KR100892436B1 - 사산화바나듐으로부터 제조되는 바나듐 플레이크 제조방법 및 바나듐 단광 - Google Patents

사산화바나듐으로부터 제조되는 바나듐 플레이크 제조방법 및 바나듐 단광 Download PDF

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Abstract

본 발명은 사산화바나듐으로부터 제조되는 바나듐 플레이크 제조방법과 바나듐 단광에 관한 것이다.
본 발명의 바나듐 플레이크 제조방법은 사산화바나듐을 산 또는 염기 용액에 넣어 상기 사산화바나듐에 포함된 불순물을 침출, 여과시켜 수득된 여과물을 건조하고 이 건조 케이크를 700 ~ 1,000℃에서 용융시켜 바나듐 플레이크를 제조하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 바나듐 단광은 산 또는 염기 용액하에서 불순물을 침출, 여과하여 수득된 사산화바나듐 케이크 80 내지 94 중량%, 벤토나이트 3 내지 10중량% 및 SiO2-ash 3 내지 10중량%를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
사산화바나듐, 바나듐 플레이크, 바나듐 단광, 오산화바나듐

Description

사산화바나듐으로부터 제조되는 바나듐 플레이크 제조방법 및 바나듐 단광{PREPARING METHOD OF VANADIUM FLAKE FROM VANADIUM BUTOXIDE, AND VANADIUM BRIQUETTE}
도 1은 사산화바나듐을 이용하여 제조되는 본 발명의 바나듐 플레이크 및 바나듐 단광 제조공정도.
도 2는 본 발명의 바나듐 단광을 나타내는 도.
도 3은 본 발명의 바나듐 단광의 최대압축하중을 나타내는 그래프.
도 4는 본 발명의 바나듐 단광의 낙하강도지수를 나타내는 그래프.
본 발명은 사산화바나듐으로부터 제조되는 바나듐 플레이크 제조방법 및 바나듐 단광에 관한 것으로, 보다 상세하게는 바나듐 합금강 제조시 바나듐을 효율적으로 투여하기 위하여 바나듐 플레이크와 바나듐 단광을 제조하고, 또한 바나듐의 실수율을 높일 수 있는 바나듐 합금강 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 바나듐(vanadium)이 첨가되는 용강은 조선 및 건축 용도의 구조 용 강(structural steel), 저온 LNG 보관용 탱크(tank)나 베슬(vessel) 등의 압력용기용 강(pressure steel), 석유 및 원유, 천연가스 등을 수송하는 파이프용 강 (Line pipe steel) 등의 용도로 사용된다. 용강에서 바나듐은 슬라브, 코일 및 플레이트(plate) 등에서 오스테나이트(austenite) 결정립 크기를 미세화시켜 제품의 강도를 향상시키기 때문에 주로 상기와 같이 고강도를 요구하는 강종에 첨가된다.
보통 바나듐 합금강 제조시 사용되는 바나듐은 페로바나듐(ferro-vanadium: FeV) 형태로써, 상기 페로바나듐은 바나듐 함량이 75~85중량%, 철(Fe) 함량이 15~25중량%이다. 상기 페로바나듐은 오산화바나듐을 주원료로 사용하여 제조되며, 그 반응식은 하기 화학식 1과 같다.
Fe + 3V2O5 + 10Al = FeV6 + 5Al2O3 [화학식 1]
화학식 1의 페로바나듐은 인체에 치명적인 오산화바나듐을 사용한다는 문제점이 있고 또한 페로바나듐을 제조하는 과정에서 철 스크랩(scrap)과 알루미늄 분말(aluminum powder)이 사용되며 원광(raw ore) 형태에서 추가적인 처리공정이 소요됨에 따라 제조비용이 상승하는 문제점이 있으며, 이를 래들내 투입시 온도를 저하시킨다는 단점이 있다. 또한 페로바나듐 제련시 사람 몸에 유해한 가스와 분진이 일시에 다량 발생하여 이를 처리하기 위한 집진설비설치비와 운영비가 고가로 소요된다. 또한 환원제련 반응시 오산화바나듐의 비중이 낮아 반응 후에도 하층부에 위치한 메탈(Fe-V)에 침지되어야 할 바나듐의 일부가 상층부인 슬래그에 유입되어 약 2% 유실되는 문제점도 있다.
종래에 용강내 바나듐을 첨가하기 위한 방법을 살펴보면 다음과 같다. 먼저 전로공정에서 정련작업이 완료된 용강을 래들(Ladle)로 출강한다. 용강을 출강하면서 용강 특성에 따라 알루미늄, 실리콘, 망간, 페로바나듐 및 기타 합금철이 첨가되고, 필요에 따라 래들 슬래그를 조재하기 위한 생석회(lime)나 형석(fluospar) 등이 첨가된다. 또한 고가의 페로바나듐 대신 오산화바나듐과 알루미늄을 직접 투입하는 방법이 있다. 이후 래들은 버블링장(bubbliong station)으로 옮겨져 용강교반을 실시한 후, 필요시에 용강을 담은 래들을 용강승온설비로(Ladle Furnace; LF)로 이송하고, 아크(Arc) 가열을 실시하여 용강 온도를 적정범위로 조정하거나, 래들을 RH 또는 VTD(Vacuum Tank Degasser) 등의 진공 탈가스 장치로 이송하여 용강을 수 토르(torr) 정도의 감압상태로 유지하여 용강 중 수소 및 질소가스를 제거하게 된다.
따라서 기존 방법에서는 독성이 있는 오산화바나듐을 사용한다는 문제가 있었었고, 또한 2차 정련 공정에서 바나듐를 투여함으로써 바나듐의 분배비가 높아지는 문제가 있었다.
이에, 본 발명의 발명자는 심혈을 기울여 연구한 결과, 바나듐 합금강 제조시 바나듐을 효율적으로 투여하기 위하여 바나듐 플레이크와 바나듐 단광을 제조하고, 또한 바나듐의 실수율을 높일 수 있는 바나듐 합금강 제조방법을 개발하여 본 발명에 이르렀다.
본 발명의 목적은 바나듐 합금강 제조시 바나듐을 효율적으로 투여하기 위하 여, 사산화바나듐으로부터 제조되는 바나듐 플레이크와 바나듐 단광을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 저농도의 사산화바나듐으로부터 불순물을 제거하여 바나듐 플레이크와 바나듐 단광을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 바나듐 합금강 제조시, 투여되는 바나듐량 대비 바나듐 함량이 높은 바나듐 합금강을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
먼저, 본 발명의 바나듐 플레이크 제조방법에 대하여 설명한다.
본 발명의 바나듐 플레이크 제조방법은, 사산화바나듐을 산 또는 염기 용액에 넣어 상기 사산화바나듐에 포함된 불순물을 침출, 여과시켜 수득된 여과물을 건조하고 이 건조 케이크를 700 ~ 1,000℃에서 용융시켜 제조하는 것을 특징으로 한다.
도 1에 사산화바나듐을 이용하여 제조되는 본 발명의 바나듐 플레이크 제조공정도가 제시되어 있다. 본 발명의 바나듐 플레이크는 사산화바나듐으로부터 제조되는데, 먼저 사산화바나듐에 포함된 불순물을 제거하고 사산화바나듐의 농도를 증가시키기 위하여 사산화바나듐을 산 또는 염기 용액에서 추출하는 단계를 거친다. 이는 특히 사산화바나듐에 포함된 황(sulfur)을 정제하기 위한 것으로 사산화바나듐에 황이 포함되어 있으면 강의 특성을 저하시키기 때문이다.
이 때, 산 용액으로 추출할 경우 사용되는 산은 질산(HNO3) 염산(HCl) 및 황산(H2SO4)으로 구성되는 군에서 적어도 하나 이상 선택되고, 산의 농도는 0.1 내지 4.0N이 바람직하다. 염기 용액으로 추출할 경우 사용되는 염기는 수산화나트륨(NaOH) 또는 탄산나트륨(Na2CO3)이며, 염기의 농도는 0.1 내지 4.0N이 바람직하다. 상기에서 산 또는 염기 용액의 농도가 0.1N 미만이면 사산화바나듐에 포함된 황의 추출 효과가 미비하고 4.0N을 초과하면 황을 포함한 불순물 이외의 유효 물질까지 녹게 되어 산출되는 바나듐 플레이크의 양이 적게 된다.
본 발명의 바나듐 플레이크를 제조하는 데 있어서, 사산화바나듐에 포함되어 있는 황을 포함한 불순물을 제거하기 위하여 산 또는 염기 용액의 농도는 1.0N 내지 3.0N이 보다 바람직하다.
또한, 이 때 사산화바나듐을 포함하는 산 또는 염기 용액의 광액 농도는 5 내지 30%로 하는 것이 바람직하다. 광액 농도가 5% 미만이면 사산화바나듐까지 녹게되어 산출되는 바나듐 플레이크의 양이 적은 문제점이 있고, 광액 농도가 30%를 초과하면 황의 추출 효과가 미비한 문제점이 있다. 본 발명에서의 광액농도는 산 또는 염기용액 ℓ당 사산화바나듐이 투여되는 kg을 의미한다. 즉, 본 발명에서는 산 또는 염기 용액 1ℓ당 사산화바나듐 0.05 내지 0.3kg이 투여되는 것이 바람직하다.
상기에서와 같이 사산화바나듐을 산 또는 염기 용액으로 추출하는 단계를 거치면 사산화바나듐에 포함되어 있는 황과 일부 물질이 산 및 염기 용액에 녹게 되므로 이를 여과시키면 황 등의 불순물이 제거되게 된다.
이어 상기 여과물을 건조하고 상기 건조물을 700 내지 1,000℃에서 용융시키면 바나듐 플레이크가 제조된다. 이 때 용융 온도가 700℃ 미만이면 건조물이 녹다말아 플레이크 형성이 제대로 이루어지지 않는 문제점이 있고, 1000℃를 초과하면 특별한 잇점없이 경제적이지 못한 문제점이 있다. 바람직하게는 900 내지 1000℃가 바람직하다.
이어, 본 발명의 바나듐 단광에 대하여 설명한다.
도 1에 또한 본 발명의 바나듐 단광 제조공정도가 제시되어 있다. 본 발명의 바나듐 단광은, 산 또는 염기 용액하에서 불순물을 침출, 여과하여 수득된 사산화바나듐 케이크를 벤토나이트와 SiO2-ash를 적정비율 혼합하여 제조된다. 본 발명의 바나듐 단광이 도 2에 도시되어 있다.
본 발명의 바나듐 단광에 이용되는 사산화바나듐 케이크는 앞서 바나듐 플레이크 제조시 사산화바나듐을 산 또는 염기 용액에 넣어 불순물을 침출시켜 여과하여 얻어진 여과물과 동일한 것이다. 따라서, 앞서 바나듐 플레이크 제조를 위한 산 또는 염기 용액의 농도 및 광액 농도도 동일하게 적용된다.
본 발명의 바나듐 단광은 상기 사산화바나듐 케이크 80 내지 94 중량%, 벤토나이트 3 내지 10중량% 및 SiO2-ash 3 내지 10중량%를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
상기한 비율로 본 발명의 바나듐 단광을 제조할 때 적정량의 물이 투입될 수 있다. 즉, 사산화바나듐 케이크의 함수율이 20% 이하이면 물을 투여하는 것이 바람직하다. 이는 단광제조를 용이하게 하기 위한 것으로 투입되는 물의 양은 적정 조절될 수 있다.
본 발명의 바나듐 단광이 상기한 조성 성분과 조성 비율로 이루어질 때 최대 압축하중이 50kg 이상이 되며 또한 낙하강도지수가 85% 이상이 되어 단광으로서의 효율성이 최대가 된다.
본 발명의 바나듐 단광 제조시 벤토나이트의 함량이 3중량% 미만일 경우에는 조성물이 잘 뭉쳐지지 않아 단광 제조에 어려움이 있고 벤토나이트의 함량이 10중량%를 초과하면 사산화바나듐 케이크의 함량이 상대적으로 적게 되어 바나듐 단광으로서의 효용성이 떨어지게 된다.
또한, 본 발명의 바나듐 단광 제조시 SiO2-ash의 함량이 3중량% 미만일 경우에는 제조된 단광이 잘 깨지는 문제점이 있고 SiO2-ash의 함량이 10중량%를 초과하면 사산화바나듐 케이크의 함량이 상대적으로 적게 되어 바나듐 단광으로서의 효용성이 떨어지게 된다.
본 발명의 바나듐 단광에 있어서, SiO2-ash는 본 발명의 기술분야에서 통상적으로 사용되는 SiO2-ash가 사용된다.
본 발명의 바나듐 플레이크 또는 바나듐 단광을 제조시에는 저농도의 사산화바나듐이 이용될 수 있다.
특히, 본 발명에서 바람직하게 사용되는 사산화바나듐은, 본 발명자의 등록특허 제516976호(2005년 09월 15일 등록)에 기재된 중유회 또는 오리멀젼회로부터 회수되는 사산화바나듐이다. 상기 특허에서 수득된 사산화바나듐은 바나듐의 함량이 적은 저농도이며 또한 강의 특성을 저하시키는 황의 함량이 많아 이를 그대로 사용하게 되면 바나듐의 특성을 발휘하는데 한계가 있는 것이다. 그러나 본 발명에서 사용되는 사산화바나듐이 이에 한정되는 것은 아니며, 저농도의 사산화바나듐을 이용할 경우에도 탁월한 효과를 나타낸다는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 발명의 바나듐 플레이크와 바나듐 단광은 정제된 사산화바나듐의 수송성, 저장성, 저장조에서의 배출성 등의 작업성과 용강에 투입했을 때의 용해성을 개선하고, 이러한 과정 중에서의 분진발생을 억제할 수 있는 효과가 있다.
이어, 바나듐 합금강 제조시 투여되는 바나듐량 대비 바나듐 함량이 높은 바나듐 합금강 제조방법을 설명한다.
본 발명의 바나듐 합금강 제조방법은, 전로 공정과 2차 정련 공정을 포함하여 이루어지는 바나듐 합금강 제조방법에 있어서, 바나듐 산화물, 바나듐 플레이크 및 바나듐 단광으로 구성되는 군에서 적어도 하나 이상 선택되는 바나듐을 상기 전로 공정의 용강에 투입하여 정련하는 것을 특징으로 한다.
전로공정은 전로에 쇳물을 부은 후 고압, 고순도의 산소를 불어넣어 탄소를 태우고 불순물을 없애는 공정으로서 철강의 기본적인 품질을 결정하는 공정이다.
2차 정련공정은 최종제품 내부품질(성부, 재질 등) 요구 조건에 맞게 제어하는 공정이다.
본 발명의 바나듐 합금강 제조방법에서는 투여되는 바나듐이 바나듐 산화물, 바나듐 플레이크 및/또는 바나듐 단광의 형태로 투여되는데, 이들이 전로공정에 투입된다. 바나듐이 전로공정에 투입되면 최종 생산되는 바나듐 합금강에 잔존하는 바나듐의 함량이 높게 된다.
즉, 2차 정련 공정에서 페로바나듐을 첨가하는 기존의 방법에서는 슬래그로 나가는 바나듐의 양이 많았으나, 본 발명의 바나듐 합금강 제조방법에서는 90% 이 상의 바나듐 회수율을 나타낸다. 다시말해, 전로공정에서 첨가제로 투여되는 바나듐량 대비 2차 정련후 제조되는 바나듐 합금강에 내재하는 바나듐 잔존비가 90% 이상이 된다.
본 발명의 바나듐 합금강 제조방법에서, 바나듐 산화물은 사산화바나듐 또는 오산화바나듐이 바람직하게 사용된다. 또한, 본 발명의 바나듐 합금강 제조방법에서, 본 발명의 바나듐 플레이크와 바나듐 단광이 사용될 수 있다.
그러나 본 발명의 바나듐 합금강 제조방법에서 사용되는 바나듐 플레이크와 바나듐 단광이 본 발명의 바나듐 플레이크와 바나듐 단광에 한정되는 것은 아니며, 어떠한 바나듐 플레이크와 바나듐 단광이 사용될 수 있다.
사산화바나듐이 전로공정에 투여될때 반응식은 하기의 화학식 2와 같다. 용강에 투입된 사산화바나듐은 용강 중의 알루미늄에 의하여 환원된다.
3V2O4 + 8Al = 6V + 4Al2O3 [화학식 2]
본 발명의 바나듐 합금강 제조방법에서 바나듐 산화물, 바나듐 플레이크 및/또는 바나듐 단광이 투여되는 량은 제조되는 바나듐 합금강의 용도 및 제조조건에 따라 달라질 것이다.
본 발명의 바나듐 합금강 제조방법에서는, 전로 슬래그가 CaO 37~57중량%, SiO2 10~39중량%, Al2O3 15~58중량% 및 MgO 5중량%로 이루어지는 전로 슬래그 조건하에서 바나듐 분배비가 감소하게 된다. 이는 상기와 같은 전로 슬래그 조건하에서 슬래그 중 자유 산소 이온의 포텐셜(potential)이 증가하기 때문이다. 이는 활동도 계수의 증가로부터 설명 가능하고, 이로부터 바나듐은 산소 이온을 제공하는 염기성 거동을 하는 것으로 판단된다. 일정한 염기도(C/S)에서 Al2O3의 농도를 증가시킴에 따라 바나듐의 분배비는 증가한다. 이는 본 슬래그에서 Al2O3가 산성 거동을 보이므로 염기성 거동을 하는 바나듐의 활동도계수의 감소에 의한 것으로 판단된다. 또한 바나듐 회수율이 높은 최적의 슬래그 조성에서 물질수지 계산결과 잔존하는 황의 농도가 수 ppm으로 탈황에도 유리하다.
이하, 바나듐 플레이크와 바나듐 단광의 제조방법 및 바나듐 합금강 제조방법을 실시예를 통하여 구체적으로 설명한다.
[실시예 1] 바나듐 플레이크 제조
바나듐 함량이 32중량%, 황 함량이 9중량%인 사산화바나듐 10kg을 용기에 투입하고 광액농도 20%가 되도록 1N 질산 50ℓ를 투입하였다. 3시간 동안 세척 후 여과하여 여과된 케이크를 건조하였다. 이 건조 케이크를 X선 형광분석기(XRF)로 측정하여 각각의 금속함량을 측정한 후, 그 결과를 [표 1]에 나타내었다. 상기 건조 케이크를 로(furnace)에서 900℃의 온도에서 용융시켜 바나듐 플레이크를 제조하였다.
원소 정제전 함유량(%) 정제후 함유량(%)
Na 8.60 0.59
Mg 5.44 0.45
Al 1.66 1.03
S 9.31 0.13
V 32.17 54.70
Mn 1.20 0.16
Fe 5.80 12.83
Ni 10.89 3.82
O, C, N 잔여분 잔여분
표 1에 제시되어 있는 바와 같이, 바나듐 함량은 32.17%에서 54.70%로 70% 함량이 증가하였으며, 황은 9.31%에서 0.13%로 98.6% 감소되어 산에 의해 정제되었음을 알 수 있다.
[실시예 2] 바나듐 플레이크 제조
바나듐 함량이 32중량%, 황 함량이 9중량%인 사산화바나듐 10kg을 용기에 투입하고 광액농도 25%가 되도록 1N 염산 40ℓ를 투입하였다. 3시간 동안 세척 후 여과하여 여과된 케이크를 건조하였다. 상기 케이크를 로에서 900℃의 온도에서 용융시켜 바나듐 플레이크를 만들었다. 상기 건조케이크 및 바나듐 플레이크의 금속함량을 X선 형광분석기로 측정하고 그 결과를 [표 2]에 나타내었다.
원소 정제전 함유랑 1차 정제후 함유량 바나듐 플레이크
Na 8.60 0.58 0.85
Mg 5.44 0.44 0.58
Al 1.66 1.02 1.21
S 9.31 0.12 0.06
V 32.17 54.69 61.86
Mn 1.204 0.11 0.24
Fe 5.80 12.82 15.93
Ni 10.89 3.82 5.48
O, C, N 잔여분 잔여분 잔여분
[실시예 3] 바나듐 단광 제조
바나듐 함량이 32중량%, 황 함량이 9중량%인 사산화바나듐 60kg을 용기에 투입하고 광액농도 25%가 되도록 1N 염산 240ℓ를 투입하였다. 3시간 동안 세척 후 여과하여 케이크(함수율 70%)를 수득하였다. 하기 A, B, C과 같이 여과케이크, 벤토나이트, SiO2-ash를 각각 혼합하여 단광제조장치에 투입하여 바나듐 단광을 제조하였다.
A : 여과케이크 14.1kg + 벤토나이트 0.45kg + SiO2-ash 0.45kg
B : 여과케이크 13.5kg + 벤토나이트 0.75kg + SiO2-ash 0.75kg
C : 여과케이크 12kg + 벤토나이트 1.5kg + SiO2-ash 1.5kg
[시험예 1] 바나듐 단광의 최대압축하중 측정
실시예 3에서 제조된 바나듐 단광(A, B, C)을 이용하여 최대압축하중을 측정하였다. 측정법은 하기의 방법을 따랐으며 그 결과를 표 3과 도 3에 도시하였다.
최대압축하중 측정법 :
① 하나의 시험편을 UTM 하부의 압축판의 표면 강화된 부분의 중앙에 위치시킨다.
② 실험하는 동안에는 20mm/min 사이의 일정한 압축속도로 유지하여 하중을 가한다.
③ 다음의 경우 실험을 완료한다.
- 기록된 최대하중의 50% 이하로 하중 값이 떨어졌을 경우
- 실험 조각의 초기 평균 지름의 50% 이하로 압축판 간격이 감소하였을 경우
④ 위의 두가지 경우에서, 최대압축하중은 실험에서 얻은 최대 하중값이 된다.
[시험예 2] 바나듐 단광의 낙하강도지수 측정
실시예 3에서 제조된 바나듐 단광(A, B, C)을 이용하여 낙하강도지수를 측정하였다. 측정법은 하기의 방법을 따랐으며 그 결과를 도 4에 도시하였다.
낙하강도시험방법 :
① 단광의 무게를 달아 2m 높이에서 두께 10mm 이상의 강판제에 낙하시킨다.
② 낙하한 시료 전량을 2m 높이에서 다시 낙하시킨다.
③ 낙하조작을 4회 반복한다.
④ 5.0mm 채를 사용하여 내린다.
⑤ 체 위 및 체 아래 시료를 다른 용기에 넣고 각각의 무게를 측정한다.
⑥ 낙하강도지수
m1
SI = ------ X 100
m0
SI = 낙하강도지수 (%)
m1 = 체가름 후 + 5.0mm인 시료의 무게(Kg)
m0 =시험전의 시료무게(Kg) (1kg 기준)
벤토나이트 + SiO2-ash 함량(%) 최대압축하중 낙하강도
A 3% + 3% (전체 6%) 52.8 80.00
B 5% + 5% (전체 10%) 56.5 89.46
C 10% + 10% (전체 20%) 73.5 96.22
[실시예 4]
1773 K, 10-16 atm의 산소분압 조건에서 전로의 용강에 바나듐과 황의 함량이 각각 470g과 33g인 사산화바나듐을 1kg 투입하였다. 2차 정련 공정 후 금속 중 바나듐과 황의 회수량은 각각 465g과 1.6g이었다. 따라서, 바나듐의 회수율이 98% 이상임을 확인할 수 있었고, 금속 중 황은 1.6 ppm 정도임을 확인할 수 있었다.
[실시예 5]
1773 K, 10-16 atm의 산소분압 조건에서 전로의 용강에 바나듐의 함량이 547g인 바나듐 플레이크를 1kg 투입하였다. 2차 정련 공정 후 금속 중 바나듐의 회수량은 530g이었다.
[실시예 6]
1773 K, 10-16 atm의 산소분압 조건에서 전로의 용강에 바나듐의 함량이 618g인 바나듐 플레이크를 1kg 투입하였다. 2차 정련 공정 후 금속 중 바나듐의 회수량은 590g이었다.
[실시예 7]
1773 K, 10-16 atm의 산소분압 조건에서 전로의 용강에 바나듐 함량이 4.5kg인 바나듐 단광 15kg 투입하였다. 2차 정련 공정 후 금속 중 바나듐의 회수량은 4.3kg이었다.
실시예 4~7의 결과로 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 바나듐 합금강 제조방법을 이용하면 바나듐의 회수율이 95% 이상으로 높아 효율좋게 바나듐 합금강을 제조할 수 있다.
이상에서 본 발명의 구체예가 제시되어 있지만 본 발명이 상기에 한정되는 것은 아니며 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양하게 변형 가능하고 이러한 변형은 하기한 본 발명의 청구범위에 속한다 할 것이다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 바나듐 플레이크와 바나듐 단광은 사산화바나듐을 이용하여 제조되고 또한 황을 정제하여 바나듐의 함량을 높임으로써 사산화바나듐의 수송성, 저장성, 저장조에서의 배출성 효율을 높일 수 있을 뿐만 아니라 기존에 사용되던 고가의 페로바나듐을 대체하여 사용됨으로써 비용을 절감할 수 있다.
또한, 본 발명의 바나듐 합금강 제조방법으로 바나듐 합금강을 제조하게 되면 바나듐의 환원율이 극대화됨으로써 바나듐의 분배비를 최소화하여 적은 양의 바나듐을 사용하여도 바나듐 합금강을 제조할 수 있게 되어 바나듐 합금강 제조비용을 줄일 수 있다.

Claims (7)

  1. 사산화바나듐을, 질산, 염산 및 황산으로 구성되는 군에서 적어도 하나 이상 선택되는 0.1N 내지 4.0N의 농도인 산 용액 또는 수산화나트륨 또는 탄산나트륨 0.1N 내지 4.0N의 농도인 염기 용액에 넣어 상기 사산화바나듐에 포함된 불순물을 침출, 여과시켜 수득된 여과물을 건조하고 이 건조 케이크를 700 ~ 1,000℃에서 용융시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 바나듐 플레이크 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 산 또는 염기 용액 1ℓ당 사산화바나듐 0.05 내지 0.3kg이 투여되는 것을 특징으로 하는 바나듐 플레이크 제조방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 산 또는 염기 용액하에서 불순물을 침출, 여과하여 수득된 사산화바나듐 케 이크 80 내지 94 중량%, 벤토나이트 3 내지 10중량% 및 SiO2-ash 3 내지 10중량%를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 바나듐 단광.
  6. 삭제
  7. 삭제
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