KR100885655B1 - Light emitting diode package - Google Patents

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Abstract

발광 다이오드 패키지가 개시된다. 이 패키지는 제1 및 제2 리드단자를 포함한다. 상기 제1 리드단자는 칩 실장영역, 상기 칩 실장영역에서 외부로 연장된 제1 외부 리드 및 상기 칩 실장 영역에서 연장된 제1 날개부를 갖는 제1 리드단자를 포함한다. 상기 제2 리드단자는 상기 제1 리드단자로부터 이격되고, 와이어 본딩 영역, 상기 와이어 본딩 영역에서 외부로 연장된 제2 외부 리드 및 상기 와이어 본딩 영역에서 연장된 제2 날개부를 갖는다. 한편, 패키지 본체가 상기 제1 및 제2 리드단자들에 결합되어 그들을 지지한다. 여기서, 상기 제1 리드단자의 칩 실장영역 및 상기 제2 리드단자의 와이어 본딩 영역은 상기 캐비티의 바닥면에 위치하고, 상기 제1 날개부 및 제2 날개부는 상기 칩 실장 영역의 양측에 각각 배치되어 양측 반사면들을 형성한다. 또한, 상기 패키지 본체는 상기 제1 및 제2 날개부들과 함께 캐비티를 이루는 내벽을 형성한다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 날개부들에 의해 캐비티 내벽의 반사율을 높이어 광효율을 증가시킬 수 있으며, 제2 날개부에서 변환된 열이 제2 리드단자를 통해 외부로 방출되므로 패키지의 열방출 성능을 향상시킬 수 있다.A light emitting diode package is disclosed. The package includes first and second lead terminals. The first lead terminal includes a chip mounting region, a first external lead extending outwardly from the chip mounting region, and a first lead terminal having a first wing portion extending from the chip mounting region. The second lead terminal is spaced apart from the first lead terminal, and has a wire bonding region, a second outer lead extending outwardly from the wire bonding region, and a second wing portion extending from the wire bonding region. On the other hand, a package body is coupled to and supports the first and second lead terminals. Here, the chip mounting region of the first lead terminal and the wire bonding region of the second lead terminal are located on the bottom surface of the cavity, and the first wing portion and the second wing portion are disposed on both sides of the chip mounting region, respectively. Both reflecting surfaces are formed. In addition, the package body forms an inner wall that forms a cavity together with the first and second wings. Accordingly, the light efficiency can be increased by increasing the reflectance of the inner wall of the cavity by the first and second vanes, and the heat dissipation performance of the package is generated because heat converted from the second vanes is emitted to the outside through the second lead terminal. Can improve.

발광 다이오드 패키지, 반사면, 캐비티, 리드프레임 LED Package, Reflective Surface, Cavity, Leadframe

Description

발광 다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}Light Emitting Diode Package {LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 리드프레임과 일체로 형성된 반사면들을 채택하여 패키지 본체의 변색을 방지함과 아울러 열방출 성능을 개선한 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly, to a light emitting diode package that adopts reflective surfaces formed integrally with a lead frame to prevent discoloration of the package body and to improve heat dissipation performance.

일반적으로 발광 다이오드 칩을 이용하는 광원 시스템은 사용하고자 하는 용도에 따라 여러 형태의 패키지에 발광 다이오드(LED) 칩을 실장하여 형성한다. 예를 들어, 측면 발광 다이오드 패키지는 기다란 형상의 캐비티를 갖도록 형성되어, 도광판의 측면에서 도광판에 평행하게 빛을 제공한다. 이러한 측면 발광 다이오드 패키지는 각종 디스플레이용 백라이트 조명에 주로 사용된다.In general, a light source system using a light emitting diode chip is formed by mounting a light emitting diode (LED) chip in various types of packages according to the intended use. For example, the side light emitting diode package is formed to have an elongated cavity to provide light parallel to the light guide plate at the side of the light guide plate. Such side light emitting diode packages are mainly used for backlight lighting for various displays.

도 1 및 도 2는 종래의 측면 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 평면도 및 사시도이다.1 and 2 are a plan view and a perspective view for explaining a conventional side light emitting diode package.

도 1 내지 도 2를 참조하면, 측면 발광 다이오드 패키지는 한 쌍의 리드 단자 즉, 제1 및 제2 리드단자들(11, 13)을 포함한다. 상기 제1 및 제2 리드단자들은 인청동판으로 제작된 리드프레임으로부터 형성되며, 그 표면은 광반사율을 높이기 위해 은(Ag) 도금되어 있다. 제1 및 제2 리드단자들(11, 13)은 패키지 본체(15)에 의해 지지된다. 패키지 본체(15)는 일반적으로 폴리프탈아미드(Polyphthalamide; PPA)로 리드단자들을 삽입몰딩하여 형성된다.1 to 2, the side light emitting diode package includes a pair of lead terminals, that is, first and second lead terminals 11 and 13. The first and second lead terminals are formed from a lead frame made of a phosphor bronze plate, and the surface thereof is plated with silver (Ag) to increase light reflectance. The first and second lead terminals 11 and 13 are supported by the package body 15. The package body 15 is generally formed by insert molding lead terminals with polyphthalamide (PPA).

패키지 본체(15)는 제1 및 제2 리드단자들(11, 13)을 노출시키는 캐비티(16, cavity)를 갖는다. 제1 및 제2 리드단자들(11, 13)은 캐비티(16)의 바닥면에서 서로 이격되어 있다. 또한, 제1 및 제2 리드단자들(11, 13)은 외부 전원에 전기적으로 연결되기 위해 각각 패키지 본체(15)의 외부로 돌출되어 있다. 외부로 돌출된 리드단자들(11, 13)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 다양한 형상으로 절곡될 수 있다. 도 1 및 도 2는 표면 실장을 위해 패키지 본체(15)의 하부면에서 측면으로 절곡된 리드단자들(11, 13)을 도시하고 있다.The package body 15 has a cavity 16 exposing the first and second lead terminals 11, 13. The first and second lead terminals 11 and 13 are spaced apart from each other at the bottom surface of the cavity 16. In addition, the first and second lead terminals 11 and 13 protrude out of the package main body 15 to be electrically connected to an external power source. The lead terminals 11 and 13 protruding to the outside may have various shapes and may be bent into various shapes. 1 and 2 show lead terminals 11 and 13 that are bent laterally from the lower surface of the package body 15 for surface mounting.

캐비티(16) 내의 제1 리드단자(11) 상에 발광 다이오드 칩(17)이 실장되어 전기적으로 연결되며, 본딩와이어에 의해 제2 리드단자(13)에 전기적으로 연결된다. 캐비티(16)는 투광성 수지(도시하지 않음)로 채워질 수 있으며, 투광성 수지 내에 형광체들이 함유될 수 있다.The LED chip 17 is mounted and electrically connected to the first lead terminal 11 in the cavity 16, and is electrically connected to the second lead terminal 13 by a bonding wire. The cavity 16 may be filled with a light transmitting resin (not shown), and phosphors may be contained in the light transmitting resin.

종래의 측면발광 다이오드 패키지는 기다란 형상의 캐비티(16)를 마련하고, 측벽들, 특히 장축방향의 측벽들(15w)을 경사지게 형성하여 장축 방향의 지향각을 넓힌다. 이에 따라, 디스플레이용의 백라이트에 적합한 측면발광 다이오드 패키지가 제공되며, 발광 다이오드 칩 및 형광체의 적절한 선택에 의해 백색광을 방출하는 측면 발광 다이오드 패키지가 제공될 수 있다.The conventional side light emitting diode package provides an elongated cavity 16, and forms sidewalls, in particular, sidewalls 15w in the long axis direction, to widen the direction angle in the long axis direction. Accordingly, a side light emitting diode package suitable for a backlight for a display can be provided, and a side light emitting diode package can be provided that emits white light by appropriate selection of a light emitting diode chip and a phosphor.

그러나, 종래기술에 따른 측면 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩에서 내벽들(15w)로 방출된 광이 반사율이 낮은 패키지 본체의 내벽들(15w)에서 일부 흡수, 산란되어 광효율이 떨어지는 문제점이 있다. 또한, 발광 다이오드 칩에서 직접 패키지 본체(15)로 입사된 광에 의해 PPA 재질의 패키지 본체 내벽이 변색되어, 사용시간이 증가함에 따라 광효율이 감소하며, 그 결과 사용 수명이 짧아진다.However, the side light emitting diode package according to the related art has a problem in that light emitted from the light emitting diode chip to the inner walls 15w is partially absorbed and scattered in the inner walls 15w of the package body having a low reflectance, thereby degrading light efficiency. In addition, the inner wall of the package body of the PPA material is discolored by the light incident directly to the package body 15 from the light emitting diode chip, the light efficiency is reduced as the use time is increased, and as a result, the service life is shortened.

한편, 발광 다이오드 칩(17)이 동작하는 동안, 발광 다이오드 칩(17)에서 열이 발생한다. 발광 다이오드 칩(17)이 실장된 제1 리드단자(11)는 발광 다이오드 칩(17)에서 발생된 열을 외부로 전달하는 열전달 경로를 제공하며, 이에 따라 상기 열이 제1 리드단자(11)를 통해 외부로 방출될 수 있다.On the other hand, while the light emitting diode chip 17 is operating, heat is generated in the light emitting diode chip 17. The first lead terminal 11 on which the light emitting diode chip 17 is mounted provides a heat transfer path for transferring heat generated from the light emitting diode chip 17 to the outside, whereby the heat is transferred to the first lead terminal 11. It can be emitted to the outside through.

그러나, 종래기술에 따른 발광 다이오드 패키지는 상기 열이 전달되는 경로가 주로 제1 리드단자(11)에 제한됨에 따라, 열방출이 원활하지 못하고 따라서 캐비티(16) 내의 온도가 상승한다. 이에 더하여, 캐비티(16)의 내벽들(15w)에서 흡수된 광은 열로 변환되며, 이러한 열은 패키지 본체(15)의 상대적으로 낮은 열전달율에 기인하여 외부로 쉽게 방출되지 못하고, 따라서 캐비티(16) 내의 온도를 더욱 상승시킨다.However, in the LED package according to the related art, since the heat transfer path is mainly limited to the first lead terminal 11, heat dissipation is not smooth and thus the temperature in the cavity 16 increases. In addition, the light absorbed in the inner walls 15w of the cavity 16 is converted into heat, which is not easily released to the outside due to the relatively low heat transfer rate of the package body 15, and thus the cavity 16 Increase the temperature in the chamber further.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 캐비티 내벽의 반사율을 개선하여 발광효율을 향상시킴과 아울러, 발광 다이오드 칩이 실장된 리드단자에 더하여 외부로 열을 방출할 수 있는 열전달 경로를 제공할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to improve the luminous efficiency by improving the reflectance of the inner wall of the cavity, as well as to provide a heat transfer path that can emit heat to the outside in addition to the lead terminal in which the LED chip is mounted. To provide a package.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 패키지 본체의 내벽이 변색되는 것을 완화할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a light emitting diode package that can alleviate the discoloration of the inner wall of the package body.

본 발명은 상기 과제들을 해결하기 위한 발광 다이오드 패키지를 제공한다. 이 패키지는 제1 및 제2 리드단자를 포함한다. 상기 제1 리드단자는 칩 실장영역, 상기 칩 실장영역에서 외부로 연장된 제1 외부 리드 및 상기 칩 실장 영역에서 연장된 제1 날개부(wing portion)를 갖는 제1 리드단자를 포함한다. 상기 제2 리드단자는 상기 제1 리드단자로부터 이격되고, 와이어 본딩 영역, 상기 와이어 본딩 영역에서 외부로 연장된 제2 외부 리드 및 상기 와이어 본딩 영역에서 연장된 제2 날개부를 갖는다. 한편, 패키지 본체가 상기 제1 및 제2 리드단자들에 결합되어 그들을 지지한다. 여기서, 상기 제1 리드단자의 칩 실장영역 및 상기 제2 리드단자의 와이어 본딩 영역은 상기 캐비티의 바닥면에 위치하고, 상기 제1 날개부 및 제2 날개부는 상기 칩 실장 영역의 양측에 각각 배치되어 양측 반사면들을 형성한다. 또한, 상기 패키지 본체는 상기 제1 및 제2 날개부들과 함께 캐비티를 이루는 내벽을 형성한다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 날개부들에 의해 캐비티 내벽의 반사율을 높이어 광효율을 증가시킬 수 있으며, 제2 날개부에서 변환된 열을 제2 리드단자를 통해 외부로 방출할 수 있어, 패키지의 열방출 성능을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 날개부들에 의해 패키지 본체가 변색되는 것을 방지할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공할 수 있다.The present invention provides a light emitting diode package for solving the above problems. The package includes first and second lead terminals. The first lead terminal includes a first lead terminal having a chip mounting region, a first external lead extending outwardly from the chip mounting region, and a first wing portion extending from the chip mounting region. The second lead terminal is spaced apart from the first lead terminal, and has a wire bonding region, a second outer lead extending outwardly from the wire bonding region, and a second wing portion extending from the wire bonding region. On the other hand, a package body is coupled to and supports the first and second lead terminals. Here, the chip mounting region of the first lead terminal and the wire bonding region of the second lead terminal are located on the bottom surface of the cavity, and the first wing portion and the second wing portion are disposed on both sides of the chip mounting region, respectively. Both reflecting surfaces are formed. In addition, the package body forms an inner wall that forms a cavity together with the first and second wings. Accordingly, the light efficiency can be increased by increasing the reflectance of the inner wall of the cavity by the first and second vanes, and the heat converted by the second vanes can be emitted to the outside through the second lead terminal. The heat dissipation performance can be improved. In addition, it is possible to provide a light emitting diode package capable of preventing the package body from being discolored by the wings.

여기서, 상기 "날개부"는 상기 칩 실장영역과 상기 와이어 본딩 영역을 잇는 직선을 따라 그 옆에 배치된 부분을 의미한다.Here, the "wings" means portions disposed along a straight line connecting the chip mounting region and the wire bonding region.

한편, 상기 제1 날개부는 상기 제2 리드단자의 와이어 본딩 영역의 측면으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 날개부들 중 적어도 하나는 상기 캐비티의 바닥면으로부터 멀어질수록 폭이 넓어질 수 있다. 이에 따라, 상기 날개부들에 의해 형성되는 반사면의 넓이를 증가시킬 수 있다.On the other hand, the first wing portion may extend to the side of the wire bonding area of the second lead terminal. In addition, at least one of the first and second wings may be wider as it moves away from the bottom surface of the cavity. Accordingly, the width of the reflective surface formed by the wing portions can be increased.

한편, 구조적인 안정성을 위해, 상기 패키지 본체는 상기 제1 및 제2 날개부들의 바깥면들을 덮을 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제1 및 제2 날개부들의 바깥면들 중 적어도 일부는 외부에 노출될 수 있다. 상기 날개부들 중 노출된 부분들을 통해 열이 방출될 수 있어, 열방출 성능이 개선될 수 있다.On the other hand, for structural stability, the package body may cover the outer surfaces of the first and second wings. However, the present invention is not limited thereto, and at least some of the outer surfaces of the first and second wings may be exposed to the outside. Heat may be released through the exposed portions of the wings, so that the heat dissipation performance may be improved.

발광 다이오드 칩이 상기 제1 리드단자의 칩 실장영역 상에 탑재되고, 본딩 와이어가 상기 발광 다이오드 칩과 상기 제2 리드단자의 와이어 본딩영역을 연결한다. 이에 더하여, 상기 제1 리드단자는 와이어 본딩 영역을 더 포함할 수 있으며, 다른 본딩 와이어가 상기 발광 다이오드 칩과 상기 제1 리드단자의 와이어 본딩영역을 연결할 수 있다.A light emitting diode chip is mounted on the chip mounting region of the first lead terminal, and a bonding wire connects the light emitting diode chip to the wire bonding region of the second lead terminal. In addition, the first lead terminal may further include a wire bonding region, and another bonding wire may connect the light emitting diode chip and the wire bonding region of the first lead terminal.

또한, 파장변환재가 상기 발광 다이오드를 덮을 수 있다. 상기 파장변환재는 형광체를 함유하여 상기 발광 다이오드에서 방출된 광의 적어도 일부를 파장변환시킨다. 상기 파장변환재는 상기 캐비티 내에 또는 그 상부에 형성될 수 있다. In addition, the wavelength conversion material may cover the light emitting diode. The wavelength converting material contains a phosphor to wavelength convert at least a part of the light emitted from the light emitting diode. The wavelength conversion material may be formed in or on the cavity.

본 발명에 따르면, 리드단자들에서 연장된 날개부들에 의해 캐비티 내벽에 반사면이 형성된다. 이에 따라, 캐비티 내벽의 반사율이 증가되어 발광 다이오드 패키지의 광효율을 증가시킬 수 있다. 또한, 발광 다이오드 칩에서 발생된 열이 그것이 탑재된 제1 리드단자를 통해 외부로 전달되는 것에 더하여, 제2 리드단자에서 연장된 날개부에서 흡수되어 변환된 열이 제2 리드단자를 통해 외부로 전달될 수 있어 발광 다이오드 패키지의 열방출 성능을 개서할 수 있다. 또한, 상기 날개부들에 의해 발광 다이오드 칩에서 방출된 광이 패키지 본체에 직접 입사되는 것을 차단할 수 있어, 패키지 본체가 변색되는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, a reflecting surface is formed on the inner wall of the cavity by the wing portions extending from the lead terminals. Accordingly, the reflectance of the inner wall of the cavity is increased to increase the light efficiency of the LED package. Further, in addition to the heat generated in the LED chip being transmitted to the outside through the first lead terminal mounted thereon, the heat absorbed and converted by the wing extending from the second lead terminal is transferred to the outside through the second lead terminal. It can be delivered to rewrite the heat dissipation performance of the LED package. In addition, the light emitted from the light emitting diode chip by the vanes may be prevented from directly entering the package body, thereby preventing the package body from being discolored.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided as examples to ensure that the spirit of the present invention can be fully conveyed to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. And, in the drawings, the width, length, thickness, etc. of the components may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 측면 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략도들이다. 여기서 (a)는 패키지 본체를 투시하여 나타낸 평면도이고, (b)는 (a)의 절취선 A-A'를 따라 취해진 단면도이고, (c) 및 (d)는 각각 (a) 절취선 B-B' 및 C-C'를 따라 취해진 단면도들이다.3 is a schematic diagram illustrating a side light emitting diode package according to an embodiment of the present invention. Where (a) is a plan view through the package body, (b) is a cross sectional view taken along the cut line A-A 'of (a), and (c) and (d) are the cut lines BB' and C, respectively Are cross-sectional views taken along -C '.

도 3을 참조하면, 상기 발광 다이오드 패키지는 한 쌍의 리드 단자 즉, 제1 및 제2 리드단자들(21, 23)을 포함한다. 제1 및 제2 리드단자들(21, 23)은 예컨대, 인청동판으로 제작된 리드프레임으로부터 형성될 수 있으며, 반사율을 향상시키기 위해 예컨대, Ag, Cu, Ni, Au, Al합금, Mg합금, 또는 Al과 Mg의 합금 등이 도금될 수 있다.Referring to FIG. 3, the LED package includes a pair of lead terminals, that is, first and second lead terminals 21 and 23. The first and second lead terminals 21 and 23 may be formed, for example, from a lead frame made of a phosphor bronze plate, and for example, Ag, Cu, Ni, Au, Al alloy, Mg alloy, Or an alloy of Al and Mg may be plated.

상기 제1 리드단자(21)는 칩 실장영역(21a)과 상기 칩 실장영역에서 외부로 연장된 제1 외부 리드(outer lead, 21b) 및 상기 칩 실장영역에서 연장된 제1 날개부(21c)를 포함하고, 상기 제2 리드단자(23)는 와이어 본딩 영역(23a)과 상기 와이어 본딩 영역에서 외부로 연장된 제2 외부 리드(23b) 및 상기 와이어 본딩 영역에서 연장된 제2 날개부(23c)를 포함한다. 상기 제1 및 제2 리드단자(21, 23)는 서로 이격되며, 그 날개부들(21c, 23c)은 칩 실장영역(21a)의 양측에 각각 배치되어 양측 반사면들을 형성한다. 상기 날개부들(21c, 23c)은 상기 칩 실장 영역(21a)을 중심으로 대향하여 나란하게 배치된다.The first lead terminal 21 may include a chip mounting region 21a, a first outer lead 21b extending outwardly from the chip mounting region, and a first wing portion 21c extending from the chip mounting region. The second lead terminal 23 includes a wire bonding region 23a, a second outer lead 23b extending outwardly from the wire bonding region, and a second wing portion 23c extending from the wire bonding region. ). The first and second lead terminals 21 and 23 are spaced apart from each other, and the wing parts 21c and 23c are disposed at both sides of the chip mounting area 21a to form both reflective surfaces. The wing parts 21c and 23c are arranged side by side facing the chip mounting area 21a.

상기 날개부(21c)는 제2 리드단자의 와이어 본딩 영역(23a)의 측면으로 연장될 수 있다. 또한, 도시한 바와 같이, 날개부(21c)가 날개부(23c)에 비해 더 넓은 폭을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 상기 제2 날개부(23c)는 제1 리드단자의 칩 실장영역(21a)과 제1 외부 리드(21b)가 연결된 부분까지 연 장될 수 있으며, 이에 따라 날개부(23c)가 날개부(21c)와 동일한 폭을 갖거나 그것에 비해 더 넓은 폭을 가질 수도 있다.The wing portion 21c may extend to the side of the wire bonding region 23a of the second lead terminal. In addition, as shown, the wing portion 21c may have a wider width than the wing portion 23c, but is not limited thereto. For example, the second wing portion 23c may extend to a portion where the chip mounting area 21a of the first lead terminal and the first external lead 21b are connected, and thus the wing portion 23c may be a wing portion ( It may have the same width as 21c) or a wider width than that.

상기 날개부들(21c, 23c)은 도 3 (c) 및 (d)에 도시한 바와 같이, 칩 실장 영역(21a) 및 와이어 본딩 영역(23a)으로부터 절곡된 구조를 갖는다. 상기 날개부들(21c, 23c)에 의해 형성된 반사면들은 칩 실장 영역(21a)에 대해 수직할 수 있으나, 도시한 바와 같이 일정한 경사각을 가질 수도 있다. 이러한 날개부들은 리드프레임으로부터 절곡하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 절곡(bending) 이외의 다양한 프레스 가공 방법 또는 주조나 용접 등에 의해 형성될 수도 있다.The wings 21c and 23c have a structure bent from the chip mounting region 21a and the wire bonding region 23a, as shown in FIGS. 3C and 3D. Reflecting surfaces formed by the wing parts 21c and 23c may be perpendicular to the chip mounting area 21a, but may have a constant inclination angle as shown. The wings may be formed by bending from the lead frame, but are not limited thereto, and may be formed by various press working methods other than bending, or casting or welding.

한편, 패키지 본체(25)가 상기 제1 및 제2 리드단자(21, 23)에 결합되어 그들을 지지한다. 패키지 본체(25)는 리드단자들(21, 23)을 삽입몰딩하여 형성될 수 있다. 상기 패키지 본체(25)는 칩 실장영역(21a) 및 와이어 본딩 영역(23a)의 하부면들을 덮는다. 또한, 상기 패키지 본체(25)는 상기 날개부들(21c, 23c)의 바깥면들을 덮을 수 있다. 상기 날개부들(21c, 23c)의 바깥면은 상기 패키지 본체(25)에 의해 완전히 덮일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 날개부들의 바깥면들 중 적어도 일부가 노출될 수도 있다.On the other hand, the package body 25 is coupled to the first and second lead terminals 21 and 23 to support them. The package body 25 may be formed by insert molding the lead terminals 21 and 23. The package body 25 covers lower surfaces of the chip mounting area 21a and the wire bonding area 23a. In addition, the package body 25 may cover outer surfaces of the wing portions 21c and 23c. The outer surfaces of the wings 21c and 23c may be completely covered by the package body 25, but are not limited thereto, and at least some of the outer surfaces of the wings may be exposed.

상기 패키지 본체(25)는 상기 날개부들과 함께 캐비티의 내벽을 형성한다. 특히, 상기 패키지 본체(25)는 상기 날개부들(21c, 23c)에 의해 형성되는 양측 반사면들에 직교하는 양측면들의 내벽(25w)을 형성한다. 상기 내벽들(25w)은, 도시된 바와 같이, 경사지게 형성될 수 있다. 한편, 상기 칩 실장영역(21a) 및 와이어 본 딩 영역(23a)은 상기 캐비티의 바닥면을 형성한다. The package body 25 together with the wings forms an inner wall of the cavity. In particular, the package body 25 forms an inner wall 25w of both side surfaces orthogonal to both side reflective surfaces formed by the wing portions 21c and 23c. The inner walls 25w may be formed to be inclined as shown. Meanwhile, the chip mounting area 21a and the wire bonding area 23a form a bottom surface of the cavity.

제1 및 제2 리드단자들(21, 23)은 외부 전원에 전기적으로 연결되기 위해 각각 상기 패키지 본체(25)의 외부로 돌출된 제1 및 제2 외부 리드들(outer leads)을 갖는다. 상기 제1 및 제2 외부리드단자들(21, 23)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 다양한 형상으로 절곡될 수 있다.The first and second lead terminals 21 and 23 have first and second outer leads protruding to the outside of the package body 25, respectively, for being electrically connected to an external power source. The first and second external lead terminals 21 and 23 may have various shapes and may be bent into various shapes.

한편, 발광 다이오드 칩(27)이 상기 제1 리드단자(21)의 칩 실장영역(21a) 상에 탑재되고, 본딩 와이어(29a)에 의해 제2 리드단자(23)의 와이어 본딩 영역(23a)에 연결된다. 이때, 상기 발광 다이오드 칩(27)은 도전성 접착제에 의해 제1 리드단자(21)에 전기적으로 연결되고, 본딩와이어(29a)를 통해 제2 리드단자(23)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 달리, 상기 발광 다이오드 칩(27)은 두 개의 본딩와이어들(29a, 29b)에 의해 제1 및 제2 리드단자(21, 23)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 리드단자는 본딩 와이어(29b)를 본딩하기 위한 와이어 본딩 영역을 갖는다.On the other hand, the LED chip 27 is mounted on the chip mounting area 21a of the first lead terminal 21, and the wire bonding area 23a of the second lead terminal 23 is bonded by the bonding wire 29a. Is connected to. In this case, the LED chip 27 may be electrically connected to the first lead terminal 21 by a conductive adhesive, and may be electrically connected to the second lead terminal 23 through the bonding wire 29a. In contrast, the LED chip 27 may be electrically connected to the first and second lead terminals 21 and 23 by two bonding wires 29a and 29b, respectively. In this case, the first lead terminal has a wire bonding area for bonding the bonding wire 29b.

한편, 파장변환재(도시하지 않음)가 상기 발광 다이오드 칩(27)을 덮을 수 있다. 상기 파장 변환재는, 예컨대 에폭시 또는 실리콘 수지로 형성될 수 있으며, 발광 다이오드 칩(27)에서 방출된 광, 예컨대 청색광을 황색광으로 변환시키는 형광체를 함유하여 상기 발광 다이오드에서 방출된 광의 적어도 일부를 파장변환시킨다. 상기 파장변환재는 형광체를 함유하는 액상수지를 경화시키어 형성할 수 있으며, 또는 형광체와 수지가 혼합된 태블릿을 사용하여 트랜스퍼몰딩함으로써 형성될 수 있다. 상기 발광 다이오드 칩(27) 및 형광체는 다양하게 선택될 수 있으며, 이 에 따라 다양한 색상의 광을 구현할 수 있다. 상기 파장변환재는 상기 캐비티 내부에 위치할 수도 있으며, 상기 캐비티 상부에 위치할 수도 있다.Meanwhile, a wavelength conversion material (not shown) may cover the light emitting diode chip 27. The wavelength converting material may be formed of, for example, an epoxy or silicone resin, and contains at least a portion of the light emitted from the light emitting diode by containing a phosphor that converts light emitted from the light emitting diode chip 27, for example, blue light into yellow light. Convert The wavelength conversion material may be formed by curing a liquid resin containing a phosphor, or may be formed by transfer molding using a tablet in which phosphor and resin are mixed. The light emitting diode chip 27 and the phosphor may be variously selected, and accordingly, light of various colors may be realized. The wavelength conversion material may be located inside the cavity, or may be located above the cavity.

본 실시예에 따르면, 리드단자들이 캐비티의 양측 내벽면들에 배치됨으로써 캐비티 내벽의 반사율을 향상시킬 수 있다. 특히, 기다란 형상의 캐비티를 갖는 측면 발광 다이오드 패키지에 있어서, 상기 날개부들은 장축방향에 나란하게 형성되는 측면들에 위치함으로써 넓은 면적에 걸쳐 반사면들을 형성할 수 있다. 한편, 상기 날개부들(21c, 23c)은 패키지 본체(25)로 입사되는 광을 반사시킴으로써 광에 의해 패키지 본체(25)가 변색되는 것을 감소시킨다. 또한, 제2 날개부(23c)에서 흡수되어 변환된 열은 제2 리드단자(23)를 통해 외부로 방출될 수 있다. 따라서, 제1 리드단자에 더하여 제2 리드단자를 통해 열을 방출할 수 있어 발광 다이오드 패키지의 열방출 성능이 향상된다. According to the present embodiment, the lead terminals are disposed on both inner wall surfaces of the cavity, thereby improving the reflectance of the inner wall of the cavity. In particular, in a side light emitting diode package having an elongated cavity, the wing parts may be formed on side surfaces formed in parallel in a long axis direction to form reflective surfaces over a large area. On the other hand, the wing portions 21c and 23c reduce the discoloration of the package main body 25 by the light by reflecting the light incident on the package main body 25. In addition, heat absorbed and converted by the second wing unit 23c may be discharged to the outside through the second lead terminal 23. Therefore, heat can be released through the second lead terminal in addition to the first lead terminal, thereby improving heat dissipation performance of the LED package.

본 실시예에 있어서의 제1 및 제2 리드단자(21, 23)는 도 4에 도시된 바와 같은 리드프레임으로부터 제작될 수 있다. 즉, 인청동판과 같은 평평한 금속판을 펀칭 가공하여 서로 이격된 제1 리드단자(21)와 제2 리드단자(23)가 형성된다. 상기 제1 리드단자(21)는 칩 실장영역(21a), 제1 외부 리드(21b) 및 제1 날개부(21c)를 가지며, 상기 제1 날개부(21c)는 절곡선(B)을 따라 위로 절곡되어 반사면을 형성한다. 또한, 상기 제2 리드단자(23)는 와이어 본딩 영역(23a), 제2 외부 리드(23b) 및 제2 날개부(23c)를 가지며, 상기 제2 날개부(23c) 또한 절곡선(B)를 따라 위로 절곡되어 반사면을 형성한다. 도시된 바와 같이, 상기 제1 날개부(21c)는 제2 리드단자의 와이어 본딩 영역(23a)의 측면으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 제 2 날개부(23c)가 제1 리드단자의 칩 실장영역(21a) 근처에서 종단된 것으로 도시하였으나, 제2 날개부(23c)는 제1 리드단자의 칩 실장 영역(21a)과 제1 외부 리드(21b)가 연결되는 부분까지 연장될 수도 있다.The first and second lead terminals 21 and 23 in this embodiment can be manufactured from a lead frame as shown in FIG. That is, the first lead terminal 21 and the second lead terminal 23 spaced apart from each other by punching a flat metal plate such as a phosphor bronze plate. The first lead terminal 21 has a chip mounting area 21a, a first external lead 21b, and a first wing 21c, and the first wing 21c is along the bend line B. FIG. It is bent upward to form a reflective surface. In addition, the second lead terminal 23 has a wire bonding region 23a, a second external lead 23b, and a second wing 23c, and the second wing 23c also has a bend line B. FIG. It is bent upward along to form the reflective surface. As illustrated, the first wing 21c may extend to the side of the wire bonding region 23a of the second lead terminal. In addition, although the second wing portion 23c is shown as being terminated near the chip mounting region 21a of the first lead terminal, the second wing portion 23c may be connected to the chip mounting region 21a of the first lead terminal. It may extend to a portion to which the first external lead 21b is connected.

이와 달리, 제1 및 제2 리드단자(21, 23)는 주조나 용접 기술을 이용하여 제조될 수 있다. 이 경우, 상기 날개부들(21c, 23c)을 절곡하는 공정이 생략된다.Alternatively, the first and second lead terminals 21 and 23 may be manufactured using casting or welding techniques. In this case, the process of bending the wing parts 21c and 23c is omitted.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 리드단자들(21, 23)이 사각형의 날개부들(21c, 23c)을 갖는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 날개부들은 발광 다이오드 패키지의 형상에 따라 다양한 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 도 5는 도 4의 날개부들(21c, 23c)의 형상과 다른 형상을 갖는 리드단자들(31, 33)을 설명하기 위한 리드프레임의 평면도이다.In the present exemplary embodiment, the first and second lead terminals 21 and 23 are illustrated as having rectangular wings 21c and 23c. However, the first and second lead terminals 21 and 23 are not limited thereto. It may be formed to have various shapes according to the shape. FIG. 5 is a plan view of a lead frame for describing lead terminals 31 and 33 having a shape different from that of the wing portions 21c and 23c of FIG. 4.

도 5를 참조하면, 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 리드단자(31)는 칩 실장영역(31a), 제1 외부 리드(31b) 및 제1 날개부(31c)를 가지며, 제2 리드단자(33)는 와이어 본딩 영역(33a), 제2 외부 리드(33b) 및 제2 날개부(33c)를 갖는다. 다만, 상기 제1 리드단자의 날개부(31c) 및/또는 상기 제2 리드단자의 날개부(33c)는 칩 실장영역(31a)에서 멀어질수록 폭이 넓어진다. 상기 날개부들(31c 33c)은 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 장축방향에 수직한 내벽들(25w)이 경사지게 형성된 경우, 그 경사면에 대응하여 배치되도록 폭이 넓어질 수 있으며, 이에 따라 캐비티의 양측면들에 더 넓은 반사면들을 제공할 수 있다.Referring to FIG. 5, as described with reference to FIG. 4, the first lead terminal 31 has a chip mounting region 31a, a first external lead 31b, and a first wing portion 31c. The lead terminal 33 has a wire bonding region 33a, a second outer lead 33b and a second wing portion 33c. However, the wing portion 31c of the first lead terminal and / or the wing portion 33c of the second lead terminal becomes wider as it moves away from the chip mounting region 31a. For example, as shown in FIG. 3, when the inner walls 25w perpendicular to the long axis are formed to be inclined, the wing portions 31c 33c may be wider to be disposed corresponding to the inclined surfaces, and thus the cavity. It is possible to provide wider reflective surfaces on both sides of.

본 발명의 실시예들에 있어서, 기다란 형상의 캐비티를 갖는 측면 발광 다이오드 패키지를 예로써 도시 및 설명하였으나, 본 발명은 측면발광 다이오드 패키지 에 한정되는 것은 아니며, 플라스틱 패키지 본체 및 리드 프레임을 사용하는 다양한 유형의 패키지, 예컨대 원형 또는 사각형의 캐비티를 갖는 패키지에도 적용될 수 있다.In the embodiments of the present invention, the side light emitting diode package having an elongated shape cavity is illustrated and described as an example, but the present invention is not limited to the side light emitting diode package, and various embodiments using the plastic package body and the lead frame are provided. It can also be applied to tangible packages, for example packages with circular or rectangular cavities.

도 1은 종래기술에 따른 측면 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 평면도이다.1 is a plan view for explaining a side light emitting diode package according to the prior art.

도 2는 종래기술에 따른 측면 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도이다.2 is a perspective view illustrating a side light emitting diode package according to the related art.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 측면 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략도들이다.3 is a schematic diagram illustrating a side light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 측면 발광 다이오드 패키지를 제조하기 위해 사용되는 리드 프레임을 설명하기 위한 평면도이다.4 is a plan view illustrating a lead frame used to manufacture a side light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 측면 발광 다이오드 패키지를 제조하기 위해 사용되는 리드 프레임을 설명하기 위한 평면도이다.5 is a plan view illustrating a lead frame used to manufacture a side light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

Claims (8)

칩 실장영역, 상기 칩 실장 영역에서 연장된 제1 외부 리드, 및 상기 칩 실장영역에서 상기 제1 외부 리드가 연장되는 방향에 수직한 방향에서 상기 칩 실장영역으로부터 연장된 제1 날개부를 갖는 제1 리드단자;A first having a chip mounting region, a first external lead extending from the chip mounting region, and a first wing extending from the chip mounting region in a direction perpendicular to a direction in which the first external lead extends in the chip mounting region Lead terminal; 상기 제1 리드단자로부터 이격되고, 와이어 본딩 영역, 상기 와이어 본딩 영역에서 연장된 제2 외부 리드, 및 상기 와이어 본딩 영역에서 상기 제2 외부 리드가 연장되는 방향에 수직한 방향에서 상기 와이어 본딩 영역으로부터 연장된 제2 날개부를 갖는 제2 리드단자; 및A wire bonding region spaced apart from the first lead terminal and extending from the wire bonding region, a second external lead extending from the wire bonding region, and a direction perpendicular to the direction in which the second external lead extends from the wire bonding region. A second lead terminal having an extended second wing portion; And 상기 제1 및 제2 리드단자들에 결합되어 상기 제1 및 제2 리드단자들을 지지하는 패키지 본체를 포함하고,A package body coupled to the first and second lead terminals to support the first and second lead terminals, 상기 패키지 본체는 상기 제1 및 제2 날개부들과 함께 캐비티를 이루고,The package body forms a cavity together with the first and second wings, 상기 제1 리드단자의 칩 실장영역 및 상기 제2 리드단자의 와이어 본딩 영역은 상기 캐비티의 바닥면에 위치하고,The chip mounting area of the first lead terminal and the wire bonding area of the second lead terminal are located on the bottom surface of the cavity, 상기 제1 날개부 및 제2 날개부는 상기 칩 실장 영역을 중심으로 대향하여 나란하게 배치되어 서로 마주보는 양측 반사면들을 형성하고,The first wing portion and the second wing portion are arranged side by side facing each other with respect to the chip mounting area to form both reflection surfaces facing each other, 상기 패키지 본체는 상기 제1 및 제2 날개부들에 의해 형성된 양측 반사면들에 직교하는 내벽을 형성하는 발광 다이오드 패키지.The package body forms an inner wall orthogonal to both reflecting surfaces formed by the first and second wings. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제1 날개부는 상기 제2 리드단자의 와이어 본딩 영역의 측면으로 연장된 발광 다이오드 패키지.The first wing portion is a light emitting diode package extending to the side of the wire bonding region of the second lead terminal. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제1 및 제2 날개부들 중 적어도 하나는 상기 캐비티의 바닥면으로부터 멀어질수록 폭이 넓어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.At least one of the first and second wings is a light emitting diode package, characterized in that the wider the further away from the bottom surface of the cavity. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 패키지 본체는 상기 제1 및 제2 날개부들의 바깥면들을 덮는 발광 다이오드 패키지.The package body covers the outer surface of the first and second wings. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제1 및 제2 날개부들의 바깥면들 중 적어도 일부는 상기 패키지 본체의 외부에 노출된 발광 다이오드 패키지.At least some of the outer surfaces of the first and second wings are exposed to the outside of the package body. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제1 리드단자의 칩 실장영역 상에 탑재된 발광 다이오드 칩; 및A light emitting diode chip mounted on the chip mounting region of the first lead terminal; And 상기 발광 다이오드 칩과 상기 제2 리드단자의 와이어 본딩영역을 연결하는 본딩 와이어를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.And a bonding wire connecting the light emitting diode chip and the wire bonding region of the second lead terminal. 청구항 6에 있어서,The method according to claim 6, 상기 제1 리드단자는 와이어 본딩 영역을 더 포함하고,The first lead terminal further includes a wire bonding region, 상기 발광 다이오드 칩과 상기 제1 리드단자의 와이어 본딩영역을 연결하는 다른 본딩 와이어를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.And a second bonding wire connecting the light emitting diode chip and the wire bonding region of the first lead terminal. 청구항 6에 있어서,The method according to claim 6, 상기 발광 다이오드 칩을 덮는 파장변환재를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.A light emitting diode package further comprising a wavelength conversion material covering the light emitting diode chip.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040104178A (en) * 2003-06-03 2004-12-10 삼성전기주식회사 Method for manufacturing light emitting diode device
KR20050090872A (en) * 2004-03-10 2005-09-14 서울반도체 주식회사 Package for semiconductor light emitting devices
KR100592333B1 (en) 2005-04-23 2006-06-21 주식회사 코스텍시스 A led module
KR100831078B1 (en) 2006-10-25 2008-05-20 주식회사 서호 Method for making led lead frame and led lead frame thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040104178A (en) * 2003-06-03 2004-12-10 삼성전기주식회사 Method for manufacturing light emitting diode device
KR20050090872A (en) * 2004-03-10 2005-09-14 서울반도체 주식회사 Package for semiconductor light emitting devices
KR100592333B1 (en) 2005-04-23 2006-06-21 주식회사 코스텍시스 A led module
KR100831078B1 (en) 2006-10-25 2008-05-20 주식회사 서호 Method for making led lead frame and led lead frame thereof

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