KR100914114B1 - 영구데이터저장용 저장매체 - Google Patents

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쇼오트 아게
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Abstract

본 발명은 저장매체(14)에 데이터를 기록하기 위한 기록수단(18) 및, 데이터를 판독하기 위한 판독수단(28)을 포함하는 저장매체(14)를 갖는 영구데이터기억장치(10)를 설명한다. 저장매체는 기록펄스에 의해서 비결정질상 및 결정질상간에 국부적으로 전환될 수 있는 산화유리 또는 불소유리이며 바람직하게는 도핑을 포함하며, 도핑은 란탄족원소 및/또는 3d 전자배열을 갖는 전이금속이다(도1).
상변환물질, PCM, 저장매체, 영구데이터저장, 판독수단, 도핑

Description

영구데이터저장용 저장매체{STORAGE MEDIUM FOR PERMANENT DATA STORAGE}
본 발명은 비결정질상(amorphous phase) 및 결정질상(crystalline phase)간에 전환될 수 있는 영구데이터저장용 저장매체 (상변환물질, Phase Change Material(PCM))에 관한 것이다.
본 발명은 부가적으로 상기 저장매체를 포함하는 영구데이터 저장장치 및 상기 저장매체를 사용하는 데이터를 영구적으로 저장하는 방법에 관한 것이다.
종래기술은 영구데이터 저장장치용 "플래시 메모리(flash memory)"로서 자기데이터 저장장치를 널리 사용한다. 고도의 판독속도 및 기록속도와 결합하여 영구데이터 저장장치는 많은 신규출원을 개시한다. 컴퓨터의 장시간 "부팅", 많은 전기장치의 대기중 작동에서 전류소비, 휴대폰 및 디지털카메라에서의 장시간 데이터 저장 및 판독시간이 상기 방식으로 방지될 수 있다.
데이터가 영구적으로 저장되도록 하기 위해서 매우 신속하게 두 개의 상 사이에서 전환될 수 있는 물리적 성질을 갖는 것이 필요하다.
가장 최근에는 소위 "상변환물질"(PCM)이 저장물질의 두 개의 상이한 상(비결정질/결정질)이 영구데이터저장용으로 사용되는 경우에서 발전되어 왔다.
일반적으로, 국부적인 비결정질/결정질 상태에 의해서 특성화되는 일 비트를 판독하는 두 가지 가능성 - (a) 판독에 있어서 전기전도성의 차이에 의해 용도가 이루어지는 전기적 방법, (b) 판독에 있어서 광학성질(예를들면, 상이한 반사조건)의 차이에 의해 용도가 이루어지는 전기적 방법 - 이 있다.
PCRAM (상변환 랜덤액세스메모리, Phase Change Random Access Memory)라고 알려진 것의 경우에, 데이터저장용으로 사용되는 비결정질 및 결정질간에서 변화하는 것은 저장소자의 가변전기저항이다. 상기 경우에, 시스템을 전기적으로 전도성 있게 하는 도핑(doping) (예를들면, 은 도핑 (Ag + 이온))이 요구된다. 저항적 저장소자는 금속 상전극, 금속 하전극, 및 상기 사이에서 비결정질과 결정질간에 상이 변화할 수 있는 저장매체로 구성된다. 비결정질 물질을 제조하기 위해서, 물질은 전기적 펄스에 의해 가열된다. 펄스의 말단부를 따라서, 상기 물질은 매우 신속하게 냉각되며, 비결정질상에 머무르고 결정화되지 않는 효과를 갖는다. 결정질상으로의 역변화는 결정화 온도까지 가열되며 저전류밀도의 보다 긴 전류펄스에 의해 영향받는다. 비결정질 물질은 상기 결정화 온도까지 가열되며, 결정핵생성을 개시하고 결정화가 발생할 때까지 상기 온도에서 유지된다.
정보를 판독하기 위해서, 전압은 저항소자를 가로질러 인가되어서 전류강도가 너무 낮게 되어서 물질의 온도가 상변화를 유발하는 데 필요한 수준에 도달하지 못하게 된다. 각각의 상에 따라서, 전류흐름은 상이하며, 상기 사실은 판독용으로 활용된다.
택일적으로, 판독은 광학판독으로 달성될 수 있다. 상기 경우에, 판독목적상 결정질 및 비결정질상간 반사에서의 차이를 활용하는 것이 바람직할 수 있다. 전기전도성을 생산하는데 조력하는 도핑은 상기 경우에 요구되지 않는다.
정상적으로 사용되는 상변화물질은 특수분리과정(예를들면, 마그네트론 스퍼트증착)에 의해 초기 비결정질층으로서 기질에 침전되는 Ge2Sb2Te5(GST) 같은 칼코겐이다. 상기 저장세포 같은 것을 사용하여 광학적으로 판독될 수 있거나 또는 직접 전기적으로 (비교 US 2004/0037106 A1) 판독될 수 있는 영구데이터 저장장치가 구조될 수 있다. 기록은 대체로 레이저빔을 사용하여 달성될 수 있으며, 판독은 라인디코더 및 칼럼디코더를 사용하여 전기적으로 직접 달성될 수 있다. 얇은 층으로서 기질에 침전되는 칼코겐 저장매체가 공지되어 있다. 예를들면, Ge2Sb2Te5(GST)는 DVD-RAM에서 저장매체로서 사용된다. [Kolobov et al., "Understanding the phase-change mechanism of rewritable optical media", Nature Materials, Volume 3, October 2004, 703-708]. 상기 경우에, 초기 비결정질 GST층은 물질을 유리변형온도이상 온도까지 가열하는 충분한 강도의 레이저빔에 의해서 결정화된다. 후속의 보다 강하고 짧은 레이저펄스는 이후에 저장물질이 녹고 급속냉각함에 의해서 비결정질상을 띄도록 한다.
추가 PCM 물질은 Luo 및 Wuttig로부터 공지되어 있다. [참조문헌: "The Dependence of Crystal Structure of Te-Based Phase-Change Materials on the Number of Valence Electrons", Advanced Material, 2004, 16, Nr. 5, March 5, 439-443]. 상기 관점에서 GeTe, Ge1Sb2Te4, Ge2Sb2Te5, Ge4Sb1Te5, In3SbTe2, AgSbTe2, AuSbTe2 , Au25Ge4Sn11Te60, Ag3In4Sb76Te17, Ag5 .5In6 .5Sb59Te29는 비결정질 및 결정질간 상을 변화하는 데 적절한 물질이라고 인식되어 왔다. 상변화 칼코겐물질 Ge2Sb2Te5 에 관한 추가연구는 [참조문헌: Friedrich et al., "Morphology and structure of laser-modified Ge2Sb2Te5 films studied by transmission electron microscopy", Thin Solid Films, 389 (2001), 239-244,]로부터, 추가적으로 [참조문헌: Welnic et al., "Unravelling the interplay of local structure and physical properties in phase-change materials", Nature Materials, Volume 5, January 2006, 56-62.]에 공지되어 있다.
대체로, 상기 칼코겐합금은 스퍼트침착(sputtering)으로써 사용된다. 상기 방법은 유용한 물질의 수를 제한한다. 스퍼트침착과정에 의한 침전은 또한 상대적으로 복잡하고 고비용이다.
상기 배경에 앞서서, 본 발명은 비결정질상 및 결정질상 사이에서 전환될 수 있으며 단순 및 저비용방식으로 제조될 수 있는 영구데이터저장용 신규 저장매체를 제공함을 목적으로 한다.
추가적으로, 본 발명은 상기 저장매체를 포함하는 영구데이터기억장치 및 데이터의 영구저장용 방법을 제공함을 목적으로 한다.
본 발명은 기록펄스에 의해 비결정질상 및 결정질상 사이에서 국부적으로 전환될 수 있는 산화유리 또는 불소유리로 구성된 비결정질상 및 결정질상 사이에서 전환될 수 있는 영구데이터저장용 신규 저장매체(PCM)에 의해서 달성된다.
본 발명의 목적은 상기 방식으로 완전히 달성된다.
저장매체로서 산화유리 또는 불소유리를 사용함으로 영구데이터기억장치가 특히 단순 및 저비용 방식으로 제조되게 된다. 상기 목적용 유리로서 적합한 것은 일반적으로 결정화하는 데 일정경향을 나타내어서 비결정질상 및 결정질상 사이에서 국부적으로 전환될 수 있으며 역으로 기록펄스(예를들면 레이저빔)에 의해서도 또한 동일한 일반적으로 모든 산화유리 또는 불소유리 형태이다.
본 목적은 부가적으로 기록매체위에 데이터를 기록하기 위한 기록수단 및 상기 데이터를 판독하기 위한 판독수단을 포함하는 상기 기록매체를 갖는 영구데이터기억장치에 의해 달성된다.
본 발명의 목적은 부가적으로 비결정질상 및 결정질상 사이에서 국부적 상변환에 의해 데이터를 기록하기 위한 기록수단을 사용하여 상기 종류의 기록매체가 프로그램되며 상기 기록매체가 비결정질상또는 결정질상에 의존하는 성질의 국부변화를 평가함에 의해서 판독되는 데이터의 영구저장용 방법에 의해 달성된다.
이에 의해 특히 단순하고 저비용방식으로 영구데이터 저장장치를 제조하는 것이 가능하다.
본 발명의 보다 바람직한 실시예에 의하면, 유리는 란탄족원소 및 3d 전자배열을 갖는 전이금속에 의해 형성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 도펀트(dopant)를 포함한다.
상기는 상변화의 용이판독을 개선한다. 상기 시스템에서 광학적 전이는 환경의 국부대칭(결정장)에 고도로 의존한다. 반사 및 흡수는 시스템이 유리상 및 유리세라믹상 사이에서 전환될 때 소정의 파장범위에서 고도로 변화한다.
상기 도펀트는 예를들면, 란탄족원소, 바람직하게는 세륨, 니켈, 망간, 철, 크롬, 바나듐, 코발트 또는 구리를 포함할 수 있다.
도핑이 세륨을 사용하여 달성되는 경우, 중량으로 최소 0.01 %의 소량, 바람직하게는 세륨 중량으로 최소 0.1%의 소량으로 충분하다.
다른 란탄족 또는 3d 전자배열을 갖는 전이금속이 도핑용으로 사용되는 경우에, 명확히 고도의 도핑용량이 요구된다.
도핑이 세륨을 사용하여 달성되는 경우, 도핑용량은 바람직하게는 중량으로 최대 3%까지, 더욱 바람직하게는 중량으로 최대 1%까지 제한되어야 한다.
도핑이 세륨을 제외한 다른 란탄족을 사용하여 또는 3d 전자배열을 갖는 전이금속으로 달성되는 경우, 도핑용량은 중량으로 최대 20%까지, 바람직하게는 중량으로 최대 5%까지 제한되어야 한다.
전술한 대로, 일반적으로 저장매체로서 사용되는 유리는 임의의 바람직한 산화유리 또는 불소유리로 구성될 수 있다. 일반적으로, 결정화하는 높은 경향을 나타내고 따라서 유리상 및 비결정질상간에 국부적으로 용이하게 변환될 수 있는 유리가 선호된다.
저장매체는 예를들면, 초중량 란탄플린트유리(extra heavy lanthanum flint glass), 란탄플린트유리, 초중량 플린트유리, 란탄크라운유리, 초중량 인산크라운유리에 의해 형성된 군으로부터 선택될 수 있으며, 적은 온도차에서 이미 점성도에 심각한 변화를 나타내는 급결(急結)유리가 선호된다.
본 발명의 타 실시예에 의하면, 저장매체는 무알칼리이다.
상기 설계는 제조 및/또는 청정실에서의 고상성분과의 동시처리를 촉진한다.
본 발명의 타 실시예에 이하면, 유리변형온도 Tg는 900℃ 이하이며, 바람직하게는 700℃ 이하이며, 매우 바람직하게는 600℃ 이하이다.
정확히 단축된 가열시간으로서 비결정질상 및 결정질상간 전환을 상당히 낮게 촉진하는 변형온도가 상기 경우에서 변형온도에 도달 및/또는 초과하도록 요구된다. 상기는 저장매체의 "프로그래밍"을 위한 기록시간을 분명히 단축시킨다.
데이터기억장치를 프로그램밍하는데 사용되는 기록수단은 바람직하게는 고상 레이저를 포함한다.
몇십 밀리왓트, 최대 일 왓트의 상대적으로 낮은 전력을 갖는 고상 레이저가 상기 목적용으로 충분하다.
바람직하게는, 데이터기억장치의 판독수단은 저장매체의 국부상태에 의존하는 저장매체의 하나의 광학성질을 판독하기 위한 검출기 및 레이저, 특히 고상 레이저를 포함할 수도 있다.
일반적으로, 판독용으로 사용되는 레이저는 기록용으로 사용되는 레이저와 동일할 수 있다.
그러나, 판독용으로 요구되는 에너지는 기록용으로 요구되는 에너지보다 명확히 낮다. 즉 크기에 있어서 최소 일차수 만큼 낮다. 검출기는 성질에 있어서 광학적 변화를 평가하는데 조력하며, 특히 반사에서의 변화 및/또는 반사 및/또는 방사되는 복사의 스펙트럼 형태에서의 변화를 평가하는데 조력한다.
저장매체는 0.01 mm 와 5 mm 사이의 두께, 바람직하게는 0.05 mm 와 1 mm 사이의 두께, 매우 바람직하게는 0.1 mm 와 0.5 mm 사이의 두께를 갖는 박판으로서 형성될 수 있다.
상기 판은 일 인치(25.4 mm)의 복수 정수에 일치하는 직경을 갖는 고상 웨이퍼에 적용되는 크기의 원형 디스크로 구성될 수 있다.
상기와 같은 저장매체는 바람직하게는 하등의 열전도성을 갖으며 바람직하게는 상등의 열전도성을 갖는 기판과 연결된다.
저장매체는 웨이퍼에 접합될 수 있거나, 접착, 분무 또는 다른 방식으로 웨이퍼에 적용될 수 있다.
웨이퍼형태인 PCM 물질의 형태로 유리가 판독입력 및 판독출력용 전자시스템을 위한 기판으로서 및 저장매체로서 동시에 제공될 수 있다.
상기는 매우 조밀하고 비용절감적 구조에 도달하게 한다.
데이터프로그래밍의 영구저장용 방법은 바람직하게는 제1 에너지를 갖는 제1 펄스 및 제1 펄스의 에너지보다 높은 제2 에너지를 갖는 제2 펄스를 적어도 발생하는 레이저에 의해 달성되며, 상기 제1 펄스는 국부적 결정질 상태를 발생하는데 사용되며 상기 제2 펄스는 국부적 비결정질 상태를 발생하는데 사용된다.
상기는 데이터저장장치의 용이한 프로그래밍을 허용한다.
상기 연결에서, 예를들면, 제1 펄스는 제2 펄스보다 길 수 있고/있거나 고에너지밀도를 갖을 수 있다.
판독출력은 바람직하게는 저장매체의 표면을 스캔하는 레이저를 사용하고 검출기를 사용하는 비결정질/결정질 비트 유형으로서 저장되는 데이터를 평가하여 달성될 수 있다.
바람직하게는, 비트유형은 상기 경우에 판독빔에 의한 조명상태에서 반사되거나 방사되는 복사의 스펙트럼분포 또는 세기에서의 국부변이에 근거하여 평가된다.
판독빔(reading beam)은 저장매체의 비결정질 및 결정질 점간에 가능한 최고의 콘트라스트를 얻기 위해서 상기 경우에 저장매체에, 특히 저장매체의 도핑에 적합하게 개조된다고 간주된다. 고상 레이저의 파장은 적합한 도핑에 의해서 광범위하게 적응될 수 있다는 것을 고려하면, 평가는 상기 방식으로 최적화될 수 있다.
레이저를 이용하여 프로그래밍함에 있어서, 특히 기록빔이 뚜렷이 초점모아진다.
전술한 본 발명의 특징 및 하기에서 설명되는 특징은 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 지시된 각각의 조합으로 및 다른 조합으로 사용될 수 있다.
본 발명의 추가 특징 및 이점은 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 하기의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
본 발명은 저장매체로서 비결정질상 및 결정질상 사이에서 전환될 수 있는 산화유리 또는 불소유리를 사용함으로 영구데이터기억장치가 특히 단순 및 저비용 방식으로 제조되는 효과가 있다.
본 발명은 부가적으로 비결정질상 및 결정질상 사이에서 국부적 상변환에 의해 데이터를 기록하기 위한 기록수단을 사용하여 일정 종류의 기록매체가 프로그램되며 상기 기록매체가 비결정질상또는 결정질상에 의존하는 성질의 국부변화를 평가함에 의해서 판독되어 특히 단순하고 저비용방식으로 영구데이터저장장치를 제조하는 것이 가능한 효과가 있다.
데이터기억장치(10)는 예를들면 0.3 mm의 두께를 갖는 얇은 비결정질 유리막의 형태인 저장매체(14)가 접착 또는 분무(예를들면 Tg 이상의 온도에서 회전기판(12)에 분무함으로써)에 의해 사용되는 기판(12)을 포함한다. 저장매체(14)가 제조되는 물질은 하기에서 보다 상세히 설명된다. 어느 경우에나, 저장매체(14)는 국 부적 결정화를 유발하는 상대적으로 저에너지의 레이저펄스를 사용하는 기록수단(18)에 의해 변형온도 이상의 온도까지 국부적으로 가열될 수 있다. 다소 고에너지를 갖는 레이저펄스는 비결정질상을 고화하기 위해서 물질을 냉각상 동안 고온까지 가열되게 한다. 상기 물질은 그러므로 PCM 물질(상변환물질)이다.
비결정질상태 및 결정질상태간 국부변화는 기록수단(28)에 의해 광학적으로 평가될 수 있는 성질의 국부변이를 유발한다.
구동모터(16)는 화살표(17)에 의해 지시된 대로 저장매체(14)와 동시에 기판(12)을 고속으로 회전하게 설정한다. 기록은 뚜렷이 초점모아진 기록수단(21)을 갖는 레이저를 구비한 기록수단(18)에 의해 달성된다. 레이저(20)는 50 mW의 전력을 갖을 수 있다. 기록작동동안에, 기록수단(18)은 화살표(22)에 의해 도시된 대로 상세히 도시되지 않은 방식으로 반경방향으로 이동된다.
결과적으로, 비트유형이 저장매체(14)의 표면에 기록된다. 비트유형은 저장매체(14)의 표면을 조명하는 데 조력하는 레이저(30)에 의해 또다시 영향을 받는 판독수단(28)에 의해 판독출력될 수 있다. 저장매체(14)의 표면에 의해 반사되거나 방사되는 복사(34)는 검출기(36)(모든 경우에서의 가장 단순형으로 광다이오드)를 통해서 판독되며 제어장치(26)와 결합되는 출력을 갖는 평가회로(38)에 의해 평가된다. 데이터의 판독출력동안에, 기록수단(28)은 화살표(33)에 의해 지시된 대로 적합한 방식으로 유사이동된다. 또한, 기록수단(18)의 레이저(20)는 드라이버(22)에 의해 구동되며 기록수단(28)의 레이저(30)는 제어장치(26)의 제어하에 드라이버(40)에 의해 구동된다. 제어장치(26)는 기록되거나 판독되는 데이터를 전송하는 컴퓨터(미도시)를 구비한 인터페이스(42)를 통해서 통신연결된다.
기록수단 및 판독수단(18, 28)은 또한 단일유닛에 결합될 수 있다.
저장매체(14)는 산화유리 또는 불소유리일 수 있는, 바람직하게는 란탄족 원소 및/또는 3d 전이금속으로 도핑되는 즉시결정화유리(readily crystallizing glass)로 구성된다.
결정화하는 높은 경향을 갖으며 기록매체(14)의 제조용으로 적합한 가능한 유리조성물의 몇몇 예가 표1에서 요약된다.
표에서, 예(번호 1 내지 4)는 상대적으로 저알칼리함량을 갖으며 란탄족원소로 도핑된 비스무트붕산염유리(bismuth borate glass)이다. 유리(번호 1 및 2)는 즉시결정화유리이며 유리(3,4)(조성물에서 단지 조금만 변화하지만)는 평상식으로 제조될 때 백금도가니에 녹이고 다음으로 주조함으로써 직접 결정화한다.
Er2O3 로 도핑하는 것은 비결정질상태 및 결정질상태간 특히 고판독콘트라스트를 보장하는 발광성질을 생성한다.
설명된 예는 단지 소수의 발상가능한 불소유리 또는 산화유리이며 도펀트는 광범위한 한계내에서 변화될 수 있다고 이해된다.
평가수단(28)의 레이저(30)는 바람직하게는 저장매체(14)의 유형에 적합하게 순응되어서 도펀트가 적합한 파장으로 조명될 때 고도로 가능한 콘트라스트가 저장매체의 비결정질상태 및 결정질상태간에 얻어질 수 있으며 검출기(36)(모든 경우의 가장 단순형으로서 광다이오드)에 의해 감지될 수 있다.
또다른 적절한 즉시결정화유리는 US 2004/0137075 A1 에 공지되어 있다. 상 기는 표2에서 표시된 조성물의 란탄족붕산염유리이다. 굴절지수 nd 는 1.71 이상이며, 변형온도 Tg < 700℃ 이다.
Figure 112007060269790-pat00001
Figure 112007060269790-pat00002
도1은 본 발명에 의한 영구데이터 저장장치의 매우 단순화된 표시를 도시하며, 참조번호 10으로 일반적으로 표시된 본 발명에 의한 데이터 저장장치의 도식적 표시를 나타낸다.

Claims (24)

  1. 비결정질상 및 결정질상간에 전환될 수 있는 영구데이터저장용 저장매체 (상변환물질 - PCM)에 있어서,
    기록펄스에 의해 비결정질상 및 결정질상간에 국부적으로 전환될 수 있는 산화유리 또는 불소유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 영구데이터저장용 저장매체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유리는 란탄족의 원소 및 3d 전자배열을 갖는 전이금속에 의해 형성되는 군으로부터 선택된 도펀트(dopant)를 포함하는 것을 특징으로 하는 영구데이터저장용 저장매체.
  3. 제2항에 있어서, 상기 유리는 란탄족의 원소 및 니켈, 망간, 철, 크롬, 바나듐, 코발트, 구리에 의해 형성되는 군으로부터 선택된 도펀트(dopant)를 포함하는 것을 특징으로 하는 영구데이터저장용 저장매체.
  4. 제2항에 있어서, 상기 유리는 세륨의 0.01 % 내지 3 %중량으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 영구데이터저장용 저장매체.
  5. 제2항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 유리는, 3d 전자배열을 갖는 전이금속 또는 세륨을 제외한 란탄족원소의 0.1 % 내지 20 % 중량으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 영구데이터저장용 저장매체.
  6. 제2항에 있어서, 상기 유리는 세륨의 0.1 % 내지 1 % 중량으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 영구데이터저장용 저장매체.
  7. 제2항 또는 제6항에 있어서, 상기 유리는 3d 전자배열을 갖는 전이금속 또는 세륨을 제외한 란탄족원소의 1 % 내지 10 % 중량으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 영구데이터저장용 저장매체.
  8. 제1항에 있어서, 상기 저장매체는 초중량 란탄플린트유리(extra heavy lanthanum flint glass), 란탄플린트유리, 초중량 플린트유리, 란탄크라운유리, 초중량 인산크라운유리에 의해 형성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 영구데이터저장용 저장매체.
  9. 제8항에 있어서, 저장매체는 무알칼리인 것을 특징으로 하는 영구데이터저장용 저장매체.
  10. 제1항에 있어서, 유리변형온도 Tg는 460℃ 내지 900℃ 사이인 것을 특징으로 하는 영구데이터저장용 저장매체.
  11. 제1항에 기재된 저장매체(14)를 갖는 영구데이터기억장치에 있어서, 저장매체(14)에 데이터를 기록하기 위한 기록수단(18) 및 상기 데이터를 판독출력하기 위한 판독수단(28)을 포함하는 것을 특징으로 하는 영구데이터기억장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 기록수단(18)은 고상 레이저를 포함하는 것을 특징으로 하는 영구데이터기억장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 판독수단(28)은 레이저(30) 및 저장매체(14)의 국부상태에 의존하는 저장매체(14)의 하나의 광학성질을 판독하기 위한 검출기(36)를 포함하는 것을 특징으로 하는 영구데이터기억장치.
  14. 제11항에 있어서, 저장매체(14)는 0.01 mm 내지 5 mm 사이의 두께(d)를 갖는 박판으로서 형성되는 것을 특징으로 하는 영구데이터기억장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 저장매체(14)는 일 인치(25.4 mm)의 복수 정수에 일치하는 직경을 갖는 고상 웨이퍼에 적응되는 크기의 원형 디스크로 형성되는 것을 특징으로 하는 영구데이터기억장치.
  16. 제11항에 있어서, 저장매체(14)는 상등의 열전도성을 갖는 기판(12)과 연결되는 것을 특징으로 하는 영구데이터기억장치.
  17. 제11항에 있어서, 저장매체(14)는 기판(12)에 접합되거나 접착 또는 분무에 의해 기판(12)에 사용되는 것을 특징으로 하는 영구데이터기억장치.
  18. 제11항에 있어서, 웨이퍼형태인 PCM 물질의 형태로 유리가 전자시스템용 기판 및 저장매체로서 동시에 제공될 수 있는 것을 특징으로 하는 영구데이터기억장치.
  19. 데이터의 영구저장용 방법에 있어서, 제1항에 의한 저장매체(14)는 비결정질상 및 결정질상간 국부변화에 근거하여 데이터를 기록하기 위한 기록수단(18)을 사용하여 프로그램되며, 상기 저장매체(14)는 비결정질상태 및 결정질상태에 의존하는 성질에서의 국부변이를 평가함에 의해서 판독출력되는 것을 특징으로 하는 데이터의 영구저장용 방법.
  20. 제19항에 있어서, 레이저(20)는 제1 에너지를 갖는 제1 펄스 및 상기 제1 펄스의 에너지보다 높은 제2 에너지를 갖는 제2 펄스를 최소한 발생하는 프로그래밍용으로 사용되며, 상기 제1 펄스는 국부적 결정질상태를 발생하는데 사용되며 상기 제2 펄스는 국부적 비결정질상태를 발생하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 데이터의 영구저장용 방법.
  21. 제20항에 있어서, 레이저(20)는, 제1펄스가 제2 펄스보다 짧게 프로그래밍하도록 사용될 수 있는 것을 특징으로 하는 데이터의 영구저장용 방법.
  22. 제20항에 있어서, 레이저(30)는 저장매체(14)의 표면을 스캔하는데 사용되며, 비결정질/결정질 비트유형으로서 저장되는 데이터는 검출기(36)를 사용하여 평가되는 것을 특징으로 하는 데이터의 영구저장용 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 비트유형은 판독빔(32)에 의한 조명상태에서 반사되거나 방사되는 복사(34)의 스펙트럼분포 또는 세기에서의 국부변이에 근거하여 평 가되는 것을 특징으로 하는 데이터의 영구저장용 방법.
  24. 제10항에 있어서, 유리변형온도 Tg는 460℃ 내지 600℃ 사이인 것을 특징으로 하는 영구데이터저장용 저장매체.
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