KR100925782B1 - 주파수 안정화 레이저 장치 및 레이저 주파수 안정화 방법 - Google Patents

주파수 안정화 레이저 장치 및 레이저 주파수 안정화 방법 Download PDF

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Abstract

주파수 안정화 레이저 장치 및 레이저 주파수 안정화 방법이 개시된다. 반도체 레이저는 빔을 방출한다. 외부반사체는 공진 주파수를 가지며, 방출된 빔의 주파수와 공진 주파수가 동일한 경우에는 방출된 빔을 반도체 레이저로 피드백한다. 간섭신호 생성부는 방출된 빔의 파장을 검출하기 위한 간섭신호를 생성하고, 제어부는 생성된 간섭신호로부터 파장을 검출한다. 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치 및 레이저 주파수 안정화 방법에 의하면, 반도체 레이저로부터 방출되는 빔의 주파수를 안정화시킬 수 있고 안정된 주파수를 갖는 빔을 장시간 출력가능하며, 반도체 레이저의 온도 또는 반도체 레이저로 인가되는 전류를 조절하여 각 프리 스펙트럴 범위(free spectral ranges) 별로 안정된 주파수를 갖는 빔을 선택적으로 장시간 출력가능하고 출력하는 빔의 주파수를 높은 분해능을 가지고 정확하게 산출할 수 있다.
반도체 레이저, 안정화, 주파수, 파장, 간섭신호, 빔

Description

주파수 안정화 레이저 장치 및 레이저 주파수 안정화 방법{Apparatus and method for stabilizing frequency of semiconductor laser}
본 발명은 주파수 안정화 레이저 장치 및 레이저 주파수 안정화 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 반도체 레이저로부터 방출되는 빔의 주파수를 안정시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 레이저는 다른 레이저에 비하여 소형, 저전력 소비, 대량생산에 의한 저가격, 고효율, 100만 시간 이상의 긴 수명, 넓은 범위의 발진파장, 넓은 이득 대역폭, 어레이 구조의 채용에 의한 고출력 가능, 주입전류에 의한 직접 강도 및 주파수 제어 가능 등의 많은 특징을 가지고 있다. 다양한 특징들로 인해 반도체 레이저는 광통신, 콤팩트디스크의 광원 등을 중심으로 각종 응용 분야에서 널리 사용되고 있다.
많은 응용분야 중에서 레이저를 정밀 측정의 광원으로 사용하기 위해서는 레이저 주파수가 일정한 값으로 안정되어야 한다. 레이저 주파수 안정방법으로는 원자의 분광선을 이용하는 방법, 페브리 페로 간섭계를 이용하는 방법, Zeeman 효과를 이용하는 방법 등이 많이 사용된다. 원자의 분광선을 이용하는 경우에는 사용이 가능한 원자의 분광선이 있어야 하므로 특정한 파장에서만 레이저 주파수를 안정할 수 있고 장치가 복잡하여 산업체 보다는 연구실에서 널리 사용한다. 페브리 페로 간섭계를 이용하는 방법은 자체의 안정성능은 뛰어나지만 안정시킬 수 있는 영역이 너무 좁기 때문에 다른 안정화 방법의 보조수단으로 주로 사용된다. Zeeman 효과를 이용하는 방법은 He-Ne 레이저가 대표적이고 가장 널리 사용된다. 이 방법이 적용 가능하기위해서는 매질의 특성이 극히 제한되기 때문에 He-Ne 레이저 이외의 경우에는 대부분 적용할 수 없다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 레이저로부터 방출되는 빔의 주파수를 안정화시키고 안정된 주파수를 갖는 빔을 장시간 출력가능하며, 각 프리 스펙트럴 범위(free spectral ranges) 별로 안정된 주파수를 갖는 빔을 선택적으로 장시간 출력가능하고 출력하는 빔의 주파수를 높은 분해능을 가지고 정확하게 산출하는 레이저 장치 및 레이저 주파수 안정화 방법을 제공하는 데 있다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한, 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치는, 빔을 방출하는 반도체 레이저; 상기 방출된 빔의 파장을 검출하기 위한 간섭신호를 생성하는 간섭신호 생성부; 상기 생성된 간섭신호로부터 파장을 검출하고, 상기 검출한 파장에 따라 상기 반도체 레이저로 인가되는 전류를 조절하여 일차적으로 레이저 빔의 주파수를 안정화시키는 제어부; 공진 주파수를 가지며, 상기 방출된 빔의 주파수와 공진 주파수가 동일한 경우 광공진기를 통해 상기 방출된 빔을 상기 반도체 레이저로 피드백하여 상기 반도체 레이저의 주파수를 최종적으로 안정화시키는 외부반사체;를 구비한다.
상기 외부반사체는, 공진 주파수를 가지며 상기 방출된 빔의 주파수와 공진 주파수가 동일한 경우에는 상기 반도체 레이저로 피드백하기 위한 빔을 출력하는 광공진기; 상기 반도체 레이저로부터 방출된 빔을 상기 광공진기로 조사하는 제 1수단; 및 상기 광공진기로부터 출력된 빔을 상기 반도체 레이저로 피드백하는 제 2수단;을 포함한다. 상기 제 1수단과 제 2수단은 동일한 것일 수 있다. 바람직하게 상기 외부반사체는 상기 광공진기로부터 투과된 빔을 검출하는 제 1광검출기를 더 포함할 수 있으며, 이 경우에는 상기 제어부는 상기 검출된 빔으로부터 공명 주파수를 검출한다. 상기 공명 주파수가 검출된 경우에는 제어부는 공명 주파수로 상기 빔의 주파수가 잠김 상태가 유지되도록 상기 반도체 레이저의 온도 또는 상기 반도체 레이저로 인가되는 전류를 고정한다.
상기 간섭신호 생성부는, 사전에 설정된 두께를 갖는 시료기판; 상기 시료기판으로 상기 방출된 빔을 조사하는 광조사수단; 및 상기 시료기판으로부터 반사된 광을 검출하는 광검출수단;을 포함한다.
여기서 상기 광조사수단은, 상기 방출된 빔을 제 1빔과 제 2빔으로 분할하는 광분할기; 및 상기 분할된 제 1빔과 제 2빔을 서로 입사각을 달리하여 상기 시료기판으로 조사하는 광경로조절부;를 포함한다.
또한 상기 광검출수단은, 상기 시료기판으로부터 반사된 제 1빔 및 제 2빔의 편광을 조절하여 투과시키는 사분의일파장판; 상기 투과된 제1빔 및 제2빔을 반사시키는 편광광분할기; 상기 반사된 제1빔을 검출하는 제2광검출기; 및 상기 반사된 제2빔을 검출하는 제3광검출기;를 포함한다.
상기 제어부는, 상기 생성된 간섭신호로부터 파장을 검출하는 파장산출부; 상기 검출된 파장을 기초로 제어신호를 산출하는 제어신호산출부; 및 상기 산출된 제어신호에 따라 상기 반도체 레이저의 온도 또는 상기 반도체 레이저로 인가되는 전류를 조절하는 조절부;를 포함한다.
바람직하게 주파수 안정화 레이저 장치는, 상기 방출된 빔을 분할하여 상기 외부반사체 및 상기 간섭신호 생성부로 각각 조사하는 광전달부;를 더 포함한다. 여기서 상기 광전달부는, 상기 방출된 빔의 분할하여 분할된 빔의 일부를 상기 외부반사체로 조사하는 제 1광분할기; 상기 분할된 빔의 나머지 일부를 투과시키는 광절연체; 및 상기 투과된 빔을 분할하여 분할된 빔의 일부를 상기 간섭신호 생성부로 조사하고 분할된 빔의 나머지 일부를 외부로 방출하는 제 2광분할기;를 포함한다.
또한 상기의 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 레이저 주파수 안정화 방법은, 반도체 레이저로부터 방출되는 빔의 주파수를 안정화하는 방법에 있어서, 상기 반도체 레이저로부터 방출된 빔의 파장을 검출하는 파장검출단계; 상기 검출된 파장을 기초로 상기 반도체 레이저의 온도 또는 상기 반도체 레이저로 인가되는 전류를 조절하는 단계; 상기 빔의 공명 주파수를 검출하는 주파수검출단계; 상기 빔의 공명 주파수가 검출된 경우에는 상기 빔을 상기 반도체 레이저로 피드백하는 단계;를 갖는다.
여기서 상기 파장검출단계는, 상기 방출된 빔을 제 1빔과 제 2빔으로 분할하는 광분할단계; 상기 제 1빔과 제 2빔을 서로 다른 입사각을 갖도록 시료기판에 조사하는 광조사단계; 상기 시료기판으로부터 반사된 제 1빔과 제 2빔을 검출하는 단계; 및 검출된 제 1빔과 제 2빔으로부터 생성된 간섭신호로부터 파장을 검출하는 단계;를 포함한다.
여기서 상기 주파수검출단계는, 상기 방출된 빔을 광공진기로 조사하는 단계; 상기 광공진기로부터 투과된 빔을 검출하는 단계; 및 상기 검출된 빔으로부터 공명 주파수를 검출하는 단계;를 포함한다.
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본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치 및 레이저 주파수 안정화 방법에 의하면 반도체 레이저로부터 방출되는 빔의 주파수를 안정화시킬 수 있고 안정된 주파수를 갖는 빔을 장시간 출력가능하며, 반도체 레이저의 온도 또는 반도체 레이저로 인가되는 전류를 조절하여 각 프리 스펙트럴 범위(free spectral ranges) 별로 안정된 주파수를 갖는 빔을 선택적으로 장시간 출력가능하고 출력하는 빔의 주파수를 높은 분해능을 가지고 정확하게 산출할 수 있다.
이하에서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 장치 및 방법의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치에 대한 바람직한 일 실시예의 구성을 도시한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치(100)는 반도체 레이저(110), 외부반사체(120), 간섭신호 생성부(130), 제어부(140) 및 광전달부(150)를 구비한다.
반도체 레이저(110)는 빔을 방출하며, 제어부(140)에 의해 방출하는 빔의 주파수 또는 파장이 1차적으로 조절되고, 외부반사체(120)로부터 피드백된 빔에 의해 광되먹임이라는 물리 현상으로 빔의 주파수를 고정 및 안정화하게 된다.
외부반사체(120)는 공진 주파수를 가지며, 반도체 레이저(110)가 방출한 빔의 주파수와 공진 주파수가 동일한 경우에는 반도체 레이저(110)가 방출한 빔을 반도체 레이저(110)로 피드백한다. 반도체 레이저(110)로 피드백된 빔에 의해 반도체 레이저(110)로부터 방출되는 빔은 공진 주파수에 잠금된다. 이때, 반도체 레이저(110)는 안정된 주파수를 갖는 빔을 방출하게 된다. 이러한 외부반사체(120)로 1매의 반사경, 광학 격자, 광섬유공진기, 페브리-페로 공진기 등이 사용된다.
도 2는 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치의 외부반사체에 대한 바람직한 일 실시예의 개략적인 구조를 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 외부반사체(200)는 광공진기(210), 제 1수단(220), 제 2수단(220) 및 제 1광검출기(240)를 구비한다.
광공진기(210)는 공진 주파수를 가지며, 반도체 레이저(110)가 방출한 빔의 주파수와 공진 주파수가 동일한 경우에는 반도체 레이저(110)로 피드백하기 위해 입사된 빔을 증폭하여 출력한다. 이를 위해 광공진기(210)는 두개의 반사경(212, 214)으로 구성되며, 일예로 두개의 반사경(212, 214)은 서로 반사경의 곡률 반지름과 동일한 길이로 떨어져 배치된다.
그리고 반도체 레이저(110)로부터 방출된 빔을 광공진기(210)로 조사하는 제 1수단(220) 및 광공진기(210)로부터 증폭된 빔을 반도체 레이저(110)로 피드백하는 제 2수단(220)은 동일할 수 있다.
제 1수단(220)은 반도체 레이저(110)로부터 방출된 빔(250)을 반사경(212)으 로 입사시킨다. 반사경(212)으로 입사된 빔은 광공진기(210)로부터 4개의 빔(251, 252, 253, 254)으로 방출된다. 여기서 빔(251)은 반사경(212)로부터 반사된 빔과 광공진기(210)의 공진영역으로부터 전송된 빔으로 구성됨으로, 반도체 레이저(110)로부터 방출된 빔의 주파수가 공진 주파수와 동일할 때 최소 파워를 갖는다. 반대로, 빔(252, 253, 254)은 광공진기(210)의 공진영역으로부터 전송된 빔으로 구성됨으로 반도체 레이저(110)로부터 방출된 빔의 주파수가 공진 주파수와 동일할 때만이 최대 파워를 갖는다. 빔(252)이 최대 파워를 가질 때 제 2수단(220)에 의해 빔(252)은 반도체 레이저(110)로 피드백된다.
제 1광검출기(240)는 광공진기(210)로부터 투관된 빔(253)을 검출한다. 제어부(140)는 제 1광검출기(240)가 검출한 빔(253)으로부터 공명의 발생 여부를 확인하고, 공명이 발생한 경우에는 검출한 빔(253)의 주파수를 공명 주파수로 검출한다.
도 3은 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치의 간섭신호 생성부에 대한 바람직한 일 실시예의 개략적인 구조를 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치의 파장 측정 원리를 도시한 도면이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 간섭신호 생성부(300)는 반도체 레이저(110)로부터 방출된 빔의 파장을 검출한다. 이를 위해 간섭신호 생성부(300)는 시료기판(310), 광조사수단(320) 및 광검출수단(330)을 구비한다.
시료기판(310)은 사전에 설정된 두께를 갖는 것으로, 일예로 유리판이 될 수 있다. 시료기판(410)의 두께(L)를 사전에 알고 있는 경우에는 시료기판(410)으로부 터 반사된 빔의 간섭현상을 분석하여 시료기판(410)으로 입사된 빔(I0)의 파장을 검출할 수 있다. 시료기판(410)의 앞면(411)에서 반사된 빔(I1)과 시료기판의 후면(412)에서 반사된 빔(I2)은 서로 간섭을 일으킨다. 이러한 간섭으로 인해 광검출수단(430)에서 검출된 빔의 세기가 시간에 따라 주기적으로 변화하게 된다. 제어부(440)는 간섭현상으로 변화는 빔의 세기를 분석하여 반도체 레이저(110)로부터 방출된 빔의 파장을 산출한다. 이렇게 간섭신호 생성부(300)는 반도체 레이저(110)가 방출한 빔을 시료기판(310)에 입사시키고, 시료기판(310)으로부터 반사된 빔에 간섭현상이 일어나게 하여 간섭신호를 생성하고 이를 제어부(140)로 출력한다.
광조사수단(320)은 시료기판으로 반도체 레이저(110)가 방출한 빔을 시료기판(310)으로 조사한다. 이를 위해 광조사수단(320)은 광분할기(322) 및 광경로조절부(324)를 구비한다. 광분할기(322)는 반도체 레이저(110)가 방출한 빔을 제 1빔과 제 2빔으로 분할한다. 광경로조절부(324)는 광분할기(322)가 분할한 제 1빔과 제 2빔을 입사각을 서로 달리하여 시료기판(310)으로 입사되도록 광경로를 조절한다. 이를 위해 광경로조절부(324)는 초점렌즈(328) 및 반사미러(326)를 구비한다. 반사미러(326)는 광분할기(322)로부터 조사된 빔을 반사하여 초점렌즈(328)로 조사하고, 초점렌즈(328)는 각 입사된 빔이 서로 다른 입사각을 갖으며 시료기판(310)으로 입사되도록 각 입사된 빔을 굴절시킨다.
다른 실시예로 광조사수단(320)은 반도체 레이저(110)가 방출한 빔에 대한 분할하는 과정을 거치지 않고 반도체 레이저(110)가 방출한 빔을 시료기판(310)으 로 입사시킬 수 있다.
광검출수단(330)은 시료기판(310)으로부터 반사된 광을 검출한다. 이를 위해 광검출수단(330)은 사분의일파장판(332), 편광광분할기(334), 제 2광검검출기(336) 및 제 3광검출기(338)를 구비한다. 사분의일파장판(332)은 시표기판(310)으로부터 반사된 제 1빔 및 제 2빔의 편광을 조절하여 투과시킨다. 편광광분할기(334)는 편광이 조절된 제 1빔 및 제 2빔을 제 2광검출기 및 제 3광검출기로 반사한다. 즉 편광광분할기(334)는 광분할기(322)가 분할한 제 1빔과 제 2빔은 투과시키고 편광이 조절된 제 1빔 및 제 2빔을 반사시키므로 편광광분할기(334)는 광분할기(322)와 시료기판(310)의 중간 부분에 위치할 수 있다. 제 2광검출기(336) 및 제 3광검출기(338)는 각각 편광광분할기(334)로부터 반사된 제 1빔 및 제 2빔을 검출한다.
도 5는 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치의 제어부에 대한 바람직한 일 실시예의 구성을 도시한 블록도이다.
도 5를 참조하면, 제어부(140)는 간섭신호 생성부(130)가 생성한 간섭신호로부터 반도체 레이저(110)가 방출한 빔의 파장을 검출하고, 외부반사체(120)로부터 검출된 빔으로부터 공명 주파수를 검출하며, 반도체 레이저(110)의 온도 또는 반도체 레이저(110)로 인가되는 전류를 조절하여 반도체 레이저(110)를 제어한다. 이를 위해 제어부(500)는 파장산출부(510), 제어신호산출부(520), 조절부(530)를 구비한다.
파장산출부(510)는 간섭신호생성부(130)가 생성한 간섭신호로부터 파장을 검출한다. 즉 파장산출부(510)는 제 2광검출기(336) 및 제 3광검출기(338)가 각각 검출한 제 1빔 및 제 2빔에 의해 생성된 간섭현상을 분석하여 반도체 레이저(110)가 방출한 빔의 파장을 검출한다.
파장산출부(510)는 다음의 수학식 1에 의해 제 2광검출기(336) 및 제 3광검출기(338)가 검출한 빔의 파장(λ)을 산출한다.
Figure 112007065285850-pat00001
여기서, I는 각 광검출기(336, 338)에서 검출한 빔의 세기이고, I1, I2는 각각 시료기판(310)의 전면 및 후면에서 각각 반사되어 각 광검출기(336, 338)에 검출된 광의 세기이며, n은 시료기판의 굴절률이고 L은 시료기판의 두께이다.
각 광검출기(336, 338)로부터 검출되는 빔의 위상 차이를 90도가 되도록 광경로조절부(324)를 통해 광분할기(322)가 분할한 제 1빔과 제 2빔 각각의 시료기판(310)으로의 입사각을 조절하면, 제 2광검출기(336)가 검출한 빔의 세기(Ipd2)가 수학식 1에 따라 다음의 수학식 2로 나타내질 수 있다.
Figure 112007065285850-pat00002
여기서 각 광검출기(336, 338)로부터 검출되는 제 1빔과 제 2빔의 위상차가 90가 되도록 시료기판(310)으로의 입사각을 조절하면 제 3광검출기(336)가 검출한 빔의 세기(Ipd3)는 다음의 수학식 3으로 나타난다.
Figure 112007065285850-pat00003
파장산출부(510)는 수학식 2 및 수학식 3으로부터 반도체 레이저(110)가 방출한 빔의 파장을 산출할 수 있다.
도 6a는 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치의 제 2광검출기에서 검출된 빔의 주파수별 세기를 도시한 그래프이고, 도 6b는 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치의 제 3광검출기에서 검출된 빔의 주파수별 세기를 도시한 그래프이며 도 6c는 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치의 제 1광검출기에서 검출된 빔의 주파수별 세기를 도시한 그래프이다.
도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 파장산출부(510)는 외부반사체(120)가 검출한 빔으로부터 공명 주파수를 검출한다. 공명 주파수가 검출된 시간이 t일 때, 제 2광검출기(336)로부터 검출된 빔의 세기가 A1(610)이면, 파장산출부(510)는 파장 λ1(611)을 산출한다. 동일하게 시간이 t일 때, 제 3광검출기(338)로부터 검출한 빔의 세기가 A2(620)이면, 파장산출부(510)는 파장 λ2(621)를 산출한다. 시간이 t일 때, 파장산출부(510)가 공명 주파수를 검출하면 다음의 수학식 4로부터 파장 λ0(631)을 산출할 수 있다. 여기서 파장산출부(510)는 외부반사체(120)가 검출한 빔의 세기가 최대인 지점(630)에서 외부반사체(120)가 검출한 빔의 주파수를 공명 주파수로 검출한다. 이렇게 공명 주파수가 검출된 경우에는, 파장산출부(510)는 산출된 λ1 및 λ2에 λ0을 추가하여 보다 높은 분해능을 가지고 반도체 레이저(110)로부터 방출되는 빔의 파장을 정확하게 검출한다. 따라서 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치(100)는 공명 주파수를 이용하여 높은 분해능을 가지고 반도체 레이저(110)가 방출하는 빔의 파장을 정확하게 산출할 수 있다.
Figure 112007065285850-pat00004
여기서, C는 빛의 속도이고 f는 공진 주파수이며 λ는 파장이다.
제어신호산출부(520)는 검출된 파장을 기초로 제어신호를 산출한다. 또한 제어신호산출부(520)는 외부로부터 주어지는 명령에 따라 특정 영역의 파장을 산출하기 위한 제어신호를 산출할 수 있다. 즉 제어신호산출부(520)는 외부로부터 파장영역을 높일 것을 요구받으면 그에 따라 변화되어야할 반도체 레이저(110)의 온도 변화값과 반도체 레이저(110)로 인가되는 전류의 변화값을 제어신호로 산출한다.
또한 제어신호산출부(520)는 파장산출부(510)가 검출한 공명 주파수로 반도체 레이저(110)가 방출하는 빔의 주파수의 잠김 상태가 유지되도록 반도체 레이저(110)의 온도 및 반도체 레이저(110)로 인가되는 전류를 고정하기 위한 제어신호를 산출한다. 여기서 제어신호산출부(520)는 온도와 전류를 조절하기 위한 각 제어신호를 개별적으로 산출하거나 함께 고려하여 산출한다.
조절부(530)는 제어신호산출부(520)가 산출한 제어신호에 따라 반도체 레이저(110)의 온도 또는 반도체 레이저(110)로 인가되는 전류를 조절한다. 조절 부(530)에 의해 조절되는 온도, 전류의 변화에 따라 반도체 레이저(110)가 방출하는 빔의 파장영역이 변화하게 된다.
결국 제어부(140)는 반도체 레이저(110)의 온도 및 반도체 레이저(110)로 인가되는 전류를 변경하고 고정함으로써, 반도체 레이저(110)로 하여금 일차적으로 안정된 주파수(641, 642, 643, 644)를 갖는 빔을 방출하도록 한다.
삭제
도 7은 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치의 광전달부에 대한 바람직한 일 실시 예의 구성을 도시한 블록도이다.
도 7을 참조하면, 광전달부(700)는 반도체 레이저(110)가 방출한 빔을 분할하여 외부반사체(120) 및 간섭신호 생성부(130)로 각각 조사한다. 이를 위해 광전달부(700)는 제 1광분할기(710), 광절연체(720) 및 제 2광분할기(730)를 구비한다. 제 1광분할기(710)는 반도체 레이저(110)가 방출한 빔(I0)을 분할하여 분할된 빔의 일부(I1)를 외부반사체(120)로 조사한다. 광절연체(720)는 제 1광분할기(710)로부터 분할된 빔의 나머지 일부(I2) 즉, 외부반사체(120)로 조사되지 않은 빔(I2)을 제 2광분할기(730)로 투과시킨다. 여기서 광절연체(720)는 투과되는 빔(I2)의 세기를 유지하고 역 반사를 막는 기능을 갖는다. 제 2광분할기(730)는 광절연체(720)로부터 투관된 빔(I2)을 분할하여 분할한 빔의 일부(I3)를 간섭신호 생성부(130)로 조사하고 분할한 빔의 나머지 일부(I4)를 외부로 방출한다.
도 8은 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치에 대한 바람직한 일 실시예의 개략적인 구조를 도시한 도면이다.
도 8을 참조하면, 반도체 레이저(810)로부터 방출된 빔(811)은 제 1광분할기 (821)에 의해 제 1빔(812) 및 제 2빔(813)으로 분할된다. 분할된 제 1빔(812)은 외부반사체(830)로 조사되고, 제 1수단(831)에 의해 광공진기(832)로 입력된다. 제 1빔(812)이 광공진기(832)에 의해 공명된 경우에는 광공진기(832)로부터 방출된 빔(814)은 반도체 레이저(810)로 피드백되어, 광 되먹임에 의한 물리 현상을 통해 방출된 빔의 주파수를 안정화시키게 되며, 광공진기(832)로부터 투과된 빔(815)은 제 1광검출기(833)에 의해 검출된다. 제어부(850)는 검출된 빔(815)로부터 공명 주파수를 검출한다.
제 2빔(813)은 광절연체(823)를 투과하여 제 2광분할기(825)로 조사된다. 제 2광분할기(825) 조사된 제 2빔(813)은 제 3빔(816) 및 제 4빔(819)으로 분할되고, 분할된 제 3빔(816)은 간섭신호 생성부(840)로 조사되며 분할된 제 4빔(819)은 외부로 방출된다. 간섭신호 생성부(840)로 조사된 제 3빔(816)은 광분할기(841)에 의해 제 5빔(817) 및 제 6빔(818)으로 분할된다. 광분할기(841)에 의해 분할된 제 5빔(817)은 초점렌즈(842)를 투과하여 시료기판(844)로 입사한다. 이때 입사된 제 5빔(817)의 입사각은 0(수직입사)이다. 광분할기(841)에 의해 분할된 제 6빔(818)은 반사미러(843)에 의해 반사되고, 반사된 제 6빔(818)은 초점렌즈(842)를 투과하여 시표기판(844)로 입사한다. 이때 입사된 제 5빔(817) 및 제 6빔(818)의 입사각의 차이(θ)는 제 2광검출기(848) 및 제 3광검출기(849)에서 검출된 빔의 위상차가 90도가 되는 값을 갖는다. 즉 제 2광검출기(848) 및 제 3광검출기(849)에서 검출된 빔의 위상차가 90도가 되도록 반사미러(843) 및 초점렌즈(842)에 의해 제 6빔(818)의 광경로가 조절된다. 제 5빔(817) 및 제 6빔(818)은 각각 일부는 시료기판(844)의 전면에서 반사되고 나머지 일부는 시료기판(844)의 후면에서 반사되어, 사분의일파장판(845)로 입사된다. 사분의일파장판(845)로 입사된 제 5빔(817) 및 제 6빔(818)은 편광 조절되어 편광광분할기(846)로 입사되고, 편광광분할기(846)에 의해 반사되어 초점렌즈(847)로 조사된다. 초점렌즈(847)로 조사된 제 5빔(817) 및 제 6빔(818)은 각각 집광되어 제 2광검출기(848) 및 제 3광검출기(849)에 의해 검출된다.
제어부(850)는 검출된 제 5빔(817) 및 제 6빔(818)에 의해 각각 생성되는 간섭신호로부터 반도체 레이저(810)로부터 방출된 빔(811)의 파장을 산출한다. 또한 제어부(850)는 제 1광검출기(833)에 의해 검출된 빔(815)로부터 검출한 공명 주파수를 통해 보다 정확한 반도체 레이저(810)로부터 방출된 빔(811)의 파장을 산출한다. 제어부(850)는 산출한 파장을 기초로 반도체 레이저(810)의 온도 및 반도체 레이저(810)로 인가되는 전류를 조절하여 반도체 레이저(810)가 안정된 주파수 갖는 빔을 방출하도록 일차적인 제어를 한다.
이러한 일차적인 제어 과정을 통해 반도체 레이저(810)에서 방출되는 빔의 주파수를 일정 범위 이내로 안정화시킨 상태에서, 정밀 제어와 장시간의 안정화를 도모하기 위해서 외부반사체(830)가 공명된 경우 광공진기(832)를 통해 방출한 빔을 반도체 레이저(810)로 피드백시켜, 광되먹임이라는 물리 현상을 이용하여 반도체 레이저(810)에서 방출되는 빔의 주파수를 최종적으로 안정화시키게 된다.
도 9는 본 발명에 따른 레이저 주파수 안정화 방법에 대한 바람직한 일 실시예의 수행 과정을 도시한 흐름도이다.
도 9를 참조하면, 간섭신호 생성부(130)는 반도체 레이저(110)로부터 방출된 빔을 제 1빔과 제 2빔으로 분할한다(S900). 간섭신호 생성부(130)는 분할된 제 1빔과 제 2빔을 서로 다른 입사각을 갖도록 시료기판에 조사한다(S910). 간섭신호 생성부(130)는 시료기판으로부터 반사된 제 1빔과 제 2빔을 검출한다(S920). 제어부(140)는 간섭신호 생성부(130)가 검출한 제 1빔과 제 2빔으로부터 생성된 간섭신호로부터 파장을 검출한다(S930). 제어부(140)는 검출한 파장을 기초로 반도체 레이저(110)의 온도 또는 반도체 레이저(110)로 인가되는 전류를 조절하여 1차적으로 반도체 레이저(110)로부터 방출된 빔의 주파수를 일정 범위 이내로 안정화시킨다(S940). 광전달부(150)는 반도체 레이저(110)로부터 방출된 빔을 광공진기로 조사한다(S950). 제 1광검출기는 광공진기로부터 투과된 빔을 검출한다(S960). 제어부(140)는 제 1광검출기가 검출한 빔으로부터 공명 주파수의 검출 여부를 확인한다(S970). 공명 주파수가 검출된 경우에는 광공진기는 반도체 레이저(110)로 방출된 빔을 반도체 레이저(110)로 피드백하여, 광 되먹임이라는 물리 현상을 통해 반도체 레이저(110)에서 출력되는 빔의 주파수를 최종적으로(2차적으로) 안정화시키게 된다(S980).
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
레이저 빔을 기반으로 물체의 형상 및 거리를 측정하는 간섭계, 각종 의료장비 및 첨단 장비에서 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치 및 레이저 주파수 안정화 방법은 각각 안정된 파장을 갖는 레이저 빔을 출력하는 레이저 장치 및 그러한 장비에서 사용되는 레이저 빔을 안정화하는 방법으로서 이용될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치에 대한 바람직한 일 실시예의 구성을 도시한 블록도,
도 2는 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치의 외부반사체에 대한 바람직한 일 실시예의 개략적인 구조를 도시한 도면,
도 3은 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치의 간섭신호 생성부에 대한 바람직한 일 실시예의 개략적인 구조를 도시한 도면,
도 4는 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치의 파장 측정 원리를 도시한 도면,
도 5는 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치의 제어부에 대한 바람직한 일 실시예의 구성을 도시한 블록도,
도 6a는 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치의 제2검출기에서 검출된 빔의 주파수별 세기를 도시한 그래프,
도 6b는 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치의 제3검출기에서 검출된 빔의 주파수별 세기를 도시한 그래프,
도 6c는 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치의 제1검출기에서 검출된 빔의 주파수별 세기를 도시한 그래프,
도 7은 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치의 광전달부에 대한 바람직한 일 실시예의 구성을 도시한 블록도,
도 8은 본 발명에 따른 주파수 안정화 레이저 장치에 대한 바람직한 일 실시 예의 개략적인 구조를 도시한 도면, 그리고,
도 9는 본 발명에 따른 레이저 주파수 안정화 방법에 대한 바람직한 일 실시예의 수행 과정을 도시한 흐름도이다.

Claims (14)

  1. 빔을 방출하는 반도체 레이저;
    상기 방출된 빔의 파장을 검출하기 위한 간섭신호를 생성하는 간섭신호 생성부;
    상기 생성된 간섭신호로부터 파장을 검출하고, 상기 검출한 파장에 따라 상기 반도체 레이저로 인가되는 전류를 조절하여 일차적으로 레이저 빔의 주파수를 안정화시키는 제어부; 및
    공진 주파수를 가지며, 상기 방출된 빔의 주파수와 공진 주파수가 동일한 경우 광공진기를 통해 상기 방출된 빔을 상기 반도체 레이저로 피드백하여 상기 반도체 레이저의 주파수를 최종적으로 안정화시키는 외부반사체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 안정화 레이저 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 외부반사체는,
    공진 주파수를 가지며, 상기 방출된 빔의 주파수와 공진 주파수가 동일한 경우에는 상기 반도체 레이저로 피드백하기 위한 빔을 출력하는 광공진기;
    상기 반도체 레이저로부터 방출된 빔을 상기 광공진기로 조사하는 제 1수단; 및
    상기 광공진기로부터 출력된 빔을 상기 반도체 레이저로 피드백하는 제 2수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 안정화 레이저 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1수단과 제 2수단은 동일한 것을 특징으로 하는 주파수 안정화 레이저 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 외부반사체는 상기 광공진기로부터 투과된 빔을 검출하는 제 1광검출기를 더 포함하고,
    상기 제어부는 상기 검출된 빔으로부터 공명 주파수를 검출하는 것을 특징으로 하는 주파수 안정화 레이저 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 간섭신호 생성부는,
    사전에 설정된 두께를 갖는 시료기판;
    상기 시료기판으로 상기 방출된 빔을 조사하는 광조사수단; 및
    상기 시료기판으로부터 반사된 광을 검출하는 광검출수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 안정화 레이저 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 광조사수단은,
    상기 방출된 빔을 제 1빔과 제 2빔으로 분할하는 광분할기; 및
    상기 분할된 제 1빔과 제 2빔을 서로 입사각을 달리하여 상기 시료기판으로 조사하는 광경로조절부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 안정화 레이저 장치.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 광검출수단은,
    상기 시료기판으로부터 반사된 제 1빔 및 제 2빔의 편광을 조절하여 투과시키는 사분의일파장판;
    상기 투과된 제 1빔 및 제 2빔을 반사시키는 편광광분할기;
    상기 반사된 제 1빔을 검출하는 제 2광검출기; 및
    상기 반사된 제 2빔을 검출하는 제 3광검출기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 안정화 레이저 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 생성된 간섭신호로부터 파장을 검출하는 파장산출부;
    상기 검출된 파장을 기초로 제어신호를 산출하는 제어신호산출부; 및
    상기 산출된 제어신호에 따라 상기 반도체 레이저의 온도 또는 상기 반도체 레이저로 인가되는 전류를 조절하는 조절부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 안정화 레이저 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    주파수 안정화 레이저 장치는,
    상기 방출된 빔을 분할하여 상기 외부반사체 및 상기 간섭신호 생성부로 각각 조사하는 광전달부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 안정화 레이저 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 광전달부는,
    상기 방출된 빔의 분할하여 분할된 빔의 일부를 상기 외부반사체로 조사하는 제 1광분할기;
    상기 분할된 빔의 나머지 일부를 투과시키는 광절연체; 및
    상기 투과된 빔을 분할하여 분할된 빔의 일부를 상기 간섭신호 생성부로 조사하고 분할된 빔의 나머지 일부를 외부로 방출하는 제 2광분할기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 안정화 레이저 장치.
  11. 반도체 레이저로부터 방출되는 빔의 주파수를 안정화하는 방법에 있어서,
    상기 반도체 레이저로부터 방출된 빔의 파장을 검출하는 파장검출단계;
    상기 검출된 파장을 기초로 상기 반도체 레이저의 온도 또는 상기 반도체 레이저로 인가되는 전류를 조절하는 단계;
    상기 빔의 공명 주파수를 검출하는 주파수검출단계;
    상기 빔의 공명 주파수가 검출된 경우에는 상기 빔을 상기 반도체 레이저로 피드백시켜 레이저 빔의 주파수를 안정화시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 주파수 안정화 방법.
  12. 삭제
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 파장검출단계는,
    상기 방출된 빔을 제 1빔과 제 2빔으로 분할하는 광분할단계;
    상기 제 1빔과 제 2빔을 서로 다른 입사각을 갖도록 시료기판에 조사하는 광조사단계;
    상기 시료기판으로부터 반사된 제 1빔과 제 2빔을 검출하는 단계; 및
    검출된 제 1빔과 제 2빔으로부터 생성된 간섭신호로부터 파장을 검출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 주파수 안정화 방법.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 주파수검출단계는,
    상기 방출된 빔을 광공진기로 조사하는 단계;
    상기 광공진기로부터 투과된 빔을 검출하는 단계; 및
    상기 검출된 빔으로부터 공명 주파수를 검출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 주파수 안정화 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2551968A (en) 2016-06-28 2018-01-10 Oclaro Tech Ltd Optical locker

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4881231A (en) * 1988-11-28 1989-11-14 Kantilal Jain Frequency-stabilized line-narrowed excimer laser source system for high resolution lithography
JPH08204275A (ja) * 1995-01-26 1996-08-09 Ricoh Co Ltd 発振周波数安定化装置およびレーザ装置
JPH11508408A (ja) * 1995-06-23 1999-07-21 コヒーレント・インク レーザーダイオードにおける波長安定化のための温度補正回路
JP2007019361A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Mitsutoyo Corp 周波数安定化レーザ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6289378A (ja) 1985-10-16 1987-04-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 周波数安定化半導体レ−ザ装置
US4907237A (en) * 1988-10-18 1990-03-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Optical feedback locking of semiconductor lasers
JPH06283796A (ja) * 1993-03-29 1994-10-07 Olympus Optical Co Ltd 半導体レーザの波長安定化装置
JPH09218432A (ja) * 1996-02-09 1997-08-19 Ricoh Co Ltd 発振周波数安定化装置およびレーザ装置
US7508848B2 (en) * 2005-07-01 2009-03-24 Polaronyx Method and configurations in achieving high energy operation for photonic band gap (PGB) fiber with end caps

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4881231A (en) * 1988-11-28 1989-11-14 Kantilal Jain Frequency-stabilized line-narrowed excimer laser source system for high resolution lithography
JPH08204275A (ja) * 1995-01-26 1996-08-09 Ricoh Co Ltd 発振周波数安定化装置およびレーザ装置
JPH11508408A (ja) * 1995-06-23 1999-07-21 コヒーレント・インク レーザーダイオードにおける波長安定化のための温度補正回路
JP2007019361A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Mitsutoyo Corp 周波数安定化レーザ

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