KR100886972B1 - 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (8)
- 하부기판;상기 하부기판상에 형성된 투명성 게이트전극, 상기 게이트전극을 포함한 기판상에 형성된 게이트절연막, 채널층, 활성층 및 소오스/드레인전극으로 구성된 박막트랜지스터;상기 박막트랜지스터의 측부에 형성된 스토리지 캐패시터;상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 콘택되어 있는 화소전극;상기 화소전극의 상부면에 차례로 형성된 광도전막, 절연층 및 고전계 인가를 위한 상부전극; 및상기 상부전극의 상부 및 상기 하부기판의 하부에 각각 이격되어 형성된 상부 광방출부 및 하부 광방출부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 영상 감지소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 소오스/드레인전극은 투명전극으로 형성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 영상 감지소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 게이트전극 및 소오스/드레인전극은, 가시광선 투과가 가능한 광학 저밀도를 갖는 금 및 알루미늄과 같은 금속물질의 박층으로 형성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 영상 감지소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 투명전극으로는 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)을 사용하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 영상 감지소자.
- 하부기판상 투명성 게이트전극을 형성하는 단계;상기 게이트전극을 포함한 기판상에 형성된 게이트절연막, 채널층, 활성층 및 소오스/드레인전극으로 구성된 박막트랜지스터를 형성하는 단계;상기 박막트랜지스터의 측부에 스토리지 캐패시터를 형성하는 단계;상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 콘택되어 있는 화소전극을 형성하는 단계;상기 화소전극의 상부면에 광도전막, 절연층 및 고전계 인가를 위한 상부전극을 차례로 형성하는 단계; 및상기 상부전극의 상부와 상기 하부기판의 하부로 부터 상부 광방출부 및 하부 광방출부를 각각 이격시켜 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 영상 감지소자의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 소오스/드레인전극은 투명전극으로 형성한 것을 특징으로 하는 엑스레이 영상 감지소자의 제조방법.
- 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 게이트전극 및 소오스/드레인전극은, 가시광선 투과가 가능한 광학 저밀도를 갖는 금 및 알루미늄과 같은 금속물질을 박층으로 형성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 영상 감지소자의 제조방법.
- 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 투명전극은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 형성하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 영상 감지소자의 제조방법.
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