KR100904262B1 - Mask Inspector System - Google Patents
Mask Inspector System Download PDFInfo
- Publication number
- KR100904262B1 KR100904262B1 KR1020020080712A KR20020080712A KR100904262B1 KR 100904262 B1 KR100904262 B1 KR 100904262B1 KR 1020020080712 A KR1020020080712 A KR 1020020080712A KR 20020080712 A KR20020080712 A KR 20020080712A KR 100904262 B1 KR100904262 B1 KR 100904262B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mask
- inspection
- defect
- illuminator
- fixing
- Prior art date
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 92
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- 241000801924 Sena Species 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/10—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void
- G01J1/20—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void intensity of the measured or reference value being varied to equalise their effects at the detectors, e.g. by varying incidence angle
- G01J1/28—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void intensity of the measured or reference value being varied to equalise their effects at the detectors, e.g. by varying incidence angle using variation of intensity or distance of source
- G01J1/30—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void intensity of the measured or reference value being varied to equalise their effects at the detectors, e.g. by varying incidence angle using variation of intensity or distance of source using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136254—Checking; Testing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/69—Arrangements or methods for testing or calibrating a device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
본 발명은 TFT-LCD 패널 제조공정중 박막이 증착된 유리기판상에 패턴을 형성하기 위해 사용되는 마스크의 검사를 위한 마스크 검사장치 및 이를 이용한 마스크의 검사방법에 관한 것으로, 마스크 디펙트의 정확한 검출 및 제거기능을 향상시켜 마스크 디펙트의 불량율을 최소화 한다. The present invention relates to a mask inspection apparatus for inspecting a mask used to form a pattern on a glass substrate on which a thin film is deposited during a TFT-LCD panel manufacturing process, and a mask inspection method using the same. Improved rejection minimizes defect rate of mask defects.
이를 위해 본 발명은 패턴이 정의된 마스크의 디펙트 유무를 검사하기 위해 마스크를 고정하는 회전가능한 검사대와, 상기 검사대에 고정된 마스크에 광을 조사하는 조명기와, 상기 조명기를 지지하는 조명기 프레임과, 상기 검사대에 연결되어 좌·우 방향으로 회전이 가능한 회전대와, 상기 조명기 프레임과 회전대의 하부에 구성되고 그 내부에 상기 회전대의 회전을 위한 축과 축 지지대가 설치된 케비넷과, 상기 케비넷에 탈착 가능하고 상기 마스크에 디펙트 발생시 이를 제거하는 디펙트 제거기를 포함하고, 상기 케비넷에 탈착 가능하고 상기 마스크에 디펙트 발생시 이를 제거하는 디펙트 제거기를 포함하고, 상기 조명기는 상기 조명기 프레임의 상부의 양측에 각각 위치하며 광이 조사되는 위치를 조정할 수 있도록 회전가능 하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 마스크 검사장치와 이를 이용한 마스크 검사방법을 제공한다.To this end, the present invention provides a rotatable inspection table for fixing the mask to check the defect of the mask is defined, the illuminator for irradiating light to the mask fixed to the inspection table, the illuminator frame for supporting the illuminator; A rotating table connected to the inspection table and rotatable in a left and right direction, a cabinet configured at the lower portion of the illuminator frame and the rotating table, and having a shaft and a shaft support for rotating the rotating table therein, and detachable to the cabinet; And a defect remover for removing defects in the mask when the defects are generated, and including a defect remover detachable in the cabinet and removing the defects in the mask when the defects are generated. Position and rotatable to adjust the position at which light is irradiated. To provide a mask inspection apparatus and inspection method using the same mask as claimed.
마스크 디펙트, 검사대, 세나(Senar)광원Mask defect, inspection table, Senar light source
Description
도 1은 종래기술에 따른 마스크 검사 및 디펙트를 제거하는 방법을 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view showing a method for removing mask inspection and defects according to the prior art.
도 2는 본 발명에 따른 마스크 검사장치의 구조를 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing the structure of a mask inspection apparatus according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 검사대 및 회전대의 구조를 나타내는 사시도이다.Figure 3 is a perspective view showing the structure of the inspection table and the rotating table according to the present invention.
도 4는 도 3의 B부분의 확대 사시도이다.4 is an enlarged perspective view of a portion B of FIG. 3.
도 5는 도 3의 A부분의 확대 사시도이다.5 is an enlarged perspective view of a portion A of FIG. 3.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
20 : 조명기 30 : 조명기 프레임20: illuminator 30: illuminator frame
40 : 검사대 41 : 마스크 고정부40: inspection table 41: mask fixing portion
42 : 고정핀 43 : 핀 고정부42: fixed pin 43: pin fixed portion
50 : 회전대 51 : 고정홀50: rotating table 51: fixing hole
52 : 고정나사 60 : 케비넷52: set screw 60: cabinet
61 : 축 62 : 축 지지대61: shaft 62: shaft support
70 : 디펙트 제거기 80 : 바퀴 70: Defect Eliminator 80: Wheels
본 발명은 TFT-LCD 패널(panel) 제조공정중 박막이 증착된 유리기판(glass)상에 패턴(pattern)을 형성하기 위해 사용되는 마스크(mask)에 관한 것으로서, 특히 상기 마스크의 검사를 위한 마스크 검사장치 및 이를 이용한 마스크의 검사방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
평판 표시장치(Flat Panel Display) 중에서 a-Si TFT-LCD는 노트북 컴퓨터(Note book PC) 응용을 시작으로 모니터(Monitor) 등 다른 응용 분야로 그 비중이 점차 증대되고 있다. TFT-LCD 산업의 발전과 그 응용의 보편화는 크기의 증가와 해상도 증가에 의해 가속되었으며, 현재는 생산성 증대와 저가격화가 관건으로, 이를 위한 시도는 제조 공정의 단순화와 수율 향상의 관점에서 제조 업체는 물론, 관련 재료 산업과 제조 장비 업체의 공동의 노력이 요구하고 있다. TFT-LCD 패널(Panel)의 제조공정은 픽셀(Pixel) 단위의 신호를 인가하는 스위칭(Switching) 소자들을 형성하는 TFT 어레이(Array) 공정과 색상을 구현하기 위한 컬러(Color) R,G,B 어레이(Array)를 형성하는 컬러 필터(Color Filter) 공정, TFT 기판과 컬러 필터(Color Filter) 기판 사이에서 액정 셀(Cell)을 형성하는 액정 공정으로 나눌 수 있다.Among flat panel displays, a-Si TFT-LCD has been gradually increasing to other application fields such as monitors, starting with application of note book PC. The development of the TFT-LCD industry and its universal application have been accelerated by the increase in size and the increase in resolution. Currently, the increase in productivity and the low price are the key issues. Of course, joint efforts of the relevant materials industry and manufacturing equipment companies are required. The TFT-LCD panel manufacturing process is a TFT array process for forming switching elements that apply a pixel-by-pixel signal and colors R, G, and B for realizing color. It can be divided into a color filter process for forming an array and a liquid crystal process for forming a liquid crystal cell between a TFT substrate and a color filter substrate.
상기 TFT 기판이나 C/F 기판의 제조 기술에서 TFT-어레이(Array)를 형성하는 공정은 실리콘(Silicon) 반도체 제조공정과 유사하다. 즉, 박막증착(Thin Film Deposition), 사진(Photolithography), 식각(Etching) 등의 공정으로 이루어져 있으며, 개개의 공정 전후에 결과 및 이상 여부를 확인하기 위한 검사와 청정도를 유 지하기 위한 세정을 포함한다. In the manufacturing technique of the TFT substrate or C / F substrate, the process of forming a TFT-array is similar to that of a silicon semiconductor. That is, it consists of processes such as thin film deposition, photolithography, and etching, and includes inspection to check results and abnormalities before and after each process and cleaning to maintain cleanliness. do.
상기의 단위 공정들은 각각의 층(Layer)을 형성하기 위하여 일련의 반복된 공정으로 진행되며, 전·후 공정과 상호 밀접한 관련이 있다. 실리콘(Silicon) 반도체 공정과 다른점은 반도체 제조에서는 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)를 복잡한 공정을 거쳐서 가공하여 소자를 만들지만 TFT-LCD 제조에서는 LCD 화면의 크기가 결정되어 있으며, 오히려 요구되는 화면의 크기가 증가하고 있으므로 기판의 크기 증대를 통해서 생산 수량을 증가시킬 수 있다. TFT-LCD 제품 특성의 최적화는 단위 공정 조건의 최적화를 바탕으로 개개의 공정들이 상호 조화롭게 통합될 때, 이루어질 수 있으므로 단위 공정의 안정과 개발은 TFT-LCD 제조의 시작이다. The above unit processes are performed in a series of repeated processes to form respective layers, and are closely related to the before and after processes. The difference from the silicon semiconductor process is that in semiconductor manufacturing, a silicon wafer is processed through a complicated process to make a device, but in TFT-LCD manufacturing, the size of the LCD screen is determined, and the required screen size is rather large. Since is increasing, the production quantity can be increased by increasing the size of the substrate. Optimization of TFT-LCD product characteristics can be achieved when individual processes are harmoniously integrated based on the optimization of unit process conditions, so the stability and development of the unit process is the beginning of TFT-LCD manufacturing.
상기한 TFT-어레이(Array)의 제조공정상의 단위 공정들에 대해 순서대로 간략히 설명하면 다음과 같다.Brief description of the unit processes in the manufacturing process of the above-described TFT-Array (array) is as follows.
먼저, 세정(Cleaning)공정은 초기 투입이나 공정중에 기판이나 막 표면의 오염, 입자(Particle)를 사전에 제거하여 불량이 발생하지 않도록 하는 기본 개념 이외에 증착될 박막의 접착력 강화와 TFT특성 향상을 목적으로 하며, 넓은 의미에서는 에칭(Etching)공정 후의 감광막 제거 공정도 포함할 수 있다.First, the cleaning process aims to enhance adhesion and TFT properties of the thin film to be deposited, in addition to the basic concept of removing defects or particles on the surface of the substrate or film during the initial input or processing to prevent defects. In a broad sense, it may also include a photoresist removal process after an etching process.
이어, 박막 증착공정은 금속막 및 투명전극의 경우 스퍼터링(Sputtering)방법을, 실리콘(Silicon) 및 절연막은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposion)방법을 주로 사용한다.Subsequently, the thin film deposition process mainly uses a sputtering method for metal films and transparent electrodes, and a silicon enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method for silicon and insulating films.
그리고, 사진(Photolithography)공정은 마스크(mask)에 그려진 패턴을 박막이 증착된 유리(Glass)기판상에 전사시켜 형성하는 일련의 공정으로 일반 사진 현 상의 공정과 같다. 감광액 도포(Photh Ressist : PR Coating), 정렬 및 노광(Align & Exposure), 현상(Develop)이 주요 공정이다. 생산성을 중요시하는 TFT-LCD 제조에서는 이와 같은 공정이 인-라인(In-Line)화된 자동화 설비에서 이루어 진다. In addition, a photolithography process is a series of processes in which a pattern drawn on a mask is transferred onto a glass substrate on which a thin film is deposited. Photh Ressist (PR Coating), Align & Exposure, and Develop are the main processes. In production-oriented TFT-LCD manufacturing, this process is performed in an in-line automated facility.
또한, 식각공정은 물리적, 화학적인 반응을 이용하여 유리(Glass)기판상에 감광액에 의하여 형성된 패턴(Pattern)대로 박막을 선택적 제거함으로써 실제의 박막 패턴(Pattern)을 구현하는 방법으로, 패턴(Pattern)이 형성된 부분의 박막은 남게 되고 감광액이 없는 부분의 박막은 제거된다. 식각 공정에는 가스(Gas) 플라즈마(Plasma)가 사용되는 건식 식각과 화학용액을 이용하는 습식 식각방법이 있으며, 식각공정 후에는 유기용매 등에 의한 감광액 제거(PR Strip)공정이 이루어 진다. In addition, the etching process is a method of implementing the actual thin film pattern by selectively removing the thin film according to the pattern formed by the photoresist on the glass substrate using physical and chemical reactions. The thin film of the part where) is formed remains and the thin film of the part without photoresist is removed. In the etching process, there is a dry etching method using a gas plasma and a wet etching method using a chemical solution. After the etching process, a photoresist removal process using an organic solvent is performed.
마지막으로 검사기술에 대해 알아보면, TFT-LCD의 제조 공정에서 단위 공정의 완성도를 확인하는 검사나, 제품의 전기적, 광학적 특성을 측정하는 작업은 불량 여부의 원인 규명과 제품 특성의 이해 및 개선에 기여함은 물론 생산비 절감과 품질 향상을 추구할 수 있는 기회를 제공하므로 각 단위 공정의 진행 후, 검사 및 테스트(Test) 기술은 매우 중요하다. 검사 공정은 크게 박막의 증착 두께 및 식각 두께의 평가, 패턴(Pattern) 형성확인, 전기적 특성 평가 등이 있다. Finally, the inspection technology, the inspection to confirm the completeness of the unit process in the manufacturing process of the TFT-LCD, or to measure the electrical and optical characteristics of the product is to determine the cause of the defect and to understand and improve the product characteristics As well as contributing, it provides the opportunity to reduce production costs and improve quality, so inspection and test techniques are very important after each unit process. The inspection process includes evaluation of the deposition thickness and the etching thickness of the thin film, pattern formation confirmation, and electrical property evaluation.
지금까지 설명한 이러한 TFT-어레이(Array)의 제조공정상의 단위 공정들중 사진공정에서 사용되는 마스크는 상술한 바와 같이 박막이 형성된 유리기판상에 패턴을 형성하기 위해 사용되는데, 이러한 마스크의 상ㆍ하부에 디펙트가 있는 경우 유리기판상에 패턴형성이 정확하게 되지 않고 이로 인한 불량발생의 문제점이 있다. 즉, 마스크 상하부의 디펙트는 TFT 패턴상의 노광량 차이를 유발하여 정확한 패턴의 형성을 막고 불량을 발생시키게 되는 것이다. As described above, the mask used in the photolithography process is used to form a pattern on the glass substrate on which the thin film is formed, and the upper and lower portions of the mask are described above. If there is a defect, the pattern formation on the glass substrate is not accurate and there is a problem of defects caused by this. That is, defects in the upper and lower parts of the mask cause a difference in the exposure amount on the TFT pattern, thereby preventing the formation of an accurate pattern and generating a defect.
이러한, 마스크 디펙트에 의한 불량은 실제 공정에서는 A급 불량으로 분류되어 관리되고 있는 실정이다. 따라서, 마스크 디펙트 검출을 위한 검사가 반드시 필요하다.Such defects due to mask defects are classified and managed as class A defects in the actual process. Therefore, a test for mask defect detection is necessary.
도 1은 종래기술에 따른 마스크 검사 및 디펙트를 제거하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a method for removing mask inspection and defects according to the prior art.
도 1에 도시한 바와 같이, 종래 기술에 따른 마스크 검사는 패턴(6)이 정의된 마스크(1)와, 상기 마스크(1) 검사를 위해 광을 조사하는 조명기(2)와, 상기 마스크(1)를 검사하기 위해 마스크(1)가 고정되는 검사대(3) 및 상기 마스크(1)에 디펙트(4)가 검출되면 이를 제거하기 위한 와이퍼(5)를 구비한다.As shown in FIG. 1, the mask inspection according to the related art includes a
상기 마스크(1) 검사가 행해지는 과정에 대해 좀더 상세히 설명하면, 우선 패턴(6)이 형성되어져 있는 마스크(1)를 검사대(3)에 고정한다. 그리고, 상기 조명기(2)로 부터 조사되는 광을 이용하여 마스크(1) 상ㆍ하부의 디펙트(4)를 검사하게 되는데, 이때 사용되어지는 광원은 일반형광 광원이며 검사는 육안으로 직접하게 된다.Referring to the process of performing the
상기한 바와 같은 마스크 검사에 의해 마스크(1) 상ㆍ하부상에 디펙트(4)가 검출되면, 재질이 천으로 이루어진 사각형상의 와이퍼(5)를 사용하여 디펙트(4)를 제거하게 되는데 이러한 제거 작업은 수작업에 의해 이루어진다. When the
그러나, 이러한 종래기술에 따른 마스크 검사는 다음과 같은 문제점이 있었다. However, the mask inspection according to the prior art has the following problems.
첫째, 마스크 검사시에 마스크를 검사대에 고정하고 광원을 조사하여 마스크 상부에 대한 검사가 먼저 이루어지는 경우에는 하부의 검사를 위해서 마스크를 뒤집어서 다시 고정해야 하므로 작업의 번거로움 및 작업시간이 길어지는 문제가 있었다. First, when the mask is fixed to the inspection table and the light source is irradiated and the upper part of the mask is inspected first, the mask needs to be reversed and re-fixed for the lower part of the mask. there was.
둘째, 마스크 검사시 검사광으로서 일반 형광광원을 사용함으로써 미세한 마스크의 디펙트를 검출하는데는 한계가 있었다.Second, there was a limit in detecting defects of a fine mask by using a general fluorescent light source as inspection light in mask inspection.
셋째, 마스크 검사에서 검출된 디펙트의 제거는 와이퍼를 이용한 수작업에 의해 행해짐으로 수작업에 따른 정확한 디펙트의 제거의 어려움 및 작업의 곤란성 등의 문제점이 있었다.Third, since defects detected in the mask inspection are performed by hand using a wiper, there are problems such as difficulty in removing accurate defects and difficulty in working.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, TFT LCD 패널 제조공정중 박막이 증착된 유리기판상에 패턴형성을 위해 사용되는 마스크 상ㆍ하부의 디펙트 검출을 용이하게 하고 제거기능을 향상시켜 마스크의 디펙트에 의한 불량률을 최소화 하도록 한 마스크 검사장치 및 이를 이용한 마스크의 검사방법을 제공하는데 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and facilitates the detection of defects on the upper and lower masks used for pattern formation on the glass substrate on which the thin film is deposited during the TFT LCD panel manufacturing process, and the removal function is improved. It is an object of the present invention to provide a mask inspection apparatus and a mask inspection method using the same to minimize the defect rate caused by the defect of the mask.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 패턴이 정의된 마스크의 디펙트 유무를 검사하기 위해 마스크를 고정하는 회전가능한 검사대와, 상기 검사대에 고정된 마스크에 광을 조사하는 조명기와, 상기 조명기를 지지하는 조명기 프레임과, 상기 검사대에 연결되어 좌·우 방향으로 회전이 가능한 회전대와, 상기 조명기 프레임과 회전대의 하부에 구성되고 그 내부에 상기 회전대의 회전을 위한 축과 축 지지대가 설치된 케비넷과, 상기 케비넷에 탈착 가능하고 상기 마스크에 디펙트 발생시 이를 제거하는 디펙트 제거기를 포함하고, 상기 케비넷에 탈착 가능하고 상기 마스크에 디펙트 발생시 이를 제거하는 디펙트 제거기를 포함하고, 상기 조명기는 상기 조명기 프레임의 상부의 양측에 각각 위치하며 광이 조사되는 위치를 조정할 수 있도록 회전가능 하도록 설치되는 것을 특징으로 한다.
구성됨을 특징으로 하는 마스크 검사장치와 이를 이용한 마스크 검사방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a rotatable inspection table for fixing the mask for inspecting the presence or absence of the defect of the mask defined pattern, illuminator for irradiating light to the mask fixed to the inspection table, the illuminator A cabinet supporting the illuminator frame, a swivel connected to the inspection table and rotatable in a left and right direction, a cabinet configured at the lower portion of the illuminator frame and the swivel, and having a shaft and a shaft support for rotating the swivel therein; And a defect remover that is detachable to the cabinet and removes the defect when the defect occurs in the mask, and includes a defect remover that is detachable to the cabinet and removes the defect when the mask occurs. Located on both sides of the upper part of the frame, so that the position of the light irradiation can be adjusted It is characterized in that it is installed to be rotatable.
Provided are a mask inspection apparatus and a mask inspection method using the same.
이하, 본 발명에 따른 마스크 검사장치의 바람직한 실시례를 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of a mask inspection apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 마스크 검사장치는 마스크(미도시)의 디펙트 검사를 위해 광을 조사하는 조명기(20)와, 상기 조명기(20)의 지지 및 설치를 위한 조명기 프레임(30) 및 마스크를 고정하여 검사하기 위한 검사대(40)가 구비된다.As shown in FIG. 2, the mask inspection apparatus according to the present invention includes an illuminator 20 for irradiating light for defect inspection of a mask (not shown), and an illuminator frame for supporting and installing the illuminator 20. 30 and an inspection table 40 for fixing and inspecting the mask are provided.
먼저, 상기 조명기(20)는 상기 조명기 프레임(30)의 상부에 설치되는데, 상기 조명기(20)는 광이 조사되는 위치를 조정할 수 있도록 회전 가능하도록 설치되며 마스크의 디펙트(미도시) 검사시 검사를 위한 광을 조사한다. First, the illuminator 20 is installed on the upper part of the illuminator frame 30, the illuminator 20 is installed to be rotatable so as to adjust the position to which the light is irradiated and when inspecting the defect (not shown) of the mask Irradiate the light for inspection.
이러한 조명기(20)는 마스크의 디펙트 검사시 보다 밝은 광을 조사할 수 있도록 적어도 2개 이상 설치함이 바람직하며, 광원으로는 광이 집중되어 검사의 정확도를 높일 수 있는 세나(senar)광을 사용함이 바람직하다.At least two such illuminators 20 may be installed so that brighter light may be irradiated during defect inspection of a mask, and light may be concentrated as a light source to provide a sensor light that may increase the accuracy of inspection. It is preferable to use.
그리고, 상기 검사대(40)는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이,마스크 고정시 마스크 사이즈(size)별 대응이 가능하도록 길이 조절이 가능한 마스크 고정부(41)를 구비하여 마스크 크기에 따라 마스크 고정부(41)의 길이를 조절할 수 있도록 구성된다.
3 and 4, the inspection table 40 is provided with a
또한, 상기 검사대(40)는 종래의 마스크 검사를 위한 검사대(3)와는 달리 상ㆍ하 방향으로 360°회전이 가능하게 구성되는데 이러한 구조에 의해 종래기술과는 달리 검사를 위해 마스크의 재 고정없이 마스크의 뒷면까지 검사가 가능하게 된다. 또한, 원하는 각도에서 검사대(40)를 고정하여 마스크의 디펙트 검사를 수행할 수 있도록 고정 핀(42) 및 핀 고정부(43)가 설치되는데, 이러한 고정핀(42) 및 핀 고정부(43)의 구비로 마스크 검사시 필요한 각도에서 검사대(40)를 고정하여 검사를 수행할 수 있도록 함으로써 보다 정확한 검사가 가능하게 된다. In addition, the inspection table 40 is configured to be able to rotate 360 ° in the up and down direction unlike the inspection table 3 for the conventional mask inspection, unlike the prior art by this structure, without re-fixing the mask for inspection Inspection to the back of the mask is possible. In addition, a fixing
그리고, 상기 검사대(40)는 회전대(50)와 연결되어져 있는데, 상기 회전대(50)는 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 좌ㆍ우방향으로 180°회전이 가능하도록 구성되어져 있으며, 하부에는 원하는 각도에서 고정이 가능하도록 고정홀(51)과 고정나사(52)가 형성되어져 있다. 따라서, 회전대(50)의 좌ㆍ우방향 회전에 따라 이와 연결된 검사대(40)도 좌ㆍ우방향으로 함께 회전하게 되며, 회전중 고정을 원하는 각도가 있을 경우 고정나사(52)를 돌려서 고정홀(51)에 고정시킴으로써 원하는 각도에서 회전대(50)를 고정하게 된다.And, the inspection table 40 is connected to the swivel table 50, the swivel table 50, as shown in Figure 3 and 5, is configured to rotate 180 ° in the left and right directions, the lower In the fixing
상기 검사대(40)와 연결되어 있는 회전대(50) 및 조명기 프레임(30)은 도 2에 도시된 바와 같이, 케비넷(60)상부에 설치되게 되고 상기 케비넷(60)의 내부에는 상기 회전대(50)의 회전을 위한 축(61)과 축 지지대(62)가 설치되어져 있어, 회전대(50)를 좌ㆍ우방향으로 회전시키면 축 지지대(62)에 의해 지지되며 회전대(50)와 연결된 축(61)이 회전하면서 상기 회전대(50)를 회전시키게 된다. As shown in FIG. 2, the swivel table 50 and the illuminator frame 30 connected to the test table 40 are installed above the cabinet 60 and the inside of the cabinet 60 is the swivel table 50. A shaft 61 and a shaft support 62 are provided for rotation of the shaft. When the rotary table 50 is rotated in the left and right directions, the shaft 61 is supported by the shaft support 62 and connected to the rotary table 50. While rotating the rotating table 50 is rotated.
또한, 상기 케비넷(60)의 일단에는 마스크의 디펙트를 제거하기 위한 디펙트 제거기(70)가 설치되며 하부에는 마스크 검사장치를 이동가능하게 하기위한 이동수단으로서 바퀴(80)가 설치되게 된다. In addition, a defect remover 70 for removing a defect of a mask is installed at one end of the cabinet 60, and a wheel 80 is installed at a lower portion thereof as a moving means for moving the mask inspection apparatus.
상기 디펙트 제거기(70)는 상기 케비넷(60)의 일단에 탈착가능하게 설치되며, 미세한 디펙트를 제거하기 위한 질소(N₂)가스(gas)를 분사하는 권총형상의 질소(N₂)건(gun)으로 구성된다.The defect remover 70 is detachably installed at one end of the cabinet 60 and is a pistol-shaped nitrogen gun that injects nitrogen gas to remove fine defects. It is composed of
하지만, 상기 디펙트 제거기(70)의 형상 및 가스의 종류는 얼마든지 변경이 가능함은 당업자라면 충분히 이해 가능하다. However, it will be understood by those skilled in the art that the shape of the defect remover 70 and the type of gas may be changed as much as possible.
상기와 같은 여러가지 장비들로 구성된 본 발명의 마스크 검사장치를 이용한 마스크 검사방법을 설명하면 다음과 같다.Referring to the mask inspection method using the mask inspection apparatus of the present invention composed of various equipment as described above are as follows.
우선, 마스크의 디펙트 검사를 위해 마스크(미도시)를 검사대(40)에 고정하게 된다. 이때, 마스크의 크기에 맞게 마스크 고정부(41)의 길이를 알맞게 조절하여 마스크를 검사대(40)에 고정하게 된다. 마스크가 고정되면 조명기 프레임(30) 상부에 설치된 조명기(20)에서 광을 조사하여 육안으로 마스크 디펙트를 면밀히 검사한다. 이때, 광은 세나광을 사용함은 앞서 설명한 바와 같다. First, a mask (not shown) is fixed to the inspection table 40 for defect inspection of the mask. At this time, the length of the
상기와 바와 같은 마스크 검사도중 디펙트가 발견되면 케비넷(60)에 설치된 디펙트 제거기(70)을 사용하여 질소가스를 분사함으로써 디펙트를 제거하게 된다. 이와 같은 작업은 검사대(40)를 핀 고정부(43) 및 고정핀(42)을 이용하여 일정 각도에서 고정시킨 후 행하게 되는데 상기와 같은 일정각도에서의 마스크 검사작업이 끝나면, 핀 고정부(43)에서 고정핀(42)을 제거하여 검사대(40)의 상ㆍ하 방향 각도를 재조정하게 된다. 상ㆍ하 방향 각도의 재조정이 끝나게 되면 고정핀(42)을 이용 해 원하는 각도에서 검사대(40)를 고정시킨 후 상기와 같은 마스크 검사 작업을 다시 수행한다. If a defect is found during the mask inspection as described above, the defect is removed by spraying nitrogen gas using the defect remover 70 installed in the cabinet 60. This operation is performed after fixing the inspection table 40 at a predetermined angle using the
이때, 각도의 조절은 상기한 바와 같은 고정핀(42)과 핀 고정부(43)에 의한 상ㆍ하 방향 각도 조절만이 아니라 검사대(40)와 연결된 회전대(50)에 설치된 고정홀(51)과 고정나사(52)에 의한 좌ㆍ우 방향 각도 조절도 동시에 이루어지게 된다. 즉, 상기 검사대(40)의 상ㆍ하 방향 각도 조절이 이루어진 후 좌ㆍ우 방향 각도 조절도 원하는 경우, 다시 말해 좌ㆍ우 비스듬한 각도에서 마스크 검사가 행해질 필요가 있는 경우에는 상기한 바와 같이 회전대(50)를 원하는 각도로 회전시킨 뒤 고정홀(51)과 고정나사(52)에 의해 고정 작업을 수행하게 된다.At this time, the adjustment of the angle is not only the up and down direction angle adjustment by the fixing
이와 같이 상ㆍ하, 좌ㆍ우의 여러각도에서 마스크 검사가 가능하므로 마스크의 검사부위를 정확히 지정하여 그 부위에 대한 면밀한 검사가 가능하게 된다. In this way, the mask inspection can be performed at various angles of the upper, lower, left and right, so that the inspection part of the mask can be precisely designated and the inspection of the part can be performed closely.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 마스크 검사장치 및 이를 이용한 마스크의 검사 방법에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.The mask inspection apparatus and the mask inspection method using the same according to the present invention as described above has the following effects.
첫째, 마스크의 고정후 상하 방향 및 좌우 방향 회전이 가능하도록 구성함으로써 보다 정확하고 세밀한 검사가 가능하게 되어 디펙트 검출능력이 향상되고, 마스크 디펙트에 따른 불량률을 줄일 수 있다.First, by fixing the mask to be able to rotate in the vertical direction and the left and right directions, more accurate and detailed inspection is possible, so that the defect detection capability can be improved and the defect rate according to the mask defect can be reduced.
둘째, 종래기술에 따른 일반형광 광원을 사용하지 않고 세나광을 광원으로 사용함으로써 검사의 정확도를 높일 수 있다.Second, the accuracy of the inspection can be increased by using the sena light as a light source without using the conventional fluorescent light source.
셋째, 디펙트의 제거는 수작업이 아닌 질소(N₂)가스를 분사하는 질소(N ₂)건을 사용함으로써 보다 정확하고 간편하게 디펙트 제거를 가능하게 하여 작업의 편리성 및 작업시간을 단축할 수 있다.Third, the defect can be removed more precisely and conveniently by using a nitrogen (N ₂) gun that injects nitrogen (N₂) gas rather than manually, thereby reducing the convenience and time of work. .
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020080712A KR100904262B1 (en) | 2002-12-17 | 2002-12-17 | Mask Inspector System |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020080712A KR100904262B1 (en) | 2002-12-17 | 2002-12-17 | Mask Inspector System |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040053585A KR20040053585A (en) | 2004-06-24 |
KR100904262B1 true KR100904262B1 (en) | 2009-06-25 |
Family
ID=37346809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020080712A KR100904262B1 (en) | 2002-12-17 | 2002-12-17 | Mask Inspector System |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100904262B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100608135B1 (en) * | 2004-10-01 | 2006-08-02 | 주식회사 디에스엘시디 | Lighting Voltage Supply Jig for LCD |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980081391A (en) * | 1997-04-15 | 1998-11-25 | 히데카츠마쓰시타 | Surface inspection equipment such as photo mask |
JP2000147747A (en) * | 1998-11-16 | 2000-05-26 | Seiko Epson Corp | Apparatus for mask inspection |
KR20020066150A (en) * | 2001-02-09 | 2002-08-14 | 듀폰포토마스크 주식회사 | Supporting device for mask |
-
2002
- 2002-12-17 KR KR1020020080712A patent/KR100904262B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980081391A (en) * | 1997-04-15 | 1998-11-25 | 히데카츠마쓰시타 | Surface inspection equipment such as photo mask |
JP2000147747A (en) * | 1998-11-16 | 2000-05-26 | Seiko Epson Corp | Apparatus for mask inspection |
KR20020066150A (en) * | 2001-02-09 | 2002-08-14 | 듀폰포토마스크 주식회사 | Supporting device for mask |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040053585A (en) | 2004-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI381253B (en) | Exposure device, exposure method and production method for a display panel substrate | |
TW200500644A (en) | Patterned phase difference plate, method of manufacturing patterned phase difference plate, liquid crystal display panel, and liquid crystal display apparatus | |
CN102314093A (en) | Local exposure apparatus, and local exposure method | |
JP2015007575A (en) | Liquid-crystal display panel inspection method, and liquid-crystal display panel inspection device | |
CN107561784B (en) | Optical alignment control method and optical alignment equipment | |
WO2019041691A1 (en) | Method for obtaining defect position of liquid crystal display panel and liquid crystal display panel defect positioning device | |
KR100904262B1 (en) | Mask Inspector System | |
CN108345180B (en) | Exposure and photo-alignment integrated device and using method thereof | |
JP2010219236A (en) | Proximity aligner, substrate positioning method of proximity aligner, and method of manufacturing panel substrate for display | |
KR20050070781A (en) | An apparatus & method for inspecting substrate in liquid crystal display device | |
JP2011003605A (en) | Proximity aligner, alignment method for proximity aligner, and manufacturing method for display panel board | |
EP1507163A2 (en) | A liquid crystal display | |
JP2013195531A (en) | Proximity exposure apparatus, alignment method of proximity exposure apparatus, and method of manufacturing display panel substrate | |
JP2011039327A (en) | Detergency evaluation method and method for manufacturing liquid crystal display device | |
JP2013205709A (en) | Exposure device | |
JP2011123383A (en) | Exposure device, exposure method, and method of manufacturing panel substrate for display | |
KR101268955B1 (en) | Test apparatus for liquid crystal display panel | |
TWI220454B (en) | Method for inspecting alignment layer and equipment thereof | |
JP2012032666A (en) | Exposure equipment, exposure method and method for manufacturing panel substrate for display | |
WO2017148032A1 (en) | Method and device for inspecting rubbing cloth | |
JP2007193228A (en) | Adjustment method of rotation shaft | |
KR101001069B1 (en) | System for roller brush controlling | |
JP2011227213A (en) | Proximity exposure apparatus, alignment method of proximity exposure apparatus and manufacturing method of display panel substrate | |
KR20080002369A (en) | An apparatus & method for inspecting substrate in liquid crystal display device | |
KR100989216B1 (en) | Chuck structure of lcd process equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120330 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130329 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150528 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160530 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180515 Year of fee payment: 10 |