KR100924016B1 - Calibration circuit of On Die Termination Device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 터미네이션시 일정한 전류가 흐르도록 하는 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로에 관한 것으로, 본 발명에 따른 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로는, 기준전압과 외부저항이 연결된 캘리브래이션 노드의 전압에 응답하여 풀업 캘리브래이션 코드를 생성하는 코드생성부; 및 상기 풀업 캘리브래이션 코드에 응답하여 상기 캘리브래이션 노드를 풀업 구동하며, 전원전압이 증가할수록 더 큰 저항값을 갖도록 캘리브래이션되는 풀업 캘리브래이션 저항부를 포함한다.The present invention relates to a calibration circuit of an on-die termination device that allows a constant current to flow during termination. The calibration circuit of the on-die termination device according to the present invention includes a calibration node to which a reference voltage and an external resistor are connected. A code generator configured to generate a pull-up calibration code in response to a voltage of; And a pull-up calibration resistor configured to pull-up the calibration node in response to the pull-up calibration code, and calibrated to have a larger resistance value as the power supply voltage increases.

온 다이 터미네이션, 캘리브래이션, 일정전류 On Die Termination, Calibration, Constant Current

Description

온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로{Calibration circuit of On Die Termination Device}Calibration circuit of On Die Termination Device

본 발명은 각종 반도체장치에서 입/출력단의 임피던스 매칭을 위해 사용되는 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로에 관한 것으로, 전원전압의 변동에도 불구하고 입/출력단에서의 전류량을 일정하게 유지하기 위한 기술에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a calibration circuit of an on die termination device used for impedance matching of input / output terminals in various semiconductor devices. It is about.

CPU, 메모리 및 게이트 어레이 등과 같이 집적회로 칩으로 구현되는 다양한 반도체장치들(Semiconductor Devices)은 퍼스널 컴퓨터, 서버 또는 워크스테이션과 같은 다양한 전기적 제품(electrical products) 내로 합체되어 진다. 대부분의 경우에, 상기 반도체장치는 외부(outside world)에서 전송되는 각종 신호들을 입력 패드를 통해 수신하기 위한 수신회로와 내부의 신호를 출력 패드를 통해 외부로 제공하기 위한 출력회로를 가지고 있다.Various semiconductor devices implemented as integrated circuit chips, such as CPUs, memories and gate arrays, are incorporated into various electrical products such as personal computers, servers or workstations. In most cases, the semiconductor device has a receiving circuit for receiving various signals transmitted from the outside world through an input pad and an output circuit for providing an internal signal to the outside through an output pad.

한편, 전기적 제품의 동작 스피드가 고속화 됨에 따라 상기 반도체 장치들간 에 인터페이스되는 신호의 스윙폭은 점차로 줄어들고 있다. 그 이유는 신호전달에 걸리는 지연시간을 최소화하기 위해서이다. 그러나 신호의 스윙 폭이 줄어들수록 외부 노이즈에 대한 영향은 증가되고, 인터페이스단에서 임피던스 미스매칭(impedance mismatching, '부정합' 이라고도 함)에 따른 신호의 반사도 심각해 진다. 상기 임피던스 미스매칭은 외부 노이즈나 전원전압의 변동, 동작온도의 변화, 제조공정의 변화등에 기인하여 발생된다. 임피던스 미스매칭이 발생되면 데이터의 고속전송이 어렵게 되고 반도체장치의 데이터 출력단으로부터 출력되는 출력 데이터가 왜곡될 수 있다. 따라서, 수신 측의 반도체장치가 상기 왜곡된 출력신호를 입력단으로 수신할 경우 셋업/홀드 페일(setup/hold fail) 또는 입력레벨의 판단미스 등의 문제들이 빈번히 야기될 수 있다.Meanwhile, as the operating speed of an electrical product is increased, the swing width of a signal interfaced between the semiconductor devices is gradually reduced. The reason is to minimize the delay time for signal transmission. However, as the swing width of the signal decreases, the influence on external noise increases, and the reflection of the signal due to impedance mismatching (also referred to as mismatch) at the interface stage becomes more severe. The impedance mismatch occurs due to external noise, fluctuations in power supply voltage, change in operating temperature, change in manufacturing process, or the like. When impedance mismatching occurs, high-speed data transfer is difficult and output data output from the data output terminal of the semiconductor device may be distorted. Therefore, when the semiconductor device on the receiving side receives the distorted output signal to the input terminal, problems such as setup / hold fail or input level determination error may occur frequently.

특히, 동작스피드의 고속화가 요구되는 메모리장치는 상술한 문제들의 해결을 위해 온 다이 터미네이션이라 불리우는 임피던스 매칭회로를 집적회로 칩내의 패드 근방에 채용하고 있다. 통상적으로 온 다이 터미네이션 스킴에 있어서, 전송측에서는 출력회로에 의한 소오스 터미네이션(Source Termination)이 행해지고, 수신측에서는 상기 입력 패드에 연결된 수신회로에 대하여 병렬로 연결되어진 터미네이션 회로에 의해 병렬 터미네이션이 행해진다.In particular, a memory device requiring high speed of operation employs an impedance matching circuit called on die termination in the vicinity of a pad in an integrated circuit chip to solve the above problems. In general, in an on die termination scheme, source termination is performed by an output circuit on the transmission side, and parallel termination is performed by a termination circuit connected in parallel to a receiving circuit connected to the input pad on the receiving side.

ZQ캘리브래이션(ZQ calibration)이란 PVT(Process, Voltage, Temperature: 프로세스, 전압 , 온도)조건이 변함에 변화하는 풀업 및 풀다운 캘리브래이션 코드를 생성하는 과정을 말하는데, ZQ캘리브래이션 결과로 생성된 상기 코드들을 이용하여 온 다이 터미네이션 장치의 저항값(메모리장치의 경우에는 DQ패드 쪽의 터미 네이션 저항값)을 조정하게 된다.(캘리브래이션을 위한 노드인 ZQ노드를 이용해서 캘리브래이션이 이루어지기 때문에 ZQ캘리브래이션이라 한다.)ZQ calibration refers to the process of generating pull-up and pull-down calibration codes that change as PVT (Process, Voltage, Temperature) conditions change, which is generated as a result of ZQ calibration. The above codes are used to adjust the resistance value of the on-die termination device (the termination resistance value on the DQ pad side in the case of a memory device) (using the ZQ node, which is a node for calibration, the calibration is performed. It is called ZQ calibration because it is done.)

이하, 온 다이 터미네이션 장치에서 행해지는 ZQ캘리브래이션에 대해 알아본다.Hereinafter, the ZQ calibration performed in the on die termination device will be described.

도 1은 종래의 온 다이 터미네이션 장치에서 ZQ캘리브래이션 동작을 수행하는 부분(캘리브래이션 회로)에 대한 구성도이다.1 is a configuration diagram of a portion (calibration circuit) for performing a ZQ calibration operation in a conventional on-die termination device.

도면에 도시된 바와 같이, 종래의 온 다이 터미네이션 장치는 풀업 캘리브래이션 저항부(110), 더미 캘리브래이션 저항부(120), 풀다운 캘리브래이션 저항부30), 기준전압 발생기(102), 비교기(103, 104), 카운터(105, 106)를 포함하여 ZQ 캘리브래이션 동작을 수행한다. 풀업 캘리브래이션 저항부(110)는 풀업 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)를 입력받아 온/오프되는 다수의 풀업저항을 포함해 구성된다. 그리고 더미 캘리브래이션 저항부(120)는 풀업 캘리브래이션 저항부(110)와 동일하게 구성되며, 풀다운 캘리브래이션 저항부(130)는 풀다운 캘리브래이션 코드(NCODE<0:N>)를 입력받아 온/오프되는 다수의 풀다운저항을 포함해 구성된다.As shown in the figure, the conventional on-die termination device is a pull-up calibration resistor 110, a dummy calibration resistor 120, a pull-down calibration resistor 30, a reference voltage generator 102, Comparators 103 and 104 and counters 105 and 106 are included to perform a ZQ calibration operation. The pull-up calibration resistor unit 110 is configured to include a plurality of pull-up resistors that are turned on / off by receiving the pull-up calibration codes PCODE <0: N>. In addition, the dummy calibration resistor 120 is configured in the same manner as the pull-up calibration resistor 110, and the pull-down calibration resistor 130 receives the pull-down calibration code NCODE <0: N>. It consists of a number of pull-down resistors that receive inputs on and off.

풀업 캘리브래이션 저항부(110)는 ZQ노드에 연결된 외부저항(101)과 캘리브래이션 되면서 1차적인 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)를 생성하기 위한 것이며, 더미 캘리브래이션 저항부(120)와 풀다운 캘리브래이션 저항부(130)는 풀업 캘리브래이션 저항부(110)를 이용해 생성된 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)를 이용하여 두번째의 캘리브래이션 코드(NCODE<0:N>)를 생성하기 위한 것이다.The pull-up calibration resistor unit 110 is used to generate a primary calibration code (PCODE <0: N>) while calibrating with an external resistor 101 connected to a ZQ node, and a dummy calibration resistor. The unit 120 and the pull-down calibration resistor unit 130 may use a second calibration code (PCODE <0: N>) generated using the pull-up calibration resistor unit 110. To generate NCODE <0: N>).

그 동작을 보면, 비교기(comparator)(103)는 ZQ핀(ZQ노드의 칩 외부)에 연결 된 외부저항(101)(일반적으로 240Ω)과 풀업 캘리브래이션 저항부(110)를 연결하여 생성되는 ZQ노드의 전압과 내부의 기준전압 발생기(102)에서 생성되는 기준전압(VREF, 일반적으로 VDD/2로 설정됨)을 비교하여 업/다운(UP/DOWN) 신호를 생성한다.In operation, a comparator 103 is formed by connecting an external resistor 101 (generally 240?) And a pull-up calibration resistor 110 connected to a ZQ pin (outside the chip of the ZQ node). The voltage of the ZQ node and the reference voltage generated by the internal reference voltage generator 102 (VREF, which is generally set to VDD / 2) are compared to generate an UP / DOWN signal.

카운터(105)는 업/다운 신호(UP/DOWN)를 받아서 이진코드(PCODE<0:N>)를 생성하는데, 생성된 이진코드(PCODE<0:N>)로 풀업 캘리브래이션 저항부(110)의 병렬로 연결된 저항들을 온/오프하여 저항값을 조정한다. 조정된 풀업 캘리브래이션 저항부(110)의 저항값은 다시 ZQ노드의 전압에 영향을 주고 상기한 바와 같은 동작이 반복된다. ZQ노드의 전압이 기준전압(VREF=1/2VDD)과 같아질 때까지 캘리브래이션 동작이 이루어지기 때문에, 풀업 캘리브래이션 저항회로(110)의 전체 저항값이 외부저항(101)(일반적으로 240Ω)의 저항값과 같아지도록 풀업 캘리브래이션 저항회로(110)가 캘리브래이션(calibration) 된다.(풀업 캘리브래이션)The counter 105 receives the up / down signal UP / DOWN to generate a binary code PCODE <0: N>. The counter 105 generates a pull-up calibration resistor with the generated binary code PCODE <0: N>. Adjust the resistance value by turning on / off the resistors connected in parallel in 110). The resistance value of the adjusted pull-up calibration resistor unit 110 again affects the voltage of the ZQ node and the operation as described above is repeated. Since the calibration operation is performed until the voltage of the ZQ node is equal to the reference voltage (VREF = 1 / 2VDD), the total resistance value of the pull-up calibration resistor circuit 110 is determined by the external resistance 101 (generally, The pull-up calibration resistor circuit 110 is calibrated to be equal to the resistance value of 240?) (Pull-up calibration).

상술한 풀업 캘리브래이션 과정 중에 생성되는 이진코드(PCODE<0:N>, 풀업 캘리브래이션 코드)는 더미 캘리브래이션 저항부(120)에 입력되어 더미 캘리브래이션 저항부(120)의 전체 저항값을 결정하게 된다(결국 더미 캘리브래이션 저항회로는 풀업 캘리브래이션 저항회로와 동일한 저항값을 갖게된다). 이제 풀다운 캘리브래이션 동작이 시작되는데 풀업 캘리브래이션의 경우와 비슷하게, 비교기(104)와 카운터(106)를 사용하여 a노드의 전압이 기준전압(VREF)과 같아지도록, 즉 풀다운 캘리브래이션 저항부(130)의 전체 저항값이 더미 캘리브래이션 저항부(120)의 전체 저항값과 같아지도록 캘리브래이션 된다.(풀다운 캘리브래이션)The binary code (PCODE <0: N>, pull-up calibration code) generated during the above-described pull-up calibration process is input to the dummy calibration resistor 120 and the entire dummy calibration resistor 120 The resistance value is determined (finally the dummy calibration resistor circuit has the same resistance value as the pull-up calibration resistor circuit). The pull-down calibration operation now begins, similar to the pull-up calibration, using the comparator 104 and the counter 106 so that the voltage at node a equals the reference voltage (VREF), that is, the pull-down calibration resistor. The total resistance value of the unit 130 is calibrated to be equal to the total resistance value of the dummy calibration resistance unit 120 (pull-down calibration).

상술한 ZQ캘리브래이션(풀업 및 풀다운 캘리브래이션)의 결과로 생성된 이진코드들(PCODE<0:N>, NCODE<0:N>)은, 도 1의 캘리브래이션 회로의 풀업 및 풀다운 캘리브래이션 저항부(110, 130)와 동일하게 레이아웃 되어있는 입/출력 패드 측의 풀업 및 풀다운저항(터미네이션 저항)에 입력되어 온 다이 터미네이션 장치의 저항값을 결정하게 된다.(메모리장치의 경우에는 DQ패드 측에 있는 풀업 및 풀다운 터미네이션 저항값을 결정)The binary codes PCODE <0: N> and NCODE <0: N> generated as a result of the above-described ZQ calibration (pull-up and pull-down calibration) are the pull-up and pull-down of the calibration circuit of FIG. The resistance value of the die termination device input to the pull-up and pull-down resistors (termination resistors) on the input / output pad side laid out in the same manner as the calibration resistors 110 and 130 is determined. The pullup and pulldown termination resistors on the DQ pad side.

도 2는 도 1의 캘리브래이션 회로에서 생성한 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>, NCODE<0:N>)를 이용해 반도체 메모리장치의 출력드라이버(터미네이션 회로)의 터미네이션 저항값을 결정하는 것을 나타내는 도면이다.FIG. 2 determines a termination resistance value of an output driver (termination circuit) of a semiconductor memory device using calibration codes PCODE <0: N> and NCODE <0: N> generated by the calibration circuit of FIG. 1. It is a figure which shows.

출력드라이버(output driver)는 반도체 메모리장치에서 데이터를 출력하는 곳으로 도면과 같이, 업/다운에 구비된 프리드라이버(pre-driver)(210, 220)와 데이터를 출력하기 위한 풀업 터미네이션 저항부(230)와 풀다운 터미네이션 저항부(240)를 포함하여 구성된다.The output driver outputs data from the semiconductor memory device, and as shown in the figure, pre-drivers 210 and 220 provided for up / down and pull-up termination resistors for outputting data ( 230 and a pull-down termination resistor 240.

그 동작을 간략히 보면, 업/다운에 구비된 프리드라이버(210, 220)는 풀업 터미네이션 저항부(230)와 풀다운 터미네이션 저항부(240)를 각각 제어하는데, '하이'데이터를 출력할 때는 풀업 터미네이션 저항부(230)가 턴온되어 데이터 핀(DQ)을 '하이'상태로 만들고, '로우'데이터를 출력할 때는 풀다운 터미네이션 저항부(240)가 턴온되어 데이터 핀(DQ)을 '로우' 상태로 만든다. 즉, 데이터 핀(DQ)을 풀업 또는 풀다운으로 터미네이션을 시켜서 '하이'또는 '로우'의 데이터를 출력한다.In brief, the pre-drivers 210 and 220 provided in the up / down control the pull-up termination resistor 230 and the pull-down termination resistor 240, respectively. When the resistor unit 230 is turned on to make the data pin DQ high, and the output low data, the pull-down termination resistor 240 is turned on to bring the data pin DQ low. Make. In other words, the data pin DQ is terminated by pull-up or pull-down to output 'high' or 'low' data.

이때 턴온되는 풀업 터미네이션 저항부(230)와 풀다운 터미네이션 저항부(240) 내의 저항의 갯수는 풀업 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)와 풀다운 캘리브래이션 코드(NCODE<0:N>)에 의해 결정된다. 즉, 풀업 터미네이션 저항부(230)를 턴온하는지 풀다운 터미네이션 저항부(240)를 턴온하는지의 여부는 출력하는 데이터의 논리상태에 따라 결정되지만, 턴온되는 터미네이션 저항부(230, 240) 내의 저항 하나하나의 온/오프는 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>, NCODE<0:N>)에 의해 결정된다.At this time, the number of resistors in the pull-up termination resistor 230 and the pull-down termination resistor 240 that are turned on are the pull-up calibration code (PCODE <0: N>) and the pull-down calibration code (NCODE <0: N>). Determined by That is, whether the pull-up termination resistor 230 is turned on or the pull-down termination resistor 240 is turned on depends on the logic state of the output data, but each resistor in the turned-on termination resistor 230 or 240 is turned on. The on / off of is determined by the calibration codes PCODE <0: N> and NCODE <0: N>.

참고로, 풀업 터미네이션 저항회로(230)와 풀다운 터미네이션 저항회로(230)의 저항값 타겟(target) 값은 반드시 캘리브래이션 저항부(도 1의 110, 120, 130)의 저항값(240Ω)과 동일한 것이 아니라 240Ω의 1/2, 1/4인 120Ω, 60Ω 등의 값을 가지게 될 수가 있으며, 적용되는 시스템에 따라 터미네이션 저항값이 달라질 수 있기 때문에 240,120,60 용의 터미네이션 저항부(230, 240)를 모두 구비하고 이를 선택적으로 사용하는 방법을 채택하기도 한다.For reference, a resistance value target value of the pull-up termination resistor circuit 230 and the pull-down termination resistor circuit 230 must be equal to the resistance value 240Ω of the calibration resistor unit 110, 120, and 130 of FIG. 1. It may not have the same value, but may have values such as 120Ω, 60Ω, which are 1/2 and 1/4 of 240Ω, and the termination resistance parts 240, 120, and 60 may be different depending on the applied system. It is also possible to adopt the method of having all of them) and using them selectively.

도면의 프리드라이버(210, 220)로 입력되는 DQp_CTRL, DQn_CTRL은 프리드라이버(210, 220)로 입력되는 여러 제어신호들을 묶어서 나타낸 것이다.DQp_CTRL and DQn_CTRL input to the predrivers 210 and 220 of the drawing represent a group of control signals input to the predrivers 210 and 220.

출력드라이버(도 2, 온 다이 터미네이션 장치의 터미네이션 회로)는 캘리브래이션 회로(도 1)에서 생성되는 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>, NCODE<0:N>)를 사용하여 자신의 터미네이션 저항값(도 2의 230, 240의 저항값)이 결정되기 때문에 항상 일정한 저항값을 유지한다.The output driver (FIG. 2, termination circuit of the on-die termination device) uses its own calibration code (PCODE <0: N>, NCODE <0: N>) generated by the calibration circuit (FIG. 1). Since the termination resistance values (resistance values 230 and 240 in Fig. 2) are determined, constant resistance values are always maintained.

터미네이션 저항값(도 2의 230, 240의 저항값)이 일정한 상태에서 전원전 압(VDD)의 변동이 생기면 입/출력 노드(DQ)에 흐르는 전류량(current)도 변하게 된다. 예를 들어, 터미네이션 저항값(도 2의 230, 240의 저항값)이 일정한 상태에서 전원전압(VDD)이 2배로 증가한다면 입/출력 노드(DQ)의 전류량도 2배로 증가하게 되고, 전원전압(VDD)이 반으로 감소한다면 전류량도 반으로 감소하게 된다.If the power supply voltage VDD is changed while the termination resistance value (the resistance values 230 and 240 of FIG. 2) is constant, the amount of current flowing through the input / output node DQ also changes. For example, if the power supply voltage VDD is doubled while the termination resistance value (230 and 240 in FIG. 2) is constant, the current amount of the input / output node DQ is also doubled. If (VDD) decreases in half, the amount of current also decreases in half.

캘리브래이션 결과에 따라 터미네이션 저항값(도 2의 230, 240의 저항값)은 PVT의 변화에 상관없이 일정한 저항값을 유지하게 되고, 이것이 바로 ZQ캘리브래이션의 목적이지만, 반도체장치가 적용되는 시스템에 따라서는 터미네이션 저항값(도 2의 230, 240의 저항값)이 일정하기 보다는 입/출력 노드(DQ)에 흐르는 전류량이 일정할 것이 요구되는 경우가 있다. 따라서 이러한 요구를 만족시킬 수 있는 기술이 요구된다.According to the calibration result, the termination resistance value (resistance value of 230 and 240 in FIG. 2) maintains a constant resistance value regardless of the change of PVT. This is the purpose of ZQ calibration, but the semiconductor device is applied. Depending on the system, the amount of current flowing through the input / output node DQ may be required to be constant rather than the termination resistance value (the resistance values 230 and 240 of FIG. 2). Therefore, a technology that can satisfy these needs is required.

본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 전원전압이 변동하더라도 입/출력 노드의 전류량을 일정하게 유지하여, (전류량이 일정할 것을 요구하는)시스템의 요구사항을 충족시킬 수 있는 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로를 제공하고자 하는데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above-mentioned problems of the prior art, and keeps the current amount of the input / output node constant even if the power supply voltage changes, so as to meet the requirements of the system (requires constant current amount). An object of the present invention is to provide a calibration circuit of an on-die termination device.

본 발명의 일실시예(풀업 캘리브래이션 코드를 생성하는 경우)에 따른 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로는, 기준전압과 외부저항이 연결된 캘리브래이션 노드의 전압에 응답하여 풀업 캘리브래이션 코드를 생성하는 코드생성부; 및 상기 풀업 캘리브래이션 코드에 응답하여 상기 캘리브래이션 노드를 풀업 구동하며, 전원전압이 증가할수록 더 큰 저항값을 갖도록 캘리브래이션되는 풀업 캘리브래이션 저항부를 포함한다.The calibration circuit of the on-die termination device according to an embodiment of the present invention (when generating a pull-up calibration code), the pull-up calibration in response to the voltage of the calibration node connected to the reference voltage and the external resistance Code generation unit for generating a code; And a pull-up calibration resistor configured to pull-up the calibration node in response to the pull-up calibration code, and calibrated to have a larger resistance value as the power supply voltage increases.

상기 풀업 캘리브래이션 저항부는, 상기 전원전압이 소정전압과 동일하면 상기 외부저항과 동일한 저항값을 갖도록 캘리브래이션되며, 상기 전원전압이 상기 소정전압보다 높으면 상기 외부저항보다 큰 저항값을 갖도록, 상기 전원전압이 상기 소정전압보다 낮으면 상기 외부저항보다 작은 저항값을 갖도록 캘리브래이션되는 것을 특징으로 할 수 있다.The pull-up calibration resistor unit is calibrated to have a resistance value equal to the external resistance when the power supply voltage is equal to a predetermined voltage, and to have a resistance value greater than the external resistance when the power supply voltage is higher than the predetermined voltage. When the power supply voltage is lower than the predetermined voltage may be calibrated to have a resistance value smaller than the external resistance.

상기 기준전압은, 상기 전원전압*1/N(N은 1 이상의 자연수)의 값을 가지며, 상기 N의 값은 상기 전원전압이 높아질수록 커지는 것을 특징으로 할 수 있다.The reference voltage may have a value of the power supply voltage * 1 / N (N is a natural number of 1 or more), and the value of N may be increased as the power supply voltage increases.

본 발명의 다른 실시예에 따른 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로는, 제1기준전압과 외부저항이 연결된 캘리브래이션 노드의 전압에 응답하여 풀업 캘리브래이션 코드를 생성하고, 제2기준전압과 A노드의 전압에 응답하여 풀다운 캘리브래이션 코드를 생성하는 코드생성부; 상기 풀업 캘리브래이션 코드에 응답하여 상기 캘리브래이션 노드를 풀업 구동하며, 전원전압이 증가할수록 더 큰 저항값을 갖도록 캘리브래이션 되는 풀업 캘리브래이션 저항부; 상기 풀업 캘리브래이션 코드에 응답하여 상기 A노드를 풀업 구동하며, 상기 풀업 캘리브래이션 저항부와 동일한 저항값을 갖도록 캘리브래이션되는 더미 캘리브래이션 저항부; 및 상기 풀다운 캘리브래이션 코드에 응답하여 상기 A노드를 풀다운 구동하며, 상기 더미 캘리브래이션 저항부와 동일한 저항값을 갖도록 캘리브래이션 되는 풀다운 캘리브래이션 저항부를 포함한다.The calibration circuit of the on-die termination device according to another embodiment of the present invention generates a pull-up calibration code in response to a voltage of a calibration node connected with a first reference voltage and an external resistor, and generates a second reference voltage. A code generator configured to generate a pull-down calibration code in response to voltages of the A node and the A node; A pull-up calibration resistor unit configured to pull-up the calibration node in response to the pull-up calibration code and to be calibrated to have a larger resistance value as the power supply voltage increases; A dummy calibration resistor configured to pull-up the node A in response to the pull-up calibration code and to be calibrated to have the same resistance value as the pull-up calibration resistor; And a pull-down calibration resistor configured to pull-down the A node in response to the pull-down calibration code and to be calibrated to have the same resistance value as that of the dummy calibration resistor.

상기 풀업 캘리브래이션 저항부는, 상기 전원전압이 소정전압과 동일하면 상기 외부저항과 동일한 저항값을 갖도록 캘리브래이션되며, 상기 전원전압이 상기 소정전압보다 높으면 상기 외부저항보다 큰 저항값을 갖도록, 상기 전원전압이 상기 소정전압보다 낮으면 상기 외부저항보다 작은 저항값을 갖도록 캘리브래이션되는 것을 특징으로 할 수 있다.The pull-up calibration resistor unit is calibrated to have a resistance value equal to the external resistance when the power supply voltage is equal to a predetermined voltage, and to have a resistance value greater than the external resistance when the power supply voltage is higher than the predetermined voltage. When the power supply voltage is lower than the predetermined voltage may be calibrated to have a resistance value smaller than the external resistance.

상기 제1기준전압은, 상기 전원전압*1/N(N은 1 이상의 자연수)의 값을 가지며, 상기 N의 값은 상기 전원전압이 높아질수록 커지는 것을 특징으로 할 수 있다.The first reference voltage may have a value of the power supply voltage * 1 / N (N is a natural number of 1 or more), and the value of N may be increased as the power supply voltage increases.

본 발명은 전원전압이 높아지면 캘리브래이션 회로의 캘리브래이션 저항부(모든 캘리브래이션 저항부 마찬가지)가 외부저항보다 큰 저항값을 가지도록 캘리브래이션되고, 전원전압이 낮아지면 캘리브래이션 저항부가 외부저항보다 작은 저항값을 가지도록 캘리브래이션 된다.According to the present invention, when the power supply voltage is increased, the calibration resistors (like all the calibration resistors) of the calibration circuit are calibrated to have a larger resistance value than the external resistance, and when the power supply voltage is lowered, the calibration is performed. The resistor unit is calibrated to have a smaller resistance value than the external resistor.

따라서 터미네이션 회로(예, 출력드라이버)의 터미네이션 저항부도 이에 따라 전원전압이 높아지면 큰 저항값 전원전압이 낮아지면 작은 저항값을 가지게 된다. 그러므로 전원전압이 변동되더라도 입/출력노드에는 항상 일정한 양의 전류가 흐를 수 있다.Accordingly, the termination resistor of the termination circuit (eg, the output driver) also has a large resistance value when the power supply voltage is high and a small resistance value when the power supply voltage is low. Therefore, even if the power supply voltage changes, a constant amount of current can always flow through the input / output node.

이하 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention.

도 3은 본 발명의 일실시예(하나의 캘리브래이션 코드만을 생성)에 따른 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로의 구성도이다.3 is a configuration diagram of a calibration circuit of an on die termination apparatus according to an embodiment of the present invention (generating only one calibration code).

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 캘리브래이션 회로는, 기준전압(VREF_ZQ)과 외부저항(301)이 연결된 캘리브래이션 노드(ZQ)의 전압에 응답하여 풀업 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)를 생성하는 코드생성부(320); 및 풀업 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)에 응답하여 캘리브래이션 노드(ZQ)를 풀업 구동하며 전원 전압(VDD)이 높을수록 더 큰 저항값을 갖도록 캘리브래이션 되는 캘리브래이션 저항부(330)를 포함하여 구성된다. 그리고 캘리브래이션 회로(320+330)에 기준전압(VREF_ZQ)을 공급하는 기준전압 발생기(310)는 캘리브래이션 회로 내부에 또는 외부에 구비될 수 있다.As shown in the figure, the calibration circuit according to the present invention, the pull-up calibration code (PCODE <) in response to the voltage of the calibration node (ZQ) to which the reference voltage (VREF_ZQ) and the external resistor (301) is connected. 0: N>) to generate a code generation unit 320; And a calibration resistor that pulls up the calibration node ZQ in response to the pull-up calibration code PCODE <0: N> and is calibrated to have a larger resistance value as the power supply voltage VDD is higher. It is configured to include a portion 330. The reference voltage generator 310 for supplying the reference voltage VREF_ZQ to the calibration circuit 320 + 330 may be provided inside or outside the calibration circuit.

도 3의 실시예에서는 풀업 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)만을 생성하는 경우의 캘리브래이션 회로를 도시하였는데, 이는 캘리브래이션 회로가 항상 두개의 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>, NCODE<0:N>)를 생성하는 것은 아니기 때문이다. 터미네이션 회로에서 풀업으로만 입/출력 노드(DQ)를 터미네이션하는 경우에는 캘리브래이션 회로에서도 풀업 캘리브래이션 코드만(PCODE<0:N>)을 생성하면 된다. 예를 들어 그래픽용 DRAM의 경우 데이터를 입력받을 때 입/출력 노드(DQ)를 풀업으로만 터미네이션한다.3 shows a calibration circuit in the case of generating only the pull-up calibration code PCODE <0: N>, which means that the calibration circuit always has two calibration codes PCODE <0: N>, NCODE <0: N>) is not generated. In the case of terminating the input / output node (DQ) only by the pull-up in the termination circuit, the pull-up calibration code (PCODE <0: N>) only needs to be generated in the calibration circuit. For example, in the case of graphics DRAM, the input / output node (DQ) is terminated only by pull-up when receiving data.

코드생성부(320)는 종래와 마찬가지로 기준전압(VREF_ZQ)과 캘리브래이션 노드의 전압에 응답하여 풀업 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)를 생성한다. 이러한 코드생성부(320)는 기준전압(VREF_ZQ)과 캘리브래이션 노드(ZQ)의 전압을 비교하는 비교기(321)와, 비교기(321)의 출력에 응답하여 풀업 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)를 카운팅하는 카운터(322)를 포함하여 구성될 수 있다.The code generator 320 generates a pull-up calibration code PCODE <0: N> in response to the reference voltage VREF_ZQ and the voltage of the calibration node as in the related art. The code generator 320 may include a comparator 321 comparing the voltage of the reference voltage VREF_ZQ and the calibration node ZQ, and a pull-up calibration code PCODE <0 in response to the output of the comparator 321. And a counter 322 counting: N>).

풀업 캘리브래이션 저항부(330)는 풀업 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)에 응답하여 내부의 병렬저항들이 온/오프되며 캘리브래이션 노드(ZQ)를 풀업 구동한다. 종래의 풀업 캘리브래이션 저항부는 항상 외부저항과 동일한 저항값을 갖도록 캘리브래이션 되었지만 본 발명의 풀업 캘리브래이션 저항부(330)는 전원전압(VDD)이 높아질수록 더 큰 저항값을 갖도록 캘리브래이션 되는 것을 특징으로 한다.The pull-up calibration resistor unit 330 internally turns on / off parallel resistors in response to the pull-up calibration code PCODE <0: N> and pulls up the calibration node ZQ. Conventional pull-up calibration resistors are always calibrated to have the same resistance as the external resistors, but the pull-up calibration resistors 330 of the present invention have a larger resistance value as the power supply voltage VDD increases. It is characterized in that the transition.

따라서 소정전압을 기준으로 전원전압(VDD)이 소정전압과 동일하면 외부저항(301)과 동일한 저항값을 갖도록 캘리브래이션되며, 전원전압(VDD)이 소정전압보다 높으면 외부저항(301)보다 큰 저항값을 갖도록, 전원전압(VDD)이 소정전압보다 낮으면 외부저항(301)보다 작은 저항값을 갖도록 캘리브래이션 된다. 풀업 캘리브래이션 저항부(330)가 이와 같이 캘리브래이션되도록 하는 것은 전원전압(VDD)이 안정적인 정상상태의 레벨에서 벗어나는 경우(즉 흔들리는 경우) 터미네이션 저항값을 바꾸어주기 위함이므로 상기 소정전압은 전원전압(VDD)이 정상상태(안정된 상태)일 때 갖는 전압과 동일한 레벨인 것이 바람직하다.Therefore, if the power supply voltage VDD is equal to the predetermined voltage based on the predetermined voltage, the device is calibrated to have the same resistance value as the external resistor 301. If the power supply voltage VDD is higher than the predetermined voltage, In order to have a resistance value, when the power supply voltage VDD is lower than the predetermined voltage, it is calibrated to have a resistance value smaller than the external resistance 301. Since the pull-up calibration resistor unit 330 is calibrated in this manner, the predetermined voltage is used to change the termination resistance value when the power supply voltage VDD deviates from the stable steady state level (ie, shakes). It is preferable that the voltage VDD is at the same level as the voltage which is in a steady state (stable state).

전원전압(VDD)이 높아 캘리브래이션 회로의 풀업 캘리브래이션 저항부(330)가 종래와 달리 외부저항(301)보다 큰 값으로 캘리브래이션 된다는 것은, 풀업 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)가 저항값이 더 커지게 하는 방향으로 생성된다는 것을 의미한다. 따라서 풀업 캘리브래이션 저항부(330)와 동일하게 구성되고 동일한 풀업 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)를 입력받는 터미네이션 회로의 풀업 터미네이션 저항부 역시 기존보다 큰 저항값을 갖게 된다. 따라서 전원전압(VDD)이 높아지더라도 이에 따라 터미네이션 저항값도 커지기 때문에 입/출력 노드(DQ)에 흐르는 전류량은 일정하게 유지될 수 있다.Since the pull-up calibration resistor unit 330 of the calibration circuit is higher than the external resistor 301 because the power supply voltage VDD is high, the pull-up calibration code PCODE <0: N>) is generated in the direction of making the resistance value larger. Therefore, the pull-up termination resistor of the termination circuit configured in the same manner as the pull-up calibration resistor 330 and receiving the same pull-up calibration code PCODE <0: N> also has a larger resistance value than the conventional one. Therefore, even if the power supply voltage VDD increases, the termination resistance value also increases, so that the amount of current flowing through the input / output node DQ can be kept constant.

반대로 전원전압(VDD)이 낮아 풀업 캘리브래이션 저항부(330)가 외부저항(301)보다 작은 값으로 캘리브래이션되면, 터미네이션 회로의 풀업 터미네이션 저항부 역시 기존보다 작은 저항값을 갖게되고, 전원전압(VDD)이 낮아지더라도 이 에 따라 터미네이션 저항값도 작아지기 때문에 입/출력 노드(DQ)에 흐르는 전류량은 일정하게 유지될 수 있다.On the contrary, when the pull-up calibration resistor 330 is calibrated to a value smaller than the external resistor 301 because the power supply voltage VDD is low, the pull-up termination resistor of the termination circuit also has a smaller resistance value than the conventional one. Even if the voltage VDD decreases, the termination resistance value also decreases accordingly, so that the amount of current flowing through the input / output node DQ can be kept constant.

이와 같이, 본 발명은 전원전압(VDD)이 정상상태의 전압 레벨을 유지하면 풀업 캘리브래이션 저항부(330)가 외부저항(301)과 동일한 저항값으로 캘리브래이션되게, 전원전압(VDD)이 정상상태의 전압 레벨보다 커지면 풀업 캘리브래이션 저항부(330)가 외부저항(301)보다 큰 값으로 캘리브래이션되게, 전원전압(VDD)이 정상상태의 전압 레벨보다 작아지면 풀업 캘리브래이션 저항부(330)가 외부저항(301)보다 작은 값으로 캘리브래이션 되게 하는 것을 핵심으로 한다.As described above, in the present invention, when the power supply voltage VDD maintains the normal voltage level, the pull-up calibration resistor unit 330 is calibrated to the same resistance value as the external resistor 301. The pull-up calibration resistor unit 330 is calibrated to a value greater than the external resistor 301 when the voltage level is greater than the steady state. When the power supply voltage VDD is smaller than the voltage level in the steady state, the pull-up calibration is performed. The resistor 330 is to be calibrated to a value smaller than the external resistor 301 is the key.

풀업 캘리브래이션 저항부(330)가 상술한 바와 같이 캘리브래이션되게 하는 것은 기준전압(VREF_ZQ)을 종래와 달리 생성함으로써 이루어질 수 있다. 캘리브래이션 회로에서하는 캘리브래이션 동작은 결국 기준전압(VREF_ZQ)과 캘리브래이션 노드(ZQ)의 전압이 같아질 때까지 풀업 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)를 카운팅하는 것이기 때문이다.As described above, the pull-up calibration resistor unit 330 may be calibrated by generating the reference voltage VREF_ZQ unlike the related art. Because the calibration operation in the calibration circuit counts the pull-up calibration code (PCODE <0: N>) until the voltage at the reference voltage (VREF_ZQ) and the calibration node (ZQ) are equal. to be.

도 4는 본 발명에서의 기준전압(VREF_ZQ)의 레벨을 도시한 도면이다.4 is a diagram showing the level of the reference voltage VREF_ZQ in the present invention.

종래의 기준전압(VREF)은 항상 전원전압(VDD)*1/2의 레벨을 유지했기 때문에 전원전압(VDD)이 변동하더라도 풀업 캘리브래이션 저항부(도 1의 110)는 항상 외부저항(101, 301)과 동일한 저항값을 갖도록 캘리브래이션 되었다. Since the conventional reference voltage VREF has always maintained the level of the power supply voltage VDD * 1/2, even if the power supply voltage VDD fluctuates, the pull-up calibration resistor section 110 of FIG. , 301 was calibrated to have the same resistance value.

하지만 도면과 같이, 본 발명에서의 기준전압(VREF_ZQ)은 전원전압(VREF)이 소정전압(상술한 바와 같이 소정전압은 정상상태에서 기준전압이 갖는 전압 레벨인 것이 바람직하다, 이하 정상상태 전압이라 한다)과 동일한 레벨일 경우에는 전원전 압(VDD)*1/2의 값을 갖지만 전원전압(VDD)이 정상상태 전압보다 높을 경우에는 전원전압(VDD)*1/2보다 작은 값을 갖는다.However, as shown in the drawing, the reference voltage VREF_ZQ according to the present invention is preferably the power supply voltage VREF is a predetermined voltage (as described above, the predetermined voltage is a voltage level of the reference voltage in the steady state. At the same level, the power supply voltage VDD * 1/2 is smaller, but when the power supply voltage VDD is higher than the steady state voltage, the power supply voltage VDD * 1/2 is smaller than the power supply voltage VDD * 1/2.

캘리브래이션 동작은 캘리브래이션 노드(ZQ)의 전압이 기준전압(VREF_ZQ)의 레벨을 따라가게 하는 과정이므로, 기준전압(VREF_ZQ)의 레벨이 전원전압(VDD)*1/2보다 작으면 풀업 캘리브래이션 저항부(330)는 외부저항(301)보다 큰 값으로 캘리브래이션 된다. 예를 들어, 기준전압(VREF_ZQ)의 레벨이 전원전압(VDD)*2/5이라면 캘리브래이션 저항부(330):외부저항(301)의 저항비는 3:2가 된다.The calibration operation is a process of causing the voltage of the calibration node ZQ to follow the level of the reference voltage VREF_ZQ, so if the level of the reference voltage VREF_ZQ is less than the power supply voltage VDD * 1/2, it is pulled up. The calibration resistor unit 330 is calibrated to a larger value than the external resistor 301. For example, when the level of the reference voltage VREF_ZQ is the power supply voltage VDD * 2/5, the resistance ratio of the calibration resistor unit 330: the external resistor 301 is 3: 2.

또한, 전원전압(VDD)의 레벨이 정상상태 전압의 레벨보다 낮아지면 본 발명의 기준전압(VREF_ZQ)은 전원전압(VDD)*1/2보다 커진다. 따라서 풀업 캘리브래이션 저항부(330)는 외부저항(301)보다 작은 값으로 캘리브래이션 된다. 예를 들어 기준전압(VREF_ZQ)의 레벨이 전원전압(VDD)*3/5라면 캘리브래이션 저항부(330):외부저항(301)의 저항비는 2:3이 된다.In addition, when the level of the power supply voltage VDD is lower than the level of the steady state voltage, the reference voltage VREF_ZQ of the present invention becomes larger than the power supply voltage VDD * 1/2. Therefore, the pull-up calibration resistor 330 is calibrated to a smaller value than the external resistor 301. For example, when the level of the reference voltage VREF_ZQ is the power supply voltage VDD * 3/5, the resistance ratio of the calibration resistor unit 330: the external resistor 301 is 2: 3.

즉, 본원발명의 기준전압(VREF_ZQ)은 단순히 전원전압(VDD)*1/2의 값을 갖지 아니하며, 전원전압(VDD)*1/N의 값을 가지며(N은 1 이상의 자연수) 그 N값은 전원전압(VDD)이 높아질수록 커진다. 상세하게, 전원전압(VDD)=정상상태 전압일 경우 N=2이지만, 전원전압(VDD)이 정상상태 전압보다 작아지면 N값은 점점 작아지고, 전원전압(VDD)이 정상상태 전압보다 커지면 N값은 점점 커진다.That is, the reference voltage VREF_ZQ of the present invention does not simply have a value of power supply voltage VDD * 1/2, but has a value of power supply voltage VDD * 1 / N (N is a natural number of 1 or more). Is larger as the power supply voltage VDD is increased. In detail, when power supply voltage VDD = steady state voltage, N = 2, but when the power supply voltage VDD becomes smaller than the steady state voltage, the N value becomes smaller and smaller when the power supply voltage VDD becomes larger than the steady state voltage. The value is getting bigger.

도 5는 도 4와 같은 기준전압(VREF_ZQ)을 생성하는 기준전압 발생기(310)의 일실시예 도면이다.FIG. 5 is a diagram of one embodiment of a reference voltage generator 310 generating the reference voltage VREF_ZQ as shown in FIG. 4.

도 4와 같은 기준전압(VREF_ZQ)은 일정한 전압을 생성하는 밴드갭(bandgap) 회로(510)의 출력과 전원전압(VDD)을 전압분배해 출력하는 전압분배회로(520)의 출력을 연결하여 생성할 수 있다.The reference voltage VREF_ZQ as shown in FIG. 4 is generated by connecting the output of the bandgap circuit 510 for generating a constant voltage and the output of the voltage distribution circuit 520 for voltage-dividing and outputting the power supply voltage VDD. can do.

먼저 본래 일정한 전압을 생성하기 위해서 사용되는 밴드갭회로(510)에 대해 살펴본다.First, the bandgap circuit 510 used to generate a constant voltage will be described.

밴드갭회로(510)는 공정에 대한 변화가 적은 버티컬(vertical) PNP BJT 트랜지스터를 이용한다. 이는 온도에 따라 흐르는 전류의 양이 증가하게 하는 PTAT(Proportional to Absolute Temperature)항과 온도에 따라 흐르는 전류의 양이 감소하게 하는 CTAT(Complementary proportional to Absolute Temperature)항을 만들고 이들의 조합으로 이루어진다.The bandgap circuit 510 uses a vertical PNP BJT transistor with little change in process. This is done by creating a Proportional to Absolute Temperature (PTAT) term that increases the amount of current flowing with temperature and a Complementary proportional to Absolute Temperature (CTAT) term that decreases the amount of current flowing with temperature.

이 회로에서 A노드와 B노드가 가상 단락(virtually shorted) 되었다는 가정 하에 N:1의 비를 가지는 두 BJT(Q1, Q2)의 이미터 전류로 표현되는 일반적인 다이오드 전류 대 전압에 관한 식은 다음과 같다.In this circuit, the formula for a typical diode current versus voltage expressed as the emitter current of two BJTs (Q1, Q2) with a ratio of N: 1 under the assumption that node A and node B are virtually shorted is: .

Figure 112009044164136-pat00001
Figure 112009044164136-pat00001

이를 각각 Q1, Q2에 적용하면 다음과 같아진다.Applying this to Q1 and Q2, respectively, is as follows.

Figure 112009044164136-pat00002
,
Figure 112009044164136-pat00003
Figure 112009044164136-pat00002
,
Figure 112009044164136-pat00003

여기서 IQ1, IQ2는 각각의 BJT에 흐르는 이미터 전류이다.Where I Q1 and I Q2 are the emitter currents flowing through each BJT.

A노드와 B노드의 전위가 같은 경우 R1저항을 통해 흐르는 IPTAT전류는 다음과 같다.If the potential of node A and node B is the same, the IPTAT current flowing through the resistor R1 is as follows.

Figure 112009044164136-pat00004
Figure 112009044164136-pat00004

그리고 동일한 상황 하에 R2저항을 통해 흐르는 ICTAT전류는 다은과 같다.And under the same circumstances, the ICTAT current flowing through the R2 resistor is the same.

Figure 112009044164136-pat00005
Figure 112009044164136-pat00005

동일한 크기의 MOS에 동일한 양의 전류가 흐른다는 가정하에서 M*IPTAT, K*ICTAT의 전류는 표시된 대로 M*IPTAT, K*ICTAT가 된다.Assuming the same amount of current flows through the same size MOS, the currents of M * IPTAT and K * ICTAT become M * IPTAT and K * ICTAT as indicated.

이를 바탕으로 밴드갭회로(510)의 출력전압인 VREF_ZQ는 다음과 같이 표시된다(우측의 전압분배회로가 없다고 가정할 때).Based on this, the output voltage VREF_ZQ of the bandgap circuit 510 is expressed as follows (assuming that there is no voltage divider circuit on the right side).

VREF_ZQ=K·R3/R2·{VBE1+(M·R2)/(K·R1)·ln(N·α)·VT}VREF_ZQ = K · R3 / R2 · {V BE1 + (M · R2) / (K · R1) · ln (N · α) · V T }

온도 보상이 일어나도록 M, R1, R2, R3, K, M 값을 적절하게 조절해 주면 출력 VREF_ZQ는 PVT변화에 대해 일정한 값을 가지게 된다. 일반적으로는 N, R1, R2, R3값은 고정하고 K, M값만을 조절하여 PTAT와 CTAT의 전류량을 조절하게 된다.By properly adjusting the values of M, R1, R2, R3, K, and M so that temperature compensation occurs, the output VREF_ZQ will have a constant value for the PVT change. In general, the N, R1, R2, and R3 values are fixed and only the K and M values are adjusted to adjust the amount of current in PTAT and CTAT.

즉, 밴드갭회로 만으로는 일정한 전압을 출력하게 된다.That is, the band gap circuit alone outputs a constant voltage.

또한, 전압분배회로(520)만 있을 경우 전압분배회로(520)의 출력 VREF_ZQ=VDD*(R5/(R4+R5))가 된다.In addition, when only the voltage distribution circuit 520 is present, the output VREF_ZQ = VDD * (R5 / (R4 + R5)) of the voltage distribution circuit 520 becomes.

그리고 이제 밴드갭회로와 전압분배 회로가 연결되었다고 생각하고 VREF_ZQ단에서 전류공식을 세워 정리하면,And now if you think that the bandgap circuit and the voltage distribution circuit are connected and set up the current formula in the VREF_ZQ stage,

VREF_ZQ={(R3·R5)/(R3+R5)}·(K/R2)·{VBE1+((M·R2)/(K·R1))·ln(N·α)·VT+VDD/(R4+R5)}가 된다. VREF_ZQ = {(R3 · R5) / (R3 + R5)} · (K / R2) · (V BE1 + ((M · R2) / (K · R1)) · ln (N · α) · V T + VDD / (R4 + R5)}.

그리고 위 식을 더욱 단순하게 정리하면 VREF_ZQ=A+B*VDD가 된다. 즉, 위 식의 상수값 들을 조정하여 줌으로써 도 4와 같은 본 발명의 기준전압(VREF_ZQ)을 생 성할 수가 있는 것이다.In simpler terms, VREF_ZQ = A + B * VDD. That is, by adjusting the constant values of the above equation, the reference voltage VREF_ZQ of the present invention as shown in FIG. 4 can be generated.

그 원리를 정리하면, 일정한 정전압(A)을 발생시키는 밴드갭회로(510)와 전원전압(VDD)을 전압분배(B*VDD)하는 전압분배회로를 연결한 결과, 도 4와 같은 선(A+B*VDD)을 그리는 기준전압(VREF_ZQ)이 생성된다.To sum up the principle, as a result of connecting the bandgap circuit 510 for generating a constant constant voltage A and the voltage distribution circuit for voltage division (B * VDD) of the power supply voltage VDD, the line A as shown in FIG. A reference voltage VREF_ZQ is generated which draws + B * VDD.

전원전압(VDD)이 매우 낮은 경우(도 4의 좌측)에 기준전압(VREF_ZQ)의 레벨이 전원전압(VDD)과 동일하게 형성되는 것은 기준전압(VREF_ZQ)도 전원전압(VDD)을 이용해 만드는 것이기 때문에 기준전압(VREF_ZQ)이 전원전압(VDD)의 레벨보다 높을 수는 없기 때문이다.When the power supply voltage VDD is very low (left side of FIG. 4), the level of the reference voltage VREF_ZQ is formed equal to the power supply voltage VDD is that the reference voltage VREF_ZQ is also made using the power supply voltage VDD. This is because the reference voltage VREF_ZQ cannot be higher than the level of the power supply voltage VDD.

도 6은 본 발명의 다른 실시예(두 가지의 캘리브래이션 코드 모두 생성)에 따른 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로의 구성도이다.6 is a block diagram of a calibration circuit of an on die termination device according to another embodiment of the present invention (both generation of calibration codes).

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 캘리브래이션 회로는, 제1기준전압(VREF_ZQ)과 외부저항(601)이 연결된 캘리브래이션 노드(ZQ)의 전압에 응답하여 풀업 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)를 생성하고, 제2기준전압(VREF)과 A노드의 전압에 응답하여 풀다운 캘리브래이션 코드(NCODE<0:N>)를 생성하는 코드생성부(630); 풀업 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)에 응답하여 캘리브래이션 노드(ZQ)를 풀업 구동하며, 전원전압(VDD)이 증가할수록 더 큰 저항값을 갖도록 캘리브래이션 되는 풀업 캘리브래이션 저항부(640); 풀업 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)에 응답하여 A노드를 풀업 구동하며, 풀업 캘리브래이션 저항부(640)와 동일한 저항값을 갖도록 캘리브래이션되는 더미 캘리브래이션 저항부(650); 및 풀다운 캘리브래이션 코드(NCODE<0:N>)에 응답하여 A노드를 풀다운 구동하며, 더미 캘리브래이션 저항부(650)와 동일한 저항값을 갖도록 캘리브래이션 되는 풀다운 캘리브래이션 저항부(660)를 포함하여 구성된다.As shown in the figure, the calibration circuit according to the present invention, in response to the voltage of the calibration node (ZQ) connected to the first reference voltage (VREF_ZQ) and the external resistor (601) pull-up calibration code ( A code generator 630 for generating PCODE <0: N> and generating a pull-down calibration code NCODE <0: N> in response to the second reference voltage VREF and the voltage of the A node; A pull-up calibration is performed to pull up the calibration node ZQ in response to the pull-up calibration code PCODE <0: N> and to have a larger resistance value as the power supply voltage VDD increases. Resistance unit 640; A dummy calibration resistor 650 that pulls up node A in response to the pull-up calibration code PCODE <0: N> and is calibrated to have the same resistance value as that of the pull-up calibration resistor 640. ); And a pull-down calibration resistor unit that is pulled-down in response to the pull-down calibration code NCODE <0: N> and is calibrated to have the same resistance value as the dummy calibration resistor 650. 660).

그리고 캘리브래이션 회로에 제1기준전압(VREF_ZQ)과 제2기준전압(VREF)을 공급하는 기준전압 발생기(610, 620)는 캘리브래이션 회로 내부 또는 외부에 구비될 수 있다.The reference voltage generators 610 and 620 for supplying the first reference voltage VREF_ZQ and the second reference voltage VREF to the calibration circuit may be provided inside or outside the calibration circuit.

코드생성부(630)는 제1기준전압(VREF_ZQ)과 캘리브래이션 노드(ZQ)의 전압에 응답하여 풀업 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)를 생성하고, 제2기준전압(VREF)과 A노드의 전압에 응답하여 풀다운 캘리브래이션 코드(NCODE<0:N>)를 생성한다. 이러한 코드생성부(630)는 제1기준전압(VREF_ZQ)과 캘리브래이션 노드(ZQ)의 전압을 비교하는 제1비교기(631), 제1비교기(631)의 출력에 응답하여 풀업 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)를 카운팅하는 제1카운터(632), 제2기준전압(VREF)과 A노드의 전압을 비교하는 제2비교기(633), 제2비교기(633)의 출력에 응답하여 풀다운 캘리브래이션 코드(NCODE<0:N>)를 카운팅(counting)하는 제2카운터(634)를 포함하여 구성될 수 있다.The code generator 630 generates a pull-up calibration code PCODE <0: N> in response to the voltages of the first reference voltage VREF_ZQ and the calibration node ZQ, and the second reference voltage VREF. And a pull-down calibration code (NCODE <0: N>) in response to node A and voltage of node A. The code generator 630 replies to the output of the first comparator 631 and the first comparator 631 to compare the voltage of the first reference voltage VREF_ZQ and the calibration node ZQ. To the outputs of the first and second comparators 633 and 633 comparing the voltage of the first node 632, the second reference voltage VREF, and the A node, which counts the codes PCODE <0: N>. It may be configured to include a second counter 634 in response to counting the pull-down calibration code (NCODE <0: N>).

풀업 캘리브래이션 저항부(640)는 도 3의 풀업 캘리브래이션 저항부(330)와 동일하게 구성되며, 동일한 특징을 가지고 있다. 이에 대해서는 앞선 실시예에서 상세히 설명하였으므로 여기서는 더 이상의 상세한 설명은 생략하기로 한다.The pull-up calibration resistor 640 is configured in the same manner as the pull-up calibration resistor 330 of FIG. 3 and has the same characteristics. Since this has been described in detail in the foregoing embodiment, further description will be omitted here.

더미 캘리브래이션 저항부(650) 역시 풀업 캘리브래이션 저항부(640)와 동일한 코드(PCODE<0:N>)를 입력받으며, 동일하게 구성되므로 풀업 캘리브래이션 저항부(640)와 동일한 저항값을 가진다. 본래 더미 캘리브래이션 저항부(650) 자체가 풀업 캘리브래이션 저항부(640)를 그대로 복사(copy)한 채로 A노드를 풀업 구동함으로써 풀다운 캘리브래이션 코드(NCODE<0:N>)를 생성할 수 있게 하는 것이므로 더미 캘리브래이션 저항부(650)가 풀업 캘리브래이션 저항부(640)와 동일한 특성을 가짐은 당연하다.The dummy calibration resistor 650 also receives the same code (PCODE <0: N>) as the pull-up calibration resistor 640 and is configured identically, so the same resistance as that of the pull-up calibration resistor 640. Has a value. Originally, the dummy calibration resistor 650 itself generates a pull-down calibration code (NCODE <0: N>) by pull-up driving the A node while copying the pull-up calibration resistor 640 as it is. It is natural that the dummy calibration resistor 650 has the same characteristics as the pull-up calibration resistor 640 because it is possible to do so.

풀다운 캘리브래이션 저항부(660)는 종래와 마찬가지로 더미 캘리브래이션 저항부(650)와 동일한 저항값을 갖도록 캘리브래이션 된다. 즉, 풀업 캘리브래이션 저항부(640)의 저항값=더미 캘리브래이션 저항부(650)의 저항값=풀다운 캘리브래이션 저항부(660)의 저항값이 된다. 그리고 풀업 캘리브래이션 저항부(640)는 앞서 도 3에서 상세히 설명한 바와 같이 전원전압(VDD)이 증가할수록 더 큰 저항값을 갖도록 캘리브래이션 되므로, 나머지 더미 캘리브래이션 저항부(650)와 풀다운 캘리브래이션 저항부(660)도 전원전압(VDD)이 증가할수록 더 큰 저항값을 갖도록 캘리브래이션 된다.The pulldown calibration resistor unit 660 is calibrated to have the same resistance value as the dummy calibration resistor unit 650 as in the related art. That is, the resistance value of the pull-up calibration resistor 640 = the resistance value of the dummy calibration resistor 650 = the resistance of the pull-down calibration resistor 660. As the pull-up calibration resistor unit 640 is calibrated to have a larger resistance value as the power supply voltage VDD increases as described above in detail with reference to FIG. 3, the pull-up calibration resistor unit 650 and the remaining dummy calibration resistor unit 650 are pulled down. The calibration resistor unit 660 is also calibrated to have a larger resistance value as the power supply voltage VDD increases.

제1기준전압(VREF_ZQ)은 풀업 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>)를 생성하는데 사용되는 기준전압으로 도 3에서 사용되는 기준전압(VREF_ZQ)과 동일한 기준전압이다. 즉, 도 4에 도시된 것과 동일한 레벨을 가지며, 도 5와 같은 기준전압 발생기(610=도 5)를 통해서 생성된다.The first reference voltage VREF_ZQ is a reference voltage used to generate the pull-up calibration codes PCODE <0: N> and is the same reference voltage as the reference voltage VREF_ZQ used in FIG. 3. That is, they have the same level as shown in FIG. 4 and are generated through the reference voltage generator 610 = FIG. 5 as shown in FIG.

제2기준전압(VREF)은 종래와 마찬가지로 단순히 VDD*1/2의 레벨을 가지는 기준전압이다. 이미 풀업 캘리브래이션 저항부(640)를 전원전압(VDD)이 증가할수록 더 큰 저항값을 갖도록 캘리브래이션 해두었기 때문에, 나머지 더미 캘리브래이션 저항부(650)와 풀다운 캘리브래이션 저항부(660)의 캘리브래이션 방식은 종래와 동 일하게 하면 되기 때문이다.The second reference voltage VREF is simply a reference voltage having a level of VDD * 1/2 as in the related art. Since the pull-up calibration resistor 640 is already calibrated to have a larger resistance value as the power supply voltage VDD increases, the remaining dummy calibration resistor 650 and the pull-down calibration resistor ( This is because the calibration method of 660 may be the same as in the related art.

간단히 정리해 도 6의 실시예는 도 3의 실시예+종래부터 원래 있던 풀다운 캘리브래이션 코드를 생성하기 위한 구성이라고 할 수 있다. 그리고 이미 풀업 캘리브래이션 저항부(640)만 도 3에서 설명한대로 캘리브래이션되면, 나머지 캘리브래이션 저항부들(650, 660)도 동일하게 캘리브래이션 되므로 앞선 실시예에서 언급한 것과 동일한 목표를 달성할 수 있다.In summary, the embodiment of FIG. 6 may be regarded as a configuration for generating the original pull-down calibration code from the embodiment of FIG. 3. If only the pull-up calibration resistor 640 is already calibrated as described with reference to FIG. 3, the remaining calibration resistors 650 and 660 are also calibrated in the same manner. Can be achieved.

본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 알 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above-described preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will appreciate that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

도 1은 종래의 온 다이 터미네이션 장치에서 ZQ캘리브래이션 동작을 수행하는 부분(캘리브래이션 회로)에 대한 구성도.1 is a block diagram of a portion (calibration circuit) for performing a ZQ calibration operation in a conventional on-die termination device.

도 2는 도 1의 캘리브래이션 회로에서 생성한 캘리브래이션 코드(PCODE<0:N>, NCODE<0:N>)를 이용해 반도체 메모리장치의 출력드라이버(터미네이션 회로)의 터미네이션 저항값을 결정하는 것을 나타내는 도면.FIG. 2 determines a termination resistance value of an output driver (termination circuit) of a semiconductor memory device using calibration codes PCODE <0: N> and NCODE <0: N> generated by the calibration circuit of FIG. 1. Drawing to show.

도 3은 본 발명의 일실시예(하나의 캘리브래이션 코드만을 생성)에 따른 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로의 구성도.3 is a block diagram of a calibration circuit of an on die termination apparatus according to an embodiment of the present invention (generating only one calibration code).

도 4는 본 발명에서의 기준전압(VREF_ZQ)의 레벨을 도시한 도면.4 is a diagram showing the level of the reference voltage VREF_ZQ in the present invention.

도 5는 도 4와 같은 기준전압(VREF_ZQ)을 생성하는 기준전압 발생기(310)의 일실시예 도면.FIG. 5 is a diagram of one embodiment of a reference voltage generator 310 for generating a reference voltage VREF_ZQ as shown in FIG. 4.

도 6은 본 발명의 다른 실시예(두 가지의 캘리브래이션 코드 모두 생성)에 따른 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로의 구성도.6 is a block diagram of a calibration circuit of an on die termination device according to another embodiment of the present invention (both generation of calibration codes).

Claims (5)

기준전압과 외부저항이 연결된 캘리브래이션 노드의 전압에 응답하여 풀업 캘리브래이션 코드를 생성하는 코드생성부; 및A code generator configured to generate a pull-up calibration code in response to a voltage of a calibration node connected with a reference voltage and an external resistor; And 상기 풀업 캘리브래이션 코드에 응답하여 상기 캘리브래이션 노드를 풀업 구동하며, 전원전압이 증가할수록 더 큰 저항값을 갖도록 캘리브래이션되는 풀업 캘리브래이션 저항부를 포함하고,A pull-up calibration resistor configured to pull-up the calibration node in response to the pull-up calibration code, and calibrated to have a larger resistance value as the power supply voltage increases, 상기 기준전압은, 상기 전원전압*1/N(N은 1 이상의 자연수)의 값을 가지며, 상기 N의 값은 상기 전원전압이 높아질수록 커지는 것을 특징으로 하는 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로.And the reference voltage has a value of the power supply voltage * 1 / N (N is a natural number of 1 or more), and the value of N increases as the power supply voltage increases. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 풀업 캘리브래이션 저항부는,The pull-up calibration resistor unit, 상기 전원전압이 소정전압과 동일하면 상기 외부저항과 동일한 저항값을 갖도록 캘리브래이션되며,If the power supply voltage is the same as the predetermined voltage is calibrated to have the same resistance value as the external resistance, 상기 전원전압이 상기 소정전압보다 높으면 상기 외부저항보다 큰 저항값을 갖도록, 상기 전원전압이 상기 소정전압보다 낮으면 상기 외부저항보다 작은 저항값을 갖도록 캘리브래이션되는 것을 특징으로 하는 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로.An on-die termination device characterized in that the power supply voltage is higher than the predetermined voltage so as to have a resistance value greater than the external resistance; Calibration circuit. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기준전압은,The reference voltage is, 상기 전원전압이 소정전압과 동일하면 상기 전원전압*1/2의 값을 가지며,If the power supply voltage is equal to a predetermined voltage, the power supply voltage has a value of 1/2. 상기 전원전압이 상기 소정전압보다 높으면 상기 전원전압*1/2보다 작은 값을 가지며,When the power supply voltage is higher than the predetermined voltage, the power supply voltage has a value smaller than 1/2 of the power supply voltage. 상기 전원전압이 상기 소정전압보다 낮으면 상기 전원전압*1/2보다 큰 값을 가지는 것을 특징으로 하는 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로.And the power supply voltage has a value greater than the power supply voltage * 1/2 when the power supply voltage is lower than the predetermined voltage. 제 2항 또는 3항에 있어서,The method of claim 2 or 3, 상기 소정전압의 레벨은,The level of the predetermined voltage, 정상상태에서 상기 전원전압이 갖는 전압 레벨인 것을 특징으로 하는 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로.And a voltage level of said power supply voltage in a steady state. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기준전압은,The reference voltage is, 일정한 전압을 생성하기 위한 밴드갭 회로의 출력과 상기 전원전압을 전압분배해 출력하는 전압분배회로의 출력을 연결하여 생성되는 것을 특징으로 하는 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로.And an output of a bandgap circuit for generating a constant voltage and an output of a voltage distribution circuit for dividing and outputting the power supply voltage.
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