KR100890616B1 - Substrate treating apparatus - Google Patents

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Abstract

기판처리장치가 제공된다. 이 기판처리장치는 표면이 중심영역으로부터 상기 중심영역을 둘러싸는 주변영역 쪽으로 하향 경사지는 스핀 헤드를 포함한다. 이 기판처리장치에 의하면, 약액 등이 스핀 헤드의 표면에 정체되지 않고, 하향 경사지는 표면을 따라 자연스럽게 외부로 흘러나간다. 따라서, 스핀 헤드 상에 약액등이 정체되는 현상을 방지할 수 있다. A substrate processing apparatus is provided. The substrate processing apparatus includes a spin head whose surface is inclined downward from the central region toward the peripheral region surrounding the central region. According to this substrate processing apparatus, the chemical liquid or the like does not stagnate on the surface of the spin head, but naturally flows out along the downwardly inclined surface. Therefore, it is possible to prevent the phenomenon of stagnant chemicals and the like on the spin head.

Description

기판처리장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}Substrate Processing Equipment {SUBSTRATE TREATING APPARATUS}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 회전하는 기판에 소정의 액처리를 실시하는 기판처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for performing a predetermined liquid treatment on a rotating substrate.

반도체 디바이스를 제조하기 위해서는 반도체 기판 상에 박막을 형성한다. 박막의 형성에는 에칭공정이 필수적이다. 기판의 배면에 증착된 박막 등은 후속공정에서 이물질로 작용한다. 따라서, 매엽식 기판처리장치를 이용하여, 기판 배면의 박막 등과 같은 이물질을 제거하기 위해 기판 배면의 에칭 처리는 대단히 중요하다.In order to manufacture a semiconductor device, a thin film is formed on a semiconductor substrate. An etching process is essential for forming a thin film. The thin film deposited on the back of the substrate acts as a foreign matter in a subsequent process. Therefore, the etching process of the back surface of a board | substrate is very important in order to remove a foreign material, such as a thin film on a back surface of a board | substrate using a single wafer type | mold substrate processing apparatus.

일반적으로 기판처리장치는 기판이 안착되는 스핀 헤드를 구비한다. 이 스핀 헤드는 구동모터에서 발생된 회전력에 의해 스핀 헤드가 회전한다. 이에 따라, 스핀 헤드 상에 장착된 기판이 회전한다. 스핀 헤드 상에는 백 노즐이 구비되어 있어 기판의 배면에 약액을 분사함으로써, 상술한 기판 배면의 에칭 처리가 진행된다. Generally, a substrate processing apparatus includes a spin head on which a substrate is mounted. The spin head is rotated by the rotational force generated by the drive motor. As a result, the substrate mounted on the spin head rotates. The back nozzle is provided on the spin head, and the chemical | medical agent is sprayed on the back surface of a board | substrate, and the above-mentioned etching process of a back surface of a board | substrate advances.

그런데, 기판이 놓이는 스핀 헤드의 표면은 지표면에 대해 수평을 유지한다. 따라서 저속 공정시 백 노즐로부터 공급되는 약액을 이용하여 기판 배면을 처리한 후, 처리되고 남은 약액이 스핀 헤드의 표면에 정체되는 경우가 발생한다. 이 경우, 상기 스핀 헤드의 표면에 약액이 장시간 동안 정체되면, 정체된 약액으로부터 발생하는 가스로 인해 기판의 공정처리능력이 저하된다.However, the surface of the spin head on which the substrate is placed is level with respect to the ground surface. Therefore, after treating the back surface of the substrate using the chemical liquid supplied from the back nozzle during the low speed process, the chemical liquid remaining after treatment is stagnated on the surface of the spin head. In this case, when the chemical liquid is stagnated for a long time on the surface of the spin head, the processing ability of the substrate is reduced due to the gas generated from the stagnant chemical liquid.

따라서, 본 발명의 목적은 약액이 스핀 헤드의 표면에 정체되는 현상을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of preventing the chemical liquid from stagnating on the surface of the spin head.

삭제delete

상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기판처리장치는 기판이 놓이는 표면을 갖는 스핀 헤드, 상기 표면으로부터 연장되어 상기 기판을 지지하는 지지부재들을 포함한다. 이때, 상기 표면은 중심영역으로부터 상기 중심영역을 둘러싸는 주변영역 쪽으로 하향 경사지는 것을 특징으로 한다.The substrate processing apparatus of the present invention for solving the above technical problem includes a spin head having a surface on which the substrate is placed, and support members extending from the surface to support the substrate. In this case, the surface is inclined downward from the central region toward the peripheral region surrounding the central region.

삭제delete

본 발명의 기판처리장치에 구비된 스핀 헤드는 중심에서 가장자리 쪽으로 하 향 경사지는 표면을 갖는다. 이러한 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법에 의하면, 백 노즐로부터 기판의 배면에 분사되는 약액이 하향 경사지는 표면을 따라 자연스럽게 외부로 배출되어 약액이 스핀헤드의 표면에 정체되는 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 기판처리장치는 정체된 약액으로부터 발생된 가스와 기판 간의 접촉을 차단함으로써, 기판의 공정처리능력을 향상시킬 수 있다.The spin head provided in the substrate processing apparatus of the present invention has a surface inclined downward from the center to the edge. According to the substrate processing apparatus and the substrate processing method using the same, the chemical liquid injected from the back nozzle to the back surface of the substrate is naturally discharged to the outside along the downwardly inclined surface to prevent the chemical liquid from stagnating on the surface of the spin head. . Therefore, the substrate processing apparatus of the present invention can improve the processing capability of the substrate by blocking the contact between the gas generated from the stagnant chemical liquid and the substrate.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 4를 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 위해 과장된 것이다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 4. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This example is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated for clarity.

본 발명에 따른 기판처리장치는 식각액을 사용하여 기판을 처리하는 식각 장치(1)등 다수의 약액을 웨이퍼 상에 각각 공급하여 공정을 수행하는 다양한 장치에 적용가능하다. 본 실시예에서는 상기 식각 장치로 적용된 기판처리장치를 예로 들어 설명하기로 한다. 또한, 본 실시예에서는 공정의 처리대상으로서 웨이퍼 등과 같은 반도체 기판을 예로 들어 설명하고 있으나 본 발명의 기판처리장치는 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.The substrate treating apparatus according to the present invention is applicable to various apparatuses which perform a process by supplying a plurality of chemical liquids onto a wafer, such as an etching apparatus 1 for treating a substrate using an etching liquid. In the present embodiment, a substrate processing apparatus applied as the etching apparatus will be described as an example. In addition, in the present embodiment, a semiconductor substrate such as a wafer is described as an example of a process target, but the substrate treating apparatus of the present invention is not limited thereto, and may be applied to various kinds of substrates such as glass substrates.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1)를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판처리장치(1)는 기판 지지부(100), 약액 공급부(200), 약액 회수부(300), 배기통(400) 및 승강부(500)를 포함한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a substrate support part 100, a chemical liquid supply part 200, a chemical liquid recovery part 300, an exhaust pipe 400, and a lift part 500.

기판 지지부(100)는 공정 진행 중 웨이퍼(W)가 놓이는 스테이지를 형성하며, 공정이 진행되는 동안 모터(180)에 의해 회전한다. 기판 지지부(100)는 원형의 표면을 갖는 스핀 헤드(110), 웨이퍼(W)를 지지하는 지지부재(120)들 및 웨이퍼의 배면을 처리하기 위해 약액을 분사하는 백 노즐(130)을 포함한다. 이때, 상기 원형의 표면은 그 중심에서 상기 중심을 둘러싸는 상기 표면의 가장자리 쪽으로 하향 경사지는 경사면을 포함한다. 이러한 스핀 헤드(110) 표면의 단면구조에 의해 웨이퍼의 처리를 위해 상기 백 노즐(130)로부터 분사된 약액이 웨이퍼(W)와 접촉된 이후, 상기 경사면을 따라 자연스럽게 외부로 배출될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 웨이퍼와 평행하게 형성된 스핀 헤드의 표면으로 인해 약액이 스핀 헤드의 표면에 정체되는 종래기술의 문제점을 해결할 수 있다. 상기 기판 지지부재(1)에 대한 구체적인 설명은 도 2 및 도 3을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. The substrate support part 100 forms a stage on which the wafer W is placed during the process, and is rotated by the motor 180 during the process. The substrate support part 100 includes a spin head 110 having a circular surface, support members 120 for supporting the wafer W, and a back nozzle 130 for injecting a chemical solution to process the back surface of the wafer. . The circular surface then comprises an inclined surface that slopes downward from its center toward the edge of the surface surrounding the center. Due to the cross-sectional structure of the surface of the spin head 110, the chemical liquid injected from the back nozzle 130 may be discharged to the outside along the inclined surface after contact with the wafer W for processing the wafer. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can solve the problem of the prior art in which the chemical liquid is stagnant on the surface of the spin head due to the surface of the spin head formed in parallel with the wafer. A detailed description of the substrate support member 1 will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3.

한편, 상기 스핀 헤드의 표면에는 웨이퍼(W)와 접촉되어 웨이퍼(W)를 지지하는 지지부재(120)들이 설치된다. 공정진행시 지지부재(120)들은 웨이퍼(W)의 가장자리 단부와 접촉되어 웨이퍼(W)가 정위치로부터의 이탈을 방지한다. 또한, 상기 기판 지지부(100)는 기판의 배면을 균일하게 에칭 처리하기 위한 백 노즐(500)을 더 포함한다. 상기 백 노즐(500)은 상기 웨이퍼(W)의 배면에 약액을 분사하여 상기 웨이퍼(W)의 배면을 균일하게 에칭 처리한다. On the other hand, the support member 120 is provided on the surface of the spin head in contact with the wafer (W) to support the wafer (W). During the process, the support members 120 are in contact with the edge end of the wafer W to prevent the wafer W from being displaced from its position. In addition, the substrate support part 100 further includes a back nozzle 500 for uniformly etching the back surface of the substrate. The back nozzle 500 sprays the chemical liquid on the back surface of the wafer W to uniformly etch the back surface of the wafer W.

약액 공급부(200)는 노즐 지지대(220), 이동 로드(240) 및 노즐(260)을 포함한다. 상기 노즐 지지대(220)은 상기 이동 로드(240) 상부에 연결되어 이동 로드(240)를 중심으로 선회 동작을 한다. 여기서, 이동 로드(240)는 수직 방향으로 세워져 있으며, 상기 노즐 지지대(220)은 상기 이동 로드(240)의 상부에 연결되어 수평 방향으로 지지된다. 노즐(260)은 노즐 지지대(220)의 단부에 연결되어 웨이퍼(W)의 전면에 약액을 분사한다. 약액은 불산(HF), 인산(H3PO4), 황산(H2SO4), 과산화수소(H2O2) 및 염산(HCl) 등 에칭되어야 할 막의 종류 등 에칭 공정에 따라 적절하게 선택된다.The chemical liquid supply unit 200 includes a nozzle support 220, a moving rod 240, and a nozzle 260. The nozzle support 220 is connected to an upper portion of the movable rod 240 to rotate around the movable rod 240. Here, the movable rod 240 is erected in the vertical direction, the nozzle support 220 is connected to the upper portion of the movable rod 240 is supported in the horizontal direction. The nozzle 260 is connected to the end of the nozzle support 220 to spray the chemical liquid on the front surface of the wafer (W). The chemical liquid is appropriately selected depending on the etching process such as the kind of film to be etched, such as hydrofluoric acid (HF), phosphoric acid (H3PO4), sulfuric acid (H2SO4), hydrogen peroxide (H2O2) and hydrochloric acid (HCl).

약액 회수부(300)는 노즐(260)로부터 공급되는 약액들을 각각 회수하여 약액(특히, 식각액)의 재사용이 가능하도록 한다. 약액 회수부(300)는 안쪽에 기판 지지부(100)가 위치되는 공간(330)을 제공한다. 약액 회수부(300)는 노즐 지지대(220)의 측방향으로 노즐(260)을 감싸도록 배치되는 약액 회수통(320, 340)들을 가진다. 약액 회수통은 재사용이 필요한 약액을 회수하는 제 1 회수통(320)과 재사용이 필요없는 약액을 회수하는 하나 또는 다수의 제 2 회수통(340)을 가진다. 상기 제 1 회수통(320)에는 그 내부로 회수된 식각액을 배출하는 배출관(360)이 결합된다. 배출관(360)은 상기 제 1 회수통(320) 유입된 식각액을 모두 배출시킨다. The chemical liquid recovery unit 300 recovers the chemical liquids supplied from the nozzle 260, respectively, to enable reuse of the chemical liquids (especially, etchant). The chemical liquid recovery part 300 provides a space 330 in which the substrate support part 100 is located. The chemical liquid recovery part 300 has chemical liquid recovery containers 320 and 340 disposed to surround the nozzle 260 in the lateral direction of the nozzle support 220. The chemical liquid recovery container has a first recovery container 320 for recovering a chemical solution that needs to be reused, and one or a plurality of second recovery containers 340 for recovering a chemical solution that does not require reuse. A discharge pipe 360 for discharging the etchant recovered into the first recovery container 320 is coupled. The discharge pipe 360 discharges all of the etchant introduced into the first recovery container 320.

상기 기판 지지부(100) 및 상기 약액 회수부(300) 아래에는 배기통(400)이 제공된다. 배기통(400)에는 펌프(442)와 같은 흡입부재가 설치된 배기관(410)이 연결된다. 상기 흡입부재에 의해 상기 공간(330) 내에 발생한 약액 성분의 가스가 상기 배기관(410)을 통해 외부로 배출된다.An exhaust pipe 400 is provided below the substrate support part 100 and the chemical liquid recovery part 300. The exhaust pipe 400 is connected to an exhaust pipe 410 provided with a suction member such as a pump 442. The gas of the chemical liquid component generated in the space 330 is discharged to the outside through the exhaust pipe 410 by the suction member.

도 2는 도 1에 도시된 기판 지지부(100)의 단면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 스핀 헤드의 평면도이다. 2 is a cross-sectional view of the substrate support part 100 shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view of the spin head shown in FIG. 1.

도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 지지부(100)는 스핀 헤드(110), 지지부재(120) 및 백 노즐(130)을 포함한다. 또한, 상기 기판 지지부(100)는 회전축(200)과 구동부(미도시)를 더 포함한다. 상기 스핀 헤드(110)에 연결된 회전축(200)은 구동부에 의해 회전되며, 이에 따라 스핀 헤드(110) 상에 놓인 웨이퍼(W)이 회전한다. 그리고, 회전축(200)을 관통하여 설치된 백 노즐(130)은 웨이퍼(W)의 배면에 약액을 분사한다.2 and 3, the substrate support part 100 includes a spin head 110, a support member 120, and a back nozzle 130. In addition, the substrate support part 100 further includes a rotation shaft 200 and a driver (not shown). The rotating shaft 200 connected to the spin head 110 is rotated by a driving unit, thereby rotating the wafer W placed on the spin head 110. Then, the back nozzle 130 installed through the rotating shaft 200 injects the chemical liquid to the back surface of the wafer (W).

상기 스핀 헤드(110)는 웨이퍼(W)가 놓이는 스테이지를 형성한다. 상기 스핀 헤드(110)는 웨이퍼(W)의 배면과 마주하는 원형의 표면(S)을 갖는다. 상기 원형의 표면(S)은 도 2에 도시된 바와 같이, 중심으로부터 상기 중심을 둘러싸는 가장자리 쪽으로 하향 경사지는 경사면을 갖는다. The spin head 110 forms a stage on which the wafer W is placed. The spin head 110 has a circular surface S facing the backside of the wafer W. As shown in FIG. The circular surface S has an inclined surface inclined downward from the center toward the edge surrounding the center, as shown in FIG. 2.

구체적으로, 상기 표면(S)은 상면(S1)과, 상기 상면(S1)을 둘러싸는 경사면(S2)을 포함한다. Specifically, the surface S includes an upper surface S1 and an inclined surface S2 surrounding the upper surface S1.

상기 상면(S1)은 후술하는 백 노즐(130)의 상단부로 이루어진다. 상기 백 노즐(130)의 상면(S1)은 제 1 면(S1-1)과 제 2 면(S1-2)을 포함한다. 상기 제 1 면(S1-1)은 웨이퍼(W)의 배면과 평행한 면을 구성한다. 상기 제 1 면(S1-1)에는 약액이 배출되는 제 1 홀(h1)과 질소가스가 배출되는 제 2 홀(h2)이 형성된다. 상기 제 2 면(S1-2)은 상기 제 1 면(S1-1)으로부터 연장되어 상기 제 1 면(S1-1)의 테두리를 형성한다. 이때, 상기 제 2 면(S1-2)은 상기 제 1 면(S1-1)으로부터 상기 경 사면(S2)쪽으로 연장되어 하향 경사진다. 따라서, 저속 공정시 상기 제 1 면(S1-1)에 정체되는 약액 성분이 하향 경사지는 상기 제 2 면(S1-2)을 따라 상기 경사면(S2)으로 자연스럽게 흘러갈 수 있다.The upper surface S1 includes an upper end of the back nozzle 130 to be described later. The upper surface S1 of the back nozzle 130 includes a first surface S1-1 and a second surface S1-2. The first surface S1-1 constitutes a surface parallel to the rear surface of the wafer W. As shown in FIG. A first hole h1 through which the chemical liquid is discharged and a second hole h2 through which nitrogen gas is discharged are formed in the first surface S1-1. The second surface S1-2 extends from the first surface S1-1 to form an edge of the first surface S1-1. In this case, the second surface S1-2 extends from the first surface S1-1 toward the inclined surface S2 and inclines downward. Therefore, during the low speed process, the chemical liquid component stagnant on the first surface S1-1 may naturally flow to the inclined surface S2 along the second surface S1-2 in which the chemical liquid component is inclined downward.

상기 경사면(S2)은 상기 상면(S1)에서 상기 중심에서 가장자리 쪽으로 소정의 경사각(θ)으로 하향 경사지는 단면구조를 갖는다. 따라서, 저속 공정시 상기 제 2 면(S1-2)을 따라 흘러오는 약액 성분이 상기 경사면(S2)을 따라 외부로 자연스럽게 흘러나간다. The inclined surface S2 has a cross-sectional structure inclined downward at a predetermined inclination angle θ from the upper surface S1 toward the edge from the center. Accordingly, the chemical liquid component flowing along the second surface S1-2 naturally flows out along the inclined surface S2 during the low speed process.

이와 같이, 상기 제 1 홀(h1)을 통해 공급되는 약액이 상기 웨이퍼(W)의 배면을 처리한 후, 상기 스핀 헤드(110)의 표면(S)에 정체되는 현상을 방지하고, 외부로 자연스럽게 배출될 수 있다. As described above, after the chemical liquid supplied through the first hole h1 is processed on the back surface of the wafer W, the phenomenon that the chemical liquid is stagnated on the surface S of the spin head 110 is prevented. May be discharged.

계속해서, 상기 지지부재(120)들은 상기 스핀 헤드(100)의 표면(S) 상에 상향 이격된 상태를 지지하도록 상기 경사면(S2)의 가장자리에 설치된다. 구체적으로, 상기 지지부재(120)들 각각은 상기 경사면(S2)의 가장자리에 소정 간격 이격되며, 구체적으로 상기 제 1 면(S1-1)에 수직 방향으로 연장되는 척킹 핀(120a)과, 상기 척킹 핀(120a) 안쪽에 상기 제 1 면(S1-1)에 수직 방향으로 연장되는 지지핀(120b)을 포함한다. Subsequently, the support members 120 are installed at the edge of the inclined surface S2 to support a state spaced upwardly on the surface S of the spin head 100. In detail, each of the support members 120 is spaced apart from the edge of the inclined surface S2 by a predetermined interval, and specifically, the chucking pins 120a extending in a direction perpendicular to the first surface S1-1, and the The support pin 120b extends in the direction perpendicular to the first surface S1-1 inside the chucking pin 120a.

회전축(200)은, 스핀 헤드(110)에 연결되며, 그 내부가 비어있는 중공축(Hollow Shaft) 형태로써, 후술하는 구동부의 회전력을 스핀 헤드(110)에 전달한다. 구동부(미도시)는 스핀 헤드(110) 표면(S1)에 지지된 웨이퍼(W)을 회전시킨다.The rotating shaft 200 is connected to the spin head 110, and has a hollow shaft in a hollow shaft, and transmits the rotational force of the driving unit to be described later to the spin head 110. The driver (not shown) rotates the wafer W supported on the surface S1 of the spin head 110.

백 노즐(130)은, 회전축(200)내부를 관통하여 설치되고, 웨이퍼(W) 배면의 다수의 지점에 약액을 분사하기 위하여 노즐 몸체(132)를 갖는다. 노즐 몸체(132)는 회전축(200)을 관통하여 설치된다. 상기 노즐 몸체(132)의 내부에는 웨이퍼(W) 배면의 에칭 처리를 위한 약액이 공급되는 약액 이동라인(134)이 형성된다. 또한, 노즐 몸체(132)에는 축 방향으로 관통되도록 형성되어 웨이퍼(W)의 배면에 식각 균일도 조절을 위한 질소 가스를 공급하는 가스 공급라인(136)이 마련되어 있다. The back nozzle 130 is installed through the inside of the rotating shaft 200 and has a nozzle body 132 for injecting a chemical liquid to a plurality of points on the back surface of the wafer W. The nozzle body 132 is installed through the rotation shaft 200. A chemical liquid moving line 134 is formed in the nozzle body 132 to supply a chemical liquid for etching the back surface of the wafer (W). In addition, the nozzle body 132 is provided with a gas supply line 136 which is formed to penetrate in the axial direction and supplies nitrogen gas for adjusting the etching uniformity to the back surface of the wafer W.

이와 같이, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)에 구비된 스핀 헤드(110)는 중심에서 가장자리 쪽으로 하향 경사지는 경사면을 포함한다. 이로 인해, 저속 공정시 약액이 스핀 헤드(110)의 표면(S)에 정체되는 현상을 방지한다. 따라서, 스핀 헤드(110)의 표면(S)에 약액이 장시간 정체되어 정체된 약액으로부터 발생하는 가스로 인해 공정처리능력이 저하되는 것을 방지할 수 있다. As such, the spin head 110 included in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention includes an inclined surface that is inclined downward from the center to the edge. This prevents the phenomenon of the chemical liquid stagnating on the surface S of the spin head 110 during the low speed process. Therefore, it is possible to prevent the chemical treatment from being stagnated for a long time on the surface (S) of the spin head 110 due to the gas generated from the stagnant chemical liquid is to reduce the process capability.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 기판 지지부의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the substrate support shown in FIG.

도 3은 도 2에 도시된 스핀 헤드의 평면도이다. 3 is a plan view of the spin head shown in FIG. 2.

Claims (5)

회전하는 기판에 소정의 액처리를 실시하는 기판처리장치에 있어서:In a substrate processing apparatus for performing a predetermined liquid treatment on a rotating substrate: 상기 기판이 놓이는 표면을 갖는 스핀 헤드; 및A spin head having a surface on which the substrate is placed; And 상기 표면으로부터 상부로 연장되어 상기 기판을 지지하는 지지부재들을 포함하고, A support member extending upwardly from the surface to support the substrate; 상기 표면은 중심으로부터 가장자리 쪽으로 하향 경사진 경사면을 포함하며,The surface comprises an inclined surface inclined downward from the center to the edge, 상기 경사면은 상기 스핀 헤드와 일체로 이루어지고,The inclined surface is made integral with the spin head, 상기 지지부재들은,The support members, 상기 경사면으로부터 연장되어 상기 스핀헤드에 안착된 기판의 측부와 접하는 척킹핀들; 및Chucking pins extending from the inclined surface and in contact with a side of the substrate seated on the spin head; And 상기 경사면으로부터 연장되어 상기 기판의 단부를 지지하는 지지핀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And support pins extending from the inclined surface to support end portions of the substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 표면은 상기 경사면으로부터 상기 중심 쪽으로 상기 기판과 평행한 상면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And the surface further comprises an upper surface parallel to the substrate from the inclined surface toward the center. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 기판의 배면에 유체를 분사하는 백 노즐을 더 포함하고,Further comprising a back nozzle for injecting a fluid on the back of the substrate, 상기 상면은 상기 백 노즐의 상단부를 형성하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And the upper surface forms an upper end of the back nozzle. 삭제delete 삭제delete
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