference to FIGS. 2A to 2C.

도 2a에 도시된 바와 같이, 이송되어진 세라믹 플레이트(10)에 부착된 웨이퍼(W)로 탈착 칼날(11)이 다운되어 웨이퍼(W)를 탈착시킨다. 이때, 세라믹 플레이트(10)는 카세트 대기부(4)의 방향으로 기울어진 상태로 고정된다. 또한, 세라믹 플레이트(10)와 웨이퍼(W) 상으로 분사노즐(12)이 초순수(DIW : De-ionized water) 를 분사한다.As shown in FIG. 2A, the detachable blade 11 is down to the wafer W attached to the transferred ceramic plate 10 to detach the wafer W. As shown in FIG. At this time, the ceramic plate 10 is fixed in a state inclined in the direction of the cassette standby part 4. In addition, the injection nozzle 12 sprays ultra pure water (DIW: De-ionized water) onto the ceramic plate 10 and the wafer (W).

도 2b는 탈착된 웨이퍼(W)가 슬라이딩 되어 슬라이딩 플레이트(13)로 이동되는 상태를 나타내는 것으로서, 탈착된 웨이퍼(W)는 세라믹 플레이트(10)의 기울어진 각도 및 초순수의 흐름에 의하여 슬라이딩 플레이트(13)로 이동한다. 이때, 슬라이딩 플레이트(13)는 세라믹 플레이트(10)에 접촉되어 세라믹 플레이트(10)와 동일한 경사를 갖도록 설치된다.2B illustrates a state in which the detached wafer W is slid and moved to the sliding plate 13, and the detached wafer W is slid by the inclination angle of the ceramic plate 10 and the flow of ultrapure water. Go to 13). In this case, the sliding plate 13 is installed in contact with the ceramic plate 10 to have the same slope as the ceramic plate 10.

도 2c는 슬라이딩된 웨이퍼(W)가 카세트(20)에 적재되는 상태를 나타내는 것으로, 탈착된 웨이퍼(W)는 슬라이딩 플레이트(13)를 거쳐 슬라이딩 플레이트(13)의 경사각 및 초순수의 흐름에 의하여 웨이퍼(W)를 적재하도록 슬롯(미도시)이 형성된 카세트(20)로 이동되어 적재된다. 상기 카세트(20)는 하나의 웨이퍼(W)가 적재될때 마다 컴퓨터 프로그램에 의하여 슬롯의 높이만큼 상승되도록 제어된다.2C illustrates a state in which the sliding wafer W is loaded in the cassette 20, and the detached wafer W passes through the sliding plate 13 by the inclination angle of the sliding plate 13 and the flow of ultrapure water. (W) is moved and loaded into a cassette 20 in which a slot (not shown) is formed. The cassette 20 is controlled to be raised by the height of the slot by a computer program every time one wafer W is loaded.

이와 같이 카세트(20)에 웨이퍼(W)가 적정량 적재되면 다음 공정을 위해 보관되어 대기하게 된다.As such, when the wafer W is loaded in a proper amount in the cassette 20, the wafer 20 is stored and waited for the next process.

그러나, 탈착된 웨이퍼(W)가 슬라이딩 플레이트(13)를 통하여 카세트(20)에 적재시 웨이퍼(W)가 슬라이딩되어 적재되기 때문에 웨이퍼(W)의 뒷면(back side)에 스크래치가 생겨 웨이퍼(W)의 불량이 발생하는 문제점이 있다. 이와 같은 웨이퍼(W)의 스크래치 발생은 세라믹 플레이트(10)와 슬라이딩 플레이트(13)의 단차로 인하여 발생된다. 또한, 웨이퍼(W)가 적재되는 카세트(20)의 피치(pitch)가 맞지 않아 슬롯에 웨이퍼(W)가 겹쳐져 스크래치가 발생하기도 한다. 상기 웨이퍼(W) 뒷면의 스크래치 발생으로 인하여 웨이퍼(W)의 수율이 저감되는 문제점이 있다.However, when the detached wafer W is loaded onto the cassette 20 through the sliding plate 13, the wafer W is slid and stacked so that a scratch occurs on the back side of the wafer W and the wafer W ), There is a problem that a defect occurs. Such scratch generation of the wafer W occurs due to the step between the ceramic plate 10 and the sliding plate 13. In addition, since the pitch of the cassette 20 on which the wafer W is to be loaded does not match, the wafer W may overlap with the slot, causing scratches. There is a problem that the yield of the wafer (W) is reduced due to the scratch generated on the back surface of the wafer (W).

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 탈착된 웨이퍼의 뒷면을 최소의 면적으로 접촉되도록 이동시켜 스크래치 발생을 방지할 수 있는 실리콘 웨이퍼 탈착 장치 및 이를 이용한 탈착 공정을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, to provide a silicon wafer desorption apparatus and a desorption process using the same to move the back side of the detached wafer to a minimum area to prevent scratching. There is this.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실리콘 웨이퍼 탈착 장치는, 세라믹 플레이트에 부착된 실리콘 웨이퍼가 탈착된후 슬라이딩되어 이동되는 슬라이딩 플레이트를 포함하고, 상기 슬라이딩 플레이트의 중앙은 실리콘 웨이퍼의 이동 방향으로 개방되고, 상기 개방된 부분에 웨이퍼를 지지하기 위한 롤러가 설치된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the silicon wafer detachment apparatus of the present invention includes a sliding plate which is slidably moved after the silicon wafer attached to the ceramic plate is detached, and the center of the sliding plate is opened in the movement direction of the silicon wafer. And a roller for supporting the wafer at the open portion.

이때, 상기 슬라이딩 플레이트는 웨이퍼의 슬라이딩을 방해하지 않도록 세라믹 플레이트의 상면보다 낮은 위치에 설치되고, 슬라이딩된 웨이퍼를 지지하도록 웨이퍼의 곡률에 보합하는 계단턱이 형성된다.At this time, the sliding plate is installed at a position lower than the upper surface of the ceramic plate so as not to interfere with the sliding of the wafer, a stepped step is formed to be compatible with the curvature of the wafer to support the sliding wafer.

또한, 상기 롤러의 외주면은 슬라이딩 플레이트의 상면보다 높은 위치에 형성된 것이 바람직하다.In addition, the outer peripheral surface of the roller is preferably formed at a position higher than the upper surface of the sliding plate.

한편, 상기 실리콘 웨이퍼를 흡착하여 카세트에 적재시키는 로봇아암을 구비한다.On the other hand, there is provided a robot arm for absorbing the silicon wafer to be loaded into the cassette.

본 발명이 이루고자하는 기술적 과제의 달성을 위한 실리콘 웨이퍼 탈착 공정은, 세라믹 플레이트에 접착되어 연마된 실리콘 웨이퍼에 초순수를 분사하며 실리콘 웨이퍼를 탈착하는 단계; 상기 탈착된 웨이퍼가 슬라이딩되어 슬라이딩 플레이트로 이동되는 단계; 상기 슬라이딩 플레이트로 이동된 웨이퍼를 로봇아암으로 흡착 고정하는 단계; 및 상기 로봇아암에 흡착 고정된 웨이퍼를 카세트에 적재하는 단계;를 포함하여 진행되는 것을 특징으로 한다.Silicon wafer desorption process for achieving the technical problem to be achieved by the present invention, the step of desorbing the silicon wafer while spraying ultra-pure water to the silicon wafer is bonded and polished to the ceramic plate; The detached wafer is slid to move to a sliding plate; Suction fixing the wafer moved to the sliding plate with a robot arm; And loading the wafer fixed on the robot arm into a cassette.

상기 슬라이딩 플레이트의 중앙이 길이 방향으로 개방되고, 개방된 부분에 롤러가 설치된다.The center of the sliding plate is opened in the longitudinal direction, and a roller is installed at the open portion.

또한, 상기 슬라이딩 플레이트는 세라믹 플레이트의 하방에 위치되며 세라믹 플레이트의 상면보다 낮은 위치에 형성되며, 상기 롤러의 외주면은 롤러의 상면보다 높은 위치에 형성된 것이 바람직하다.In addition, the sliding plate is located below the ceramic plate and is formed at a position lower than the upper surface of the ceramic plate, the outer peripheral surface of the roller is preferably formed at a position higher than the upper surface of the roller.

아울러, 상기 슬라이딩 플레이트는 탈착된 웨이퍼를 지지하도록 그 하측면이 테이퍼지도록 형성된다.In addition, the sliding plate is formed such that its lower side is tapered to support the detached wafer.

한편, 상기 로봇아암은 컴퓨터 프로그램에 의해 제어되어 웨이퍼를 카세트로 이동시켜 적재하는 것이 바람직하다.On the other hand, it is preferable that the robot arm is controlled by a computer program to move and load the wafer into a cassette.

본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼 탈착 장치 및 탈착 공정은 슬라이딩 플레이트에 롤러를 설치하여 슬라이딩되는 웨이퍼의 뒷면과 접촉되는 면이 최소화하도록 하여 웨이퍼 뒷면에 스크래치가 발생하는 것을 방지함으로써 웨이퍼의 수율이 향상된다. 또한, 로봇아암을 이용하여 웨이퍼를 흡착하여 카세트로 정밀하게 적재함으로써 카세트의 슬롯과의 높이차에 의하여 스크래치가 발생하는 문제를 해결함으로써 웨이퍼의 수율이 향상된다.Silicon wafer desorption apparatus and desorption process according to the present invention by installing a roller on the sliding plate to minimize the surface in contact with the back of the sliding wafer to prevent scratches on the back of the wafer to improve the yield of the wafer. In addition, by using the robot arm to adsorb the wafer and accurately load the wafer into the cassette, the yield of the wafer is improved by solving the problem of scratches caused by the height difference from the slot of the cassette.

이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms or words used in the specification and claims should not be construed as having a conventional or dictionary meaning, and the inventors should properly explain the concept of terms in order to best explain their own invention. Based on the principle that can be defined, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘 웨이퍼 탈착 장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 탈착 장치의 슬라이딩 플레이트를 나타내는 측면도이다.3 is a view schematically showing a silicon wafer desorption apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 4 is a side view showing a sliding plate of the wafer desorption apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 웨이퍼 탈착 장치(100)는 세라믹 플레이트(10)에 부착된 실리콘 웨이퍼(W)를 탈착하는 탈착 칼날(도 5a의 11)과, 상기 세라믹 플레이트(10) 및 실리콘 웨이퍼(W) 상에 초순수를 분사하는 분사노즐(도 5a의 12) 및 탈착된 웨이퍼(W)의 슬라이딩을 가이드 하는 슬라이딩 플레이트(110)를 구비한다.3 and 4, the wafer desorption apparatus 100 includes a desorption blade (11 of FIG. 5A) that desorbs a silicon wafer W attached to the ceramic plate 10, the ceramic plate 10, and An injection nozzle (12 of FIG. 5A) for spraying ultrapure water on the silicon wafer W and a sliding plate 110 for guiding sliding of the detached wafer W are provided.

이때, 상기 세라믹 플레이트(10), 웨이퍼(W)를 탈착하는 탈착 칼날(11) 및 분사노즐(12)는 이미 전술한 바 있으므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.At this time, the ceramic plate 10, the detachable blade 11 for detaching the wafer (W) and the injection nozzle 12 have already been described above, so a detailed description thereof will be omitted.

상기 슬라이딩 플레이트(110)는 그 중앙에 실리콘 웨이퍼(W)의 이동 방향으로 개방된 개방부(112)가 형성되고, 상기 개방부(112)의 양측으로 롤러(114)가 설치된다. 이때, 상기 슬라이딩 플레이트(110)는 웨이퍼(W)의 뒷면과 접촉되지 않도록 세라믹 플레이트(10)의 상면보다 낮은 위치에 설치된다. 바람직하게, 슬라이딩 플레이트(110)는 세라믹 플레이트(10)와 동일한 기울기를 갖도록 설치된다.The sliding plate 110 has an opening 112 open in the center thereof in the moving direction of the silicon wafer W, and rollers 114 are provided at both sides of the opening 112. At this time, the sliding plate 110 is installed at a position lower than the upper surface of the ceramic plate 10 so as not to contact the rear surface of the wafer (W). Preferably, the sliding plate 110 is installed to have the same slope as the ceramic plate 10.

상기 롤러(114)는 슬라이딩 플레이트(110)의 개방부(112) 양측에 각각 설치되어 실리콘 웨이퍼(W)의 뒷면과 접촉된다. 이때, 롤러(114)는 실리콘 웨이퍼(W)가 이동되는 방향으로 회전된다. 또한, 롤러(114)의 외주면은 슬라이딩 플레이트(110)의 상면보다 높은 위치에 형성된다. 이는 세라믹 플레이트(10)에서 탈착된 웨이퍼(W)의 뒷면이 슬라이딩 플레이트(110)에 접촉되지 않고 롤러(114)와 접촉되어 슬라이딩되도록 하기 위함이다.The rollers 114 are installed at both sides of the opening 112 of the sliding plate 110 to be in contact with the back surface of the silicon wafer (W). At this time, the roller 114 is rotated in the direction in which the silicon wafer (W) is moved. In addition, the outer circumferential surface of the roller 114 is formed at a position higher than the upper surface of the sliding plate 110. This is to allow the back surface of the wafer W detached from the ceramic plate 10 to slide in contact with the roller 114 without contacting the sliding plate 110.

한편, 슬라이딩 플레이트(110)는 슬라이딩된 웨이퍼를 지지하기 위하여 웨이퍼의 곡률에 보합되는 계단턱(116)이 형성된다. 상기 계단턱(116)은 슬라이딩된 웨이퍼(W)가 슬라이딩 플레이트(110)의 외부로 이동되지 못하도록 하기 위함이다. 따라서, 웨이퍼(W)는 슬라이딩 플레이트(110)의 경사각과 초순수의 흐름에 의하여 슬라이딩되어 슬라이딩 플레이트(110)의 하측 계단턱(116)에 걸려 정지된다.On the other hand, the sliding plate 110 is formed with a stepped jaw 116 is complementary to the curvature of the wafer to support the sliding wafer. The staircase 116 is for preventing the sliding wafer W from moving to the outside of the sliding plate 110. Therefore, the wafer W is slid by the inclination angle of the sliding plate 110 and the flow of ultrapure water and stopped by the lower stepped jaw 116 of the sliding plate 110.

계단턱(116)에 걸린 실리콘 웨이퍼(W)는 로봇아암(120)에 의하여 카세트(20)로 이동된다.The silicon wafer W caught on the step 116 is moved to the cassette 20 by the robot arm 120.

상기 로봇아암(120)에는 웨이퍼(W)를 흡착하여 고정시키기 위한 흡착판(도 5d의 122)이 설치된다. 즉, 로봇아암(122)은 슬라이딩 플레이트(110)로 슬라이딩된 웨이퍼(W)를 흡착판(122)으로 고정하여 카세트(20)의 슬롯(미도시)에 적재한다. 이와 같은 로봇아암(120)은 컴퓨터 프로그램에 의하여 제어된다. 상기 컴퓨터 프로그램을 이용하여 로봇아암(120)을 지정된 위치로 이동시키는 기술은 이미 알려진 기술이므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.The robot arm 120 is provided with an adsorption plate (122 in FIG. 5D) for adsorbing and fixing the wafer (W). That is, the robot arm 122 fixes the wafer W that has been slid by the sliding plate 110 to the suction plate 122 and loads the wafer W into the slot (not shown) of the cassette 20. The robot arm 120 is controlled by a computer program. Since the technique of moving the robot arm 120 to the designated position using the computer program is already known, a detailed description thereof will be omitted.

결과적으로, 세라믹 플레이트(10)에 부착된 웨이퍼(W)가 탈착되면, 탈착된 웨이퍼(W)의 뒷면이 슬라이딩 플레이트(110)의 롤러(114)와 최소한의 접촉으로 이동된 후, 로봇아암(120)에 의하여 수직방향으로 위치된 카세트(도 5d의 '20'참조)의 슬롯에 적재된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 뒷면에 스크래치가 발생하는 것을 방지하게 된다.As a result, when the wafer W attached to the ceramic plate 10 is detached, the back surface of the detached wafer W is moved to the minimum contact with the roller 114 of the sliding plate 110, and then the robot arm ( 120 is loaded into the slot of the cassette (see '20' in Fig. 5d) located in the vertical direction. Therefore, scratches are prevented from occurring on the back side of the wafer W. FIG.

그러면, 상기와 같은 구조로 이루어진 웨이퍼 탈착 장치에 따른 탈착 공정에 대하여 도 5a 내지 5d를 참조하여 설명하기로 한다.Next, a desorption process according to the wafer desorption apparatus having the above structure will be described with reference to FIGS. 5A to 5D.

먼저, 도 5a를 참조하면, 세라믹 플레이트(10)에 부착되어 이송되어진 웨이퍼(W)를 탈착하기 위하여 탈착 칼날(11)이 아래로 이동되어 웨이퍼(W)를 탈착한다. 이때, 분사노즐(12)은 세라믹 플레이트(10)와 웨이퍼(W) 상에 초순수를 분사한다.First, referring to FIG. 5A, the detachment blade 11 is moved downward to detach the wafer W in order to detach the wafer W attached and transferred to the ceramic plate 10. At this time, the spray nozzle 12 sprays ultrapure water onto the ceramic plate 10 and the wafer (W).

다음으로, 탈착 칼날(11)에 의하여 탈착된 웨이퍼(W)는 세라믹 플레이트(10)의 경사와 초순수의 흐름에 의하여 슬라이딩 플레이트(110)로 이동한다(도 5b 참조). 상기 슬라이딩되는 웨이퍼(W)는 슬라이딩 플레이트(110)에 형성된 계단턱(116)에 걸려 정지된다. 이때, 상기 웨이퍼(W)가 슬라이딩시 웨이퍼(W)의 뒷면은 슬라이딩 플레이트(110)의 개방부(112) 양측에 설치된 롤러(114)와 접촉되어 이동 하게 된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 뒷면에 발생하는 스크래치를 방지하게 된다.Next, the wafer W detached by the detachment blade 11 moves to the sliding plate 110 by the inclination of the ceramic plate 10 and the flow of ultrapure water (see FIG. 5B). The sliding wafer W is caught and stopped by the step 116 formed on the sliding plate 110. At this time, when the wafer (W) is sliding, the back surface of the wafer (W) is moved in contact with the roller 114 installed on both sides of the opening 112 of the sliding plate (110). Therefore, the scratch which arises on the back surface of the wafer W is prevented.

이어서, 도 5c에 도시된 바와 같이, 로봇아암(120)이 웨이퍼(W)를 흡착하기 위해 이동된다. 상기 로봇아암(120)에는 흡착판(122)이 설치되며, 상기 흡착판(122)이 슬라이딩 플레이트(110)에 안착된 실리콘 웨이퍼(W)를 흡착하여 고정한다. 이때, 흡착판(122)은 슬라이딩 플레이트(110)의 개방부(112)를 통해 웨이퍼(W)를 흡착한다.Subsequently, as shown in FIG. 5C, the robot arm 120 is moved to adsorb the wafer W. FIG. A suction plate 122 is installed on the robot arm 120, and the suction plate 122 sucks and fixes the silicon wafer W seated on the sliding plate 110. At this time, the adsorption plate 122 adsorbs the wafer W through the opening 112 of the sliding plate 110.

로봇아암(120)의 흡착판(122)에 의해 웨이퍼(W)가 흡착 고정되면, 웨이퍼(W)를 이동시켜 카세트(20)에 적재한다(도 5d 참조). 이와 같은 로봇아암(120)의 구동은 컴퓨터 프로그램에 의하여 제어된다. 따라서, 로봇아암(120)에 의해 흡착된 웨이퍼(W)가 지정된 위치의 카세트(20) 슬롯에 적재된다. 이에, 종래의 웨이퍼(W)가 카세트(20)에 슬라이딩되어서 적재시 슬롯의 피치가 맞지 않아 발생되는 스크래치의 문제를 해결하게 된다.When the wafer W is attracted and fixed by the suction plate 122 of the robot arm 120, the wafer W is moved and loaded into the cassette 20 (see FIG. 5D). The driving of the robot arm 120 is controlled by a computer program. Therefore, the oipper W adsorbed by the robot arm 120 is loaded into the cassette 20 slot at the designated position. Thus, the conventional wafer (W) is slid to the cassette 20 to solve the problem of scratches generated due to the pitch of the slot does not match.

이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.As described above, although the present invention has been described by way of limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto and is intended by those skilled in the art to which the present invention pertains. Of course, various modifications and variations are possible within the scope of equivalents of the claims to be described.

도 1은 종래의 연마된 웨이퍼를 탈착하여 보관하는 탈착 시스템을 나타내는 구조도.1 is a structural diagram showing a desorption system for detaching and storing a conventional polished wafer.

도 2a 내지 도 2c는 종래의 웨이퍼를 탈착하여 카세트에 적재하는 탈착 공정을 각각 보여주는 도면.2A to 2C are views illustrating a detachment process of detaching and loading a conventional wafer into a cassette, respectively.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘 웨이퍼 탈착 장치를 개략적으로 나타내는 도면.3 schematically illustrates a silicon wafer desorption apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 탈착 장치의 슬라이딩 플레이트를 나타내는 측면도.Figure 4 is a side view showing a sliding plate of the wafer detachment apparatus according to the preferred embodiment of the present invention.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 탈착 공정을 각각 보여주는 도면.5a to 5d respectively show a wafer desorption process according to a preferred embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

W : 웨이퍼 10 : 세라믹 플레이트W: wafer 10: ceramic plate

11 : 탈착 칼날 12 : 분사노즐11: detachable blade 12: spray nozzle

20 : 카세트 100 : 웨이퍼 탈착 장치20: cassette 100: wafer desorption apparatus

110 : 슬라이딩 플레이트 112 : 개방부110: sliding plate 112: opening

114 : 롤러 116 : 계단턱114: roller 116: staircase

120 ; 로봇아암 122 : 흡착판120; Robot Arm 122: Suction Plate

Claims (10)

세라믹 플레이트(10)에 부착된 실리콘 웨이퍼(W)가 탈착된후 슬라이딩되어 이동되는 슬라이딩 플레이트(110)를 포함하고,The silicon wafer (W) attached to the ceramic plate 10 includes a sliding plate 110 which is slid and moved after being detached. 상기 슬라이딩 플레이트(110)의 중앙은 실리콘 웨이퍼(W)의 이동 방향으로 개방되고, 상기 개방된 부분에 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 롤러(114)가 설치되되,The center of the sliding plate 110 is opened in the moving direction of the silicon wafer (W), the roller 114 for supporting the wafer (W) is installed in the open portion, 상기 슬라이딩 플레이트(110)는 웨이퍼(W)의 슬라이딩을 방해하지 않도록 세라믹 플레이트(10)의 상면보다 낮은 위치에 설치되고, 슬라이딩된 웨이퍼(W)를 지지하도록 웨이퍼(W)의 곡률에 보합하는 계단턱(116)이 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 탈착 장치.The sliding plate 110 is installed at a position lower than the upper surface of the ceramic plate 10 so as not to interfere with the sliding of the wafer W, and a step that complements the curvature of the wafer W to support the sliding wafer W. Silicon wafer detachment device, characterized in that the jaw (116) is formed. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 롤러(114)의 외주면은 슬라이딩 플레이트(110)의 상면보다 높은 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 탈착 장치.Silicon wafer detachment apparatus, characterized in that the outer peripheral surface of the roller 114 is formed at a position higher than the upper surface of the sliding plate (110). 제1항 또는 제3항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 실리콘 웨이퍼(W)를 흡착하여 카세트(20)에 적재시키는 로봇아암(120)을 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 탈착 장치.And a robot arm (120) for adsorbing the silicon wafer (W) to load the cassette into the cassette (20). 세라믹 플레이트(10)에 접착되어 연마된 실리콘 웨이퍼(W)에 초순수를 분사하며 실리콘 웨이퍼(W)를 탈착하는 단계;Desorbing the silicon wafer (W) by spraying ultrapure water onto the silicon wafer (W) bonded and polished to the ceramic plate (10); 상기 탈착된 웨이퍼(W)가 슬라이딩되어 슬라이딩 플레이트(110)로 이동되는 단계;The detached wafer W is slid to move to the sliding plate 110; 상기 슬라이딩 플레이트(110)로 이동된 웨이퍼(W)를 로봇아암(120)으로 흡착 고정하는 단계; 및Adsorbing and fixing the wafer (W) moved to the sliding plate (110) with a robot arm (120); And 상기 로봇아암(120)에 흡착 고정된 웨이퍼(W)를 카세트(20)에 적재하는 단계;를 포함하고,And loading the wafer (W) adsorbed and fixed to the robot arm (120) into the cassette (20). 상기 슬라이딩 플레이트(110)에는 그 중앙이 길이 방향으로 개방되고, 개방된 부분에 롤러(114)가 설치되되,The center of the sliding plate 110 is opened in the longitudinal direction, the roller 114 is installed in the open portion, 상기 슬라이딩 플레이트(110)는 세라믹 플레이트(10)의 하방에 위치되며 세라믹 플레이트(10)의 상면보다 낮은 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 탈착 공정.The sliding plate (110) is located below the ceramic plate (10) and silicon wafer detachment process, characterized in that formed in a lower position than the upper surface of the ceramic plate (10). 삭제delete 삭제delete 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 롤러(114)의 외주면은 슬라이딩 플레이트(110)의 상면보다 높은 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 탈착 공정.Silicon wafer detachment process, characterized in that the outer peripheral surface of the roller 114 is formed at a position higher than the upper surface of the sliding plate (110). 제5항 또는 제8항에 있어서,The method according to claim 5 or 8, 상기 슬라이딩 플레이트(110)는 탈착된 웨이퍼(W)를 지지하도록 그 하측면이 테이퍼지도록 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 탈착 공정.The sliding plate 110 is a silicon wafer detachment process, characterized in that the lower side is formed so as to taper to support the detached wafer (W). 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 로봇아암(120)은 컴퓨터 프로그램에 의해 제어되어 웨이퍼(W)를 카세트(20)로 이동시켜 적재하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 탈착 공정.The robot arm 120 is controlled by a computer program to move the wafer (W) to the cassette 20, the silicon wafer detachment process characterized in that the loading.
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