KR100916199B1 - Manufacturing method of single crystal substrate and manufacturing method of solar cell using it - Google Patents

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Abstract

본 발명은 단결정 구조를 갖는 단결정 기판 및 이를 이용한 태양전지의 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a single crystal substrate having a single crystal structure and a method of forming a solar cell using the same.

본 발명에 따른 단결정 기판의 형성방법은, 단결정의 제1 기판을 준비하는 단계; 상기 준비된 제1 기판 상에 버퍼층을 증착하는 단계; 상기 버퍼층 상에 제1 박막을 증착하는 단계; 상기 버퍼층 및 제1 박막이 순차 증착된 제1 기판을 상하 반전시키고 하부에 제2 기판을 위치시킨 후 열을 가하여 제1 박막 및 버퍼층을 제1 기판으로부터 분리시켜 제2 기판 상에 안착시키는 단계; 상기 제2 기판 상에 안착된 제1 박막 및 버퍼층 중 상부에 위치하는 버퍼층을 제거하는 단계; 및 상기 제1 박막 상에 제1 박막과 동일한 물질로 이루어진 제2 박막을 증착하여 제1 및 제2 박막으로 이루어진 단결정 기판을 형성하는 단계;를 포함하여 단결정의 구조를 갖는 단결정 기판을 형성함으로써 제1 기판을 재사용하여 재료비를 절감시키고 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Method for forming a single crystal substrate according to the present invention comprises the steps of preparing a first substrate of a single crystal; Depositing a buffer layer on the prepared first substrate; Depositing a first thin film on the buffer layer; Inverting the first substrate on which the buffer layer and the first thin film are sequentially deposited up and down, placing a second substrate at a lower portion thereof, and applying heat to separate the first thin film and the buffer layer from the first substrate and deposit the same on the second substrate; Removing a buffer layer disposed above the first thin film and the buffer layer deposited on the second substrate; And depositing a second thin film made of the same material as the first thin film on the first thin film to form a single crystal substrate made of the first and second thin films. 1 By reusing the substrate, there is an effect of reducing the material cost and improving the efficiency.

단결정, 태양전지, 기판, 박막, 가열, 접합층 Single crystal, solar cell, substrate, thin film, heating, bonding layer

Description

단결정 기판 및 이를 이용한 태양전지 형성방법{Manufacturing method of single crystal substrate and manufacturing method of solar cell using it}Manufacturing method of single crystal substrate and manufacturing method of solar cell using it}

본 발명은 단결정 기판 및 이를 이용한 태양전지 형성방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 단결정을 이루는 실리콘 기판 상에 버퍼층 및 얇은 박막을 순차적으로 적층시킨 다음 가열하여 버퍼층과 기판을 분리시키고 버퍼층을 제거하여 단결정의 얇은 두께의 박막을 얻을 수 있게 됨으로써 태양전지의 기판을 단결정으로 형성할 수 있으며 이를 이용한 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있는 단결정 기판 및 태양전지 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a single crystal substrate and a method for forming a solar cell using the same. More particularly, a buffer layer and a thin thin film are sequentially stacked on a single crystal silicon substrate, and then heated to separate the buffer layer and the substrate, and the buffer layer is removed. The present invention relates to a single crystal substrate and a method of forming a solar cell, which can form a substrate of a solar cell as a single crystal by obtaining a thin film having a thin thickness and can improve the efficiency of the solar cell using the same.

일반적으로, 태양전지의 발전원리는 일정 에너지를 갖는 광이 단결정 실리콘 또는 비결정 실리콘 반도체층에 입사되면 입사된 광과 상기 반도체층과의 상호작용에 의해 전자와 정공이 발생되고, 상기 반도체층 중 PN 접합에 따른 전계가 있을 경우 전자와 정공이 각기 N형 반도체층과 P형 반도체층에 확산하게 되며 이때 양 전극을 결선함으로써 전력을 생산할 수 있게 된다.In general, the principle of power generation of a solar cell is that when light having a constant energy is incident on a single crystal silicon or amorphous silicon semiconductor layer, electrons and holes are generated by the interaction of the incident light with the semiconductor layer, and PN of the semiconductor layer When there is an electric field due to the junction, electrons and holes are diffused into the N-type semiconductor layer and the P-type semiconductor layer, respectively, and power can be produced by connecting both electrodes.

이와 같은 발전원리의 태양전지를 소형배터리로 제작하여 휴대용 소형전자제품의 전원으로 적용하여 왔는데, 최근 전자 및 반도체 기술 등이 급격히 진보됨에 따라 태양전지의 특성향상과 소형화 및 비용절감을 중심으로 활발한 연구개발이 이루어져 왔다.The solar cell of the power generation principle has been manufactured as a small battery and applied as a power source for portable small electronic products. Recently, with the rapid advance of electronic and semiconductor technology, the active research focused on the improvement of solar cell characteristics, miniaturization and cost reduction. Development has been done.

이하, 관련도면을 참조하여 태양전지의 기판 형성방법에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of forming a substrate of a solar cell will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 4는 종래 기술에 의한 태양전지의 기판 형성방법을 순차적으로 나타낸 공정단면도이다.1 to 4 are process cross-sectional views sequentially illustrating a method of forming a substrate of a solar cell according to the prior art.

먼저, 도 1에 도시한 바와 같이, 실리콘 기판(11)을 준비한다. 그런 다음, 상기 준비된 실리콘 기판(11) 상에 다공질층(12)을 형성한다. 이때, 상기 다공질층(12)은 상기 실리콘 기판(11)과 이의 상부에 형성될 박막과 분리가 용이하게 이루어지도록 하기 위해서 형성한다.First, as shown in FIG. 1, the silicon substrate 11 is prepared. Then, a porous layer 12 is formed on the prepared silicon substrate 11. In this case, the porous layer 12 is formed to be easily separated from the thin film to be formed on the silicon substrate 11 and the upper portion thereof.

상기 다공질층(12)을 형성한 후, 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 다공질층(12) 상에 소정 두께를 갖는 박막(13)을 형성한다. 그런 다음, 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 다공질층(12) 및 박막(13)이 순차적으로 형성된 실리콘 기판(11)에 리프트 오프(lift-off) 방식의 공정을 진행하여 상기 실리콘 기판(11)으로부터 상기 다공질층(12) 및 박막(13)을 분리시킨다.After the porous layer 12 is formed, as shown in FIG. 2, a thin film 13 having a predetermined thickness is formed on the porous layer 12. 3, the silicon substrate 11 is subjected to a lift-off process on the silicon substrate 11 on which the porous layer 12 and the thin film 13 are sequentially formed. The porous layer 12 and the thin film 13 are separated from each other.

상기 다공질층(12) 및 박막(13)을 실리콘 기판(11)으로부터 분리시킨 후, 도 4에 도시한 바와 같이, 상기 다공질층(12) 및 박막(13)을 준비된 기판(14) 상부에 접합시킴으로써 태양전지의 기판을 형성한다.After the porous layer 12 and the thin film 13 are separated from the silicon substrate 11, as shown in FIG. 4, the porous layer 12 and the thin film 13 are bonded onto the prepared substrate 14. By forming a substrate of the solar cell.

이에 따라, 종래 기술에 의한 태양전지의 기판 형성방법은 하나의 실리콘 기판(11)을 통해 다수의 태양전지의 기판을 형성할 수 있게 됨으로써 실리콘 기판(11)의 재료비용이 줄어들게 됨에 따라 태양전지의 재료비를 절감할 수 있게 된다.Accordingly, the method of forming a substrate of a solar cell according to the prior art enables the formation of a plurality of solar cell substrates through a single silicon substrate 11, thereby reducing the material cost of the silicon substrate 11. Material costs can be reduced.

그러나, 상기와 같은 종래 기술에 의한 태양전지의 기판 형성방법은 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the substrate formation method of the solar cell according to the prior art as described above has the following problems.

종래 기술에 의한 태양전지의 기판 형성방법은, 상기 실리콘 기판(11)으로부터 박막(13)을 용이하게 분리시키기 위해 상기 실리콘 기판(11) 상에 다공질층(12)을 형성하게 되는데, 이때 형성되는 다공질층(12)에 의해 상기 실리콘 기판(11)이 이의 결정성을 잃게 되어 크리스탈의 단결정 형태가 손상됨으로써 이의 상부에 형성되는 박막(13) 또한 단결정 형태를 유지할 수 없게 됨에 따라 태양전지의 결함이 발생하여 신뢰성이 떨어지며, 이를 이용하여 형성된 태양전지의 효율이 떨어지는 문제점이 있었다.In the method of forming a substrate of a solar cell according to the related art, the porous layer 12 is formed on the silicon substrate 11 in order to easily separate the thin film 13 from the silicon substrate 11. As the silicon substrate 11 loses its crystallinity by the porous layer 12, the single crystal form of the crystal is damaged, and thus the thin film 13 formed on top thereof cannot maintain the single crystal form. There is a problem that the reliability is lowered, the efficiency of the solar cell formed by using this has a problem.

또한, 상기 실리콘 기판(11)의 상부 표면이 다공질층(12)에 의해 단결정을 잃게 됨으로써 상기 실리콘 기판(11)을 지속적으로 반복 사용할 수 없는 문제점이 있었다.In addition, since the upper surface of the silicon substrate 11 loses a single crystal by the porous layer 12, there is a problem in that the silicon substrate 11 may not be repeatedly used.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 단결정을 이루는 실리콘 기판 상에 버퍼층 및 얇은 박막을 순차적으로 적층시킨 다음 이를 가열하여 버퍼층과 기판을 분리시키고 버퍼층을 제거하여 단결정의 얇은 두께를 갖는 박막을 얻을 수 있게 됨으로써 태양전지의 기판을 단결정으로 형성할 수 있으며 이를 이용하여 형성된 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있는 단결정 기판 및 이를 이용한 태양전지 형성방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, by sequentially stacking a buffer layer and a thin thin film on a silicon substrate forming a single crystal and then heating it to separate the buffer layer and the substrate and remove the buffer layer to form a thin film having a thin thickness of the single crystal The purpose of the present invention is to provide a single crystal substrate and a method of forming a solar cell using the same, which can be used to form a substrate of a solar cell as a single crystal and improve the efficiency of the solar cell formed using the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 단결정 기판의 형성방법은, 단결정의 제1 기판을 준비하는 단계; 상기 준비된 제1 기판 상에 버퍼층을 증착하는 단계; 상기 버퍼층 상에 제1 박막을 증착하는 단계; 상기 버퍼층 및 제1 박막이 순차 증착된 제1 기판을 상하 반전시키고 하부에 제2 기판을 위치시킨 후 열을 가하여 제1 박막 및 버퍼층을 제1 기판으로부터 분리시켜 제2 기판 상에 안착시키는 단계; 상기 제2 기판 상에 안착된 제1 박막 및 버퍼층 중 상부에 위치하는 버퍼층을 제거하는 단계; 및 상기 제1 박막 상에 제1 박막과 동일한 물질로 이루어진 제2 박막을 증착하여 제1 및 제2 박막으로 이루어진 단결정 기판을 형성하는 단계;를 포함하여 단결정의 구조를 갖는 단결정 기판을 형성함으로써 제1 기판을 재사용하여 재료비를 절감시키고 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Method for forming a single crystal substrate according to the present invention for achieving the above object comprises the steps of preparing a first substrate of a single crystal; Depositing a buffer layer on the prepared first substrate; Depositing a first thin film on the buffer layer; Inverting the first substrate on which the buffer layer and the first thin film are sequentially deposited up and down, placing a second substrate at a lower portion thereof, and applying heat to separate the first thin film and the buffer layer from the first substrate and deposit the same on the second substrate; Removing a buffer layer disposed above the first thin film and the buffer layer deposited on the second substrate; And depositing a second thin film made of the same material as the first thin film on the first thin film to form a single crystal substrate made of the first and second thin films. 1 By reusing the substrate, there is an effect of reducing the material cost and improving the efficiency.

이때, 상기 버퍼층은 용융점이 상기 제1 기판의 용융점보다 낮은 물질인 금속 또는 산화물을 사용하며, 원자총을 이용하여 3㎚ 이하의 두께로 증착하는 것을 특징으로 한다.In this case, the buffer layer is characterized in that the melting point is lower than the melting point of the first substrate using a metal or an oxide, and is deposited to a thickness of 3nm or less using an atomic gun.

또한, 상기 제1 및 제2 박막은 실리콘을 형성되고 원자총을 이용하여 증착하며, 상기 제1 박막은 80㎚ 내지 120㎚ 범위의 두께로, 상기 제2 박막은 2000㎚ 내지 3000㎚ 범위의 두께로 증착하는 것이 바람직하다.In addition, the first and second thin films are formed of silicon and deposited using an atomic gun, the first thin film has a thickness in the range of 80nm to 120nm, the second thin film has a thickness in the range of 2000nm to 3000nm It is preferable to deposit with.

그리고, 상기 버퍼층을 제거하는 단계는 가열하여 버퍼층을 기화시키거나 인라인 에칭 공정을 통해 제거하는데 상기 가열공정에 의해 상기 제2 기판이 녹지 않게 하기 위해 제2 기판으로 용융점이 상기 버퍼층의 용융점보다 높은 물질을 사용한다. 또한, 상기 제2 박막을 증착하여 단결정 기판을 형성한 후 제2 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The removing of the buffer layer may be performed by heating to vaporize the buffer layer or removing the buffer layer through an in-line etching process, in order to prevent the second substrate from melting by the heating process. Use The method may further include removing the second substrate after depositing the second thin film to form a single crystal substrate.

아울러, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 태양전지의 형성방법은, 상기 방법에 의해 형성된 단결정 기판 형성방법에 의해 제작된 단결정 기판에 불순물을 주입한 후 에칭 공정을 진행하여 상부 표면에 요철 구조를 형성하는 단계; 상기 요철 구조가 형성된 단결정 기판 상에 접합층을 형성하는 단계; 및 상기 접합층 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함한다.In addition, the method for forming a solar cell according to the present invention for achieving the above object, by implanting impurities into a single crystal substrate produced by the method of forming a single crystal substrate formed by the method and proceeds the etching process to the uneven structure on the upper surface Forming a; Forming a bonding layer on the single crystal substrate having the uneven structure formed thereon; And forming an electrode on the bonding layer.

이때, 상기 단결정 기판 상에 형성되는 요철 구조는 피라미드, 사다리꼴 또는 톱니형상 중 선택된 어느 하나의 구조이며, 상기 접합층은 플라즈마 CVD 공정 또는 유도결합형 플라즈마 CVD 공정을 진행하여 형성되는 것을 특징으로 한다.In this case, the uneven structure formed on the single crystal substrate is any one selected from pyramid, trapezoid or sawtooth shape, and the bonding layer is formed by performing a plasma CVD process or an inductively coupled plasma CVD process.

또한, 상기 전극은 도전성의 투명물질의 ITO 전극인 것을 특징으로 하며, 상기 전극을 형성한 후 상기 전극 상에 반사반지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the electrode is characterized in that the ITO electrode of a conductive transparent material, and further comprising the step of forming a reflective ring film on the electrode after forming the electrode.

단결정을 이루는 실리콘 기판 상에 버퍼층 및 얇은 박막을 순차적으로 적층시킨 다음 이를 가열하여 버퍼층과 기판을 분리시키고 버퍼층을 제거하여 단결정의 얇은 두께를 갖는 박막을 얻을 수 있게 됨으로써 태양전지의 기판을 단결정으로 형성할 수 있는 효과가 있다.By sequentially stacking a buffer layer and a thin thin film on a silicon substrate forming a single crystal, and then heating it to separate the buffer layer and the substrate and removing the buffer layer to obtain a thin film having a thin thickness of the single crystal to form a substrate of the solar cell as a single crystal It can work.

또한, 태양전지의 기판을 얇은 박막으로 형성함으로써 태양전지의 크기를 줄일 수 있으며, 기판을 단결정으로 형성함으로써 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있게 됨에 따라 태양전지의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the size of the solar cell can be reduced by forming a thin film of the solar cell substrate, and the efficiency of the solar cell can be improved by forming the substrate as a single crystal, thereby improving the reliability of the solar cell. .

본 발명에 따른 단결정 기판 및 태양전지 형성방법에 대한 구체적인 형성방법 및 그 효과에 관한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 도면을 참조한 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.Details regarding the method of forming a single crystal substrate and the method of forming the solar cell according to the present invention and the effects thereof will be clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention.

단결정 기판의 형성방법Formation method of single crystal substrate

이하, 도 5 내지 도 10을 참조하여 본 발명에 따른 단결정 기판의 형성방법에 대하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of forming a single crystal substrate according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 10.

도 5 내지 도 10은 본 발명에 따른 단결정 기판 형성방법을 순차적으로 나타낸 공정단면도이다.5 to 10 are process cross-sectional views sequentially showing a method of forming a single crystal substrate according to the present invention.

우선, 본 발명에 따른 단결정 기판 형성방법은, 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 기판(110)을 준비한다. 이때, 상기 제1 기판(110)은 결정구조가 단결정으로 이루어지는 실리콘을 사용하여 형성하는데 상기 제1 기판(110)을 단결정의 실리콘으로 형성하는 이유는 후속공정에 의해 형성되는 제1 박막의 결정구조를 단결정으로 형성하기 위해서이다.First, in the method for forming a single crystal substrate according to the present invention, as shown in FIG. 5, the first substrate 110 is prepared. At this time, the first substrate 110 is formed using silicon having a single crystal structure, but the reason for forming the first substrate 110 with single crystal silicon is a crystal structure of the first thin film formed by a subsequent process. Is to form a single crystal.

상기 제1 기판(110)을 준비한 후, 상기 제1 기판(110) 상에 버퍼층(120)을 형성한다. 이때, 상기 버퍼층(120)은 용융점이 상기 제1 기판(110)의 용융점보다 낮은 물질을 사용하여 형성하는데 주로 금속 또는 산화물 중 선택된 물질을 사용하여 형성하며, 상기 제1 기판(110)의 단결정 구조를 유지하기 위하여 원자크기가 상기 제1 기판(110)의 원자크기와 동일 또는 유사한 것을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 버퍼층(120)의 증착방법은 원자총을 이용하여 상기 버퍼층(120)을 얇은 두께로 증착한다. After preparing the first substrate 110, a buffer layer 120 is formed on the first substrate 110. In this case, the buffer layer 120 is formed using a material having a melting point lower than the melting point of the first substrate 110, and is mainly formed using a material selected from a metal or an oxide, and has a single crystal structure of the first substrate 110. In order to maintain the atomic size, the atomic size is preferably formed using the same or similar to the atomic size of the first substrate 110. In the deposition method of the buffer layer 120, the buffer layer 120 is deposited to a thin thickness using an atomic gun.

특히, 상기 버퍼층(120)은 3㎚ 이하의 두께로 증착하는 것이 바람직하다. 그 이유는 상기 버퍼층(120)을 3㎚ 이상의 두께로 증착할 경우 상기 버퍼층(120)의 결정구조가 이의 하부에 있는 제1 기판(110)의 결정구조를 유지하는 것이 아니라 버퍼층(120) 고유의 결정구조를 이루게 됨으로써 제1 기판(110)의 단결정 구조를 유지하기 위해 상기 버퍼층(120)을 3㎚ 이하의 두께로 증착한다. 또한, 상기 버퍼층(120)을 후속공정에 의해 상기 제1 기판(110)으로부터 분리한 후 이를 제거하게 되는데 버퍼층(120)을 3㎚ 이상의 두께로 증착할 경우 이의 분리를 위해 진행되는 공정 및 이를 제거하기 위한 공정의 시간이 증가하게 되어 전반적인 기판 형성시간 이 증가하게 되는 문제점을 방지하기 위해서 상기 버퍼층(120)을 3㎚ 이하의 두께로 증착한다.In particular, the buffer layer 120 is preferably deposited to a thickness of less than 3nm. The reason is that when the buffer layer 120 is deposited to a thickness of 3 nm or more, the crystal structure of the buffer layer 120 does not maintain the crystal structure of the first substrate 110 under the buffer layer 120. By forming a crystal structure, the buffer layer 120 is deposited to a thickness of 3 nm or less to maintain the single crystal structure of the first substrate 110. In addition, the buffer layer 120 is separated from the first substrate 110 by a subsequent process, and then removed. When the buffer layer 120 is deposited to a thickness of 3 nm or more, a process that is performed for separation thereof and removal thereof are performed. The buffer layer 120 is deposited to a thickness of 3 nm or less in order to increase the time required for the process to increase the overall substrate formation time.

상기 버퍼층(120)을 증착한 후, 도 6에 도시한 바와 같이, 상기 버퍼층(120) 상에 제1 박막(130)을 증착한다. 이렇게 상기 단결정을 유지하는 버퍼층(120)에 제1 박막(130)을 형성하게 됨으로써 제1 박막(130)도 상기 버퍼층(120)과 동일한 결정인 단결정 구조를 유지하며 증착된다. 이때, 상기 제1 박막(130)은 용융점이 상기 버퍼층(120) 보다 높은 물질을 사용하며 대표적으로 실리콘을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제1 박막(130)은 버퍼층(120)의 증착방법과 동일하게 원자총을 이용하여 서서히 진행함으로써 단결정 구조의 결정성이 흐트러지지 않도록하여 얇은 두께로 증착한다.After depositing the buffer layer 120, as illustrated in FIG. 6, the first thin film 130 is deposited on the buffer layer 120. The first thin film 130 is formed in the buffer layer 120 holding the single crystal. Thus, the first thin film 130 is also deposited while maintaining the single crystal structure, which is the same crystal as the buffer layer 120. In this case, the first thin film 130 may be formed of a material having a melting point higher than that of the buffer layer 120 and typically using silicon. In addition, the first thin film 130 is deposited in a thin thickness so as not to disturb the crystallinity of the single crystal structure by advancing gradually using an atomic gun in the same manner as the deposition method of the buffer layer 120.

특히, 상기 제1 박막(130)은 80㎚ 내지 120㎚ 범위의 두께로 증착하는 것이 바람직하다. 그 이유는 상기 제1 박막(130)을 120㎚ 이상의 두께로 증착하게 될 경우 제1 기판(110)으로부터 상기 버퍼층(120)을 제거하는 공정에서 상기 제1 박막(130)의 두께에 의해 버퍼층(120) 제거 공정이 길어지며, 상기 제1 박막(130)을 80㎚ 이하의 두께로 증착하게 될 경우 상기 버퍼층(120)의 제거 공정시 영향을 받을 수 있기 때문에 상기 제1 박막(130)을 80㎚ 내지 12㎚ 범위의 두께로 증착하는 것이 바람직하다.In particular, the first thin film 130 is preferably deposited to a thickness in the range of 80nm to 120nm. The reason is that when the first thin film 130 is deposited to a thickness of 120 nm or more, the buffer layer may be formed by the thickness of the first thin film 130 in the process of removing the buffer layer 120 from the first substrate 110. 120) The removal process is long, and if the first thin film 130 is deposited to a thickness of 80 nm or less, the first thin film 130 may be affected by 80 because it may be affected during the removal process of the buffer layer 120. It is desirable to deposit to a thickness in the range of nm to 12 nm.

상기 제1 박막(130)을 증착한 후, 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 버퍼층(120) 및 제1 박막(130)이 순차적으로 적층된 제1 기판(110)을 상하 반전시키고 상기 반전된 제1 기판(110)의 하부에 제2 기판(140)을 위치시킨다. 그런 다음, 상 기 제1 기판(110)을 일정 온도로 가열하게 되는데 도 8에 도시한 바와 같이, 상기 가열공정은 상기 제1 기판(110)으로부터 버퍼층(120)이 분리될 때까지 진행하여 분리시킨다.After depositing the first thin film 130, as shown in FIG. 7, the first substrate 110 on which the buffer layer 120 and the first thin film 130 are sequentially stacked is vertically inverted and the inverted The second substrate 140 is positioned below the first substrate 110. Then, the first substrate 110 is heated to a predetermined temperature. As shown in FIG. 8, the heating process proceeds until the buffer layer 120 is separated from the first substrate 110. Let's do it.

상기 제1 기판(110)으로부터 버퍼층(120)이 분리되면 상기 제1 박막(130) 및 버퍼층(120)은 제2 기판(140)이 위치한 하방향으로 떨어지게 된다. 이에 따라, 도 9에 도시한 바와 같이, 상기 제1 박막(130)이 상기 제2 기판(140)의 상부에 안착되고 상기 제1 박막(130)의 상부에는 버퍼층(120)이 위치하게 된다. When the buffer layer 120 is separated from the first substrate 110, the first thin film 130 and the buffer layer 120 may fall in a downward direction in which the second substrate 140 is located. Accordingly, as shown in FIG. 9, the first thin film 130 is seated on the second substrate 140 and the buffer layer 120 is positioned on the first thin film 130.

이때, 상기 제2 기판(140)은 용융점이 상기 버퍼층(120)의 용융점보다 높은 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 그 이유는, 상기 버퍼층(120)을 제1 기판(110)으로부터 분리시키기 위한 가열공정에서 버퍼층(120)보다 제2 기판(140)의 용융점이 낮을 경우 제2 기판(140)이 녹게 됨에 따라 이의 상부에 안착되는 상기 박막(130)의 형태가 변형됨으로써 이를 방지하기 위해 용융점이 버퍼층(120)보다 높은 물질을 사용한다.In this case, it is preferable that the melting point of the second substrate 140 is higher than the melting point of the buffer layer 120. The reason for this is that when the melting point of the second substrate 140 is lower than that of the buffer layer 120 in the heating process for separating the buffer layer 120 from the first substrate 110, the second substrate 140 melts. In order to prevent the deformation of the thin film 130 seated on the top, a material having a higher melting point than the buffer layer 120 is used.

상기 제1 박막(130) 및 버퍼층(120)을 상기 제1 기판(110)으로부터 분리시켜 제2 기판(140)에 안착시킨 후, 가열 공정을 진행하여 상기 버퍼층(120)을 기화시켜 제거하거나 또는 인라인 에칭(In-line Etching) 공정을 진행하여 버퍼층(120) 만을 제거한다. 이때 진행되는 상기 가열 공정은 상기 버퍼층(120)의 용융점 온도에서 진행하여 상기 버퍼층(120)을 기화시키는 것이 바람직하다.After separating the first thin film 130 and the buffer layer 120 from the first substrate 110 to be seated on the second substrate 140, the heating process is performed to evaporate the buffer layer 120 to remove or In-line etching is performed to remove only the buffer layer 120. In this case, the heating process may be performed at the melting point temperature of the buffer layer 120 to vaporize the buffer layer 120.

상기 버퍼층(120)을 제거한 후, 도 10에 도시한 바와 같이, 상기 제1 박막(130) 상에 이와 동일한 물질로 이루어진 제2 박막(150)을 증착함으로써 제1 및 제2 박막(130, 150)으로 이루어진 단결정 기판(200)을 완성한다. 상기 형성된 제2 박막(150)의 물질로써 실리콘을 사용하는 것이 바람직하다.After removing the buffer layer 120, as shown in FIG. 10, the first and second thin films 130 and 150 are deposited by depositing a second thin film 150 made of the same material on the first thin film 130. The single crystal substrate 200 made of) is completed. It is preferable to use silicon as the material of the formed second thin film 150.

이때, 상기 제2 박막(150)은 상기 제1 박막(130) 상에 원자총을 사용하여 형성하는데 그 두께는 2000㎚ 내지 3000㎚ 범위의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 그 이유는, 상기 제2 박막(150)을 3000㎚ 이상의 두께로 형성할 경우, 이를 이용하여 형성될 태양전지의 크기가 커지는 단점이 있으며 2000㎚ 이하의 두께로 형성할 경우 단결정 기판(200)의 두께가 너무 얇게 되어 이를 이용하여 태양전지를 형성할 경우 효율이 떨어질 수 있는 단점이 있기 때문에 상기 제2 박막(150)의 두께를 2000㎚ 내지 3000㎚ 범위로 증착한다.In this case, the second thin film 150 is formed on the first thin film 130 using an atomic gun, the thickness of which is preferably formed in a thickness in the range of 2000 nm to 3000 nm. The reason is that when the second thin film 150 is formed to have a thickness of 3000 nm or more, the size of the solar cell to be formed using the same increases, and when the second thin film 150 is formed to have a thickness of 2000 nm or less, The thickness of the second thin film 150 is deposited in the range of 2000 nm to 3000 nm because the thickness is so thin that there is a disadvantage that the efficiency may be reduced when the solar cell is formed using the same.

한편, 상기 제1 및 제2 박막(130, 150)으로 이루어진 단결정 기판(200)은 상기 제2 기판(140)을 제거하지 않고 이와 함께 사용할 수 있으며, 상기 단결정 기판(200) 형성 후 상기 제2 기판(140)을 제거하여 단결정 기판(200) 만을 독립적으로 사용할 수 있다. Meanwhile, the single crystal substrate 200 including the first and second thin films 130 and 150 may be used together without removing the second substrate 140, and after forming the single crystal substrate 200, the second crystal substrate 200 may be used. By removing the substrate 140, only the single crystal substrate 200 may be used independently.

상기와 같은 방법에 의해 형성된 단결정 기판(200)은 종래와 같이 상기 제1 기판(110) 상에 다공질층(12)을 형성하지 않고 이와 유사한 크기의 원자로 이루어지는 버퍼층(120)을 3㎚ 이하의 두께로 형성하여 제1 기판(110)의 상부표면을 손상시키지 않음으로써 상기 제1 기판(110)을 영구적으로 재사용할 수 있게 됨에 따라 재료비를 절감시킬 수 있는 장점이 있다.The single crystal substrate 200 formed by the above method does not form the porous layer 12 on the first substrate 110 as in the prior art, and has a thickness of 3 nm or less of the buffer layer 120 formed of atoms having a similar size. By forming the first substrate 110 without damaging the upper surface of the first substrate 110, the first substrate 110 can be permanently reused, thereby reducing the material cost.

또한, 상기 버퍼층(120)의 두께를 3㎚ 이하의 두께로 형성하여 상기 제1 기판(110)의 결정구조와 동일한 단결정 구조를 유지할 수 있고 이에 따라 상기 버퍼 층(120) 상에 형성되는 제1 박막(130)을 버퍼층(120)과 동일한 단결정으로 형성함으로써 단결정 구조를 갖는 단결정 기판(150)을 형성할 수 있게 되어 이를 이용하여 태양전지를 형성할 경우 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있으며 불량률을 감소시켜 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, the thickness of the buffer layer 120 may be formed to a thickness of 3 nm or less to maintain a single crystal structure identical to the crystal structure of the first substrate 110, thereby forming a first layer formed on the buffer layer 120. By forming the thin film 130 into the same single crystal as the buffer layer 120, it is possible to form a single crystal substrate 150 having a single crystal structure, when using this to form a solar cell can improve the efficiency of the solar cell and improve the defect rate There is an advantage to improve the reliability by reducing.

태양전지의 제조방법Manufacturing method of solar cell

이하, 도 11 내지 도 13을 참조하여 본 발명에 다른 태양전지의 형성방법에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 다만, 제1 실시예의 구성 중 제2 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고, 제2 실시예에서 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다. Hereinafter, a method of forming another solar cell according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 11 to 13. However, the description of the same parts as those of the second embodiment of the configuration of the first embodiment will be omitted, and only the configuration that is different from the second embodiment will be described in detail.

도 11 내지 도 13은 본 발명에 따른 태양전지의 형성방법을 순차적으로 나타낸 공정단면도이다.11 to 13 are process cross-sectional views sequentially illustrating a method of forming a solar cell according to the present invention.

우선, 도 11에 도시한 바와 같이, 상술한 방법에 의해 형성된 단결정 기판(200)을 준비한다. 상기 준비된 단결정 기판(200) 상에 N형 또는 P형의 불순물 중 선택된 불순물을 주입한다.First, as shown in FIG. 11, the single crystal substrate 200 formed by the method mentioned above is prepared. An impurity selected from N-type or P-type impurities is implanted into the prepared single crystal substrate 200.

상기 불순물을 주입한 후, 상기 단결정 기판(200) 상에 에칭 공정을 진행한다. 이때, 상기 진행되는 에칭 공정은 습식 또는 건식 에칭 등 사용자 및 단결정 기판(200)에 의해 선택된다.After implanting the impurity, an etching process is performed on the single crystal substrate 200. At this time, the ongoing etching process is selected by the user and the single crystal substrate 200, such as wet or dry etching.

상기 단결정 기판(200) 상에 에칭 공정을 진행하게 되면, 도 12에 도시한 바와 같이, 상기 단결정 기판(200) 상부 표면에 피라미드 구조의 요철이 형성된다. 이때, 상기 피라미드 구조의 요철 형상은 태양전지의 표면적을 넓게 하여 효율을 향상시키기 위해 형성하는 것이며, 이때 상기 요철의 구조는 피라미드에 한정되지 않고 사다리꼴, 톱니형상 등 표면적을 증가시키기 위한 다양한 구조로 형성될 수 있다.When the etching process is performed on the single crystal substrate 200, as shown in FIG. 12, irregularities having a pyramid structure are formed on an upper surface of the single crystal substrate 200. At this time, the uneven shape of the pyramid structure is to increase the surface area of the solar cell to improve the efficiency, wherein the uneven structure is not limited to the pyramid is formed in various structures for increasing the surface area, such as trapezoid, sawtooth shape, etc. Can be.

상기 단결정 기판(200) 상부 표면에 요철을 형성한 다음, 도 13에 도시한 바와 같이, I형 실리콘층(211)과 P형 또는 N형 실리콘층(212)을 순차적으로 적층하여 접합층(210)을 형성한다. 이때, 상기 P형 또는 N형 실리콘층(212)은 상기 단결정 기판(200)에 주입된 불순물에 의해 선택되는데, 상기 단결정 기판(200)에 주입된 불순물이 N형 불순물일 경우 P형 실리콘층(212)으로 형성하고 상기 단결정 기판(200)에 주입된 불순물이 P형 불순물일 경우 N형 실리콘층(212)으로 형성한다.After the irregularities are formed on the upper surface of the single crystal substrate 200, as shown in FIG. 13, the I-type silicon layer 211 and the P-type or N-type silicon layer 212 are sequentially stacked to form a bonding layer 210. ). In this case, the P-type or N-type silicon layer 212 is selected by the impurities injected into the single crystal substrate 200. When the impurities injected into the single crystal substrate 200 are N-type impurities, the P-type silicon layer ( 212) and when the impurity implanted into the single crystal substrate 200 is a P-type impurity, an N-type silicon layer 212 is formed.

이때, 상기 N형 실리콘층(212)은 인(P:Phosphorous), 질소(N:Nitrogen) 등과 같이 N형의 불순물이 도핑(doping)된 층이며, I형 실리콘층(212)은 불순물을 포함하지 않는 층인 유전체층으로 형성하는 것이 바람직하고, 상기 P형 실리콘층(212)은 붕소(boron) 등의 제3족 원소인 P형 불순물이 도핑된 층이다. In this case, the N-type silicon layer 212 is a layer doped with N-type impurities, such as phosphorous (P: phosphorous) and nitrogen (N: Nitrogen), and the I-type silicon layer 212 includes impurities The P-type silicon layer 212 is preferably a layer doped with a P-type impurity, which is a Group 3 element such as boron.

이렇게 형성된 접합층(210)은 플라즈마 CVD(Plasma Chemical Vapor Deposition) 공정 또는 유도결합형 플라즈마 CVD 공정등의 CVD 공정을 통하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 접합층(210)은 CuInGaSe 또는 CdTe 화합물 반도체층으로 형성할 수 있다.The bonding layer 210 formed as described above may be formed through a CVD process such as a plasma chemical vapor deposition (CVD) process or an inductively coupled plasma CVD process. In addition, the bonding layer 210 may be formed of a CuInGaSe or CdTe compound semiconductor layer.

또한, 상기 접합층(210)은 외부로부터 입사되는 빛과 상호작용에 의해 전자와 정공이 발생되고, 상기 전자는 N형 실리콘층으로 상기 정공은 P형 실리콘층으로 각기 확산하게 된다. 이때, 상기 N형 실리콘층과 P형 실리콘층을 결선하게 되면 상기 확산된 전자 및 정공의 이동에 의해 전력이 생성되게 된다.In addition, the bonding layer 210 generates electrons and holes by interaction with light incident from the outside, and the electrons diffuse into the N-type silicon layer and the holes into the P-type silicon layer, respectively. At this time, when the N-type silicon layer and the P-type silicon layer are connected, electric power is generated by the movement of the diffused electrons and holes.

특히, 상기와 같이 피라미드 또는 사다리꼴 구조의 요철에 의해 상기 태양전지의 표면적이 평평한 면일 경우보다 넓어지게 되면 평평한 면일 경우보다 더 많은 전력을 생성할 수 있어 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In particular, when the surface area of the solar cell is wider than the flat surface by the unevenness of the pyramid or trapezoidal structure as described above, it is possible to generate more power than the flat surface, thereby improving efficiency.

이와 같은 역할을 하는 접합층(210)을 상기 단결정 기판(200) 상에 형성한 후, 상기 접합층(210) 상에 전도성 물질의 전극(220)을 형성한다. 이때, 상기 전극(220)은 외부로부터 입사되는 빛을 상기 접합층(210)으로 통과시키기 위해 도전성의 투명 전극을 사용하여 형성하고, 빛을 통과시키기 위해 ITO 전극 사용하여 형성하는 것이 바람직하며, 이의 형성은 스퍼터링(spattering) 공정 또는 진공증착법을 이용할 수 있다.After forming the bonding layer 210, which plays such a role on the single crystal substrate 200, an electrode 220 of a conductive material is formed on the bonding layer 210. At this time, the electrode 220 is formed using a conductive transparent electrode to pass the light incident from the outside to the bonding layer 210, it is preferable to form using an ITO electrode to pass the light, its Formation may use a sputtering process or a vacuum deposition method.

한편, 상기 전극(220) 상에 외부로부터 입사된 빛이 상기 단결정 기판(200)에 의해 반사되어 외부로 방출되는 것을 방지하기 위한 반사방지막(미도시함)을 더 형성할 수 있다. 이때, 상기 반사방지막은 반사되어 외부로 방출되는 빛을 차단할 수 있게 됨으로써 전력생성의 효율을 증가시킬 수 있는 이점이 있다.Meanwhile, an antireflection film (not shown) may be further formed on the electrode 220 to prevent light incident from the outside from being reflected by the single crystal substrate 200 and emitted to the outside. At this time, the anti-reflection film has the advantage that can be blocked by the light emitted to the outside to increase the efficiency of power generation.

이와 같이, 본 발명에 따른 태양전지 형성방법은 단결정 구조를 갖는 단결정 기판(200)을 사용하여 형성함으로써 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있으며, 얇은 두께의 단결정 기판(200)을 사용하게 됨에 따라 태양전지의 크기를 줄일 수 있는 효과가 있다.As described above, the solar cell forming method according to the present invention has an advantage of improving efficiency by forming using the single crystal substrate 200 having a single crystal structure, and using the single crystal substrate 200 having a thin thickness. There is an effect that can reduce the size of the battery.

이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이러한 치환, 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.Preferred embodiments of the present invention described above are disclosed for the purpose of illustration, and various substitutions, modifications, and changes within the scope of the technical spirit of the present invention for those skilled in the art to which the present invention pertains. It will be appreciated that such substitutions, changes, and the like should be considered to be within the scope of the following claims.

도 1 내지 도 4는 종래 기술에 의한 태양전지의 기판 형성방법을 순차적으로 나타낸 공정단면도.1 to 4 are process cross-sectional views sequentially showing a method of forming a substrate of a solar cell according to the prior art.

도 5 내지 도 10은 본 발명에 따른 단결정 기판 형성방법을 순차적으로 나타낸 공정단면도.5 to 10 are process cross-sectional views sequentially showing a method of forming a single crystal substrate according to the present invention.

도 11 내지 도 13은 본 발명에 따른 태양전지의 형성방법을 순차적으로 나타낸 공정단면도.11 to 13 are cross-sectional views sequentially showing a method of forming a solar cell according to the present invention.

< 도면의 간단한 설명 ><Brief Description of Drawings>

110 : 제1 기판 120 : 버퍼층110: first substrate 120: buffer layer

130 : 제1 박막 140 : 제2 기판130: first thin film 140: second substrate

150 : 제2 박막 200 : 단결정 기판150: second thin film 200: single crystal substrate

210 : 접합층 211 : I형 실리콘층210: bonding layer 211: I type silicon layer

212 : P형 또는 N형 실리콘층 220 : 전극212: P-type or N-type silicon layer 220: electrode

Claims (21)

단결정의 제1 기판을 준비하는 단계;Preparing a single crystal first substrate; 상기 준비된 제1 기판 상에 버퍼층을 증착하는 단계;Depositing a buffer layer on the prepared first substrate; 상기 버퍼층 상에 제1 박막을 증착하는 단계;Depositing a first thin film on the buffer layer; 상기 버퍼층 및 제1 박막이 순차 증착된 제1 기판을 상하 반전시키고 하부에 제2 기판을 위치시킨 후 열을 가하여 제1 박막 및 버퍼층을 제1 기판으로부터 분리시켜 제2 기판 상에 안착시키는 단계;Inverting the first substrate on which the buffer layer and the first thin film are sequentially deposited up and down, placing a second substrate at a lower portion thereof, and applying heat to separate the first thin film and the buffer layer from the first substrate and deposit the same on the second substrate; 상기 제2 기판 상에 안착된 제1 박막 및 버퍼층 중 상부에 위치하는 버퍼층을 제거하는 단계; 및Removing a buffer layer disposed above the first thin film and the buffer layer deposited on the second substrate; And 상기 제1 박막 상에 제1 박막과 동일한 물질로 이루어진 제2 박막을 증착하여 제1 및 제2 박막으로 이루어진 단결정 기판을 형성하는 단계;를 포함하며,And depositing a second thin film made of the same material as the first thin film on the first thin film to form a single crystal substrate made of the first and second thin films. 상기 버퍼층은 용융점이 상기 제1 기판의 용융점보다 낮은 물질을 사용하는 단결정 기판 형성방법.The buffer layer is a method of forming a single crystal substrate using a material having a melting point lower than the melting point of the first substrate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 버퍼층은 금속 또는 산화물을 사용하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 형성방법.The buffer layer is a method of forming a single crystal substrate, characterized in that using a metal or oxide. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 버퍼층은 3㎚ 이하의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 형성방법. Wherein said buffer layer is deposited to a thickness of 3 nm or less. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 버퍼층은 원자총을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 형성방법.Wherein the buffer layer is deposited using an atomic gun. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 및 제2 박막은 실리콘을 사용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 형성방법.And the first and second thin films are deposited using silicon. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 및 제2 박막은 원자총을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 형성방법.And the first and second thin films are deposited using an atomic gun. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 박막은 80㎚ 내지 120㎚ 범위의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 형성방법.Wherein the first thin film is deposited to a thickness in the range of 80 nm to 120 nm. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 박막은 2000㎚ 내지 3000㎚ 범위의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 형성방법.And the second thin film is deposited to a thickness in the range of 2000 nm to 3000 nm. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 버퍼층을 제거하는 단계는 가열하여 버퍼층을 기화시키거나 인라인 에칭 공정을 통해 제거하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 형성방법.The removing of the buffer layer may include heating to vaporize the buffer layer or removing the buffer layer through an inline etching process. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 기판은 용융점이 상기 버퍼층의 용융점보다 높은 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 형성방법.And the second substrate is formed of a material having a melting point higher than that of the buffer layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 박막을 증착하여 단결정 기판을 형성한 후 제2 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 형성방법.And depositing the second thin film to form a single crystal substrate, and then removing the second substrate. 청구항 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 단결정 기판 형성방법에 의해 제작된 단결정 기판에 불순물을 주입한 후 에칭 공정을 진행하여 상부 표면에 요철 구조를 형성하는 단계;12. A method of forming a concave-convex structure on an upper surface by injecting impurities into a single crystal substrate produced by the single crystal substrate forming method according to any one of claims 1 to 11, and then performing an etching process; 상기 요철 구조가 형성된 단결정 기판 상에 접합층을 형성하는 단계; 및Forming a bonding layer on the single crystal substrate having the uneven structure formed thereon; And 상기 접합층 상에 전극을 형성하는 단계;Forming an electrode on the bonding layer; 를 포함하는 태양전지 형성방법.Solar cell forming method comprising a. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 단결정 기판 상에 형성되는 요철 구조는 피라미드, 사다리꼴 또는 톱니형상 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지 형성방법.The uneven structure formed on the single crystal substrate is any one selected from pyramid, trapezoid or serrated shape. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 단결정 기판에 불순물을 주입하는 단계에서 상기 불순물은 N형 또는 P형 불순물인 것을 특징으로 하는 태양전지 형성방법.In the step of injecting the impurity into the single crystal substrate, the impurity is a solar cell forming method characterized in that the N-type or P-type impurities. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 단결정 기판에 주입된 불순물이 N형일 경우, 상기 접합층은 I형 실리콘층 및 P형 실리콘층이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 태양전지 형성방법.When the impurity injected into the single crystal substrate is N-type, the bonding layer is a solar cell forming method characterized in that the I-type silicon layer and the P-type silicon layer are sequentially stacked. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 단결정 기판에 주입된 불순물이 P형일 경우, 상기 접합층은 I형 실리콘층 및 N형 실리콘층이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 태양전지 형성방법.If the impurity injected into the single crystal substrate is P-type, the junction layer is a solar cell forming method characterized in that the I-type silicon layer and the N-type silicon layer are sequentially stacked. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 접합층은 플라즈마 CVD 공정 또는 유도결합형 플라즈마 CVD 공정을 진행하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 형성방법.The bonding layer is formed by performing a plasma CVD process or an inductively coupled plasma CVD process. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 전극은 도전성의 투명물질을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 형성방법.The electrode is a solar cell forming method, characterized in that formed using a conductive transparent material. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 전극은 ITO 전극인 것을 특징으로 하는 태양전지 형성방법.The electrode is a solar cell forming method, characterized in that the ITO electrode. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 전극을 형성한 후 상기 전극 상에 반사반지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 형성방법.And forming a reflective ring film on the electrode after the electrode is formed. 삭제delete
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