KR100905488B1 - A Heating Device For Manufacture Of Semiconductor - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 기판 히팅 구조에서 기판의 저면에 밀착된 가열플레이트층의 직접가열 구조에 따른 빠른 열 응답성 및 열손실 최소화를 이룰 수 있으며, 또한 가열플레이트층에 내장된 히팅수단인 시즈히터의 접촉면적을 늘려 가열 유효면적 증가와 같은 효과를 갖는 반도체 제조용 히팅 장치에 관한 것으로, 이를 위해 감광막이 코팅된 기판과, 상기 기판의 저면에 밀착되는 가열플레이트층과, 절연 및 열손실을 최소화하기 위해 상기 가열플레이트층의 저면에 밀착되는 운모층과, 상기 운모층의 하부에 밀착되어 바닥플레이트층으로 이루어지되, 상기 가열플레이트층은 저면 전체에 걸쳐 연속되는 홈부를 형성하고, 상기 홈부로는 기판을 가열하기 위한 시즈히터가 삽입되어 구성되는 것을 특징으로 한다.The present invention can achieve rapid thermal response and minimize heat loss according to the direct heating structure of the heating plate layer in close contact with the bottom surface of the semiconductor substrate heating structure, and also the contact of the sheath heater which is a heating means built in the heating plate layer The present invention relates to a heating apparatus for manufacturing a semiconductor having an effect such as increasing an effective area by increasing an area, for this purpose, a substrate coated with a photoresist film, a heating plate layer in close contact with the bottom of the substrate, and to minimize insulation and heat loss. The mica layer is in close contact with the bottom of the heating plate layer, and the bottom plate layer is in close contact with the bottom of the mica layer, wherein the heating plate layer forms a continuous groove portion over the entire bottom surface, and the substrate is used to heat the substrate. It is characterized in that the sheath heater is configured to be inserted.

반도체, 히팅, 시즈히터, 운모층, 플레이트층, 알루미늄, 베이킹, TFT-LCD 포토리소그라피 Semiconductor, Heating, Sheath Heater, Mica Layer, Plate Layer, Aluminum, Baking, TFT-LCD Photolithography

Description

반도체 제조용 히팅 장치{A Heating Device For Manufacture Of Semiconductor}Heating device for semiconductor manufacturing {A Heating Device For Manufacture Of Semiconductor}

도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조용 히팅 장치의 단면구성도,1 is a cross-sectional view of a heating apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention,

도 2는 도 1에서 발췌된 가열플레이트층의 저면을 도시한 분해 사시도,FIG. 2 is an exploded perspective view illustrating a bottom surface of the heating plate layer extracted in FIG. 1;

도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조용 히팅 장치의 전력소모량를 나타낸 그래프,3 is a graph showing the power consumption of the heating device for manufacturing a semiconductor according to the present invention,

도 4a는 종래의 반도체 제조용 히팅 장치를 도시한 단면 구성도이다.4A is a cross-sectional configuration diagram showing a conventional heating apparatus for semiconductor manufacturing.

도 4b는 종래의 반도체 제조용 히팅 장치의 전력소모량를 나타낸 그래프,Figure 4b is a graph showing the power consumption of the conventional heating device for semiconductor manufacturing,

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

1: 기판 1a: 감광막1: substrate 1a: photosensitive film

3: 상부플레이트층 5: 운모층3: upper plate layer 5: mica layer

5a: 홈부 5b: 시즈히터5a: groove 5b: sheath heater

5c: 접착재 7: 바닥플레이트층5c: adhesive material 7: floor plate layer

9: 종래의 기판 히팅장치9: conventional substrate heating apparatus

10: 기판 11: 감광막10: substrate 11: photosensitive film

20: 가열플레이트층 21: 홈부20: heating plate layer 21: groove

30: 시즈히터 40: 운모층30: sheath heater 40: mica layer

50: 바닥플레이트층 50: floor plate layer

100: 반도체용 글라스 웨이퍼 히팅장치100: glass wafer heating apparatus for semiconductor

본 발명은 반도체 제조용 히팅 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 기판 히팅 구조에서 기판의 저면에 밀착된 가열플레이트층의 직접가열 구조에 따른 빠른 열 응답성 및 열손실 최소화를 이룰 수 있으며, 또한 가열플레이트층에 내장된 히팅수단인 시즈히터의 접촉면적을 늘려 가열 유효면적 증가와 같은 효과를 갖는 반도체 제조용 히팅 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heating apparatus for manufacturing a semiconductor, and more particularly, it is possible to achieve rapid heat response and minimizing heat loss according to a direct heating structure of a heating plate layer adhered to the bottom surface of a substrate in a semiconductor substrate heating structure. The present invention relates to a heating apparatus for semiconductor manufacturing having an effect such as increasing the effective area of heating by increasing the contact area of the sheath heater, which is a heating means embedded in the plate layer.

일반적으로 반도체 기판, 예를 들어 TFT-LCD에 이용되는 글라스 기판이나 웨이퍼(이하, 기판이라 칭함)를 제조함에 있어서, 어레이 공정은 박막을 증착하고, 증착된 박막 상부에 감광막 패턴을 형성하는 포토 리소그라피(photo lithography) 공정을 진행 한 후, 이 감광막 패턴을 에칭 마스크로 이용한 에칭 공정을 순차 진행해서 패턴을 형성하는 공정을 반복하는 것으로 이루어지며, 상기 포토리소그라피 공정은 구동 모드에 따라 다르지만 대략 4∼6층의 각 층 마다 이용된다. In manufacturing a semiconductor substrate, for example, a glass substrate or a wafer (hereinafter referred to as a substrate) used in a TFT-LCD, the array process is a photolithography for depositing a thin film and forming a photoresist pattern on the deposited thin film. After the photo lithography process, the etching process using the photoresist pattern as an etching mask is sequentially performed to repeat the process of forming the pattern. The photolithography process is about 4 to 6 depending on the driving mode. It is used for each layer of the layer.

여기서, 포토 리소그라피 공정은 박막 상부에 감광막을 도포하는 공정과, 도포된 감광막을 히팅하고 쿨링하는 베이킹 공정과, 베이킹 공정이 완료된 감광막 상에 노광 마스크를 배치한 후 전자빔과 같은 광선을 조사하여 노광하는 공정과, 노광된 감광막을 현상액을 이용하여 현상하여 감광막 패텅을 형성하는 현상 공정, 및 현상된 감광막 패턴에 대하여 히팅 및 쿨링하는 베이킹 공정을 포함하여 구성된다. Here, the photolithography process is a process of applying a photoresist film on the upper part of the thin film, a baking process of heating and cooling the applied photoresist film, and placing an exposure mask on the photoresist film where the baking process is completed, and then irradiating a light beam such as an electron beam to expose it. And a developing step of developing the exposed photosensitive film using a developer to form a photosensitive film package, and a baking step of heating and cooling the developed photosensitive film pattern.

그리고, 현상 공정 이후의 베이킹이 완료되면 DI 순수를 이용한 세정 공정을 진행한다. When the baking after the developing process is completed, a washing process using DI pure water is performed.

한편, 반도체 제조용 히팅 장치는 기판 상에 코팅된 감광막 패턴 형성을 위해 기판을 가열해야 하는데, 종래의 반도체 기판 히팅 장치는 기판 로딩부의 저면에 시즈히터를 내장한 운모층을 구비하여, 운모층을 통해 전달되는 간접열에 의해 기판을 가열하는 구조이다. Meanwhile, a heating apparatus for manufacturing a semiconductor must heat a substrate to form a photoresist pattern coated on a substrate. A conventional semiconductor substrate heating apparatus includes a mica layer having a sheath heater embedded in a bottom surface of a substrate loading portion, and is formed through a mica layer. The substrate is heated by indirect heat transferred.

하지만 이러한 히팅 구조는 2개의 운모층이 사이에 열선을 내장하므로, 열전달 효율이 낮은 단점이 있는데, 이러한 문제점은 하기에서 첨부되어진 도면과 함께 더불어 간단히 설명하기로 한다.However, this heating structure has a disadvantage in that the heat transfer efficiency is low because two mica layers have a built-in heating wire therebetween, and this problem will be briefly described together with the accompanying drawings.

도 4a은 종래의 반도체 제조용 히팅 장치를 도시한 단면 구성도이다.4A is a cross-sectional configuration diagram showing a conventional heating apparatus for semiconductor manufacturing.

도 4a에 도시된 바와 같이, 종래의 반도체 제조용 히팅 장치(9)는 감광막(1a)이 코팅된 기판(1)을 가열하기 위해 저면으로 상부플레이트층(3)-운모층(5)-바닥플레이트층(7)이 순차적으로 적층되어 구성된다.As shown in Fig. 4A, the conventional heating apparatus 9 for manufacturing semiconductors has a top plate layer 3-mica layer 5-bottom plate at the bottom to heat the substrate 1 coated with the photosensitive film 1a. The layers 7 are sequentially stacked.

이때 운모층(5)은 2개로 분리구성되며, 상호 밀착되는 면으로는 각각 시즈히터(5b)를 내장하기 위한 홈부(5a)가 형성되어 있는 구조이다.At this time, the mica layer 5 is separated into two, and the surfaces in close contact with each other are formed with grooves 5a for embedding the sheath heater 5b, respectively.

상기의 홈부(5a) 및 시즈히터(5b)는 단면이 원형을 취하고 있는 구조이고, 시즈히터(5b)는 접착재(5c)를 통해 홈부(5a)에 고정되는 구조이다.The groove portion 5a and the sheath heater 5b have a circular cross section, and the sheath heater 5b is a structure fixed to the groove portion 5a through an adhesive 5c.

이러한 구조는 운모층(5)을 통해 시즈히터(5b)의 열을 상부플레이트층(3)로 전가시켜 기판(1)을 가열하는 간접 구조방식이기 때문에 절연이 우수하나 충격에 약하고, 내구성, 내습성이 좋지 않고, 열전달이 작아 온도 상승에 제약이 있었다.This structure is an indirect structure method that heats the substrate 1 by transferring the heat of the sheath heater 5b to the upper plate layer 3 through the mica layer 5, so that the insulation is excellent, but it is weak against impact, durable, and resistant to heat. Wetness was not good, and heat transfer was small, and there was a limit to temperature rise.

또한 운모층(5)의 내부에 삽입된 시즈히터(5b)는 단면이 원형이므로 가열 유효 면적이 작아 열응답성이 좋지 않기 때문에 전력 소비가 많은 문제점이 있었다.In addition, since the sheath heater 5b inserted into the mica layer 5 has a circular cross section, there is a problem in that power consumption is high because the heating effective area is small and thermal response is not good.

아울러 운모층(5)은 열전달이 좋지 않아 운모층(5)과 시즈히터(5b) 사이의 접착재(5c) 성분이 고온에서 기와, 경화, 수축 현상이 발생되어 기공이 생기므로 균일한 온도를 전달하지 못하는 문제점이 있었다.In addition, the mica layer 5 is poor in heat transfer, so that the adhesive 5c component between the mica layer 5 and the sheath heater 5b generates tiles, hardens, and shrinks at high temperatures, thereby generating uniform pores. There was a problem that can not.

따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은, 반도체 제조용 히팅 장치에서 기판의 저면에 밀착된 가열플레이트층의 직접가열 구조에 따른 빠른 열 응답성 및 열손실 최소화를 이룰 수 있으며, 또한 가열플레이트층에 내장된 히팅수단인 시즈히터의 접촉면적을 늘려 가열 유효면적 증가에 따른 동일전력 대비 히팅 효과를 최대한 이룰 수 있어 전력소비를 획기적으로 줄이 수 있는 구조의 반도체 제조용 히팅 장치에 의해서 달성된다.Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to minimize the rapid heat response and heat loss according to the direct heating structure of the heating plate layer in close contact with the bottom of the substrate in the heating device for semiconductor manufacturing. In addition, by increasing the contact area of the sheath heater, which is a heating means embedded in the heating plate layer, the heating effect can be maximized compared to the same power according to the increase of the effective heating area. Achieved by a heating device.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명은 감광막(11)이 코팅된 기판(10)과, 상기 기판(10)의 저면에 밀착되는 가열플레이트층(20)와, 절연 및 열손실을 최소화하기 위해 상기 가열플레이트층(20)의 저면에 밀착되는 운모층(40)과, 상기 운모층(40)의 하부에 밀착되는 바닥플레이트층(50)으로 이루어지되, 상기 가열플레이 트층(20)은 저면에 지그재그로 연속되는 홈부(21)를 형성하고, 상기 홈부(21)로는 기판(10)을 가열하기 위한 시즈히터(30)가 끼움결합되어 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 히팅 장치를 제공하는 것이다.The present invention for solving the technical problem is a substrate 10 coated with a photosensitive film 11, the heating plate layer 20 in close contact with the bottom surface of the substrate 10, and to minimize the insulation and heat loss It consists of a mica layer 40 in close contact with the bottom of the heating plate layer 20, and a bottom plate layer 50 in close contact with the bottom of the mica layer 40, the heating plate layer 20 is zigzag on the bottom It is to provide a heating device for manufacturing a semiconductor, characterized in that the groove 21 is formed to be continuous, and the sheath heater 30 for heating the substrate 10 is fitted into the groove 21.

본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 후술하는 바람직한 실시예를 통하여 더욱 명백해질 것이다. 이하에서는 본 발명의 실시예를 통해 당업자가 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 상세히 설명하도록 한다. The invention will become more apparent through the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings. Hereinafter will be described in detail to enable those skilled in the art to easily understand and reproduce through embodiments of the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조용 히팅 장치의 단면구성도이며, 도 2는 도 1에서 발췌된 가열플레이트층의 저면을 도시한 분해 사시도이다.1 is a cross-sectional view of a heating apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention, Figure 2 is an exploded perspective view showing the bottom surface of the heating plate layer extracted in FIG.

도 1 및 도 2에 도시되 바와 같이, 본 발명은 반도체 제조용 히팅 장치에서 기판의 저면에 밀착된 가열플레이트층의 직접가열 구조에 따른 빠른 열 응답성 및 열손실 최소화를 이룰 수 있으며, 또한 가열플레이트층에 내장된 히팅수단인 시즈히터의 접촉면적을 늘려 가열 유효면적 증가에 따른 동일전력 대비 히팅 효과를 최대한 이룰 수 있는 반도체 제조용 히팅 장치에 관한 것이다.As shown in Figure 1 and 2, the present invention can achieve a rapid thermal response and heat loss minimization according to the direct heating structure of the heating plate layer in close contact with the bottom surface of the substrate in the heating device for semiconductor manufacturing, and also heating plate The present invention relates to a heating apparatus for manufacturing a semiconductor capable of maximizing a heating effect compared to the same power according to an increase in an effective heating area by increasing a contact area of a sheath heater, which is a heating means embedded in a layer.

이러한 반도체용 제조용 히팅장치(100)는 크게 4가지의 층으로 구성되는데, 이는 감광막(11)이 표면에 코팅된 기판(10)과, 상기 기판(10)의 저면에 밀착되는 가열플레이트층(20)과, 절연 및 열손실을 최소화하기 위해 상기 가열플레이트층(20)의 저면에 배치되는 운모층(40)과, 상기 운모층(40)의 저면에 배치되는 바닥플레이트층(50)으로 구성된다. 여기서 가열플레이트층(20) 및 바닥플레이트층(50)은 내식성과, 열전도가 좋고, 가공이 용이한 알루미늄계열군 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.The heating apparatus 100 for manufacturing a semiconductor is largely composed of four layers, which is a substrate 10 having a photosensitive film 11 coated on a surface thereof, and a heating plate layer 20 in close contact with a bottom surface of the substrate 10. ), A mica layer 40 disposed on the bottom surface of the heating plate layer 20, and a bottom plate layer 50 disposed on the bottom surface of the mica layer 40 to minimize insulation and heat loss. . Here, the heating plate layer 20 and the bottom plate layer 50 is preferably made of an aluminum series group material having good corrosion resistance, good thermal conductivity, and easy processing.

이러한 구성은 종래의 운모층(5)에 시즈히터(5b)를 내장하여 상부에 배치되는 상부플레이트층(3)에 열을 전달하여 최종적으로 기판(1)을 가열하는 간접방식이 아닌 운모층(40)의 상부에 배치된 가열플레이트층(20)을 가열하여 기판(10)을 히팅시키는 직접가열방식을 취하고 있는 구조이다.Such a configuration is not the indirect method of heating the substrate 1 by transferring heat to the upper plate layer 3 disposed thereon by embedding the sheath heater 5b in the conventional mica layer 5. The heating plate layer 20 disposed on the upper portion of 40 is heated to heat the substrate 10.

상기에서 가열플레이트층(20)은 기판(10)을 가열하기 위해 시즈히터(30)가 매몰된 구조인데, 이를 위해 상기 가열플레이트층(20)은 저면 전체에 걸쳐 연속되는 홈부(21)를 형성하고, 상기 홈부(21)로는 기판(10)을 가열하기 위한 시즈히터(30)가 매몰되게 삽입되는 구성이다.The heating plate layer 20 is a structure in which the sheath heater 30 is buried in order to heat the substrate 10. For this purpose, the heating plate layer 20 forms a groove portion 21 that is continuous over the entire bottom surface. The sheath heater 30 for heating the substrate 10 is inserted into the groove portion 21 to be buried.

이 때 상기 홈부(21) 및 기판(10)은 종래의 원형홈구조와, 원형단면 구조를 갖는 것과는 달리 접촉면적을 증대시켜 열전달효율을 상승시키기 위해 사각형 구조를 취하고 있다. At this time, the groove portion 21 and the substrate 10 has a rectangular structure in order to increase the heat transfer efficiency by increasing the contact area, unlike the conventional circular groove structure and the circular cross-sectional structure.

이러한 상기 홈부(21)는 도 2와 같이, 가열플레이트층(20)의 전체로 열을 균일하게 분포시키기 위해 지그재그 형태로 연속되게 형성되는데, 이는 지그재그 배치 형상은 홈부(21) 형상 밀도가 높으면 높을수록 좋기 때문이다.2, the groove 21 is continuously formed in a zigzag form in order to uniformly distribute heat to the entire heating plate layer 20, which is a zigzag arrangement shape is high if the groove 21 density is high The better the better.

결국, 시즈히터(30)는 단면적을 작게 하고, 더불어 홈부(21)의 깊이도 낮게 하고, 이와 반대로 홈부(21)의 형성 밀도는 최대화하여 가열플레이트층(20)의 저면에 시즈히터(30)가 최대한 촘촘히 배열될 수 있게 하는 것이 바람직한 것이다. 이 때 더욱 바람직하게는 열전도가 외각으로 갈수록 나빠짐으로 외각으로 갈수록 점차적으로 촘촘히 배열하는 것이 바람직하다.As a result, the sheath heater 30 has a small cross-sectional area, and also has a low depth of the groove portion 21. On the contrary, the sheath heater 30 is maximized at the bottom of the heating plate layer 20 by maximizing the formation density of the groove portion 21. It is desirable to ensure that is arranged as closely as possible. At this time, more preferably, the heat conduction deteriorates toward the outer shell, and thus it is preferable to arrange the densely closer to the outer shell.

또한 홈부(21)는 다른 실시예로 원형으로 배열할 수 있는데, 이 역시 중심부 에서 외각으로 갈수록 홈부(21)간의 간격이 좁아지도록 배열시키는 것이 바람직하다.In addition, the groove portion 21 may be arranged in a circular form in another embodiment, which is also preferably arranged so that the interval between the groove portion 21 becomes narrower from the center to the outer shell.

한편 상기 시즈히터(30) 역시 홈부(21)에 삽입되되, 홈부(21)와의 접촉면적을 최대한 증대시키기 위해 단면이 사각형상인 것은 자명하다. 때문에 시즈히터(30)의 접촉면적을 증대에 따른 가열 유효면적 증가와 같은 효과가 있으며, 이로 인해 동력전력대비 대비 히팅 효과를 최대한 이룰 수 있어 전력소모를 획기적으로 줄일 수 있는 장점이 있다. On the other hand, the sheath heater 30 is also inserted into the groove 21, it is obvious that the cross section is rectangular in order to maximize the contact area with the groove 21. Therefore, the heating effective area is increased by increasing the contact area of the sheath heater 30, and thus, the heating effect can be maximized compared to the electric power, thereby reducing the power consumption.

또한 본 발명은 종래에서 시즈히터(5b)를 홈부(5a)에 삽입시켜 접착재(5c)를 통해 접착하는 방식이 아닌 홈부(21)와 시즈히터(30) 간에 미세한 공차를 형성하여 시즈히터(30)를 꽉끼움으로 끼워넣는 끼움 결합방식을 취하고 있다.In addition, according to the present invention, the sheath heater 30 is formed by forming a small tolerance between the groove 21 and the sheath heater 30, rather than inserting the sheath heater 5b into the groove 5a and bonding the adhesive through the adhesive 5c. ) Is a fitting method of inserting a tight fit.

이는 홈부(21)와 시즈히터(30)가 사각형상을 취하므로 접촉되는 마찰력이 많기 때문에 시즈히터(30)의 이탈을 방지하고, 더불어 홈부(21)상에서 시즈히터(30)가 안정적으로 고정됨으로 때문에 제조가 용이한 장점이 있다.Since the groove 21 and the sheath heater 30 take a rectangular shape, the frictional force is in contact with each other, thereby preventing the sheath heater 30 from being separated, and the sheath heater 30 is stably fixed on the groove 21. Because of the easy manufacturing has the advantage.

이로 인해 종래의 시즈히터(5b)를 홈부(5a)에 고정시키기 위해 도포되는 접착재(5c) 성분이 고온에서 기와, 경화, 수축 현상에 따른 기공으로 균일한 온도를 전달하지 못하는 문제점을 방지할 수 있는 장점이 있는 것이다.This prevents the problem that the adhesive 5c component applied to fix the conventional sheath heater 5b to the groove portion 5a does not transmit a uniform temperature to pores due to tile, hardening, and shrinkage at high temperatures. There is an advantage.

이하에서는 첨부되어진 도면과 함께 더불어 종래의 운모층 사이에 시즈히터를 내장한 히팅장치와, 본 발명에 따른 반도체 제조용 히팅의 전력소모량을 비교하였다.Hereinafter, the power consumption of the heating apparatus having a sheath heater embedded between the conventional mica layer and the semiconductor manufacturing heating according to the present invention is compared with the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조용 히팅 장치의 전력소모량를 나타낸 그래프이고, 도 4b는 종래의 반도체 제조용 히팅 장치의 전력소모량를 나타낸 그래프이다.Figure 3 is a graph showing the power consumption of the semiconductor manufacturing heating apparatus according to the present invention, Figure 4b is a graph showing the power consumption of the conventional heating apparatus for semiconductor manufacturing.

도 3은 346W의 전력을 사용하여 시간 경과에 따른 가열플레이트층의 온도변화를 나타낸 것이고, 도 4b는 780W의 전력을 사용하여 시간 경과에 따른 상부플레이트층의 온도변화를 나타낸 것이다.Figure 3 shows the temperature change of the heating plate layer over time using a power of 346W, Figure 4b shows the temperature change of the upper plate layer over time using a power of 780W.

도시된 바와 같이, 동일 시간에 동일 온도분포로 볼 때, 본 발명의 히팅 장치는 전력을 40% 절전하여도 동등의 성능곡선값을 얻을 수 있었으며 절전효가가 있음을 알 수 있었다.As shown, when viewed at the same temperature distribution at the same time, the heating device of the present invention was able to obtain the equivalent performance curve value even if the power saving 40%, it can be seen that the power saving effect.

이상에서와 같이 본 발명에 따른 반도체 제조용 히팅장치는 시즈히터와 가열플레이트층에 형성된 홈부의 형상을 사각형상으로 한정하였으나, 구조적으로 다른 각형(예: 육각, 칠각, 팔각으로 형성할 수 있음은 물론이다.As described above, in the heating apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention, the shape of the groove formed in the sheath heater and the heating plate layer is limited to a quadrangular shape, but may be formed in structurally different shapes (for example, hexagonal, hexagonal, and octagonal). to be.

이상에서와 같이 본 발명에 따른 반도체 제조용 히팅 장치에 의하면, 기판의 저면에 밀착된 가열플레이트층의 직접가열 구조에 따른 빠른 열 응답성 및 열손실 최소화를 이룰 수 있으며, 또한 가열플레이트층에 내장된 히팅수단인 시즈히터의 접촉면적을 늘려 가열 유효면적 증가와 같은 효과가 있다.As described above, according to the heating apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention, it is possible to achieve rapid thermal response and minimize heat loss according to the direct heating structure of the heating plate layer in close contact with the bottom surface of the substrate, and also embedded in the heating plate layer. Increasing the contact area of the sheath heater as a heating means has the effect of increasing the effective heating area.

또한 시즈히터의 끼움 결합방식으로 접착재가 필요없기 때문에 접착재 성분이 고온에서 기와, 경화, 수축 현상에 따른 기공으로 균일한 온도를 전달하지 못하 는 문제점을 방지할 수 있는 특징이 있다.In addition, since the adhesive material is not required by the fitting coupling method of the sheath heater, the adhesive component has a feature of preventing a problem of failing to transmit a uniform temperature to the pores due to the tiles, hardening, and shrinkage at high temperatures.

또한 가열플레이트층의 직접가열방식과, 시즈히터의 끼움결합구조, 시즈히터 및 홈부의 사각형상 구조에 따라 열전달효율이 증대됨으로 동일전력대비 히팅효과가 최대한 증대됨으로 히팅 공정시간의 단축과 반도체 생산 수율이 증대되는 효과가 있다.In addition, the heat transfer efficiency is increased according to the direct heating method of the heating plate layer, the fitting structure of the sheath heater, the rectangular structure of the sheath heater and the groove, and the heating effect is maximized compared to the same power. This has the effect of increasing.

비록 본 발명이 상기에서 언급한 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 본 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다른 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 첨부된 청구의 범위는 본 발명의 진정한 범위내에 속하는 그러한 수정 및 변형을 포함할 것이라고 여겨진다.Although the present invention has been described in connection with the above-mentioned preferred embodiments, various other modifications and variations may be made without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, it is intended that the appended claims cover such modifications and variations as fall within the true scope of the invention.

Claims (4)

반도체 제조용 히팅 장치에 있어서, In the heating apparatus for semiconductor manufacturing, 감광막(11)이 코팅된 기판(10)과,A substrate 10 coated with the photosensitive film 11, 상기 기판(10)의 저면에 밀착되는 가열플레이트층(20)과,A heating plate layer 20 in close contact with the bottom surface of the substrate 10, 절연 및 열손실을 최소화하기 위해 상기 가열플레이트층(20)의 저면에 밀착되는 운모층(40) 및Mica layer 40 in close contact with the bottom of the heating plate layer 20 to minimize insulation and heat loss; 상기 운모층(40)의 하부에 밀착되는 바닥플레이트층(50)을 포함하여 이루어지되,Including the bottom plate layer 50 in close contact with the lower portion of the mica layer 40, 상기 가열플레이트층(20)은 저면 전체에 걸쳐 연속되는 홈부(21)를 형성하고,The heating plate layer 20 forms a groove portion 21 that is continuous over the entire bottom surface, 상기 홈부(21)는 기판(10)을 가열하기 위한 시즈히터(30)가 끼움결합되어 구성되되, 상기 시즈히터(30)의 가열면적이 증대되도록 사각형상으로 파여져 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 히팅 장치.The groove 21 is composed of a sieve heater 30 for heating the substrate 10 is fitted, the semiconductor manufacturing, characterized in that the digging in a rectangular shape so that the heating area of the sheath heater 30 is increased. Heating device. 삭제delete 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 시즈히터(30)는 상기 홈부에 형상적으로 대응될 수 있도록 단면이 사각형상인 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 히팅 장치.The sheath heater (30) is a heating device for manufacturing a semiconductor, characterized in that the cross section is rectangular in shape so as to correspond to the groove portion. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열플레이트층(20) 및 바닥플레이트층(50)은 알류미늄계열군 중 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 히팅 장치.The heating plate layer 20 and the bottom plate layer 50 is a heating device for manufacturing a semiconductor, characterized in that made of any one selected from the group of aluminum series.
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