KR100394461B1 - 디지털 ｘ선 촬영 패널 - Google Patents

Abstract

본 발명은 X선 촬영 패널의 구조를 얇게 하면서도 X선 촬영 후 X선 흡수층에 잔존하는 잔류 전하를 완전히 제거할 수 있는 X선 촬영 패널의 구조를 제공하는데 목적이 있다.

상기 목적 달성을 위하여 본 발명은 투명기판 위에 스위칭소자에 의하여 컨트롤되는 픽셀 어레이 층(9)과, 상기 픽셀 어레이 층과 회로적으로 연결되는 독출회로(18)가 구비되고, 적어도 상기 픽셀 어레이 층을 덮는 X선 흡수층(10)과, 상기 X선 흡수층을 덮는 표면전극(8)을 구비하고, 상기 표면전극과 상기 픽셀 어레이 층 사이에 전압을 가하여 상기 X선 흡수층에 X선 조사에 의하여 형성된 전하를 상기 독출회로를 통하여 독출 할 수 있도록 구성되는 디지털 X선 촬영 패널(1)을 구성하고, 특히, 상기 표면전극과 상기 X선 흡수층 사이에는 양전하와 음전하의 이동을 제한 하는 절연막(5) 구성되고, 상기 X선 흡수층과 상기 픽셀 에레이 층 사이에는 양전하와 음전하 중 어느 한 극성의 전하의 이동을 제한하는 버퍼층(23)이 구성된다.

Description

디지털 Ｘ선 촬영 패널{digital radiography panel}

본 발명은 인체를 투과한 X선 상을 화상화하는데 이용되는 디지털 X선 촬영 패널의 구조에 관한 것이다. 더 상세히는 X선 촬영을 한 후 디지털 X선 촬영 패널에 이전의 잔상이 영향을 미치지 않도록 디지털 X선 촬영 패널의 X선 흡수층을 완벽하게 리셋 시키는 기술에 관한 것이다.

일반적으로 디지털 X선 촬영 장치는 피사체를 투과한 X선 흡수층의 전하의 분포를 디지털 신호로 변환하여 피사체의 내부를 영상화하여 볼 수 있는 장치로서 의료 영상 분야에서 환자의 진단이나 건축물의 비파괴검사 등에 다양하게 이용되고 있다.

상기 전하를 만들기 위한 재료로는 셀레늄(selenium)을 사용하는데 전기장에 노출되는 셀레늄층에 흡수된 X선 광자는 많은 수의 전자-정공 쌍을 만들어 내서 셀레늄층을 통하여 전류가 흐르도록 작용한다.

상기 셀레늄 재료의 전류 흐름의 컨트롤은 박막 트랜지스터(TFT)를 집적하여 구성하고 그 박막 트랜지스터의 온-오프를 컨트롤하여 이루어지는데 상기 박막 트랜지스터는 절연 기판 위에 도포된 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 카드뮴셀러나이드와 같은 반도체 재료로 이루어진 얇은 박막을 사용하여 제조된다.

상기 X선 촬영 장치의 구조를 도 1과 도 2a 내지 도 2c를 이용하여 더 구체적으로 설명하면 X선 공급원(4)에서 발생되어 목표물(6)로 향하는 X선(2)은 목표물(6)에 일부가 흡수되어 목표물(6)을 통과한다.

목표물(6)을 통과한 X선은 X선 촬영 패널(1)의 표면전극(8)을 투과하여 셀레늄으로 이루어진 X선 흡수층(10)에 상당히 많은 양의 전자-정공 쌍을 형성한다.

투과성 표면전극(8)과 개별전극(14) 사이에 전원장치(16)에 의하여 인가된 전위는 상기 전자-정공 쌍의 정공이 픽셀 어레이(9)의 개별 전극 쪽으로 이동하도록 한다.

픽셀 어레이(9)와, 독출 회로(18)는 결정질 실리콘으로 이루어진 투명기판(7)의 위에 형성된다.

전자 독출 회로(18)를 통하여 픽셀 어레이(9)로부터 획득한 데이터 신호는 데이터 획득 전자장치(20)를 이용하여 디지털 데이터로 변환되어 컴퓨터(23)에 저장된다. 컴퓨터(23)에 있는 소프트 웨어를 활용하여 데이터로부터 영상을 구하고 목표물(6)의 X선 영상(21)이 모니터(22)에 표시되도록 한다.

픽셀 어레이(9)의 각각의 픽셀은 개별 전자 픽셀 회로(11)로 구성된다.

이러한 픽셀회로(11)가 3개가 구성된 구조를 도 2a 내지 도 2c에 나타냈다.

도 2a는 투과성 표면전극(8)을 통과하고 광 흡수층(10)에 흡수된 X선(2)은 흡수된 X선 바로 근처에 전자-정공 쌍이 형성된다.

예를들어 비정질 셀레늄 층에서 중간 X선 에너지를 갖는 전형적인 X선 광자는 다수의 전자-정공 쌍을 만들어 낸다.

도 2a 내지 도 2c는 전자-정공 쌍을 각각 (+)와 (-) 기호로 나타낸다.

도 2a에 나타내는 것처럼 X선 조사에 의하여 전자-정공 쌍이 형성된 후 표면전극(8)에 고전압 전원장치(16)을 통하여 높은 전압을 인가하면 셀레늄으로 이루어진 X선 흡수층(10)의 특성에 의하여 셀레늄 층에 형성되는 전자-정공 쌍 중 양전하(정공)가 바로 아래쪽으로 이동하여 대응하는 위치의 픽셀 회로(11)의 개별 전극(14) 쪽으로 이동하고 음전하(전자)가 위쪽으로 이동하여 표면전극(8) 쪽으로 이동한다.

즉, 고전압 전원장치(16)에 높은 전압을 인가하면 정공(17)은 수평 방향으로 거의 확산되지 않는 상태에서 대응하는 위치의 개별 전극(14)에 의하여 양전하를 수집하고 이 전하를 용량전극(24)에 충전하고 충전된 전하(17)에 비례하는 전압이 용량전극(24)의 양단에 형성된다. 상기 수집된 양전하는 X선 공급원(4)이 턴-오프된 다음에도 거의 일정하게 유지된다.

상기 각각의 픽셀의 용량전극(24)의 양단의 전압은 도 2b에 나타내는 것처럼 각각 픽셀 회로의 선택 스위치(30)를 순차적으로 닫아서 용량전극(24)의 양단의 전압이 출력 라인(28)에 인가되어 독출되도록 한다.

도 2c는 픽셀 회로를 통하여 독출한 수집 전하(17)는 선택 스위치(30)을 닫고, 전원장치(16)과 접지(27)를 연결하면 접지(27)를 통하여 수집 전하가 리셋되는 구조를 나타낸다.

상기 구조의 설명에 있어서 표면전극(8)은 고압 전원장치(16)에 의해 양으로대전된 구조를 예로 들어 설명하였으나 이 표면전극을 반대로 대전 시키면 X선 촬영 패널의 극성을 반대로 할 수 있다.

극성을 반대로 할 경우에는 음전하는 개별 전극(14)에 의하여 수집되고 상기 음전하를 이용하여 X선 촬영 영상을 얻을 수 있도록 할 수 있다.

상기 용량전극(24)에 수집된 수집 전하를 제거하기 위하여 즉, 디지털 X선 촬영 패널의 다음 영상 촬영을 위하여 전원장치(16)와 접지(27)를 연결하여 수집된 전하를 방전시키더라도 셀레늄으로 이루어진 X선 흡수층(10)에 도 2c와 같이 잔류하는 광 전자-전공 쌍의 전하가 완전히 제거되지 않고 일부가 남게 된다.

상기 X선 흡수층(10)에 잔류하는 광 전자-정공 쌍의 제거를 위한 방법으로서 도 3과 같이 X선 촬영 패널(1)의 양면에 X선 흡수층에 존재하는 잔류 전하 제거용 광방출 패널 (L1)(L2)이 형성된 구조가 알려져 있다.

상기 광 방출 패널은 EL을 사용한다.

또, 픽셀 회로(11)를 구성하는 박막 트랜지스터가 매트릭스 상으로 배열되고 그 박막 트랜지스터는 각각의 박막 트랜지스터 마다 형성되는 개별 전극(14)과 용량전극(24)에 연결된다. 상기 개별전극과 용량 전극(24) 사이에는 캐패시턴스를 형성하기 위하여 소정의 절연막(도시생략)이 개재되므로 개별 전극(14)과 용량전극(24) 사이에는 용량 축적부가 형성된다.

한편, X선 촬영 패널을 구동시키지 않았을 때 표면전극(8)이나 픽셀 회로와 연결된 개별 전극(14)에 의한 X선 흡수층(10)으로 미세 전류의 흐름을 막기 위해 X선 흡수층의 상,하면에는 미세 전류 흐름 방지용 절연막(5)(13)이 구성된다.

상기 용량전극의 용량 축적부에는 이미 설명한 것처럼 셀레늄 등으로 이루어진 X선 흡수층(10)에 X선을 조사한 후 그 X선 흡수층에 고전압 전원장치(16)을 통하여 고전압을 인가하면 X선 흡수층의 광 전자-정공 쌍 중 정공은 용량 축적부에 축적되고 이 축적전하를 독출하여 X선 촬영 패널의 영상으로 변환 시킨다.

상기 축적 전하를 독출하여 X선 촬영 패널의 영상 데이터를 얻은 후, 다른 영상을 얻기 위하여 용량 축적부에 축적된 용량을 리셋하더라도 X선 흡수층에 존재하는 전자-정공 쌍이 완전히 제거 되지 않고 일부가 잔류하게 된다.

상기 절연막(5)(13)은 저항 역할을 하므로 X선 촬영 패널이 구동되지 않는 상태이거나 광방출 패널(L1)(L2)에 광이 조사되지 않는 상태일 때 X선 흡수층(10)으로의 전하의 미세 이동을 차단하는 역할을 하여 다음의 영상 독출에 신뢰성을 향상 시키는 역할을 하지만, 반대로 X선 흡수층 내의 잔류 전하를 강제로 제거해 주지 않고 다음의 영상 독출을 실시할 경우 그 흡수층 내에 계속 폭획되어 있는 전하가 영향을 주어 영상 독출에 왜곡이 발생할 수 있다.

상기 X선 흡수층 내에 포획되어 있는 잔류 전하 제거를 위해 광급원(22L)을 통하여 광방출 패널(L1)에 절연막(5)과 X선 흡수층(10)의 경계부 근처 까지만 통과하는 정도의 저 준위의 광 에너지를 균일하게 조사하면, 그 광 에너지에 의하여 X선 흡수층 내의 상부에 잔존하는 음전하가 표면전극 쪽으로 흘러 제거된다.

반대로 X선 흡수층 내의 하부에 잔존하는 양전하는 광 방출 패널(L2)에 절연막(13)과 X선 흡수층(10)의 경계부 근처 까지만 통과하는 정도의 저 준위의 광 에너지를 균일하게 조사하면, 그 광 에너지에 의하여 X선 흡수층 내의 하부에 잔존하는 양전하가 접지(27) 쪽으로 흘러 방전된다.

상기와 같이 구성되는 종래의 X선 촬영 패널의 구조는 광 방출 패널을 양쪽에 설치함으로서 촬영한 후 X선 흡수층에 잔존하는 전하를 제거할 수 있는 장점이 있으나 양쪽에 광 방출 패널을 설치해야 하는 구조적인 문제점이 있기 때문에 X선 촬영 패널의 두께가 두꺼워 지는 문제점이 있다.

또한, 2개의 광방출 패널을 고정할 견고한 구조물이 별도로 구성되어야 하는 문제점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 X선 흡수층과 픽셀 어레이 사이에 전자의 통과를 차단하고 정공만을 통과시키는 특성을 갖는 As₂Se₃(아세닉트리셀레나이드) 화합물로 이루어진 버퍼층을 설치하고, X선 흡수층과 표면전극 사이에는 전자와 정공을 모두 차단하는 절연막을 설치하고, X선 촬영 패널의 상부면에만 CCFL 도광판으로 이루어진 광 방출 패널을 설치한다.

상기와 같이 X선 흡수층 상부에 도광판을 설치하고, X선 흡수층과 픽셀 어레이층 사이에 정공만을 통과시키 버퍼층을 설치함으로서, X선 흡수층에 저 준위의 광 에너지를 조사하면 그 저 준위의 광 에너지가 X선 흡수층 쪽으로 균일하게 조사되고, 그 광 에너지에 의하여 X선 흡수층 내에 잔존하는 음전하가 표면전극 쪽으로 흘러 빠져 나가고, 흡수층 내의 양전하는 픽셀 회로의 접지 쪽으로 방전된다.

물론, 상기 X선 촬영 패널을 구동하지 않은 상태에서는 X선 흡수층의 상부에 형성되는 절연막과 하부에 형성되는 버퍼층의 작용에 의하여 X선 흡수층으로의 양전하와 음전하의 이동은 발생하지 않는다.

본 발명의 X선 촬영 패널의 축적 전하를 리셋한 후 내부 전계에 의하여 X선 흡수층에 흐르는 전류를 감지하는 전류계를 별도로 설치하여 X선 촬영 패널의 내부전계를 측정할 수 있도록 추가로 구성할 수 있다.

또, 본 발명의 X선 촬영 패널의 광 방출 패널을 구동하기 전에 먼저 X선 흡수층에 역바이어스를 걸어주는 수단을 구비하여 1차로 X선 흡수층의 양전하와 음전하를 제거한 후, 그 후에 잔류하는 전하를 완전히 제거할 수 있도록 광 방출 패널을 구동하는 구조로 하여도 된다.

따라서, 본 발명의 목적은 X선 촬영 패널의 구조를 얇게 하면서도 X선 촬영 후 X선 흡수층에 잔존하는 잔류 전하를 완전히 제거할 수 있는 X선 촬영 패널의 구조를 제공하는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 X선 촬영 패널에 1개의 잔류 전하 제거용 광 방출 패널을 설치하여 X선 흡수층에 잔존하는 잔류 전하를 완전히 제거할 수 있는 X선 촬영 패널의 구조를 제공하는데 목적이 있다.

도 1은 일반적인 디지털 X선 촬영 패널의 구조를 설명하기 위한 도면이고,

도 2a, 도 2b, 도 2c는 종래의 디지털 X선 촬영 패널의 구동과정을 설명하기 위한 도면이고,

도 3은 종래의 디지털 X선 촬영 패널에 있어서 X선 흡수층에 잔류하는 전하의 제거를 위해 광 방출 패널이 설치된 구조를 나타내는 도면이고,

도 4 내지 도 6은 본 발명의 디지털 X선촬영 패널 구조의 각각의 실시예를 설명하기 위한 도면이다.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

1 - 디지털 X선 촬영 패널 2 - X선

4 - X선 공급원 5 - 절연막

7 - 투명기판 8 - 표면전극

9 - 픽셀 어레이 11 - 픽셀 회로

14 - 개별전극 24 - 용량전극

23 - 버퍼층 28 - 출력라인

31 - 전류계 40 - 역바이어스인가 전원장치

상기 목적 달성을 위하여 본 발명은 투명기판 위에 스위칭소자에 의하여 컨트롤되는 픽셀 어레이 층과, 상기 픽셀 어레이 층과 회로적으로 연결되는 독출회로가 구비되고, 적어도 상기 픽셀 어레이 층을 덮는 X선 흡수층과, 상기 X선 흡수층을 덮는 표면전극을 구비하고, 상기 표면전극과 상기 픽셀 어레이층 사이에 전압을 가하여 상기 X선 흡수층에 X선 조사에 의하여 형성된 전하를 상기 독출회로를 통하여 독출 할 수 있도록 구성되는 디지털 X선 촬영 패널에 있어서,

상기 표면전극과 상기 X선 흡수층 사이에는 양전하와 음전하의 이동을 제한 하는 제1막이 구성되고, 상기 X선 흡수층과 상기 픽셀 에레이 층 사이에는 양전하와 음전하 중 어느 한 극성의 전하의 이동을 제한하는 제2막이 구성되는 것을 특징으로 한다.

또, 상기 제1막은 페럴린(Paryleren), 폴리카본에이트(Polycabonate) 등의 절연막으로 구성되고, 상기 제2막은 As₂Se₃(아세닉트리셀레나이드)으로 된 화합물 층으로 이루어진다.

또, 상기 제1막이 구성되는 쪽의 표면전극 외측에 잔류 전하 제거용 광 방출 패널이 설치된다.

또, 상기 제1막은 상기 제2막 보다 두껍게 형성된다.

또, 상기 제1막과 제2막 사이에 센드위치된 X선 흡수층의 잔류 전하를 측정 하기 위한 전류측정 수단이 구성된다.

또, 상기 X선 흡수층 내에 잔존하는 전하를 제거하기 위하여 상기 제1막과 제2막 사이에 역바이어스를 걸어주기 위한 전압인가수단이 구성된다.

이하, 도 4, 도 5, 도 6을 참고하여 본 발명의 X선 촬영 패널의 구조 및 작용에 대하여 상세히 설명한다.

먼저, 본 발명의 X선 촬영 패널은 도 4와 같이 표면전극(8)의 하부에 페럴린(Paryleren), 폴리카본에이트(Polycabonate) 등으로 이루어진 절연막(5)이 구성되고, 상기 절연막의 하부에는 셀레늄 등으로 이루어진 X선 흡수층(10)이 구성된다.

한편, 실리콘 등을 포함하는 투명기판 위에는 박막 트랜지스터 등의 스위칭 소자로 이루어지는 픽셀 어레이(9) 즉, 복수의 픽셀 회로(11), 개별전극(14), 용량전극(24)등을 포함하는 전자소자가 각각의 픽셀을 구성하여 매트릭스상으로 배열되고 상기 픽셀 어레이(9) 위에는 전자의 통과를 차단하고 정공만을 통과시키는 특성을 갖는 As₂Se₃(아세닉트리셀레나이드) 화합물로 이루어진 버퍼층(23)을 구성한다.

상기 버퍼층(23)은 X선 흡수층(10)과 접촉되도록 구성되고, 표면전극(8)의 외면에는 표면전극과 소정의 간격만큼 떨어진 위치에 도광판으로 이루어진 광방출 패널(L)이 설치된다.

상기와 같이 구성되는 본 발명의 X선 촬영 패널은 표면전극(8)과 개별전극(14) 사이에 고전압 이 인가될 수 있도록 고전압 전원장치(16)가 설치되고, 광방출 패널에 광을 공급하는 CCFL 등의 광 공급원(22L)이 연결되도록 설치된다.

상기 본 발명의 X선 촬영 패널의 비정질 셀레늄층으로 이루어진 X선 흡수층(10)에 도 1의 X선 공급원(4)을 이용하여 X선을 조사하면 X선 광자가 X선 흡수층에 다수의 전자-정공 쌍을 만들어 낸다. 상기 전자-정공 쌍은 X선의 투과량에 따라 다른 밀도 분포를 갖도록 형성된다.

상기 X선 흡수층에 만들어진 전자-정공 쌍은 표면전극(8)과 개별전극(14) 사이에 고전압 전원장치(16)를 통하여 높은 전압을 인가하면 셀레늄 층에 형성되어있는 전자-정공 쌍 중 양전하(정공)가 아래쪽으로 이동하여 픽셀 회로(11)의 개별 전극(14) 쪽으로 이동하고 음전하(전자)는 위쪽으로 이동하여 표면전극(8) 쪽으로 흐른다.

상기 정공은 높은 전압을 인가하면 셀레늄층 내에서 수평 방향으로 거의 확산되지 않고, 곧바로 개별 전극(14) 쪽으로 이동하므로 각각의 픽셀 회로(11)의 개별 전극(14)과 용량전극(24) 사이에 캐패시턴스가 형성되어 축적 용량부가 형성된다.

상기 축적된 용량은 X선 공급원(4)이 턴-오프된 다음에도 거의 일정하게 유지되므로 이 축적된 용량을 픽셀회로의 선택 스위치(30)를 컨트롤하여 출력라인(28) 쪽으로 인가하고, 이 출력라인에 인가된 축적 용량 신호를 독출하여 X선 영상 데이터 정보로 변환한다.

상기 X선 영상 데이터 정보를 얻은 후 전원장치(16)와 접지(27)를 연결하여 용량전극에 축적된 축적전하를 리셋시킨다.

이때, 용량전극에 축적된 축전전하를 리셋한 후에도 X선 흡수층(10) 내에는 일부의 잔류전하가 포획되어 있는 상태로 잔류하는데 이 후에 촬영되는 X선 영상 데이터 정보를 정확히 얻기 위해서는 X선 흡수층에 잔존하는 잔류전하를 완전히 클리어 시켜줄 필요가 있다.

본 발명에서는 X선 흡수층에 잔존하는 잔류전하를 효과적으로 클리어함과 동시에 X선 촬영 패널의 두께를 얇게 구성하는 것을 특징으로 하는 것으로서 광 방출 패널(L)을 통하여 저 준위의 광 에너지를 X선 촬영 패널 쪽으로 조사하였을 때 정공만을 통과시키는 특성을 갖는 As₂Se₃화합물의 버퍼층(23)이 픽셀 어레이와 X선 흡수층 사이에 개재된다.

상기와 같은 특징을 갖는 버퍼층(23)이 개재됨으로서 표면전극(8) 쪽에만 광방출 패널(L)을 구성하여 잔류전하 제거용 광을 조사하더라도 개별전극(14)을 통하여 X선 흡수층(10)으로 전자의 이동이 제한되므로 X선 흡수층에 잔존하는 전자는 표면전극 쪽으로 흘러나가고 정공은 개별 전극(24)을 통하여 접지(27) 쪽으로 방전된다.

따라서, 본 발명은 광 방출 패널을 1개만 구성하여도 X선 흡수층에 잔존하는 포획전하를 충분히 제거할 수 있고, X선 촬영 패널의 두께를 얇게 할 수 있는 구조가 자연스럽게 제공된다.

본 발명의 X선 촬영 패널에는 도 5와 같이 X선 흡수층의 잔류 전하의 제거 타이밍과 잔류전하의 양을 알 수 있도록 표면전극에 전류계(31)를 설치하여도 된다.

또, 도 6과 같이 광 방출 패널을 구동하기 전 즉, 광을 조사하여 X선 흡수층 내에 잔류하는 잔류전하를 제거하기 전에 먼저 X선 흡수층에 역바이어스를 걸어주어 미리 잔류 전하를 일부 제거할 수 있도록 역바이어스 인가 전원장치(40)를 구성하여도 된다.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 한 극성의 전하만을 통과시키는 특성을 갖는 물질로 이루어진 막을 본 발명의 버퍼층으로 이용하는 구조이면 본 발명의 목적과 특허청구범위의 범위를 이탈하지 않는 한도 내에서 다양하게 개조 및 변화될 수 있다.

본 발명은 광방출 패널(L)을 통하여 저 준위의 광 에너지를 X선 촬영 패널 쪽으로 조사하였을 때 정공만을 통과시키는 특성을 갖는 As₂Se₃화합물의 버퍼층(23)을 픽셀 어레이(9)와 X선 흡수층(10) 사이에 개재함으로서 1개의 광방출 패널만으로도 X선 흡수층에 잔존하는 잔류전하를 효과적으로 클리어할 수 있고, 동시에 X선 촬영 패널의 두께를 얇게 구성할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.

또, 표면전극에 전류계(31)를 설치하거나 역바이어스 인가 전원장치(40)를 추가로 구성함으로서 X선 흡수층에 잔존하는 잔류전하의 제거 효율을 더 높일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.

Claims (6)

1. 투명기판 위에 스위칭소자에 의하여 컨트롤되는 픽셀 어레이 층과, 상기 픽셀 어레이 층과 회로적으로 연결되는 독출회로가 구비되고, 적어도 상기 픽셀 어레이 층을 덮는 X선 흡수층과, 상기 X선 흡수층을 덮는 표면전극을 구비하고, 상기 표면전극과 상기 픽셀 어레이 층 사이에 전압을 가하여 상기 X선 흡수층에 X선 조사에 의하여 형성된 전하를 상기 독출회로를 통하여 독출 할 수 있도록 구성되는 디지털 X선 촬영 패널에 있어서,

   상기 표면전극과 상기 X선 흡수층 사이에는 양전하와 음전하의 이동을 제한 하는 제1막이 구성되고, 상기 X선 흡수층과 상기 픽셀 에레이 층 사이에는 양전하와 음전하 중 어느 한 극성의 전하의 이동을 제한하는 제2막이 구성되는 것을 특징으로 하는 디지털 X선 촬영 패널.
2. 제1항에 있어서,

   상기 제1막은 절연막으로 구성되고, 상기 제2막은 As₂Se₃로 된 화합물 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디지털 X선 촬영 패널.
3. 제2항에 있어서,

   상기 절연막은 페럴린 또는 폴리카본에이트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디지털 X선 촬영 패널.
4. 제1항에 있어서,

   상기 제1막이 구성되는 쪽의 표면전극 외측에 잔류 전하 제거용 광방출 패널이 설치되는 것을 특징으로 하는 디지털 X선 촬영 패널.
5. 제1항에 있어서,

   상기 제1막과 제2막 사이에 센드위치된 X선 흡수층의 잔류 전하를 측정 하기 위한 전류측정 수단이 구성되는 것을 특징으로 하는 디지털 X선 촬영 패널.
6. 제1항에 있어서,

   상기 X선 흡수층 내에 잔존하는 전하를 제거하기 위하여 상기 제1막과 제2막 사이에 역바이어스를 걸어주기 위한 전압인가수단이 추가로 구성되는 것을 특징으로 하는 디지털 X선 촬영 패널.