KR100905596B1 - 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 이미지 센서는, 포토다이오드를 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 배치된 금속배선을 포함하는 층간 절연막: 상기 층간 절연막 상에 배치된 상부 절연층; 상기 포토다이오드에 대응하는 상기 상부 절연층 또는 층간 절연막에 형성되고 곡면형태의 측벽을 가지는 트랜치; 및 상기 트랜치 내부에 형성된 렌즈용 컬러필터를 포함한다.
이미지 센서, 포토다이오드, 컬러필터
Description
실시예에서는 이미지 센서 및 그 제조방법이 개시된다.
이미지 센서는 광학적 영상(Optical Image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 크게 전하결합소자(charge coupled device:CCD) 이미지 센서와 씨모스(Complementary Metal Oxide Silicon:CMOS) 이미지 센서(CIS)를 포함한다.
씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토다이오드와 모스트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
씨모스 이미지 센서에서 디자인 룰이 점차 감소됨에 따라 단위 픽셀의 사이즈가 감소하여 광감도가 감소될 수 있다. 이러한 광감도를 높여주기 위하여 컬러필터 상에 마이크로 렌즈가 형성된다.
그러나, 상기 마이크로렌즈를 형성하여도 광학적인 한계와 소자 내부에서의 회절 및 산란에 의하여 광감도가 감소될 수 있다.
실시예에서는 포토다이오드의 광 감도를 향상시킬 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 이미지 센서는, 포토다이오드를 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 배치된 금속배선을 포함하는 층간 절연막: 상기 층간 절연막 상에 배치된 상부 절연층; 상기 포토다이오드에 대응하는 상기 상부 절연층 또는 층간 절연막에 형성되고 곡면형태의 측벽을 가지는 트랜치; 및 상기 트랜치 내부에 형성된 렌즈용 컬러필터를 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법은, 반도체 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 반도체 기판에 금속배선을 포함하는 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막 상에 상부 절연층을 형성하는 단계; 상기 상부 절연층 및 층간 절연막에 곡면형태의 측벽을 가지는 트랜치를 형성하는 단계; 및 상기 트랜치 내부에 렌즈용 컬러필터를 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조방법에 의하면, 포토다이오드 상부의 층간 절연막 내부에 렌즈용 컬러필터가 형성되어 포토다이오드의 광 감도를 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 렌즈용 컬러필터가 층간 절연막의 내부에 형성되므로 초소형 및 고집적화를 달성할 수 있다.
또한, 상기 렌즈용 컬러필터 상에 마이크로 렌즈가 형성되어 상기 포토다이오드의 필 팩터를 향상시킬 수 있다.
실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/위(on/over)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/위(on/over)는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 5는 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다.
도 5를 참조하여, 반도체 기판(10)에는 빛을 수광하여 광전하를 생성하는 포토다이오드(20)가 단위화소 별로 배치되어 있다.
도시되지는 않았지만, 상기 반도체 기판(10)에는 상기 포토다이오드(20)에 연결되어 수광된 광전하를 전기신호를 변환하는 씨모스 회로(미도시)가 단위화소 별로 형성될 수 있다.
상기 반도체 기판(10) 상에는 금속배선(40)을 포함하는 층간 절연막(30)이 배치되어 있다.
상기 층간 절연막(30)은 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(30)은 제1, 제2 및 제3 층간 절연막(31, 32, 33)으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 층간 절연막(30)은 질화막 또는 산화막으로 형성될 수 있다.
상기 금속배선(40)은 상기 층간 절연막(30)을 관통하고 복수의 개로 형성될 수 있다. 상기 금속배선(40)은 제1, 제2 및 제3 금속배선((M1, M2, M3)으로 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 금속배선(M1, M2, M3)(40)은 상기 제1 내지 제3 층간 절연막(31,32,33)에 각각 형성되어 상호 전기적으로 접속되도록 형성될 수 있다.
상기 금속배선(40)은 포토다이오드(20)로 입사되는 빛을 가리지 않도록 의도적으로 레이아웃되어 배치된다. 따라서, 상기 포토다이오드(20) 상부 영역은 층간 절연막(30)이 위치될 수 있다
상기 금속배선(40)을 포함하는 층간 절연막(30) 상부에는 상부 절연층(50)이 배치되어 있다. 상기 상부 절연층(50)은 USG막으로 형성될 수 있다.
상기 층간 절연막(30) 및 상부 절연층(50)은 절연물질로 형성되어 약 1.0~1.45의 굴절률을 가질 수 있다.
상기 포토다이오드(20)에 대응하는 상기 상부 절연층(50) 및 층간 절연막(30)에는 트랜치(55)가 형성되어 있다. 상기 트랜치(55)는 상기 상부 절연층(50) 및 제3 층간 절연막(30)을 제거하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 트랜치(55)는 측벽이 곡면형태를 가지도록 형성될 수 있다.
상기 트랜치(55)의 내부에는 렌즈용 컬러필터(60) 배치되어 있다. 상기 렌즈용 컬러필터(60)는 상기 트랜치(55)의 내부에 형성되어 상기 포토다이오드(20)를 향해 볼록한 렌즈형태로 형성될 수 있다.
또한, 싱기 렌즈용 컬러필터(60)는 컬러필터 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 렌즈용 컬러필터(60)는 레드, 그린 및 블루 중 어느 하나의 색상을 가질 수 있다.
상기 렌즈용 컬러필터(60) 상에 돔 형태의 마이크로 렌즈(80)가 형성된다.
실시예에 따른 이미지 센서는, 층간 절연막의 내부에 렌즈용 컬러필터가 형성되어 소자의 집적화를 달성할 수 있다.
또한, 상기 광학 굴절부가 상기 층간 절연막의 내부에 형성되어 소자의 집적화가 가능하다.
도 1 내지 도 5를 참조하여 실시예에 따른 이미지 센서의 제조공정을 설명한다.
도 1을 참조하여, 반도체 기판(10)에는 포토다이오드(20)가 형성된다.
상기 반도체 기판(10)에는 빛을 수광하여 광전하를 생성하는 포토다이오드(20) 및 상기 포토다이오드(20)에 연결되어 수광된 광전하를 전기신호를 변환하는 씨모스 회로(미도시)가 단위화소 별로 형성될 수 있다.
상기 포토다이오드(20)가 형성된 반도체 기판(10) 상에는 금속배선(40)을 포함하는 층간 절연막(30)이 형성된다.
상기 층간 절연막(30) 및 상기 금속배선(40)은 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(30)은 제1, 제2 및 제3 층간 절연막(31,32,33)으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 금속배선(40)은 제1, 제2 및 제3 금속배선(M1, M2, M3)(40)으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 금속배선(M1, M2, M3)(40)을 포함하는 층간 절연막(30)은 3개의 층으로 형성될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 층간 절연막(31,32,33)은 질화막 또는 산화막으로 형성될 수 있다.
상기 금속배선(40)은 금속, 합금 또는 살리사이드를 포함하는 다양한 전도성 물질 예를 들어 알루미늄, 구리, 코발트 또는 텅스텐등으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 금속배선(40)은 포토다이오드(20)로 입사되는 빛을 가리지 않도록 의도적으로 레이아웃되어 형성된다. 따라서, 상기 포토다이오드(20) 상부 영역은 층간 절연막(30)이 위치될 수 있다.
상기 제3 층간 절연막(30) 상에는 상부 절연층(50)이 형성될 수 있다. 상기 상부 절연층(50)은 습기나 스크래치 등으로부터 소자를 보호할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 절연층(50)은 USG(Un-doped silicate)막으로 형성될 수 있다.
이때, 상기 제1 내지 제3 층간 절연막(30)과 상부 절연층(50)의 약 1.0~1.45의 굴절률 가질 수 있다.
도 2를 참조하여, 상기 상부 절연층(50)에 보조 트랜치(51)가 형성된다. 상기 보조 트랜치(51)는 상기 포토다이오드(20)에 대응하는 상기 상부 절연층(50) 또는 제3 층간 절연막(30)의 표면을 노출시키도록 형성될 수 있다.
상기 보조 트랜치(51)를 형성하기 위해서는 상기 상부 절연층(50) 상에 상기 포토다이오드(20)에 대응하는 상기 상부 절연층(50)을 노출시키는 포토레지스트 패턴(100)을 형성한다. 그리고, 상기 포토레지스트 패턴(100)을 식각마스크로 사용하 여 상기 상부 절연층(50)을 식각한다. 예를 들어, 상기 상부 절연층(50)은 CxHyFz(x,y,z는 0 또는 자연수)가스를 이용한 건식 식각방법에 의하여 식각될 수 있다. 이때, 상기 상부 절연층(50)과 상기 포토레지스트 패턴(100)는 예를 들어 2:1~20:1의 비율의 식각비를 가질 수 있다.
그러면, 상기 상부 절연층(50)에는 상기 포토다이오드(20)에 대응하는 영역의 상기 상부 절연층(50) 또는 제3 층간 절연막(30)을 노출시키는 보조 트랜치(51)가 형성된다. 실시예에서 상기 보조 트랜치(51)는 상기 제3 층간 절연막(30)의 표면을 노출시키도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 포토레지스트 패턴(100)에 의하여 노출되는 상기 상부 절연층(50)은 상기 포토다이오드(20)보다 작은 면적을 가지므로 상기 보조 트랜치(51)는 상기 포토다이오드(20) 보다 작은 면적으로 형성될 수 있다.
도 3을 참조하여, 상기 제3 층간 절연막(30)에 측벽이 곡면을 가지는 트랜치(55)가 형성된다. 상기 트랜치(55)는 상기 포토다이오드(20)에 대응하는 상기 제3 층간 절연막(30)의 내부를 노출시키도록 형성될 수 있다. 물론, 상기 트랜치(55)는 상기 제3 층간 절연막(30)의 하부 영역을 노출시킬 수도 있다.
상기 트랜치(55)는 상기 제1 포토레지스트 패턴(100) 및 보조 트랜치(51)를 식각 마스크로 사용하여 상기 제3 층간 절연막(30)을 건식 식각함으로써 형성될 수 있다. 특히, 상기 제3 층간 절연막(30)에 대한 상기 포토레지스트 패턴(100)의 식각 선택비를 감소시키면 상기 트랜치(55)는 측벽이 곡면형태를 가지는 형태로 형성될 수 있다. 이것은 식각 가스인 CxHyFz(x,y,z는 0 또는 자연수)에서 x의 비율을 감소시켜서 포토레지스트막 대한 식각비가 감소되는 원리를 이용한 것이다.
즉, 상기 제1 포토레지스트 패턴(100)을 사용하여 상기 제3 층간 절연막(30)을 식각할 때 식각 가스인 CxHyFz(x,y,z는 0 또는 자연수)에서 x의 비율을 감소시키거나 또는 상기 y 및 z의 비율을 증가시키면 상기 제1 포토레지스트 패턴(100)에 대한 식각 선택비가 감소된다.
또는, 상기 제1 포토레지스트 패턴(100)을 사용하여 상기 제3 층간 절연막(30)을 식각할 때 식각 가스인 CxHyFz(x,y,z는 0 또는 자연수) 및 산소를 포함하는 가스가 주입된다. 예를 들어, 상기 산소 가스는 O2 또는 O3 가스일 수 있다. 그러면 상기 CxHyFz에서 x, y 및 z 중 어느 하나의 비율이 감소되거나 증가되어 상기 제1 포토레지스트 패턴(100)에 대한 식각 선택비가 감소될 수 있다. 특히, 상기 산소가스의 주입량이 증가되면 상기 제1 포토레지스트 패턴(100)에 대한 식각 선택비가 더욱 감소될 수 있다. 이는, 상기 산소 가스의 유량을 증가시키면 CO 또는 CO2등의 화학반응으로 인하여 카본 함량이 감소하기 때문에 포토레지스트 패턴에 대한 식각비가 감소될 수 있는 것이다.
상기 산소 가스 이외에도 N2 및 H2가스등을 주입하여도 상기 CxHyFz에서 x, y 및 z 중 어느 하나의 비율을 조절할 수 있다. 또한, 상기 산소가스와 다른 가스 예를 들어, N2 및 H2가스 중 어느 하나를 혼합한 가스도 사용가능하다. 즉, 상기 혼합한 가스는 He-O2 및 상기 혼합한 가스는 He-O3 일 수 있다. 상기에 기재된 산소가스가 혼합된 가스의 예에 의하여 본 실시예가 한정되는 것이 아니고 산소가스를 포 함하는 모든 혼합가스는 본 실시예에 적용가능하다.
예를 들어, 상기 상부 절연층(50)과 상기 포토레지스트 패턴(100) 0.1:1~3:1 비율의 식각비를 가질 수 있다.
그러면, 상기 포토레지스트 패턴(100)에 비하여 상기 제3 층간 절연막(30)이 빨리 식각되므로, 상기 포토레지스트 패턴(100a)보다 상기 제3 층간 절연막(30)이 넓은 범위로 식각될 수 있다.
따라서, 상기 제3 층간 절연막(30)에는 측벽 및 바닥면이 곡면형태를 가지는 트랜치(55)가 형성된다. 이때, 상기 트랜치(55)는 상기 포토다이오드(20)의 면적과 동일하거나 큰 면적으로 형성될 수 있다.
이후, 상기 포토레지스트 패턴(100)은 애싱공정에 의하여 제거될 수 있다.
도 4를 참조하여, 상기 트랜치(55) 내부에 렌즈용 컬러필터(60)가 형성된다. 상기 렌즈용 컬러필터(60)는 상기 트랜치(55)에 의하여 반원형으로 형성될 수 있다. 상기 렌즈용 컬러필터(60)는 감광물질 및 안료 또는 감광물질 및 염료를 포함하는 컬러필터용 물질을 스핀 코팅 공정등을 통해 상기 트랜치(55)를 포함하는 상부 절연층(50)에 형성한다. 그리고, 상기 컬러필터용 물질을 패턴 마스크에 의하여 노광 및 현상하여 상기 트랜치(55) 내부에만 상기 렌즈용 컬러필터(60)를 형성한다.
상기 렌즈용 컬러필터(60)는 단위화소 마다 형성된 상기 트랜치(55)에 형성되어 입사하는 빛으로부터 색을 분리해 낼 수 있다. 예를 들어, 상기 렌즈용 컬러필터(60)는 레드, 그린 및 블루 컬러필터일 수 있다.
상기 렌즈용 컬러필터(60)는 측벽 및 바닥면이 곡면 형태를 가지는 트랜치(55)에 의하여 포토다이오드(20)를 향해 볼록한 렌즈형태로 형성될 수 있다. 또한, 상기 렌즈용 컬러필터(60)의 굴절률은 상기 제1 내지 제3 층간 절연막(30) 보다 높은 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 렌즈용 컬러필터(60)의 굴절률은 1.5~1.9일 수 있다.
따라서, 상기 렌즈용 컬러필터(60)를 통과하는 빛은 상기 포토다이오드(20)로 집광될 수 있다. 이것은 상기 렌즈용 컬러필터(60)는 하부가 볼록한 형태로 형성되고 상기 층간 절연막(30) 보다 높은 굴절률을 가지기 때문에 상기 렌즈용 컬러필터(60)를 통과한 빛은 모아져서 상기 포토다이오드(20)로 집광될 수 있다.
또한, 상기 렌즈용 컬러필터(60)는 상기 층간 절연막(30)의 내부에 형성되므로 별도의 컬러필터가 불필요하므로 공정 단계 및 비용을 감소시킬 수 있다.
도 5를 참조하여, 상기 렌즈용 컬러필터(60) 상에 돔 형태의 마이크로 렌즈(80)가 형성된다. 상기 마이크로 렌즈(80)는 상기 렌즈용 컬러필터(60) 상에 형성되어 하부에 배치된 반도체 기판(10)의 포토다이오드(20)로 광을 집광할 수 있다. 또는 상기 마이크로 렌즈는 형성되지 않을 수도 있다.
한편 도시되지는 않았지만, 상기 마이크로 렌즈(80)를 형성하기 전에 상기 렌즈용 컬러필터(60) 상에 평탄화층이 형성될 수도 있다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법에 의하면, 상기 포토다이오드 상부에 렌즈용 컬러필터가 포토다이오드를 향해 둥근 반원 형태로 형성되어 상기 포토다이오드의 집광률을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 렌즈용 컬러필터는 층간 절연막의 내부에 형성되어 소자의 집적화를 달성할 수 있다.
또한, 상기 렌즈용 컬러필터는 컬러필터 물질로 형성되어 입사하는 빛으로부터 색을 분리할 수 있다.
또한, 상기 렌즈용 컬러필터가 컬러필터 역할 및 마이크로 렌즈 역할을 동시에 할 수 있으므로 공정 단계 및 비용을 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 렌즈용 컬러필터 상에 마이크로 렌즈가 형성되어 포토다이오드의 집광률을 더욱 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 실시예는 전술한 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 실시예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것은 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
도 1 내지 도 6은 실시예에 따른 이미지 센서의 제조공정을 나타내는 단면도이다.
Claims (12)
- 삭제
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- 반도체 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계;상기 반도체 기판에 금속배선을 포함하는 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 층간 절연막 상에 상부 절연층을 형성하는 단계;상기 상부 절연층 및 층간 절연막에 곡면형태의 측벽을 가지는 트랜치를 형성하는 단계; 및상기 트랜치 내부에 렌즈용 컬러필터를 형성하는 단계를 포함하고,상기 트랜치는 건식식각 방법에 의해 형성되고, 식각가스는 CxHyFz 가스를 주입하고, 상기 x가 y 또는 z보다 작은 비율로 주입되는 이미지 센서의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 트랜치를 형성하는 단계는,상기 상부 절연층 상에 상기 포토다이오드에 대응하는 상기 상부 절연층을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하는 건식식각 공정을 진행하여 상기 상부 절연층에 보조 트랜치를 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴과 상기 상부 절연층의 식각비를 조절하여 곡면형태의 측벽을 가지는 트랜치를 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 상부 절연층과 층간 절연막은 산화막 또는 질화막으로 형성되고, 상기 렌즈용 컬러필터는 컬러필터 물질로 형성되는 이미지 센서의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 상부 절연층과 층간 절연막의 굴절률은 1.0~1.45 이고, 상기 렌즈용 컬러필터의 굴절률은 1.5~1.9인 것을 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
- 삭제
- 제6항에 있어서,상기 트랜치를 형성할 때 산소를 포함하는 가스를 주입하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 렌즈용 컬러필터 상에 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
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