KR100917721B1 - 발광 다이오드용 패키지의 제조 방법 - Google Patents

발광 다이오드용 패키지의 제조 방법 Download PDF

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고우지 구도우
이츠키 야마모토
시게오 후쿠모토
히로유키 후카에
겐고 니시야마
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교리츠 엘렉스 가부시키가이샤
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Abstract

발광 다이오드 또는 발광 다이오드용 패키지 제조시의 양품률을 향상시키는 것.
본 발명에서는, 발광 다이오드 소자를 실장하기 위한 배선 패턴을 형성한 세라믹스제 베이스체에, 상기 발광 다이오드 소자를 수용하기 위한 개구를 형성한 세라믹스제 커버체를 첩착한 발광 다이오드용 패키지의 제조 방법에 있어서, 제 1 그린시트에 복수개의 개구를 형성한 후에 소성하여 커버판을 형성함과 아울러, 제 2 그린시트를 소성한 후에 배선 패턴을 인쇄하고, 상기 배선 패턴을 소결한 후에 분단하여 복수장의 베이스판을 형성하며, 상기 베이스판에 복수장의 커버판을 첩착하고, 그 후, 상기 베이스판과 커버판을 각 발광 다이오드용 패키지마다 분단하는 것으로 했다.

Description

발광 다이오드용 패키지의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING PACKAGE FOR LIGHT EMITTING DIODE}
도 1은 본 발명에 따른 발광 다이오드를 나타내며, (a)는 사시도, (b)는 평면도, (c)는 단면도,
도 2는 제조 방법을 나타내는 설명도이며, (a)는 사시도, (b)는 평면도, (c)는 단면도,
도 3은 제조 방법을 나타내는 설명도이며, (a)는 사시도, (b)는 평면도, (c)는 단면도,
도 4는 제조 방법을 나타내는 설명도이며, (a)는 사시도, (b)는 평면도, (c)는 단면도,
도 5는 제조 방법을 나타내는 설명도이며, (a)는 사시도, (b)는 평면도, (c)는 단면도,
도 6은 제조 방법을 나타내는 설명도이며, (a)는 사시도, (b)는 평면도, (c)는 단면도,
도 7은 제조 방법을 나타내는 설명도,
도 8은 제조 방법을 나타내는 설명도,
도 9는 제조 방법을 나타내는 설명도이며, (a)는 사시도, (b)는 평면도, (c)는 단면도,
도 10은 제조 방법을 나타내는 설명도이며, (a)는 사시도, (b)는 평면도, (c)는 단면도,
도 11은 제조 방법을 나타내는 설명도이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 발광 다이오드 2 : 발광 다이오드용 패키지
3 : 발광 다이오드 소자 4 : 베이스체
5 : 커버체 6 : 다이본딩용 전극
7 : 와이어본딩용 전극 8, 9 : 외부 전극
10, 11 : 하부 전극 12 : 방열 단자
13 : 배선 패턴 14 : 개구
15 : 방사면 16 : 금선
17 : 수지 18 : 제 1 그린시트
19 : 다이싱홀 20 : 커버판
21 : 제 2 그린시트 22 : 관통 구멍
23 : 베이스 원판 24 : 표면 인쇄 패턴
25 : 주면 인쇄 패턴 26 : 이면 인쇄 패턴
27 : 베이스판 28 : 발광 다이오드용 패키지
29 : 관통 구멍 30 : 방열판
31 : 발광 다이오드
본 발명은, 발광 다이오드용 패키지 및 그 제조 방법, 및 발광 다이오드용 패키지를 이용한 발광 다이오드에 관한 것이며, 특히, 발광 다이오드 소자를 실장하기 위한 배선 패턴을 형성한 베이스체에, 발광 다이오드 소자를 수용하기 위한 개구를 형성한 커버체를 첩착한 발광 다이오드용 패키지 및 그 제조 방법, 및 발광 다이오드용 패키지를 이용한 발광 다이오드에 관한 것이다.
종래로부터, 소비 전력이 적고 수명이 긴 조명 부품으로서, 발광 다이오드 소자를 실장한 발광 다이오드가 널리 이용되고 있다.
이 발광 다이오드에서는, 발광 다이오드 소자를 실장하기 위한 배선 패턴을 형성한 베이스체에, 발광 다이오드 소자를 수용하기 위한 개구를 형성한 커버체를 첩착함으로써 제조된 발광 다이오드용 패키지가 이용되고 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조.).
이 특허문헌 1에 개시되어 있는 발광 다이오드용 패키지에서는, 직사각형판 형상 그린시트의 표면에 배선 패턴을 형성하여 베이스판을 형성함과 아울러, 별도 의 직사각형판 형상 그린시트에 복수개의 개구를 형성하여 커버판을 형성하고, 이들 베이스판과 커버판을 첩착하며, 그 후, 중합한 두 장의 그린시트를 동시에 소성하고, 소성 후에 각 개구의 근방에서 분단함으로써 발광 다이오드용 패키지를 제조하고 있었다.
(특허문헌 1) 일본 공개 특허 공보 제 2003－37298호
그런데, 상기 종래의 발광 다이오드용 패키지에서는, 복수개의 개구를 형성한 한 장의 커버판에 배선 패턴을 형성한 한 장의 베이스판을 첩착하고 있었으므로, 첩착 기준 위치로부터 떨어진 부위에서 개구와 배선 패턴의 편차가 커져, 위치 편차에 의한 불량이 발생할 우려가 있었다.
특히, 발광 다이오드용 패키지의 소재로서 세라믹스를 이용한 경우에는, 그린시트의 열수축률과 배선 패턴의 열수축률이 서로 다르므로, 소성 후의 개구와 배선 패턴의 위치가 대폭 어긋나버릴 우려가 있었다.
그래서, 제 1 측면에 따른 본 발명에서는, 발광 다이오드 소자를 실장하기 위한 배선 패턴을 형성한 베이스체에, 상기 발광 다이오드 소자를 수용하기 위한 개구를 형성한 커버체를 첩착한 발광 다이오드용 패키지의 제조 방법에 있어서, 복수개의 개구를 형성한 커버판에 배선 패턴을 형성한 복수장의 베이스판을 첩착하고, 그 후, 상기 베이스판과 커버판을 각 발광 다이오드용 패키지마다 분단하는 것 으로 했다.
또한, 제 2 측면에 따른 본 발명에서는, 발광 다이오드 소자를 실장하기 위한 배선 패턴을 형성한 세라믹스제 베이스체에, 상기 발광 다이오드 소자를 수용하기 위한 개구를 형성한 세라믹스제 커버체를 첩착한 발광 다이오드용 패키지의 제조 방법에 있어서, 제 1 그린시트에 복수개의 개구를 형성한 후에 소성하여 커버판을 형성함과 아울러, 제 2 그린시트를 소성한 후에 배선 패턴을 인쇄하고, 상기 배선 패턴을 소결한 후에 분단하여 복수장의 베이스판을 형성하며, 상기 베이스판에 복수장의 커버판을 첩착하고, 그 후, 상기 베이스판과 커버판을 각 발광 다이오드용 패키지마다 분단하는 것으로 했다.
또한, 제 3 측면에 따른 본 말명에서는, 발광 다이오드 소자를 실장하기 위한 배선 패턴을 형성한 베이스판에, 상기 발광 다이오드 소자를 수용하기 위한 개구를 형성한 커버판을 첩착한 발광 다이오드용 패키지의 제조 방법에 있어서, 복수개의 개구를 형성한 커버판에 배선 패턴을 형성한 복수장의 베이스판을 첩착하는 것으로 했다.
또한, 제 4 측면에 따른 본 발명에서는, 발광 다이오드 소자를 실장하기 위한 배선 패턴을 형성한 세라믹스제 베이스판에, 상기 발광 다이오드 소자를 수용하기 위한 개구를 형성한 세라믹스제 커버판을 첩착한 발광 다이오드용 패키지의 제조 방법에 있어서, 제 1 그린시트에 복수개의 개구를 형성한 후에 소성하여 커버판을 형성함과 아울러, 제 2 그린시트를 소성한 후에 배선 패턴을 인쇄하고, 상기 배선 패턴을 소결한 후에 분단하여 복수장의 베이스판을 형성하며, 상기 베이스판에 복수장의 커버판을 첩착하는 것으로 했다.
또한, 제 5 측면에 따른 본 발명에서는, 상기 제 1 측면 내지 제 4 측면 중 어느 한 측면에 따른 본 발명에 있어서, 상기 베이스판에 관통 구멍을 형성함과 아울러, 상기 관통 구멍에 방열판을 감입하는 것으로 했다.
또한, 제 6 측면에 따른 본 발명에서는, 발광 다이오드 소자를 실장하기 위한 배선 패턴을 형성한 베이스체에, 상기 발광 다이오드 소자를 수용하기 위한 개구를 형성한 커버체를 첩착한 발광 다이오드용 패키지에 있어서, 복수개의 개구를 형성한 커버판에 배선 패턴을 형성한 복수장의 베이스판을 첩착하고, 그 후, 상기 베이스판과 커버판을 각 발광 다이오드용 패키지마다 분단하는 것으로 했다.
또한, 제 7 측면에 따른 본 발명에서는, 발광 다이오드 소자를 실장하기 위한 배선 패턴을 형성한 세라믹스제 베이스체에, 상기 발광 다이오드 소자를 수용하기 위한 개구를 형성한 세라믹스제 커버체를 첩착한 발광 다이오드용 패키지에 있어서, 제 1 그린시트에 복수개의 개구를 형성한 후에 소성하여 커버판을 형성함과 아울러, 제 2 그린시트를 소성한 후에 배선 패턴을 인쇄하고, 상기 배선 패턴을 소결한 후에 분단하여 복수장의 베이스판을 형성하며, 상기 베이스판에 복수장의 커버판을 첩착하고, 그 후, 상기 베이스판과 커버판을 각 발광 다이오드용 패키지마다 분단하는 것으로 했다.
또한, 제 8 측면에 따른 본 발명에서는, 발광 다이오드 소자를 실장하기 위한 배선 패턴을 형성한 베이스판에, 상기 발광 다이오드 소자를 수용하기 위한 개구를 형성한 커버판을 첩착한 발광 다이오드용 패키지에 있어서, 복수개의 개구를 형성한 커버판에 배선 패턴을 형성한 복수장의 베이스판을 첩착하는 것으로 했다.
또한, 제 9 측면에 따른 본 발명에서는, 발광 다이오드 소자를 실장하기 위한 배선 패턴을 형성한 세라믹스제 베이스판에, 상기 발광 다이오드 소자를 수용하기 위한 개구를 형성한 세라믹스제 커버판을 첩착한 발광 다이오드용 패키지에 있어서, 제 1 그린시트에 복수개의 개구를 형성한 후에 소성하여 커버판을 형성함과 아울러, 제 2 그린시트를 소성한 후에 배선 패턴을 인쇄하고, 상기 배선 패턴을 소결한 후에 분단하여 복수장의 베이스판을 형성하며, 상기 베이스판에 복수장의 커버판을 첩착하는 것으로 했다.
또한, 제 10 측면에 따른 본 발명에서는, 상기 제 6 측면 내지 제 9 측면 중 어느 한 측면에 따른 본 발명에 있어서, 상기 베이스판에 형성한 관통 구멍에 방열판을 감입하는 것으로 했다.
또한, 제 11 측면에 따른 본 발명에서는, 발광 다이오드에 있어서, 상기 제 6 측면 내지 제 10 측면에 따른 발광 다이오드용 패키지에 발광 다이오드 소자를 실장하는 것으로 했다.
이하에, 본 발명에 따른 발광 다이오드 및 그 패키지의 구조, 및 제조 방법에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명에 따른 발광 다이오드(1)는, 발광 다이오드용 패키지(2)에 발광 다이오드 소자(3)를 실장한 것이다.
발광 다이오드용 패키지(2)는, 대략 직사각형판 형상의 세라믹스제 베이스체(4)와 직사각형판 형상의 세라믹스제 커버체(5)를 접착제로 첩착하고 있다.
베이스체(4)는, 상면에 다이본딩용 전극(6)과 와이어본딩용 전극(7)을 절연하기 위해 간격을 두어 형성함과 아울러, 좌우측면에 다이본딩용 전극(6)과 와이어본딩용 전극(7)에 각각 접속한 외부 전극(8, 9)을 형성하고, 또한, 하면의 좌우측부에 외부 전극(8, 9)에 각각 접속한 하부 전극(10, 11)을 형성함과 아울러, 하면의 중앙부에 방열 단자(12)를 형성하고 있다. 그리고, 이들 전극(6∼11)에 의해 발광 다이오드 소자(3)를 실장하기 위한 배선 패턴(13)을 구성하고 있다.
커버체(5)는, 중앙부에 상하면으로 관통하는 개구(14)를 형성하고 있으며, 이 개구(14)의 내측에 형성되는 공간에 발광 다이오드 소자(3)를 수용할 수 있도록 함과 아울러, 개구(14)의 표면을 발광 다이오드 소자(3)로부터 방사된 광을 외부로 향하여 반사하기 위한 반사면(15)으로 하고 있다.
그리고, 발광 다이오드(1)는, 베이스체(4)의 다이본딩용 전극(6)에 발광 다이오드 소자(3)의 하면의 전극을 다이본딩함과 아울러, 베이스체(4)의 와이어본딩용 전극(7)에 발광 다이오드 소자(3)의 상면의 전극을 금선(16)을 이용하여 와이어본딩하고, 또한, 커버체(5)의 개구(14)에 투명한 수지(17)를 충전하고 있다. 또, 발광 다이오드(1)에서는, 와이어본딩에 의해 베이스체(4)에 발광 다이오드 소자(3)를 실장하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 베이스체(4)에 발광 다이오드 소자(3)를 직접 실장(플립칩(flip chip) 실장)할 수도 있다.
이 발광 다이오드(1)에서는, 베이스체(4)를 커버체(5)보다 작게 하고, 커버 체(5)의 좌우측면보다 내측에 기판에 납땜되는 외부 전극(8, 9)을 형성하고 있다. 이에 의해, 발광 다이오드(1)의 기판상의 실장 면적을 작게할 수 있도록 함과 아울러, 베이스체(4)보다 튀어나온 커버체(5)에 의해 납땜 부분의 위쪽을 덮어 납땜 부분을 보호하도록 하고 있다.
이 발광 다이오드(1)는, 이하에 설명하는 바와 같이 하여 제조한다.
우선, 도 2에 나타내는 바와 같이, 알루미나 소재로 이루어지는 직사각형판 형상의 제 1 그린시트(18)의 소요 위치에 복수개의 직사각형 관통 형상의 개구(14)와 다이싱시의 위치 결정에 이용하는 원형 관통 형상의 다이싱홀(19)을 형성하고, 그 후, 제 1 그린시트(18)를 소성하여, 직사각형판 형상의 세라믹스제 커버판(20)을 형성한다. 여기서는, 32개의 발광 다이오드(1)를 동시에 제조하기 위해, 8행 4열의 32개의 개구(14)를 형성하고 있다.
한편, 도 3에 나타내는 바와 같이, 알루미나 소재로 이루어지는 직사각형판 형상의 제 2 그린시트(21)의 소요 위치에 복수개의 직사각형 형상 관통 구멍(22)을 형성하고, 그 후, 제 2 그린시트(21)를 소성하여, 직사각형판 형상의 세라믹스제 베이스 원판(23)을 형성한다. 관통 구멍(22)은, 최종적으로 발광 다이오드(1)의 베이스체(4)의 좌우측벽을 형성하는 것이며, 여기서는, 8행 8열의 64개의 관통 구멍(22)을 형성하고 있다.
다음으로, 도 4에 나타내는 바와 같이, 베이스 원판(23)에 표면측으로부터 전극재(여기서는, 은 페이스트)를 인쇄에 의해 소정 형상으로 도포하고, 그 후, 제 1 또는 제 2 그린시트(18, 21)의 소성 온도보다 낮은 온도로 은 페이스트를 소결시 킴으로써, 베이스 원판(23)의 표면에 다이본딩용 전극(6)과 와이어본딩용 전극(7)이 되는 표면 인쇄 패턴(24)을 형성함과 아울러, 베이스 원판(23)의 관통 구멍(22)의 내주면에 외부 전극(8, 9)이 되는 주면 인쇄 패턴(25)을 형성한다.
다음으로, 도 5에 나타내는 바와 같이, 베이스 원판(23)을 표리 반전하고, 이면측으로부터 전극재(여기서는, 은 페이스트)를 인쇄에 의해 소정 형상으로 도포하고, 그 후, 제 1 또는 제 2 그린시트(18, 21)의 소성 온도보다 낮은 온도로 은 페이스트를 소결시킴으로써, 베이스 원판(23)의 이면에 하부 전극(10, 11)과 방열 단자(12)가 되는 이면 인쇄 패턴(26)을 형성한다.
다음으로, 도 6에 나타내는 바와 같이, 베이스 원판(23)을 다이싱에 의해 소정 형상의 베이스판(27)으로 분단한다. 여기서는, 한 장의 베이스 원판(23)을 동일 사이즈의 네 장의 베이스판(27)으로 분단하고 있다.
그리고, 도 7에 나타내는 바와 같이, 커버판(20)의 상면 소요 위치에 각 베이스판(27)을 저융점 유리로 이루어지는 접착제를 이용하여 접착하고, 도 8에 나타내는 직사각형판 형상의 발광 다이오드용 패키지(28)를 형성한다. 또, 이 발광 다이오드용 패키지(28)는, 이대로의 상태에서도 면 형상 광원의 패키지로서 사용할 수 있다.
그 후, 도 9에 나타내는 바와 같이, 마운터를 이용하여 발광 다이오드용 패키지(28)의 개구(14)로부터 베이스판(27)의 다이본딩용 전극(6)에 발광 다이오드 소자(3)를 다이본딩함과 아울러, 와이어본딩을 이용하여 베이스판(27)의 와이어본딩용 전극(7)과 발광 다이오드 소자(3)를 금선(16)으로 와이어본딩하고, 또한, 디 스펜서를 이용하여 개구(14)를 투명한 수지(17)로 충전한다. 또, 이 상태에서, 발광 다이오드용 패키지(28)에 발광 다이오드 소자(3)를 실장한 면 형상 광원용의 발광 다이오드로서 사용할 수도 있다.
마지막으로, 도 10에 나타내는 바와 같이, 커버판(20)에 형성한 다이싱홀(19)을 기준으로 하여 커버판(20)과 베이스판(27)을 종횡으로 다이싱함으로써 각 발광 다이오드(1)를 구성하는 발광 다이오드용 패키지(2)마다 분단하여, 32개의 발광 다이오드(1)를 동시에 제조한다.
또, 상기 발광 다이오드(1)에서는, 베이스 원판(23)의 이면에 은 페이스트를 소결시켜 방열 단자(12)를 형성하고 있지만, 도 11에 나타내는 바와 같이, 베이스 원판(23)에 관통 구멍(29)을 형성하고(도 11(a) 참조.), 그 관통 구멍(29)에 금속제 방열판(30)을 감입함으로써(도 11(b) 참조.), 베이스체(4)를 관통하는 방열판(30)을 갖는 발광 다이오드(31)를 형성할 수 있다(도 11(c) 참조.). 이 경우에는, 방열 효율을 향상시킬 수 있고, 특히, 방열판(30)에 발광 다이오드 소자(3)를 다이본딩함으로써, 발광 다이오드 소자(3)의 발열을 직접 방열할 수 있다.
이상에 설명한 바와 같이, 상기 발광 다이오드(1, 31)나 그 패키지(2, 28)에서는, 개구(14)를 형성한 한 장의 커버판(20)에 배선 패턴(13)을 형성한 복수장의 베이스판(27)을 첩착함으로써 제조하고 있다.
이 때문에, 상기에, 발광 다이오드(1, 31)나 그 패키지(2, 28)에서는, 커버판(20)의 면적에 비해 한 장의 베이스판(27)의 면적을 작게 할 수 있으므로, 각 베이스판(27)에 형성한 배선 패턴(13)을 커버판(20)에 형성한 개구(14)에 정밀하게 위치 정렬할 수 있고, 개구(14)와 배선 패턴(13)의 위치 편차를 미연에 방지할 수 있어, 발광 다이오드(1, 31)나 그 패키지(2, 28) 제조시의 양품률을 향상시킬 수 있다.
특히, 발광 다이오드용 패키지(2, 28)의 소재로서 세라믹스를 이용한 경우에는, 베이스판(27)이 되는 제 2 그린시트(21)를 소성한 후에, 배선 패턴(13)을 인쇄하고, 그 후, 배선 패턴(13)을 소결시킴으로써, 제 2 그린시트(21)와 배선 패턴(13)의 열수축률의 상위에 의한 배선 패턴(13)의 변형을 방지할 수 있고, 이에 의해, 보다 한층, 개구(14)와 배선 패턴(13)의 위치 편차를 방지할 수 있어, 발광 다이오드(1, 31)나 그 패키지(2, 28) 제조시의 양품률을 향상시킬 수 있다.
본 발명에서는, 이하에 기재하는 효과를 나타낸다.
즉, 본 발명에서는, 개구를 형성한 한 장의 커버판에 배선 패턴을 형성한 복수장의 베이스판을 첩착하는 것으로 하고 있으므로, 커버판의 면적에 비해 한 장의 베이스판의 면적을 작게 할 수 있기 때문에, 각 베이스판에 형성한 배선 패턴을 커버판에 형성한 개구에 정밀하게 위치 정렬할 수 있고, 개구와 배선 패턴의 위치 편차를 미연에 방지할 수 있어, 발광 다이오드 또는 발광 다이오드용 패키지 제조시의 양품률을 향상시킬 수 있다.
특히, 발광 다이오드용 패키지의 소재로서 세라믹스를 이용한 경우에는, 그린시트를 소성한 후에, 배선 패턴을 인쇄하고, 그 후, 배선 패턴을 소결시킴으로 써, 그린시트와 배선 패턴의 열수축률의 상위에 의한 배선 패턴의 변형을 방지할 수 있고, 이에 의해, 개구와 배선 패턴의 위치 편차를 미연에 방지할 수 있어, 발광 다이오드 또는 발광 다이오드용 패키지 제조시의 양품률을 향상시킬 수 있다.

Claims (12)

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  3. 발광 다이오드 소자를 실장하기 위한 배선 패턴을 형성한 베이스판에, 상기 발광 다이오드 소자를 수용하기 위한 개구를 형성한 커버판을 첩착한 발광 다이오드용 패키지의 제조 방법에 있어서,
    복수개의 개구를 형성한 커버판에 배선 패턴을 형성한 복수장의 베이스판을 첩착하는 것을 특징으로 하는
    발광 다이오드용 패키지의 제조 방법.
  4. 발광 다이오드 소자를 실장하기 위한 배선 패턴을 형성한 세라믹스제 베이스판에, 상기 발광 다이오드 소자를 수용하기 위한 개구를 형성한 세라믹스제 커버판을 첩착한 발광 다이오드용 패키지의 제조 방법에 있어서,
    제 1 그린시트에 복수개의 개구를 형성한 후에 소성하여 커버판을 형성하고, 또한 제 2 그린시트를 소성한 후에 배선 패턴을 인쇄하고, 상기 배선 패턴을 소결한 후에 분단하여 복수장의 베이스판을 형성하며, 상기 베이스판에 복수장의 커버판을 첩착하는 것을 특징으로 하는
    발광 다이오드용 패키지의 제조 방법.
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CN104218141A (zh) * 2014-09-17 2014-12-17 深圳市晶台股份有限公司 一种倒装led芯片的封装结构

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004207678A (ja) * 2002-10-30 2004-07-22 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
KR20050090918A (ko) * 2004-03-10 2005-09-14 (주)나노팩 발광소자와 그 패키지 구조체 및 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004207678A (ja) * 2002-10-30 2004-07-22 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
KR20050090918A (ko) * 2004-03-10 2005-09-14 (주)나노팩 발광소자와 그 패키지 구조체 및 제조방법

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