KR100898032B1 - 반도체 소자 비전 검사 방법 및 이를 위한 반도체 소자비전 검사 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 반도체 소자 비전 검사 방법은 반도체 칩이 전기적으로 연결된 인쇄 회로 기판으로 이루어진 반도체 소자를 검사하는 방법으로서 a) 가시 광선 조명하에서 상기 반도체 소자에 대하여 가시광선하 대상 이미지를 획득하는 단계; b) 적외선 조명하에서 상기 반도체 소자에 대하여 적외선하 대상 이미지를 획득하는 단계; c) 상기 반도체 소자에 대응하는 가시 광선하 기준 이미지와 상기 가시광선하 대상 이미지를 비교하는 단계; 및 d) 상기 반도체 소자에 대응하는 적외선하 기준 이미지와 상기 적외선하 대상 이미지를 비교하는 단계; 를 포함한다.

본 발명에 의한 비전 검사 방법에 의하면, 반도체 소자에서 보호층에 대하여 내층의 회로 패턴에 대한 이미지를 획득할 수 있어, 반도체 소자 내부에 그릇된 인쇄 회로 기판이 혼입되어 있는지를 정확하게 판단할 수 있다.

반도체 소자, 비전

Description

반도체 소자 비전 검사 방법 및 이를 위한 반도체 소자 비전 검사 장치{Method for inspecting semiconductor device using vision, and vision inspection system for semiconductor device}

도 1은 종래의 반도체 소자 비전 검사 방법을 보여주는 순서도이다.

도 2는 본 발명에 의한 반도체 소자 비전 검사 방법을 보여 주는 순서도이다.

도 3은 본 발명의 반도체 소자 비전 검사 방법에 이용되는 반도체 소자에 대한 가시광선하 기준 이미지이다.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 반도체 소자 비전 검사 방법에서 가시광선 조명하에서 불량으로 판정되는 반도체 소자에 대한 대상 이미지이다.

도 5는 본 발명의 반도체 소자 비전 검사 방법에 이용되는 반도체 소자에 대한 적외선하 기준 이미지이다.

도 6은 본 발명의 반도체 소자 비전 검사 방법에서 적외선 조명하에서 불량으로 판정되는 반도체 소자에 대한 대상 이미지이다.

본 발명은 반도체 소자 비전 검사 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 비전 검사 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 가시광선 조명과 적외선 조명을 사용하여 반도체 소자를 정밀하게 검사할 수 있는 반도체 소자 비전 검사 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 비전 검사 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 소자 제조 공정은 반도체 칩을 웨이퍼등으로부터 형성하는 공정과, 형성된 반도체 칩을 인쇄 회로 기판(printed circuit board)과 같은 운반체에 와이어 본딩하여 전기적으로 연결하여 반도체 소자를 형성하는 공정, 및 상기 형성된 반도체 소자를 몰딩하는 공정등으로 이루어진다.

이러한 반도체 소자는 다른 일반적인 전자 부품들에 비해 고도의 정밀성이 요구되는 바, 반도체 소자는 내부에 연결되는 반도체 칩의 결함뿐만 아니라 정확한 인쇄 회로 기판이 사용되었는지 등의 결함에 의해서도 성능이나 품질에 치명적인 영향을 받을 수 있다.

따라서, 반도체 소자는 반도체 칩에 대한 각종 성능 검사들 이외 에도, 비전(Vision) 카메라 등을 이용한 비전 검사 장치를 통해 반도체 칩과 인쇄 회로 기판과의 연결 상태를 시각적으로 검사하는 것이 필요하게 된다.

특히, 이러한 비전 검사는 반도체 소자를 몰딩하기 전에, 반도체 칩이 상기 인쇄 회로 기판에 올바르게 장착되어 있는지를 확인하는 경우 더욱 중요하게 된다.

이러한 경우 일반적인 비전 검사 방법은 반도체 칩이 인쇄 회로 기판에 옳바르게 장착되어 이루어진 반도체 소자에 대한 이미지를 기준 이미지로 취득한 후, 상기 기준 이미지를 검사 대상 반도체 칩를 촬상 장치로 촬상하여 획득한 대상 이 미지와 비교하여, 대상 이미지가 기준 이미지와 형상이 다른 경우 검사 대상 반도체 소자를 불량으로 판정하는 방법으로 이루어진다.

구체적으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 먼저 검사 대상 반도체 소자에 대한 기준 이미지를 로딩한다(s10). 이러한 기준 이미지는 검사하고자 하는 반도체 소자에 장착되는 반도체 칩의 종류와 반도체 칩이 장착되는 인쇄 회로 기판의 종류에 따라 선택되어 로딩된다.

그리고, 검사 대상 반도체 소자를 비전 검사 장치의 검사 영역에 로딩한다(s20).

그 후, 발광 장치(LED)를 이용하여 가시 광선으로 검사 영역에 로딩된 검사 대상 반도체 소자에 조명을 인가한다(s30).

이렇게 적절한 조명이 주어지면, 검사 영역에 장착되어 있는 촬상 장치로 검사 대상 반도체 소자를 촬상하여 대상 이미지를 획득한다(s40).

그 후, 촬상된 대상 이미지를 앞서 기준 이미지와 비교하여, 검사 대상 반도체 소자의 외관을 검사한다(s50). 이러한 외관 검사는 인쇄 회로 기판에 구비된 홀(hole)과 표면의 회로 패턴(pattern) 등을 검사하는 것으로 이루어진다. 그리고, 판단된 검사 결과를 작업자 또는 네트워크 상으로 전송한다(s60).

그러나 이러한 종래의 비전 검사 방법은 인쇄 회로 기판의 외관과 표면 상태만을 검사할 수 있는 것이어서, 상기 회로 패턴 상부에 보호층으로서 PSR(photo solder resistor) 등이 도포된 경우에는 그 회로 패턴을 확인하지 못해 목적하는 검사를 수행하지 못하는 문제가 있었다.

또한, 종래의 비전 검사 방법은 검사 대상 반도체 칩 내의 볼 접촉 영역(ball attach area)의 금 패턴 영역과 인쇄 회로 기판의 홀 모양이 동일한 경우, 이를 구별하지 못해, 반도체 소자의 양품과 불량품을 정확히 검사하지 못하는 경우가 발생할 수 있었다.

상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 반도체 소자의 보호층뿐만 아니라, 그 하층의 회로 패턴까지 촬상하여 반도체 소자를 비전 검사할 수 있는 비전 검사 방법을 제공하고자 한다.

본 발명의 한 특징에 따른 반도체 소자 비전 검사 방법은 반도체 칩이 전기적으로 연결된 인쇄 회로 기판으로 이루어진 반도체 소자를 검사하는 방법으로서 a) 가시 광선 조명하에서 상기 반도체 소자에 대하여 가시광선하 대상 이미지를 획득하는 단계; b) 적외선 조명하에서 상기 반도체 소자에 대하여 적외선하 대상 이미지를 획득하는 단계; c) 상기 반도체 소자에 대응하는 가시 광선하 기준 이미지와 상기 가시광선하 대상 이미지를 비교하는 단계; 및 d) 상기 반도체 소자에 대응하는 적외선하 기준 이미지와 상기 적외선하 대상 이미지를 비교하는 단계; 를 포함한다.

상기 가시광선하 기준 이미지와 상기 적외선하 기준 이미지는 상기 반도체 소자 내부의 상기 반도체 칩의 종류와 상기 인쇄 회로 기판의 종류에 따라 구별된다.

상기 반도체 소자 비전 검사 방법은 상기 가시광선하 대상 이미지가 상기 가시광선하 기준 이미지에 대하여 양품 판정된 경우에만 상기 적외선하 대상 이미지를 획득한다.

상기 반도체 소자 비전 검사 방법에서, 상기 c) 단계는 상기 인쇄 회로 기판의 외곽에 구비된 홀, 상기 인쇄 회로 기판의 주위에 구비된 볼 패턴, 상기 볼 패턴 내부에 구비된 회로 패턴, 및 마킹 영역으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 요소를 비교하는 것을 포함한다.

상기 반도체 소자 비전 검사 방법에서, 상기 d) 단계는 상기 인쇄 회로 기판 상에 구비된 보호층 하부에 형성된 회로 패턴을 비교하는 것을 포함한다.

본 발명의 또 다른 특징에 따른 비전 검사 장치는 반도체 칩이 전기적으로 연결된 인쇄 회로 기판으로 이루어진 반도체 소자를 검사하는 비전 검사 장치로서, 검사 대상 반도체 소자가 위치하는 검사 영역; 상기 검사 영역에 가시 광선 조명을 인가하는 가시 광선 조명 장치; 상기 검사 영역에 적외선 조명을 인가하는 적외선 조명 장치; 및 상기 검사 영역내 상기 반도체 소자를 촬상하여 대상 이미지를 획득하는 촬상 장치; 를 포함한다.

상기 반도체 소자 비전 검사 장치는 상기 대상 이미지를 기 준비되어 있는 기준 이미지와 비교하여 상기 검사 대상 반도체 소자의 양부를 판단하는 검사 모듈;을 더 포함할 수 있다.

상기 대상 이미지는 가시광선하에서 획득된 가시광선하 대상 이미지; 및 적외선하에서 획득된 적외선하 대상 이미지;를 포함할 수 있다.

상기 기준 이미지는 가시광선하에서 획득된 가시광선하 기준 이미지; 및 적외선하에서 획득된 적외선하 기준 이미지;를 포함할 수 있다.

상기와 같은 기술적 과제의 달성을 위해, 본 발명은 가시광선 조명을 사용하여 반도체 소자의 표면을 검사한 후, 적외선 조명을 사용하여 반도체 소자의 보호층의 하층에 형성된 회로 패턴을 검사함으로써 반도체 소자에 대하여 이미지를 각각 획득하여 반도체 소자를 보다 정확하게 검사할 수 있다.

이하, 본 발명을 바람직한 실시예와 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되는 것은 아니다.

도 2을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자의 비전 검사 방법을 구체적으로 살펴본다.

먼저, 검사하고자 하는 반도체 소자에 대응하는 기준 이미지를 검색한 후, 검색된 기준 이미지를 로딩한다(s100). 이러한 기준 이미지는 검사하고자 하는 반도체 소자에 장착되는 반도체 칩의 종류와 반도체 칩이 장착되는 인쇄 회로 기판의 종류에 따라 상이할 수 있으며, 바람직하게는 비전 검사 장치의 내부 또는 비전 검사 장치와 네트워크로 연결되어 있는 데이터베이스에 기 저장되어 있는 것을 사용한다. 이러한 기준 이미지는 가시 광선 조명하에서 촬상되어 취득된 가시 광선하 기준 이미지와, 적외선 조명 하에서 촬상되어 취득된 적외선하 기준 이미지를 모두 포함한다.

한편, 이러한 기준 이미지로서 목적하는 반도체 칩이 적합한 인쇄 회로 기판에 적합한 방향 또는 위치로 전기적으로 연결되어 있는 반도체 소자를 선택하여, 촬상 장치로 촬상하여 수득한 이미지를 이용할 수 있다.

그리고, 검사 대상 반도체 소자를 본 발명의 비전 검사 장치의 검사 영역에 로딩한다(s110). 본 발명의 비전 검사 장치는 상기 반도체 소자에서 상기 인쇄 회로 기판의 회로 패턴과 상기 반도체 칩의 외관에 대하여 이미지를 촬상하여 기준 이미지와 비교할 수 있는 것으로서, 상기 검사 대상 반도체 소자가 놓여지는 검사 영역 내에 가시 광선 조명과 더불어 적외선 조명을 가할 수 있는 것이면 특별히 제한됨 없이 사용될 수 있다.

그 후, 가시 광선 조명 장치로서 발광 다이오드(LED; light emission diode)를 이용하여 가시 광선으로 검사 영역에 로딩된 검사 대상 반도체 소자에 조명을 인가한다(s120). 이러한 가시 광선 조명의 밝기는 앞서 기준 이미지를 취득할 때 사용한 밝기와 동일한 밝기가 바람직하게 사용된다.

이렇게 가시 광선 조명이 인가되면, 검사 영역에 장착되어 있는 비전 검사 장치의 촬상 장치로 검사 대상 반도체 소자를 촬상하여 대상 이미지를 획득한다(s130).

그 후, 촬상된 대상 이미지를 앞서 가시 광선하 기준 이미지와 비교하여, 검사 대상 반도체 소자의 외관을 검사한다(s140). 이러한 외관 검사는 도 3에 도시된 바와 같이, 가시광선 조명 하 기준 이미지의 인쇄 회로 기판의 외곽에 구비된 홀(hole)(110), 인쇄 회로 기판의 주위에 구비된 볼 패턴(120), 상기 볼 패턴 내부에 구비된 회로 패턴(pattern)(130), 및 마킹 영역(140) 등을 상기 대상 이미지와 비교하여 그 정상 여부를 판단하는 방법으로 이루어진다(s150).

여기서, 볼 패턴은 인쇄 회로 기판의 볼 접촉 영역 내 구비되는 것으로서, 인쇄 회로 기판 내에 볼을 접착 시키기 위한 영역을 구비된다. 그리고, 회로 패턴은 인쇄 회로 기판 내에서 반도체 칩의 접착 영역과 볼 접촉 영역 사이에 구비되는 것으로서, 반도체 칩과 전기적으로 연결되는 회로 배선에 대한 패턴을 가리킨다. 보통 이러한 회로 패턴은 그 보호를 위해 보호층으로 코팅되며, 그 보호층으로는 바람직하게는 PSR(photo solder resistor)이 도포되어 사용된다.

구체적으로, 도 4a에 도시된 바와 같이, 반도체 소자의 인쇄 회로 기판이 반대 방향으로 검사 영역 내에 도입된 경우, 촬상된 대상 이미지는 도 3에 도시된 기준 이미지에 대하여 홀(hole)(110)의 위치와, 회로 패턴(pattern)(130)에서 상이한 모습을 나타내며, 비전 검사 장치는 대상 이미지를 가지는 반도체 소자를 불량품으로 판정한다(s220).

다음으로, 도 4b에 도시된 바와 같이, 반도체 소자의 인쇄 회로 기판이 뒤집혀 검사 영역 내에 도입된 경우, 촬상된 대상 이미지는 도 3에 도시된 기준 이미지에 대하여 홀(hole)(110)의 위치, 볼 패턴(120)와 회로 패턴(pattern)(130)에서 상이한 모습을 나타낼 뿐만 아니라, 기준 이미지에 없는 마킹 영역(140)의 존재로 인해 상기 기준 이미지와 구별되어, 비전 검사 장치는 대상 이미지를 가지는 반도체 소자를 불량품으로 판정한다(s220).

다음으로, 도 4c에 도시된 바와 같이, 반도체 소자의 인쇄 회로 기판이 반대방향일 뿐만 아니라, 뒤집혀 검사 영역 내에 도입된 경우, 촬상된 대상 이미지는 도 3에 도시된 기준 이미지에 대하여 볼 패턴(120)와 회로 패턴(pattern)(130)에서 상이한 모습을 나타낼 뿐만 아니라, 기준 이미지에 없는 마킹(140)의 존재로 인해 상기 기준 이미지와 구별되어, 비전 검사 장치는 대상 이미지를 가지는 반도체 소자를 불량품으로 판정한다(s220).

한편, 이와 같은 반도체 소자 외관 검사에서 검사 대상 반도체 소자가 정상으로 판단되면, 비전 검사 장치는 가시 광선 조명의 발광을 중단하고, 적외선 조명 장치를 이용하여 적외선으로 검사 영역에 로딩된 검사 대상 반도체 소자에 조명을 인가한다(s160). 이러한 적외선 조명의 밝기는 앞서 기준 이미지를 취득할 때 사용한 밝기와 동일한 밝기가 바람직하게 사용된다.

이러한 적외선 조명 장치로는 적외선을 인가할 수 있는 것이면 특별한 제한 없이 사용된다.

이렇게 적외선 조명이 인가되면, 검사 영역에 장착되어 있는 비전 검사 장치의 촬상 장치로 검사 대상 반도체 소자를 촬상하여 대상 이미지를 획득한다(s170).

이러한 적외선 조명하 촬상은, 검사 대상 반도체 소자의 보호층 하부에 형성되어 있는 인쇄 회로 기판의 회로 패턴를 촬상할 수 있게 하며, 그에 따라, 촬상된 대상 이미지를 적외선하 기준 이미지와 비교하여, 검사 대상 반도체 소자의 인쇄 회로 기판의 회로 패턴을 비교 검사한다(s180).

이러한 회로 패턴 검사는 도 5에 도시된 바와 같이, 적외선 조명 하 기준 이 미지의 인쇄 회로 기판의 회로 패턴(pattern)(130)을 상기 대상 이미지와 비교하여 그 정상 여부를 판단하는 방법으로 이루어진다(s190).

일반적으로 반도체 칩과의 연결 부위에 대한 회로 패턴은 보호층(PSR)으로 코팅되어 가시 광선 하에서는 촬상 장치에 의하여 촬상될 수 없어, 종래의 비전 검사 방법에 의해서는 도 3에 도시된 기준 이미지와 용이하게 구별될 수 없다. 즉, 회로 패턴(130)은 가시 광선 조명하에서는 도 3, 및 도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이, 명확하게 드러나지 않으나, 적외선 조명하에서는 도 5 및 6에 도시된 바와 같이 보다 명확하게 드러나게 된다.

그러나, 본 발명의 비전 검사 방법에 의하면, 적외선 조명으로 인하여 보호층(PSR)의 하층에 형성된 반도체 칩과의 연결 부위에 대한 회로 패턴을 촬상할 수 있어, 도 6과 같은 대상 이미지를 획득할 수 있으므로, 도 5와 같은 기준 이미지와 비교하여 불량품 반도체 소자를 용이하게 식별할 수 있게 된다. 즉, 도 6으로 도시되는 대상 이미지의 회로 패턴(130)이 도 5로 도시되는 기준 이미지의 회로 패턴과 상이함이 적외선 조명하에서는 명확하게 되며, 그 결과 비전 검사 장치는 대상 이미지를 가지는 반도체 소자가 양품인지 불량품인지를 판정할 수 있게 된다(s220).

이와 같이, 가시광선 조명하, 그리고 적외선 조명하에서 반도체 소자의 외관을 비전 검사 장치로 검사한 후, 비전 검사 장치는 그 검사 결과를 작업자 또는 네트워크 상으로 전송한다(s210).

이상 본 발명의 반도체 소자에 대한 비전 검사 방법을 설명하였으나, 본 발 명은 이러한 비전 검사 방법이 실행될 수 있는 비전 검사 장치를 포함한다.

이러한 본 발명에 의한 비전 검사 장치는 검사 대상 반도체 소자가 위치할 수 있는 검사 영역; 상기 검사 영역에 가시 광선 조명을 인가할 수 있는 가시 광선 조명 장치; 상기 검사 영역에 적외선 조명을 인가할 수 있는 적외선 조명 장치; 상기 검사 영역내 상기 반도체 소자를 촬상하여 대상 이미지를 획득할 수 있는 촬상 장치; 및 상기 대상 이미지를 상기 검사 대상 반도체 소자에 대하여 기 준비되어 있는 기준 이미지와 비교하여 양부를 판단하는 검사 모듈; 을 포함하여 이루어진다.

이 경우, 검사 대상 반도체 소자에 대응하는 기준 이미지로는 비전 검사 장치의 내부 또는 비전 검사 장치와 네트워크로 연결되는 데이터 베이스에 저장된 것을 이용할 수 있다.

본 발명의 명세서에서는 비전 검사 장치 및 비전 검사 방법이 몰딩 장치에 의해 몰딩되기 전에 반도체 소자를 검사하는 경우를 중심으로 설명하였으나, 본 발명은 이로써 한정되는 것은 아니며, 반도체 소자에 대하여 이미지를 획득하고, 획득된 이미지에 대하여 검사를 수행할 필요가 있는 반도체 장비이면, 어느 장비에도 적용될 수 있다.

앞에서 구체적으로 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 비전 검사 방법에 의하면, 반도체 소자에서 보호층(PSR)에 대하여 내층의 회로 패턴에 대한 이미지를 획득할 수 있어, 반도체 소자 내부에 그릇된 인쇄 회로 기판이 혼입되어 있는지를 정확하게 판단할 수 있다.

또한, 본 발명에 의한 비전 검사 방법에 의하면, 반도체 소자를 가시 광선하에서 이미지를 획득하여 검사한 후에, 적외선 조명하에서 다시 이미지를 획득하여 검사하는 등, 반도체 소자에 대하여 2회에 걸쳐 검사를 수행함으로써 비전 검사 장치에 의한 비전 검사 방법의 정확도를 현저하게 향상시킬 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 첨부된 특허 청구 범위에 속하는 것은 당연하다.

Claims (9)

1. 반도체 칩이 전기적으로 연결된 인쇄 회로 기판으로 이루어진 반도체 소자를 검사하는 비전 검사 방법에 있어서,

   a) 가시 광선 조명하에서 상기 반도체 소자에 대하여 가시광선하 대상 이미지를 획득하는 단계;

   b) 적외선 조명하에서 상기 반도체 소자에 대하여 적외선하 대상 이미지를 획득하는 단계;

   c) 상기 반도체 소자에 대응하는 가시 광선하 기준 이미지와 상기 가시광선하 대상 이미지를 비교하는 단계; 및

   d) 상기 반도체 소자에 대응하는 적외선하 기준 이미지와 상기 적외선하 대상 이미지를 비교하는 단계;

   를 포함하되,

   상기 c) 단계는

   상기 인쇄 회로 기판의 외곽에 구비된 홀, 상기 인쇄 회로 기판의 주위에 구비된 볼 패턴, 상기 볼 패턴 내부에 구비된 회로 패턴, 및 마킹 영역으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 요소를 비교하고,

   상기 d) 단계는

   상기 인쇄 회로 기판 상에 구비된 보호층 하부에 형성된 회로 패턴을 비교하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 비전 검사 방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 가시광선하 기준 이미지와 상기 적외선하 기준 이미지는 상기 반도체 소자 내부의 상기 반도체 칩의 종류와 상기 인쇄 회로 기판의 종류에 따라 구별되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 소자 비전 검사 방법.
3. 제1항에 있어서,

   상기 가시광선하 대상 이미지가 상기 가시광선하 기준 이미지에 대하여 양품 판정된 경우에만 상기 적외선하 대상 이미지를 획득하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 소자 비전 검사 방법.
4. 삭제
5. 삭제
6. 반도체 칩이 전기적으로 연결된 인쇄 회로 기판으로 이루어진 반도체 소자를 검사하는 비전 검사 장치에 있어서,

   검사 대상 반도체 소자가 위치하는 검사 영역;

   상기 검사 영역에 가시 광선 조명을 인가하는 가시 광선 조명 장치;

   상기 검사 영역에 적외선 조명을 인가하는 적외선 조명 장치;

   상기 검사 영역내 상기 반도체 소자를 촬상하여 대상 이미지를 획득하는 촬상 장치; 및

   상기 대상 이미지를 기 준비되어 있는 기준 이미지와 비교하여 상기 검사 대상 반도체 소자의 양부를 판단하는 검사 모듈;

   을 포함하되,

   상기 검사 모듈은

   가시광선하에서 획득된 가시광선하 대상 이미지를 가시광선하에서 획득된 가시광선하 기준 이미지와 비교할 때, 상기 인쇄 회로 기판의 외곽에 구비된 홀, 상기 인쇄 회로 기판의 주위에 구비된 볼 패턴, 상기 볼 패턴 내부에 구비된 회로 패턴, 및 마킹 영역으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 요소를 비교하고,

   적외선하에서 획득된 적외선하 대상 이미지를 적외선하에서 획득된 적외선하 기준 이미지와 비교할 때, 상기 인쇄 회로 기판 상에 구비된 보호층 하부에 형성된 회로 패턴을 비교하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 비전 검사 장치.
7. 삭제
8. 삭제
9. 삭제

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