KR100919578B1 - 노광 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 형성 방법 - Google Patents

노광 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 형성 방법

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 노광 장비 및 그를 이용한 반도체 소자의 형성 방법에 관한 것으로, 종래 기술에 따른 편광 장치를 이용하는데 복잡하고 정밀한 광학 장치가 필요한 문제를 해결하기 위하여, 브루스터 각(Brewster angle)을 적용한 편광 기판을 노광 마스크 상부에 추가하거나 소정의 경사면을 포함하는 노광 마스크를 형성함으로써 노광 공정에서 사용되는 빛을 노광에 유리한 편광으로 용이하게 변환시키고 노광 공정의 효율을 증가시킬 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.

Description

노광 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 형성 방법{EXPOSURE EQUIPMENT AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 반도체 소자의 노광 장비 및 그를 이용한 반도체 소자의 형성 방법에 관한 것으로, 종래 기술에 따른 편광 장치를 이용하는데 복잡하고 정밀한 광학 장치가 필요한 문제를 해결하기 위하여, 브루스터 각(Brewster angle)을 적용한 편광 기판을 노광 마스크 상부에 추가하거나 소정의 경사면을 포함하는 노광 마스크를 형성함으로써 노광 공정에서 사용되는 빛을 노광에 유리한 편광으로 용이하게 변환시키고 노광 공정의 효율을 증가시킬 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.
일반적으로 소자의 집적도가 향상되면서 노광 공정에서의 해상도 부족으로 NA(Numerical Aperture)가 크고 파장이 짧은 노광 장비가 요구된다.
노광 공정의 해상도(Resolution)은 일반적으로 다음과 같은 레일리 방정식(Rayleigh equation)을 따른다.
Resolution = k1×(λ/NA)
상기 방정식을 참조하면 빛의 파장(λ)이 감소할수록 NA는 증가할 수록 해상도가 증가함을 알 수 있다. 따라서, NA를 증가시키기 위하여 이멀젼(Immersion) 리소그래피 장치등을 개발하고 있다.
그러나 NA가 증가하면서 광원의 편광 방향에 따라 웨이퍼에 형성되는 이미지 콘트라스트(Image contrast)가 감소하는 문제가 발생하였다.
도 1a 및 도 1b는 라인/스페이스 패턴으로 구성된 노광 마스크에 빛이 입사하는 모습을 도시한 사시도들이다.
도 1a를 참조하면, 전도성 물질로 이루어진 라인/스페이스 패턴(20)을 포함하는 노광 마스크(10)에 상기 라인/스페이스 패턴(20)과 평행하게 편광된 빛이 입사(TE 편광)하는 경우를 도시한 사시도이다.
도 1b를 참조하면, 전도성 물질로 이루어진 라인/스페이스 패턴(20)을 포함하는 노광 마스크(10)에 상기 라인/스페이스 패턴(20)과 수직하게 편광된 빛이 입사(TM 편광)하는 경우를 도시한 사시도이다.
노광 마스크(10)를 통과하여 회절된 빛이 프로젝션 렌즈를 지나 웨이퍼 상에 이미지를 형성할 때 라인/스페이스 패턴(20)과 평행하게 편광된 빛(TE 편광)은 이미지 콘트라스트가 상기 렌즈의 굴절률에 관계없이 일정하지만, 라인/스페이스 패턴(20)과 수직하게 편광된 빛(TM 편광)은 이미지 콘트라스트가 감소하게 된다.
여기서, 라인/스페이스 패턴(20)의 피치 값이 작을 수록 이미지 콘트라스트가 효과적으로 나타난다. 또한, 파장이 일정할 경우 패턴의 피치가 작을수록 노광 마스크(10) 상에서 회절되는 빛의 회절 각도가 커지기 때문에 패턴의 이미지를 형성하기 위한 렌즈의 굴절율도 커져야 한다. 따라서 노광되는 빛의 편광 성분의 종류에 따라 웨이퍼에 형성되는 이미지 콘트라스트 정도가 차이 나는 것을 알 수 있다.
도 2는 편광 필터를 이용한 선형 편광을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 편광 필터를 이용한 선형 편광을 나타낸 것으로 편광되지 않은 광원이 Y 선형 편광 필터(50)를 통과하게 되면 X 축 방향의 빛이 차단되어 Y 축 방향의 빛만 상기 편광 필터를 통과하게 된다.
상술한 종래 기술에 따른 반도체 소자의 노광 장비 및 노광 방법에서 편광 조명을 이용하기 위해서는 편광 조명을 만드는 장치가 요구되며, λ/2 웨이퍼 플레이트 또는 편광 필터를 사용하는 경우에는 복잡하고 정밀한 광학 장치의 제작이 필요하며, 여러 종류의 편광을 모두 만족시키기 어려운 문제점이 있다.
상기 문제점을 해결하기 위하여, 브루스터 각(Brewster angle)을 적용한 편광 기판을 노광 마스크 상부에 추가하거나 소정의 경사면을 포함하는 노광 마스크를 형성함으로써 노광 공정에서 사용되는 빛을 노광에 유리한 편광으로 용이하게 변환시키고 노광 공정의 효율을 증가시킬 수 있도록 하는 노광 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 형성 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
이상의 목적을 달성하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 노광 장치는
광원부 및 노광 마스크 사이의 영역에 노광 마스크와 소정 각도를 갖고 경사지게 구비되는 편광 기판을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 광원부에서 조사되는 빛이 상기 편광 기판에 입사되는 각의 크기는 40 ~ 80°인 것을 특징으로 하고, 상기 편광 기판은 석영보다 굴절률이 높은 물질로 코팅(Coating)된 것을 특징으로 하고, 상기 굴절률이 높은 물질은 LuAG, BaLiF3, MgO, Ceramic Spinel 및 이들의 혼합물 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
아울러, 광원부 및 노광 마스크 사이의 영역에 상기 노광 마스크와 평행하게 구비되며, 표면에 경사면을 포함하는 편광 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 편광 기판은 석영으로 제조된 투명 기판으로 구비되는 것을 특징으로 하고, 상기 경사면은 복수개로 구비되며, 상기 광원부에서 조사되는 빛이 상기 각 경사면에 입사되는 각의 크기는 40 ~ 80°인 것을 특징으로 한다.
아울러, 석영 기판 상에 구비되는 마스크 패턴 및
상기 마스크 패턴이 형성된 이면에 구비되는 경사면을 포함하는 노광 마스크를 이용하되, 상기 노광 마스크의 경사면을 광원이 입사되는 방향에 위치시키는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 경사면은 복수개로 구비되며, 상기 광원부에서 조사되는 빛이 상기 각 경사면에 입사되는 각의 크기는 40 ~ 80°인 것을 특징으로 한다.
아울러, 상기 노광 장치를 이용한 것으로 본 발명에 따른 반도체 소자의 형성 방법은
반도체 기판 상에 감광막층을 형성하는 단계와,
광원부에서 조사되는 빛을 소정의 경사면을 갖는 편광 기판에 조사하는 단계 및
상기 편광 기판을 통과하면서 편광된 빛을 노광 마스크에 조사하여 노광 공정을 수행함으로써 감광막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 광원부에서 조사되는 빛이 상기 각 경사면에 입사되는 각의 크기는 40 ~ 80°인 것을 특징으로 하고, 상기 경사면 각도는 브루스터 각(Brewster angle)을 이용하는 것을 특징으로 한다.
이하에서는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 노광 장치 및 이를 이용한 노광 방법에 관하여 상세히 설명하기로 한다.
본 발명은 편광에 따라 두 물질 사이의 계면에서 반사율이 다르고, 이와 같은 특성은 임의의 입사각에서 최대화할 수 있는 빛의 기본적인 반사 특성을 이용하여 특정 방향의 편광효과를 향상시키는 방법이다.
전계 벡터는 진행 방향에 수직이며 반사계수는 전계의 편광이 입사 평면에 대하여 수직인 경우를 　S편광(S polarization), 수평인 경우를 P편광(P polarization)이라고 한다. 또한, 반사율(R)는 반사계수(ρ)의 크기를 제곱하여 얻어지므로 R=｜ρ｜2　이다.
여기서, 빛이 공기에서 유리로 또는 유리에서 공기로 입사할 때 다음의 특징이 있다.
첫째, 공기에서 유리로 입사하는 경우 반사율은 입사각도가 0인 부근에서는 크게 변하지 않는다. 　예를 들어 공기와 유리 경계면에서 수직 입사시의 계산된 4% 반사율은 수직선에 대해 20°되는 각도에서 잘 맞는 근사치이다.
둘째, 임의의 입사각과 편광상태에서는 반사율이 "0"으로 될 수 있는데 이는 완전한 전송을 의미한다.
셋째, 임의의 범위 내의 입사각에 대한 반사율은 "1"로서 완전반사를 의미한다.
따라서 영반사가 일어나는 것은 평행한 편광일 경우에 일어나며 반사계수 ρp와 반사율 ｜ρp｜2이 "0"이 되는 것을 의미하며 이때의 입사각을 브루스터 각 (Brewster angle)이라고 하며, 브루스터 각(θB)은 다음과 같은 식을 만족한다.
tan θB 　= n2 /n1　(n1, n2 　: 공기 또는 유리의 굴절률)
이 조건을 만족하는 빛이 입사한 공기에서 유리로 입사하는 경우, P파의 반사율(RP) 및 투과율(TP)은 다음과 같이 된다.
RP = 0 , TP = 1
이와 같이, 반사율 Rp=0이 되기 때문에 브루스터 각으로 빛이 입사하였을 때, 반사광은 S파, 즉 입사면에 수직으로 진동하는 전기장을 가진 파(TE 편광) 밖에 반사하지 않는다. 그 결과 반사광에서 선형 편광이 얻어진다. 따라서, 브루스터 각은 반사손실이 없이 광속을 유전체로 혹은 유전체로부터 전송하는데 유용하게 사용된다.
도 3은 본 발명에 이용되는 브루스터 각(Brewster Angle)을 설명한 도면이다.
도 3을 참조하면, 소정 매질에 빛이 입사되는 경우 굴절광과 반사광 사이의 각도가 90°가 되면, TM 편광은 모두 굴절되어 입사되고, TE 편광은 모두 반사되는 것을 알 수 있다.
이때, tanθ=nt //ni (nt,ni 는 두 매질의 굴절율)이므로, 이를 이용하여 브루스터 각을 알 수 있다.
도 4는 입사각도에 따라 편광된 방향이 서로 다른 광원의 표면 반사도를 나타낸 그래프이다.
도 4를 참조하면, 브루스터 각이 40 내지 80°일 경우 TE 편광은 모두 반사되고, TM 편광은 모두 굴절되어 투과되는 것을 나타낸다.
도 5는 본 발명에 따른 노광 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 형성 방법을 도시한 개략도이다.
도 5를 참조하면, 광원부(100) 하부에 광원부(100)에서 조사된 빛을 증폭시키고 빛을 일정 지점으로 모아 주는 집광(Condenser) 렌즈부(120)가 구비되고, 집광 렌즈부(120)의 하부에 경사를 갖고 위치하는 편광 기판(130)이 구비된다. 이때, 편광 기판(130)은 석영으로 형성된 투명 기판으로 브루스터 각을 이용하여 노광 공정에서 유리한 TE 편광만 투과될 수 있도록 하는 역할을 한다. 여기서 편광 기판(130)에 입사되는 빛의 각도는 40 ~ 80°가 되도록 편광 기판(130)의 경사도를 조절하는 것이 바람직하고, 편광 기판(130)의 표면에 석영보다 굴절률이 높은 물질인 LuAG, BaLiF3, MgO, Ceramic Spinel 및 이들의 혼합물 중 선택된 어느 하나를 코팅(Coating)하여 빛의 투과도를 향상시킬 수 있다.
또한, 편광 기판(160)은 하나 이상 구비하여 빛의 편광 특성을 더 향상시킬 수 있다.
아울러, 편광 기판(160) 본체는 수평으로 노광 마스크(140)와 평행하게 구비되되, 빛이 입사되는 면에 소정의 경사를 형성하여 편광 효과를 얻을 수 있다. 이때, 경사면은 하나 또는 복수개로 형성하는 것이 바람직하며, 각 경사면에 입사되는 빛의 각도는 40 ~ 80°의 범위가 되도록 각 경사면을 형성한다.
이와 같이 편광된 빛은 노광 마스크(140)를 통과하여 노광 이미지를 형성하고 프로젝션 렌즈부(150)를 통하여 노광 이미지를 웨이퍼(160)에 전사한다.
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 노광 장치에 이용되는 노광 마스크의 단면을 도시한 단면도들로, '도 5'에서 설명한 편광 기판을 마스크에 결합시킨 것을 도시한 것이다.
도 6을 참조하면, 노광 마스크(200)의 노광 패턴(210)이 형성된 이면에 일 방향으로 균일하게 배열된 경사 패턴(220)이 구비된다. 이때, 경사 패턴(220)으로 빛이 입사되어 TE 편광이 노광 패턴(210)을 통과하여 노광 이미지를 형성할 수 있도록 한다.
도 7을 참조하면, 복수개의 경사면을 구비하는 경사 패턴(320)이 구비된 노광 마스크(300)를 알 수 있다. 이때, 경사 패턴(320)은 삼각뿔, 피라미드형 또는 원뿔과 같이 다양한 형태로 구비될 수 있으며 이때 형성되는 경사 패턴(320)의 빗변에 입사되는 빛의 각도는 모두 40 ~ 80°가 되도록 형성하는 것이 바람직하다.
이와 같이 노광 마스크(200, 300)의 이면에 형성되는 경사 패턴(220, 320)은 적어도 하나 이상의 경사면을 포함하고 있으며, 이에 따라 경사 패턴(220, 320)의 모양도 다양하게 형성될 수 있다. 이때, 형성되는 경사면의 각도는 수직으로 입사하는 빛이 브루스터 각(40 ~ 80°)에서 입시되도록 형성하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 노광 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 형성 방법은 브루스터 각을 이용하여 노광 공정에서 사용되는 빛을 노광에 유리한 편광으로 변환시킬 수 있다. 광원부와 노광 마스크 사이에 경사를 갖는 편광 기판을 배열하거나, 편광 기판의 표면에 경사면을 형성함으로써 편광 효율을 증가시킬 수 있다. 또한, 편광 기판을 노광 마스크에 결합된 형태로 제작할 수 있으며 편광 필터에 의해 일차 편광된 빛을 본 발명에 따른 편광 기판 또는 노광 마스크에 통과시킴으로써 노광 공정의 효율을 증가시킬 수 있다.
본 발명에 따른 노광 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 형성 방법은 브루스터 각을 이용하여 노광 공정에서 사용되는 빛을 노광에 유리한 편광으로 변환시키고, 편광 된 빛을 이용하여 노광 공정을 수행함으로써 편광 효율을 증가시키고, 편광 조명의 효과로 노광 에너지의 위상(Energy Latitude) 및 초점심도(DOF)를 향상시킬 수 있다. 따라서 노광 공정을 안정적으로 수행하고 반도체 형성 공정의 수율 및 신뢰성을 향상시키는 효과를 제공한다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
도 1a 및 도 1b는 라인/스페이스 패턴으로 구성된 노광 마스크에 빛이 입사하는 모습을 도시한 사시도.
도 2는 편광 필터를 이용한 선형 편광의 원리를 도시한 도면.
도 3은 본 발명에 이용되는 브루스터 각(Brewster Angle)을 설명한 도면.
도 4는 입사각도에 따라 편광된 방향이 서로 다른 광원의 표면 반사도를 나타낸 그래프.
도 5는 본 발명에 따른 노광 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 형성 방법 도시한 개략도.
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 노광 장치에 이용되는 노광 마스크의 단면을 도시한 단면도들.

Claims (14)

  1. 광원부 및 노광 마스크 사이의 영역에 노광 마스크와 소정 각도를 갖고 경사지게 구비되는 편광 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 편광 기판은 석영으로 제조된 투명 기판으로 구비되며 복수개로 구비되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원부에서 조사되는 빛이 상기 편광 기판에 입사되는 각의 크기는 40 ~ 80°인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 편광 기판은 석영보다 굴절률이 높은 물질로 코팅(Coating)된 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 굴절률이 높은 물질은 LuAG, BaLiF3, MgO, Ceramic Spinel 및 이들의 혼합물 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  6. 광원부 및 노광 마스크 사이의 영역에 상기 노광 마스크와 평행하게 구비되며, 표면에 경사면을 포함하는 편광 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 편광 기판은 석영으로 제조된 투명 기판으로 구비되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 경사면은 복수개로 구비되며, 상기 광원부에서 조사되는 빛이 상기 각 경사면에 입사되는 각의 크기는 40 ~ 80°인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 노광 마스크는
    석영 기판상에 구비되는 노광 패턴; 및
    상기 노광 패턴이 형성된 이면에 구비되는 경사면을 포함하되, 상기 노광 마스크의 경사면을 광원이 입사되는 방향에 위치시키는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 경사면은 복수개로 구비되며, 상기 광원부에서 조사되는 빛이 상기 각 경사면에 입사되는 각의 크기는 40 ~ 80°인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  11. 반도체 기판 상에 감광막층을 형성하는 단계;
    광원부에서 조사되는 빛을 소정의 경사면을 갖는 편광 기판에 조사하는 단계; 및
    상기 편광 기판을 통과하면서 편광된 빛을 노광 마스크에 조사하여 노광 공정을 수행함으로써 감광막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 형성 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 광원부에서 조사되는 빛이 상기 각 경사면에 입사되는 각의 크기는 40 ~ 80°인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 형성 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 경사면 각도는 브루스터 각(Brewster angle)을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 형성 방법.
  14. 제 1 항에 기재된 노광 장치를 이용한 패턴 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 형성 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100990074B1 (ko) 2007-12-24 2010-10-29 인더스트리얼 테크놀로지 리서치 인스티튜트 경사 노광 리소그래피 시스템

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230118272A (ko) 2022-02-04 2023-08-11 아주자동차대학 산학협력단 자동차 팔걸이를 이용한 유아용 안전 시트

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09180991A (ja) * 1995-12-26 1997-07-11 Nec Corp 露光装置
KR20000027624A (ko) * 1998-10-28 2000-05-15 김영환 반도체장치의 미세패턴 형성시의 노광장치 및 그 방법
KR20030094737A (ko) * 2002-06-07 2003-12-18 삼성전자주식회사 반도체 장치의 노광 장치 및 노광 방법
JP2007035671A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Canon Inc 露光装置及び方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09180991A (ja) * 1995-12-26 1997-07-11 Nec Corp 露光装置
KR20000027624A (ko) * 1998-10-28 2000-05-15 김영환 반도체장치의 미세패턴 형성시의 노광장치 및 그 방법
KR20030094737A (ko) * 2002-06-07 2003-12-18 삼성전자주식회사 반도체 장치의 노광 장치 및 노광 방법
JP2007035671A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Canon Inc 露光装置及び方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100990074B1 (ko) 2007-12-24 2010-10-29 인더스트리얼 테크놀로지 리서치 인스티튜트 경사 노광 리소그래피 시스템

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