KR100919632B1 - Package Substrate and the Manufacturing Method Thereof - Google Patents

Package Substrate and the Manufacturing Method Thereof

Info

Publication number
KR100919632B1
KR100919632B1 KR1020070104224A KR20070104224A KR100919632B1 KR 100919632 B1 KR100919632 B1 KR 100919632B1 KR 1020070104224 A KR1020070104224 A KR 1020070104224A KR 20070104224 A KR20070104224 A KR 20070104224A KR 100919632 B1 KR100919632 B1 KR 100919632B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit pattern
package substrate
insulating material
substrate
bump
Prior art date
Application number
KR1020070104224A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090038758A (en
Inventor
이종진
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020070104224A priority Critical patent/KR100919632B1/en
Publication of KR20090038758A publication Critical patent/KR20090038758A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100919632B1 publication Critical patent/KR100919632B1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

패키지 기판 및 그 제조방법이 개시된다. 절연재, 절연재를 관통하는 도전성 범프, 도전성 범프에 함몰된 회로패턴을 포함하는 패키지 기판은 비아 피치, 회로패턴 피치, 와이어본딩 패드 피치를 줄임으로써 미세회로를 형성하여 회로패턴의 밀집도를 높이고 패키지 기판을 소형화할 수 있으며, 회로패턴이 범프에 함몰되어 형성됨으로써 솔더레지스트 표면의 평탄도를 개선시켜 다이 본딩 테이프와 기판간 밀착의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.A package substrate and a method of manufacturing the same are disclosed. A package substrate including an insulating material, a conductive bump penetrating through the insulating material, and a circuit pattern recessed in the conductive bump forms a fine circuit by reducing the via pitch, the circuit pattern pitch, and the wire bonding pad pitch, thereby increasing the density of the circuit pattern and the package substrate. It can be miniaturized, and the circuit pattern is formed by being recessed in the bumps, thereby improving the flatness of the surface of the solder resist, thereby improving the reliability of adhesion between the die bonding tape and the substrate.

Description

패키지 기판 및 그 제조방법{Package Substrate and the Manufacturing Method Thereof}Package Substrate and the Manufacturing Method Thereof}

본 발명은 패키지 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a package substrate and a method of manufacturing the same.

종래에는 반도체 패키지 기판(Package Substrate)의 금속층(Metal Layer)간 전기적 연결을 위해 드릴 비트(Drill Bit) 또는 레이저(Laser)를 사용하여 절연층(Insulating Layer)에 비아홀(Via Hole)을 가공한 후 비아홀을 동 도금함으로써 금속층간 도통하는 방식이 사용되었다. 이러한 층간 도통 방식을 이용하는 경우, 회로형성공정에서 회로패턴과 비아홀과의 신뢰성 있는 전기적 연결을 위하여 비아홀 랜드(Via Hole Land)의 형성이 필요하다. Conventionally, after forming a via hole in an insulating layer using a drill bit or a laser for electrical connection between metal layers of a semiconductor package substrate. The method of conducting metal layer conduction by copper plating via-holes was used. In the case of using the interlayer conduction method, a via hole land is required for reliable electrical connection between the circuit pattern and the via hole in the circuit forming process.

한편, 패키지 제품의 소형화를 위한 회로 밀집도 향상 방안으로 회로패턴의 폭과 비아홀 랜드의 크기를 감소시키기 위한 연구가 지속되고 있다. 이 비아홀 랜드의 크기는 비아홀의 크기 및 비아홀과 비아홀 랜드 사이의 회로노광 정합능력(Alignment)에 의해 결정된다. 따라서 대부분의 패기지 기판 업체들은 비아홀의 크기를 줄이고 비아홀과 비아홀 랜드간의 정합력을 높이기 위한 기술을 연구하고 있다. 비아홀 크기를 줄이고 정합력을 높이기 위해서는 높은 정밀도의 드릴 설비 및 노광기에 대한 투자가 이루어져야 한다. 그러나 이러한 고가의 생산 설비의 투자는 제조원가를 상승시키고 생산성을 떨어뜨리는 문제를 안고 있다. On the other hand, as a method for improving circuit density for miniaturization of packaged products, researches for reducing the width of the circuit pattern and the size of the via hole land have been continued. The size of the via hole land is determined by the size of the via hole and the circuit exposure matching capability between the via hole and the via hole land. Therefore, most waste substrate manufacturers are researching technologies for reducing the size of via holes and increasing the matching force between via holes and via hole lands. In order to reduce the size of the via holes and increase the matching force, investment in high precision drill facilities and exposure machines must be made. However, the investment of such expensive production equipment has the problem of raising the manufacturing cost and lowering the productivity.

또한 미세회로를 형성하기 위해 동박수지층 표면의 동 두께를 얇게 형성하는 추세이나 비아홀과 동박수지층 표면을 동시에 동도금을 하는 종래 기술로는 표면의 동 두께를 낮추는데 한계가 있다. In addition, there is a tendency to form a thin copper thickness of the surface of the copper foil resin layer in order to form a fine circuit, but there is a limit to lower the copper thickness of the surface in the prior art of copper plating the via hole and the copper foil resin layer at the same time.

또한 패키지 조립 시 다이(Die)의 적층(Stack)수가 증가함에 따라 다이 접착을 위해 기판의 솔더레지스트 위에 도포하는 접착재를 페이스트(Paste)에서 테이프(Tape) 타입으로 변경하는 추세이다. 그러나 기판의 솔더레지스트의 평탄도 문제로 기판과 테이프간 접착 신뢰성이 저하되는 문제가 발생한다.In addition, as the number of stacks of dies increases when assembling a package, an adhesive material applied on a solder resist of a substrate for die bonding is changing from a paste to a tape type. However, there is a problem that the adhesion reliability between the substrate and the tape is degraded due to the flatness of the solder resist of the substrate.

따라서 본 발명에서는 기존과 동일한 비아 크기에 동일한 회로노광 정합력으로 비아 피치(Pitch)를 최소화하고 세미 에디티브(Semi-Additive)공법으로 미세회로패턴을 형성하고 솔더레지스트의 평탄도를 개선하여 패키지 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술을 개발하였다.Therefore, the present invention minimizes via pitch with the same circuit exposure matching force to the same via size as before, forms a fine circuit pattern by a semi-additive method, and improves the flatness of solder resist, thereby improving package reliability. We have developed a technology to improve the

본 발명은 패키지 기판의 비아를 형성하는 방법에 있어서, 범프를 통한 층간 연결 구조를 이용하여 회로패턴만 있고 비아 랜드가 없는 연결 방식을 채택함으로써 비아 피치, 회로 피치, 와이어본딩 패드 피치를 줄여 미세한 회로패턴이 형성될 수 있는 패키지 기판 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.According to the present invention, in the method of forming a via of a package substrate, by using an interlayer connection structure through bumps, a circuit pattern and a via landless connection method are adopted to reduce via pitch, circuit pitch, and wire bonding pad pitch, thereby reducing fine circuits. The present invention provides a package substrate on which a pattern can be formed and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 측면에 따르면, 절연재, 절연재를 관통하는 도전성 범프, 도전성 범프에 함몰된 회로패턴을 포함하는 패키지 기판이 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a package substrate including an insulating material, a conductive bump penetrating the insulating material, and a circuit pattern recessed in the conductive bump.

또한, 니켈(Ni) 또는 금(Au) 도금을 통하여 형성되는 와이어본딩 패드, 솔더볼 패드는 외부 단자와 연결이 필요한 회로패턴 위에 형성되며, 도전성 범프 및 회로패턴을 수용하는 절연재의 일면 또는 양면에 솔더레지스트가 형성된다. In addition, the wire bonding pads and the solder ball pads formed by nickel (Ni) or gold (Au) plating are formed on a circuit pattern that needs to be connected to an external terminal, and solder is formed on one or both sides of an insulating material accommodating conductive bumps and circuit patterns. A resist is formed.

여기에서 절연재는 프레스 작업과정에서 도전성 범프에 의해 관통되는 코어층이며, 완성된 패키지 기판 상태에서 범프 사이 또는 회로패턴 사이의 의도하지 않은 단락을 방지할 수 있는 레진 계열 또는 에폭시 계열의 절연 물질에 의해 형성된다.Here, the insulating material is a core layer penetrated by the conductive bumps during the press operation process, and is made of a resin-based or epoxy-based insulating material that can prevent an unintended short circuit between bumps or circuit patterns in a completed package substrate state. Is formed.

도전성 범프는 기판의 상층과 하층에 형성된 회로패턴의 층간 도통 역할을 수행하는 통로로서, 은(Ag) 또는 동(Cu) 등과 같은 도전성 물질에 의해 형성될 수 있다. 범프는 절연재를 관통하여 상층과 하층의 회로패턴을 모두 접촉함으로써 상층과 하층의 회로를 전기적으로 연결할 수 있는 기둥모양의 형태를 가진다. The conductive bumps may be formed by a conductive material such as silver (Ag) or copper (Cu) as a passage that serves as an interlayer conduction of circuit patterns formed on upper and lower layers of the substrate. The bumps have a columnar shape through which the upper and lower circuit patterns are electrically connected to each other by contacting the upper and lower circuit patterns.

한편, 본 발명에서는 회로패턴이 도전성 범프의 상단, 하단 또는 상단과 하단 모두에 함몰된 형태로, 층간 도통 통로인 범프에 의해 기판 상층과 하층의 회로패턴간의 연결이 이루어지며, 범프에 함몰된 회로패턴의 폭은 범프의 직경보다 작은 특징이 있다. 따라서 종래 패키지 기판에서의 비아와 비아랜드의 형성에 소요되는 기판의 면적보다 작은 면적으로 층간 연결이 가능하다. Meanwhile, in the present invention, the circuit pattern is formed on the top, bottom, or both the top and the bottom of the conductive bump, and the connection between the circuit pattern of the upper and lower substrates is made by the bump, which is an interlayer conduction passage, and the circuit is recessed in the bump. The width of the pattern is characterized by being smaller than the diameter of the bumps. Therefore, the interlayer connection is possible with an area smaller than the area of the substrate required for forming the vias and via lands in the conventional package substrate.

한편, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 제1 캐리어를 제공하는 단계, 제1 캐리어의 일면에 제1 시드층을 형성하는 단계, 제1 시드층 위에 제1 회로패턴을 형성하는 단계, 제1 회로패턴 위에 도전성 범프를 인쇄하는 단계, 도전성 범프가 절연재를 관통하도록 절연재를 상기 단계를 통해 형성된 제1 기판에 적층하는 단계를 포함하는 패키지 기판 제조 방법이 개시된다. On the other hand, according to another aspect of the invention, providing a first carrier, forming a first seed layer on one surface of the first carrier, forming a first circuit pattern on the first seed layer, the first circuit A method of manufacturing a package substrate comprising printing a conductive bump over a pattern, and laminating an insulating material to a first substrate formed through the step so that the conductive bump penetrates the insulating material.

이 절연재를 제1 기판에 적층하는 단계는 범프가 절연재를 관통하도록 절연재를 프레스(Press)하는 단계로 수행될 수 있다.The stacking of the insulating material on the first substrate may be performed by pressing the insulating material so that the bump penetrates the insulating material.

여기에, 제2 캐리어 및 제2 시드층 위에 제2 회로패턴이 형성된 제2 기판을 제2 회로패턴이 도전성 범프와 대향하도록 절연재에 적층하는 단계가 더 수행되는 패키지 기판 제조 방법이 제공된다. Here, a method of manufacturing a package substrate is further provided, in which a step of stacking a second substrate having a second circuit pattern formed on a second carrier and a second seed layer on an insulating material so that the second circuit pattern faces the conductive bumps is provided.

또한, 적층 기판의 외곽에 형성되어 있는 제1, 제2 캐리어 및 제1, 제2 시드층을 제거하는 단계를 더 포함하는 패키지 기판 제조방법이 제공된다.In addition, there is provided a method of manufacturing a package substrate further comprising the step of removing the first and second carriers and the first and second seed layers formed on the outer side of the laminated substrate.

전술한 캐리어 및 시드층을 제거하는 단계 이후에, 니켈(Ni) 또는 금(Au) 도금을 통하여 회로패턴 위에 와이어본딩 패드 또는 솔더볼 패드를 형성하고, 도전성 범프 및 회로패턴을 수용하는 절연재의 일면 또는 양면에 솔더레지스트를 형성하는 단계를 더 포함하는 패키지 기판 제조방법이 개시된다.After removing the carrier and seed layer described above, a wire bonding pad or solder ball pad is formed on the circuit pattern through nickel (Ni) or gold (Au) plating, and one surface of the insulating material accommodating the conductive bumps and the circuit pattern or Disclosed is a method of manufacturing a package substrate further comprising forming solder resists on both surfaces.

위에서 서술한 제1 및 제2 기판의 캐리어에 형성되는 시드층은 니켈(Ni) 또는 크롬(Cr) 도금 과정을 통하여 형성될 수 있다.The seed layer formed on the carriers of the first and second substrates described above may be formed through a nickel (Ni) or chromium (Cr) plating process.

여기에서 회로패턴을 형성하는 단계는 에디티브 공법(Additive technique)으로 수행되는 것으로, 감광재를 니켈 도금층 위에 도포하는 단계, 회로패턴이 인쇄된 아트워크 필름을 감광재에 밀착시키는 단계, 아트워크 필름을 자외선에 노출시킴으로써 회로패턴의 형상을 감광재에 전사시키는 단계, 현상액을 통해 자외선에 의해 경화되지 않은 감광재를 제거함으로써 도금 레지스트를 현상하는 단계, 전해 동 도금을 통해 회로패턴을 형성하는 단계, 도금 레지스트를 제거하는 단계로 수행된다.Here, the step of forming the circuit pattern is performed by the additive technique, the step of applying a photosensitive material on the nickel plating layer, the step of adhering the artwork film printed circuit pattern on the photosensitive material, the artwork film Transferring the shape of the circuit pattern to the photosensitive material by exposing to ultraviolet light, developing the plating resist by removing the photosensitive material which is not cured by ultraviolet light through a developing solution, forming a circuit pattern through electrolytic copper plating, Removing the plating resist.

전술한 바와 같이 범프는 은(Ag) 또는 동(Cu) 등의 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 그리고 도금층 위에 도전성 범프를 인쇄하는 단계는 메탈마스크를 이용하여 층간 도통이 필요한 회로패턴의 위치에 도전성 페이스트를 공급하는 스크린 인쇄법을 통하여 수행될 수 있다. As described above, the bump may be made of a conductive material such as silver (Ag) or copper (Cu). The printing of the conductive bumps on the plating layer may be performed through a screen printing method of supplying a conductive paste to a location of a circuit pattern requiring interlayer conduction using a metal mask.

한편, 적층기판의 외곽에 형성되어 있는 캐리어 및 시드층을 제거하는 단계는 에칭액을 이용하여 적층 기판의 외각에 형성되어 있는 캐리어를 식각한 후, 캐리어가 제거된 적층기판의 외곽에 형성되어 있는 시드층을 식각하는 방식으로 수행될 수 있다.On the other hand, the step of removing the carrier and seed layer formed on the outer side of the laminated substrate by etching the carrier formed on the outer surface of the laminated substrate using the etching solution, the seed formed on the outer side of the laminated substrate from which the carrier is removed This may be done by etching the layer.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features, and advantages other than those described above will become apparent from the following drawings, claims, and detailed description of the invention.

상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따르면 비아 피치, 회로 피치, 와이어본딩 패드 피치를 줄임으로써 미세회로를 형성하여 회로패턴의 밀집도를 높이고 패키지 기판을 소형화할 수 있으며, 회로패턴이 범프 및 절연재에 함몰되어 형성됨으로써 솔더레지스트 표면의 평탄도를 개선시켜 다이 본딩 테이프와 기판간 밀착의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the exemplary embodiment of the present invention, by reducing the via pitch, the circuit pitch, and the wire bonding pad pitch, a microcircuit may be formed to increase the compactness of the circuit pattern and miniaturize the package substrate. By being recessed, the flatness of the surface of the solder resist can be improved, thereby improving the reliability of adhesion between the die bonding tape and the substrate.

도 1은 종래 기술에 따른 패키지 기판을 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing a package substrate according to the prior art.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 기판의 제조방법을 나타낸 순서도.2 is a flow chart showing a method for manufacturing a package substrate according to an embodiment of the present invention.

도 3 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 기판의 제조 공정을 나타낸 흐름도.3 to 12 are flowcharts illustrating a manufacturing process of a package substrate according to an embodiment of the present invention.

도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 기판을 나타낸 단면도.13 is a sectional view showing a package substrate according to an embodiment of the present invention.

도 14는 종래 기술과 본 발명의 일 실시예에 따른 비아 및 회로패턴을 비교한 입체도.14 is a three-dimensional view comparing the via and the circuit pattern according to an embodiment of the present invention and the prior art.

도 15는 종래 기술과 본 발명의 일 실시예에 따른 비아 및 회로패턴을 비교한 평면도.15 is a plan view comparing a via and a circuit pattern according to an embodiment of the present invention with the prior art.

도 16은 도 15의 A-A'선 및 B-B'선에 따른 단면도.FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line AA ′ and line B-B ′ of FIG. 15.

도 17은 종래 기술과 본 발명의 일 실시예에 따른 비아 피치를 비교한 평면도.17 is a plan view comparing the via pitch according to the prior art and the embodiment of the present invention.

도 18은 종래 기술과 본 발명의 일 실시예에 따른 회로 피치를 비교한 단면도.18 is a cross-sectional view comparing a circuit pitch according to an embodiment of the present invention with the prior art.

도 19는 종래 기술과 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어본딩 패드 피치를 비교한 단면도.19 is a cross-sectional view comparing the wire bonding pad pitch according to an embodiment of the present invention with the prior art.

도 20 및 도 21은 종래 기술과 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 위의 솔더페이스트의 표면 평탄도를 비교한 단면도.20 and 21 are cross-sectional views comparing the surface flatness of the solder paste on the pattern according to the prior art and the embodiment of the present invention.

도 22 및 도 23은 종래 기술과 본 발명의 일 실시예에 따른 비아 위의 솔더페이스트의 표면 평탄도를 비교한 단면도.22 and 23 are cross-sectional views comparing surface flatness of solder paste on vias in accordance with one embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

2: 비아홀 4: 비아랜드2: via hole 4: via land

5: 동박 6: 회로패턴5: copper foil 6: circuit pattern

8: 절연재 10: 제1 캐리어8: insulation material 10: first carrier

12: 제1 시드층 14: 제1 회로패턴12: first seed layer 14: first circuit pattern

16: 도전성 범프 18: 절연재16: conductive bump 18: insulating material

19: 제1 기판 20: 제2 기판19: first substrate 20: second substrate

21: 제2 캐리어 22: 제2 시드층21: second carrier 22: second seed layer

24: 제 2 회로패턴 30: 적층 기판24: second circuit pattern 30: laminated substrate

40: 패키지 기판 42: 솔더레지스트40: package substrate 42: solder resist

44: 와이어본딩 패드 46: 회로패턴44: wire bonding pad 46: circuit pattern

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.As the invention allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the written description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all transformations, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In the following description of the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are only used to distinguish one component from another.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.

이하, 본 발명에 따른 패키지 기판 및 그 제조방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of a package substrate and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in the following description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals and Duplicate explanations will be omitted.

도 1은 종래 기술에 따른 패키지 기판을 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 비아홀(2), 비아랜드(4), 회로패턴(6), 절연재(8), 솔더레지스트(42), 와이어본딩 패드(44)가 도시되어 있다. 종래에는 동박적층판을(Copper Clad Laminate)을 투입하고 이에 드릴비트 또는 레이저를 사용하여 쓰루홀을 형성한 후, 상하 금속층 사이의 전기적 연결을 위해 무전해 동도금과 전해 동도금을 차례로 수행한다. 여기에 회로패턴(6) 및 비아랜드(4)를 형성하고 외부 단자와의 연결 부위를 제외한 부분에 솔더레지스트(42)를 도포함으로써 도 1에 도시된 패키지 기판의 제조가 완성된다. 즉 도 1 에서 도시된 바와 같이, 종래 패키지 기판에는 회로패턴(6)과 층간 연결 통로인 비아홀(2)과의 전기적 연결을 위해 비아랜드(4)가 필요하다.1 is a cross-sectional view showing a package substrate according to the prior art. Referring to FIG. 1, a via hole 2, a via land 4, a circuit pattern 6, an insulating material 8, a solder resist 42, and a wire bonding pad 44 are illustrated. Conventionally, a copper clad laminate is put in and a through hole is formed using a drill bit or a laser, and then electroless copper plating and electrolytic copper plating are sequentially performed for electrical connection between the upper and lower metal layers. The manufacturing of the package substrate shown in FIG. 1 is completed by forming the circuit pattern 6 and the via land 4 thereon and applying the solder resist 42 to the portion except the connection portion with the external terminal. That is, as shown in FIG. 1, the via package 4 is required for the electrical connection between the circuit pattern 6 and the via hole 2, which is an interlayer connecting passage.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 기판의 제조방법을 나타낸 순서도이고, 도 3 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 기판의 제조 공정을 나타낸 흐름도이다. 도 3 내지 도 12를 참조하면, 제1 캐리어(10), 제1 시드층(12), 제1 회로패턴(14), 도전성 범프(16), 절연재(18), 제1 기판(19), 제2 기판(20), 제2 캐리어(21), 제2 시드층(22), 제2 회로패턴(24), 적층 기판(30), 패키지 기판(40), 솔더레지스트(42)가 도시되어 있다. 이하 도 3 내지 도 12에 도시된 제조공정의 흐름에 따라 설명한다.2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a package substrate according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3 to 12 are flowcharts illustrating a manufacturing process of a package substrate according to an embodiment of the present invention. 3 to 12, the first carrier 10, the first seed layer 12, the first circuit pattern 14, the conductive bumps 16, the insulating material 18, the first substrate 19, The second substrate 20, the second carrier 21, the second seed layer 22, the second circuit pattern 24, the laminated substrate 30, the package substrate 40, and the solder resist 42 are shown. have. Hereinafter, a description will be given according to the flow of the manufacturing process illustrated in FIGS. 3 to 12.

제1 캐리어(10)를 투입하고 제1 캐리어(10)의 표면에 제1 시드층(12)을 형성한다. 이 제1 시드층(12)은 니켈(Ni) 또는 크롬(Cr) 도금에 의해 제1 캐리어(10)의 표면에 형성되는 도금층이다. 다음 공정으로 도 5에 도시된 바와 같이 전술한 제1 시드층(12) 위에 제1 회로패턴(14)을 형성한다. The first carrier 10 is introduced and the first seed layer 12 is formed on the surface of the first carrier 10. The first seed layer 12 is a plating layer formed on the surface of the first carrier 10 by nickel (Ni) or chromium (Cr) plating. Next, as shown in FIG. 5, the first circuit pattern 14 is formed on the first seed layer 12 described above.

이 제1 회로패턴(14) 형성 공정은 에디티브 공법(Additive Technology)으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 감광재를 제1 시드층(12) 위에 도포하고, 회로패턴이 인쇄된 아트워크 필름을 감광재에 밀착시킨 후 아트워크 필름을 자외선에 노출시킨다. 이 후 현상액을 통해 도금 레지스트를 현상한다. 아트워크 필름에 의해 선택적으로 자외선에 노출된 감광재는 일부는 도금 레지스트를 형성하고 일부는 현상액에 의해 제거된다. 다음으로 전해 도금을 통해 회로패턴을 형성하고, 도금과정 후에 도금 레지스트를 제거과정(360)을 통하여 도 5에 도시된 바와 같이 제1 캐리어 (10)에 형성된 제1 시드층(12) 위에 제1 회로패턴(14)이 인쇄된다. The process of forming the first circuit pattern 14 may be formed by an additive technology. For example, a photosensitive material is applied onto the first seed layer 12, and the artwork film on which the circuit pattern is printed is brought into close contact with the photosensitive material, and then the artwork film is exposed to ultraviolet rays. Thereafter, the plating resist is developed through a developer. The photosensitive material selectively exposed to ultraviolet rays by the artwork film partially forms a plating resist and part is removed by a developer. Next, a circuit pattern is formed through electroplating, and after the plating process, the plating resist is removed on the first seed layer 12 formed on the first carrier 10 as shown in FIG. The circuit pattern 14 is printed.

이와 같이 제1 캐리어(10) 및 제1 시드층(12) 위에 제1 회로패턴(14)이 인쇄된 제1 기판(19)을 제공한 후에(S100), 도 6에 도시된 층간 도통 역할을 수행하는 도전성 범프(16)를 형성(S200)한다. 범프(16)는 은(Ag) 또는 동(Cu) 등의 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 범프(16)는 상층과 하층의 회로패턴을 연결하는 역할을 하는 것으로서, 상층과 하층의 회로패턴에 모두 접촉 가능한 기둥형상을 지닌다. 그리고 범프(16)를 인쇄하는 공정은 메탈마스크를 이용하여 도전성 페이스트를 회로패턴(14) 위에 공급하는 스크린 인쇄 과정으로 수행될 수 있다.As such, after providing the first substrate 19 on which the first circuit pattern 14 is printed on the first carrier 10 and the first seed layer 12 (S100), the interlayer conduction role illustrated in FIG. 6 is provided. A conductive bump 16 is formed (S200). The bump 16 may be made of a conductive material such as silver (Ag) or copper (Cu). The bump 16 serves to connect the upper and lower circuit patterns, and has a columnar shape in contact with both the upper and lower circuit patterns. In addition, the process of printing the bumps 16 may be performed by a screen printing process of supplying a conductive paste on the circuit pattern 14 using a metal mask.

전술한 바와 같이 제1 회로패턴(14) 위에 범프(16)가 형성된 후(S200), 범프(16) 위에 절연재를 올려놓고 이를 압착하여 도 7에 도시된 바와 같이 범프(16)가 절연재(18)를 관통하도록 한다(S300). 이는 절연재(18)를 관통하는 범프(16)를 통해 절연재(18)의 양면에 형성되는 회로패턴을 층간 도통시키기 위함이다. 이 프레스 공정을 통해 도 7에 도시된 바와 같이 범프(16)는 절연재(18)의 상부로 노출된다.As described above, after the bumps 16 are formed on the first circuit pattern 14 (S200), an insulating material is placed on the bumps 16 and compressed, so that the bumps 16 are insulated from the insulating material 18 as shown in FIG. 7. ) To pass through (S300). This is for interlayer conduction of circuit patterns formed on both surfaces of the insulating material 18 through the bumps 16 penetrating the insulating material 18. Through this press process, the bump 16 is exposed to the top of the insulating material 18 as shown in FIG.

다음으로 도 8을 참조하면, 제2 캐리어(21) 및 제2 시드층(22) 위에 제2 회로패턴(24)이 형성된 제2 기판(20)을 도 7의 절연재를 관통하는 범프(16) 위에 제2 회로패턴(24)이 도전성 범프(16)와 대향하도록 올려 놓는다. 이 때, 제2 기판(20)에 형성된 제2 회로패턴(24)은 전기적 연결이 필요한 부위에서 범프(16)와 연결되도록 형성되어 후술할 프레스 공정을 통해 하층의 제1 회로패턴(14)과 도통된다. Next, referring to FIG. 8, the bump 16 penetrating the insulating material of FIG. 7 through the second substrate 20 having the second circuit pattern 24 formed on the second carrier 21 and the second seed layer 22. The second circuit pattern 24 is placed so as to face the conductive bumps 16. In this case, the second circuit pattern 24 formed on the second substrate 20 is formed to be connected to the bump 16 at a portion requiring electrical connection, and the first circuit pattern 14 of the lower layer is formed through a pressing process to be described later. It is conducting.

다음으로 위에서 적층된 제2 기판(20)을 프레스 함으로써, 도 9에 도시된 적층 기판(30)을 형성할 수 있다(S400). 이 압착공정은 적어도 200℃ 이상의 온도와 30㎏f/㎠ 이상의 압력에서 원활히 수행될 수 있다. 이로써 범프(16)에 의해 상층과 하층에 형성된 회로패턴(14,24)이 전기적으로 연결된다.Next, the laminated substrate 30 illustrated in FIG. 9 may be formed by pressing the second substrate 20 stacked above (S400). This pressing process can be carried out smoothly at a temperature of at least 200 ℃ and a pressure of 30kgf / ㎠ or more. As a result, the circuit patterns 14 and 24 formed on the upper and lower layers are electrically connected by the bumps 16.

다음으로 적층 기판(30)의 최외곽에 형성되어 있는 제1 캐리어(10) 및 제2 캐리어(21)를 제거한다. 외곽의 제1 캐리어(10) 및 제2 캐리어(21)이 제거된 적층 기판(30)의 단면이 도 10에 도시되어 있다. 또한 제1 캐리어(10) 및 제2 캐리어(21)가 제거된 적층 기판(30)의 외곽에 형성되어 있는 제1 시드층(12) 및 제 2 시드층(22)을 제거함으로써 도 11에 도시된 기판을 형성할 수 있다. 이 캐리어 및 시드층을 제거하는 단계(S500)는 습식 에칭방법을 통하여 수행될 수 있다. 도 11을 참조하면, 회로패턴(14,24)은 범프(16)에 함몰되어 있고 상층과 하층의 회로패턴(14,24)은 도전성 범프(16)에 의해 연결되어 있다. 그리고 범프(16)에 함몰된 회로패턴(14,24)의 폭은 범프(16)의 직경보다 작은 것을 특징으로 하고 있다. 이에 따라 종래 패키지 기판에서 비아홀과 회로패턴의 연결을 위해 비아를 둘러쌓고 있는 비아랜드의 형성이 필요 없게 된다. 그만큼 종래기술에 비해 회로패턴(14,24)과 비아홀의 연결을 위해 필요한 기판상의 면적이 줄어들게 된다. Next, the first carrier 10 and the second carrier 21 formed on the outermost side of the laminated substrate 30 are removed. A cross section of the laminated substrate 30 from which the outer first carrier 10 and second carrier 21 are removed is shown in FIG. 10. 11, the first seed layer 12 and the second seed layer 22 formed on the outer side of the laminated substrate 30 from which the first carrier 10 and the second carrier 21 are removed are removed. The formed substrate can be formed. Removing the carrier and seed layer (S500) may be performed through a wet etching method. Referring to FIG. 11, the circuit patterns 14 and 24 are recessed in the bumps 16, and the upper and lower circuit patterns 14 and 24 are connected by the conductive bumps 16. The width of the circuit patterns 14 and 24 recessed in the bump 16 is smaller than the diameter of the bump 16. Accordingly, it is not necessary to form a via land surrounding the via for connecting the via hole and the circuit pattern in the conventional package substrate. The area on the substrate required for connecting the circuit patterns 14 and 24 and the via holes is reduced as compared with the prior art.

한편, 도 11에 도시된 기판은 도전성 범프(16)와 회로패턴(14,24)이 모두 외부에 노출되어 있는 상태이다. 향후 반도체 칩 또는 부품을 실장할 때, 도선의 브릿지(Bridge)에 의한 회로의 오류를 막기 위해 니켈(Ni) 또는 금(Au) 도금 과정을 통하여 회로패턴(14,24) 위에 와이어 본딩 패드 또는 솔더볼 패드를 형성하고 외부 단자와의 연결이 필요하지 않은 회로패턴(14,24)을 솔더레지스트(42)로 도포(S600)할 수 있다. 도 12를 참조하면, 도 11의 기판에 솔더레지스트(42)를 도포한 패키지 기판(40)의 단면이 도시되어 있다.Meanwhile, in the substrate shown in FIG. 11, both the conductive bumps 16 and the circuit patterns 14 and 24 are exposed to the outside. When mounting a semiconductor chip or component in the future, a wire bonding pad or solder ball on the circuit patterns 14 and 24 through a nickel (Au) or gold (Au) plating process in order to prevent a circuit error by a bridge of the conductor. The circuit patterns 14 and 24, which form pads and do not need to be connected to external terminals, may be coated with the solder resist 42 (S600). Referring to FIG. 12, there is shown a cross section of a package substrate 40 coated with a solder resist 42 on the substrate of FIG. 11.

도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 기판을 나타낸 단면도이다. 도 13을 참조하면, 회로패턴(46), 범프(16), 절연재(18), 솔더레지스트(42), 와이어본딩 패드(44)가 도시되어 있다. 외부 단자와의 연결을 위한 부분의 회로패턴(46)에 와이어본딩 패드(44) 또는 솔더볼 패드가 형성되어 있으며 나머지 회로패턴(46)에는 솔더레지스트(42)가 도포되어 있다. 회로패턴(46)은 종래 패키지 기판의 회로패턴과는 달리 절연재, 범프(16) 또는 절연재와 범프(16) 모두에 함몰될 수 있다. 회로패턴(46)이 범프(16)에 직접적으로 함몰되어 전기적으로 연결됨으로써 종래기술에서 전기적 연결을 확실히 하기 위해 형성되었던 비아랜드가 필요없게 된다. 즉, 본 발명의 실시예에 따라 회로패턴(46) 및 범프(16)를 형성함으로써 비아랜드를 통하지 않고 범프(16)와 회로패턴(46)을 직접적으로 연결하는 패키지 기판(40)을 제조할 수 있다. 따라서, 비아의 주변을 둘러싸며 회로패턴 도중에 형성되는 비아랜드의 기판상의 소요면적 없이 범프(16)의 소요면적만으로 층간 도통이 가능하다.13 is a cross-sectional view showing a package substrate according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 13, a circuit pattern 46, a bump 16, an insulating material 18, a solder resist 42, and a wire bonding pad 44 are illustrated. The wire bonding pad 44 or the solder ball pad is formed in the circuit pattern 46 of the portion for connection with the external terminal, and the solder resist 42 is coated on the remaining circuit pattern 46. The circuit pattern 46 may be recessed in the insulating material, the bump 16 or both the insulating material and the bump 16, unlike the circuit pattern of the conventional package substrate. Since the circuit pattern 46 is directly recessed and electrically connected to the bumps 16, the via land, which has been formed to ensure electrical connection in the prior art, is not necessary. That is, by forming the circuit pattern 46 and the bump 16 in accordance with an embodiment of the present invention to manufacture a package substrate 40 for directly connecting the bump 16 and the circuit pattern 46 through the via land. Can be. Therefore, interlayer conduction is possible only by the required area of the bump 16 without the required area on the substrate of the via land formed around the via and formed during the circuit pattern.

도 14는 종래 기술과 본 발명의 일 실시예에 따른 비아 및 회로패턴을 비교한 입체도이다. 도 14를 참조하면 비아홀(2), 비아랜드(4), 회로패턴(6,46), 범프(16), 와이어본딩 패드(44)가 도시되어 있다. 종래 기술에 따른 층간 도통 방식에서는 비아홀(2) 및 비아홀을 둘러싸고 있는 비아랜드(4)가 필요하다. 따라서 비아홀(2)과 회로패턴(6)간의 연결을 위해서 비아홀의 면적보다 넓은 비아랜드(4)의 면적이 기판상에 확보되어야 한다. 반면에 본 발명의 일 실시예에 따른 층간 도통 방식에서는 회로패턴(46)이 범프(16)에 함몰되어 직접 연결됨으로써 비아랜드(4)가 필요없게 된다. 따라서 기판 위에서 범프(16)의 면적만으로 회로패턴(46)과 범프(16)를 전기적으로 연결할 수 있다. 도 14를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 범프(16)의 직경 C 와 종래 기술에 따른 비아랜드의 직경 C'가 도시되어 있다. 층간 도통을 위해 동일한 크기의 비아 및 회로패턴을 사용할 때, 범프(16)의 직경 C 는 비아랜드(4)의 직경 C'보다 작은 것을 알 수 있다. 이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 층간 도통 방식을 통해 비아 피치, 회로 피치, 와이어본딩 패드 피치가 종래 기술에 비해 감소한 패키지 기판을 제조할 수 있다. 그러므로 동일한 면적의 기판상에 보다 미세한 회로패턴의 형성이 가능하다.14 is a three-dimensional view comparing the via and the circuit pattern according to the prior art and the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 14, via holes 2, via lands 4, circuit patterns 6 and 46, bumps 16, and wire bonding pads 44 are illustrated. In the interlayer conduction method according to the prior art, a via hole 2 and a via land 4 surrounding the via hole are required. Therefore, in order to connect the via hole 2 and the circuit pattern 6, the area of the via land 4 larger than the area of the via hole must be secured on the substrate. On the other hand, in the interlayer conduction method according to an exemplary embodiment of the present invention, the circuit pattern 46 is recessed and directly connected to the bump 16, thereby eliminating the need for the via land 4. Therefore, the circuit pattern 46 and the bump 16 may be electrically connected to each other only by the area of the bump 16 on the substrate. Referring to FIG. 14, a diameter C of a bump 16 according to an embodiment of the present invention and a diameter C ′ of a via land according to the prior art are shown. When using the same sized via and circuit pattern for interlayer conduction, it can be seen that the diameter C of the bump 16 is smaller than the diameter C 'of the via land 4. Through the interlayer conduction method according to an embodiment of the present invention, a via substrate, a circuit pitch, and a wire bonding pad pitch may be reduced compared to the prior art. Therefore, it is possible to form a finer circuit pattern on the substrate of the same area.

도 15는 종래 기술과 본 발명의 일 실시예에 따른 비아 및 회로패턴을 비교한 평면도이고, 도 16은 도 15의 A-A'선 및 B-B'선에 따른 단면도이다. 도 15를 참조하면 비아홀(2), 비아랜드(4), 회로패턴(46), 범프(16), 와이어본딩 패드(44), 범프의 직경 D, 비아랜드의 직경 D'가 도시되어 있다. 또한 도 16을 참조하면, 범프(16)의 직경 E, 비아랜드(4)의 직경 E'가 도시되어 있다. 층간 도통을 위해 동일한 크기의 비아 및 회로패턴을 사용할 때, 범프(16)의 직경 D 및 E는 각각 비아랜드(4)의 직경 D' 및 E'보다 작은 것을 알 수 있다.15 is a plan view comparing a via and a circuit pattern according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line A-A 'and line B-B' of FIG. 15. Referring to FIG. 15, the via hole 2, the via land 4, the circuit pattern 46, the bump 16, the wire bonding pad 44, the diameter D of the bumps, and the diameter D ′ of the via lands are illustrated. Referring also to FIG. 16, the diameter E of the bump 16 and the diameter E 'of the via land 4 are shown. When using the same sized vias and circuit patterns for interlayer conduction, it can be seen that the diameters D and E of the bumps 16 are smaller than the diameters D 'and E' of the via lands 4, respectively.

도 17은 종래 기술과 본 발명의 일 실시예에 따른 비아 피치를 비교한 평면도이다. 도 17을 참조하면, 비아홀(2), 비아랜드(4), 회로패턴(46), 범프(16), 비아 피치 F 및 F'가 도시되어 있다. 층간 도통을 위해 동일한 크기의 비아 및 회로패턴을 사용할 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 비아 피치 F는 종래 기술에 따른 비아 피치 F'보다 작은 것을 알 수 있다. 즉 종래 기술에서 비아랜드(4)는 회로노광시 정합도를 고려하여 편측으로 50㎛ 내지 100㎛ 이상 확대하여 형성하였으나, 본 발명의 일 실시예에 따르면 비아랜드의 필요없이 비아 피치를 종래 기술보다 크게 감소시킬 수 있다.17 is a plan view comparing the via pitch according to the prior art and the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 17, via holes 2, via lands 4, circuit patterns 46, bumps 16, via pitches F and F ′ are shown. When using the same sized vias and circuit patterns for interlayer conduction, it can be seen that via pitch F according to one embodiment of the present invention is smaller than via pitch F 'according to the prior art. That is, in the prior art, the via land 4 is formed by expanding 50 μm to 100 μm or more on one side in consideration of the degree of matching during the exposure of the circuit. Can be greatly reduced.

도 18은 종래 기술과 본 발명의 일 실시예에 따른 회로 피치를 비교한 단면도이다. 도 18을 참조하면, 동박(10), 회로패턴(46), 절연재(18), 회로피치 G 및 G'가 도시되어 있다. 동일한 크기의 회로패턴을 형성할 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 회로 피치 G는 종래 기술의 G'보다 작은 것을 알 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 표면에 얇은 무전해 동 도금을 하고 그 위에 회로패턴을 도금한 후 무전해 동 도금층을 에칭함으로써 절연재에 회로가 함몰된 형식으로 회로패턴(48)을 형성한다. 따라서 동박 위에 동도금을 함으로써 회로패턴을 형성하는 종래 기술보다 약 20㎛ 이상 회로 피치를 작게 구현할 수 있다.18 is a cross-sectional view comparing a circuit pitch according to an embodiment of the present invention with the prior art. Referring to FIG. 18, a copper foil 10, a circuit pattern 46, an insulating material 18, and circuit pitches G and G ′ are shown. When forming the circuit pattern of the same size, it can be seen that the circuit pitch G according to an embodiment of the present invention is smaller than the G 'of the prior art. One embodiment of the present invention forms a circuit pattern 48 in a form in which a circuit is embedded in an insulating material by applying a thin electroless copper plating on a surface, plating a circuit pattern thereon, and etching the electroless copper plating layer. Therefore, by copper plating on the copper foil, a circuit pitch of about 20 μm or more can be made smaller than in the conventional art of forming a circuit pattern.

도 19는 종래 기술과 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어본딩 패드 피치를 비교한 단면도이다. 도 19를 참조하면, 도 18의 회로패턴(46) 위에 니켈 또는 금 도금을 통해 형성되는 와이어본딩 패드(44)와 와이어본딩 패드 피치 H 및 H'가 도시되어 있다. 동일한 크기의 회로패턴을 형성할 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어본딩 패드 피치 H는 종래 기술의 H'보다 작은 것을 알 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 회로패턴(46)이 절연재(18)에 묻혀 있고 그 위에 패드를 도금을 통하여 형성하므로 종래 기술 보다 약 30㎛ 이상 와이어본딩 패드 피치를 작게 구현할 수 있다.19 is a cross-sectional view comparing the wire bonding pad pitch according to an embodiment of the present invention with the prior art. Referring to FIG. 19, the wire bonding pads 44 and the wire bonding pad pitches H and H ′ are formed on the circuit pattern 46 of FIG. 18 by nickel or gold plating. When forming the circuit pattern of the same size, it can be seen that the wire bonding pad pitch H according to an embodiment of the present invention is smaller than the prior art H '. In an embodiment of the present invention, since the circuit pattern 46 is buried in the insulating material 18 and the pad is formed on the insulating material 18, the wire bonding pad pitch may be smaller than about 30 μm than in the related art.

도 20 및 도 21은 종래 기술과 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 위의 솔더페이스트의 표면 평탄도를 비교한 단면도이고, 도 22 및 도 23은 종래 기술과 본 발명의 일 실시예에 따른 비아 위의 솔더페이스트의 표면 평탄도를 비교한 단면도이다. 도 20내지 도 23을 참조하면, 솔더페이스트(42), 절연재(8,18), 회로패턴(46), 비아홀, 범프(16), 비아랜드(4)가 도시되어 있다. 도 20 및 도 22에 도시된 바와 같이, 종래 기술의 회로 패턴 및 비아 형성 방식에 따르면 솔더페이스트(42) 표면은 회로패턴(6) 위에서 최대 10㎛, 비아 위에서 최대 15㎛의 단차가 발생한다. 이러한 종래 기술은 패키지 어셈블리 과정에서 다이(Die) 접착용 테이프를 기판에 접착할 때, 솔더레지스트(42) 높이 단차로 인해 테이프와 솔더레지스트(42) 사이에 공기가(Air)가 트랩(Trap)되어 패키지의 신뢰성이 저하된다. 반면에 도 21 및 도 23에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면 회로패턴(46)은 절연재(18)에 함몰되어 있고 비아는 도전성 페이스트로 충진되어 절연재(18)를 관통하고 있으므로, 솔더페이스트(42) 도포 후 높이 단차가 거의 없어 패키지의 신뢰성이 종래 기술에 비해 향상된다.20 and 21 are cross-sectional views comparing surface flatness of a solder paste on a pattern according to the prior art and the embodiment of the present invention, and FIGS. 22 and 23 are vias according to the prior art and the embodiment of the present invention. This is a cross-sectional view comparing the surface flatness of the solder paste. 20 to 23, the solder paste 42, the insulating materials 8 and 18, the circuit patterns 46, the via holes, the bumps 16, and the via lands 4 are illustrated. As shown in FIG. 20 and FIG. 22, according to the circuit pattern and the via formation method of the prior art, the surface of the solder paste 42 has a step of up to 10 μm on the circuit pattern 6 and up to 15 μm on the via. This prior art has a trap between the tape and the solder resist 42 due to the height difference of the solder resist 42 when the die bonding tape is adhered to the substrate during the package assembly process. This reduces the reliability of the package. On the other hand, as shown in Figure 21 and 23, according to an embodiment of the present invention, since the circuit pattern 46 is recessed in the insulating material 18 and the via is filled with a conductive paste penetrates the insulating material 18 Since there is little height step after application of the solder paste 42, the reliability of the package is improved as compared with the prior art.

요컨대, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 도 3 내지 도 12에 도시된 제조 공정의 흐름에 따라 비아랜드(4)의 형성이 필요없는 패키지 기판(40)이 제조될 수 있다. 또한 본 발명에 일 실시예에 따라 도 13에 도시된 패키지 기판(40)이 제공된다. 한편 도 14 내지 도 23에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예는 종래 기술에 비해 비아 피치, 회로 피치, 와이어본딩 패드(44) 피치를 감소시키고 솔더페이스트(42)의 표면의 평탄도를 향상시킬 수 있다. 즉 본 발명의 일 실시예는 전술한 효과 등에 의해 회로패턴(46)의 밀집도를 향상시켜 패키지 기판(40)을 소형화 시킬 수 있으며 다이(Die) 본딩 테이프와 패키지 기판(40) 사이 밀착의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In other words, according to one embodiment of the present invention, the package substrate 40 without the formation of the via land 4 may be manufactured according to the flow of the manufacturing process illustrated in FIGS. 3 to 12. Also provided is a package substrate 40 shown in FIG. 13 in accordance with one embodiment of the present invention. Meanwhile, as shown in FIGS. 14 to 23, an embodiment of the present invention reduces via pitch, circuit pitch, wire bonding pad 44 pitch, and improves the flatness of the surface of the solder paste 42 as compared with the related art. Can be improved. That is, according to an embodiment of the present invention, the compactness of the circuit pattern 46 may be improved by miniaturizing the package substrate 40 by the above-described effects, and the reliability of close contact between the die bonding tape and the package substrate 40 may be improved. Can be improved.

전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재하며, 본 발명의 일 실시예에 따른 범프의 형상은 원기둥뿐 만 아니라 상층과 하층의 회로패턴을 연결할 수 있는 다양한 형상이 될 수 있다. 즉, 본 발명은 본 발명의 일 실시예에 나타난 원형 비아에만 본 발명의 사상 및 영역이 한정되지 않는다.Many embodiments other than the above-described embodiment exist within the claims of the present invention, the shape of the bump according to an embodiment of the present invention may be a variety of shapes that can connect the upper and lower circuit patterns as well as the cylinder. have. That is, the spirit and scope of the present invention are not limited to the circular vias shown in the embodiment of the present invention.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below It will be appreciated that modifications and variations can be made.

Claims (14)

절연재;Insulation material; 상기 절연재를 관통하는 도전성 범프; 및A conductive bump penetrating the insulating material; And 상기 도전성 범프에 함몰된 회로패턴을 포함하는 패키지 기판.A package substrate comprising a circuit pattern recessed in the conductive bumps. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 회로패턴은 상기 도전성 범프의 상단 및 하단에 함몰된 것을 특징으로 하는 패키지 기판.The circuit pattern is a package substrate, characterized in that the recessed on the top and bottom of the conductive bump. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도전성 범프 및 상기 회로패턴을 수용하는 절연재의 일면 또는 양면에 형성되는 솔더레지스트를 더 포함하는 패키지 기판.The package substrate further comprises a solder resist formed on one surface or both surfaces of the insulating material for receiving the conductive bumps and the circuit pattern. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도전성 범프는 은(Ag) 또는 동(Cu)을 포함하는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패키지 기판.The conductive bump is a package substrate, characterized in that made of a material containing silver (Ag) or copper (Cu). 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 범프에 함몰된 회로패턴의 폭은 상기 범프의 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 패키지 기판.The width of the circuit pattern recessed in the bump is a package substrate, characterized in that less than the diameter of the bump. 제1 캐리어 및 제1 시드층 위에 제1 회로패턴이 형성된 제1 기판을 제공하는 단계;Providing a first substrate having a first circuit pattern formed on the first carrier and the first seed layer; 상기 제1 회로패턴을 매몰시키는 도전성 범프를 인쇄하는 단계;Printing a conductive bump to bury the first circuit pattern; 상기 도전성 범프가 절연재를 관통하도록 상기 절연재를 제1 기판에 적층하는 단계를 포함하는 패키지 기판 제조 방법.Stacking the insulating material on the first substrate such that the conductive bumps penetrate the insulating material. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 제2 캐리어 및 제2 시드층 위에 제2 회로패턴이 형성된 제2 기판을 상기 제2 회로패턴이 상기 도전성 범프에 함몰되도록 상기 절연재에 적층하는 단계를 더 포함하는 패키지 기판 제조 방법.And stacking a second substrate having a second circuit pattern on the second carrier and the second seed layer on the insulating material such that the second circuit pattern is recessed in the conductive bumps. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1 캐리어 및 상기 제1 시드층을 제거하는 단계를 더 포함하는 패키지 기판 제조방법.Removing the first carrier and the first seed layer. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제1 캐리어 및 상기 제1 시드층을 제거하는 단계 이후에,After removing the first carrier and the first seed layer, 상기 도전성 범프 및 상기 제1 회로패턴을 수용하는 상기 절연재의 일면 또는 양면에 솔더레지스트를 형성하는 단계를 더 포함하는 패키지 기판 제조방법.And forming a solder resist on one or both surfaces of the insulating material accommodating the conductive bumps and the first circuit pattern. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1 시드층은 니켈(Ni) 또는 크롬(Cr)을 포함하는 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 패키지 기판 제조방법.The first seed layer is a package substrate manufacturing method, characterized in that made of a material containing nickel (Ni) or chromium (Cr). 제6항에 있어서,The method of claim 6, 제1 캐리어 및 제1 시드층 위에 상기 제1 회로패턴을 형성하는 단계는,Forming the first circuit pattern on the first carrier and the first seed layer, 전해도금에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 패키지 기판 제조방법.Package substrate manufacturing method characterized in that performed by electroplating. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 도전성 범프는 은(Ag) 또는 동(Cu)을 포함하는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패키지 기판 제조방법.The conductive bump is a package substrate manufacturing method, characterized in that made of a material containing silver (Ag) or copper (Cu). 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 도전성 범프를 인쇄하는 단계는,The printing of the conductive bumps may include: 스크린 인쇄법을 통하여 수행되는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 패키지 기판 제조방법.Package substrate manufacturing method characterized in that it is carried out through the screen printing method. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제1 캐리어 및 상기 제1 시드층을 제거하는 단계는,Removing the first carrier and the first seed layer, 습식 에칭방법을 통하여 수행되는 것을 특징으로 하는 패키지 기판 제조방법.Package substrate manufacturing method characterized in that it is carried out through a wet etching method.
KR1020070104224A 2007-10-16 2007-10-16 Package Substrate and the Manufacturing Method Thereof KR100919632B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070104224A KR100919632B1 (en) 2007-10-16 2007-10-16 Package Substrate and the Manufacturing Method Thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070104224A KR100919632B1 (en) 2007-10-16 2007-10-16 Package Substrate and the Manufacturing Method Thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090038758A KR20090038758A (en) 2009-04-21
KR100919632B1 true KR100919632B1 (en) 2009-09-30

Family

ID=40762854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070104224A KR100919632B1 (en) 2007-10-16 2007-10-16 Package Substrate and the Manufacturing Method Thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100919632B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101141209B1 (en) * 2010-02-01 2012-05-04 삼성전기주식회사 Single layered printed circuit board and manufacturing method thereof
KR101115461B1 (en) * 2010-05-11 2012-02-24 엘지이노텍 주식회사 Embedded PCB and Manufacturing method of the same
KR20230018040A (en) 2021-07-29 2023-02-07 삼성전기주식회사 Printed circuit board

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08139450A (en) * 1994-11-07 1996-05-31 Toshiba Corp Manufacturing method of printed-wiring board
JP2000196236A (en) * 1998-12-25 2000-07-14 Elna Co Ltd Double-sided flash printed wiring board and manufacture thereof
JP2003100811A (en) * 2001-09-27 2003-04-04 Toshiba Corp Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20060043282A (en) * 2004-07-21 2006-05-15 삼성전기주식회사 Manufacturing method of high density pcb

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08139450A (en) * 1994-11-07 1996-05-31 Toshiba Corp Manufacturing method of printed-wiring board
JP2000196236A (en) * 1998-12-25 2000-07-14 Elna Co Ltd Double-sided flash printed wiring board and manufacture thereof
JP2003100811A (en) * 2001-09-27 2003-04-04 Toshiba Corp Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20060043282A (en) * 2004-07-21 2006-05-15 삼성전기주식회사 Manufacturing method of high density pcb

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090038758A (en) 2009-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100661297B1 (en) Rigid-flexible printed circuit board for package on package, and manufacturing method
US8893380B2 (en) Method of manufacturing a chip embedded printed circuit board
KR100867148B1 (en) Printed circuit board and manufacturing method of the same
KR100782405B1 (en) Method of manufacturing printed circuit board
US8510936B2 (en) Manufacturing method of package carrier
US20110314667A1 (en) Method of manufacturing printed circuit board including electronic component embedded therein
KR20070065786A (en) Method of manufacturing flexible wiring substrate and method of manufacturing electronic component mounting structure
KR20060047178A (en) Semiconductor device
KR20080074030A (en) Method of manufacturing multilayer wiring board
JP2007324559A (en) Multilayer circuit board with fine pitch and fabricating method thereof
US20090242238A1 (en) Buried pattern substrate
US8120148B2 (en) Package structure with embedded die and method of fabricating the same
KR100857165B1 (en) Method for manufacturing circuit board
KR100919632B1 (en) Package Substrate and the Manufacturing Method Thereof
KR100894178B1 (en) Method for manufacturing printed circuit board
US7963031B2 (en) Package for semiconductor device and method of manufacturing the same
US7964106B2 (en) Method for fabricating a packaging substrate
KR100726239B1 (en) Manufacturing method of electronic chip embedded type multi layer printed circuit board
US11923282B2 (en) Wiring substrate
US6913814B2 (en) Lamination process and structure of high layout density substrate
JP7283027B2 (en) printed circuit board
CN114585147A (en) Printed circuit board and electronic component package
JP2005236220A (en) Wiring substrate and its manufacturing method, and semiconductor package
KR20100132358A (en) Manufacturing method of a build-up printed circuit board with via-holes of stack type using bump structure
US20240196532A1 (en) Printed circuit board and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120710

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130624

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee