KR100902458B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 및 플라즈마디스플레이 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명에 따르면, 온도 센서가 검출한 온도에 근거하여 패널이 취할 수 있는 최고 온도 및 최저 온도를 추정하고, 적절한 구동을 행함으로써 화상의 표시 품질을 향상시키는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 및 플라즈마 디스플레이 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.

서브필드 구성이 서로 다른 저온 구동 모드, 상온 구동 모드, 고온 구동 모드 중 적어도 3개의 구동 모드를 갖고, 온도 센서가 검출한 온도로부터 패널이 취할 수 있는 최고 온도 및 최저 온도를 추정하는 동시에, 그 최고 온도 또는 최저 온도로부터 패널의 온도 상태를 판별하여, 패널의 온도 상태에 따른 적절한 구동 모드로 전환하여 패널을 구동한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 및 플라즈마 디스플레이 장치{PLASMA DISPLAY PANEL DRIVING METHOD AND PLASMA DISPLAY DEVICE}

본 발명은, 벽걸이 텔레비전이나 대형 모니터에 이용되는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 및 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.

플라즈마 디스플레이 패널(이하, 「패널」이라고 약기함)로서 대표적인 교류 면 방전형 패널은, 대향 배치된 전면판과 배면판 사이에 다수의 방전 셀이 형성되어 있다.

전면판은, 1쌍의 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍이 전면 유리 기판 상에 서로 평행하게 복수쌍 형성되고, 그들 표시 전극쌍을 덮도록 유전체층 및 보호층이 형성되어 있다.

배면판은, 배면 유리 기판 상에 복수의 평행한 데이터 전극과, 그들을 덮도록 유전체층과, 또한 그 위에 데이터 전극과 평행하게 복수의 격벽이 각각 형성되고, 유전체층의 표면과 격벽의 측면에 형광체층이 형성되어 있다. 그리고, 표시 전극쌍과 데이터 전극이 입체 교차하도록 전면판과 배면판이 대향 배치되어 밀봉되 고, 내부의 방전 공간에는 방전 가스가 봉입되어 있다. 여기서 표시 전극쌍과 데이터 전극이 대향하는 부분에 방전 셀이 형성된다.

이러한 구성의 패널에 있어서, 각 방전 셀 내에서 가스 방전에 의해 자외선을 발생시키고, 이 자외선에 의해 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 각 색의 형광체를 여기 발광시켜 컬러 표시를 하고 있다.

패널을 구동하는 방법으로서는 서브필드법, 즉, 1 필드 기간을 복수의 서브필드로 분할한 후에, 발광시키는 서브필드의 조합에 따라 계조 표시를 행하는 방법이 일반적이다.

각 서브필드는, 초기화 기간, 기입 기간 및 유지 기간을 갖고, 초기화 기간에서는 초기화 방전을 발생하여, 계속되는 기입 동작에 필요한 벽전하를 각 전극 상에 형성한다. 기입 기간에서는, 표시를 할 방전 셀에 있어서 선택적으로 기입 방전을 발생하여 벽전하를 형성한다. 그리고, 유지 기간에서는, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍에 교대로 유지 펄스를 인가하고, 기입 방전을 일으킨 방전 셀에서 유지 방전을 발생시켜, 대응하는 방전 셀의 형광체층을 발광시키는 것에 의해 화상 표시를 한다.

또한, 이러한 패널에 있어서는, 방전 셀의 온도에 의존하여 방전 특성이 변화하는 것이 일반적으로 알려져 있다. 그 때문에, 이러한 패널을 이용하여 화상을 표시하는 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서도, 패널의 온도에 의존하여 패널에 표시되는 화상의 휘도나 패널을 구동할 때의 구동 마진 등이 변화한다.

그래서, 패널에 표시되는 화상의 품질이 패널의 온도의 영향을 받아 열화하 는 일이 없도록, 패널의 온도를 검출하여, 검출한 온도에 따라 여러 가지 보정을 실시하는 방법이 제안되어 있다.

예컨대, 특허 문헌 1에는, 패널의 온도를 검출하는 패널 온도 검출부를 구비하고, 패널 온도 검출부로부터의 온도 정보에 따라 기입 펄스 주기를 변화시키도록 구성된 플라즈마 디스플레이 장치가 개시되어 있다.

그러나, 패널의 온도는 패널의 영역에 따라서 온도 분포에 편향이 발생하기 때문에 표시 영역 전체가 동일한 온도로 되는 일은 없으며, 또한 표시하는 화상에 따라서도 패널의 온도가 크게 변화하기 때문에, 패널 전체에 걸쳐 패널의 온도를 정확히 검출하는 것은 어렵다. 따라서, 패널 온도 검출부에 의해서 검출되는 패널의 온도에 근거하여 보정을 실시했다고 하더라도 패널을 최적으로 구동하는 것은 어렵다.

본 발명은, 이들 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 온도 센서가 검출한 온도 및 전원 절단시에 선택되어 있던 구동 모드에 근거하여 패널이 취할 수 있는 최고 추정 온도 및 최저 추정 온도를 추정하고, 그 추정한 최고 추정 온도 또는 최저 추정 온도에 따른 구동을 행함으로써 화상의 표시 품질을 향상시킨 패널의 구동 방법 및 플라즈마 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.

특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 제 2004-61702 호 공보

본 발명은, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전 셀을 복수 구비한 패널의 구동 방법으로서, 1 필드를, 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 기간과, 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 기입 기간과, 기입 방전을 발생시킨 방전 셀에서 유지 방전을 발생시키는 유지 기간을 갖는 복수의 서브필드로 구성하고, 초기화 기간, 기입 기간 및 유지 기간에 있어서의 동작 중 적어도 하나의 동작이 상이한 복수의 구동 모드로부터 하나의 구동 모드를 선택하여 패널을 구동함과 아울러, 온도 센서를 갖고, 온도 센서가 검출한 온도에 근거하여 패널이 취할 수 있는 최저 추정 온도 및 최고 추정 온도를 추정하여, 최저 추정 온도 및 최고 추정 온도에 근거하여 구동 모드를 선택하는 것이다. 이에 따라, 온도 센서가 검출한 온도에 근거하여 패널의 온도를 추정하고, 그 온도에 따른 구동을 함으로써 화상의 표시 품질을 향상시키는 것이 가능하게 된다.

또한, 본 발명은, 전원 절단시에 선택되어 있던 구동 모드와 최저 추정 온도 및 최고 추정 온도에 근거하여 구동 모드를 선택하는 것이다. 이에 따라 또한, 화상의 표시 품질을 향상시키는 것이 가능하게 된다.

도 1은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 패널의 구조를 나타내는 분해 사시도,

도 2는 동 패널의 전극 배열도,

도 3은 동 패널을 구비한 플라즈마 디스플레이 장치의 회로 블럭도,

도 4(a)는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 온도 센서의 장착 위치를 나타내는 플라즈마 디스플레이 장치의 배면도,

도 4(b)는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 온도 센서의 장착 위치를 나타내는 플라즈마 디스플레이 장치의 단면도를 확대한 도면,

도 5는 동 패널의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형도,

도 6(a)는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 저온 구동 모드의 서브필드 구성의 일례를 나타내는 도면,

도 6(b)는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 상온 구동 모드의 서브필드 구성의 일례를 나타내는 도면,

도 6(c)는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 고온 구동 모드의 서브필드 구성의 일례를 나타내는 도면,

도 7은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 주사 전극 구동 회로의 회로도,

도 8은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 전체 셀 초기화 기간에 있어서의 주사 전극 구동 회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍차트,

도 9(a)는 본 발명의 실시예 1에 있어서 전체 셀 비발광 패턴을 표시했을 때의 온도 센서가 검출한 프레임 내부의 온도와 패널의 온도와의 관계를 측정한 결과를 나타내는 도면,

도 9(b)는 본 발명의 실시예 1에 있어서 전체 셀 발광 패턴을 표시했을 때의 온도 센서가 검출한 프레임 내부의 온도와 패널의 온도와의 관계를 측정한 결과를 나타내는 도면,

도 10은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 최저 추정 온도, 최고 추정 온도와 저온 임계값, 고온 임계값과의 관계를 나타낸 개략도,

도 11은 본 발명의 실시예 2에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 회로 블럭도,

도 12(a)는 본 발명의 실시예 2에 있어서 전체 셀 비발광 패턴을 표시했을 때의 저온 보정값, 센서 온도 및 최저 추정 온도를 나타내는 도면,

도 12(b)는 본 발명의 실시예 2에 있어서 전체 셀 발광 패턴을 표시했을 때의 고온 보정값, 센서 온도 및 최고 추정 온도를 나타내는 도면,

도 13은 본 발명의 실시예 3에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 회로 블럭도,

도 14는 본 발명의 실시예 3에 있어서의, 저온 보정값 및 고온 보정값을 나타내는 도면,

도 15는 본 발명의 다른 실시예에 있어서의 저온 보정값 및 고온 보정값을 나타내는 도면,

도 16(a)는 본 발명의 실시예 3에 있어서 히스테리시스 특성을 갖게 하지 않은 경우의 최고 추정 온도와 고온 임계값과의 관계의 일례를 나타내는 도면,

도 16(b)는 본 발명의 실시예 3에 있어서 히스테리시스 특성을 갖게 한 경우의 최고 추정 온도와 고온 임계값과의 관계의 일례를 나타내는 도면이다.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1 : 플라즈마 디스플레이 장치 10 : 패널

21 : 전면판 22 : 주사 전극

23 : 유지 전극 24, 33 : 유전체층

25 : 보호층 31 : 배면판

32 : 데이터 전극 34 : 격벽

35 : 형광체층 51 : 화상 신호 처리 회로

52 : 데이터 전극 구동 회로 53 : 주사 전극 구동 회로

54 : 유지 전극 구동 회로 55 : 타이밍 발생 회로

58 : 온도 추정 회로 81 : 온도 센서

82 : 타이머 83 : 기억부

86 : 열전도 시트 87 : 알루미늄 섀시

88 : 보스재 89 : 회로 기판

100, 200 : 유지 펄스 발생 회로 110 : 전력 회수 회로

300 : 초기화 파형 발생 회로 310, 320 : 미러 적분 회로

400 : 주사 펄스 발생 회로

이하, 본 발명의 실시예에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에 대하여, 도면을 이용하여 설명한다.

(실시예 1)

도 1은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 패널(10)의 구조를 나타내는 분해 사시도이다. 유리제의 전면판(21) 상에는, 주사 전극(22)과 유지 전극(23)으로 이루어지는 표시 전극쌍(28)이 복수 형성되어 있다. 그리고, 주사 전극(22)과 유지 전극(23)을 덮도록 유전체층(24)이 형성되고, 그 유전체층(24) 상에 보호층(25)이 형성되어 있다. 배면판(31) 상에는 데이터 전극(32)이 복수 형성되고, 데이터 전극(32)을 덮도록 유전체층(33)이 형성되며, 또한 그 위에 병렬 교차 형상의 격벽(34)이 형성되어 있다. 그리고, 격벽(34)의 측면 및 유전체층(33) 상에는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 각 색으로 발광하는 형광체층(35)이 마련되어 있다.

이들 전면판(21)과 배면판(31)은, 미소한 방전 공간을 사이에 두고 표시 전극쌍(28)과 데이터 전극(32)이 교차하도록 대향 배치되고, 그 외주부가 유리 플리트 등의 봉착재(封着材)에 의해 봉착되어 있다. 그리고, 방전 공간에는, 예컨대 네온과 크세논의 혼합 가스가 방전 가스로서 봉입되어 있다. 본 실시예에 있어서는, 휘도 향상을 위해 크세논 분압을 10％로 한 방전 가스가 이용되고 있다. 방전 공간은 격벽(34)에 의해 복수의 구획으로 나뉘어져 있고, 표시 전극쌍(28)과 데이터 전극(32)이 교차하는 부분에 방전 셀이 형성되어 있다. 그리고, 이들 방전 셀이 방전, 발광하는 것에 의해 화상이 표시된다.

또, 패널의 구조는 전술한 것에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 스트라이프 형상의 격벽을 구비한 것이어도 좋다.

도 2는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 패널(10)의 전극 배열도이다. 패 널(10)에는, 행 방향으로 긴 n개의 주사 전극 SC1∼SCn(도 1의 주사 전극(22)) 및 n개의 유지 전극 SU1∼SUn(도 1의 유지 전극(23))이 배열되고, 열 방향으로 긴 m개의 데이터 전극 D1∼Dm(도 1의 데이터 전극(32))이 배열되어 있다. 그리고, 1쌍의 주사 전극 SCi(i＝1∼n) 및 유지 전극 SUi와 1개의 데이터 전극 Dj(j＝1∼m)가 교차한 부분에 방전 셀이 형성되며, 방전 셀은 방전 공간 내에 m×n개 형성되어 있다.

도 3은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치(1)의 회로 블럭도이다. 플라즈마 디스플레이 장치(1)는, 패널(10), 화상 신호 처리 회로(51), 데이터 전극 구동 회로(52), 주사 전극 구동 회로(53), 유지 전극 구동 회로(54), 타이밍 발생 회로(55), 온도 추정 회로(58) 및 각 회로 블럭에 필요한 전원을 공급하는 전원 회로(도시하지 않음)를 구비하고 있다.

화상 신호 처리 회로(51)는, 입력된 화상 신호 sig를 서브필드마다의 발광·비발광을 나타내는 화상 데이터로 변환한다. 데이터 전극 구동 회로(52)는 서브필드마다의 화상 데이터를 각 데이터 전극 D1∼Dm에 대응하는 신호로 변환하여 각 데이터 전극 D1∼Dm을 구동한다.

온도 추정 회로(58)는, 온도를 검출하기 위해 이용되는 열전쌍 등의 일반적으로 알려진 소자로 이루어지는 온도 센서(81)를 갖고, 온도 센서(81)에서 검출된 패널(10) 주변의 온도, 본 실시예에서는 프레임 내부의 온도로부터 패널(10)이 취할 수 있는 최고 온도 및 최저 온도의 추정값(이하, 간단히 「최고 추정 온도」, 「최저 추정 온도」라고 표기함)을 산출하여, 그 결과를 타이밍 발생 회로(55)에 출력한다.

타이밍 발생 회로(55)는 수평 동기 신호 H, 수직 동기 신호 V 및 온도 추정 회로(58)가 추정한 최고 추정 온도 및 최저 추정 온도를 바탕으로 하여 각 회로 블럭의 동작을 제어하는 각종 타이밍 신호를 발생하여, 각각의 회로 블럭으로 공급한다. 주사 전극 구동 회로(53)는, 유지 기간에 있어서 주사 전극 SC1∼SCn에 인가하는 유지 펄스를 발생하기 위한 유지 펄스 발생 회로(100)를 갖고, 타이밍 신호에 근거하여 각 주사 전극 SC1∼SCn을 각각 구동한다. 유지 전극 구동 회로(54)는, 유지 기간에 있어서 유지 전극 SU1∼SUn에 인가하는 유지 펄스를 발생하기 위한 유지 펄스 발생 회로(200)를 갖고, 유지 전극 SU1∼SUn을 구동한다.

도 4(a), 도 4(b)는, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 온도 센서의 장착 위치를 나타내는 도면으로서, 도 4(a)는 플라즈마 디스플레이 장치의 배면도, 도 4(b)는 플라즈마 디스플레이 장치의 단면도를 확대한 도면이다. 패널(10)의 배면에는 열전도 시트(86)가 밀착하여 마련되고, 또한 열전도 시트(86)에 밀착하여 알루미늄 섀시(87)가 마련되어 있다. 그리고, 알루미늄 섀시(87)에는 각 구동 회로를 구비한 회로 기판(89)이 보스재(88)를 거쳐 장착되어 있으며, 회로 기판(89)의 표면에 온도 센서(81)가 장착되어 있다. 따라서, 패널(10)과 온도 센서(81)는 공기층을 사이에 두고 떨어져 있으며, 온도 센서(81)는 패널(10)과 직접적으로 접촉하지 않는 위치에 배치되어, 패널(10)과 직접적으로는 열적으로 결합하지 않는 구성으로 되어 있다.

이와 같이, 본 실시예에서는, 온도 센서(81)는, 패널(10)과 열전도 시트(86) 와 알루미늄 섀시(87)의 어느 것과도 직접적으로 접촉하지 않는 위치에 마련되어 있다. 그리고, 패널(10)과 온도 센서(81)와의 사이에 보스재(88)에 의해 형성된 공기층을 사이에 둠으로써, 패널(10)에 온도 센서(81)가 곧바로 접촉하지 않도록 하여, 온도 센서(81)가 패널(10)의 국소적인 열을 검출하지 않도록 하고 있다. 또, 온도 센서(81)는, 패널(10)과 직접적으로는 열적으로 결합하지 않는 구성이면 다른 위치에 장착되어 있어도 좋다.

다음에, 패널(10)을 구동하기 위한 구동 전압 파형과 그 동작에 대하여 설명한다. 플라즈마 디스플레이 장치(1)는, 서브필드법, 즉 1 필드 기간을 복수의 서브필드로 분할하고, 서브필드마다 각 방전 셀의 발광·비발광을 제어함으로써 계조 표시를 한다. 각각의 서브필드는 초기화 기간, 기입 기간 및 유지 기간을 갖는다.

초기화 기간에서는 초기화 방전을 발생하여, 계속되는 기입 방전에 필요한 벽전하를 각 전극 상에 형성한다. 이 때의 초기화 동작에는, 모든 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 동작(이하, 「전체 셀 초기화 동작」이라고 약기함)과, 유지 방전을 행한 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 동작(이하, 「선택 초기화 동작」이라고 약기함)이 있다. 기입 기간에서는, 발광시켜야 하는 방전 셀에서 선택적으로 기입 방전을 발생하여 벽전하를 형성한다. 그리고, 유지 기간에서는, 휘도 가중치에 비례한 수의 유지 펄스를 표시 전극쌍에 교대로 인가하여, 기입 방전을 발생한 방전 셀에서 유지 방전을 발생시켜 발광시킨다. 이 때의 비례 정수를 휘도 배율이라고 부른다. 또, 서브필드 구성의 상세에 대해서는 후술하기로 하고, 여기서는 서브필드에 있어서의 구동 전압 파형과 그 동작에 대하여 설명한다.

도 5는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 패널(10)의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형도이다. 도 5에는, 전체 셀 초기화 동작을 행하는 서브필드와 선택 초기화 동작을 행하는 서브필드를 나타내고 있다.

우선, 전체 셀 초기화 동작을 행하는 서브필드에 대하여 설명한다.

초기화 기간 전반부에서는, 데이터 전극 D1∼Dm, 유지 전극 SU1∼SUn에 각각 0(V)을 인가하고, 주사 전극 SC1∼SCn에는, 유지 전극 SU1∼SUn에 대하여 방전 개시 전압 이하의 전압 Vi1로부터, 방전 개시 전압을 초과하는 전압을 향해 완만하게 상승하는 경사 파형 전압을 인가한다(이하, 초기화 기간의 전반부에 있어서 주사 전극 SC1∼SCn에 인가하는, 완만하게 상승하는 전압의 최대값을 「초기화 전압 Vr」이라고 하여 인용함).

이 경사 파형 전압이 상승하는 동안에, 주사 전극 SC1∼SCn과 유지 전극 SU1∼SUn, 데이터 전극 D1∼Dm 사이에서 각각 미약한 초기화 방전이 일어난다. 그리고, 주사 전극 SC1∼SCn 상부에 부(負)의 벽전압이 축적되는 동시에, 데이터 전극 D1∼Dm 상부 및 유지 전극 SU1∼SUn 상부에는 정(正)의 벽전압이 축적된다. 여기서, 전극 상부의 벽전압이란, 전극을 덮는 유전체층 상, 보호층 상, 형광체층 상 등에 축적된 벽전하에 의해 발생하는 전압을 나타낸다.

초기화 기간 후반부에서는, 유지 전극 SU1∼SUn에 정의 전압 Ve1을 인가하고, 주사 전극 SC1∼SCn에는, 유지 전극 SU1∼SUn에 대하여 방전 개시 전압 이하로 되는 전압 Vi3으로부터 방전 개시 전압을 초과하는 전압 Vi4를 향해 완만하게 하강하는 경사 파형 전압(이하, 「램프 전압」이라고 기재함)을 인가한다. 이 동안에, 주사 전극 SC1∼SCn과 유지 전극 SU1∼SUn, 데이터 전극 D1∼Dm 사이에서 각각 미약한 초기화 방전이 일어난다. 그리고, 주사 전극 SC1∼SCn 상부의 부의 벽전압 및 유지 전극 SU1∼SUn 상부의 정의 벽전압이 약화되고, 데이터 전극 D1∼Dm 상부의 정의 벽전압은 기입 동작에 적합한 값으로 조정된다. 이상에 의해, 모든 방전 셀에 대하여 초기화 방전을 행하는 전체 셀 초기화 동작이 종료한다.

계속되는 기입 기간에서는, 유지 전극 SU1∼SUn에 전압 Ve2를, 주사 전극 SC1∼SCn에 전압 Vc를 인가한다. 다음에, 1행째의 주사 전극 SC1에 부의 주사 펄스 전압 Va를 인가하는 동시에, 데이터 전극 D1∼Dm 중 1행째에 발광시켜야 하는 방전 셀의 데이터 전극 Dk(k＝1∼m)에 정의 기입 펄스 전압 Vd를 인가한다. 이 때 데이터 전극 Dk 상과 주사 전극 SC1 상의 교차부의 전압차는, 외부 인가 전압의 차(Vd－Va)에 데이터 전극 Dk 상의 벽전압과 주사 전극 SC1 상의 벽전압의 차가 가산된 것으로 되어 방전 개시 전압을 초과한다. 그리고, 데이터 전극 Dk와 주사 전극 SC1 사이 및 유지 전극 SU1과 주사 전극 SC1 사이에 기입 방전이 일어나, 주사 전극 SC1 상에 정의 벽전압이 축적되고, 유지 전극 SU1 상에 부의 벽전압이 축적되며, 데이터 전극 Dk 상에도 부의 벽전압이 축적된다.

이렇게 하여, 1행째에 발광시켜야 할 방전 셀에서 기입 방전을 일으켜 각 전극 상에 벽전압을 축적하는 기입 동작이 행해진다. 한편, 기입 펄스 전압 Vd를 인가하지 않은 데이터 전극 D1∼Dm과 주사 전극 SC1과의 교차부의 전압은 방전 개시 전압을 넘지 않기 때문에, 기입 방전은 발생하지 않는다. 이상의 기입 동작을 n행째의 방전 셀에 이르기까지 실행하고, 기입 기간이 종료한다.

계속되는 유지 기간에서는, 소비 전력을 삭감하기 위해 전력 회수 회로를 이용하여 구동을 하고 있지만, 구동 전압 파형의 상세에 대해서는 후술하기로 하고, 여기서는 유지 기간에 있어서의 유지 동작의 개요에 대하여 설명한다.

우선 주사 전극 SC1∼SCn에 정의 유지 펄스 전압 Vs를 인가하는 동시에 유지 전극 SU1∼SUn에 0(V)을 인가한다. 그렇게 하면 기입 방전을 일으킨 방전 셀에서는, 주사 전극 SCi 상과 유지 전극 SUi 상과의 전압차가 유지 펄스 전압 Vs에 주사 전극 SCi 상의 벽전압과 유지 전극 SUi 상의 벽전압의 차가 가산된 것으로 되어 방전 개시 전압을 초과한다. 그리고, 주사 전극 SCi와 유지 전극 SUi 사이에 유지 방전이 일어나, 이 때 발생한 자외선에 의해 형광체층(35)이 발광한다. 그리고, 주사 전극 SCi 상에 부의 벽전압이 축적되고, 유지 전극 SUi 상에 정의 벽전압이 축적된다. 또한, 데이터 전극 Dk 상에도 정의 벽전압이 축적된다. 기입 기간에 있어서 기입 방전이 일어나지 않은 방전 셀에서는 유지 방전은 발생하지 않고, 초기화 기간의 종료시에 있어서의 벽전압이 유지된다.

계속해서, 주사 전극 SC1∼SCn에는 0(V)을, 유지 전극 SU1∼SUn에는 유지 펄스 전압 Vs를 각각 인가한다. 그렇게 하면, 유지 방전을 일으킨 방전 셀에서는, 유지 전극 SUi 상과 주사 전극 SCi 상과의 전압차가 방전 개시 전압을 초과하므로 재차 유지 전극 SUi와 주사 전극 SCi 사이에 유지 방전이 일어나, 유지 전극 SUi 상에 부의 벽전압이 축적되고 주사 전극 SCi 상에 정의 벽전압이 축적된다. 이후 마찬가지로, 주사 전극 SC1∼SCn과 유지 전극 SU1∼SUn에 교대로 휘도 가중치에 휘도 배율을 곱한 수의 유지 펄스를 인가하고, 표시 전극쌍의 전극 사이에 전위차를 부여하는 것에 의해, 기입 기간에 있어서 기입 방전을 일으킨 방전 셀에서 유지 방전이 계속해서 행해진다.

그리고, 유지 기간의 최후에는, 주사 전극 SC1∼SCn에 전압 Vs를 인가한 후에 특정 시간 Th1이 경과한 후에 유지 전극 SU1∼SUn에 전압 Ve1을 인가함으로써, 주사 전극 SC1∼SCn과 유지 전극 SU1∼SUn 사이에 이른바 세폭(細幅) 펄스 형상의 전압차를 부여하여, 데이터 전극 Dk 상의 정의 벽전압을 남긴 채로, 주사 전극 SCi 및 유지 전극 SUi 상의 벽전압을 소거하고 있다.

다음에, 선택 초기화 동작을 행하는 서브필드의 동작에 대하여 설명한다.

선택 초기화를 행하는 초기화 기간에서는, 유지 전극 SU1∼SUn에 전압 Ve1을, 데이터 전극 D1∼Dm에 0(V)을 각각 인가하고, 주사 전극 SC1∼SCn에 전압 Vi3'으로부터 전압 Vi4을 향해 완만하게 하강하는 램프 전압을 인가한다. 그렇게 하면 앞의 서브필드의 유지 기간에서 유지 방전을 일으킨 방전 셀에서는 미약한 초기화 방전이 발생하여, 주사 전극 SCi 상 및 유지 전극 SUi 상의 벽전압이 약화된다. 또한, 데이터 전극 Dk에 대해서는, 직전의 유지 방전에 의해 데이터 전극 Dk 상에 충분한 정의 벽전압이 축적되어 있기 때문에, 이 벽전압의 과잉 부분이 방전되어, 기입 동작에 적합한 벽전압으로 조정된다.

한편, 앞의 서브필드에서 유지 방전을 일으키지 않은 방전 셀에 대해서는 방전하는 일은 없고, 앞의 서브필드의 초기화 기간 종료시에 있어서의 벽전하가 그대로 유지된다. 이와 같이 선택 초기화 동작은, 직전의 서브필드의 유지 기간에서 유지 동작을 행한 방전 셀에 대하여 선택적으로 초기화 방전을 행하는 동작이다.

계속되는 기입 기간의 동작은 전체 셀 초기화를 행하는 서브필드의 기입 기간의 동작과 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다. 계속되는 유지 기간의 동작도 유지 펄스의 수를 제외하고 마찬가지이다.

다음에, 서브필드 구성에 대하여 설명한다. 도 6(a), 도 6(b), 도 6(c)는, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 서브필드 구성을 도시하는 도면이다. 도 6(a), 도 6(b), 도 6(c)는 서브필드법에 있어서의 1 필드 간의 구동 파형을 약식으로 기재한 것으로, 각각의 서브필드의 구동 파형은 도 5의 구동 파형과 동등한 것이다.

본 실시예에 있어서는, 저온 구동 모드, 상온 구동 모드, 고온 구동 모드의 3개의 구동 모드가 있으며, 그들을 타이밍 발생 회로(55)에서 전환하여 이용하고 있다. 또한, 본 실시예에서는, 주사 전극에 인가하는 최대 전압값이나, 이 최대 전압값을 인가하는 회수 중 어느 하나가, 각각의 모드에서 서로 다른 경우에 대하여 설명한다.

각각의 구동 모드는 모두, 1 필드를 10개의 서브필드(제 1 SF, 제 2 SF, …, 제 10 SF)로 분할하고, 각 서브필드는 각각, 예컨대 (1, 2, 3, 6, 11, 18, 30, 44, 60, 80)의 휘도 가중치를 갖는다.

또한, 각 서브필드의 유지 기간에 있어서는, 각각의 서브필드의 휘도 가중치에 소정의 휘도 배율을 곱한 수의 유지 펄스가 표시 전극쌍의 각각에 인가된다.

도 6(a)는 저온 구동 모드의 일례이다. 저온 구동 모드는, 패널(10)의 온도가 저온이더라도 안정된 화상 표시를 할 수 있는 구동 모드이며, 예컨대, 플라즈마 디스플레이 장치가 저온의 환경 하에 설치되고, 또한 전원이 투입된 직후 등, 패널의 온도가 상승하기 전에 이용되는 구동 모드이다.

본 실시예에 있어서의 저온 구동 모드는, 제 1 SF 및 제 4 SF에서는 전체 셀 초기화 동작을 하고, 그 밖의 서브필드에서는 선택 초기화 동작을 한다. 그리고, 이 때의 초기화 전압 Vr은, 후술하는 상온 구동 모드, 고온 구동 모드의 초기화 전압값 VrC보다도 높은 전압값 VrH로 설정되어 있다. 그 때문에, 초기화 전반부의 방전이 강해지고, 즉 흑색 휘도가 상승하고, 콘트라스트가 상온 구동 모드에 비해 약간 저하한다. 여기서 흑색 휘도란, 화상의 표시에 관계가 없는 발광, 즉 흑색 표시 영역의 휘도를 나타내고 있다.

도 6(b)는 상온 구동 모드의 일례이다. 상온 구동 모드는 통상 사용하는 구동 모드이다. 본 실시예에 있어서는 제 1 SF 및 제 4 SF에서 전체 셀 초기화 동작을 하고, 그 이외의 서브필드에서는 선택 초기화 동작을 한다. 그리고, 이 때의 초기화 전압 Vr은 저온 구동 모드의 초기화 전압값 VrH보다도 낮은 전압값 VrC로 설정되어 있다.

도 6(c)는 고온 구동 모드의 일례이다. 고온 구동 모드는, 패널(10)의 온도가 고온이더라도 안정된 화상 표시를 할 수 있는 구동 모드이며, 예컨대, 플라즈마 디스플레이 장치가 온도가 높은 환경 하에 설치되고, 또한 매우 밝은 화상이 표시되는 등 소비 전력이 증가하여, 패널(10)이 고온으로 된 경우에 이용하는 구동 모드이다. 본 실시예에 있어서의 고온 구동 모드는, 제 1 SF, 제 4 SF 및 제 6 SF에서 전체 셀 초기화 동작을 하고, 그 밖의 서브필드에서는 선택 초기화 동작을 한 다. 이 때의 초기화 전압 Vr은, 상온 구동 모드와 마찬가지로 전압값 VrC이다. 이와 같이 고온 구동 모드는 전체 셀 초기화 동작의 회수가 많기 때문에, 콘트라스트가 상온보다 약간 저하한다.

초기화 전압 Vr을 변화시키기 위해서는, 여러 가지 방법이 고려된다. 예컨대, 도 5의 조작 전극 SC1의 전압 Vi1을 증가시키는 것, 또는 전압 Vi1로부터 전압 Vi2의 상승 경사를 급격하게 하여 전압 Vi2를 크게 하는 것 등에 의해 실현이 가능하다.

이하에, 전체 셀 초기화 동작에 있어서의 초기화 전압 Vr을 제어하는 방법에 대하여, 그 일례를 도면을 이용해 설명한다.

도 7은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 주사 전극 구동 회로(53)의 회로도이다. 주사 전극 구동 회로(53)는, 유지 펄스를 발생시키는 유지 펄스 발생 회로(100), 초기화 파형을 발생시키는 초기화 파형 발생 회로(300), 주사 펄스를 발생시키는 주사 펄스 발생 회로(400)를 구비하고 있다.

유지 펄스 발생 회로(100)는, 주사 전극(22)을 구동할 때의 전력을 회수하여 재이용하기 위한 전력 회수 회로(110)와, 주사 전극(22)을 전원 VS로부터의 전압 Vs로 클램프하기 위한 스위칭 소자 SW1과, 주사 전극(22)을 0(V)으로 클램프하기 위한 스위칭 소자 SW2를 갖는다. 또한, 주사 펄스 발생 회로(400)는, 기입 기간에 있어서 주사 펄스를 주사 전극(22)에 순차적으로 인가한다. 또, 주사 펄스 발생 회로(400)는, 초기화 기간 및 유지 기간에서는 유지 펄스 발생 회로(100) 또는 초기화 파형 발생 회로(300)의 전압 파형을 그대로 출력한다.

초기화 파형 발생 회로(300)는, 미러 적분 회로(310, 320)를 구비하고, 전술한 초기화 파형을 발생시키는 동시에, 전체 셀 초기화 동작에 있어서의 초기화 전압 Vr의 제어를 한다. 미러 적분 회로(310)는, FET1과 콘덴서 C1과 저항 R1을 갖고, 소정의 초기화 전압 Vr까지 램프 형상으로 완만하게 상승하는 램프 전압을 발생하며, 미러 적분 회로(320)는, FET2와 콘덴서 C2와 저항 R2를 갖고, 전압 Vi4까지 램프 형상으로 완만하게 저하하는 램프 전압을 발생한다. 또, 도 7에는, 미러 적분 회로(310, 320)의 각각의 입력 단자를 단자 IN1, 단자 IN2로서 나타내고 있다.

또, 본 실시예에서는, 초기화 파형 발생 회로(300)로서 실용적이고 비교적 구성이 간단한 FET를 이용한 미러 적분 회로를 채용하고 있지만, 하등 이 구성에 한정되는 것은 아니며, 초기화 전압 Vr을 제어하면서 램프 전압을 발생할 수 있는 회로이면 어떠한 회로이더라도 좋다.

다음에, 초기화 파형 발생 회로(300)의 동작에 대하여 설명한다. 도 8은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 전체 셀 초기화 기간에 있어서의 주사 전극 구동 회로(53)의 동작을 설명하기 위한 타이밍차트이다. 또, 여기서는, 전체 셀 초기화 동작을 행하는 구동 전압 파형을 T1∼T4로 나타낸 4개의 기간으로 분할하고, 각각의 기간에 대하여 설명한다.

또, 전압 Vi1, 전압 Vi3은 모두 전압 Vs와 동등한 것으로 하여 설명한다. 또, 이하의 설명에 있어서 스위칭 소자를 도통시키는 동작을 온(on), 차단시키는 동작을 오프(off)라고 표기한다.

(기간 T1)

우선, 유지 펄스 발생 회로(100)의 스위칭 소자 SW1를 온으로 한다. 그렇게 하면 스위칭 소자 SW1을 거쳐 주사 전극(22)에 전압 Vs가 인가된다. 그리고, 그 후 스위칭 소자 SW1을 오프로 한다.

(기간 T2)

다음에, 미러 적분 회로(310)의 입력 단자 IN1을 「하이 레벨」로 한다. 구체적으로는 입력 단자 IN1에, 예컨대 전압 15(V)를 인가한다. 그렇게 하면, 저항 R1로부터 콘덴서 C1을 향하여 일정한 전류가 흘러, FET1의 소스 전압이 램프 형상으로 상승하고, 주사 전극 구동 회로(53)의 출력 전압도 램프 형상으로 상승하기 시작한다. 그리고, 이 전압 상승은, 입력 단자 IN1이 「하이 레벨」인 동안 계속된다.

이 출력 전압이 필요한 초기화 전압 Vr까지 상승하면, 그 후, 입력 단자 IN1을 「로우 레벨」로 한다.

이렇게 하여, 방전 개시 전압 이하로 되는 전압 Vs(본 실시예에서는, 전압 Vi1, 전압 Vi3과 동등)로부터, 방전 개시 전압을 초과하는 초기화 전압 Vr(본 실시예에서는, 전압 Vi2와 동등)을 향하여 완만하게 상승하는 램프 전압을 주사 전극(22)에 인가한다.

이 때, 입력 단자 IN1을 「하이 레벨」로 하는 시간 tr을 길게 하면 초기화 전압 Vr을 높게 할 수 있고, 시간 tr을 짧게 하면 초기화 전압 Vr을 낮게 할 수 있 다.

(기간 T3)

다음에, 유지 펄스 발생 회로(100)의 스위칭 소자 SW1을 온으로 한다. 그렇게 하면 주사 전극(22)의 전압이 전압 Vs까지 저하한다. 그리고, 그 후 스위칭 소자 SW1을 오프로 한다.

(기간 T4)

다음에, 미러 적분 회로(320)의 입력 단자 IN2를 「하이 레벨」로 한다. 구체적으로는 입력 단자 IN2에, 예컨대 전압 15(V)를 인가한다. 그렇게 하면, 저항 R2로부터 콘덴서 C2를 향하여 일정한 전류가 흘러, FET2의 드레인 전압이 램프 형상으로 하강하고, 주사 전극 구동 회로(53)의 출력 전압도 램프 형상으로 하강하기 시작한다. 그리고, 출력 전압이 부의 전압 Vi4에 도달한 후, 입력 단자 IN2를 「로우 레벨」로 한다.

이상과 같이 하여, 주사 전극(22)에 대하여, 방전 개시 전압 이하로 되는 전압 Vi1로부터 방전 개시 전압을 초과하는 초기화 전압 Vr을 향하여 완만하게 상승하는 램프 전압을 인가하고, 그 후, 전압 Vi3으로부터 전압 Vi4를 향하여 완만하게 하강하는 램프 전압을 인가한다.

도 6(a), 도 6(b), 도 6(c)에 있어서, 초기화 전압 VrH를 인가하는 데에는 도 8의 주사 전극 구동 회로(53)의 입력 단자 IN1을 「하이 레벨」로 하는 시간 tr 을 길게 하고, 초기화 전압 VrC를 인가하기 위해서는 시간 tr을 짧게 함으로써 실현할 수 있다.

다음에, 저온 구동 모드, 상온 구동 모드, 고온 구동 모드의 3개의 구동 모드를 전환하여 이용하는 이유에 대하여 설명한다.

패널(10)이 저온으로 되면, 방전 개시 전압이 상승하는 등에 의해 전체 셀 초기화 동작에 있어서의 초기화 방전이 불안정하게 되는 경향이 있다. 그리고, 초기화 방전이 불안정하게 되면, 계속되는 기입 기간에 있어서 발광하지 않아야 하는 방전 셀이 발광하는 등의 오방전 현상이 발생하는 경우가 있다. 그리고, 이 오방전은 전체 셀 초기화 서브필드에 있어서의 초기화 전압 Vr을 올리는 것에 의해 저감할 수 있다.

그래서, 본 실시예에서는, 저온 구동 모드에 있어서의 전체 셀 초기화 동작시의 초기화 전압 Vr을 상온 구동 모드에 있어서의 전압값 VrC보다도 높은 전압값 VrH로 설정하고, 패널(10)이 저온이더라도 안정된 전체 셀 초기화 동작을 하여, 안정된 화상 표시를 하고 있다.

한편, 패널(10)이 고온으로 되면, 기입 기간에 있어서, 어느 한 행의 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키고 있는 동안에, 선택되어 있지 않은 행의 방전 셀의 벽전하가 빼앗겨져서, 본래 기입 방전을 발생시키고자 할 때에 벽전압이 부족하여 기입 방전이 발생하지 않는다고 하는 기입 불량이 발생하는 경우가 있다.

그래서, 본 실시예에서는, 고온 구동 모드에 있어서의 전체 셀 초기화 동작의 회수를 늘리는 것에 의해, 부족한 벽전하를 보충하여 기입 불량의 발생을 방지하고 있다. 이에 따라, 패널(10)이 고온으로 된 경우에도 안정된 화상 표시를 할 수 있게 된다.

이와 같이, 패널(10)이 고온 혹은 저온으로 되면, 오방전이나 기입 불량 등의 방전 불량이 발생할 우려가 있고, 이들 방전 불량에 의한 표시 품질의 저하를 초래할 우려가 있지만, 본 실시예에 있어서는 이들의 방전 불량을 저감하기 위하여, 상온 구동 모드, 고온 구동 모드, 저온 구동 모드의 3개의 구동 모드를, 타이밍 발생 회로(55)에 의해 전환하여 이용하고 있다.

다음에, 구동 모드를 전환하는 방법에 대하여 설명한다. 패널(10)의 온도는, 플라즈마 디스플레이 장치가 놓여져 있는 환경 온도에 영향을 받는 것은 물론이지만, 패널을 구동하는 회로가 발생하는 열, 패널 자신이 발생하는 열, 또한 그들의 열을 좌우하는 화상 신호 등에 의해 복잡하게 변동한다. 그 때문에, 패널 전체에 걸쳐 패널의 온도를 정확히 검출하는 것은 어려우며, 시시각각 변화하는 표시 화상에 영향을 받는 일 없이 패널의 온도를 검출하기 위해서는, 다수의 온도 센서를 패널의 각 부에 배치할 필요가 있어, 현실적이지 않다.

그래서, 본 실시예에 있어서는, 패널(10)의 온도를 직접적으로 검출하는 것이 아니라, 패널의 표시 화면 내에, 저온 구동 모드에 의한 구동이 필요한 영역이 발생할 가능성이 있는지, 혹은 고온 구동 모드에 의한 구동이 필요한 영역이 발생할 가능성이 있는지를 추정하여, 그 결과에 따라 구동 모드를 전환하여, 방전 불량을 억제한 화상 표시를 하고 있다.

도 9(a), 도 9(b)는, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 온도 센서(81)가 검출한 프레임 내부의 온도(이하, 「센서 온도」라고 약기함) θs와 패널(10)의 온도(이하, 「패널 온도」라고 약기함) θp와의 관계를 측정한 결과를 나타내는 도면이며, 세로축은 온도를, 가로축은 시간을 나타낸다. 이 측정에서는, 센서 온도 θs가 패널(10)의 국소적인 온도의 영향을 잘 받지 않게 하기 위하여, 회로 기판 상에, 또한 패널(10)에 밀착하지 않도록 온도 센서(81)를 배치하였다.

패널(10)이 취할 수 있는 최저 온도를 추정하기 위해서는, 패널(10)의 온도가 가장 낮게 억제되는 것과 같은 화상, 즉 전체 셀 비발광 패턴을 표시하고, 이 때 패널(10)의 가장 저온이 되는 영역의 온도를 측정하여, 센서 온도 θs와의 차를 조사하면 된다.

도 9(a)는 전체 셀 비발광 패턴을 표시했을 때의 패널 온도 θp와 센서 온도 θs를 나타내는 도면이다. 플라즈마 디스플레이 장치의 전원 투입 후, 센서 온도 θs는 완만하게 상승한다. 한편, 패널 온도 θp는 더욱 완만하게 상승한다. 이것은 패널(10)에서 방전이 거의 발생하지 않으므로 패널(10) 자신의 발열이 적기 때문이다. 그리고, 본 실시예에 있어서는, 10∼20분 후, 센서 온도 θs와 패널 온도 θp와의 차가 거의 일정하게 되고, 그 때의 패널 온도 θp는 센서 온도 θs보다도 약 7℃ 낮은 것을 알 수 있었다. 그래서, 본 실시예에서는, 저온 보정값 ΔθL을 7℃로 하고, 센서 온도 θs로부터 저온 보정값 ΔθL을 뺀 온도를 최저 추정 온도 θL로 하였다.

패널(10)이 취할 수 있는 최고 온도를 추정하기 위해서는, 패널(10)의 온도가 가장 높아지는 것과 같은 화상, 즉 전체 셀 발광 패턴을 표시하고, 이 때 패 널(10)의 가장 고온으로 되는 영역의 온도를 측정하여, 센서 온도 θs와의 차를 조사하면 된다.

도 9(b)는 전체 셀 발광 패턴을 표시했을 때의 패널 온도 θp와 센서 온도 θs를 나타내는 도면이다. 플라즈마 디스플레이 장치의 전원 투입 후, 센서 온도 θs는 급격히 상승한다. 한편, 패널 온도 θp는 더욱 급격히 상승한다. 이것은 구동 회로의 소비 전력이 큰 것에 부가하여, 방전에 의해 패널(10) 자신도 발열하기 때문이다. 그리고, 본 실시예에 있어서도, 10∼20분 후, 센서 온도 θs와 패널 온도 θp의 차가 거의 일정하게 되고, 그 때의 패널 온도 θp는 센서 온도 θs보다도 약 10℃ 높은 것을 알 수 있었다. 그래서, 본 실시예에서는 고온 보정값 ΔθH를 10℃로 하고, 센서 온도에 고온 보정값 ΔθH를 가산한 온도를 최고 추정 온도 θH로 하였다.

그리고, 본 실시예에 있어서는, 최저 추정 온도 θL, 최고 추정 온도 θH를

로 하여 구한다. 여기서, 센서 온도 θs, 최저 추정 온도 θL, 최고 추정 온도 θH가 시간 t의 함수인 것을 명시하기 위하여 각각 θs(t), θL(t), θH(t)라고 기재하였다. 또한, ΔθLo, ΔθHo는 저온 보정값 ΔθL, 고온 보정값 ΔθH가 소정의 값(상기한 7℃ 및 10℃), 즉 정수인 것을 나타낸다.

도 10은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 최저 추정 온도 θL, 최고 추정 온도 θH와 저온 임계값 ThL, 고온 임계값 ThH와의 관계를 나타낸 개략도이다. 도면 에 나타내는 바와 같이, 최저 추정 온도 θL(t)가 미리 설정되어 있는 저온 임계값 ThL 이하이면 저온 구동 모드를 이용하여 패널을 구동하고, 최고 추정 온도 θH(t)가 미리 설정되어 있는 고온 임계값 ThH 이상이면 고온 구동 모드를 이용하여 패널을 구동하며, 그 이외일 때에는 상온 구동 모드로 패널을 구동하고 있다.

그런데, 도 9(a), 도 9(b)에 나타내는 바와 같이, 전원 투입 직후에는 센서 온도 θs(t)와 패널 온도 θp(t)가 동등하고, 그 후, 시간의 경과와 함께 센서 온도 θs(t)와 패널 온도 θp(t)의 차가 넓어져 있다. 이것에 주목하면, 패널 온도의 추정의 정밀도를 높이는 것이 가능하다. 이하에, 패널 온도의 추정의 정밀도를 높인 실시예에 대하여 설명한다.

(실시예 2)

본 발명의 실시예 2에 있어서의 패널의 구조, 구동 전압 파형의 개요 등은 실시예 1과 마찬가지이다. 본 실시예가 실시예 1과 다른 점은, 플라즈마 디스플레이 장치의 전원 투입에서부터의 시간 경과를 계측하는 타이머(82)를 구비하고, 또한, 저온 보정값 ΔθL 및 고온 보정값 ΔθH가 일정값이 아니라 시간의 함수 ΔθL(t) 및 ΔθH(t)로 되어 있는 점이다.

도 11은 본 발명의 실시예 2에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치(1)의 회로 블럭도이다.

타이머(82)는, 단위 시간 경과마다 카운터값이 일정량 증가하는 일반적으로 알려진 시간 계측 기능을 갖고, 플라즈마 디스플레이 장치의 전원이 투입되고 나서 부터의 경과 시간 t를 계측하여, 그 경과 시간 t를 온도 추정 회로(58)에 출력한다.

온도 추정 회로(58)는 온도 센서(81)를 갖고, 온도 센서(81)에 의해 검출된 프레임 내부의 온도 θs와 타이머(82)로부터 출력되는 경과 시간 t에 근거하여, 최저 추정 온도 θL, 최고 추정 온도 θH를 산출한다.

그리고, 타이밍 발생 회로(55)는, 온도 추정 회로(58)로부터 출력되는 최저 추정 온도 θL, 최고 추정 온도 θH에 근거하여 구동 모드를 결정하고, 그 구동 모드로 패널(10)을 구동하기 위한 각종 타이밍 신호를 생성하여, 각각의 회로 블럭으로 출력한다.

그 밖의 회로 블럭에 있어서는 실시예 1과 마찬가지이다.

다음에, 최저 추정 온도 θL의 산출 방법에 대하여 설명한다.

도 12(a), 도 12(b)는 본 발명의 실시예 2에 있어서의, 저온 보정값 ΔθL(t) 및 고온 보정값 ΔθH(t)를 나타내는 도면이다. 우선, 저온 보정값 ΔθL에 대하여 설명한다. 도 12(a)는, 본 실시예에 있어서의, 전체 셀 비발광 패턴을 표시했을 때의 저온 보정값 ΔθL, 센서 온도 θs, 최저 추정 온도 θL을 나타내는 도면이다.

본 실시예에 있어서는, 저온 보정값 ΔθL은, 전원 투입 직후의 값을 0으로 하고, 그 후, 경과 시간 t와 함께 소정의 값 ΔθLo까지 증가하는 함수로 되어 있다. 저온 보정값 ΔθL의 함수로서는, 예컨대 지수 함수를 이용한,

이다. 여기서, 소정의 값 ΔθLo는 도 9(a)에 있어서 시간이 충분히 경과한 후의 센서 온도 θs와 패널 온도 θp와의 온도차이며, tL은 지수 함수의 시정수이다.

그리고, 최저 추정 온도 θL은,

로 하여 산출하고 있다.

고온 추정 온도 θH에 대해서도 동일한 사고 방식으로 산출할 수 있다. 도 12(b)는, 본 실시예에 있어서의, 전체 셀 발광 패턴을 표시했을 때의 고온 보정값 ΔθH, 센서 온도 θs, 최고 추정 온도 θH를 나타내는 도면이다. 즉, 고온 보정값 ΔθH는, 전원 투입 직후의 값을 0으로 하여, 경과 시간 t와 함께 소정의 값 ΔθHo까지 증가하는 함수로 되어 있다. 고온 보정값 ΔθH의 함수로서, 예컨대

이다. 여기서, 소정의 값 ΔθHo는 도 9(b)에 있어서 시간이 충분히 경과한 후의 센서 온도 θs와 패널 온도 θp와의 온도차이며, tH는 지수 함수의 시정수이다.

그리고, 최고 추정 온도 θH는,

로 하여 산출하고 있다.

이와 같이 저온 보정값 ΔθL(t) 및 고온 보정값 ΔθH(t)를 0에서부터 소정의 값까지 경과 시간 t와 함께 변화하는 함수로서 산출하는 것에 의해, 최저 추정 온도 θL(t)를 도 9(a)에 나타낸 패널 온도에, 최고 추정 온도 θH(t)를 도 9(b)에 나타낸 패널 온도에 접근시킬 수 있다. 그 때문에, 플라즈마 디스플레이 장치의 전원 투입 후부터 패널이 취할 수 있는 최저 온도 및 패널이 취할 수 있는 최고 온도를 정밀도 좋게 추정할 수 있기 때문에 패널의 온도에 적합한 구동 모드를 이용하여 패널을 구동할 수 있다.

또, 저온 보정값 ΔθL(t), 및 고온 보정값 ΔθH(t)의 함수 형태로서는, 전술한 바와 같은 지수 함수가 적합하지만, 예컨대 꺾은선 형상의 함수,

를 이용하여도 좋다. 여기서, tL은 저온 보정값 ΔθL(t)가 소정의 값 ΔθLo와 동등하게 되는 시간이며, tH는 고온 보정값 ΔθH(t)가 소정의 값 ΔθHo와 동등하게 되는 시간이다.

전술한 바와 같이, 저온 보정값 ΔθL(t) 및 고온 보정값 ΔθH(t)를 경과 시간 t의 함수로 함으로써, 최저 추정 온도 θL(t) 및 최고 추정 온도 θH(t)의 추정 정밀도를 높일 수 있다. 그러나, 플라즈마 디스플레이 장치의 전원을 일단 절단하고, 그 직후에 재투입하는 경우를 고려하면 주의가 필요하다. 다음에, 이러한 경우에도 패널의 온도에 적합한 구동 모드를 이용하여 패널을 구동할 수 있는 실시예에 대하여 설명한다.

(실시예 3)

본 발명의 실시예 3에 있어서의 패널의 구조, 구동 전압 파형의 개요 등은 실시예 2와 마찬가지이다. 본 실시예가 실시예 2와 다른 점은, 패널의 구동 모드를 기억하는 기억부(83)를 더 구비하고, 그 출력에도 의존하여 저온 보정값 ΔθL(t) 및 고온 보정값 ΔθH(t)를 구하는 점이다.

도 13은 본 발명의 실시예 3에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치(1)의 회로 블럭도이다.

타이머(82)는, 실시예 2와 마찬가지로, 플라즈마 디스플레이 장치의 전원이 투입되고 나서부터의 경과 시간 t를 계측하여, 그 경과 시간 t를 온도 추정 회로(58)에 출력한다.

기억부(83)는 패널(10)의 구동 모드를 기억한다. 기억부(83)에 기억되는 구동 모드는 항상 갱신되며, 플라즈마 디스플레이 장치의 전원이 절단된 시점에서 그 갱신도 정지하지만, 기억된 구동 모드는 전원이 절단된 후에도 그대로 유지되고 있다. 따라서, 다음에 플라즈마 디스플레이 장치의 전원이 투입된 시점에서 기억부(83)에 기억되어 있는 구동 모드는 플라즈마 디스플레이 장치의 전원이 절단되기 직전의 구동 모드이다. 이하, 전원이 절단되기 직전의 구동 모드를 「전원 오프시 모드」라고 호칭한다.

온도 추정 회로(58)는 온도 센서(81)를 갖고, 온도 센서(81)에서 검출된 프레임 내부의 온도인 센서 온도 θs와, 타이머(82)로부터 출력되는 경과 시간 t와, 기억부(83)로부터 출력되는 전원 오프시 모드에 기초하여, 최저 추정 온도 θL, 최 고 추정 온도 θH를 산출한다.

그리고, 타이밍 발생 회로(55)는, 온도 추정 회로(58)로부터 출력되는 최저 추정 온도 θL(t), 최고 추정 온도 θH(t)에 근거하여 구동 모드를 결정하고, 그 구동 모드로 패널을 구동하기 위한 각종 타이밍 신호를 생성하여, 각각의 회로 블럭으로 출력한다.

그 밖의 회로 블럭에 대해서는 실시예 1과 마찬가지이다.

다음에, 최저 추정 온도 θL(t) 및 최고 추정 온도 θH(t)의 산출 방법에 대하여 설명한다.

우선 저온 보정값 ΔθL(t) 및 고온 보정값 ΔθH(t)에 대하여 설명한다. 도 14는, 본 발명의 실시예 3에 있어서의, 저온 보정값 ΔθL(t) 및 고온 보정값 ΔθH(t)를 나타내는 도면이다. 본 실시예에 있어서는 이와 같이 전원 오프시 모드에 의존하여 저온 보정값 ΔθL(t) 및 고온 보정값 ΔθH(t)를 달리 하고 있다.

도 14에 도시하는 바와 같이, 저온 보정값 ΔθL(t)는, 전원 오프시 모드가 저온 구동 모드이면 일정값 ΔθLo이고, 전원 오프시 모드가 상온 구동 모드 또는 고온 구동 모드이면 경과 시간 t에 의존하는 함수이다. 도 14에는 경과 시간 t에 의존하는 함수로서 지수 함수를 이용한 함수를 기재하고 있지만, 꺾은선 형상 등의 함수 형태이어도 좋다.

한편, 고온 보정값 ΔθH(t)는, 전원 오프시 모드가 저온 구동 모드 또는 상온 구동 모드이면 경과 시간 t에 의존하는 함수이며, 전원 오프시 모드가 고온 구동 모드이면 일정값 ΔθHo이다.

그리고, 최저 추정 온도 θL(t) 및 최고 추정 온도 θH(t)는 각각,

로 하여 산출한다.

본 실시예에 있어서, 전원 오프시 모드에 의존하여 저온 보정값 ΔθL(t)의 함수 형태를 달리 하고 있는 이유는 다음과 같다.

예컨대, 플라즈마 디스플레이 장치에 전원 투입 후, 비교적 어두운 화상을 표시하여, 센서 온도 θs가 저온 임계값 ThL보다도 높아지고, 그러나 패널 온도 θp가 저온 임계값 ThL보다도 낮을 때에 일단 전원을 절단하고, 그 후 곧바로 전원을 투입하였다고 가정한다.

이 경우, 패널 온도 θp는 저온 임계값 ThL보다 낮기 때문에 저온 구동 모드로 구동하여야 한다. 이 때 가령, 저온 보정값 ΔθL(t)를, 0에서부터 소정의 값 ΔθLo까지 경과 시간 t와 함께 변화하는 함수라고 하면, 전원 투입 직후는 t＝0이기 때문에, 저온 보정값 ΔθL(0)＝0이기 때문에, 최저 추정 온도 θL(t)＝센서 온도 θs＞저온 임계값 ThL로 되어, 상온 구동 모드로 구동하는 것으로 되어 버린다.

그러나, 본 실시예에 있어서는 전원 오프시 모드가 저온 구동 모드인 경우에는, 저온 보정값 ΔθL(t)가 일정값 ΔθLo로 되기 때문에, 최저 추정 온도 θL(t)＝센서 온도 θs－ΔθLo＜저온 임계값 ThL로 되어, 올바르게 저온 구동 모드로 구동할 수 있다.

고온 보정값 ΔθH(t)의 함수 형태를 전원 오프시 모드에 의존하여 달리 하고 있는 이유도 마찬가지이다. 예컨대, 플라즈마 디스플레이 장치에 전원 투입 후, 비교적 밝은 화상을 표시하여, 패널 온도 θp가 고온 임계값 ThH보다도 높아지고, 그러나 센서 온도 θs가 고온 임계값 ThH보다도 낮을 때에 일단 전원을 절단하고, 그 후 곧바로 전원을 투입하였다고 가정한다. 이 경우, 패널 온도 θp는 고온 임계값 ThH보다 높기 때문에 고온 구동 모드로 구동하여야 한다.

이 때 가령, 고온 보정값 ΔθH(t)를, 0에서부터 소정의 값 ΔθHo까지 경과 시간 t와 함께 변화하는 함수라고 하면, 전원 투입 직후는 t＝0이기 때문에, 고온 보정값 ΔθH(0)＝0이기 때문에, 최고 추정 온도 θH(t)＝센서 온도 θs＜고온 임계값 ThH로 되어, 상온 구동 모드로 구동하는 것으로 되어 버린다. 그러나, 본 실시예에 있어서는 전원 오프시 모드가 고온 구동 모드인 경우에는, 고온 보정값 ΔθH(t)가 일정값 ΔθHo로 되기 때문에, 최고 추정 온도 θH(t)＝센서 온도 θs＋ΔθHo＞고온 임계값 ThH로 되어, 올바르게 고온 구동 모드로 구동할 수 있다.

또, 고온 보정값 ΔθH(t)에 대해서는 경과 시간 t의 함수로는 하지 않고, 일정값 ΔθHo로 하여도 좋다. 도 15는, 고온 보정값 ΔθH(t)를 일정값 ΔθHo로 한, 본 발명의 다른 실시예에 있어서의 저온 보정값 ΔθL(t) 및 고온 보정값 ΔθH(t)를 나타내는 도면이다. 또, 도 15에서는, 저온 보정값 ΔθL(t), 및 고온 보정값 ΔθH(t)의 함수 형태로서 꺾은선 형상의 함수,

를 이용한 예를 나타내고 있다. 여기서, tL은 저온 보정값 ΔθL(t)가 소정의 값 ΔθLo와 동등하게 되는 시간이며, tH는 고온 보정값 ΔθH(t)가 소정의 값 ΔθHo와 동등하게 되는 시간이다.

저온 보정값 ΔθL(t)에 대해서는 경과 시간 t의 함수 또는 일정값으로 하고, 고온 보정값 ΔθH(t)에 대해서는 경과 시간 t의 함수로는 하지 않고, 일정값 ΔθHo로 한 이유는 이하와 같다.

저온 구동 모드는, 플라즈마 디스플레이 장치가 저온 환경 하에 놓여지고, 또한 전원 투입시로부터 패널이 따뜻해질 때까지 이용하는 구동 모드이기 때문에, 전원 투입시에 패널 온도 θp가 저온 임계값 ThL보다 높으면, 그 이후도 저온 구동 모드로 구동할 가능성은 거의 없다. 따라서, 최저 추정 온도 θL(t)에 대해서는, 전원 오프시 모드가 상온 구동 모드 또는 고온 구동 모드이면 저온 보정값 ΔθL(t)를 경과 시간 t에 의존하는 함수로서 산출하는 것이 바람직하다.

그러나, 밝은 화상을 표시했을 때의 패널 온도 θp는 비교적 재빨리 상승하기 때문에, 고온 보정값을 일정값 ΔθHo로 하여 구한 최고 추정 온도 θH(t)가 고온 임계값 ThH 이상인 경우에는, 단시간 내에 패널 온도 θp도 고온 임계값 ThH를 초과할 가능성이 높기 때문에, 처음부터 고온 구동 모드로 구동하더라도 큰 문제는 없다.

또, 구동 모드를 전환할 때에 히스테리시스 특성을 갖게 하여, 구동 모드의 빈번한 전환을 억제하여도 좋다. 도 16(a), 도 16(b)는, 본 발명의 실시예 3에 있어서의 최고 추정 온도 θH와 고온 임계값 ThH와의 관계의 일례를 나타내는 도면이 다. 전술한 구동 모드의 전환시에 있어서, 흑색을 표시하고 있는 영역의 휘도(이하, 「흑색 휘도」라고 약기함)가 변화한다. 이것은, 흑색 휘도가 전체 셀 초기화 동작에 수반되는 방전의 발광에 의해 결정되고, 초기화 회수나 초기화 전압 Vr에 의존하기 때문이다.

그리고, 본 실시예에 있어서는, 1 필드 기간 내에, 상온 구동 모드에서는 전체 셀 초기화 회수가 2회, 고온 구동 모드에서는 전체 셀 초기화 회수가 3회 있기 때문에, 도 16(a)에 도시하는 바와 같이 최고 추정 온도 θH가 고온 임계값 ThH를 사이에 두고 빈번하게 변동하면 전체 셀 초기화 회수도 빈번하게 변동하여 흑색 휘도의 변화가 눈에 띄기 쉽게 된다.

그래서, 본 실시예에 있어서는, 도 16(b)에 도시하는 바와 같이 2개의 고온 임계값 ThH1, ThH2를 마련하고, 상온 구동 모드로부터 고온 구동 모드로 전환할 때의 고온 임계값 ThH1을, 고온 구동 모드로부터 상온 구동 모드로 전환하는 고온 임계값 ThH2보다도 높게 설정하여 히스테리시스 특성을 갖게 함으로써, 구동 모드의 빈번한 전환을 방지하고 있다.

저온 임계값에 대해서도 마찬가지로, 히스테리시스 특성을 갖게 하는 것도 가능하다.

또한, 본 실시예에서는, 방전 가스의 크세논 분압을 10％로 하였지만, 다른 크세논 분압이더라도 그 패널에 따른 구동 전압으로 설정하면 된다.

또한, 본 실시예에 있어서 이용한 구체적인 각 수치는, 단지 일례를 든 것에 지나지 않으며, 패널의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치의 수단 등에 맞춰, 적 절히 최적의 값으로 설정하는 것이 바람직하다.

본 발명의 패널의 구동 방법 및 플라즈마 디스플레이 장치는, 온도 센서가 검출한 온도 및 전원 절단시에 선택되어 있던 구동 모드에 근거하여 패널이 취할 수 있는 최고 추정 온도 및 최저 추정 온도를 추정하고, 그 최고 추정 온도 또는 최저 추정 온도에 따른 구동을 행함으로써 화상의 표시 품질을 향상시키는 것이 가능하며, 패널의 구동 방법 및 플라즈마 디스플레이 장치로서 유용하다.

Claims (9)

1 필드를, 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 기간과, 상기 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 기입 기간과, 상기 기입 방전을 발생시킨 방전 셀에서 유지 방전을 발생시키는 유지 기간을 갖는 복수의 서브필드로 구성함과 아울러, 상기 초기화 기간, 상기 기입 기간 및 상기 유지 기간에서의 동작 중 적어도 하나의 동작이 상이한 복수의 구동 모드로서, 플라즈마 디스플레이 패널이 저온일 때에 이용하는 저온 구동 모드와, 상기 플라즈마 디스플레이 패널이 고온일 때에 이용하는 고온 구동 모드와, 상기 저온일 때와 상기 고온일 때 이외일 때에 이용하는 상온(常溫) 구동 모드를 구비하고, 온도 센서에 의해 검출된 온도로부터 저온 보정값을 감산하는 것에 의해 최저 추정 온도를 산출하고, 상기 온도 센서에 의해 검출된 온도에 고온 보정값을 가산하여 최고 추정 온도를 산출하여, 상기 최저 추정 온도와 상기 최고 추정 온도로부터 상기 복수의 구동 모드로부터 하나의 구동 모드를 선택하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법으로서,

전원 투입 후의 상기 저온 보정값과 상기 고온 보정값은 상기 전원 투입 전에 기억된 전원 절단시의 구동 모드와 상기 전원 투입으로부터의 경과 시간에 근거하여 결정되는 것

을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.

제 1 항에 있어서,

상기 최저 추정 온도가 소정의 저온 임계값 이하인 경우에는 상기 저온 구동 모드에 의한 구동을 행하고,

상기 최고 추정 온도가 소정의 고온 임계값 이상인 경우에는 상기 고온 구동 모드에 의한 구동을 행하며,

상기 최저 추정 온도가 소정의 저온 임계값보다 크고, 상기 최고 추정 온도가 소정의 고온 임계값보다 작은 경우에는 상기 상온 구동 모드에 의한 구동을 행하는 것

을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.

1 필드를, 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 기간과, 상기 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 기입 기간과, 상기 기입 방전을 발생시킨 방전 셀에서 유지 방전을 발생시키는 유지 기간을 갖는 복수의 서브필드로 구성함과 아울러, 상기 초기화 기간, 상기 기입 기간 및 상기 유지 기간에서의 동작 중 적어도 하나의 동작이 상이한 복수의 구동 모드로서, 플라즈마 디스플레이 패널이 저온일 때에 이용하는 저온 구동 모드와, 상기 플라즈마 디스플레이 패널이 고온일 때에 이용하는 고온 구동 모드와, 상기 저온일 때와 상기 고온일 때 이외일 때에 이용하는 상온 구동 모드를 구비하고, 온도 센서에 의해 검출된 온도로부터 저온 보정값을 감산하는 것에 의해 최저 추정 온도를 산출하고, 상기 온도 센서에 의해 검출된 온도에 고온 보정값을 가산하여 최고 추정 온도를 산출하여, 상기 최저 추정 온도와 상기 최고 추정 온도로부터 상기 복수의 구동 모드로부터 하나의 구동 모드를 선택하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법으로서,

전원 투입 후의 상기 저온 보정값과 상기 고온 보정값은 상기 전원 투입으로부터의 경과 시간에 근거하여 결정되는 것

을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.

제 3 항에 있어서,

상기 최저 추정 온도가 소정의 저온 임계값 이하인 경우에는 상기 저온 구동 모드에 의한 구동을 행하고,

상기 최고 추정 온도가 소정의 고온 임계값 이상인 경우에는 상기 고온 구동 모드에 의한 구동을 행하며,

상기 최저 추정 온도가 소정의 저온 임계값보다 크고, 상기 최고 추정 온도가 소정의 고온 임계값보다 작은 경우에는 상기 상온 구동 모드에 의한 구동을 행하는 것

을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.

삭제

1 필드를, 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 기간과, 상기 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 기입 기간과, 상기 기입 방전을 발생시킨 방전 셀에서 유지 방전을 발생시키는 유지 기간을 갖는 복수의 서브필드로 구성하고, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전 셀을 복수 구비한 플라즈마 디스플레이 패널을 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치로서,

상기 주사 전극에 전압을 인가하여 구동하는 주사 전극 구동 회로와,

상기 유지 전극에 전압을 인가하여 구동하는 유지 전극 구동 회로와,

상기 초기화 기간, 상기 기입 기간 및 상기 유지 기간에서의 동작 중 적어도 하나의 동작이 상이한 복수의 구동 모드로서, 상기 플라즈마 디스플레이 패널이 저온일 때에 이용하는 저온 구동 모드와, 상기 플라즈마 디스플레이 패널이 고온일 때에 이용하는 고온 구동 모드와, 상기 저온일 때와 상기 고온일 때 이외일 때에 이용하는 상온 구동 모드를 구비하고, 선택된 어느 하나의 구동 모드에 따른 타이밍 신호를 상기 주사 전극 구동 회로와 상기 유지 전극 구동 회로에 공급하여 제어하는 타이밍 발생 회로와,

상기 플라즈마 디스플레이 패널의 주변 온도를 측정하는 온도 센서와,

상기 온도 센서가 검출한 온도에 고온 보정값을 가산하여 상기 플라즈마 디스플레이 패널이 취할 수 있는 최고 추정 온도와, 상기 온도 센서가 검출한 온도로부터 저온 보정값을 감산하여 상기 플라즈마 디스플레이 패널이 취할 수 있는 최저 추정 온도를 산출하는 온도 추정 회로와,

전원 절단시에 선택하고 있었던 구동 모드를 기억하는 기억부와,

전원이 투입된 시점으로부터의 경과 시간을 계측하는 타이머

를 구비하되,

상기 온도 추정 회로는 상기 기억부로부터의 신호와 상기 타이머로부터의 신호에 의해 상기 고온 보정값과 상기 저온 보정값을 구하고, 상기 타이밍 발생 회로는 상기 온도 추정 회로부터 출력되는 상기 최고 추정 온도와 상기 최저 추정 온도에 근거하여 구동 모드를 결정하는 것

을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.

제 6 항에 있어서,

상기 타이밍 발생 회로는,

상기 최저 추정 온도가 소정의 저온 임계값 이하인 경우에는 상기 저온 구동 모드에 의한 구동을 행하고,

상기 최고 추정 온도가 소정의 고온 임계값 이상인 경우에는 상기 고온 구동 모드에 의한 구동을 행하며,

상기 최저 추정 온도가 소정의 저온 임계값보다 크고, 상기 최고 추정 온도가 소정의 고온 임계값보다 작은 경우에는 상기 상온 구동 모드에 의한 구동을 행하는 것

을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.

1 필드를, 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 기간과, 상기 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 기입 기간과, 상기 기입 방전을 발생시킨 방전 셀에서 유지 방전을 발생시키는 유지 기간을 갖는 복수의 서브필드로 구성하고, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전 셀을 복수 구비한 플라즈마 디스플레이 패널을 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치로서,

상기 주사 전극에 전압을 인가하여 구동하는 주사 전극 구동 회로와,

상기 유지 전극에 전압을 인가하여 구동하는 유지 전극 구동 회로와,

상기 초기화 기간, 상기 기입 기간 및 상기 유지 기간에서의 동작 중 적어도 하나의 동작이 상이한 복수의 구동 모드로서, 상기 플라즈마 디스플레이 패널이 저온일 때에 이용하는 저온 구동 모드와, 상기 플라즈마 디스플레이 패널이 고온일 때에 이용하는 고온 구동 모드와, 상기 저온일 때와 고온일 때 이외일 때에 이용하는 상온 구동 모드를 구비하고, 선택된 어느 하나의 구동 모드에 따른 타이밍 신호를 상기 주사 전극 구동 회로와 상기 유지 전극 구동 회로에 공급하여 제어하는 타이밍 발생 회로와,

상기 플라즈마 디스플레이 패널의 주변 온도를 측정하는 온도 센서와,

상기 온도 센서가 검출한 온도에 고온 보정값을 가산하여 상기 플라즈마 디스플레이 패널이 취할 수 있는 최고 추정 온도와, 상기 온도 센서가 검출한 온도로부터 저온 보정값을 감산하여 상기 플라즈마 디스플레이 패널이 취할 수 있는 최저 추정 온도를 산출하는 온도 추정 회로와,

전원이 투입된 시점으로부터의 경과 시간을 계측하는 타이머

를 구비하되,

상기 온도 추정 회로는 상기 타이머로부터의 경과 시간의 신호에 의해 상기 고온 보정값과 상기 저온 보정값을 구하고, 상기 타이밍 발생 회로는 상기 온도 추정 회로로부터 출력되는 상기 최고 추정 온도와 상기 최저 추정 온도에 근거하여 구동 모드를 결정하는 것

을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.

제 8 항에 있어서,

상기 타이밍 발생 회로는,

상기 최저 추정 온도가 소정의 저온 임계값 이하인 경우에는 상기 저온 구동 모드에 의한 구동을 행하고,

상기 최고 추정 온도가 소정의 고온 임계값 이상인 경우에는 상기 고온 구동 모드에 의한 구동을 행하며,

상기 최저 추정 온도가 소정의 저온 임계값보다 크고, 상기 최고 추정 온도가 소정의 고온 임계값보다 작은 경우에는 상기 상온 구동 모드에 의한 구동을 행하는 것

을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.

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