KR20090017760A - Substrate of solar cell and manufacturing method thereof - Google Patents

Substrate of solar cell and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20090017760A
KR20090017760A KR1020070082157A KR20070082157A KR20090017760A KR 20090017760 A KR20090017760 A KR 20090017760A KR 1020070082157 A KR1020070082157 A KR 1020070082157A KR 20070082157 A KR20070082157 A KR 20070082157A KR 20090017760 A KR20090017760 A KR 20090017760A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solar cell
organic substrate
substrate
type silicon
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020070082157A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
강형동
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020070082157A priority Critical patent/KR20090017760A/en
Publication of KR20090017760A publication Critical patent/KR20090017760A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0236Special surface textures
    • H01L31/02366Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

A substrate of solar cell and manufacturing method thereof are provided to simplify the manufacturing process by forming the organic substrate as the lower substrate and printing the uneven structure of the pyramid shape with the imprinting method. The organic substrate(110) and the tool foi whose bottom part has concavo-convex are prepared. The tool foil is positioned on the organic substrate. Pressure is added to the tool foil and the tool foil is compressed on the organic substrate. The tool foil is separated from the organic substrate and the concavo-convex is formed at the upper part of the organic substrate. The concavo-convex formed in the upper part of the organic substrate is the pyramid or the trapezoidal shape. The organic substrate is an organic plastic film by the UV curing or the thermal curing. The melting point of the tool foil is higher than that of the organic substrate.

Description

태양전지의 기판 및 그 제조방법{Substrate of Solar Cell and Manufacturing Method thereof}Substrate of Solar Cell and Manufacturing Method

본 발명은 유기기판을 하부기판으로 사용하여 상기 유기기판 상부에 임프린팅 기법으로 피라미드 형상의 요철구조를 프린팅하여 형성함으로써 제조 공정을 단순화시킬 수 있으며, 실리콘 기판보다 상대적으로 저렴한 유기기판을 사용함으로써 재료비를 절감시킬 수 있는 태양전지의 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention can simplify the manufacturing process by printing a pyramid-shaped concave-convex structure by imprinting the upper part of the organic substrate using an organic substrate as a lower substrate, material costs by using an organic substrate relatively cheaper than a silicon substrate It relates to a substrate and a method of manufacturing the solar cell that can reduce the.

일반적으로, 태양전지의 발전원리는 적당한 에너지를 갖는 광이 단결정 실리콘 또는 비결정 실리콘 반도체층에 입사되면 입사된 광과 상기 반도체층과의 상호작용에 의해 전자와 정공이 발생되고, 상기 반도체층 중 PN 접합에 따른 전계가 있을 경우 전자와 정공이 각기 n형 반도체층과 p형 반도체층에 확산하게 되며 이때 양 전극을 결선함으로써 전력을 생산할 수 있게 된다.In general, the principle of power generation of a solar cell is that when light having an appropriate energy is incident on a single crystal silicon or amorphous silicon semiconductor layer, electrons and holes are generated by the interaction of the incident light with the semiconductor layer. When there is an electric field due to the junction, electrons and holes are diffused into the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer, respectively, and power can be produced by connecting both electrodes.

이와 같은 발전원리의 태양전지를 소형배터리로 제작하여 휴대용 소형전자제품의 전원으로 적용하여 왔는데, 최근 전자 및 반도체 기술 등이 급격히 진보됨에 따라 태양전지의 특성향상과 비용절감을 중심으로 활발한 연구개발이 이루어져 왔다.The solar cell of the power generation principle has been manufactured as a small battery and applied as a power source for portable small electronic products. Recently, with the rapid advance of electronic and semiconductor technology, active research and development is focused on the improvement of solar cell characteristics and cost reduction. Has been made.

이하, 관련도면을 참조하여 실리콘 기판을 이용한 태양전지의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a solar cell using a silicon substrate will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 3은 종래 기술에 의한 태양전지의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정단면도이다.1 to 3 are process cross-sectional views sequentially showing a method of manufacturing a solar cell according to the prior art.

먼저, 도 1에 도시한 바와 같이, n형 단결정 실리콘 기판(1)을 준비한다. 그런 다음, 상기 준비된 단결정 실리콘 기판(1) 표면에 에칭 공정을 진행한다. 이때, 상기 단결정 실리콘 기판 표면(1)에 진행하는 에칭 공정은 알칼리 에칭 공정을 진행하는 것이 바람직하다.First, as shown in FIG. 1, the n type single crystal silicon substrate 1 is prepared. Then, an etching process is performed on the prepared single crystal silicon substrate 1 surface. At this time, it is preferable that the etching process which advances to the said single crystal silicon substrate surface 1 advances an alkali etching process.

상기 에칭 공정을 진행한 후 이를 세척하게 되면, 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 단결정 실리콘 기판(1) 상하부의 노출된 면에 피라미드 구조의 요철이 형성된다.When the etching process is performed and then cleaned, as shown in FIG. 2, pyramidal irregularities are formed on exposed surfaces of upper and lower portions of the single crystal silicon substrate 1.

이렇게 피라미드 구조의 요철이 형성된 단결정 실리콘 기판(1) 상부에, 도 3에 도시한 바와 같이, i형 실리콘 반도체층(2)을 형성한다. 그리고, 상기 i형 실리콘 반도체층(2) 상에 상기 i형 실리콘 반도체층(2)의 표면부에 전기저항을 저하시킨 불순물을 포함하는 플라즈마 공정을 진행하여 저저항화된 제1 p형 실리콘 반도체층(3)을 형성한다.As shown in FIG. 3, the i-type silicon semiconductor layer 2 is formed on the single crystal silicon substrate 1 on which the unevenness of the pyramid structure is formed. In addition, a first p-type silicon semiconductor having low resistance by performing a plasma process including an impurity having reduced electrical resistance on a surface portion of the i-type silicon semiconductor layer 2 on the i-type silicon semiconductor layer 2. Form layer 3.

상기 제1 p형 실리콘 반도체층(3)을 형성한 다음, 상기 제1 p형 실리콘 반도 체층(3) 상에 플라즈마 CVD(Plasma Chemical Vapor Deposition) 공정을 진행하여 제2 p형 실리콘 반도체층(4)을 형성한다.After the first p-type silicon semiconductor layer 3 is formed, a plasma chemical vapor deposition (CVD) process is performed on the first p-type silicon semiconductor layer 3 to form a second p-type silicon semiconductor layer 4. ).

상기 형성된 제2 p형 실리콘 반도체층(4) 상에 ITO(Indium Tin Oxide)의 투광성 도전막인 상부전극(5)을 형성한다. 이때, 상기 상부전극(5)을 600Å 내지 1500Å 범위의 두께로 형성한다. 또한, 상기 상부전극(5)이 형성된 실리콘 기판(1)의 하부에 알류미늄(Al)으로 이루어진 이면전극(6)을 형성한다.An upper electrode 5, which is a transparent conductive film of indium tin oxide (ITO), is formed on the formed second p-type silicon semiconductor layer 4. In this case, the upper electrode 5 is formed to a thickness in the range of 600 kV to 1500 kV. In addition, a back electrode 6 made of aluminum (Al) is formed under the silicon substrate 1 on which the upper electrode 5 is formed.

이와 같은 공정을 통하여 종래 기술에 의한 태양전지는 실리콘 기판(1)을 중심으로 이의 하부에는 이면전극(6)이 형성되고 상부에는 i형 실리콘 반도체층(2), 제1 및 제2 실리콘 반도체층(3, 4)과 상부전극(5)이 순차적으로 적층 형성되어 외부로부터 입사되는 빛에 의해 전력을 생성할 수 있다.Through such a process, the solar cell according to the related art has a back electrode 6 formed below the silicon substrate 1, and an i-type silicon semiconductor layer 2, first and second silicon semiconductor layers thereon. 3 and 4 and the upper electrode 5 are sequentially stacked to generate power by light incident from the outside.

그러나, 상기와 같은 종래 기술에 의한 태양전지의 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the manufacturing method of the solar cell according to the prior art as described above has the following problems.

종래 기술에 의한 태양전지의 제조방법은 태양전지의 기판으로 단결정 실리콘 기판을 사용한다. 이때 상기 단결정 실리콘 기판 상부에 빛의 입사율을 높이기 위하여 요철구조를 형성하는데 상기 단결정 실리콘 기판은 이를 형성하기 위하여 불산 등을 이용한 에칭 공정을 진행하게 된다.The solar cell manufacturing method according to the prior art uses a single crystal silicon substrate as a substrate of the solar cell. In this case, an uneven structure is formed to increase the incident rate of light on the single crystal silicon substrate, and the single crystal silicon substrate is subjected to an etching process using hydrofluoric acid or the like to form it.

이러한 요철 구조를 형성하기 위하여 진행되는 에칭 공정을 최근 그 사용빈도가 높은 플라스틱 등의 기판에 적용할 경우 상기 플라스틱 기판이 에칭 공정 중 녹는 현상이 발생되어 태양전지의 불량이 발생함에 따라 신뢰성이 떨어지는 문제점이 있었다.When the etching process that is performed to form such an uneven structure is recently applied to a substrate such as a plastic having a high frequency of use, the plastic substrate may be melted during the etching process, resulting in a poor reliability of the solar cell. There was this.

또한, 점차적으로 태양전지의 생산 비용을 절감하는 추세에 재료비가 높은 단결정 실리콘 기판을 사용함으로써 태양전지의 생산 단가가 상승하여 태양전지의 가격이 상승하는 문제점이 있었다.In addition, there is a problem in that the production cost of the solar cell increases by using a single crystal silicon substrate having a high material cost in order to gradually reduce the production cost of the solar cell, thereby increasing the price of the solar cell.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 유기기판을 태양전지의 기판으로 사용하여 상기 유기기판 상부에 임프린팅 기법으로 피라미드 형상의 요철구조를 프린팅하여 형성함으로써 제조 공정을 단순화시킬 수 있으며, 태 양전지의 기판으로 실리콘 기판보다 상대적으로 저렴한 유기기판을 사용함으로써 재료비를 절감시킬 수 있는 태양전지의 기판 및 그 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, by using an organic substrate as a substrate of a solar cell by forming a pyramidal concave-convex structure by the imprinting method on the organic substrate, it can simplify the manufacturing process, It is an object of the present invention to provide a substrate for a solar cell and a method of manufacturing the same, which can reduce material costs by using an organic substrate which is relatively inexpensive than a silicon substrate as a substrate of a positive battery.

본 발명에 따른 태양전지의 기판 제조방법은, 유기기판을 준비하는 단계; 하단부에 요철이 형성된 툴포일을 준비하는 단계; 상기 유기기판 상에 상기 툴포일을 위치시킨 후 상기 툴포일에 압력을 가하여 상기 유기기판 상에 툴포일을 압착시키는 단계; 및 상기 유기기판 상의 툴포일을 분리하여 상기 유기기판 상부에 요철을 형성하는 단계;를 포함하여 상기 유기기판 상부에 임프린팅 기법으로 피라미드 형상의 요철구조를 프린팅하여 형성함으로써 제조 공정을 단순화시킬 수 있으며, 실리콘 기판보다 상대적으로 저렴한 유기기판을 사용함으로써 재료비를 절감시킬 수 있는 효과를 창출할 수 있다.Substrate manufacturing method of a solar cell according to the present invention comprises the steps of preparing an organic substrate; Preparing a tool foil having irregularities formed at a lower end thereof; Placing the tool foil on the organic substrate and compressing the tool foil on the organic substrate by applying pressure to the tool foil; And separating the tool foil on the organic substrate to form irregularities on the organic substrate. The manufacturing process may be simplified by printing a pyramid-shaped irregular structure on the organic substrate by imprinting. In addition, the use of organic substrates, which are relatively cheaper than silicon substrates, can reduce the cost of materials.

이때, 상기 유기기판 상부에 형성된 요철은 피라미드 또는 사다리꼴 형상이고, 상기 유기기판은 열경화 또는 UV 경화가 가능한 유기필름인 것을 특징으로 한다.At this time, the irregularities formed on the organic substrate is a pyramid or trapezoidal shape, the organic substrate is characterized in that the organic film capable of thermosetting or UV curing.

또한, 상기 툴포일은 상기 유기기판보다 녹는점이 높은 물질을 사용하여 제조하는데 이때 상기 툴포일로써 금속 시트 또는 웨이퍼를 사용하며, 상기 툴포일로 사용되는 웨이퍼는 에칭 공정을 진행하여 웨이퍼 표면에 요철이 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the tool foil is manufactured using a material having a higher melting point than that of the organic substrate. In this case, a metal sheet or a wafer is used as the tool foil, and the wafer used as the tool foil undergoes an etching process, thereby providing irregularities on the wafer surface. Characterized in that formed.

한편, 상기 제조된 태양전지의 기판을 이용한 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지 제조방법은, 유기기판과 하단부에 요철이 형성된 툴포일을 준비하는 단 계; 상기 유기기판 상에 상기 툴포일을 위치시킨 후 상기 툴포일에 압력을 가하여 상기 유기기판 상에 툴포일을 압착시키는 단계; 상기 유기기판 상의 툴포일을 분리하여 상기 유기기판 상부에 요철을 형성하는 단계; 상기 요철이 형성된 유기기판 상에 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상에 n형 실리콘층, i형 실리콘층, p형 실리콘층을 순차적으로 형성하여 pin 접합층을 형성하는 단계; 및 상기 pin 접합층 상에 상부전극을 형성하는 단계;를 포함한다.On the other hand, the solar cell manufacturing method according to the first embodiment of the present invention using the substrate of the solar cell is prepared, comprising the steps of preparing a tool foil having an uneven portion formed on the organic substrate and the lower end; Placing the tool foil on the organic substrate and compressing the tool foil on the organic substrate by applying pressure to the tool foil; Separating the tool foil on the organic substrate to form irregularities on the organic substrate; Forming a lower electrode on the uneven substrate; Forming a pin junction layer by sequentially forming an n-type silicon layer, an i-type silicon layer, and a p-type silicon layer on the lower electrode; And forming an upper electrode on the pin bonding layer.

이때, 상기 유기기판 상부에 형성된 요철은 피라미드 또는 사다리꼴 형상이며, 상기 유기기판은 열경화 또는 UV 경화가 가능한 유기필름인 것을 특징으로 한다.At this time, the irregularities formed on the organic substrate is a pyramid or trapezoidal shape, the organic substrate is characterized in that the organic film capable of thermosetting or UV curing.

또한, 상기 툴포일은 상기 유기기판보다 녹는점이 높은 물질인 금속 시트 또는 웨이퍼를 사용하는데, 상기 툴포일로써 웨이퍼를 사용할 경우 상기 웨이퍼는 에칭 공정을 진행하여 웨이퍼 표면에 요철이 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the tool foil uses a metal sheet or a wafer having a higher melting point than the organic substrate. When the wafer is used as the tool foil, the wafer is subjected to an etching process, characterized in that irregularities are formed on the surface of the wafer.

그리고, 상기 pin 접합층은 CuInGaSe 또는 CdTe 화합물 반도체층인 것을 특징으로 하며, 상기 하부전극은 알루미늄 또는 은을 사용하고, 상기 상부전극은 투명한 ITO 전극을 사용하여 형성한다. 특히, 상기 상부전극 상에 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The pin junction layer may be a CuInGaSe or CdTe compound semiconductor layer. The lower electrode may be formed of aluminum or silver, and the upper electrode may be formed of a transparent ITO electrode. In particular, the method may further include forming an anti-reflection film on the upper electrode.

아울러, 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지는, 상기 태양전지의 기판 제조방법에 의해 제작되어 상부에 요철이 형성된 유기기판; 상기 유기기판 상에 형성된 하부전극; 상기 하부전극 상에 n형 실리콘층, i형 실리콘층 및 p형 실리콘층이 순차적으로 형성된 pin 접합층; 및 상기 pin 접합층 상에 형성된 상부전극;을 포함 한다.In addition, the solar cell according to the first embodiment of the present invention, the organic substrate is produced by the substrate manufacturing method of the solar cell is formed with irregularities on the top; A lower electrode formed on the organic substrate; A pin junction layer in which an n-type silicon layer, an i-type silicon layer, and a p-type silicon layer are sequentially formed on the lower electrode; And an upper electrode formed on the pin bonding layer.

그리고, 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지 제조방법은, 유기기판과 하단부에 요철이 형성된 툴포일을 준비하는 단계; 상기 유기기판 상에 상기 툴포일을 위치시킨 후 상기 툴포일에 압력을 가하여 상기 유기기판 상에 툴포일을 압착시키는 단계; 상기 유기기판 상의 툴포일을 분리하여 상기 유기기판 상부에 요철을 형성하는 단계; 상기 요철이 형성된 유기기판 상에 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상에 미정질의 n형 실리콘층, i형 실리콘층, p형 실리콘층을 순차적으로 형성하여 미정질 pin 접합층을 형성하는 단계; 상기 미정질 pin 접합층 상에 비정질의 n형 실리콘층, i형 실리콘층, p형 실리콘층을 순차적으로 형성하여 비정질 pin 접합층을 형성하는 단계; 및 상기 비정질 pin 접합층 상에 상부전극을 형성하는 단계;를 포함한다.In addition, the solar cell manufacturing method according to the second embodiment of the present invention comprises the steps of preparing a tool foil having an uneven portion formed on the organic substrate and the lower end; Placing the tool foil on the organic substrate and compressing the tool foil on the organic substrate by applying pressure to the tool foil; Separating the tool foil on the organic substrate to form irregularities on the organic substrate; Forming a lower electrode on the uneven substrate; Sequentially forming a microcrystalline n-type silicon layer, an i-type silicon layer, and a p-type silicon layer on the lower electrode to form a microcrystalline pin junction layer; Sequentially forming an amorphous n-type silicon layer, an i-type silicon layer, and a p-type silicon layer on the amorphous pin bonding layer to form an amorphous pin bonding layer; And forming an upper electrode on the amorphous pin bonding layer.

이때, 상기 미정질 pin 접합층을 형성하는 단계 이전에 상기 비정질 pin 접합층을 형성하는 것을 특징으로 하며, 상기 상부전극 상에 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In this case, the amorphous pin bonding layer is formed before the forming of the microcrystalline pin bonding layer, and further comprising the step of forming an anti-reflection film on the upper electrode.

또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지는, 청구항 제1항에 기재된 태양전지 기판의 제조방법에 의해 제작되어 상부에 요철이 형성된 유기기판; 상기 유기기판 상에 형성된 하부전극; 상기 하부전극 상에 미정질의 n형 실리콘층, i형 실리콘층 및 p형 실리콘층이 순차적으로 형성된 미정질 pin 접합층; 상기 미정질 pin 접합층 상에 비정질의 n형 실리콘층, i형 실리콘층 및 p형 실리콘이 순차적으로 형성된 비정질 pin 접합층; 및 상기 비정질 pin 접합층 상에 형성된 상부전극;을 포 함한다.In addition, the solar cell according to the second embodiment of the present invention, the organic substrate is produced by the manufacturing method of the solar cell substrate according to claim 1, wherein the irregularities are formed on the top; A lower electrode formed on the organic substrate; A microcrystalline pin junction layer in which a microcrystalline n-type silicon layer, an i-type silicon layer, and a p-type silicon layer are sequentially formed on the lower electrode; An amorphous pin junction layer in which an amorphous n-type silicon layer, an i-type silicon layer, and p-type silicon are sequentially formed on the amorphous pin junction layer; And an upper electrode formed on the amorphous pin bonding layer.

이때, 상기 미정질 pin 접합층이 상기 비정질 pin 접합층 상에 형성된 것을 특징으로 하며, 상기 상부전극 상에 형성된 반사반지막을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.At this time, the microcrystalline pin bonding layer is formed on the amorphous pin bonding layer, characterized in that it further comprises a reflective ring film formed on the upper electrode.

본 발명에 따른 태양전지의 기판 및 그 제조방법은, 유기기판을 태양전지의 기판으로 사용하여 상기 유기기판 상부에 임프린팅 기법으로 피라미드 형상의 요철구조를 프린팅하여 형성함으로써 제조 공정을 단순화시킬 수 있는 효과가 있다.In the solar cell substrate and the method for manufacturing the same according to the present invention, an organic substrate is used as the substrate of the solar cell, and the pyramidal irregularities are formed on the organic substrate by imprinting, thereby simplifying the manufacturing process. It works.

아울러, 태양전지의 기판으로 실리콘 기판보다 상대적으로 저렴한 유기기판을 사용함으로써 재료비를 절감시킬 수 있으며, 롤투롤 공정의 적용이 가능해 짐으로써 공정을 단순화시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, by using an organic substrate that is relatively inexpensive than a silicon substrate as a substrate of the solar cell, it is possible to reduce the material cost, it is possible to apply the roll-to-roll process has the advantage of simplifying the process.

본 발명에 따른 태양전지의 기판 및 그 제조방법과 이에 의해 제조된 태양전지에 대한 구체적인 구성과 제조방법 및 그 효과에 관한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 도면을 참조한 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.Substrate of the solar cell according to the present invention, a method for manufacturing the same and the specific configuration, manufacturing method and effects of the solar cell manufactured by the same according to the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention Will be clearly understood.

태양전지의 기판 및 그 제조방법Substrate of solar cell and manufacturing method thereof

이하, 관련도면을 참조하여 본 발명에 따른 태양전지의 기판 및 그 제조방법에 대하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate and a method of manufacturing the solar cell according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 태양전지 및 이의 기판 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정단면도이며, 도 7은 본 발명에 따른 태양전지의 기판 상부에 형성되는 요철의 변형예를 나타낸 단면도이다.4 to 6 are process cross-sectional views sequentially showing a solar cell and a substrate manufacturing method thereof according to the present invention, Figure 7 is a cross-sectional view showing a modification of the irregularities formed on the substrate of the solar cell according to the present invention.

우선, 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 태양전지의 기판 제조방법은, 유기기판(110)과 툴포일(Tool Foil: 101)을 준비한다. 이때, 상기 유기기판(110)은 열경화 또는 UV 경화가 가능한 유기필름으로써 주로 폴리머 계열의 물질인 것이 바람직하다.First, as shown in FIG. 4, in the method for manufacturing a substrate of a solar cell according to the present invention, an organic substrate 110 and a tool foil 101 are prepared. In this case, the organic substrate 110 is an organic film capable of thermal curing or UV curing, it is preferable that the organic substrate 110 is mainly a polymer-based material.

또한, 상기 툴포일(101)은 상기 유기기판(110)보다 녹는점이 높은 물질을 사용하는데 이러한 물질로써 금속 시트 또는 웨이퍼를 사용하는 것이 바람직하며, 상기 툴포일(101)을 웨이퍼로 사용하는 경우 상기 웨이퍼에 에칭 공정을 진행하여 표면에 요철구조를 형성할 수 있다. 한편, 상기 툴포일(101)을 상기 유기기판(110)보다 녹는점이 높은 물질을 사용하는 이유는, 후속하는 공정에서 상기 툴포일(101)에 압력을 가해 유기기판(110)에 압착시킬 경우 상기 유기기판(110)을 변형시키기 위해 일정온도의 열을 가하게 되는데 이때 상기 툴포일(101)의 외형이 변하지 않게 하기 위해서 상기 툴포일(101)을 유기기판(110)보다 녹는점이 높은 물질을 사용하게 된다.In addition, the tool foil 101 uses a material having a higher melting point than the organic substrate 110. It is preferable to use a metal sheet or a wafer as the material, and the tool foil 101 is used as a wafer. The wafer may be etched to form an uneven structure on the surface. Meanwhile, the reason why the tool foil 101 uses a material having a higher melting point than that of the organic substrate 110 is that when the pressure is applied to the tool foil 101 in the subsequent step, the tool foil 101 is pressed. In order to deform the organic substrate 110, a certain temperature of heat is applied. In this case, a material having a higher melting point than that of the organic substrate 110 is used so that the tool foil 101 does not change its appearance. do.

특히, 상기 툴포일(101)의 형상은 상기 유기기판(110)과 마주하지 않는 면이 평평한 면으로 이루어지고, 상기 유기기판(110)과 마주하는 면에는 도시한 'A'와 같이 다수의 피라미드 구조의 요철이 형성되어 있다. 이때, 상기 툴포일(101)의 유기기판(110)과 마주하는 면에 형성된 요철은 일정한 패턴을 가지고 반복적으로 형성된 것뿐만 아니라 그 요철 구조만 유사하고 크기 및 이웃하는 요철과의 이격 거리가 모두 동일하지 않아도 된다.In particular, the shape of the tool foil 101 has a flat surface that does not face the organic substrate 110, and a plurality of pyramids such as 'A' shown on the surface that faces the organic substrate 110. Unevenness of the structure is formed. In this case, the irregularities formed on the surface facing the organic substrate 110 of the tool foil 101 are not only repeatedly formed in a predetermined pattern, but also similar in their concave-convex structure and have the same size and distance from neighboring concave-convex. You do not have to do.

상기 준비된 유기기판(110)을 하부에 위치시키고 상기 유기기판(110) 상부에 상기 툴포일(101)을 위치시키는데 상기 툴포일(101)은 요철이 상기 유기기판(110)과 마주하도록 위치시킨다.The prepared organic substrate 110 is positioned below and the tool foil 101 is positioned above the organic substrate 110. The tool foil 101 is positioned such that the unevenness faces the organic substrate 110.

상기 툴포일(101)을 유기기판(110) 상부에 위치시킨 후, 도 5에 도시한 바와 같이, 상기 툴포일(101)에 압력을 가하여 상기 유기기판(110)과 완전 밀착되도록 가압함과 동시에 일정온도의 열을 가하는 임프린팅(Imprinting) 공정을 진행한다. 이때, 상기 유기기판(110)은 상기 열에 의해 완전히 경화된 상태 이전 상태를 유지하여 상기 툴포일(101)의 요철 구조가 그대로 상기 유기기판(110)에 프린팅되도록 한다.After placing the tool foil 101 on the organic substrate 110, as shown in FIG. 5, pressure is applied to the tool foil 101 so as to be in close contact with the organic substrate 110. The imprinting process is applied to apply a certain temperature of heat. In this case, the organic substrate 110 maintains a state before the state completely cured by the heat so that the uneven structure of the tool foil 101 is printed on the organic substrate 110 as it is.

상기 임프린팅 공정이 완료된 후, 도 6에 도시한 바와 같이, 상기 툴포일(101)을 유기기판(110) 상에서 분리하여 상기 유기기판(110) 상부에 도시한 'B'와 같이 피라미드 구조의 요철을 형성한다.After the imprinting process is completed, as shown in FIG. 6, the tool foil 101 is separated on the organic substrate 110 to form concavities and convexities such as 'B' on the organic substrate 110. To form.

이때, 본 발명에 따른 태양전지의 기판 상부에 형성되는 요철의 변형예를 나타낸 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 툴포일(101)에 형성되는 요철은 상기 도 4에 도시된 'A'의 피라미드 구조 이외에 'C'와 같이 사다리꼴 구조로 형성할 수 있으며 이때 형성된 유기기판(110)의 요철은 도시한 'D'와 같이 상기 'C'와 180° 반전된 사다리꼴 구조로 형성된다.At this time, as shown in Figure 7 showing a modification of the irregularities formed on the substrate of the solar cell according to the present invention, the irregularities formed in the tool foil 101 is a pyramid of 'A' shown in FIG. In addition to the structure, it may be formed in a trapezoidal structure such as 'C', and the unevenness of the formed organic substrate 110 is formed in a trapezoidal structure inverted by 180 ° with the 'C' as shown in the 'D'.

이와 같이, 본 발명에 따른 태양전지의 기판은 종래 생산비가 높은 실리콘 기판을 사용하여 형성하는 태양전지의 기판과 비교하여 볼 때, 생산비가 낮은 폴리머 계열의 유기기판(110)을 사용하여 태양전지의 기판을 생산함으로써 생산단가를 낮출 수 있는 이점이 있다.As described above, the substrate of the solar cell according to the present invention is compared with the substrate of the solar cell formed by using a silicon substrate having a high production cost in the prior art. Producing a substrate has the advantage of lowering the production cost.

또한, 본 발명에 따른 태양전지의 기판은 완전히 경화되기 이전 상태의 유기기판을 사전에 피라미드 또는 사다리꼴 구조의 요철이 형성된 툴포일(101)을 이용하여 가압하는 임프린팅 공정을 진행함으로써 생산 공정을 단축시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, the substrate of the solar cell according to the present invention shortens the production process by performing an imprinting process for pressing the organic substrate in the state before it is completely cured by using a tool foil 101 having a pyramidal or trapezoidal irregularities formed in advance. There is an advantage to this.

아울러, 상기 유기기판(110)은 유연한 성질을 갖고 있기 때문에 롤(roll) 형상으로 감을 수 있어 롤투롤(roll to roll) 공정을 이용하여 감음과 동시에 임프린팅 공정을 진행할 수 있게 됨에 따라 공정을 단순화시킬 수 있으며, 공정시간을 줄일 수 있는 효과가 있다.In addition, since the organic substrate 110 has a flexible property, the organic substrate 110 may be wound in a roll shape, and thus, the process may be simplified while winding by using a roll to roll process and simultaneously performing an imprinting process. It is possible to reduce the process time.

태양전지Solar cell

이하, 상기와 같은 제조방법에 의해 제조된 태양전지의 기판을 이용한 태양전지 및 그 제조방법에 대하여 관련도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 아래와 같다.Hereinafter, a solar cell using the substrate of the solar cell manufactured by the manufacturing method as described above and a manufacturing method thereof will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지를 나타낸 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing a solar cell according to a first embodiment of the present invention.

우선, 도 8에 도시한 바와 같이, 앞서 설명한 본 발명의 태양전지의 기판 제 조방법에 의해 제조된 유기기판(110) 상에 도전성 물질로 이루어진 하부전극(120)을 형성한다. 이때, 상기 하부전극(120)으로는 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 등과 같은 도전성의 물질 중 선택된 어느 하나의 물질을 사용하여 형성하는 것이 바람직하며, 이렇게 형성된 하부전극(120)은 상기 유기기판(110) 상부에 형성된 요철 구조(B)와 동일한 구조로 유기기판(110) 상부에 적층 형성한다.First, as shown in FIG. 8, the lower electrode 120 made of a conductive material is formed on the organic substrate 110 manufactured by the method for manufacturing a substrate of the solar cell of the present invention described above. In this case, the lower electrode 120 may be formed using any one material selected from conductive materials such as aluminum (Al) or silver (Ag), and the lower electrode 120 may be formed using the organic substrate. The stack 110 is formed on the organic substrate 110 in the same structure as the concave-convex structure B formed thereon.

상기 하부전극(120)을 형성한 후, 상기 하부전극(120) 상에 n형 실리콘층(130a)을 형성한다. 상기 n형 실리콘층(130a)은 인(P:Phosphorous), 질소(N:Nitrogen) 등과 같이 n형의 불순물이 도핑(doping)된 층이다.After the lower electrode 120 is formed, an n-type silicon layer 130a is formed on the lower electrode 120. The n-type silicon layer 130a is a layer doped with n-type impurities such as phosphorous (P) and phosphorus (N).

또한, 상기 n형 실리콘층(130a) 상에 i형 실리콘층(130b)을 형성한다. 이때, 상기 i형 실리콘층(130b)은 불순물을 포함하지 않는 층인 유전체층으로 형성하는 것이 바람직하다.In addition, an i-type silicon layer 130b is formed on the n-type silicon layer 130a. In this case, the i-type silicon layer 130b is preferably formed of a dielectric layer that is a layer containing no impurities.

상기 i형 실리콘층(130b) 상에 p형 실리콘층(130c)을 형성하는데, 상기 p형 실리콘층(130c)은 붕소(boron) 등의 제3족 원소인 p형 불순물이 도핑된 층이다. 이렇게 형성된 n형, i형 및 p형 실리콘층(130a, 130b, 130c)은 pin 접합층(130)으로써 상기 pin 접합층(130)은 플라즈마 CVD 공정 또는 유도결합형 플라즈마 CVD 공정등의 CVD 공정을 통하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 pin 접합층(130)은 CuInGaSe 또는 CdTe 화합물 반도체층으로 형성할 수 있다.A p-type silicon layer 130c is formed on the i-type silicon layer 130b. The p-type silicon layer 130c is a layer doped with a p-type impurity, which is a third group element such as boron. The n-type, i-type and p-type silicon layers 130a, 130b, and 130c formed as described above are pin bonding layers 130, and the pin bonding layer 130 may be subjected to a CVD process such as a plasma CVD process or an inductively coupled plasma CVD process. Can be formed through. In addition, the pin bonding layer 130 may be formed of a CuInGaSe or CdTe compound semiconductor layer.

이렇게 형성된 pin 접합층(130)은 외부로부터 입사되는 빛과 상호작용에 의해 전자와 정공이 발생되고, 상기 전자는 n형 실리콘층(130a)으로 상기 정공은 p형 실리콘층(130c)으로 각기 확산하게 된다. 이때, 상기 n형 실리콘층(130a)와 p형 실 리콘층(130c)을 결선하게 되면 상기 전자 및 정공의 이동에 의해 전력이 생성되게 된다.The pin bonding layer 130 formed as described above generates electrons and holes by interaction with light incident from the outside, and the electrons diffuse into the n-type silicon layer 130a and the holes are respectively diffused into the p-type silicon layer 130c. Done. In this case, when the n-type silicon layer 130a and the p-type silicon layer 130c are connected, electric power is generated by the movement of the electrons and holes.

특히, 상기와 같이 피라미드 또는 사다리꼴 구조의 요철에 의해 상기 태양전지의 표면적이 평평한 면일 경우보다 넓어지게 되면 평평한 면일 경우보다 더 많은 전력을 생성할 수 있는 효과가 있다.In particular, when the surface area of the solar cell is wider than the flat surface by the unevenness of the pyramid or trapezoidal structure as described above, there is an effect that can generate more power than the flat surface.

이와 같은 역할을 하는 pin 접합층(130)을 상기 하부전극(120) 상에 형성한 후, 상기 pin 접합층(130) 상에 전도성 물질의 상부전극(140)을 형성한다. 이때, 상기 상부전극(140)은 외부로부터 입사되는 빛을 상기 pin 접합층(130)으로 통과시키기 위해 투명 전극을 사용하여 형성하고, 빛을 통과시키기 위해 ITO 전극 사용하여 상부전극(140)을 형성하는 것이 바람직하며, 이의 형성은 스퍼터링(spattering) 공정 또는 진공증착법을 이용할 수 있다.After forming the pin bonding layer 130, which plays such a role on the lower electrode 120, an upper electrode 140 of a conductive material is formed on the pin bonding layer 130. In this case, the upper electrode 140 is formed using a transparent electrode to pass light incident from the outside to the pin bonding layer 130, and forms the upper electrode 140 using an ITO electrode to pass light. It is preferable to form, and the formation thereof may use a sputtering process or a vacuum deposition method.

한편, 상기 상부전극(140) 상에 외부로부터 입사된 빛이 상기 하부전극(120)에 의해 반사되어 외부로 방출되는 것을 방지하기 위한 반사방지막(미도시함)을 더 형성할 수 있다. 이때, 상기 반사방지막은 상기 하부전극(120)에 의해 반사되어 외부로 방출되는 빛을 차단할 수 있게 됨으로써 전력생성의 효율을 증가시킬 수 있는 이점이 있다.Meanwhile, an anti-reflection film (not shown) may be further formed on the upper electrode 140 to prevent light incident from the outside from being reflected by the lower electrode 120 and emitted to the outside. In this case, the anti-reflection film has the advantage of being able to block the light reflected by the lower electrode 120 to be emitted to the outside to increase the efficiency of power generation.

상기와 같은 제조방법에 의해 제조된 본 발명에 따른 태양전지는, 상부에 피라미드 또는 사다리꼴 구조의 요철이 형성된 유기기판(110)과, 상기 유기기판(110) 상에 형성된 하부전극(120)과, 상기 하부전극(120) 상에 n형 실리콘층(130a)과 i형 실리콘층(130b) 및 p형 실리콘층(130c)이 순차적으로 적층 형성된 pin 접합층(130) 과 상기 pin 접합층(130) 상에 형성된 전도성의 투명전극인 상부전극(140)으로 구성된다.The solar cell according to the present invention manufactured by the manufacturing method as described above, the organic substrate 110, the bottom of the organic substrate 110 formed on the organic substrate 110, the pyramid or trapezoidal structure is formed, and The pin junction layer 130 and the pin junction layer 130 on which the n-type silicon layer 130a, the i-type silicon layer 130b, and the p-type silicon layer 130c are sequentially stacked on the lower electrode 120. It consists of an upper electrode 140 which is a conductive transparent electrode formed on.

본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지 및 그 제조방법은, 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지를 나타낸 단면도인 도 9에 도시한 바와 같이, 앞서 설명한 본 발명의 태양전지의 기판 제조방법에 의해 제조된 유기기판(110) 상에 도전성 물질로 이루어진 하부전극(120)을 형성한다. A solar cell and a method of manufacturing the same according to the second embodiment of the present invention, as shown in Figure 9 which is a cross-sectional view showing a solar cell according to a second embodiment of the present invention, the substrate manufacturing of the solar cell of the present invention described above A lower electrode 120 made of a conductive material is formed on the organic substrate 110 manufactured by the method.

상기 하부전극(120)을 형성한 후, 상기 하부전극(120) 상에 미정질(Micro crystalline)의 n형, i형 및 p형 실리콘층(131a, 131b, 131c)을 순차적으로 형성하여 미정질 pin 접합층(131)을 형성한다.After the lower electrode 120 is formed, microcrystalline crystalline n-type, i-type and p-type silicon layers 131a, 131b, and 131c are sequentially formed to form microcrystalline. The pin junction layer 131 is formed.

상기 형성된 미정질 pin 접합층(131) 상에 비정질(amorphous)의 n형, i형 및 p형 실리콘층(132a, 132b, 132c)을 순차적으로 형성하여 비정질 pin 접합층(132)을 형성한다.Amorphous n-type, i-type, and p-type silicon layers 132a, 132b, and 132c are sequentially formed on the formed amorphous pin bonding layer 131 to form an amorphous pin bonding layer 132.

이렇게 형성된 비정질 pin 접합층(132)은 외부로부터 입사되는 빛 중 1.7 ev(electronvolt)의 단파장을 갖는 빛에 영향을 받고 상기 미정질 pin 접합층(131)은 외부로부터 입사되는 빛 중 1.1 EV의 장파장을 갖는 빛에 영향을 받아 전자와 정공이 발생되고, 상기 발생된 전자 및 정공의 이동에 의해 전력이 생성되게 됨으로써 하나의 pin 접합층(130)만을 형성한 태양전지보다 더 높은 효율을 창출할 수 있는 이점이 있다.The amorphous pin bonding layer 132 thus formed is affected by light having a short wavelength of 1.7 ev (electronvolt) among light incident from the outside, and the microcrystalline pin bonding layer 131 has a long wavelength of 1.1 EV among light incident from the outside. The electrons and holes are generated by being affected by the light having light, and the electric power is generated by the movement of the generated electrons and holes, thereby generating higher efficiency than the solar cell having only one pin junction layer 130 formed. There is an advantage to that.

한편, 상기 미정질 pin 접합층(131)과 비정질 pin 접합층(132)의 형성 순서 는 서로 반대로 하여 비정질 pin 접합층(132) 상에 미정질 pin 접합층(131)을 형성할 수 있다.The micro pin bonding layer 131 and the amorphous pin bonding layer 132 may be formed in reverse order to form the micro pin bonding layer 131 on the amorphous pin bonding layer 132.

이와 같은 역할을 하는 미정질 pin 접합층(131) 또는 비정질 pin 접합층(132) 중 상부에 형성되는 접합층 상에 전도성 물질의 상부전극(140)을 형성한다. 이때, 상기 상부전극(140)은 외부로부터 입사되는 빛을 상기 미정질 및 비정질 pin 접합층(131. 132)으로 통과시키기 위해 투명 전극을 사용하여 형성하고, 빛을 통과시키기 위해 ITO 전극 사용하여 상부전극(140)을 형성하는 것이 바람직하며, 이의 형성은 스퍼터링(spattering) 공정 또는 진공증착법을 이용할 수 있다.The upper electrode 140 of the conductive material is formed on the bonding layer formed on the upper portion of the microcrystalline pin bonding layer 131 or the amorphous pin bonding layer 132 which plays such a role. In this case, the upper electrode 140 is formed by using a transparent electrode to pass the light incident from the outside to the microcrystalline and amorphous pin bonding layer (131.132), the upper portion using the ITO electrode to pass the light It is preferable to form the electrode 140, and the formation thereof may be performed using a sputtering process or a vacuum deposition method.

한편, 상기 상부전극(140) 상에 외부로부터 입사된 빛이 상기 하부전극(120)에 의해 반사되어 외부로 방출되는 것을 방지하기 위한 반사방지막(미도시함)을 더 형성할 수 있다. 이때, 상기 반사방지막은 상기 하부전극(120)에 의해 반사되어 외부로 방출되는 빛을 차단할 수 있게 됨으로써 전력생성의 효율을 증가시킬 수 있는 이점이 있다.Meanwhile, an anti-reflection film (not shown) may be further formed on the upper electrode 140 to prevent light incident from the outside from being reflected by the lower electrode 120 and emitted to the outside. In this case, the anti-reflection film has the advantage of being able to block the light reflected by the lower electrode 120 to be emitted to the outside to increase the efficiency of power generation.

상기와 같은 제조방법에 의해 제조된 본 발명에 따른 태양전지는, 상부에 피라미드 또는 사다리꼴 구조의 요철이 형성된 유기기판(110)과, 상기 유기기판(110) 상에 형성된 하부전극(120)과, 상기 하부전극(120) 상에 미정질의 n형 실리콘층(131a)과 i형 실리콘층(131b) 및 p형 실리콘층(131c)이 순차적으로 적층 형성된 미정질 pin 접합층(131)과 비정질의 n형 실리콘층(132a)과 i형 실리콘층(132b) 및 p형 실리콘층(132c)이 순차적으로 적층 형성된 비정질 pin 접합층(132)과, 상기 비정질 pin 접합층(130) 상에 형성된 전도성의 투명전극인 상부전극(140)으로 구성된 다.The solar cell according to the present invention manufactured by the manufacturing method as described above, the organic substrate 110, the bottom of the organic substrate 110 formed on the organic substrate 110, the pyramid or trapezoidal structure is formed, and A microcrystalline n-type silicon layer 131a, an i-type silicon layer 131b, and a p-type silicon layer 131c are sequentially stacked on the lower electrode 120, and the amorphous pin junction layer 131 is formed of amorphous n. A conductive pin formed on the amorphous pin bonding layer 130 and the amorphous pin bonding layer 132 formed by sequentially stacking the type silicon layer 132a, the i-type silicon layer 132b, and the p-type silicon layer 132c. It consists of an upper electrode 140 that is an electrode.

이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이러한 치환, 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.Preferred embodiments of the present invention described above are disclosed for the purpose of illustration, and various substitutions, modifications, and changes within the scope of the technical spirit of the present invention for those skilled in the art to which the present invention pertains. It will be appreciated that such substitutions, changes, and the like should be considered to be within the scope of the following claims.

도 1 내지 도 3은 종래 기술에 의한 태양전지의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정단면도.1 to 3 are cross-sectional views sequentially showing a method of manufacturing a solar cell according to the prior art.

도 4내지 도 6은 본 발명에 따른 태양전지 및 이의 기판 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정단면도.4 to 6 are process cross-sectional views sequentially showing a solar cell and a substrate manufacturing method thereof according to the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 태양전지의 기판 상부에 형성되는 요철의 변형예를 나타낸 단면도.7 is a cross-sectional view showing a modification of the irregularities formed on the substrate of the solar cell according to the present invention.

도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지를 나타낸 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing a solar cell according to a first embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지를 나타낸 단면도이다.9 is a cross-sectional view showing a solar cell according to a second embodiment of the present invention.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

110 : 유기기판 101 : 툴포일110: organic substrate 101: tool foil

120 : 하부기판 130 : pin 접합층120: lower substrate 130: pin bonding layer

130a : n형 실리콘층 130b : i형 실리콘층130a: n-type silicon layer 130b: i-type silicon layer

130c : p형 실리콘층 140 : 상부전극130c: p-type silicon layer 140: upper electrode

131 : 미정질 pin 접합층 132 : 비정질 pin 접합층131: microcrystalline pin bonding layer 132: amorphous pin bonding layer

Claims (32)

유기기판을 준비하는 단계;Preparing an organic substrate; 하단부에 요철이 형성된 툴포일을 준비하는 단계;Preparing a tool foil having irregularities formed at a lower end thereof; 상기 유기기판 상에 상기 툴포일을 위치시킨 후 상기 툴포일에 압력을 가하여 상기 유기기판 상에 툴포일을 압착시키는 단계; 및Placing the tool foil on the organic substrate and compressing the tool foil on the organic substrate by applying pressure to the tool foil; And 상기 유기기판 상의 툴포일을 분리하여 상기 유기기판 상부에 요철을 형성하는 단계;Separating the tool foil on the organic substrate to form irregularities on the organic substrate; 를 포함하는 태양전지의 기판 제조방법.Substrate manufacturing method of a solar cell comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기기판 상부에 형성된 요철은 피라미드 또는 사다리꼴 형상인 것을 특징으로 하는 태양전지의 기판 제조방법.The unevenness formed on the organic substrate is a substrate manufacturing method of a solar cell, characterized in that the pyramid or trapezoidal shape. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기기판은 열경화 또는 UV 경화가 가능한 유기필름인 것을 특징으로 하는 태양전지의 기판 제조방법.The organic substrate is a substrate manufacturing method of a solar cell, characterized in that the organic film capable of thermosetting or UV curing. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 툴포일은 상기 유기기판보다 녹는점이 높은 물질인 것을 특징으로 하는 태양전지의 기판 제조방법.The tool foil is a substrate manufacturing method of a solar cell, characterized in that the melting point higher than the organic substrate material. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 툴포일은 금속 시트 또는 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 태양전지의 기판 제조방법.The tool foil is a substrate manufacturing method of the solar cell, characterized in that the metal sheet or wafer. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 웨이퍼는 에칭 공정을 진행하여 웨이퍼 표면에 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지의 기판 제조방법.The wafer is a substrate manufacturing method of a solar cell, characterized in that irregularities are formed on the wafer surface by performing an etching process. 임프린트 공법을 이용하여 하단부에 요철이 형성된 툴포일을 유기기판 상에 압착하여 상기 유기기판 상부에 요철을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 기판 제조방법.A method of manufacturing a substrate for a solar cell, comprising using the imprint method to form a concave-convex shape on an upper portion of the organic substrate by pressing a tool foil having concave-convex portions formed on an organic substrate. 유기기판과 하단부에 요철이 형성된 툴포일을 준비하는 단계;Preparing a tool foil having irregularities formed on an organic substrate and a lower end thereof; 상기 유기기판 상에 상기 툴포일을 위치시킨 후 상기 툴포일에 압력을 가하여 상기 유기기판 상에 툴포일을 압착시키는 단계;Placing the tool foil on the organic substrate and compressing the tool foil on the organic substrate by applying pressure to the tool foil; 상기 유기기판 상의 툴포일을 분리하여 상기 유기기판 상부에 요철을 형성하는 단계;Separating the tool foil on the organic substrate to form irregularities on the organic substrate; 상기 요철이 형성된 유기기판 상에 하부전극을 형성하는 단계;Forming a lower electrode on the uneven substrate; 상기 하부전극 상에 n형 실리콘층, i형 실리콘층, p형 실리콘층을 순차적으로 형성하여 pin 접합층을 형성하는 단계; 및Forming a pin junction layer by sequentially forming an n-type silicon layer, an i-type silicon layer, and a p-type silicon layer on the lower electrode; And 상기 pin 접합층 상에 상부전극을 형성하는 단계;Forming an upper electrode on the pin bonding layer; 를 포함하는 태양전지 제조방법.Solar cell manufacturing method comprising a. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 유기기판 상부에 형성된 요철은 피라미드 또는 사다리꼴 형상인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.The unevenness formed on the organic substrate is a solar cell manufacturing method characterized in that the pyramid or trapezoidal shape. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 유기기판은 열경화 또는 UV 경화가 가능한 유기필름인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.The organic substrate is a solar cell manufacturing method characterized in that the organic film capable of thermosetting or UV curing. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 툴포일은 상기 유기기판보다 녹는점이 높은 물질인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.The tool foil is a solar cell manufacturing method, characterized in that the material having a higher melting point than the organic substrate. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 툴포일은 금속 시트 또는 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.The tool foil is a solar cell manufacturing method, characterized in that the metal sheet or wafer. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 웨이퍼는 에칭 공정을 진행하여 웨이퍼 표면에 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.The wafer is a solar cell manufacturing method characterized in that the irregularities formed on the wafer surface by the etching process. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 pin 접합층은 CuInGaSe 또는 CdTe 화합물 반도체층인 것을 특징으로 하 는 태양전지 제조방법.The pin junction layer is a solar cell manufacturing method, characterized in that the CuInGaSe or CdTe compound semiconductor layer. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 하부전극은 알루미늄 또는 은을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.The lower electrode is a solar cell manufacturing method characterized in that formed using aluminum or silver. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 상부전극은 투명한 ITO 전극을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.The upper electrode is a solar cell manufacturing method characterized in that formed using a transparent ITO electrode. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 상부전극 상에 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.Forming an anti-reflection film on the upper electrode further comprises a solar cell manufacturing method. 청구항 제1항에 기재된 태양전지 기판의 제조방법에 의해 제작되어 상부에 요철이 형성된 유기기판;An organic substrate manufactured by the method for manufacturing a solar cell substrate according to claim 1, wherein the organic substrate has irregularities formed thereon; 상기 유기기판 상에 형성된 하부전극;A lower electrode formed on the organic substrate; 상기 하부전극 상에 n형 실리콘층, i형 실리콘층 및 p형 실리콘층이 순차적으로 형성된 pin 접합층; 및A pin junction layer in which an n-type silicon layer, an i-type silicon layer, and a p-type silicon layer are sequentially formed on the lower electrode; And 상기 pin 접합층 상에 형성된 상부전극;An upper electrode formed on the pin junction layer; 을 포함하는 태양전지.Solar cell comprising a. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 유기기판 상부에 형성된 요철은 피라미드 또는 사다리꼴 형상인 것을 특징으로 하는 태양전지.Concave-convex formed on the organic substrate is a solar cell, characterized in that the pyramid or trapezoidal shape. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 유기기판은 열경화 또는 UV 경화가 가능한 유기필름인 것을 특징으로 하는 태양전지.The organic substrate is a solar cell, characterized in that the organic film capable of thermosetting or UV curing. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 툴포일은 상기 유기기판보다 녹는점이 높은 물질인 것을 특징으로 하는 태양전지.The tool foil is a solar cell, characterized in that the melting point higher than the organic substrate material. 제21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 툴포일은 금속 시트 또는 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 태양전지.The tool foil is a solar cell, characterized in that the metal sheet or wafer. 제22항에 있어서,The method of claim 22, 상기 웨이퍼는 에칭 공정을 진행하여 상부 또는 하부 표면에 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지.The wafer is a solar cell, characterized in that irregularities formed on the upper or lower surface by the etching process. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 하부전극은 알루미늄 또는 은인 것을 특징으로 하는 태양전지.The lower electrode is a solar cell, characterized in that aluminum or silver. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 상부전극은 투명한 ITO 전극인 것을 특징으로 하는 태양전지.The upper electrode is a solar cell, characterized in that the transparent ITO electrode. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 상부전극 상에 형성된 반사방지막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.The solar cell further comprises an anti-reflection film formed on the upper electrode. 유기기판과 하단부에 요철이 형성된 툴포일을 준비하는 단계;Preparing a tool foil having irregularities formed on an organic substrate and a lower end thereof; 상기 유기기판 상에 상기 툴포일을 위치시킨 후 상기 툴포일에 압력을 가하여 상기 유기기판 상에 툴포일을 압착시키는 단계;Placing the tool foil on the organic substrate and compressing the tool foil on the organic substrate by applying pressure to the tool foil; 상기 유기기판 상의 툴포일을 분리하여 상기 유기기판 상부에 요철을 형성하는 단계;Separating the tool foil on the organic substrate to form irregularities on the organic substrate; 상기 요철이 형성된 유기기판 상에 하부전극을 형성하는 단계;Forming a lower electrode on the uneven substrate; 상기 하부전극 상에 미정질의 n형 실리콘층, i형 실리콘층, p형 실리콘층을 순차적으로 형성하여 미정질 pin 접합층을 형성하는 단계; Sequentially forming a microcrystalline n-type silicon layer, an i-type silicon layer, and a p-type silicon layer on the lower electrode to form a microcrystalline pin junction layer; 상기 미정질 pin 접합층 상에 비정질의 n형 실리콘층, i형 실리콘층, p형 실리콘층을 순차적으로 형성하여 비정질 pin 접합층을 형성하는 단계; 및Sequentially forming an amorphous n-type silicon layer, an i-type silicon layer, and a p-type silicon layer on the amorphous pin bonding layer to form an amorphous pin bonding layer; And 상기 비정질 pin 접합층 상에 상부전극을 형성하는 단계;Forming an upper electrode on the amorphous pin bonding layer; 를 포함하는 태양전지 제조방법.Solar cell manufacturing method comprising a. 제27항에 있어서,The method of claim 27, 상기 미정질 pin 접합층을 형성하는 단계 이전에 상기 비정질 pin 접합층을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.Forming the amorphous pin bonding layer prior to the step of forming the microcrystalline pin bonding layer. 제27항에 있어서,The method of claim 27, 상기 상부전극 상에 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.Forming an anti-reflection film on the upper electrode further comprises a solar cell manufacturing method. 청구항 제1항에 기재된 태양전지 기판의 제조방법에 의해 제작되어 상부에 요철이 형성된 유기기판;An organic substrate manufactured by the method for manufacturing a solar cell substrate according to claim 1, wherein the organic substrate has irregularities formed thereon; 상기 유기기판 상에 형성된 하부전극;A lower electrode formed on the organic substrate; 상기 하부전극 상에 미정질의 n형 실리콘층, i형 실리콘층 및 p형 실리콘층이 순차적으로 형성된 미정질 pin 접합층; A microcrystalline pin junction layer in which a microcrystalline n-type silicon layer, an i-type silicon layer, and a p-type silicon layer are sequentially formed on the lower electrode; 상기 미정질 pin 접합층 상에 비정질의 n형 실리콘층, i형 실리콘층 및 p형 실리콘층이 순차적으로 형성된 비정질 pin 접합층; 및An amorphous pin bonding layer in which an amorphous n-type silicon layer, an i-type silicon layer, and a p-type silicon layer are sequentially formed on the amorphous pin bonding layer; And 상기 비정질 pin 접합층 상에 형성된 상부전극;An upper electrode formed on the amorphous pin bonding layer; 을 포함하는 태양전지.Solar cell comprising a. 제30항에 있어서,The method of claim 30, 상기 미정질 pin 접합층이 상기 비정질 pin 접합층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지.The microcrystalline pin bonding layer is formed on the amorphous pin bonding layer solar cell. 제30항에 있어서,The method of claim 30, 상기 상부전극 상에 형성된 반사반지막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.The solar cell further comprises a reflective ring film formed on the upper electrode.
KR1020070082157A 2007-08-16 2007-08-16 Substrate of solar cell and manufacturing method thereof KR20090017760A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070082157A KR20090017760A (en) 2007-08-16 2007-08-16 Substrate of solar cell and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070082157A KR20090017760A (en) 2007-08-16 2007-08-16 Substrate of solar cell and manufacturing method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090017760A true KR20090017760A (en) 2009-02-19

Family

ID=40686325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070082157A KR20090017760A (en) 2007-08-16 2007-08-16 Substrate of solar cell and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090017760A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100109309A (en) * 2009-03-31 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 Solar cell and method of fabricating the same
KR101039918B1 (en) * 2010-03-30 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 Solar cell and method of fabricating the same
KR101134595B1 (en) * 2009-07-29 2012-04-09 삼성코닝정밀소재 주식회사 Substrate of photovoltaic cell, method for manufacturing the same and photovoltaic cell
KR101137440B1 (en) * 2010-04-12 2012-04-20 삼성코닝정밀소재 주식회사 Solar Electricity Generation Module using Cover Glass having Patterns for Transmittance Enhancement
KR101144034B1 (en) * 2010-04-27 2012-05-23 현대자동차주식회사 Method for manufacturing organic thin film solar cell using ion beam treatment and organic thin film solar cell manufactured by the same
US9991407B1 (en) * 2010-06-22 2018-06-05 Banpil Photonics Inc. Process for creating high efficiency photovoltaic cells
KR102338543B1 (en) * 2020-12-24 2021-12-15 (주)솔라플렉스 Fabricating method for solar cell with increased power generation area

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100109309A (en) * 2009-03-31 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 Solar cell and method of fabricating the same
KR101134595B1 (en) * 2009-07-29 2012-04-09 삼성코닝정밀소재 주식회사 Substrate of photovoltaic cell, method for manufacturing the same and photovoltaic cell
KR101039918B1 (en) * 2010-03-30 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 Solar cell and method of fabricating the same
WO2011122853A3 (en) * 2010-03-30 2012-01-26 엘지이노텍주식회사 Solar photovoltaic device and a production method for the same
KR101137440B1 (en) * 2010-04-12 2012-04-20 삼성코닝정밀소재 주식회사 Solar Electricity Generation Module using Cover Glass having Patterns for Transmittance Enhancement
KR101144034B1 (en) * 2010-04-27 2012-05-23 현대자동차주식회사 Method for manufacturing organic thin film solar cell using ion beam treatment and organic thin film solar cell manufactured by the same
US9991407B1 (en) * 2010-06-22 2018-06-05 Banpil Photonics Inc. Process for creating high efficiency photovoltaic cells
KR102338543B1 (en) * 2020-12-24 2021-12-15 (주)솔라플렉스 Fabricating method for solar cell with increased power generation area
WO2022139076A1 (en) * 2020-12-24 2022-06-30 주식회사 솔라플렉스 Production method for solar cell having increased surface area for power generation
US11764319B2 (en) 2020-12-24 2023-09-19 Solarflex Co., Ltd. Method of manufacturing solar cell with increased power generation area

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5367587B2 (en) Solar cell module and solar cell
US5228926A (en) Photovoltaic device with increased light absorption and method for its manufacture
KR20090017760A (en) Substrate of solar cell and manufacturing method thereof
JPWO2011024534A1 (en) Multi-junction photoelectric conversion device, integrated multi-junction photoelectric conversion device, and manufacturing method thereof
JP2017508294A (en) Conductive polymer / Si interface at the back of the solar cell
JP2014075526A (en) Photoelectric conversion element and photoelectric conversion element manufacturing method
TW200910618A (en) Solar cell and method for manufacturing the same
WO2011065571A1 (en) Photoelectric conversion module, method for manufacturing same, and power generation device
TWI445194B (en) Package structure of solar photovoltaic module and method of manufacturing the same
CN111584669B (en) Silicon heterojunction SHJ solar cell and preparation method thereof
JP2016122749A (en) Solar battery element and solar battery module
CN110729377A (en) Preparation method of double-sided power generation heterojunction solar cell and tile-stacked module thereof
CN111987184A (en) Laminated battery structure and preparation process thereof
CN111403554A (en) Preparation method of solar cell and solar cell obtained by preparation method
KR101092468B1 (en) Solar cell and manufacturing mehtod of the same
JP6115806B2 (en) Photovoltaic device
US20220319781A1 (en) Perovskite silicon tandem solar cell and method for manufacturing the same
KR20080052913A (en) Solar cell of thin amorphous sillicon film and method of making the solar cell
JP2002319688A (en) Laminated solar battery
KR101193021B1 (en) Solar cell having dot type electrode and manufacturing method of the same
TWI415272B (en) Method of fabricating rear surface point contact of solar cells
CN212323018U (en) Laminated battery structure
KR20210039281A (en) Perovskite silicon tandem solar cell and method for manufacturing the same
KR100916199B1 (en) Manufacturing method of single crystal substrate and manufacturing method of solar cell using it
CN218957742U (en) Back contact solar cell and photovoltaic module

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application