KR100924272B1 - 반도체 및 엘씨디의 cvd 공정 부산물 처리장치 - Google Patents

반도체 및 엘씨디의 cvd 공정 부산물 처리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정에서 진공배관의 외부에 설치되어 진동을 발생시켜 진공배관 내부에 부산물이 축적되는 것을 방지하는 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치는, 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정에서 진공배관의 내부에 축적되는 부산물을 처리하기 위한 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치에 있어서, 상기 진공배관의 외측에 고정수단을 통해 상호 결합되는 한 쌍의 하우징과; 상기 하우징의 상부에 체결되며 중앙에 관통홀이 형성되는 플랜지와, 상기 플랜지의 상부 일측에 상기 관통홀과 연통되게 설치되어 압축공기를 분사시키는 에어노즐과, 상기 플랜지의 관통홀에 결합되어 상기 에어노즐에서 분사되는 압축공기에 의해 고속 회전하는 회전자와, 상기 관통홀에 개폐 가능하도록 설치되는 한 쌍의 커버와, 상기 커버를 관통하여 회전자의 중앙에 삽입 고정되는 고정축과, 상기 고정축을 커버에 결합 고정하는 너트를 포함하여 이루어진 진동수단과; 상기 플랜지의 상부 일측에 설치되어 상기 진동수단의 작동 시 발생하는 소음을 감소시키는 소음기와; 사용자에 의해 입력된 조건에 따라 상기 진동수단의 진동세기 조절 및 진동 시간을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
반도체, 엘씨디, CVD, 진동, 소음, 압축공기

Description

반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치{Apparatus for treatment of by-product of CVD process of semiconductor and LCD}
본 발명은 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정에서 진공배관의 외부에 설치되어 진동을 발생시켜 진공배관 내부에 부산물이 축적되는 것을 방지하는 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, CVD(화학기상증착)는 기체상태의 화합물을 가열된 모재 표면에서 반응시키고 생성물을 모재 표면에 증착시키는 기술이다. CVD는 현재 상업적으로 이용되는 박막제조기술로 가장 많이 활용되고 있다. CVD(화학기상증착) 공정은 융점이 높아서 제조하기 어려운 재료를 융점보다 낮은 온도에서 용이하게 제조할 수 있고, 증착되는 박막의 순도가 높으며, 대량 생산이 가능하여 비용이 PVD 공정에 비해 적게 들고, 여러 가지 종류의 원소 및 화합물의 증착이 가능한 것이 특징이다.
구체적으로는, 진공상태의 챔버 내부에 웨이퍼를 고정시키고 챔버의 내부를 저압, 상압, 또는 플라즈마와 같은 적절한 작업환경으로 조성한 후 챔버의 내부에 소오스 가스를 투입하여 그 소오스 가스를 이루는 입자들이 웨이퍼에 증착되도록 하는 방법이다. 그리고 증착 후 발생된 부산물들은 진공배관에 연결된 진공펌프를 이용하여 배기라인을 통해 외부로 배출된다.
도 5에 도시된 바와 같이, 종래에는 챔버(100)에 연결된 진공배관(200)의 일측에 진공펌프(300)가 설치되어 일정한 진공압을 발생시키고, 1차 스크루버(400)와 2차 스크루버(500)가 설치되어 배기된 공정가스를 차례로 정화한 후 대기로 방출하는 방식이였다.
그러나, 종래의 기술은 진공배관 내부에 축적되는 부산물 처리를 위해 주기적인 청소를 실시해야 하는 번거로움이 있고, 주기적으로 청소할 때마다 일부 부속을 해체해야 하므로 작업공정의 가동이 중단되는 문제점이 있었다. 또한, 작업공정의 가동 중단으로 인하여 생산성 저하는 물론 시설 유지비용이 많이 발생하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 회전자의 고속 회전으로 발생된 진동력을 진공배관에 전달함으로써, 진공배관의 해체없이 진공배관 내부의 부산물 축적을 방지할 수 있는 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치는, 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정에서 진공배관의 내부에 축적되는 부산물을 처리하기 위한 반도 체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치에 있어서, 상기 진공배관의 외측에 고정수단을 통해 상호 결합되는 한 쌍의 하우징과; 상기 하우징의 상부에 체결되며 중앙에 관통홀이 형성되는 플랜지와, 상기 플랜지의 상부 일측에 상기 관통홀과 연통되게 설치되어 압축공기를 분사시키는 에어노즐과, 상기 플랜지의 관통홀에 결합되어 상기 에어노즐에서 분사되는 압축공기에 의해 고속 회전하는 회전자와, 상기 관통홀에 개폐 가능하도록 설치되는 한 쌍의 커버와, 상기 커버를 관통하여 회전자의 중앙에 삽입 고정되는 고정축과, 상기 고정축을 커버에 결합 고정하는 너트를 포함하여 이루어진 진동수단과; 상기 플랜지의 상부 일측에 설치되어 상기 진동수단의 작동 시 발생하는 소음을 감소시키는 소음기와; 사용자에 의해 입력된 조건에 따라 상기 진동수단의 진동세기 조절 및 진동 시간을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치는, 회전자의 고속 회전으로 발생된 진동력을 진공배관에 전달함으로써, 진공배관의 해체없이 진공배관 내부의 부산물 축적을 방지하여 진공배관의 청소 주기를 연장하고 유지비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
또한, 장치가 소형이므로 장착 및 취급이 용이한 효과가 있다.
또한, 진동의 세기 및 진동 시간을 제어할 수 있고 다수개로 설치된 장치들의 그룹제어가 가능한 효과가 있다.
본 발명에 따른 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치는, 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정에서 진공배관의 내부에 축적되는 부산물을 처리하기 위한 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치에 있어서, 상기 진공배관의 외측에 고정수단을 통해 상호 결합되는 한 쌍의 하우징과; 상기 하우징의 상부에 체결되며 중앙에 관통홀이 형성되는 플랜지와, 상기 플랜지의 상부 일측에 상기 관통홀과 연통되게 설치되어 압축공기를 분사시키는 에어노즐과, 상기 플랜지의 관통홀에 결합되어 상기 에어노즐에서 분사되는 압축공기에 의해 고속 회전하는 회전자와, 상기 관통홀에 개폐 가능하도록 설치되는 한 쌍의 커버와, 상기 커버를 관통하여 회전자의 중앙에 삽입 고정되는 고정축과, 상기 고정축을 커버에 결합 고정하는 너트를 포함하여 이루어진 진동수단과; 상기 플랜지의 상부 일측에 설치되어 상기 진동수단의 작동 시 발생하는 소음을 감소시키는 소음기와; 사용자에 의해 입력된 조건에 따라 상기 진동수단의 진동세기 조절 및 진동 시간을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제어부는 PLC인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 고정수단은 상기 하우징의 외측에 다수개로 형성된 탭홀과, 상기 탭홀에 체결되는 볼트로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 플랜지의 관통홀 내면에는 상기 회전자의 회전 시 발생되는 소음을 감쇄시키도록 다수의 홈이 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 플랜지의 관통홀 양단에는 압축공기의 누출을 방지하도록 오링이 설치되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 의한 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치를 나타낸 사시도이고, 도 2는 본 발명에 의한 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치를 나타낸 단면도이며, 도 3은 본 발명에 의한 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치를 나타낸 분리 사시도이고, 도 4는 본 발명에 의한 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치의 제어부를 나타낸 블록도이다.
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치는 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정에서 진공배관(1)의 내부에 축적되는 부산물을 처리하기 위한 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치에 있어서, 상기 진공배관(1)의 외측에 고정수단(2)을 통해 상호 결합되는 한 쌍의 하우징(3)과, 상기 진공배관(1)의 외측에 설치되어 진동을 발생시키는 진동수단(4)과, 상기 진동수단(4)의 작동 시 발생하는 소음을 감소시키는 소음기(5)와, 사용자에 의해 입력된 조건에 따라 상기 진동수단(4)의 진동세기 조절 및 진동 시간을 제어하는 제어부(6)를 포함하는 것이다.
상기 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치는 진공배관(1)의 외측 곳곳에 설치되며, 크기가 소형이므로 설치가 용이하다.
상기 진동수단(4)은 상기 하우징(3)의 상부에 체결되며 중앙에 관통홀(411)이 형성되는 플랜지(41)와, 상기 플랜지(41)의 상부 일측에 상기 관통홀(411)과 연통되게 설치되어 압축공기를 분사시키는 에어노즐(42)과, 상기 플랜지(41)의 관통 홀(411)에 결합되어 상기 에어노즐(42)에서 분사되는 압축공기에 의해 고속 회전하는 회전자(43)와, 상기 관통홀(411)에 개폐 가능하도록 설치되는 한 쌍의 커버(44)와 상기 커버(44)를 관통하여 회전자(43)의 중앙에 삽입 고정되는 고정축(45)과 상기 고정축(45)을 커버(44)에 결합 고정하는 너트(46)를 포함하여 이루어진다.
상기 하우징(3)에는 상기 진공배관(1)의 외측에 안내되는 반원호 형상의 안내홈(31)이 형성되고, 하단 양측에 외부로 돌출 형성되는 연장 돌출부(32)가 형성되되 상기 연장 돌출부(32)에는 다수개의 탭홀(21)이 형성된다. 또한, 상기 한 쌍의 하우징(3) 중 상부에 위치한 하우징(3)의 상부에 다수개의 체결공(33)이 형성된다.
상기와 같이 구성된 한 쌍의 하우징(3)을 상기 진공배관(1)의 외측에 상호 결합하고 고정수단(2)을 통해 위치를 고정시킨다. 상기 고정수단(2)은 상기 하우징(3)의 외측에 다수개로 형성된 탭홀(21)과, 상기 탭홀(21)에 체결되는 볼트(22)로 구성된다.
상기 플랜지(41)는 상기 한 쌍의 하우징(3) 중 상부에 위치한 하우징(3)의 상부에 설치되며, 상기 하우징(3)에 고정시키도록 하단 양측에 외부로 돌출 형성되는 돌출부(413)가 형성된다. 상기 돌출부(413)에는 상기 하우징(3)의 체결공(33)에 대응되는 체결공(413a)이 형성되고 상기 체결공(413a)에 볼트가 삽입된다.
한편, 상기 플랜지(41)의 중앙에 형성된 관통홀(411)은 회전자(43)가 설치될 공간이며, 상기 관통홀(411) 내면에는 상기 회전자(43)의 회전 시 발생되는 소음을 감쇄시키도록 다수의 홈(412)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 플랜지(41)의 관통 홀(411) 양단에는 압축공기의 누출을 방지하도록 오링(7)이 설치되는 것이 바람직하다.
상기 플랜지(41)의 상부에는 에어노즐(42)과 소음기(5)가 각각 설치될 수 있도록 2개의 통공(414)이 형성되며, 상기 통공(414)은 상기 관통홀(411)과 연통되게 형성된다.
상기 에어노즐(42)은 컴프레서(미도시)에 의한 압축공기를 공급받아 관통홀(411)에 설치된 회전자(43)에 분사시킴으로써, 상기 회전자(43)가 고속으로 회전할 수 있게 한다.
상기 회전자(43)는 원통 형상으로 형성되되 외면에 나사산 형태의 홈(431)이 형성되고 중앙에는 베어링(432)이 장착된 고정축(45)이 관통된다. 상기 고정축(45)의 일측에는 너트(46)가 체결되도록 나사산(451)이 형성된다.
상기 소음기(5)는 상기 플랜지(41)의 상부 일측에 형성된 통공(414)에 삽입 설치되어 상기 진동수단(4)의 작동 시 발생하는 소음을 감소시키는 역할을 한다.
상기 제어부(6)는 PLC(Programmable Logic Controller)인 것이며, 상기 진동수단(4)의 진동세기 조절 및 진동 시간을 제어하기 위한 것이다.
상기 제어부(6)에는 제어부(6)의 제어신호에 의해 온/오프 동작되어 압축공기의 흐름을 제어하는 솔레노이드밸브(61)와, 상기 솔레노이드밸브(61)에 일정한 압력의 공기를 제공하는 압력조절기(62)와, 상기 솔레노이드밸브(61)의 개폐시간을 설정하는 타이머(63)가 구비된다.
상기 솔레노이드밸브(61)는 컴프레서로부터 유입되는 압축공기의 흐름을 제 어하여 볼밸브(미도시)를 자동으로 개폐한다. 상기 압력조절기(62)는 컴프레서에 의해 유입된 고압의 공기에 함유된 불순물을 필터링하기 위해 설치된 필터를 통해 유입된 고압의 공기를 소정의 압력으로 제어하는 역할을 한다.
이하, 본 발명에 따른 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치의 동작 및 작용을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정에서 고정수단(2)을 통해 진공배관(1)의 외측에 한 쌍의 하우징(3)을 결합 고정시킨다.
반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치의 설치가 완료되면, 제어부(6)의 제어에 의해 컴프레서에서 생성된 압축공기가 호스를 통해 플랜지(41)에 설치된 에어노즐(42)로 공급된다. 에어노즐(42)에서 분사된 압축공기가 회전자(43)에 전달되면서 회전자(43)는 고속으로 회전한다. 특히, 플랜지(41)의 일측에 설치된 소음기(5)와 플랜지(41)의 관통홀(411)에 형성된 홈(412)에 의해 회전자(43)의 고속 회전 시 발생되는 소음을 최대한 감소시킨다.
회전자(43)의 고속 회전에 의해 발생된 진동은 진공배관(1)에 그대로 전달되면서 진공배관(1)의 내부면에 부산물이 축적되는 것을 미리 방지하게 된다.
따라서, 진공배관(1) 내부의 부산물은 진공배관(1)에 연결된 진공펌프를 이용하여 배기라인을 통해 외부로 배출한다.
본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예를 중심으로 기술되었지만 당업자라면 이러한 기재로부터 본 발명의 범주를 벗어남이 없이 많은 다양한 자명한 변형이 가능하다는 것은 명백하다. 따라서 본 발명의 범주는 이러한 많은 변 형의 예들을 포함하도록 기술된 청구범위에 의해서 해석되어져야 한다.
도 1은 본 발명에 의한 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치를 나타낸 사시도.
도 2는 본 발명에 의한 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명에 의한 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치를 나타낸 분리 사시도.
도 4는 본 발명에 의한 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치의 제어부를 나타낸 블록도.
도 5는 종래의 기술을 나타낸 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 진공배관
2 : 고정수단
21 : 탭홀
22 : 볼트
3 : 하우징
31 : 안내홈
32 : 연장 돌출부
33 : 체결공
4 : 진동수단
41 : 플랜지
411 : 관통홀, 412 : 홈, 413 : 돌출부, 413a : 체결공, 414 : 통공
42 : 에어노즐
43 : 회전자
431 : 홈, 432 : 베어링
44 : 커버
45 : 고정축
451 : 나사산
46 : 너트
5 : 소음기
6 : 제어부
61 : 솔레노이드밸브
62 : 압력조절기
63 : 타이머
7 : 오링

Claims (5)

  1. 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정에서 진공배관(1)의 내부에 축적되는 부산물을 처리하기 위한 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치에 있어서,
    상기 진공배관(1)의 외측에 고정수단(2)을 통해 상호 결합되는 한 쌍의 하우징(3)과;
    상기 하우징(3)의 상부에 체결되며 중앙에 관통홀(411)이 형성되는 플랜지(41)와, 상기 플랜지(41)의 상부 일측에 상기 관통홀(411)과 연통되게 설치되어 압축공기를 분사시키는 에어노즐(42)과, 상기 플랜지(41)의 관통홀(411)에 결합되어 상기 에어노즐(42)에서 분사되는 압축공기에 의해 고속 회전하는 회전자(43)와, 상기 관통홀(411)에 개폐 가능하도록 설치되는 한 쌍의 커버(44)와, 상기 커버(44)를 관통하여 회전자(43)의 중앙에 삽입 고정되는 고정축(45)과, 상기 고정축(45)을 커버(44)에 결합 고정하는 너트(46)를 포함하여 이루어진 진동수단(4)과;
    상기 플랜지(41)의 상부 일측에 설치되어 상기 진동수단(4)의 작동 시 발생하는 소음을 감소시키는 소음기(5)와;
    사용자에 의해 입력된 조건에 따라 상기 진동수단(4)의 진동세기 조절 및 진동 시간을 제어하는 제어부(6)를 포함하며;
    상기 플랜지(41)의 관통홀(411) 내면에는 상기 회전자(43)의 회전 시 발생되는 소음을 감쇄시키도록 다수의 홈(412)이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부(6)는 PLC인 것을 특징으로 하는 반도체 및 엘 씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 고정수단(2)은 상기 하우징(3)의 외측에 다수개로 형성된 탭홀(21)과, 상기 탭홀(21)에 체결되는 볼트(22)로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 플랜지(41)의 관통홀(411) 양단에는 압축공기의 누출을 방지하도록 오링(7)이 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 및 엘씨디의 CVD 공정 부산물 처리장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101417849B1 (ko) * 2012-11-23 2014-07-09 한국세라믹기술원 압전 트랜스듀서를 이용한 내부 부산물 부착 방지 장치 및 이를 이용한 부산물 제거 방법

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KR100793849B1 (ko) * 2006-09-01 2008-01-11 정치영 진공배관 라인용 파우더 제거 및 흡착억제장치와 그 방법

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