KR100894370B1 - Display device - Google Patents

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겐따 가모시다
이꾸꼬 모리
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가부시키가이샤 히타치 디스프레이즈
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Abstract

고주파수에 대응한 액정 표시 장치를 실현한다. 복수의 드레인 전극선과 복수의 게이트 전극선이 매트릭스 형상으로 배치되고, 드레인 전극선의 인접하는 2개와 게이트 전극선의 인접하는 2개로 둘러싸여 형성되는 화소 영역을 갖고, 각 화소 영역은 TFT소자를 갖고, 화소 영역의 집합으로서 표시 영역이 설정된 표시 장치이며, 해당 드레인 전극선의 연장 방향에서 상기 게이트 전극선을 가로지를 때마다 해당 드레인 전극선에 대한 TFT소자의 배치 방향이 반전되고, 또한 상기 표시 영역의 외측에 상기 게이트 전극선을 2개 가로지를 때마다 TFT소자가 배치된 영역을 갖는다. A liquid crystal display device corresponding to high frequency is realized. A plurality of drain electrode lines and a plurality of gate electrode lines are arranged in a matrix shape, and have a pixel region formed by being surrounded by two adjacent two drain electrode lines and two adjacent ones of the gate electrode lines, each pixel region having a TFT element, A display device in which a display area is set as a set, wherein the direction in which the TFT elements are disposed with respect to the drain electrode line is reversed every time the gate electrode line is crossed in the extending direction of the drain electrode line, and the gate electrode line is placed outside the display area. Every two crossings has an area in which TFT elements are arranged.

액정 표시 장치, 드레인 전극선, 게이트 전극선, 화소 영역, TFT소자, 화소 전극, 더미 화소, 유효 표시 영역 Liquid crystal display device, drain electrode line, gate electrode line, pixel area, TFT element, pixel electrode, dummy pixel, effective display area

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

도 1은 본 발명이 적용되는 표시 장치가 갖는 표시 패널의 개략구성의 일례를 나타내는 모식도로서, 액정 표시 패널의 구성예를 나타내는 정면도. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The front view which shows the structural example of a liquid crystal display panel as a schematic diagram which shows an example of schematic structure of the display panel which the display apparatus to which this invention is applied has.

도 2는 도 1의 A-A'선 단면도. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 1.

도 3은 본 발명에 따른 일 실시예의 TFT기판의 회로구성을 나타내는 모식도. 3 is a schematic diagram showing a circuit configuration of a TFT substrate of one embodiment according to the present invention;

도 4는 본 실시예의 표시 패널의 드레인 전극선(DL1)에 인가되는 신호의 타임 차트의 일례를 도시하는 도면. 4 is a diagram showing an example of a time chart of a signal applied to the drain electrode line DL 1 of the display panel of this embodiment.

도 5는 본 실시예의 표시 패널의 드레인 전극선(DL3m+1)에 인가되는 신호의 타임 차트의 일례를 도시하는 도면. FIG. 5 is a diagram showing an example of a time chart of signals applied to the drain electrode line DL 3m + 1 of the display panel of this embodiment.

도 6은 본 실시예의 표시 패널의 드레인 전극선(DL1)에 인가되는 신호의 타임 차트의 다른 예를 도시하는 도면이다. FIG. 6 is a diagram illustrating another example of a time chart of a signal applied to the drain electrode line DL 1 of the display panel of this embodiment.

도 7은 본 실시예의 표시 패널의 드레인 전극선(DL3m+1)에 인가되는 신호의 타임 차트의 다른 예를 도시하는 도면. FIG. 7 is a diagram showing another example of a time chart of a signal applied to the drain electrode line DL 3m + 1 of the display panel of this embodiment.

도 8은 본 실시예의 회로구성을 적용한 TFT기판의 구성예를 나타내는 모식도로서, 유효 표시 영역의 단부의 확대 평면도. Fig. 8 is a schematic diagram showing a configuration example of a TFT substrate to which the circuit configuration of this embodiment is applied, and an enlarged plan view of the end of the effective display area.

도 9는 도 8의 B-B'선 단면도. FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 8. FIG.

도 10은 상기 실시예의 제1 변형예를 설명하기 위한 모식도로서, TFT기판의 회로구성을 나타내는 도면. Fig. 10 is a schematic diagram for explaining a first modification of the embodiment, showing a circuit configuration of a TFT substrate.

도 11은 상기 실시예의 제2 변형예를 설명하기 위한 모식도로서, TFT기판의 회로구성을 나타내는 도면. Fig. 11 is a schematic diagram for explaining a second modification of the embodiment, showing a circuit configuration of a TFT substrate.

도 12는 도 11의 회로구성을 적용한 TFT기판의 구성예를 나타내는 확대 평면도. FIG. 12 is an enlarged plan view showing a configuration example of a TFT substrate to which the circuit configuration of FIG. 11 is applied;

도 13은 도 12의 C-C'선 단면도. FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ in FIG. 12. FIG.

도 14는 상기 실시예의 제3 변형예를 설명하기 위한 모식도로서, TFT기판의 회로구성을 나타내는 도면. Fig. 14 is a schematic diagram for explaining a third modification of the embodiment, showing a circuit configuration of a TFT substrate.

도 15는 상기 실시예의 제3 변형예를 설명하기 위한 모식도로서, TFT기판의 회로구성의 다른 예를 도시하는 도면. Fig. 15 is a schematic diagram for explaining a third modification of the above embodiment, showing another example of the circuit configuration of the TFT substrate.

도 16은 상기 실시예의 제3 변형예를 설명하기 위한 모식도로서, TFT기판의 회로구성의 다른 예를 도시하는 도면. Fig. 16 is a schematic diagram for explaining a third modification of the above embodiment, showing another example of the circuit configuration of the TFT substrate.

도 17은 도 15의 회로구성을 적용한 TFT기판의 구성예를 나타내는 확대 평면도. FIG. 17 is an enlarged plan view showing a configuration example of a TFT substrate to which the circuit configuration of FIG. 15 is applied;

도 18은 도 17의 D-D'선 단면도. 18 is a cross-sectional view taken along the line D-D 'of FIG. 17;

도 19는 상기 실시예의 제4의 변형예를 설명하기 위한 모식도로서, TFT기판의 회로구성을 나타내는 도면. Fig. 19 is a schematic diagram for explaining a fourth modification of the embodiment, showing a circuit configuration of a TFT substrate.

도 20은 상기 실시예의 제4의 변형예를 설명하기 위한 모식도로서, TFT기판의 회로구성의 다른 예를 도시하는 도면. Fig. 20 is a schematic diagram for explaining a fourth modification of the embodiment, showing another example of the circuit configuration of the TFT substrate.

도 21은 상기 실시예의 제4의 변형예를 설명하기 위한 모식도로서, TFT기판의 회로구성의 다른 예를 나타내는 도면. Fig. 21 is a schematic diagram for explaining a fourth modification of the embodiment, showing another example of the circuit configuration of the TFT substrate.

도 22는 도 20의 회로구성을 적용한 TFT기판의 구성예를 나타내는 확대 평면도. Fig. 22 is an enlarged plan view showing a configuration example of a TFT substrate to which the circuit configuration of Fig. 20 is applied.

도 23은 도 22의 E-E'선 단면도. FIG. 23 is a cross-sectional view taken along the line E-E 'of FIG. 22;

도 24는 도 20의 회로구성을 적용한 TFT기판의 다른 구성예를 나타내는 확대 평면도. 24 is an enlarged plan view showing another configuration example of a TFT substrate to which the circuit configuration of FIG. 20 is applied.

도 25는 도 24의 F-F'선 단면도. 25 is a cross-sectional view taken along the line FF ′ in FIG. 24.

도 26은 상기 실시예의 제5의 변형예를 설명하기 위한 모식도로서, TFT기판의 회로구성을 나타내는 도면. Fig. 26 is a schematic diagram for explaining a fifth modification of the embodiment, which shows a circuit configuration of a TFT substrate.

도 27은 상기 실시예의 제5의 변형예를 설명하기 위한 모식도로서, TFT기판의 회로구성의 다른 예를 도시하는 도면. Fig. 27 is a schematic diagram for explaining a fifth modification of the embodiment, showing another example of the circuit configuration of the TFT substrate.

도 28은 상기 실시예의 제5의 변형예를 설명하기 위한 모식도로서, TFT기판의 회로구성의 다른 예를 도시하는 도면. Fig. 28 is a schematic diagram for explaining a fifth modification of the embodiment, showing another example of the circuit configuration of the TFT substrate.

도 29는 도 27의 회로구성을 적용한 TFT기판의 구성예를 나타내는 확대 평면도. 29 is an enlarged plan view showing a configuration example of a TFT substrate to which the circuit configuration of FIG. 27 is applied;

도 30은 도 29의 G-G'선 단면도. 30 is a cross-sectional view taken along the line G-G 'of FIG. 29;

도 31은 종래의 TFT기판의 회로구성을 나타내는 도면. Fig. 31 shows the circuit configuration of a conventional TFT substrate.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1:기판1: substrate

101:유리 기판101: glass substrate

102:제1 층간 절연막102: first interlayer insulating film

103:반도체층103: semiconductor layer

104:제2 층간 절연막104: a second interlayer insulating film

2:CF 기판2: CF substrate

3:밀봉재3: sealing material

4:액정재료4: liquid crystal material

GL:게이트 전극선GL: Gate electrode wire

DL:드레인 전극선DL: drain electrode wire

CL:공통 신호선CL: Common signal line

PX:화소 전극PX: pixel electrode

PXd:더미의 화소 전극PXd: dummy pixel electrode

CT:커먼 전극CT: common electrode

SL:소스 전극SL: source electrode

BR:브릿지 배선BR: Bridge wiring

DP1:제1 더미 화소DP1: First dummy pixel

DP2:제2 더미 화소DP2: second dummy pixel

DP3:제3 더미 화소 DP3: Third dummy pixel

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 평10-90712호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-90712

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 특히 TFT소자가 화소 단위로 배치된 표시 패널을 갖는 표시 장치에 적용해서 유효한 기술에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device, and more particularly, to a technology effective by applying to a display device having a display panel in which TFT elements are arranged pixel by pixel.

종래, 텔레비전 등의 표시 장치에는 액정 표시 패널을 이용한 액정 표시 장치가 있다. BACKGROUND ART Conventionally, display devices such as televisions have a liquid crystal display device using a liquid crystal display panel.

상기 액정 표시 패널은 한 쌍의 기판 사이에 액정재료를 봉입한 표시 패널이다. 이때, 한쪽 기판에는 예를 들면 TFT소자나 화소 전극이 화소 단위로 배치되어 있다. 또한 다른 쪽 기판에는 예를 들면 상기 화소 전극과 대향하는 위치에 컬러 필터가 배치되어 있다. The liquid crystal display panel is a display panel in which a liquid crystal material is sealed between a pair of substrates. At this time, for example, TFT elements or pixel electrodes are arranged in pixel units on one substrate. Further, on the other substrate, for example, a color filter is disposed at a position facing the pixel electrode.

또한 이때 상기 TFT소자 등이 배치된 기판 상의 회로구성은 예를 들면 도 31에 나타낸 바와 같이 되어 있고, 유효 표시 영역(L)의 도트수가 가로 m도트×세로 n도트의 표시 장치인 경우, 3m+1개의 드레인 전극선(DL)과 n+1개의 게이트 전극선(GL)이 배치되어 있다. 또한 도 31에는 1개의 도트가 R화소, G화소, B화소의 3개의 화소로 이루어지는 경우를 나타내고 있다. 또한 도 31에 있어서 지면 우단의 드레인 전극선(DL3m+1)과 지면 하단의 게이트 전극선(GLn+1)은 더미이다. In this case, the circuit configuration on the substrate on which the TFT elements and the like are arranged is, for example, as shown in FIG. One drain electrode line DL and n + 1 gate electrode line GL are disposed. 31 shows a case where one dot is composed of three pixels of R pixels, G pixels, and B pixels. In FIG. 31, the drain electrode line DL 3m + 1 at the right end of the page and the gate electrode line GL n + 1 at the bottom of the page are dummy.

또한 이 액정 표시 패널에서는 예를 들면 도 31에 도시한 바와 같이 드레인 전극선(DL)의 연장 방향을 따라 나열되어 있는 각 화소의 TFT소자는 모두 동일한 드레인 전극선에 접속되어 있다. 예를 들면 드레인 전극선(DL1)을 따라 나열되어 있는 R화소의 TFT소자는 모두 드레인 전극선(DL1)에 접속되어 있다. In this liquid crystal display panel, for example, as shown in FIG. 31, the TFT elements of each pixel arranged along the extending direction of the drain electrode line DL are all connected to the same drain electrode line. For example, in the TFT element of the pixel R is listed along with the drain electrode line (DL 1) are all connected to the drain electrode line (DL 1).

한편 TFT를 인접하는 드레인 전극선에 교대로 배치한 예가 특허 문헌 1에 기재되어 있다. On the other hand, Patent Document 1 describes an example in which TFTs are alternately arranged on adjacent drain electrode lines.

상기 텔레비전 등의 액정표시 장치에서는 화면의 깜박거림을 억제하거나, 동화상의 표시 성능을 향상시키거나 하기 위한 고 리프레시 레이트화가 진행되고 있다. Background Art [0002] In the liquid crystal display devices such as televisions, high refresh rates have been developed to suppress flickering of screens and to improve display performance of moving images.

그러나 표시 패널 상의 회로구성이 도 31에 도시한 바와 같은 구성인 경우, 고 리프레시 레이트화가 진행됨에 따라 TFT소자의 기입 부족이 발생하여, 화질이 열화한다고 하는 문제가 있었다. However, when the circuit configuration on the display panel is the configuration as shown in Fig. 31, there is a problem that the writing shortage of the TFT elements occurs as the high refresh rate progresses and the image quality deteriorates.

본 발명의 목적은 예를 들면 액정표시 장치의 고주파동작에 의한 화질의 열화를 저감시키는 것이 가능한 기술을 제공하는 것에 있다. An object of the present invention is to provide a technique capable of reducing the deterioration of image quality due to, for example, high frequency operation of a liquid crystal display device.

본 발명의 상기 및 그 밖의 목적과 신규의 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부 도면에 의해 분명하게 될 것이다. The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

본원에 있어서 개시되는 발명의 개략을 설명하면 이하와 같다. The outline of the invention disclosed in the present application is as follows.

(1)TFT 소자 및 화소 전극이 화소 단위로 배치된 표시 패널을 갖는 표시 장치로서, 상기 표시 패널은 유효 표시 영역의 단부 중, 게이트 전극선의 연장 방향 의 한쪽 단부의 외측에 드레인 전극선의 연장 방향의 한쪽 단부부터 세서 짝수 개째의 게이트 전극선에 접속된 TFT소자를 갖는 제1 더미 화소가 배치되고, 유효 표시 영역의 단부 중, 상기 게이트 전극선의 연장 방향의 다른 쪽 단부의 외측에 드레인 전극선의 연장 방향의 상기 한쪽 단부부터 세서 홀수 개째의 게이트 전극선에 접속된 TFT소자를 갖는 제2 더미 화소가 배치되어 있고, 각 드레인 전극선은, 양측에 배치된 각 화소의 TFT소자가 연장 방향을 따라 교대로 접속되어 있고, 상기 게이트 전극선의 연장 방향의 단부의 각 드레인 전극선은, 유효 표시 영역 내에 배치된 TFT소자와, 제1 또는 제2 더미 화소가 연장 방향을 따라 교대로 접속되어 있는 표시 장치이다. (1) A display device having a display panel in which TFT elements and pixel electrodes are arranged in units of pixels, wherein the display panel has an extension direction of the drain electrode line outside one end of the extension direction of the gate electrode line among the ends of the effective display area. A first dummy pixel having a TFT element connected to an even numbered gate electrode line from one end thereof is disposed, and in the extension direction of the drain electrode line outside the other end of the effective direction of the gate electrode line in the extending direction of the gate electrode line. Second dummy pixels having TFT elements connected to the odd-numbered gate electrode lines are arranged from the one end portion, and in each drain electrode line, TFT elements of each pixel arranged on both sides are alternately connected along the extension direction. Each of the drain electrode lines at an end portion of the gate electrode line in the extending direction includes a TFT element disposed in an effective display area and a first or second dummy. It is a display device in which pixels are alternately connected along the extension direction.

(2)상기 (1)에 있어서, 상기 제1 더미 화소가 배치된 단부가, 상기 게이트 전극선의 입력단측의 표시 장치이다. (2) In the above (1), an end where the first dummy pixel is disposed is a display device on the input end side of the gate electrode line.

(3)상기 (1) 또는 (2)에 있어서, 상기 제1 및 제2 더미 화소는 유효 표시 영역 내의 화소와 동일한 구성의 표시 장치이다. (3) In the above (1) or (2), the first and second dummy pixels are the display devices having the same configuration as the pixels in the effective display area.

(4)상기 (1) 또는 (2)에 있어서, 상기 제1 및 제2 더미 화소는 TFT소자만을 갖는 표시 장치이다. (4) In the above (1) or (2), the first and second dummy pixels are display devices having only TFT elements.

(5)상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1 또는 제2 더미 화소의 외측에 더미 드레인 전극선을 갖는 표시 장치이다. (5) The display device according to any one of (1) to (4), having a dummy drain electrode line outside the first or second dummy pixel.

(6)상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1 더미 화소 사이에, 또는 상기 제2 더미 화소 사이에 제3 더미 화소가 배치되어 있는 표시 장치이다. (6) The display device according to any one of (1) to (5), wherein a third dummy pixel is disposed between the first dummy pixel or between the second dummy pixel.

(7)상기 (6)에 있어서, 상기 제3 더미 화소는 상기 유효 표시 영역 내의 화 소의 화소 전극과 동일한 도전층에 더미 전극층을 갖는 표시 장치이다. (7) In (6), the third dummy pixel is a display device having a dummy electrode layer on the same conductive layer as the pixel electrode of a pixel in the effective display area.

(8)상기 (7)에 있어서, 상기 제3 더미 화소는 상기 더미 드레인 전극선 및 상기 더미 전극층과 접속된 TFT소자를 갖는 표시 장치이다. (8) In (7), the third dummy pixel is a display device having a TFT element connected to the dummy drain electrode line and the dummy electrode layer.

(9)복수의 드레인 전극선과 복수의 게이트 전극선이 매트릭스 형상으로 배치되고, 상기 드레인 전극선의 인접하는 2개와 상기 게이트 전극선의 인접하는 2개로 둘러싸여 형성되는 화소 영역을 갖고, 각 화소 영역은 TFT소자를 갖고, 상기 화소 영역의 집합으로서 표시 영역이 설정된 표시 장치에 있어서, 해당 드레인 전극선의 연장 방향에서 상기 게이트 전극선을 가로지를 때마다 해당 드레인 전극선에 대한 TFT소자의 배치 방향이 반전되고, 또한 상기 표시 영역의 외측에 상기 게이트 전극선을 2개 가로지를 때마다 TFT소자가 배치된 영역을 갖는 표시 장치이다. (9) A plurality of drain electrode lines and a plurality of gate electrode lines are arranged in a matrix, and have pixel regions formed by being surrounded by two adjacent two drain electrodes and two adjacent ones of the gate electrode lines, each pixel region comprising a TFT element. In the display device in which the display area is set as the set of the pixel areas, the direction in which the TFT elements are disposed with respect to the drain electrode line is inverted every time the gate electrode line is crossed in the extending direction of the drain electrode line. A display device having a region in which TFT elements are arranged each time the two gate electrode lines cross each other outward.

(10)상기 (9)에 있어서, 상기 게이트 전극선을 2개 가로지를 때마다 TFT소자가 배치된 영역이 차광되어 있는 표시 장치이다. (10) The display device according to (9), wherein a region where TFT elements are arranged is shielded every time two gate electrode lines are crossed.

(11)상기 (9) 또는 (10)에 있어서, 상기 게이트 전극선을 2개 가로지를 때마다 TFT소자가 배치된 영역이 상기 표시 영역의 좌외측과 우외측에서 상기 게이트 전극선 1개 분만큼 벗어나 있는 표시 장치이다. (11) In the above (9) or (10), each time the two gate electrode lines are crossed, the region where the TFT elements are arranged is deviated by one gate electrode line from the left outer side and the right outer side of the display area. It is a display device.

(12)상기 (9) 내지 (11) 중 어느 하나에 있어서, 상기 드레인 전극선에는 1프레임 기간 중 동일한 극성의 신호가 가해지는 표시 장치이다.(12) The display device according to any one of (9) to (11), wherein a signal having the same polarity is applied to the drain electrode line in one frame period.

(13)상기 (12)에 있어서, 상기 드레인 전극선의 인접하는 2개에는 상호 반대 극성의 신호가 가해지는 표시 장치이다. (13) The display device according to (12), wherein signals of opposite polarities are applied to two adjacent drain electrode lines.

(14)복수의 드레인 전극선과 복수의 게이트 전극선이 매트릭스 형상으로 배 치되고, 상기 드레인 전극선의 인접하는 2개와 상기 게이트 전극선의 인접하는 2개로 둘러싸여 형성되는 화소 영역을 갖고, 각 화소 영역은 TFT소자를 갖고, 상기 화소 영역의 집합으로서 표시 영역이 설정된 표시 장치에 있어서, 해당 드레인 전극선의 연장 방향에서 상기 게이트 전극선을 가로지를 때마다 해당 드레인 전극선에 대한 TFT소자의 배치 방향이 반전되고, 상기 드레인 전극선에는 1프레임 기간 중 동일한 극성의 신호가 가해지고, 또한 인접하는 2개에 상호 반대 극성의 신호가 가해지는 표시 장치이다. (14) A plurality of drain electrode lines and a plurality of gate electrode lines are arranged in a matrix shape, each pixel region having a pixel region formed by being surrounded by two adjacent two drain electrodes and two adjacent ones of the gate electrode lines. In a display device in which a display region is set as a set of pixel regions, the direction in which the TFT elements are disposed with respect to the drain electrode line is inverted every time the gate electrode line is crossed in the extending direction of the drain electrode line. Is a display device to which signals of the same polarity are applied during one frame period, and signals of opposite polarities are applied to two adjacent ones.

본 발명의 표시 장치는, 인접하는 드레인 전극선에 1프레임 사이에 걸쳐 커먼 전위에 대해서 각각 반대 극성의 신호를 부여하도록 구동할 수 있다. 그때 TFT소자가 드레인 전극선에 교대로 접속되어 있음으로써, 1프레임 동안 영상 신호선의 극성을 동일하게 하면서, 매트릭스 형상의 화소의 화소 전극에 기입되는 신호를 인접하는 화소에서 상호 극성이 반전되는 도트 반전으로 할 수 있다. 이에 의해, 종래의 프레임 반전의 결점이었던 플리커를 해소할 수 있다. 또한 프레임 반전의 특징인, 극성이 전환되는 간격이 긴 것에 의해 드레인 신호선에의 충 방전 횟수가 도트 반전에 비해 격감하여, 고 리프레시 레이트, 예를 들면 100Hz이상, 구체적으로는 120Hz에서의 프레임 레이트에서의 구동이 가능해진다. The display device of the present invention can be driven to give signals of opposite polarities to common potentials over one frame to adjacent drain electrode lines. At this time, the TFT elements are alternately connected to the drain electrode line, thereby making the same polarity of the video signal line for one frame, and converting the signals written to the pixel electrodes of the matrix-shaped pixels into dot inversion in which mutual polarities are inverted in adjacent pixels. can do. Thereby, flicker which was a drawback of the conventional frame inversion can be eliminated. In addition, the number of charge-discharges to the drain signal line decreases significantly compared to dot inversion due to the long intervals in which the polarity is switched, which is a characteristic of frame inversion, and at a high refresh rate, for example, at a frame rate of 100 Hz or more, specifically 120 Hz Can be driven.

한편 이러한 배치에서는 표시에 이용되는 드레인 전극선의 최외 라인에 각별한 배려를 하지 않으면, 최외 라인의 용량이 다른 라인과 크게 달리, 최외 표시 화소에서 다른 라인과 휘도 차가 발생하게 되는 것이 판명되었다. On the other hand, in such an arrangement, it has been found that, unless special consideration is given to the outermost line of the drain electrode line used for display, the difference in luminance and the other line occurs in the outermost display pixel, unlike the lines of the outermost line having a large capacity.

본 발명에서는 이러한 드레인 전극선의 전위로서는 프레임 반전이면서 표시 로서 도트 반전을 실현할 수 있는 표시 장치에 있어서, 게이트 선과 직교하는 방향의 표시 라인 중의, 최외주의 표시 라인의 휘도 얼룩의 발생을 회피할 수 있다고 하는 특유하면서 현저한 효과를 실현할 수 있다. According to the present invention, in the display device capable of realizing dot inversion as a display while being a frame inversion as the potential of such a drain electrode line, occurrence of luminance unevenness of the outermost display line in the display line in a direction orthogonal to the gate line can be avoided. Unique and remarkable effects can be realized.

이를 위해서는, 예를 들면 상기 수단 (1)과 같이 유효 표시 영역의 외측에 제1 및 제2 더미 화소를 배치한다. 그리고 각 드레인 전극선에는 예를 들면 드레인 전극선을 마주보고 우측에 배치된 화소의 TFT소자와, 마주보고 좌측에 배치된 화소의 TFT소자를 교대로 접속한다. 또한 이때 제1 및 제2 더미 화소는 예를 들면 상기 수단 (2)와 같이, 게이트 전극선의 입력단측에, 짝수 개째의 게이트 전극선과 접속된 TFT소자를 갖는 제1 더미 화소를 배치한다. 또한 이때 제1 및 제2 더미 화소는 상기 수단 (3)과 같이 유효 표시 영역 내의 화소와 동일한 구성이어도 되고, 상기 수단 (4)와 같이 TFT소자만을 설치하여도 된다.For this purpose, for example, the first and second dummy pixels are arranged outside the effective display area as in the above means (1). Each of the drain electrode lines is alternately connected to, for example, a TFT element of a pixel disposed on the right side facing the drain electrode line, and a TFT element of a pixel disposed on the left side facing the drain electrode line. In this case, the first and second dummy pixels are arranged, for example, on the input terminal side of the gate electrode line as in the means (2), with the first dummy pixel having the TFT elements connected to the even-numbered gate electrode lines. In this case, the first and second dummy pixels may have the same configuration as the pixels in the effective display area as in the above means 3, or may be provided with only the TFT elements as in the above means 4.

또한 제1 및 제2 더미 화소를 배치했을 경우, 각 더미 화소의 TFT소자가 접속된 드레인 전극선은 각 더미 화소에 기입 신호를 인가하는 타이밍에, 예를 들면 흑색표시용 신호를 인가한다. 또한 제1 더미 화소에 관해서는 하나 전의 표시 영역 내의 화소에 인가되는 신호와 동일한 신호를 인가하고, 제2 더미 화소에 관해서는 하나 뒤의 표시 영역 내의 화소에 인가되는 신호와 동일한 신호를 인가하여도 된다.When the first and second dummy pixels are disposed, the drain electrode line to which the TFT elements of each dummy pixel are connected, for example, applies a black display signal at a timing of applying a write signal to each dummy pixel. In addition, the same signal as that applied to the pixel in the display area before the first dummy pixel is applied, and the same signal as the signal applied to the pixel in the display area after the second dummy pixel is applied. do.

또한 이때, 예를 들면 상기 수단 (5)와 같이, 더미 드레인 전극선을 추가하여도 된다. 이때 상기 더미 드레인 전극선에는 예를 들면 커먼 신호를 인가한다. 또한 이때 더미 드레인 전극선은 제1 더미 화소의 외측에만, 또는 제2 더미 화소의 외측에만 추가하여도 되고, 제1 더미 화소의 외측 및 제2 더미 화소의 외측의 양쪽에 추가하여도 된다. At this time, for example, a dummy drain electrode line may be added as in the means (5). At this time, for example, a common signal is applied to the dummy drain electrode line. In this case, the dummy drain electrode line may be added only to the outside of the first dummy pixel or only to the outside of the second dummy pixel, or may be added to both the outside of the first dummy pixel and the outside of the second dummy pixel.

또한 상기 제1 및 제2 더미 화소를 배치했을 경우, 각 더미 화소는 1화소 간격으로 배치된다. 그 때문에 더미 화소 사이에 단차가 발생하여, 예를 들면 배향막을 형성할 때의 래핑 공정에 있어서, 상기 단차에 의한 러빙 강도의 변동이 발생하는 가능성이 있다. 그래서 예를 들면 상기 수단 (6)과 같이 제3 더미 화소를 설치하여 단차를 저감하는 것이 바람직하다. 이때 제3 더미 화소는 예를 들면 상기 수단 (7)과 같이 더미 전극층만을 설치하여도 되고, 상기 수단 (8)과 같이 더미 전극층 및 TFT소자를 설치하여도 된다. When the first and second dummy pixels are disposed, the dummy pixels are arranged at one pixel intervals. Therefore, there is a possibility that a step is generated between the dummy pixels, and a variation in rubbing intensity due to the step is generated in a lapping step when forming an alignment film, for example. Thus, for example, it is preferable to provide a third dummy pixel as in the means 6 to reduce the step difference. At this time, the third dummy pixel may be provided with only a dummy electrode layer as in the above means 7, for example, and may be provided with a dummy electrode layer and a TFT element as in the above means 8.

또한 상기 수단 (1)의 구성은, 다른 표현으로 하면, 예를 들면 상기 수단 (9)나 수단 (11)과 같이 말할 수도 있다. 또한 상기 수단 (9)에 있어서의 상기 게이트 전극선을 2개 가로지를 때마다 TFT소자가 배치된 영역은 상기 제1 더미 화소 및 제2 더미 화소가 배치된 영역에 상당한다. 그 때문에, 상기 수단 (10)과 같이 상기 게이트 전극선을 2개 가로지를 때마다 TFT소자가 배치된 영역이 차광하는 것이 바람직하다. In addition, if the structure of the said means 1 is made into another expression, it can also say like the said means 9 and the means 11, for example. Each time the two gate electrode lines in the means 9 intersect, the region where the TFT elements are arranged corresponds to the region where the first dummy pixels and the second dummy pixels are arranged. Therefore, it is preferable to shield the area | region in which TFT element was arrange | positioned whenever it crosses two said gate electrode lines like the said means (10).

또한 상기 수단 (9) 내지 수단 (11)과 같은 구성의 표시 장치에서는 드레인 전극선에 예를 들면 상기 수단 (12) 또는 수단 (13), 혹은 수단 (14)와 같이 신호를 가한다. In the display device having the same configuration as the means 9 to 11, a signal is applied to the drain electrode line in the same manner as the means 12, 13, or 14, for example.

<실시예><Example>

이하, 본 발명에 대해서 도면을 참조해서 실시 형태(실시예)와 함께 상세하 게 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail with embodiment (Example) with reference to drawings.

또한 실시예를 설명하기 위한 전 도면에 있어서, 동일기능을 갖는 것은 동일부호를 붙이고, 그 반복 설명은 생략한다. In addition, in all the drawings for demonstrating an Example, the thing with the same function is attached | subjected with the same code | symbol, and the repeated description is abbreviate | omitted.

도 1 및 도 2는 본 발명이 적용되는 표시 장치가 갖는 표시 패널의 개략구성의 일례를 나타내는 모식도로서, 도 1은 액정 표시 패널의 구성예를 나타내는 정면도, 도 2는 도 1의 A-A'선 단면도이다. 1 and 2 are schematic diagrams showing an example of a schematic configuration of a display panel of the display device to which the present invention is applied. FIG. 1 is a front view showing a configuration example of a liquid crystal display panel, and FIG. 2 is A-A of FIG. It is a line cross section.

본 발명이 적용되는 표시 장치는 예를 들면 TFT소자가 화소 단위로 배치된 액정 표시 패널을 갖는 액정 표시 장치이다. 상기 액정 표시 패널은 예를 들면 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이 한 쌍의 기판(1, 2)이 고리 형상의 밀봉재(3)로 접착되어 있고, 각 기판(1, 2) 및 밀봉재(3)로 둘러싸인 공간 내에 액정재료(4)가 봉입된 표시 패널이다. 이때 한쪽 기판(1)에는 상기 TFT소자나 화소 전극이 배치되어 있고, 다른 쪽 기판(2)에는 상기 화소 전극과 대향하는 위치에 컬러 필터가 배치되어 있다. The display device to which the present invention is applied is, for example, a liquid crystal display device having a liquid crystal display panel in which TFT elements are arranged in pixel units. In the liquid crystal display panel, for example, as shown in Figs. 1 and 2, a pair of substrates 1 and 2 are bonded by an annular sealant 3, and each of the substrates 1 and 2 and the sealant ( It is a display panel in which the liquid crystal material 4 is enclosed in a space surrounded by 3). At this time, the TFT element or the pixel electrode is disposed on one substrate 1, and the color filter is disposed on the other substrate 2 at a position opposite to the pixel electrode.

또한 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같은 액정 표시 패널을 갖는 액정 표시 장치는 상기 액정 표시 패널을 사이에 두도록 배치된 한 쌍의 편광판이나, 편광판 사이에 끼워진 액정 표시 패널의 후방에 배치된 백 라이트 유닛 등을 갖는다. 또한 이들의 기본적인 구성에 대해서는 종래의 액정표시 장치와 동일한 구성이러도 되므로, 상세한 설명은 생략한다. In addition, a liquid crystal display device having a liquid crystal display panel as shown in FIGS. 1 and 2 has a pair of polarizing plates disposed so as to sandwich the liquid crystal display panel therebetween, or a backlight disposed behind the liquid crystal display panel sandwiched between the polarizing plates. Unit or the like. In addition, since these basic structures may be the same as the conventional liquid crystal display device, detailed description is abbreviate | omitted.

이하, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같은 액정표시 패널을 갖는 표시 장치에 있어서의, 상기 TFT소자나 화소 전극이 배치된 기판(1)(이하, TFT기판이라고 한 다)의 회로구성에 대해서 설명한다. Hereinafter, the circuit configuration of the substrate 1 (hereinafter referred to as TFT substrate) in which the TFT element and the pixel electrode are disposed in the display device having the liquid crystal display panel as shown in FIGS. 1 and 2 is described. Explain.

도 3은 본 발명에 따른 일 실시예의 TFT기판의 회로구성을 나타내는 모식도이다. 3 is a schematic diagram showing a circuit configuration of a TFT substrate of one embodiment according to the present invention.

본 실시예의 TFT기판(1)은 예를 들면 도 3에 도시한 바와 같이 수평방향으로 연장되고 상하방향으로 나란히 배치된 n+1개의 게이트 전극선(GL)과, 상하방향으로 연장되고 수평방향으로 배치된 3m+1개의 드레인 전극선(DL)과, 수평방향으로 연장되고 상하방향으로 나란히 배치된 공통 신호선(CL)을 갖는다. 또한, 이하의 설명은 공통 신호선(CL)을 갖는 예를 들어서 행하지만, 갖지 않는 예에서도 그대로 적용할 수 있다. The TFT substrate 1 of this embodiment is, for example, n + 1 gate electrode lines GL extending in the horizontal direction and arranged side by side in the vertical direction as shown in FIG. 3, and extending in the vertical direction and arranged in the horizontal direction. 3 m + 1 drain electrode line DL and a common signal line CL extending in the horizontal direction and arranged side by side in the vertical direction. In addition, although the following description is given by the example which has the common signal line CL, it is applicable also as it is to the example which does not have.

또한 각 게이트 전극선(GL)과 각 드레인 전극선(DL)의 교점에는 게이트 전극선(GL) 및 드레인 전극선과 접속된 TFT소자가 배치되어 있다. 이때 TFT소자의 소스 전극은 화소 전극(PX)과 접속되어 있다. 또한 화소 전극(PX)과 공통 신호선(CL)에 접속된 커먼 전극(도시하지 않음)과의 사이에는 용량소자가 형성되어 있다. 공통 신호선(CL)에 접속된 커먼 전극이 없는 예로서는 TFT기판(1)에 대향하는 기판(2)에 커먼 전극을 형성하고, 그 커먼 전극과 화소 전극(PX) 사이에 용량 소자가 형성되는, 이른바 세로 전계 방식의 구성을 일례로서 들 수 있다. At the intersection of each gate electrode line GL and each drain electrode line DL, a TFT element connected to the gate electrode line GL and the drain electrode line is disposed. At this time, the source electrode of the TFT element is connected to the pixel electrode PX. A capacitor is formed between the pixel electrode PX and a common electrode (not shown) connected to the common signal line CL. As an example without a common electrode connected to the common signal line CL, a so-called common electrode is formed on the substrate 2 facing the TFT substrate 1, and a capacitor is formed between the common electrode and the pixel electrode PX. The structure of the longitudinal electric field system is mentioned as an example.

또한 도 3에 나타낸 예는 컬러 액정 표시 패널에 이용하는 TFT기판이며, 수평 방향으로 배열한 3개의 화소, 즉 R로 기재된 화소 전극(PX)을 갖는 R화소, G로 기재된 화소 전극(PX)을 갖는 G화소, B로 기재된 화소 전극(PX)을 갖는 B화소로 유효 표시 영역(L) 상의 1도트가 구성되어 있다. 3 is a TFT substrate used for a color liquid crystal display panel, and has three pixels arranged in a horizontal direction, that is, an R pixel having a pixel electrode PX described as R, and a pixel electrode PX described as G. One dot on the effective display area L is composed of the B pixels having the G pixels and the pixel electrodes PX described as B. FIG.

유효 표시 영역(L)에서는 TFT소자가 드레인 전극선(DL)에 교대로 접속되어 있다. 즉, 홀수 번의 게이트 전극선(GL)에 의해 제어되는 화소의 TFT소자는, 해당 화소를 구성하는 좌측의 드레인 전극선(DL)에 접속되고, 짝수 번의 게이트 전극선(GL)에 의해 제어되는 화소의 TFT소자는, 해당 화소를 구성하는 우측의 드레인 전극선(DL)에 접속되어 있다.In the effective display area L, the TFT elements are alternately connected to the drain electrode line DL. That is, the TFT element of the pixel controlled by the odd-numbered gate electrode line GL is connected to the drain electrode line DL on the left side constituting the pixel, and the TFT element of the pixel controlled by the even-numbered gate electrode line GL. Is connected to the drain electrode line DL on the right side of the pixel.

또한 본 실시예의 TFT기판(1)에서는 유효 표시 영역(L)의 단부 중, 게이트 전극선(GL)의 연장 방향의 단부의 외측에 더미 화소가 배치되어 있다. 이때 드레인 전극선(DL1)이 배치된 측의 단부의 외측은 짝수 개째의 게이트 전극선(GL)과 접속된 TFT소자를 갖는 제1 더미 화소(DP1)가 배치되어 있다. 또한 드레인 전극선(DL3m+1)이 배치된 측의 단부의 외측은 홀수 개째의 게이트 전극선(GL)과 접속된 TFT소자를 갖는 제2 더미 화소(DP2)가 배치되어 있다. 이때 상기 제1 및 제2 더미 화소(DP1, DP2)는 유효 표시 영역(L) 내의 각 화소와 동일한 구성으로 한다. In the TFT substrate 1 of the present embodiment, dummy pixels are disposed outside the end portions of the effective display region L in the extending direction of the gate electrode lines GL. At this time, the first dummy pixel DP1 having the TFT element connected to the even-numbered gate electrode line GL is disposed outside the end portion on the side where the drain electrode line DL 1 is disposed. The second dummy pixel DP2 having a TFT element connected to the odd-numbered gate electrode line GL is disposed outside the end portion on the side where the drain electrode line DL 3m + 1 is arranged. In this case, the first and second dummy pixels DP1 and DP2 have the same configuration as that of each pixel in the effective display area L. FIG.

또한 각 드레인 전극선(DL)에 우측으로부터 접속하는 TFT소자와, 해당 드레인 전극선(DL)에 좌측으로부터 접속하는 TFT소자가 해당 드레인 전극선(DL)의 연장 방향을 따라 교대로 배치되어 있다. Further, a TFT element connected to each drain electrode line DL from the right side and a TFT element connected to the drain electrode line DL from the left side are alternately arranged along the extending direction of the drain electrode line DL.

그리고 좌측부터 드레인 전극선(DL)의 번호를 배치했을 경우, 유효 표시 영역(L)에 최인접하는 좌측 라인에는 짝수 번의 게이트 신호선(GL)에 의해 제어되는 더미 화소를 TFT의 접속순서가 유효 표시 영역(L) 내와 동일하도록 배치한다. 이에 따라 유효 표시 영역의 좌 최외측의 드레인 신호선(DL1)에 접속되는 TFT소자의 수가, 유효 표시 영역(L) 내의 다른 드레인 전극선과 일치하기 때문에, DL1의 부하와 다른 드레인 전극선의 부하가 일치하여, DL1에 접속한 표시 화소에 다른 라인에 접속한 화소에 대해서 휘도변동이 발생하는 것을 회피할 수 있다. When the numbers of the drain electrode lines DL are arranged from the left side, dummy pixels controlled by the even-numbered gate signal lines GL are placed in the left line closest to the effective display area L so that the order in which the TFTs are connected is the effective display area ( L) It arranges same as inside. As a result, the number of TFT elements connected to the drain signal line DL 1 on the leftmost side of the effective display area matches the other drain electrode line in the effective display area L, so that the load of the drain electrode line different from the load of DL 1 is reduced. In accordance with this, it is possible to avoid occurrence of luminance fluctuation with respect to the pixel connected to another line to the display pixel connected to DL 1 .

마찬가지로 유효 표시 영역(L)에 최인접하는 우측의 라인에는 홀수 번의 게이트 신호선에 의해 제어되는 더미 화소를 TFT소자의 접속순서가 유효 표시 영역(L) 내와 동일하도록 배치한다. 이에 따라 유효 표시 영역(L)의 우 최외측의 드레인 신호선(DL3m+1)에 접속되는 TFT의 수가, 유효 표시 영역 내의 다른 드레인 신호선과 일치하기 때문에, DL3m +1의 부하와 다른 드레인 전극선의 부하가 일치하여, DL3m+1에 접속한 표시 화소에 다른 라인에 접속한 화소에 대해서 휘도변동이 발생하는 것을 회피할 수 있다. Similarly, a dummy pixel controlled by an odd number of gate signal lines is arranged on the rightmost line closest to the effective display area L so that the connection order of the TFT elements is the same as in the effective display area L. FIG. As a result, the number of TFTs connected to the rightmost drain signal line DL 3m + 1 of the effective display area L coincides with the other drain signal lines in the effective display area, and therefore the drain electrode line different from the load of DL 3m + 1 . The loads of s match and the luminance fluctuations can be avoided for the pixels connected to other lines to the display pixels connected to the DL 3m + 1 .

도 4는 본 실시예의 표시 패널의 드레인 전극선(DL1)에 인가되는 신호의 타임 차트의 일례를 도시하는 도면이다. 또한 도 5는 본 실시예의 표시 패널의 드레인 전극선(DL3m+1)에 인가되는 신호의 타임 차트의 일례를 도시하는 도면이다. 4 is a diagram illustrating an example of a time chart of signals applied to the drain electrode line DL 1 of the display panel of this embodiment. 5 is a figure which shows an example of the time chart of the signal applied to the drain electrode line DL3m + 1 of the display panel of this embodiment.

TFT기판(1)에 도 3에 도시한 바와 같은 구성의 회로를 설치했을 경우, 제1 더미 화소(DP1)가 배치된 단부측의 드레인 전극선(DL1)에서는, 해당 드레인 전극선(DL1)의 한쪽측(우측)으로부터 유효 표시 영역(L) 내의 R화소의 TFT소자가 접속되어 있고, 또한 해당 드레인 전극선(DL1)의 다른쪽측(좌측)으로부터 제1 더미 화소(DP1)의 TFT소자가 접속되어 있다. 또한, 해당 R화소의 TFT소자와 해당 제1 더미 화소(DP1)의 TFT소자는, 드레인 전극선(DL1)의 연장 방향을 따라 교대로 배치되어 있다. 이때 드레인 전극선(DL1)에 지면 상방측으로부터 기입 신호를 인가한다고 하면, 인가되는 신호는 예를 들면 도 4에 도시한 바와 같이 홀수 개째의 게이트 전극선(GL1, GL3, GL5)에 게이트 신호가 인가되는 타이밍에서 R화소에 기입하는 신호가 인가되고, 짝수 개째의 게이트 전극선(GL2, GL4)에 게이트 신호가 인가되는 타이밍에서 더미 화소(DP1)를 흑색표시시키는 신호가 인가되도록 한다. When the circuit having the configuration as shown in Fig. 3 is provided in the TFT substrate 1, the drain electrode line DL 1 at the end side on which the first dummy pixel DP1 is disposed is formed of the drain electrode line DL 1 . The TFT element of the R pixel in the effective display area L is connected from one side (right side), and the TFT element of the first dummy pixel DP1 is connected from the other side (left side) of the drain electrode line DL 1 . It is. The TFT elements of the R pixels and the TFT elements of the first dummy pixel DP1 are alternately arranged along the extending direction of the drain electrode line DL 1 . At this time, if a write signal is applied to the drain electrode line DL 1 from the upper side of the paper, the applied signal is gated to the odd-numbered gate electrode lines GL 1 , GL 3 , GL 5 , for example, as shown in FIG. 4. A signal for writing to the R pixel is applied at the timing when the signal is applied, and a signal for black display of the dummy pixel DP1 is applied at the timing at which the gate signal is applied to the even-numbered gate electrode lines GL 2 and GL 4 . .

한편 제2 더미 화소(DP2)가 배치된 단부측의 드레인 전극선(DL3m+1)은 제2 더미 화소(DP2)의 TFT소자와, 유효 표시 영역(L) 내의 B화소의 TFT소자가 연장 방향을 따라 교대로 접속되어 있다. 이때 드레인 전극선(DL3m+1)에 지면 상방측으로부터 신호를 인가한다고 하면, 인가되는 신호는 예를 들면 도 5에 도시한 바와 같이 홀수 개째의 게이트 전극선(GL1, GL3, GL5)에 게이트 신호가 인가되는 타이밍에서 더미 화소(DP2)를 흑색표시시키는 신호가 인가되고, 짝수 개째의 게이트 전극선(GL2, GL4)에 게이트 신호가 인가되는 타이밍에서 B화소에 기입하는 신호가 인가되도록 한다. On the other hand, in the drain electrode line DL 3m + 1 at the end side where the second dummy pixel DP2 is disposed, the TFT element of the second dummy pixel DP2 and the TFT element of the B pixel in the effective display area L extend in the extending direction. Are alternately connected along. At this time, if a signal is applied to the drain electrode line DL 3m + 1 from the upper side of the ground, the applied signal is applied to the odd-numbered gate electrode lines GL 1 , GL 3 , GL 5 , for example, as shown in FIG. 5. A signal for black display of the dummy pixel DP2 is applied at a timing at which the gate signal is applied, and a signal for writing to pixel B is applied at a timing at which the gate signal is applied to the even-numbered gate electrode lines GL 2 and GL 4 . do.

또한 예를 들면 드레인 전극선(DL2)에 인가되는 신호는 홀수 개째의 게이트 전극선(GL1, GL3, GL5)에 게이트 신호가 인가되는 타이밍에서 G화소에 기입하는 신호가 인가되고, 짝수 개째의 게이트 전극선(GL2, GL4)에 게이트 신호가 인가되는 타이밍에서 R화소에 기입하는 신호가 인가되도록 한다. For example, as a signal applied to the drain electrode line DL 2 , a signal to be written to the G pixel is applied at the timing when the gate signal is applied to the odd-numbered gate electrode lines GL 1 , GL 3 , and GL 5 . The signal to be written to the R pixel is applied at the timing when the gate signal is applied to the gate electrode lines GL 2 and GL 4 .

유효 표시 영역(L)의 밖으로 되는 더미 화소는 통상적으로 차광층에서 차광된다. 이 때문에 더미 화소에 가하는 전위는 특별히 한정되는 것은 아니다. 그러나 흑 데이터를 기입함으로써 확실하게 흑 상태로 할 수 있기 때문에 전위를 항상 안정화할 수 있는 점에서 바람직하다. The dummy pixel outside the effective display area L is usually shielded in the light shielding layer. For this reason, the potential applied to the dummy pixel is not particularly limited. However, since black data can be reliably turned black by writing black data, it is preferable in that the potential can always be stabilized.

도 6은 본 실시예의 표시 패널의 드레인 전극선(DL1)에 인가되는 신호의 타임 차트의 다른 예를 도시하는 도면이다. 또한 도 7은 본 실시예의 표시 패널의 드레인 전극선(DL3m+1)에 인가되는 신호의 타임 차트의 다른 예를 도시하는 도면이다. FIG. 6 is a diagram illustrating another example of a time chart of a signal applied to the drain electrode line DL 1 of the display panel of this embodiment. 7 is a diagram showing another example of a time chart of a signal applied to the drain electrode line DL 3m + 1 of the display panel of this embodiment.

본 실시예에 있어서, 드레인 전극선(DL1)에 신호를 인가할 때에는 도 4에 도시한 바와 같이 제1 더미 화소(DP1)에 흑색표시를 시킬 뿐만 아니라, 여러 가지 방법을 생각할 수 있다. 즉, 예를 들면 도 5에 도시한 바와 같이 하나 전의 R화소에 기입하는 신호와 동일한 신호를 인가하여도 된다. 마찬가지로 드레인 전극선(DL3m+1)에 신호를 인가할 때에는, 예를 들면 도 6에 도시한 바와 같이 하나 뒤의 B화소에 기입하는 신호와 동일한 신호를 인가하여도 된다. In the present embodiment, when a signal is applied to the drain electrode line DL 1 , not only the first dummy pixel DP1 is black displayed as shown in FIG. 4 but also various methods can be considered. That is, for example, as shown in Fig. 5, the same signal as that written to the previous R pixel may be applied. Similarly, when a signal is applied to the drain electrode line DL 3m + 1 , the same signal as that of the signal written to the one B pixel behind one may be applied as shown in FIG.

또한 도 6이나 도 7은 유효 표시 영역의 다른 드레인 전극선에 가해지는 일반적 신호의 예로서 설명에 이용할 수도 있다. 특징적인 것은 1프레임 기간 동안 극성이 일정한 것이다. 게다가 드레인 전극선 연장 방향에 인접하는 임의의 2개의 화소 사이에서, 화소 중의 TFT소자가 접속하는 드레인 전극선을 서로 다르게 하고, 즉 한쪽의 화소의 TFT소자를 우측의 드레인 전극선에 접속하고, 다른쪽의 화소의 TFT소자를 좌측의 드레인 전극선에 접속함으로써, 표시로서는 도트 반전이 실현된다. 이렇게 신호 자체의 극성반전이, 프레임에 1회로 되기 때문에, 라인마다 반전하는 종래의 도트 반전에 비해 신호의 극성반전의 횟수를 몇 백분의 1, 예를 들면 XGA에서는 768분의 1로 격감시킬 수 있다. 드레인 전극선의 신호가 극성반전 하면, 드레인 전극선의 충방전에 수반하여 드레인 전극선의 전위가 안정화할 때까지 시간을 요하기 때문에, 이 시간만큼 실효적인 기입 시간이 감소해버린다. 이 때문에 종래의 도트 반전에서는 100Hz이상의 고주파수에서의 기입은 곤란했다. 이에 반해 본원에서는, 프레임 중에 극성반전이 없어지기 때문에 충방전 시간이 그대로 기입에 기여할 수 있기 때문에, 100Hz이상의 고주파수, 예를 들면 120Hz와 같은 입력 신호 60Hz에 대해서 배속이 되는 구동이 실현되게 된다. 그리고 그때 표시 화상으로서는 도트 반전이 유지되기 때문에, 플리커와 같은 폐해도 발생하지 않게 되어 있다. 6 and 7 may be used for explanation as an example of a general signal applied to other drain electrode lines of the effective display area. The characteristic is that the polarity is constant for one frame period. Furthermore, between any two pixels adjacent to the drain electrode line extending direction, the drain electrode lines connected by the TFT elements in the pixels are different from each other, that is, the TFT elements of one pixel are connected to the drain electrode line on the right side, and the other pixel is connected. By inverting the TFT elements on the left side to the drain electrode line, dot inversion is realized as a display. Thus, since the polarity inversion of the signal itself is performed once in a frame, the number of times of polarity inversion of the signal can be reduced by one hundredth, for example, one in 768 by XGA, compared with the conventional dot inversion which inverts line by line. have. When the signal of the drain electrode line is reversed in polarity, since the time is required until the potential of the drain electrode line stabilizes with charging and discharging of the drain electrode line, the effective writing time is reduced by this time. For this reason, in the conventional dot inversion, writing at a high frequency of 100 Hz or more was difficult. In contrast, in the present application, since the polarity inversion is eliminated in the frame, the charge / discharge time can contribute to the writing as it is, so that the driving speed is doubled for a high frequency of 100 Hz or more, for example, an input signal 60 Hz such as 120 Hz. And since the dot inversion is maintained as a display image at that time, it does not generate | occur | produce also the trouble like a flicker.

도 8 및 도 9는 본 실시예의 회로구성을 적용한 TFT기판의 구성예를 나타내는 모식도로서, 도 8은 유효 표시 영역의 단부의 확대 평면도, 도 9는 도 8의 B-B'선 단면도이다. 또한 도 8에서는 게이트 전극선의 개수 n이 짝수인 예로 되어 있다. 8 and 9 are schematic diagrams showing a structural example of a TFT substrate to which the circuit configuration of this embodiment is applied. FIG. 8 is an enlarged plan view of an end portion of an effective display area, and FIG. 9 is a sectional view taken along the line B-B 'of FIG. 8, the number n of gate electrode lines is an even number.

본 실시예의 회로구성, 즉 도 3에 도시한 바와 같은 회로구성의 TFT기판(1)은 예를 들면 도 8 및 도 9에 도시한 바와 같은 구성으로 된다. 또한 도 8에 있어서 2점 쇄선으로 둘러싼 영역이 좌측의 더미 화소(DP1)이다. 도 8중의 사각 안에 ×표시가 되어 있는 부분은 콘택트 홀을 나타내고 있다. The TFT substrate 1 having the circuit configuration of this embodiment, that is, the circuit configuration as shown in Fig. 3, has the configuration as shown in Figs. 8 and 9, for example. 8, the area enclosed by the dashed-dotted line is the dummy pixel DP1 on the left side. In the square in FIG. 8, the portion marked with x indicates a contact hole.

이때 TFT기판(1)은 예를 들면 유리 기판(101) 위에 게이트 전극선(GL) 및 공통 신호선(CL), 및 상기 공통 신호선(CL)과 접속된 커먼 전극(CT)이 설치되어 있다. 또한 게이트 전극선(GL)의 상층에는 제1 층간 절연막(102)을 개재시켜서 반도체층(103) 및 드레인 전극선(DL), 및 소스 전극(SL)이 설치되어 있다. 이때 각 드레인 전극선(DL)은 도 8에 도시한 바와 같이 화소의 우측에 배치된 반도체층(103) 과, 화소의 좌측에 배치된 반도체층(103)에 교대로 접속하도록 분기되어 있다. At this time, the TFT substrate 1 is provided with, for example, a gate electrode line GL and a common signal line CL, and a common electrode CT connected to the common signal line CL on the glass substrate 101. The semiconductor layer 103, the drain electrode line DL, and the source electrode SL are provided on the upper layer of the gate electrode line GL with the first interlayer insulating film 102 interposed therebetween. At this time, each drain electrode line DL is branched so as to alternately connect to the semiconductor layer 103 disposed on the right side of the pixel and the semiconductor layer 103 disposed on the left side of the pixel as shown in FIG.

또한 드레인 전극선(DL1)의 좌측 영역에서는 게이트 전극선 GLn -1과 GLn 사이에는 TFT소자가 없고, 커먼 전위의 공통 신호선(CL)의 평면 형상 전극이 형성되어 있다. 이에 따라 흑 표시로 되고, 해당 영역의 전위안정화가 실현된다. 또한 게이트 전극선 GLn과 GLn +1 사이에는 드레인 전극선(DL1)에 접속한 TFT소자로부터 신호가 공급되는 더미 화소 전극이 형성되어 있다. 이 화소는 예를 들면 도 4나 도 5와 같이 흑 데이터를 가하면 흑 표시로 된다. In the left region of the drain electrode line DL 1 , the gate electrode lines GL n -1 and GL n There is no TFT element therebetween, and the planar electrode of the common signal line CL of a common electric potential is formed. This results in black display, and potential stabilization of the region is realized. Further, a dummy pixel electrode to which a signal is supplied from a TFT element connected to the drain electrode line DL 1 is formed between the gate electrode lines GL n and GL n +1 . For example, this pixel becomes black when black data is added as shown in FIG. 4 or FIG.

또한 상기 드레인 전극선(DL) 등의 상층에는 제2 층간 절연막(104)을 개재시키고, 표시 영역에는 화소 전극(PX)이나 상하에서 인접하는 화소의 커먼 전극(CT)을 접속하는 브릿지 배선(BR)이 배치되어 있다. 또한 더미 영역에는 커먼 전위의 전극(UC), 및 상하에서 인접하는 화소의 커먼 전극(CT)을 접속하는 브릿지 배선(BR) 등이 설치되어 있다. 이때 화소 전극(PX)은 스루 홀에 의해 상기 소스 전극(SL)과 접속되어 있다. 또한 화소 전극(PX)에는 예를 들면 슬릿이 형성되어 있다. 또한 커먼 전위의 전극(UC)은 스루 홀에 의해 상기 공통 신호선(CL)과 접속되어 있다. 이에 따라 공통 신호선의 패스 라인의 역할을 다하고 있다. 또한 상기 브릿지 배선(BR)은 스루 홀에 의해 상기 각 화소의 커먼 전극(CT)과 접속되어 있다. In addition, a bridge wiring BR for connecting the pixel electrode PX or the common electrode CT of adjacent pixels above and below is interposed between the second interlayer insulating film 104 in the upper layer such as the drain electrode line DL and the like. This is arranged. Further, in the dummy region, the electrode UC at the common potential and the bridge wiring BR for connecting the common electrode CT of the pixels adjacent up and down are provided. In this case, the pixel electrode PX is connected to the source electrode SL by a through hole. Further, for example, slits are formed in the pixel electrode PX. In addition, the electrode UC of the common potential is connected to the common signal line CL by a through hole. This serves as a pass line of the common signal line. The bridge wiring BR is connected to the common electrode CT of each pixel by a through hole.

또한 도 8 및 도 9는 TFT기판(1)의 구성의 일례를 도시한 도면이며, TFT소자, 화소 전극(PX), 커먼 전극(CT) 등의 구성은 물론 적절히 변경가능하다. 8 and 9 show an example of the configuration of the TFT substrate 1, and the configuration of the TFT element, the pixel electrode PX, the common electrode CT, and the like can be changed as appropriate.

이상 설명한 바와 같이 본 실시예의 액정 표시 패널에 따르면, 고 리프레시 레이트화에 의한 화질의 열화를 저감시킬 수 있다. As described above, according to the liquid crystal display panel of the present embodiment, deterioration of image quality due to high refresh rate can be reduced.

도 10은 상기 실시예의 제1 변형예를 설명하기 위한 모식도로서, TFT기판의 회로구성을 나타내는 도면이다. Fig. 10 is a schematic diagram for explaining a first modification of the above embodiment, which shows a circuit configuration of a TFT substrate.

상기 실시예에서는 도 3에 도시한 바와 같이 드레인 전극선(DL)이 3m+1개였지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 도 10에 도시한 바와 같이 제2 더미 화소(DP2)의 외측에 다시 더미 드레인 전극선(DL3m+2)을 설치할 수도 있다. In the above embodiment, as shown in FIG. 3, the drain electrode lines DL are 3m + 1, but the present invention is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 10, the drain electrode lines DL are located outside the second dummy pixel DP 2 . The dummy drain electrode line DL 3m + 2 may be provided again.

도 11 내지 도 13은 상기 실시예의 제2 변형예를 설명하기 위한 모식도로서, 도 1은 TFT기판의 회로구성을 나타내는 도면, 도 12는 도 11의 회로구성을 적용한 TFT기판의 구성예를 나타내는 확대 평면도, 도 13은 도 12의 C-C'선 단면도이다. 11 to 13 are schematic views for explaining a second modification of the above embodiment, in which FIG. 1 shows a circuit configuration of a TFT substrate, and FIG. 12 shows an enlarged example of a configuration of a TFT substrate to which the circuit configuration of FIG. 11 is applied. 13 is a cross-sectional view taken along the line CC 'of FIG.

상기 실시예에서는 도 3에 도시한 바와 같이 제1 및 제2 더미 화소(DP1, DP2)로서, 유효 표시 영역(L) 내의 화소와 동일한 구성의 더미 화소를 배치했지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 도 11에 도시한 바와 같이 TFT소자만을 배치하여도 된다. 이것은 드레인 전극선의 주된 부하 용량이 TFT소자에 의한 용량이기 때문이다. 또한 도 11에 나타낸 회로구성은 제1 및 제2 더미 화소(DP1, DP2)를 TFT소자만으로 한 점 이외에는 도 3에 나타낸 회로구성과 동일하다. In the above embodiment, as shown in Fig. 3, as the first and second dummy pixels DP1 and DP2, dummy pixels having the same configuration as the pixels in the effective display area L are arranged, but not limited thereto. For example, as shown in Fig. 11, only the TFT element may be disposed. This is because the main load capacity of the drain electrode line is that of the TFT element. The circuit configuration shown in Fig. 11 is the same as the circuit configuration shown in Fig. 3 except that the first and second dummy pixels DP1 and DP2 are made of only TFT elements.

도 11에 도시한 바와 같은 회로구성을 적용한 TFT기판(1)은 예를 들면 도 12 및 도 13에 도시한 바와 같은 구성으로 된다. 또한 도 12에 있어서 2점 쇄선으로 둘러싼 영역이 제1 더미 화소(DP1)의 TFT소자이다. 또한 도 12 및 도 13에 나타낸 TFT기판(1)의 구성은 도 8에 있어서 2점 쇄선으로 둘러싼 제1 더미 화소(DP1)를 TFT소자만으로 한 것뿐이며, 그 밖의 구성은 도 8 및 도 9에 나타낸 구성과 동일하다. 또한 도 12 및 도 13도, TFT기판(1)의 구성의 일례를 도시한 도면이며, TFT소자, 화소 전극(PX), 커먼 전극(CT) 등의 구성은 물론 적절히 변경가능하다. The TFT substrate 1 to which the circuit configuration as shown in Fig. 11 is applied has a configuration as shown in Figs. 12 and 13, for example. 12, the area enclosed by the dashed-dotted line is a TFT element of the first dummy pixel DP1. In addition, the structure of the TFT substrate 1 shown in FIG. 12 and FIG. 13 is only the TFT element of 1st dummy pixel DP1 enclosed by the 2-dot chain line in FIG. 8, and the other structure is shown in FIG. 8 and FIG. Same as the configuration shown. 12 and 13 show an example of the configuration of the TFT substrate 1, and of course, the configuration of the TFT element, the pixel electrode PX, the common electrode CT and the like can be changed as appropriate.

도 14 내지 도 18은 상기 실시예의 제3 변형예를 설명하기 위한 모식도로서, 도 14 내지 도 16은 각각 TFT기판의 회로구성을 나타내는 도면, 도 17은 도 15의 회로구성을 적용한 TFT기판의 구성예를 나타내는 확대 평면도, 도 18은 도 17의 D-D'선 단면도이다. 14 to 18 are schematic diagrams for explaining a third modification of the above embodiment, in which FIGS. 14 to 16 each show a circuit configuration of a TFT substrate, and FIG. 17 shows a TFT substrate to which the circuit configuration of FIG. 15 is applied. An enlarged plan view showing an example, and FIG. 18 is a cross-sectional view taken along the line D-D 'of FIG.

지금까지의 설명에서는 예를 들면 도 3에 도시한 바와 같이 짝수 번째 혹은 홀수 번째로 더미 화소(DP1, DP2)를 배치하고 있다. 그러나 본 발명의 표시 장치에서는 예를 들면 도 14에 도시한 바와 같이 제2 더미 화소(DP2) 사이에 제3 더미 화소(DP3)를 배치하여도 된다. 이때 제3 더미 화소(DP3)는 제2 더미 화소(DP2)와 달리, 예를 들면 공통 신호선(CL)과 접속된 더미 전극만을 설치한다. 또한 이때 제3 더미 화소(DP3)는 예를 들면 도 15에 도시한 바와 같이 제1 더미 화소(DP1) 사이에 배치하여도 되고, 도 16에 도시한 바와 같이 제1 더미 화소(DP1) 사이와 제2 더미 화소(DP2) 사이의 양쪽에 배치하여도 된다. In the above description, for example, as illustrated in FIG. 3, the dummy pixels DP1 and DP2 are arranged in even or odd numbers. However, in the display device of the present invention, for example, as shown in FIG. 14, the third dummy pixel DP3 may be disposed between the second dummy pixels DP2. In this case, unlike the second dummy pixel DP2, the third dummy pixel DP3 includes only a dummy electrode connected to the common signal line CL, for example. In this case, for example, the third dummy pixel DP3 may be disposed between the first dummy pixels DP1 as shown in FIG. 15, and between the first dummy pixels DP1 as shown in FIG. 16. You may arrange | position both in between 2nd dummy pixel DP2.

이러한 구성, 예를 들면 도 15에 도시한 바와 같은 회로구성으로 할 경우의 일례를 도 17 및 도 18에 나타낸다. 제3 더미 화소(DP3)에는 예를 들면 도 17 및 도 18에 도시한 바와 같이 커먼 전위의 전극(UC)과 일체적으로 해서, 유효 표시 영역 내의 화소의 화소 전극(PX)과 동일 층에 더미의 화소 전극을 설치할 수 있다. 이에 의해 유효 표시 영역의 좌측에 있는 제1 더미 화소 DP1과 제3 화소 DP3이 교대로 나란하게 있는 열의 최상층에는, 화소 전극과 커먼 전극이 교대로 배치된다. 17 and 18 show an example of such a configuration, for example, a circuit configuration as shown in FIG. For example, as shown in FIGS. 17 and 18, the third dummy pixel DP3 is integrally formed with the electrode UC of the common potential, and is dummy on the same layer as the pixel electrode PX of the pixel in the effective display area. Pixel electrodes can be provided. As a result, the pixel electrode and the common electrode are alternately arranged in the uppermost layer of the column in which the first dummy pixel DP1 and the third pixel DP3 on the left side of the effective display area are alternately side by side.

이러한 구성으로 하면, 예를 들면 하나 걸러 배치되어 있는 제1 더미 화소(DP1)와, 그 사이의 제3 더미 화소(DP3) 사이에서 단차 구조의 차를 작게 할 수 있다. 그 때문에 예를 들면 TFT기판(1) 위에 배향막을 설치할 때의 러빙 공정에 있어서 상기 단차에 의한 러빙 강도의 변동의 발생을 회피할 수 있다. With such a configuration, for example, the difference in the stepped structure between the first dummy pixels DP1 arranged every other and the third dummy pixels DP3 therebetween can be reduced. Therefore, for example, in the rubbing process at the time of providing the alignment film on the TFT substrate 1, the occurrence of fluctuations in the rubbing strength due to the step can be avoided.

도 19 내지 도 25는 상기 실시예의 제4의 변형예를 설명하기 위한 모식도로서, 도 19 내지 도 21은 각각 TFT기판의 회로구성을 나타내는 도면, 도 22는 도 20의 회로구성을 적용한 TFT기판의 구성예를 나타내는 확대 평면도, 도 23은 도 22의 E-E'선 단면도, 도 24는 도 20의 회로구성을 적용한 TFT기판의 다른 구성예를 나타내는 확대 평면도, 도 25는 도 24의 F-F'선 단면도이다. 19 to 25 are schematic diagrams for explaining a fourth modification of the above embodiment, wherein FIGS. 19 to 21 show circuit configurations of a TFT substrate, and FIG. 22 shows a TFT substrate to which the circuit configuration of FIG. 20 is applied. 23 is an enlarged plan view showing a configuration example, FIG. 23 is an sectional view taken along the line E-E 'of FIG. 22, FIG. 24 is an enlarged plan view showing another configuration example of the TFT substrate to which the circuit configuration of FIG. 20 is applied, and FIG. 25 is an F-F of FIG. It is a line cross section.

도 14 내지 도 18은 도 3에 나타낸 회로구성을 기본구성으로 해서 제1 더미 화소(DP1) 사이 또는 제2 더미 화소(DP2) 사이, 혹은 그 양쪽에 제3 더미 화소(DP3)를 배치한 회로구성을 나타내고 있다. 그러나 제3 더미 화소(DP3)를 배치할 경우, 예를 들면 도 19에 도시한 바와 같이 제2 더미 화소(DP2) 사이에만 제3 더미 화소(DP3)를 배치하고, 다시 그 외측에 더미 드레인 전극선(DL3m+2)을 배치하여도 된다. 또한 예를 들면 도 20에 도시한 바와 같이 제1 더미 화소(DP1) 사이에만 제3 더미 화소(DP3)를 배치하고, 다시 그 외측에 더미 드레인 전극선(DL0)을 배치하 여도 된다. 또한 이들을 조합해서 예를 들면 도 21에 도시한 바와 같이 제1 더미 화소(DP1) 사이와 제2 더미 화소(DP2) 사이의 양쪽에 배치하고, 그 외측에 각각 드레인 전극선(DL0, DL3m+2)을 배치하여도 된다. 14 to 18 are circuits in which the third dummy pixel DP3 is disposed between the first dummy pixel DP1, the second dummy pixel DP2, or both of them, based on the circuit configuration shown in FIG. 3. The configuration is shown. However, when the third dummy pixel DP3 is disposed, for example, as shown in FIG. 19, the third dummy pixel DP3 is disposed only between the second dummy pixel DP2, and again, the dummy drain electrode line outside the second dummy pixel DP3. You may arrange | position (DL 3m + 2 ). For example, as shown in FIG. 20, the third dummy pixel DP3 may be disposed only between the first dummy pixels DP1, and the dummy drain electrode line DL 0 may be disposed outside the third dummy pixel DP3. In combination of these, for example, as shown in FIG. 21, disposed between both of the first dummy pixel DP1 and the second dummy pixel DP2, and the drain electrode lines DL 0 and DL 3m + are respectively located on the outside thereof. You may arrange 2 ).

이러한 구성, 예를 들면 도 20에 도시한 바와 같은 회로구성으로 할 경우의 일례를 도 22 및 도 23에 나타낸다. 제3 더미 화소(DP3)에는 예를 들면 도 22 및 도 23에 도시한 바와 같이 커먼 전위의 전극(UC)과 일체적이며, 유효 영역 내의 화소의 화소 전극(PX)과 동일 층에 더미의 화소 전극(PXd)을 설치한다. 이러한 구성으로 하면, 예를 들면 하나 걸러 배치되어 있는 제1 더미 화소와, 그 사이의 제3 더미 화소 사이의 단차 구조의 차를 작게 할 수 있다. 그 때문에 예를 들면 TFT기판(1) 위에 배향막을 설치할 때의 러빙 공정에 있어서 상기 단차에 의한 래핑 강도의 변동의 발생을 회피할 수 있다. 22 and 23 show an example of such a configuration, for example, a circuit configuration as shown in FIG. For example, as shown in FIGS. 22 and 23, the third dummy pixel DP3 is integrated with the electrode UC of the common potential, and the dummy pixel is on the same layer as the pixel electrode PX of the pixel in the effective area. The electrode PXd is provided. With such a configuration, for example, the difference between the stepped structures between the first dummy pixels arranged every other and the third dummy pixels therebetween can be reduced. Therefore, for example, in the rubbing process at the time of providing the alignment film on the TFT substrate 1, the occurrence of the variation in the lapping strength due to the step can be avoided.

또한 도 20에 도시한 바와 같은 회로구성으로 할 경우, 제3 더미 화소(DP3)에 설치하는 더미의 화소 전극(PXd)은 예를 들면 도 24에 도시한 바와 같이 브릿지 배선(BR)과 일체화되고, 제1 더미 화소(DP1)의 커먼 전극(CT)과 접속함으로써 커먼 전위로 할 수 있다. In the circuit configuration shown in Fig. 20, the dummy pixel electrode PXd provided in the third dummy pixel DP3 is integrated with the bridge wiring BR as shown in Fig. 24, for example. By connecting to the common electrode CT of the first dummy pixel DP1, the common potential can be set.

도 26 내지 도 30은 상기 실시예의 제5의 변형예를 설명하기 위한 모식도로서, 도 26 내지 도 28은 각각 TFT기판의 회로구성을 나타내는 도면, 도 29는 도 27의 회로구성을 적용한 TFT기판의 구성예를 나타내는 확대 평면도, 도 30은 도 29의 G-G'선 단면도이다. 26 to 30 are schematic diagrams for explaining a fifth modification of the above embodiment, in which FIGS. 26 to 28 show circuit configurations of a TFT substrate, and FIG. 29 shows a TFT substrate to which the circuit configuration of FIG. 27 is applied. An enlarged plan view showing a configuration example, and FIG. 30 is a cross-sectional view taken along the line G-G 'of FIG.

상기 제3 및 제4의 변형예에서는 제3 더미 화소(DP3)로서, 커먼 전위의 화소 전극(PXd)을 설치하는 예를 들었다. 그러나 제3 더미 화소(DP3)에는 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 도 26에 도시한 바와 같이 제2 더미 화소(DP2) 사이에 TFT소자 및 화소 전극만을 배치하여도 된다. 이때 제2 더미 화소(DP2)의 외측에는 더미 드레인 전극선(DL3m+2)을 배치해 놓고, 제3 더미 화소(DP3)의 TFT소자를 접속해 둔다. 또한 예를 들면 도 27에 도시한 바와 같이 제1 더미 화소(DP1) 사이에만 제3 더미 화소(DP3)를 배치하고, 다시 그 외측에 더미 드레인 전극선(DL0)을 배치하여도 된다. 또한 이들을 조합해서 예를 들면 도 28에 도시한 바와 같이 제1 더미 화소(DP1) 사이와 제2 더미 화소(DP2) 사이의 양쪽에 배치하고, 그 외측에 각각 드레인 전극선(DL0, DL3m+2)을 배치하여도 된다. In the third and fourth modifications, the pixel electrode PXd at the common potential is provided as the third dummy pixel DP3. However, the third dummy pixel DP3 is not limited to this. For example, as shown in FIG. 26, only the TFT element and the pixel electrode may be disposed between the second dummy pixels DP2. At this time, the dummy drain electrode line DL 3m + 2 is disposed outside the second dummy pixel DP2, and the TFT elements of the third dummy pixel DP3 are connected. For example, as shown in FIG. 27, the third dummy pixel DP3 may be disposed only between the first dummy pixels DP1, and the dummy drain electrode line DL 0 may be further disposed outside thereof. In combination of these, for example, as shown in FIG. 28, the first dummy pixel DP1 and the second dummy pixel DP2 are disposed on both sides thereof, and the drain electrode lines DL 0 and DL 3m + are respectively located on the outside thereof. You may arrange 2 ).

이러한 구성, 예를 들면 도 27에 도시한 바와 같은 회로구성으로 할 경우의 일례를 도 29 및 도 30에 나타낸다. 제3 더미 화소(DP3)에는 예를 들면 도 29 및 도 30에 도시한 바와 같이 유효 영역 내의 화소의 화소 전극(PX)과 동일 층에 더미의 화소 전극(PXd)을 설치한다. 또한 이때 더미의 화소 전극(PXd)과 겹치는 커먼 전극(CT)은 설치하지 않도록 한다. 이러한 구성으로 하면, 예를 들면 하나 걸러 배치되어 있는 제1 더미 화소(DP1)와, 그 사이의 제3 더미 화소(DP3) 사이의 단차 구조의 차를 작게 할 수 있다. 그 때문에 예를 들면 TFT기판(1) 위에 배향막을 설치할 때의 래핑 공정에 있어서, 상기 단차에 의한 래핑 강도의 변동의 발생을 회피할 수 있다. 29 and 30 show an example of such a configuration, for example, a circuit configuration as shown in FIG. 27. For example, as illustrated in FIGS. 29 and 30, the dummy pixel electrode PXd is provided on the same layer as the pixel electrode PX of the pixel in the effective area as shown in FIGS. 29 and 30. At this time, the common electrode CT overlapping the dummy pixel electrode PXd is not provided. With such a configuration, for example, the difference in the stepped structure between the first dummy pixels DP1 arranged every other and the third dummy pixels DP3 therebetween can be reduced. Therefore, in the lapping process at the time of providing an oriented film on the TFT substrate 1, for example, the occurrence of fluctuation in lapping strength due to the step can be avoided.

이상에서 본 발명을 상기 실시예에 기초해서 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경가능한 것은 물론이다. As mentioned above, although this invention was demonstrated concretely based on the said Example, this invention is not limited to the said Example, Of course, various changes are possible in the range which does not deviate from the summary.

예를 들면 상기 실시예 및 그 변형예에서는 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같은 액정표시 패널의 TFT기판(1)을 예로 들고 있다. 그러나 본 발명은 상기 액정 표시 패널에 한하지 않고, TFT소자가 화소 단위로 배치된 여러 가지 표시 패널에 적용가능한 것은 물론이다. For example, in the above embodiment and its modification, the TFT substrate 1 of the liquid crystal display panel as shown in Figs. 1 and 2 is taken as an example. However, the present invention is not limited to the above liquid crystal display panel, and of course, the TFT element can be applied to various display panels in which pixel units are arranged.

본 발명의 표시 장치는, 인접하는 드레인 전극선에 1프레임 사이에 걸쳐 커먼 전위에 대해서 각각 반대 극성의 신호를 부여하도록 구동할 수 있다. 그때 TFT소자가 드레인 전극선에 교대로 접속되어 있음으로써, 1프레임 동안 영상 신호선의 극성을 동일하게 하면서, 매트릭스 형상의 화소의 화소 전극에 기입되는 신호를 인접하는 화소에서 상호 극성이 반전되는 도트 반전으로 할 수 있다. 이에 의해, 종래의 프레임 반전의 결점이었던 플리커를 해소할 수 있다. 또한 프레임 반전의 특징인, 극성이 전환되는 간격이 긴 것에 의해 드레인 신호선에의 충 방전 횟수가 도트 반전에 비해 격감하여, 고 리프레시 레이트, 예를 들면 100Hz이상, 구체적으로는 120Hz에서의 프레임 레이트에서의 구동이 가능해진다. The display device of the present invention can be driven to give signals of opposite polarities to common potentials over one frame to adjacent drain electrode lines. At this time, the TFT elements are alternately connected to the drain electrode line, thereby making the same polarity of the video signal line for one frame, and converting the signals written to the pixel electrodes of the matrix-shaped pixels into dot inversion in which mutual polarities are inverted in adjacent pixels. can do. Thereby, flicker which was a drawback of the conventional frame inversion can be eliminated. In addition, the number of charge-discharges to the drain signal line decreases significantly compared to dot inversion due to the long intervals in which the polarity is switched, which is a characteristic of frame inversion, and at a high refresh rate, for example, at a frame rate of 100 Hz or more, specifically 120 Hz Can be driven.

Claims (17)

TFT소자 및 화소 전극이 드레인 전극선과 게이트 전극선에 의해 정의되는 화소 영역마다 배치된 표시 패널을 갖는 표시 장치로서,As a display value having TFTs and pixel electrodes having display panels arranged for each pixel region defined by the drain electrode line and the gate electrode line, 상기 표시 패널은, 유효 표시 영역의 단부 중, 게이트 전극선의 연장 방향의 한쪽 단부의 외측에 위치하는 드레인 전극선에 있어서, 해당 드레인 전극선의 연장 방향의 한쪽 단부부터 세서 짝수 개째의 게이트 전극선에 접속된 TFT소자를 갖는 제1 더미 화소가 배치되고,The display panel includes TFTs connected to even-numbered gate electrode lines from one end portion in the extension direction of the drain electrode line in a drain electrode line positioned outside the one end portion in the extending direction of the gate electrode line among the end portions of the effective display area. A first dummy pixel having an element is disposed, 유효 표시 영역의 단부 중, 상기 게이트 전극선의 연장 방향의 다른 쪽 단부의 외측에 위치하는 드레인 전극선에 있어서, 해당 드레인 전극선의 연장 방향의 상기 한쪽 단부부터 세서 홀수 개째의 게이트 전극선에 접속된 TFT소자를 갖는 제2 더미 화소가 배치되어 있고, A TFT element connected to an odd-numbered gate electrode line from one end in the extending direction of the drain electrode line in a drain electrode line located outside the other end in the extending direction of the gate electrode line among the ends of the effective display area. A second dummy pixel having 각 드레인 전극선은, 해당 드레인 전극선에 접속된 각 화소의 TFT소자가 연장 방향을 따라 교대로 배치되어 있고, In each drain electrode line, TFT elements of each pixel connected to the drain electrode line are alternately arranged along the extension direction, 상기 게이트 전극선의 연장 방향의 단부의 각 드레인 전극선은, 유효 표시 영역 내에 배치된 복수의 TFT소자와, 상기 유효 표시 영역 외에 배치된 복수의 제1 또는 제2 더미 화소에 접속되어 있고,Each drain electrode line at an end in the extending direction of the gate electrode line is connected to a plurality of TFT elements arranged in the effective display area and a plurality of first or second dummy pixels arranged outside the effective display area, 상기 각 드레인 전극선에 접속된 상기 복수의 TFT소자와 상기 복수의 제1 또는 제2 더미 화소는, 상기 각 드레인 전극선의 연장 방향에 따라 교대로 배치되어 있고,The plurality of TFT elements and the plurality of first or second dummy pixels connected to the respective drain electrode lines are alternately arranged along the extending direction of the respective drain electrode lines, 상기 복수의 제1 더미 화소 사이에, 또는 상기 복수의 제2 더미 화소 사이에 제3 더미 화소가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.A third dummy pixel is disposed between the plurality of first dummy pixels or between the plurality of second dummy pixels. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 더미 화소가 배치된 단부가, 상기 게이트 전극선의 입력단측인 것을 특징으로 하는 표시 장치. And an end portion at which the first dummy pixel is disposed is an input end side of the gate electrode line. 제1항 또는 제2항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 제1 및 제2 더미 화소는 유효 표시 영역 내의 화소와 동일한 구성인 것을 특징으로 하는 표시 장치. And the first and second dummy pixels have the same configuration as the pixels in the effective display area. 제1항 또는 제2항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 제1 및 제2 더미 화소는 TFT소자만을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치. And the first and second dummy pixels have only TFT elements. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 또는 제2 더미 화소의 외측에 더미 드레인 전극선을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.And a dummy drain electrode line outside the first or second dummy pixel. 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제3 더미 화소는 상기 유효 표시 영역 내의 화소의 화소 전극과 동일한 도전층에 더미 전극층을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치. And the third dummy pixel has a dummy electrode layer on the same conductive layer as the pixel electrode of the pixel in the effective display area. 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 제3 더미 화소는, 더미 드레인 전극선 및 상기 더미 전극층과 접속된 TFT소자를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치. And the third dummy pixel has a dummy drain electrode line and a TFT element connected to the dummy electrode layer. 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 더미 화소의 형성 영역은, 차광되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치. The formation area of the dummy pixel is shielded from light. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 더미 화소가 형성되지 않은 화소 영역에 대향 전극이 형성되고,An opposite electrode is formed in the pixel area where the dummy pixel is not formed; 상기 대향 전극은, 화소 영역을 둘러싸는 상기 드레인 전극선과 상기 게이트 전극선을 따른 변을 갖는 평면형의 전극 형상이고,The counter electrode has a planar electrode shape having sides along the drain electrode line and the gate electrode line surrounding the pixel region, 상기 화소 전극은, 상기 대향 전극에 중첩하고, 또한 2개의 방향으로 형성된 슬릿을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The pixel electrode has a slit overlapping the counter electrode and formed in two directions. 삭제delete 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 제3 더미 화소는 TFT 소자를 포함하지 않고, 상기 제3 더미 화소 내의 화소 전극은, 상기 대향 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The third dummy pixel does not include a TFT element, and the pixel electrode in the third dummy pixel is electrically connected to the counter electrode.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990001493A (en) * 1997-06-16 1999-01-15 윤종용 Liquid crystal panel for dot inversion driving and liquid crystal display device using the same
KR20020028477A (en) * 2000-10-10 2002-04-17 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 Fringe field switching mode lcd
KR20030083313A (en) * 2002-04-20 2003-10-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Method and apparatus for liquid crystal display device
KR20040041810A (en) * 2002-11-11 2004-05-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid crystal panel, apparatus and method of driving the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990001493A (en) * 1997-06-16 1999-01-15 윤종용 Liquid crystal panel for dot inversion driving and liquid crystal display device using the same
KR20020028477A (en) * 2000-10-10 2002-04-17 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 Fringe field switching mode lcd
KR20030083313A (en) * 2002-04-20 2003-10-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Method and apparatus for liquid crystal display device
KR20040041810A (en) * 2002-11-11 2004-05-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid crystal panel, apparatus and method of driving the same

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