KR100884980B1 - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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KR100884980B1
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윤준구
김성혁
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주식회사 동부하이텍
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Abstract

A method for manufacturing a semiconductor device is provided to remove a photoresist without influence on a metal pattern by performing a two-step etching process using the etchant diluting the mixture of ammonium fluoride, dimethylacetamide, and ammonium acetamide to ultrapure water. A semiconductor substrate(110) in which a photoresist(152) is coated is dipped in the etchant twice. The etchant is made by diluting the mixture of ammonium fluoride, ammonium acetamide and dimethylacetamide to ultrapure water. In the etchant, the ratio of the ammonium fluoride is 1.0% to 5.0%. The ratio of the dimethylacetamide is 50% to 60%. The ratio of the ammonium acetamide is 20% to 30%. The ratio of the ultrapure water is 5.0% to 29%.

Description

반도체 소자의 제조방법{manufacturing method of semiconductor device}Manufacturing method of semiconductor device

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체 기판 상에 형성된 금속 패턴 등에 영향을 주지 않음과 아울러, 식각 공정의 실시로 인해 발생될 수 있는 산화막의 생성을 방지하면서 포토레지스트를 제거시킴으로써 반도체 소자의 신뢰성 및 제조 효율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and in particular, does not affect a metal pattern formed on a semiconductor substrate, and removes the photoresist while preventing the formation of an oxide film that may be generated by the etching process. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device capable of improving the reliability and manufacturing efficiency of the device.

일반적으로 반도체 소자의 제조공정은 전 공정과 후 공정으로 나뉘어 진다.In general, a semiconductor device manufacturing process is divided into a pre-process and a post-process.

전 공정은 크게 산화(Oxidation), 감광액 도포(Photoresist), 노광(Exposure), 현상(Development), 식각(Etching), 이온주입(Ion implantation), 화학기상증착(Chemical vapor Deposition), 금속배선(Metallization), 금속연결(Wire bonding)의 순서로 진행된다.The entire process consists of oxidation, photoresist, exposure, development, etching, ion implantation, chemical vapor deposition, metallization. ), Followed by wire bonding.

전 공정 이후 진행되는 후 공정은 조립 및 검사로 이루어지며, 웨이퍼 자동선별(EDS TEST), 웨이퍼 절단(Wafer Sawing), 칩 접착(Chip Die attach), 배선연결(Wire bonding), 성형(Molding), 최종 검사(Final test)의 순서로 진행된다.After the process, the process consists of assembly and inspection, and includes wafer automatic sorting (EDS TEST), wafer sawing, chip die attach, wire bonding, molding, The test proceeds in the order of final test.

실리콘과 같은 반도체 기판 상에 소정의 회로 패턴을 형성하기 위하여, 반도 체 기판 상에 박막을 형성(deposition)하는 공정, 불순물 이온을 주입(ion implantation)하는 공정, 열 산화와 같은 열처리(annealing) 공정, 반도체 기판 상의 각 층에 패턴 형성을 위한 포토리쏘그래피(photo-lithography) 공정 및 식각(etching) 공정, 패턴 형성 후 불필요한 부분 및 이물질을 제거하는 세정(cleaning) 공정 등을 실시하여 반도체 소자를 형성하게 된다.In order to form a predetermined circuit pattern on a semiconductor substrate such as silicon, a process of forming a thin film on a semiconductor substrate, a process of implanting impurity ions, and an annealing process such as thermal oxidation To form a semiconductor device by performing a photo-lithography process and an etching process for forming a pattern on each layer on the semiconductor substrate, and a cleaning process for removing unnecessary parts and foreign substances after forming the pattern. Done.

도 1 및 도 2는 종래 기술에 따른 반도체 소자의 제조방법을 나타내는 도면이다.1 and 2 illustrate a method of manufacturing a semiconductor device according to the prior art.

도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체 기판(10) 상에 트랜지스터, 캐패시터 등의 소자를 형성시키기 위하여 금속 물질을 전면 증착한 후, 패터닝하여 형성되는 소자 패턴(20)과, 반도체 기판(10) 상에 형성된 다수의 소자 패턴(20) 상호 간 또는 소자 패터(20)을 타 영역과 절연시키기 위하여 소자 패턴(20)을 감싸도록 형성되는 절연층(30)과, 절연층(30) 상에 크롬(Cr)과 같은 금속 물질을 증착 한 후, 패터닝하여 형성되는 금속 패턴(40)을 포함하게 된다.1 and 2, a device pattern 20 and a semiconductor substrate 10 formed by depositing a metal material on the semiconductor substrate 10 and then patterning the same to form devices such as transistors and capacitors on the semiconductor substrate 10. The insulating layer 30 formed to surround the device pattern 20 so as to insulate the device pattern 20 from each other or the device pattern 20 from other regions, and the chromium on the insulating layer 30 After depositing a metal material such as (Cr), it includes a metal pattern 40 formed by patterning.

이러한 반도체 소자의 제조과정에서 크롬(Cr)으로 형성된 금속 패턴(40) 주위의 영역에 별도의 패턴을 형성시키거나, 금속 패턴(40)이 형성된 영역을 제외한 절연층(30) 상에 불순물을 주입하기 위하여 금속 패턴(40)을 덮도록 포토레지스트(PR)을 도포한 후, 포토리쏘그래피 공정을 실시하여 포토레지스트 패턴(52)을 형성하게 된다.In the process of manufacturing the semiconductor device, a separate pattern is formed in a region around the metal pattern 40 formed of chromium (Cr), or impurities are injected into the insulating layer 30 except for the region where the metal pattern 40 is formed. In order to apply the photoresist PR to cover the metal pattern 40, a photolithography process is performed to form the photoresist pattern 52.

이후, 패턴 형성 또는 이온 주입의 공정을 실시한 후, 도 2에 도시된 바와 같이, 습식 또는 건식의 식각 방법을 이용하여 반도체 기판(10) 상에서 포토레지스 트 패턴(52)을 제거하게 된다.Subsequently, after the process of pattern formation or ion implantation, as shown in FIG. 2, the photoresist pattern 52 is removed from the semiconductor substrate 10 using a wet or dry etching method.

이러한 시각 방법 중에서 건식 식각 방법을 이용하여 포토레지스트 패턴(52)을 제거하는 방법은 일반적으로 반응성 이온 식각(RIE : Reactive Ion Etch)을 이용하여 반도체 기판(10) 상에서 포토레지스트 패턴(52)을 제거하게 된다. 이후, 반도체 기판(10) 상에 O2 가스(60)를 이용한 애싱(ashing) 공정을 실시하여 잔존하는 포토레지스트의 파티클을 제거하게 된다.Among such visual methods, a method of removing the photoresist pattern 52 using a dry etching method generally removes the photoresist pattern 52 on the semiconductor substrate 10 by using reactive ion etching (RIE). Done. Thereafter, an ashing process using the O 2 gas 60 is performed on the semiconductor substrate 10 to remove particles of photoresist remaining.

그러나, 반응성 이온 식각 및 O2 가스(60)를 이용한 애싱(ashing) 공정을 이용하여 포토레지스트 패턴을 제거하는 방법은 반도체 기판 상에 형성된 금속 패턴(40)에 영향을 주는 경우가 발생될 수 있다. 특히, 금속 패턴(40)을 크롬(Cr)을 이용하여 형성하였을 경우에는 크롬(Cr)이 O2 가스(60)와 반응하여 도 2에 도시된 바와 같이, 식각되므로 이러한 건식 식각 방법을 적용할 수 없게 된다.However, the method of removing the photoresist pattern by using an ashing process using reactive ion etching and O 2 gas 60 may affect the metal pattern 40 formed on the semiconductor substrate. . In particular, when the metal pattern 40 is formed using chromium (Cr), such a dry etching method may be applied since the chromium (Cr) is etched as shown in FIG. 2 by reacting with the O 2 gas 60. It becomes impossible.

이러한 건식 식각의 문제점을 극복하기 위하여 습식 식각 방법을 이용하여 포토레지스트 패턴(52)을 제거하게 되는데, 습식 식각의 방법에도 여러 제약이 따르게 된다.In order to overcome the problem of dry etching, the photoresist pattern 52 is removed by using a wet etching method, and the wet etching method also has various restrictions.

일반적으로 포토레지스트를 제거에는 H2SO4 + H2O2 + O3 등이 혼합된 용액을 이용하게 되는데, 이러한 혼합 용액을 이용한 습식 식각 방법은 포토레지스트를 제거함과 아울러, 반도체 기판(10) 상에 원치않은 산화막을 형성시켜 AIC(above IC)와 같은 반도체 소자의 특성을 떨어뜨려 그 적용에 단점이 있다.Generally, a solution containing H 2 SO 4 + H 2 O 2 + O 3 is used to remove the photoresist. The wet etching method using the mixed solution removes the photoresist and the semiconductor substrate 10. The formation of an unwanted oxide film on the substrate deteriorates the characteristics of a semiconductor device such as an AIC (above IC), which is disadvantageous in its application.

이러한 건식 및 습식 식각의 단점 및 여려 제약으로 인해, 반도체 기판 상의 포토레지스트를 효과적으로 제거시킬 수 있는 새로운 제조방법이 요구되고 있다.Due to the disadvantages and limitations of such dry and wet etching, there is a need for a new manufacturing method that can effectively remove the photoresist on the semiconductor substrate.

종래 기술에 따른 반도체 소자의 제조방법은 패턴 형성 시 이용되는 포토레지스트의 제거시 O2 가스(60)를 이용한 애싱(ashing) 공정에 의하여 반도체 기판 상에 크롬(Cr)으로 형성된 금속 패턴이 식각되는 단점이 있다.In the method of manufacturing a semiconductor device according to the related art, a metal pattern formed of chromium (Cr) is etched on a semiconductor substrate by an ashing process using an O 2 gas 60 when removing a photoresist used in forming a pattern. There are disadvantages.

또한, H2SO4 + H2O2 + O3 등이 혼합된 용액을 이용 습식 식각 방법은 포토레지스트를 제거함과 아울러, 반도체 기판 상에 원치않은 산화막을 형성시켜 AIC(above IC)와 같은 반도체 소자의 특성을 떨어뜨리는 단점이 있다.In addition, the wet etching method using a mixture of H 2 SO 4 + H 2 O 2 + O 3 and the like removes the photoresist and forms an unwanted oxide film on the semiconductor substrate to form a semiconductor such as an AIC (above IC). There is a disadvantage of degrading the characteristics of the device.

상기와 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 반도체 기판 상에 소정 패턴을 형성시키기 위하여 도포된 포토레지스트를 제거하는 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 상기 포토레지스트가 도포된 반도체 기판을 불소화 암모늄(ammonium fluoride), dimethyl acetamide, ammonium acetamide 및 초순수(deionized water)를 혼합하여 형성되는 식각 액에 1차 및 2차 담지하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention for achieving the above object, in the method of manufacturing a semiconductor device for removing a photoresist applied to form a predetermined pattern on a semiconductor substrate, the photoresist is The coated semiconductor substrate is characterized in that it comprises the step of supporting the first and second in the etching solution formed by mixing ammonium fluoride (ammonium fluoride), dimethyl acetamide, ammonium acetamide and ultrapure water (deionized water).

본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 상기 식각 액에서 상기 불소화 암모늄(ammonium fluoride)의 비율은 1.0% 내지 5.0% 이고, 상기 dimethyl acetamide의 비율은 50.0% 내지 60.0% 이고, 상기 ammonium acetamide의 비율은 20.0% 내지 30.0% 이고, 상기 초순수(deionized water)의 비율은 5.0% 내지 29.0% 인 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, the ratio of ammonium fluoride in the etching solution is 1.0% to 5.0%, the proportion of dimethyl acetamide is 50.0% to 60.0%, and the ammonium acetamide The ratio of is 20.0% to 30.0%, and the ratio of the deionized water is characterized in that 5.0% to 29.0%.

본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 상기 식각 액을 20℃ 내지 30℃의 온도를 가지도록 조절하는 단계와, 상기 포토레지스트가 도포된 반도체 기판을 20℃ 내지 30℃의 온도를 가지는 상기 제 1 식각 액에 3분 내지 10분 동안 1차 담지시키는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present disclosure, a method of manufacturing a semiconductor device may include adjusting the etchant to have a temperature of 20 ° C. to 30 ° C., and a temperature of 20 ° C. to 30 ° C. for the photoresist-coated semiconductor substrate. The first etching solution is characterized in that the primary support for 3 to 10 minutes.

본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 상기 식각 액을 30℃ 내지 50℃의 온도를 가지도록 조절하는 단계와, 상기 1차 담지된 반도체 기판을 30℃ 내지 50℃의 온도를 가지는 상기 제 2 식각 액에 15초 내지 150초 동안 2차 담지시키는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present disclosure, a method of manufacturing a semiconductor device may include controlling the etching solution to have a temperature of 30 ° C. to 50 ° C., and having the temperature of the first supported semiconductor substrate having a temperature of 30 ° C. to 50 ° C. The second etching solution is characterized in that the secondary support for 15 seconds to 150 seconds.

본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 상기 제 2 식각 액에 2차 담지된 반도체 기판의 표면을 세정액 또는 초순수를 이용하여 세정하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention is characterized in that it further comprises the step of cleaning the surface of the semiconductor substrate supported on the second etching liquid using a cleaning liquid or ultrapure water.

본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 불소화 암모늄(ammonium fluoride), dimethyl acetamide, ammonium acetamide 의 혼합물을 초순수(deionized water)로 희석시킨 식각 액을 이용하여 2단계의 식각 공정을 실시하여 반도체 기판 상에 형성된 금속 패턴 등에 영향을 주지 않음과 아울러, 식각 공정의 실시로 인해 발생될 수 있는 산화막의 생성을 방지하면서 포토레지스트를 제거시킬 수 있다. 이를 통해 반도체 소자의 신뢰성 및 제조 효율을 향상시킬 수 있다.In the method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, a semiconductor device is subjected to a two-step etching process using an etching solution obtained by diluting a mixture of ammonium fluoride, dimethyl acetamide, and ammonium acetamide with ultrapure water. The photoresist may be removed while not affecting the metal pattern formed on the substrate and preventing generation of an oxide film that may be generated due to the etching process. This can improve the reliability and manufacturing efficiency of the semiconductor device.

이하, 본 발명의 기술적 과제 및 특징들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 본 발명을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, the technical objects and features of the present invention will be apparent from the description of the accompanying drawings and the embodiments. Looking at the present invention in detail.

본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 반도체 기판 상의 각 층에 패턴 형성을 위한 포토리쏘그래피(photo-lithography) 공정 및 식각(eatching) 공정에 관한 것으로, 종래 기술에서 H2SO4 + H2O2 + O3 등이 혼합된 용액을 이용한 습식 식각 방법을 이용하여 포토레지스트를 제거시킬 경우에 발생되는 산화막 생성의 문제점을 개선하고자 한다.A method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention relates to a photo-lithography process and an etching process for forming a pattern on each layer on a semiconductor substrate. In the related art, H 2 SO 4 + It is intended to improve the problem of oxide film formation that occurs when the photoresist is removed using a wet etching method using a solution in which H 2 O 2 + O 3 is mixed.

이를 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 종래 기술에서 사용되던 황산(H2SO4 ) 이 포함되는 습식 용액 대신 불소(F : fluorine) 계 솔벤트(solvent)를 이용하여 반도체 기판 상에서 포토레지스트를 제거시킨다.To this end, the semiconductor device manufacturing method according to the embodiment of the present invention using a fluorine (F: fluorine) -based solvent (solvent) instead of a wet solution containing sulfuric acid (H 2 SO 4 ) used in the prior art semiconductor substrate Remove the photoresist on the phase.

도 3은 포토 레지스트 패턴이 형성된 반도체 기판을 나타내는 도면이고, 도 4 및 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 제조방법을 이용하여 반도체 기판 상에 포토레지스트 패턴을 제거하는 방법을 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating a semiconductor substrate on which a photoresist pattern is formed, and FIGS. 4 and 5 are views illustrating a method of removing a photoresist pattern on a semiconductor substrate using a manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present inventive concept.

도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110) 상에 다수의 금속 패턴(140)이 형성되어 있고, 금속 패턴(140) 주위의 영역에 별도의 패턴을 형성시키거나, 금속 패턴(140)이 형성된 영역을 제외한 반도체 기판(110) 상에 불순물을 주입하기 위하여 반도체 기판(110) 상에 포토레지스트(PR)을 도포한 후, 포토리쏘그래피 공정을 실시하여 다수의 금속 패턴(140) 각각을 덮도록 포토레지스트 패턴(152)이 형성되어 있다.As shown in FIG. 3, a plurality of metal patterns 140 are formed on the semiconductor substrate 110, and a separate pattern is formed in a region around the metal pattern 140, or the metal patterns 140 are formed. After applying the photoresist PR on the semiconductor substrate 110 to inject impurities onto the semiconductor substrate 110 except for the formed region, a photolithography process is performed to cover each of the plurality of metal patterns 140. The photoresist pattern 152 is formed.

여기서, 금속 패턴(140)은 배선 형성에 주로 이용되는 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 종래 기술의 설명에서 일 예로 설명한 크롬(Cr)을 포함한 반도체 소자에 사용되는 금속물질로 형성된 패턴을 의미한다.Here, the metal pattern 140 refers to a pattern formed of a metal material used for a semiconductor device including aluminum (Al), copper (Cu) and chromium (Cr) described as an example in the prior art. do.

본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 반도체 기판(110) 상에서 패턴 형성을 위하여 도포 및 패터닝 된 포토레지스트 패턴(152)을 제거하기 위하여 앞에서 설명한 바와 같이, 습식 식각 액으로 불소(F : fluorine)계 솔벤트(solvent)를 이용한다.In the method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, as described above to remove the photoresist pattern 152 coated and patterned to form a pattern on the semiconductor substrate 110, fluorine (F :) as a wet etching solution. Fluorine solvent is used.

이를 보다 자세히 설명하면, 불소화 암모늄(ammonium fluoride), dimethyl acetamide, ammonium acetamide 의 혼합물을 초순수(deionized water)로 희석시켜 반도체 기판(110) 상에 형성되어 있는 포토레지스트(152)를 제거하기 위한 식각 액으로 이용한다.In more detail, an etchant for removing the photoresist 152 formed on the semiconductor substrate 110 by diluting a mixture of ammonium fluoride, dimethyl acetamide, and ammonium acetamide with ultra pure water. Use as.

본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 앞에서 설명한, 불소화 암모늄(ammonium fluoride), dimethyl acetamide, ammonium acetamide 의 혼합물을 초순수(deionized water)로 희석시킨 식각 액을 이용하여 2단계로 포토레지스트 패턴(152)의 식각을 진행한다.A method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention is a photoresist pattern in two steps using an etchant diluted with a mixture of ammonium fluoride, dimethyl acetamide, ammonium acetamide described above with deionized water. Proceed to the etching of (152).

먼저, 1단계에서는 불소화 암모늄(ammonium fluoride), dimethyl acetamide, ammonium acetamide 및 초순수(deionized water)를 혼합시킨 식각 액을 20℃ 내지 30℃(바람직하게는 25℃)의 온도를 가지도록 조절한 후, 포토레지스트 패턴(152)이 형성된 반도체 기판(110)을 식각 액에 3분 내지 10분(바람직하게는 5분) 동안 1차 담지시킨다.First, in the first step, the etchant mixed with ammonium fluoride, dimethyl acetamide, ammonium acetamide and deionized water is adjusted to have a temperature of 20 ° C. to 30 ° C. (preferably 25 ° C.), The semiconductor substrate 110 on which the photoresist pattern 152 is formed is first supported on the etching solution for 3 to 10 minutes (preferably 5 minutes).

여기서, 식각 액 중에서 불소화 암모늄(ammonium fluoride)의 비율은 1.0% 내지 5.0% 이고, dimethyl acetamide의 비율은 50.0% 내지 60.0% 이고, ammonium acetamide의 비율은 20.0% 내지 30.0% 이고, 초순수(deionized water)의 비율은 5% 내지 29.0% 이다.Here, the ratio of ammonium fluoride in the etchant is 1.0% to 5.0%, the ratio of dimethyl acetamide is 50.0% to 60.0%, the ratio of ammonium acetamide is 20.0% to 30.0%, ultra pure water (deionized water) The ratio of is 5% to 29.0%.

이러한 1차 식각에 의하여 도 4에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110) 상에서 포토레지스 패턴(152)을 리프트 오프(lift off)된 것을 확인할 수 있다.As shown in FIG. 4 by the first etching, the photoresist pattern 152 may be lifted off from the semiconductor substrate 110.

1단계 식각 이후, 포토레지스트 패턴(152) 및 반도체 기판(110) 상에 잔존하는 폴리머(polymer) 등을 제거시키기 위하여 불소화 암모늄(ammonium fluoride), dimethyl acetamide, ammonium acetamide 및 초순수(deionized water)를 혼합시킨 식각 액을 30℃ 내지 50℃(바람직하게는 40℃)의 온도를 가지도록 조절한 후, 반도체 기판(110)을 식각 액에 15초 내지 150초(바람직하게는 45초) 동안 2차 담지시킨다.After the first step etching, ammonium fluoride, dimethyl acetamide, ammonium acetamide and deionized water are mixed to remove the photoresist pattern 152 and the polymer remaining on the semiconductor substrate 110. After adjusting the etchant to have a temperature of 30 ° C to 50 ° C (preferably 40 ° C), the semiconductor substrate 110 is secondly supported for 15 seconds to 150 seconds (preferably 45 seconds) in the etching solution. Let's do it.

여기서, 식각 액 중에서 불소화 암모늄(ammonium fluoride)의 비율은 1.0% 내지 5.0% 이고, dimethyl acetamide의 비율은 50.0% 내지 60.0% 이고, ammonium acetamide의 비율은 20.0% 내지 30.0% 이고, 초순수(deionized water)의 비율은 5% 내지 29.0% 이다.Here, the ratio of ammonium fluoride in the etchant is 1.0% to 5.0%, the ratio of dimethyl acetamide is 50.0% to 60.0%, the ratio of ammonium acetamide is 20.0% to 30.0%, ultra pure water (deionized water) The ratio of is 5% to 29.0%.

이러한 2차 식각을 실시한 후, 반도체 기판(110)의 표면을 세정액 또는 초순수로 세정하면 도 5에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110) 상에서 포토레지스 패 턴(152) 및 잔존하던 폴리머(polymer) 및 이물질이 제거됨을 확인할 수 있다.After the secondary etching, the surface of the semiconductor substrate 110 is cleaned with a cleaning liquid or ultrapure water, as shown in FIG. 5, the photoresist pattern 152 and the remaining polymer on the semiconductor substrate 110. And it can be confirmed that the foreign matter is removed.

본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 불소화 암모늄(ammonium fluoride), dimethyl acetamide, ammonium acetamide 및 초순수(deionized water)를 혼합시킨 식각 액을 이용하여 2단계의 식각 공정을 실시함으로써 반도체 기판 상에 형성된 금속 패턴(140) 등에 영향을 주지 않음과 아울러, 식각 공정의 실시로 인해 발생될 수 있는 산화막의 생성을 방지하면서 포토레지스트를 제거시킬 수 있다. 이를 통해 반도체 소자의 신뢰성 및 제조 효율을 향상시킬 수 있다.In the method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, a two-step etching process is performed using an etchant mixed with ammonium fluoride, dimethyl acetamide, ammonium acetamide, and deionized water. The photoresist may be removed while not affecting the metal pattern 140 formed on the substrate and preventing generation of an oxide film that may be generated due to the etching process. This can improve the reliability and manufacturing efficiency of the semiconductor device.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

도 1 및 도 2는 종래 기술에 따른 반도체 소자의 제조방법을 나타내는 도면.1 and 2 illustrate a method of manufacturing a semiconductor device according to the prior art.

도 3은 포토 레지스트 패턴이 형성된 반도체 기판을 나타내는 도면.3 illustrates a semiconductor substrate on which a photoresist pattern is formed.

도 4 및 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 제조방법을 이용하여 반도체 기판 상에 포토레지스트 패턴을 제거하는 방법을 나타내는 도면.4 and 5 illustrate a method of removing a photoresist pattern on a semiconductor substrate using a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10, 110 : 반도체 기판 20 : 소자 패턴10, 110: semiconductor substrate 20: device pattern

30 : 절연층 40, 140 : 금속 패턴30: insulating layer 40, 140: metal pattern

50 : 포토레지스트 52, 152 : 포토레지스트 패턴50: photoresist 52, 152: photoresist pattern

Claims (5)

반도체 기판 상에 소정 패턴을 형성시키기 위하여 도포된 포토레지스트를 제거하는 반도체 소자의 제조방법에 있어서,In the method of manufacturing a semiconductor device for removing the photoresist applied to form a predetermined pattern on a semiconductor substrate, 상기 포토레지스트가 도포된 반도체 기판을 불소화 암모늄(ammonium fluoride), dimethyl acetamide, ammonium acetamide 및 초순수(deionized water)를 혼합하여 형성되는 식각 액에 1차 및 2차 담지하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.Forming a semiconductor substrate coated with the photoresist in an etching solution formed by mixing ammonium fluoride, dimethyl acetamide, ammonium acetamide and deionized water; A method of manufacturing a semiconductor device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 식각 액에서 상기 불소화 암모늄(ammonium fluoride)의 비율은 1.0% 내지 5.0% 이고,The ratio of the ammonium fluoride in the etching solution is 1.0% to 5.0%, 상기 dimethyl acetamide의 비율은 50.0% 내지 60.0% 이고,The ratio of the dimethyl acetamide is 50.0% to 60.0%, 상기 ammonium acetamide의 비율은 20.0% 내지 30.0% 이고,The ratio of the ammonium acetamide is 20.0% to 30.0%, 상기 초순수(deionized water)의 비율은 5.0% 내지 29.0% 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.The ratio of the deionized water is a manufacturing method of a semiconductor device, characterized in that 5.0% to 29.0%. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 식각 액을 20℃ 내지 30℃의 온도를 가지도록 조절하는 단계와,Adjusting the etching solution to have a temperature of 20 ° C. to 30 ° C .; 상기 포토레지스트가 도포된 반도체 기판을 20℃ 내지 30℃의 온도를 가지는 상기 제 1 식각 액에 3분 내지 10분 동안 1차 담지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that the semiconductor substrate coated with the photoresist is first supported for 3 to 10 minutes in the first etching liquid having a temperature of 20 ℃ to 30 ℃. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 식각 액을 30℃ 내지 50℃의 온도를 가지도록 조절하는 단계와,Adjusting the etching solution to have a temperature of 30 ° C. to 50 ° C., 상기 1차 담지된 반도체 기판을 30℃ 내지 50℃의 온도를 가지는 상기 제 2 식각 액에 15초 내지 150초 동안 2차 담지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.The first supported semiconductor substrate is a method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the second supporting solution for 15 seconds to 150 seconds to the second etching liquid having a temperature of 30 ℃ to 50 ℃. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 2 식각 액에 2차 담지된 반도체 기판의 표면을 세정액 또는 초순수를 이용하여 세정하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.And cleaning the surface of the semiconductor substrate secondaryly supported by the second etchant using a cleaning liquid or ultrapure water.
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