KR100928635B1 - Side Light Emitting Diode Package - Google Patents

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KR100928635B1
KR100928635B1 KR1020070087645A KR20070087645A KR100928635B1 KR 100928635 B1 KR100928635 B1 KR 100928635B1 KR 1020070087645 A KR1020070087645 A KR 1020070087645A KR 20070087645 A KR20070087645 A KR 20070087645A KR 100928635 B1 KR100928635 B1 KR 100928635B1
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오승현
이경재
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주식회사 루멘스
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Abstract

패키지로부터 조사되는 빛의 중심이 도광판의 측면 중심과 일치하도록 함으로써 빛의 손실을 최소화 할 수 있도록, 반도체 칩과, 상기 반도체 칩이 다이본딩되는 다이패드와 상기 다이패드와 이격되고 상기 반도체 칩과 전기적으로 연결되는 리드패드 및 상기 다이패드와 리드패드에서 각각 연장되는 전극리드를 포함하는 리드프레임, 상기 리드프레임에 몰딩되어 외형을 이루고 상기 반도체 칩 주위로 형성되는 리플렉터를 포함하는 몰드, 상기 몰드의 하단에 돌출형성되어 전극리드가 실장되는 실장면으로부터 상기 리플렉터의 중심을 높이기 위한 받침부를 포함하는 측면 발광 다이오드 패키지를 제공한다.In order to minimize the loss of light by making the center of light irradiated from the package coincide with the center of the side of the light guide plate, the semiconductor chip, the die pad to which the semiconductor chip is die-bonded, and the die pad are spaced apart and electrically A lead frame including a lead pad connected to the lead pad and an electrode lead extending from the die pad and the lead pad, the reflector being molded on the lead frame to form an outline and formed around the semiconductor chip, the bottom of the mold It provides a side light emitting diode package including a support for protruding in the mounting surface to increase the center of the reflector from the mounting surface on which the electrode lead is mounted.
몰드, 리플렉터, 받침부, 방열패드, 경사면 Mold, Reflector, Base, Heat Sink, Slope

Description

측면 발광 다이오드 패키지{SIDE VIEW LED PACKAGE}Side light emitting diode package {SIDE VIEW LED PACKAGE}
본 발명은 발광다이오드에 관한 것이다. 보다 상세하게 본발명은 광 반사 효율을 높임과 더불어 방열 효과를 개선할 수 있도록 된 측면 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode. More particularly, the present invention relates to a side light emitting diode package capable of improving light reflection efficiency and improving heat dissipation effect.
일반적으로 발광 다이오드(LED;Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용한 소자로, 전류가 가해지면 적외선 또는 다양한 색상의 빛을 발생시키는 반도체이다. 상기 발광 다이오드는 칩을 리드프레임에 실장하고 이를 원하는 형태로 몰딩하여 다양한 형태의 패키지(package)로 제조된다.In general, a light emitting diode (LED) is a device using characteristics of a compound semiconductor, and is a semiconductor that generates infrared light or various colors when a current is applied. The light emitting diode is manufactured in various types of packages by mounting a chip on a lead frame and molding the chip into a desired shape.
핸드폰이나 PDA 등의 전자 통신기기에 사용되는 소형 디스플레이용 백라이트 모듈에는 측면발광형의 발광 다이오드 패키지가 사용된다. 상기 측면발광 구조의 발광 다이오드 패키지는 도광판의 측면에서 빛을 제공하는 구조로 전면 발광 구조와 비교하여 백라이트 모듈의 두께를 줄일 수 있는 장점이 있다.Side-emitting light emitting diode packages are used for small display backlight modules used in electronic communication devices such as mobile phones and PDAs. The light emitting diode package having the side light emitting structure has a structure of providing light from the side of the light guide plate, and has an advantage of reducing the thickness of the backlight module as compared with the front light emitting structure.
상기 발광 다이오드는 전류를 100% 빛으로 발생시키는 것은 아니기 때문에 작동시 상당한 열이 발생된다. 특히 고출력의 발광 다이오드는 대단히 많은 열이 발생되므로, 발생되는 열을 보다 신속하고 효율적으로 방열시킬 수 있어야 한다.Since the light emitting diodes do not generate 100% light current, they generate considerable heat during operation. In particular, since a high output light emitting diode generates a great amount of heat, it must be able to dissipate heat generated more quickly and efficiently.
상기 측면 발광 다이오드 패키지는 도광판의 측면으로 빛을 조사하게 되는 데 이 과정에서 도광판으로 조사되는 빛의 손실을 최소화할 수 있어야 한다. 또한, 최근들어 고급스럽고 발전된 핸드폰이나 PDA 등 전자 통신기기의 수요가 늘어남에 따라 점차적으로 기기의 두께가 얇아지고 이에 기기 내에 장착되는 소형 디스플레이의 두께가 줄어들고 있다. 이에 두께를 최소화하면서도 안정적인 실장 구조를 가지며 빛의 전반사효율을 높일 수 있도록 된 측면 발광 다이오드 패키지의 개발이 요원한 실정이다.The side light emitting diode package emits light toward the side of the light guide plate. In this process, the loss of light emitted to the light guide plate should be minimized. In addition, as the demand for electronic communication devices such as mobile phones and PDAs has increased in recent years, the thickness of devices has gradually decreased and the thickness of small displays mounted in the devices has been reduced. Therefore, the development of a side light emitting diode package capable of minimizing thickness and having a stable mounting structure and improving total reflection efficiency of light is in need.
이에 패키지로부터 조사되는 빛의 중심이 도광판의 측면 중심과 일치하도록 함으로써 빛의 손실을 최소화 할 수 있도록 된 측면 발광 다이오드 패키지를 제공한다. 또한, 발광 효율을 극대화시킬 수 있도록 된 측면 발광 다이오드 패키지를 제공한다.Therefore, the center of the light emitted from the package to match the center of the side of the light guide plate to provide a side light emitting diode package that can minimize the loss of light. In addition, it provides a side light emitting diode package that can maximize the luminous efficiency.
또한, 보다 안정적으로 기판에 실장될 수 있도록 된 측면 발광 다이오드 패키지를 제공한다.In addition, it provides a side light emitting diode package that can be mounted on a substrate more stably.
또한, 칩에서 발생되는 열을 보다 신속하게 외부로 방열시킬 수 있도록 하여 방열 효과를 극대화시킬 수 있도록 된 측면 발광 다이오드 패키지를 제공한다.In addition, it provides a side light emitting diode package that can maximize the heat dissipation effect by allowing the heat generated from the chip to dissipate heat to the outside more quickly.
이를 위해 본 패키지는 반도체 칩과, 상기 반도체 칩이 다이본딩되는 다이패드와 상기 다이패드와 이격되고 상기 반도체 칩과 전기적으로 연결되는 리드패드 및 상기 다이패드와 리드패드에서 각각 연장되는 전극리드를 포함하는 리드프레임, 상기 리드프레임에 몰딩되어 외형을 이루고 상기 반도체 칩 주위로 형성되는 리플렉터를 포함하는 몰드, 상기 몰드의 하단에 돌출형성되어 전극리드가 실장되는 실장면으로부터 상기 리플렉터의 중심을 높이기 위한 받침부를 포함할 수 있다.To this end, the package includes a semiconductor chip, a die pad to which the semiconductor chip is die bonded, a lead pad spaced apart from the die pad, and an electrode lead extending from the die pad and the lead pad, respectively. A lead frame, a mold including a reflector molded to the lead frame to form an outer shape and formed around the semiconductor chip, and protruding to a lower end of the mold to support a center of the reflector from a mounting surface on which an electrode lead is mounted. It may include wealth.
여기서 상기 받침부는 상기 리플렉터의 하단에 형성될 수 있다. 상기 리플렉터는 하단의 두께는 받침부의 두께만큼 커져 상단의 두께와 비교하여 비대칭을 이룬다.Here, the support may be formed at the lower end of the reflector. The reflector is asymmetrical compared with the thickness of the upper end of the thickness of the bottom portion is increased by the thickness of the base.
이에 기판으로부터 받침부의 높이만큼 리플렉터의 중심 높이가 높아지게 되어 리플렉터의 중심이 도광판의 측면 중심과 일치하게 된다. 따라서 반도체 칩으로부터 리플렉터를 통해 반사되는 빛이 도광판의 측면 중심으로 조사되어 빛 손실을 최소화할 수 있게 되는 것이다.As a result, the center height of the reflector is increased by the height of the supporting portion from the substrate so that the center of the reflector coincides with the side center of the light guide plate. Therefore, the light reflected through the reflector from the semiconductor chip is irradiated to the side center of the light guide plate to minimize the light loss.
상기 받침부는 밑면이 평면을 이룰 수 있다. 이에 상기 패키지를 기판 등에 밀착시키게 되면 받침부의 평평한 밑면이 기판에 접하면서 패키지의 평탄도를 용이하게 확보할 수 있게 된다.The base may have a flat bottom surface. Accordingly, when the package is in close contact with the substrate, the flat bottom surface of the support portion is in contact with the substrate, thereby easily securing the flatness of the package.
또한, 본 패키지는 상기 리드프레임의 다이패드에 연결되어 몰드 외측으로 연장되는 방열패드를 더 포함할 수 있다.In addition, the package may further include a heat dissipation pad connected to the die pad of the lead frame to extend outside the mold.
상기 방열패드는 상기 다이패드에 일체로 형성될 수 있다.The heat dissipation pad may be integrally formed with the die pad.
따라서 칩으로부터 발생된 열은 다이패드와 연결되어 있는 방열패드를 통해 바로 패키지 외부를 지나는 열전달매체로 전달될 수 있으며, 방열패드를 통한 방열면적의 증대로 인해 방열효과를 극대화시킬 수 있게 된다.Therefore, the heat generated from the chip can be transferred to the heat transfer medium directly passing through the outside of the package through the heat dissipation pad connected to the die pad, thereby maximizing the heat dissipation effect by increasing the heat dissipation area through the heat dissipation pad.
여기서 상기 방열패드는 전자회로기판(PCB;Print Circuit Borad)에 접지되어 방열이 이루어질 수 있다. 또한, 상기 방열패드는 별도의 방열소자와 접지되어 방열이 이루어질 수 있다.The heat dissipation pad may be grounded to a printed circuit board (PCB) to radiate heat. In addition, the heat radiating pad may be grounded with a separate heat radiating element to radiate heat.
상기 방열패드는 상기 두 개의 전극리드 사이에 설치될 수 있다. 또한, 상기 두 개의 전극리드는 몰드의 전면쪽으로 절곡되고 상기 방열패드는 후면쪽으로 절곡될 수 있다. 이에 두 개의 전극리드와 상기 방열패드가 3개의 지지점을 이루어 패키지의 틀어짐을 방지할 수 있게 된다.The heat dissipation pad may be installed between the two electrode leads. In addition, the two electrode leads may be bent toward the front side of the mold and the heat radiation pad may be bent toward the rear side. Accordingly, two electrode leads and the heat dissipation pad form three support points to prevent the package from being twisted.
또한, 본 패키지는 상기 리플렉터의 양쪽 내측면이 전면방향에 대해 외측으로 20°~ 45°각도로 경사면을 이루는 구조일 수 있다.In addition, the present package may have a structure in which both inner surfaces of the reflector form an inclined surface at an angle of 20 ° to 45 ° outward with respect to the front direction.
이에 패키지의 두께를 줄이더라도 리플렉터의 양 측면의 경사면을 통해 전면 발광효과를 극대화시킬 수 있게 된다.Thus, even if the thickness of the package is reduced, the front light emitting effect can be maximized through the inclined surfaces on both sides of the reflector.
본 패키지에 의하면, 도광판의 입사면 중심으로 빛을 조사할 수 있게 되어 빛의 손실을 최소화할 수 있으며, 빛의 반사효율을 높여 발광효율을 높일 수 있게 된다. 이로 인해 비교적 적은 소비전력으로 충분한 광 휘도를 구현함으로써 제조원가를 극도로 낮출 수 있게 된다.According to this package, it is possible to irradiate light to the center of the incident surface of the light guide plate to minimize the loss of light, it is possible to increase the light reflection efficiency to increase the luminous efficiency. As a result, the manufacturing cost can be extremely reduced by realizing sufficient optical brightness with relatively low power consumption.
또한, 반도체 칩의 열 방출 경로를 단축하고 방열 면적을 증대시켜 방열 효과를 극대화할 수 있게 된다. In addition, it is possible to maximize the heat dissipation effect by shortening the heat dissipation path of the semiconductor chip and increasing the heat dissipation area.
또한, 패키지 실장시 바닥면과의 밀착성과 평탄도를 높이고, 3개의 지지점을 통해 틀어짐없이 보다 안정적인 실장이 가능하게 된다.In addition, it improves the adhesion and flatness with the bottom surface when the package is mounted, it is possible to mount more stable through the three support points.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
도면들은 개략적이고 축적에 맞게 도시되지 않았다는 것을 일러둔다. 도면에 있는 부분들의 상대적인 치수 및 비율은 도면에서의 명확성 및 편의를 위해 그 크기에 있어 과장되거나 감소되어 도시되었으며 임의의 치수는 단지 예시적인 것이지 한정적인 것은 아니다. 그리고 둘 이상의 도면에 나타나는 동일한 구조물, 요소 또는 부품에는 동일한 참조 부호가 다른 실시예에서 대응하거나 유사한 특징을 나타내기 위해 사용된다.It is noted that the figures are schematic and not drawn to scale. The relative dimensions and ratios of the parts in the figures have been exaggerated or reduced in size for clarity and convenience in the figures and any dimensions are merely exemplary and not limiting. And the same structure, element or part that appears in more than one figure the same reference numerals are used in different embodiments to indicate corresponding or similar features.
도 1은 본 실시예에 따른 측면 발광 다이오드 패키지의 사시도이다.1 is a perspective view of a side light emitting diode package according to the present embodiment.
여기서 도 1의 X축 방향은 반도체 칩으로부터 빛이 발산되는 발광면으로 실질적으로 디스플레이의 도광판 측면과 결합되는 면이고 Z축 반대방향은 기판 상에 결합되는 면이다. 이하 설명에서는 설명의 편의를 위해 상기 Z축방향을 상면, 그 반대방향을 하면으로 하고 Y축방향을 측면으로 하며, X축방향을 정면으로 하여 설명하도록 한다.Here, the X-axis direction of FIG. 1 is a light emitting surface from which light is emitted from the semiconductor chip and is a surface that is substantially coupled to the light guide plate side of the display, and a direction opposite to the Z-axis is a surface that is coupled onto the substrate. In the following description, for convenience of description, the Z-axis direction will be described as the upper surface, the opposite direction to the lower surface, the Y-axis direction to the side, and the X-axis direction to the front.
상기한 도면에 의하면, 본 실시예의 측면 발광 다이오드 패키지(100)는 리드프레임(10)과, 반도체 칩(20), 외형을 이루는 몰드(30), 상기 몰드(30)의 하면에 돌출 형성되는 받침부(40) 및 상기 몰드(30) 외측으로 연장되는 방열패드(50)를 포 함한다.According to the above drawings, the side light emitting diode package 100 according to the present embodiment includes a lead frame 10, a semiconductor chip 20, a mold 30 forming an external shape, and a support protruding from a lower surface of the mold 30. It includes a portion 40 and the heat dissipation pad 50 extending to the outside of the mold 30.
상기 리드프레임(10)은 반도체 칩(20)이 다이본딩되는 다이패드(11)와, 이 다이패드(11)와 이격되고 상기 반도체 칩(20)과 와이어(14)로 연결되어 전기적으로 통전되는 리드패드(12), 상기 일측 다이패드(11)와 각 리드패드(12)에 각각 일체로 형성되고 몰드(30) 외측으로 연장되어 전류를 인가하기 위한 전극리드(13)를 포함한다.The lead frame 10 is connected to the die pad 11 to which the semiconductor chip 20 is die-bonded, spaced apart from the die pad 11, and connected to the semiconductor chip 20 by a wire 14 to be electrically energized. The lead pad 12, the one side die pad 11 and the lead pad 12 are formed integrally with each other and extend outside the mold 30 to include an electrode lead 13 for applying a current.
상기 반도체 칩(20)은 빛을 발산하는 소자로 상기 다이패드(11)에 다이접착제를 매개로 다이본딩(Die Bonding)되고 골드 와이어(14)를 매개로 리드패드(12)에 전기적으로 연결된다. 상기 몰드(30)는 상기 리드프레임(10)에 몰딩 결합되어 몸체를 이루며, 반도체 칩(20) 주위로는 리플렉터(31)를 형성하여 반도체 칩(20)으로부터 발산되는 빛을 반사시켜 발광효율을 극대화시키게 된다. 즉, 상기 몰드(30)는 리드프레임(10)에 수지로 사출 또는 트랜스퍼몰딩되어 형성된 사각형태의 구조물이다. 그리고 반도체 칩(20)이 위치하는 상기 몰드의 전면에는 중앙쪽이 홈몰되어 홈을 이루도록 리플렉터(31)가 상하좌우에서 돌출 형성된다. 그리고 상기 리플렉터(31) 내에는 충진제(32)가 채워진다. 상기 충진제(32)는 리플렉터의 내부에 채워져 리드프레임(10)과 반도체 칩(20)을 습기 등으로부터 보호하기 위한 것으로 그 재질은 특별히 한정되지 않는다.The semiconductor chip 20 is a device that emits light and is die-bonded to the die pad 11 through a die adhesive and electrically connected to the lead pad 12 through a gold wire 14. . The mold 30 is molded to the lead frame 10 to form a body. The reflector 31 is formed around the semiconductor chip 20 to reflect light emitted from the semiconductor chip 20 to improve light emission efficiency. To maximize. That is, the mold 30 is a rectangular structure formed by injection or transfer molding of resin on the lead frame 10. In addition, a reflector 31 protrudes from the top, bottom, left, and right sides of the mold in which the semiconductor chip 20 is located so that a center thereof is grooved to form a groove. Filler 32 is filled in reflector 31. The filler 32 is filled in the reflector to protect the lead frame 10 and the semiconductor chip 20 from moisture and the like, and the material thereof is not particularly limited.
여기서 상기 몰드(30)의 하면에는 소정 두께의 받침부(40)가 돌출형성되어, 패키지가 실장되는 기판으로부터 상기 리플렉터의 중심 높이를 높이는 구조로 되어 있다. 상기 받침부(40)는 바닥면이 평평한 직사각형태의 구조로, 기판 상에 패키지 를 실장할 때 패키지의 평탄도를 보다 용이하게 확보할 수 있게 된다. Here, the base portion 40 having a predetermined thickness protrudes from the bottom surface of the mold 30 to increase the center height of the reflector from the substrate on which the package is mounted. The support portion 40 has a flat bottomed structure, and when the package is mounted on the substrate, the flatness of the package can be more easily secured.
도 2에 도시된 바와 같이 본 실시예에 따른 상기 받침부(40)는 몰드의 하면 중앙 즉, 전극리드(13) 사이에 위치한다. 실질적으로 상기 받침부(40)는 몰드의 전면에 형성되는 리플렉터(31)의 하면에 형성된다. 상기 받침부(40)의 두께는 상기 전극리드(13)의 두께와 대응되도록 한다. 이에 절곡되어 몰드(30) 하면에 밀착된 전극리드(13)와 받침부(40)가 같은 높이를 이루어 동일 평면상에 놓여질 수 있게 된다.As shown in FIG. 2, the supporting part 40 according to the present exemplary embodiment is positioned at the center of the lower surface of the mold, that is, between the electrode leads 13. Substantially, the support 40 is formed on the lower surface of the reflector 31 formed on the front surface of the mold. The thickness of the support 40 is to correspond to the thickness of the electrode lead (13). The electrode lead 13 and the support portion 40 that are bent to be in close contact with the bottom surface of the mold 30 may be placed on the same plane at the same height.
이와같이 본 패키지는 몰드(30)의 하면에 소정 두께의 받침부(40)를 형성함으로써, 실질적으로 리플렉터(31)를 이루는 상하면의 두께는 동일하게 형성하면서도 기판에 대해 리플렉터의 중심 높이는 높일 수 있게 된다. 따라서 상기 리플렉터의 중심과 도광판의 측면 중심이 일치하게 되는 데 이러한 작용에 대해서는 뒤에서 다시 설명하도록 한다.Thus, by forming the support portion 40 having a predetermined thickness on the lower surface of the mold 30, the present package can substantially increase the center height of the reflector with respect to the substrate while forming the same thickness of the upper and lower surfaces of the reflector 31. . Therefore, the center of the reflector and the side center of the light guide plate coincide with each other, and this operation will be described later.
한편, 상기 방열패드(50)는 다이패드(11)에 일체로 형성되고 상기 몰드(30)의 외측으로 노출된다.On the other hand, the heat radiation pad 50 is integrally formed on the die pad 11 and exposed to the outside of the mold 30.
도 3에 도시된 바와 같이 상기 방열패드(50)는 몰드(30)의 중앙으로 노출되어 몰드(30)의 후면을 향하여 절곡된다. 따라서 상기 몰드의 하면에는 리플렉터가 형성된 전면쪽으로 받침부(40)가 위치하고 후면쪽으로는 방열패드가 위치한다.As shown in FIG. 3, the heat dissipation pad 50 is exposed toward the center of the mold 30 and is bent toward the rear surface of the mold 30. Therefore, the supporting part 40 is located on the front surface of the mold, and the heat dissipation pad is located on the rear surface of the mold.
상기와 같이 다이패드(11)와 연결된 방열패드(50)가 몰드(30) 외측으로 노출됨으로써, 상기 반도체 칩(20)에서 발생되는 열이 상기 각 방열패드(50)를 통해 보다 신속하게 방열될 수 있게 된다. 이러한 구조는 전극리드만을 구비하여 방열이 이루어지는 종래 구조와 비교하여 보다 많은 방열 면적을 확보할 수 있게 되어 열전달이 신속하게 이루어질 수 있게 된다.As described above, since the heat radiating pad 50 connected to the die pad 11 is exposed to the outside of the mold 30, heat generated from the semiconductor chip 20 may be radiated more quickly through the heat radiating pads 50. It becomes possible. Such a structure can provide more heat dissipation area than the conventional structure in which heat dissipation is provided only by electrode leads, and thus heat transfer can be performed quickly.
상기 방열패드(50)의 두께는 상기 받침부(40)의 두께와 대응된다. 이에 도 4에 도시된 바와 같이 몰드 하면에 절곡된 방열패드(50)와 받침부(40)는 같은 높이를 이루어 동일 평면상에 놓여질 수 있게 된다.The thickness of the heat dissipation pad 50 corresponds to the thickness of the base 40. Accordingly, as shown in FIG. 4, the heat radiation pad 50 and the support portion 40 that are bent at the bottom surface of the mold may have the same height and be placed on the same plane.
여기서 상기 방열패드(50)는 몰드(30) 후면쪽으로 절곡됨으로써 몰드 전면쪽으로 절곡된 두 개의 전극리드(13)와 더불어 패키지를 안정되게 지지하는 3개의 지지대 역할을 하게 된다. In this case, the heat radiating pad 50 is bent toward the rear surface of the mold 30 to serve as three supports for stably supporting the package together with the two electrode leads 13 bent toward the front surface of the mold.
따라서 바닥면이 평평한 사각형태의 받침부(40)와 3점 지지대 역할을 하는 방열패드(50)와 전극리드(13)에 의해, 상기 패키지를 기판 상에 보다 평탄하고 틀어짐없이 실장할 수 있게 된다.Accordingly, the package can be mounted on the substrate more flatly and without distortion by the base 40 having a flat bottom surface, the heat dissipation pad 50 and the electrode lead 13 serving as a three-point support. .
한편, 본 패키지(100)는 반도체 칩(20)에서 발산되는 빛의 반사효율을 극대화시킬 수 있도록 상기 리플렉터(31)의 양 측면에 경사면(33)을 형성한 구조로 되어 있다. 상기 경사면은 리플렉터의 전면에 수직한 방향(X축 방향)을 기준으로 외측으로 20°~ 45°각도로 경사진 구조로 되어 있다.Meanwhile, the package 100 has a structure in which inclined surfaces 33 are formed on both side surfaces of the reflector 31 so as to maximize the reflection efficiency of light emitted from the semiconductor chip 20. The inclined surface has a structure inclined outward at an angle of 20 ° to 45 ° based on a direction perpendicular to the front surface of the reflector (X-axis direction).
상기 경사면(33)의 각도가 20°보다 작을 경우에는 상기 패키지의 사출시 성형성은 우수하나 빛의 산란을 야기하며 발광각도가 줄어드는 단점이 있다. 상기 경사면(33)의 각도가 45°보다 큰 경우에는 패키지의 성형성이 어려워지며 빛의 번반사보다 좌우측으로 퍼지는 광 때문에 발광광도가 낮아지는 단점이 발생된다.When the angle of the inclined surface 33 is smaller than 20 °, the moldability is excellent at the time of injection of the package, but there is a disadvantage in that light scattering occurs and the light emission angle is reduced. When the angle of the inclined surface 33 is greater than 45 °, the formability of the package becomes difficult, and the luminous intensity is lowered due to the light spreading to the left and right sides than the light reflection.
이에 상기와 같이 적절한 각도의 경사면 구조에 의해 패키지의 두께를 줄이 더라도 전면으로 반사되는 광손실은 최소화할 수 있게 된다. 패키지(100)의 두께가 줄어들게 되면 리플렉터의 상면과 하면의 각도는 매우 작아지게 된다. 그러나 상기와 같이 리플렉터(31)의 양 측면에 상기 각도를 갖는 경사면(33)을 형성함으로서 전면 발광효과를 극대화시킬 수 있게 된다. Accordingly, even if the thickness of the package is reduced by the inclined surface structure at an appropriate angle as described above, the light loss reflected to the front surface can be minimized. When the thickness of the package 100 is reduced, the angle between the upper and lower surfaces of the reflector becomes very small. However, by forming the inclined surface 33 having the angle on both sides of the reflector 31 as described above it is possible to maximize the front light emitting effect.
이하, 발광 다이오드 패키지의 제조과정을 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, the manufacturing process of the LED package will be described.
리드프레임(10)을 이루는 다수개의 패드부(11)와 리드부(12)가 교대로 배열하여 하나의 조를 구성하도록 하고 상기 리드프레임(10)을 지지하기 위한 몰드(30)와 빛의 집적을 위한 반사구조인 리플렉터(31)를 사출 또는 트랜스퍼몰딩을 통해 형성한다. 이때 상기 리플렉터는 양쪽 내측면에 20°~ 45°의 각도의 경사면을 이루도록 형성되며, 리플렉터의 하면에는 소정 두께의 받침부(40)가 형성된다. 상기 과정을 거치게 되면 몰드(30)의 후면으로 전극리드(13)와 방열패드(50)가 돌출된다.The plurality of pads 11 and the lead parts 12 constituting the lead frame 10 are alternately arranged to form a group, and the mold 30 and light integration for supporting the lead frame 10 are integrated. Reflector 31, which is a reflective structure for forming, is formed through injection molding or transfer molding. At this time, the reflector is formed to form an inclined surface of the angle of 20 ° ~ 45 ° on both inner surfaces, the support portion 40 of a predetermined thickness is formed on the lower surface of the reflector. The electrode lead 13 and the heat dissipation pad 50 protrude to the rear surface of the mold 30 through the above process.
그리고 상기 리드프레임(10)의 각 패드부(11)에 방열 접착제를 도팅(Dotting)하고 상기 방열 접착제에 발광용 반도체 칩(20)을 다이본딩 공정으로 부착하고, 골드 와이어(14)로 상기 반도체 칩(20)과 리드프레임(10)을 연결하는 과정을 거친다.Then, dotting a heat radiation adhesive to each pad portion 11 of the lead frame 10 and attaching the light emitting semiconductor chip 20 to the heat radiation adhesive by a die bonding process, the semiconductor with a gold wire 14 Through the process of connecting the chip 20 and the lead frame 10.
골드 와이어(14)에 의한 전극 접합과정 후에는 상기 몰드(30)를 금형에 안착시키고 상기 리플렉터(31) 사이에 충진제(32)를 채운다.After the electrode bonding process by the gold wire 14, the mold 30 is seated in the mold and the filler 32 is filled between the reflectors 31.
상기의 과정이 완료되면 배열되어 있는 각각의 패키지(100)를 트리밍하여 개별화하고 포밍공정을 통해 상기 전극리드(13)와 방열패드(40)를 절곡시켜 상기 몰 드(30)의 측면과 후면에 밀착시킨다.When the above process is completed, each of the arrayed package 100 is trimmed and individualized, and the electrode lead 13 and the heat dissipation pad 40 are bent through a forming process to the side and the rear of the mold 30. Close contact
상기 포밍공정은 상기 몰드(30) 형성후 바로 수행할 수도 있으며 제조 순서에 있어서 특별히 한정되지 않는다.The forming process may be performed immediately after the mold 30 is formed and is not particularly limited in the manufacturing order.
상기의 과정을 거침으로서 몰드(30)의 후면에 받침부(40)가 돌출 형성되고, 방열패드(50)가 노출된 측면 발광 다이오드 패키지(100)를 제조할 수 있게 된다.Through the above process, the supporting part 40 is formed to protrude on the rear surface of the mold 30, and the heat dissipation pad 50 is exposed, thereby manufacturing the side light emitting diode package 100.
한편, 도 5는 상기한 구조의 측면 발광 다이오드 패키지의 사용상태를 도시한 개략적인 도면이다.On the other hand, Figure 5 is a schematic diagram showing a state of use of the side light emitting diode package of the above structure.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 패키지는 백라이트 유닛의 기판(80) 상에 실장되어 도광판(70) 측면으로 빛을 조사시키게 된다. 상기 도광판(70)은 상하면에 반사시트(71,72)가 부착된다. 상기 반사시트 중 하면의 반사시트(72)의 두께에 의해 도광판은 기판에 대해 소정 높이 위로 들어올려진 상태가 된다. As shown in FIG. 5, the package is mounted on the substrate 80 of the backlight unit to irradiate light toward the side of the light guide plate 70. Reflecting sheets 71 and 72 are attached to upper and lower surfaces of the light guide plate 70. The light guide plate is raised above a predetermined height with respect to the substrate by the thickness of the reflective sheet 72 on the lower surface of the reflective sheet.
여기서 본 패키지(100)를 기판(80) 상에 실장시키게 되면 패키지의 몰드 하면에 형성된 받침부(40)가 기판(80)에 접하게 된다. 이에 몰드의 전면에 형성된 리플렉터(31)의 중심이 상기 받침부(40)의 두께만큼 위쪽으로 이동하게 된다. 따라서 상기 몰드의 리플렉터(31) 중심은 하면의 반사시트(72)에 의해 들어올려진 도광판(70) 측면의 중심과 일치하게 된다. 이에 리플렉터(31)로부터 나오는 빛은 도광판(70)의 입사면인 측면의 중심으로 조사되어 광손실을 최소화할 수 있게 된다.When the package 100 is mounted on the substrate 80, the support 40 formed on the bottom surface of the mold is in contact with the substrate 80. The center of the reflector 31 formed on the front of the mold is moved upward by the thickness of the support portion 40. Accordingly, the center of the reflector 31 of the mold coincides with the center of the side of the light guide plate 70 lifted by the reflective sheet 72 on the bottom surface. The light emitted from the reflector 31 is irradiated to the center of the side surface, which is the incident surface of the light guide plate 70 to minimize the light loss.
또한, 상기 받침부(40)는 평탄한 면으로 이루어져 패키지(100)를 기판(80) 상에 실장시키는 과정에서 상기 받침부(40)가 기판(80) 상에 놓여지면서 패키지(100)의 수평이 자연스럽게 맞춰져 패키지를 어긋남없이 도광판과 평탄하게 설치 할 수 있게 된다.In addition, the support part 40 is made of a flat surface in the process of mounting the package 100 on the substrate 80, the support portion 40 is placed on the substrate 80, the horizontal of the package 100 The natural fit allows the package to be installed flat with the light guide plate without misalignment.
그리고 상기 패키지(100)는 몰드(30) 하면으로 노출된 방열패드(50)는 기판 상에 접지되어 기판으로 열을 전달하게 된다.The heat dissipation pad 50 exposed to the bottom surface of the mold 30 is grounded on a substrate to transfer heat to the substrate.
따라서 반도체 칩(20)에서 발생된 열은 다이패드(11)에 연결되어 있는 방열패드(50)을 통해 바로 기판(80)으로 전달되어 보다 빠른 경로를 통해 그리고 보다 넓은 방열면을 통해 방열처리될 수 있게 된다.Therefore, the heat generated in the semiconductor chip 20 is transferred directly to the substrate 80 through the heat dissipation pad 50 connected to the die pad 11 to be heat treated through a faster path and through a wider heat dissipation surface. It becomes possible.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 예시적인 실시예가 도시되어 설명되었지만, 다양한 변형과 다른 실시예가 본 분야의 숙련된 기술자들에 의해 행해질 수 있을 것이다. 이러한 변형과 다른 실시예들은 첨부된 청구범위에 모두 고려되고 포함되어, 본 발명의 진정한 취지 및 범위를 벗어나지 않는다 할 것이다.While the exemplary embodiments of the invention have been illustrated and described as described above, various modifications and other embodiments may be made by those skilled in the art. Such modifications and other embodiments are all considered and included in the appended claims, without departing from the true spirit and scope of the invention.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 측면 발광 다이오드 패키지의 사시도이다.1 is a perspective view of a side light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 측면 발광 다이오드 패키지의 정면도이다.2 is a front view of a side light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 측면 발광 다이오드 패키지의 배면도이다.3 is a rear view of a side light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 측면 발광 다이오드 패키지의 측단면도이다.4 is a side cross-sectional view of a side light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 측면 발광 다이오드 패키지의 사용상태를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.5 is a schematic diagram illustrating a state of use of a side light emitting diode package according to an exemplary embodiment of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10 : 리드프레임 11 : 다이패드10: lead frame 11: die pad
12 : 리드패드 13 : 전극리드12: lead pad 13: electrode lead
14 : 와이어 20 : 반도체 칩14: wire 20: semiconductor chip
30 : 몰드 31 : 리플렉터30 mold 31 reflector
32 : 충진제 33 : 경사면32: filler 33: inclined surface
40 : 받침부 50 : 방열패드40: base 50: heat dissipation pad

Claims (8)

  1. 빛을 발산하는 반도체 칩과,A semiconductor chip that emits light,
    상기 반도체 칩이 다이본딩되는 다이패드와 상기 다이패드와 이격되고 상기 반도체 칩과 전기적으로 연결되는 리드패드 및 상기 다이패드와 리드패드에서 각각 연장되는 전극리드를 포함하는 리드프레임,A lead frame including a die pad to which the semiconductor chip is die-bonded, a lead pad spaced from the die pad and electrically connected to the semiconductor chip, and an electrode lead extending from the die pad and the lead pad, respectively;
    상기 리드프레임에 몰딩되어 외형을 이루고 상기 반도체 칩 주위로 형성되는 리플렉터를 포함하는 몰드, 및A mold including a reflector molded in the lead frame to form an outline and formed around the semiconductor chip;
    상기 몰드의 하단에 돌출형성되어 전극리드가 실장되는 실장면으로부터 상기 리플렉터의 중심을 높여, 리플렉터의 상단과 하단 사이의 중심을 도광판의 측면 중심과 일치시키기 위한 받침부Protruding portion formed at the lower end of the mold to raise the center of the reflector from the mounting surface on which the electrode lead is mounted, a support for matching the center between the upper and lower ends of the reflector and the side center of the light guide plate
    를 포함하는 측면 발광 다이오드 패키지.Side light emitting diode package comprising a.
  2. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1,
    상기 받침부는 상기 리플렉터의 하단에 형성되는 측면 발광 다이오드 패키지.The support part is a side light emitting diode package formed on the bottom of the reflector.
  3. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1,
    상기 받침부는 밑면이 평면을 이루는 측면 발광 다이오드 패키지.The base portion is a side surface light emitting diode package having a flat surface.
  4. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1,
    상기 리드프레임의 다이패드에 연결되어 몰드 외측으로 연장되는 방열패드를 더 포함하는 측면 발광 다이오드 패키지.And a heat dissipation pad connected to the die pad of the lead frame and extending outside the mold.
  5. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein
    상기 방열패드는 상기 다이패드에 일체로 형성되는 측면 발광 다이오드 패키지.The heat dissipation pad is a side light emitting diode package formed integrally with the die pad.
  6. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein
    상기 방열패드는 상기 받침부의 두께와 대응되는 측면 발광 다이오드 패키지.The heat radiation pad is a side light emitting diode package corresponding to the thickness of the base.
  7. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein
    상기 방열패드는 상기 두 개의 전극리드 사이에 설치되고, 상기 두 개의 전극리드는 몰드의 전면쪽으로 절곡되고, 상기 방열패드는 후면쪽으로 절곡되어 몰드를 3점 지지하는 측면 발광 다이오드 패키지.The heat dissipation pad is installed between the two electrode leads, the two electrode leads are bent toward the front side of the mold, the heat dissipation pad is bent toward the rear side to support the three point light emitting diode package.
  8. 제 1 항 또는 제 4 항에 있 있어서, The method according to claim 1 or 4,
    상기 리플렉터는 양쪽 내측면이 전면방향에 대해 외측으로 20°~ 45°각도로 경사면을 이루는 측면 발광 다이오드 패키지.The reflector is a side light emitting diode package of which both inner surfaces are inclined at an angle of 20 ° to 45 ° outward with respect to the front direction.
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