KR100881180B1 - 다양한 주파수에서 동작가능한 오실레이터 - Google Patents

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Abstract

다양한 주파수에서 동작가능한 오실레이터가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 오실레이터는 발진부, 피드백부, 및 주파수제어부를 구비한다. 발진부는 소정의 발진주파수를 갖는 정현파를 발생한다. 피드백부는 상기 정현파를 상기 발진부로 피드백한다. 주파수제어부는 주파수 제어신호에 응답하여 상기 피드백부를 흐르는 전류량을 조절함으로써 상기 피드백부의 동작주파수를 제어한다. 본 발명에 오실레이터는 동작주파수를 조절함으로써 다양한 주파수에서 동작할 수 있으며, 잡음 마진을 충분히 확보할 수 있는 장점이 있다.
오실레이터, 주파수제어부

Description

다양한 주파수에서 동작가능한 오실레이터{Oscillator capable of operating at multi-frequency}
본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 일반적인 오실레이터의 블록도이다.
도 2는 오실레이터 내부셀의 블록도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 오실레이터 내부셀의 블록도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 오실레이터 내부셀의 블록도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 오실레이터 회로의 피드백부와 주파수 제어부에 대한 구체 회로의 일례이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 오실레이터 회로의 피드백부의 입출력 파형을 나타내는 다이어그램이다.
본 발명은 오실레이터에 관한 것으로, 특히 동작주파수를 제어함으로써 다양한 주파수에서 동작할 수 있는 오실레이터에 관한 것이다.
반도체 장치에 사용되는 오실레이터는, 일반적으로 발진을 하는 외부셀과 외부셀에서 발진된 신호를 반도체 장치 내부로 입력하는 내부셀로 구성된다.
외부셀은 소정의 주파수를 갖는 정현파를 발생시키는 발진자를 포함한다. 일반적으로 발진자는 실리콘 기판 상에 구현되는 반도체 장치와 다른 재료로 이루어지므로, 외부셀 특히 발진자는 반도체 장치 외부에 배치되는 것이 바람직하다. 반편, 내부셀은 반도체 장치와 함께 실리콘 기판 상에 구현되는 것이 바람직하다.
도 1은 일반적인 오실레이터의 블록도로서, 수정 발진자를 이용하는 것으로 가정한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 오실레이터(100)는 외부셀(120)과 내부셀(110)을 구비한다.
외부셀(120)은 제 1 및 제 2 커패시터(C1 및 C2), 저항(R), 및 발진자(XTAL)를 구비하며, 발진자(XTAL)는 양단에 인가되는 전원에 응답하여 소정의 주파수를 갖는 정현파를 발생한다. 저항(R)과 제 1 및 제 2 커패시터(C1 및 C2)는 발진자(XTAL) 양단에 안정된 전원이 인가되도록 한다.
발진자(XTAL)에서 발생된 정현파는 반도체 장치(미도시) 내에 구현될 수 있는 버퍼부(미도시)에 의해 버퍼링되어 반도체 장치로 입력된다.
이 때, 외부셀(120) 전체는 반도체 장치 외부에 배치될 수도 있으며, 외부셀(120) 중 발진자(XTAL)만 반도체 장치 외부에 배치될 수도 있고 발진자(XTAL)와 제 1 및 제 2 커패시터(C1 및 C2)가 반도체 장치 외부에 배치될 수도 있다.
내부셀(110)은 외부셀(120)의 발진자(XTAL)에서 발생된 정현파를 반도체 장치(미도시)로 버퍼링하는 버퍼링부(미도시)와 정현파를 반전시켜 외부셀(120)로 피 드백시키는 반전부(INV)를 구비한다.
이와 같이 반도체 장치(미도시) 외부의 발진자(XTAL)에서 안정적으로 정현파가 발생되므로, 일반적인 오실레이터(100)는 주파수 안정도가 충실한 장점이 있다.
그러나 내부셀(110)은 반도체 장치 내부에 구현되어 그 동작주파수가 고정되어 있으므로, 일반적인 오실레이터(100)는 발진주파수를 가변시키지 못하고 하나의 주파수에서만 동작하는 문제점이 있다. 따라서 다양한 주파수에서 동작할 수 있는 오실레이터가 제안될 필요가 있다.
본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 다양한 주파수에서 동작할 수 있는 오실레이터를 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 오실레이터는 발진부, 피드백부, 및 주파수제어부를 구비한다. 발진부는 소정의 발진주파수를 갖는 정현파를 발생한다. 피드백부는 상기 정현파를 상기 발진부로 피드백한다. 주파수제어부는 주파수 제어신호에 응답하여 상기 피드백부를 흐르는 전류량을 조절함으로써 상기 피드백부의 동작주파수를 제어한다.
상기 주파수제어부는 상기 동작주파수가 상기 발진주파수와 일치되도록 상기 전류량을 조절한다.
상기 주파수제어부는 상기 주파수제어신호에 응답하여 상기 피드백부로부터 전류를 싱크(sink)하는 전류원을 구비한다.
상기 주파수 제어부는 NMOS 트랜지스터일 수 있다.
상기 피드백부는 상기 정현파를 반전시켜 구형파로 출력하는 반전회로를 구비한다.
본 발명의 실시예에 따른 오실레이터는 상기 정현파를 버퍼링하여 출력하는 버퍼링부를 더 구비할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 오실레이터는 발진인에이블 신호에 응답하여 상기 정현파의 상기 피드백부로의 입력을 제어하는 입력제어부를 더 구비할 수 있다.
상기 기술적과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 오실레이터는 발진부, 피드백부, 주파수제어부, 및 버퍼링부를 구비한다. 발진부는 소정의 발진주파수를 갖는 정현파를 발생한다. 피드백부는 상기 정현파를 반전시켜 구형파를 발생하고 상기 구형파를 상기 발진부로 피드백한다. 주파수제어부는 주파수 제어신호에 응답하여 상기 피드백부를 흐르는 전류량을 조절함으로써 상기 피드백부의 동작주파수를 제어한다. 버퍼링부는 상기 구형파를 버퍼링하여 출력한다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 2는 오실레이터 내부셀의 블록도이다. 내부셀은 반도체장치에 함께 구현 되는 오실레이터의 부분이다. 오실레이터(200)는 발진이 이루어지는 발진자(미도시)를 구비하는 발진부(또는 외부셀)(미도시)와 피드백부(230)를 구비하며, 버퍼링부(220)를 더 구비할 수 있다. 또한, 오실레이터(200)는 입력제어부(210)를 더 구비할 수도 있다. 발진부(미도시)는 단자(XIN)와 단자(XOUT) 사이에 연결된다.
발진자(미도시)에서 발생된 정현파는 소정의 발진주파수를 가지며 단자(XIN)를 통해 소정의 반도체장치(미도시)로 입력된다. 일반적으로 반도체장치(미도시)는 입력되는 정현파를 구형파로 변환하여 클럭으로 사용한다.
피드백부(230)는 발진부(미도시)에서 발생되어 출력되는 정현파를 발진부(미도시)로 피드백한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 통상적으로 피드백부(230)는 제 4 반전회로(INV4)로 구현될 수 있다.
정현파는 피드백부(230)에 의해 반전되어 발진부(미도시)로 피드백되고, 발진부(미도시)의 발진자(미도시)는 이를 이용하여 정현파를 발생한다. 이렇게 발진과 피드백 동작이 반복됨으로써 소정의 발진주파수를 갖는 정현파가 계속해서 발생된다.
버퍼링부(220)는 소정의 발진주파수를 갖는 정현파를 버퍼링하여 반도체장치(미도시)로 입력한다. 버퍼링부(220)는 제 1 전원전압(VDD1)을 사용하는 제 2 반전회로(INV2)와 제 2 전원전압(VDD2)을 사용하는 제 3 반전회로(INV3)를 구비한다. 제 2 및 제 3 반전회로(INV2 및 INV3)에 의해 정현파는 구형파로 변환된다.
한편, 제 2 및 제 3 반전회로(INV2 및 INV3)는 서로 다른 전원전압(VDD1 및 VDD2)를 사용할 수 있으므로, 정현파를 구형파로 변환하는 동작과 함께 변환된 구 형파의 레벨을 쉬프팅하는 동작을 수행할 수도 있다.
입력제어부(210)는 오실레이터(200)의 옵션회로로, 오시레이터(200)의 동작을 제어한다. 즉, 입력제어부(210)는 발진인에이블 신호(OSC_EN)에 응답하여 단자(XIN)로 입력되는 정현파가 제 1 노드(A)로 입력되도록 하거나 또는 입력되는 것을 차단함으로써 오실레이터(200)가 정현파를 반도체장치(미도시)로 입력하는 동작을 제어한다. 이하 도 2를 참조하여 입력제어부의 구성 및 동작에 대해 설명한다.
입력제어부(210)는 제 1 반전회로, 전송게이트(TG) 및 NMOS 트랜지스터(N1)를 구비한다. 먼저, 발진인에이블 신호가 제 1 상태(로직 하이(high)레벨)이면, 전송게이트의 제어단자로는 제 2 상태(로직 로우레벨)의 신호들이 입력되므로 전송게이트는 차단된다. 따라서, 전송게이트(TG)는 정현파가 제 1 노드(A)로 입력되는 것을 차단하며, 오실레이터(200)의 발진동작은 중단된다.
이 때, NMOS 트랜지스터(N1)는 하이레벨의 발진인에이블 신호(OSC_EN)에 응답하여 턴온되므로, 제 1 노드(A)는 하이레벨이 되고, 제 2 노드(B)는 로우레벨이 된다. 따라서 발진부(미도시)로 피드백되는 신호는 로우레벨이므로 발진부(미도시)의 발진자(미도시)는 발진을 수행하지 않을 것이다.
한편, 발진인에이블 신호(OSC_EN)가 로우레벨이면, NMOS 트랜지스터(N1)는 턴오프된다. 또한 전송게이트(TG)의 제어단자로는 하이상태의 신호가 입력되므로, 전송게이트는 발진부(미도시)로부터 입력되는 정현파를 제 1 노드(A)로 전송하며, 이에 따라 오실레이터(200)는 발진동작을 수행한다.
상술한 바와 같이, 오실레이터(200)는 발진부(미도시)에서 발진되어 입력되 는 정현파를 반도체장치(미도시)로 입력하는 동시에 정현파를 발진부(미도시)로 피드백하여 계속해서 발진이 수행되도록 한다.
그러나 도 2의 오실레이터(200)에서, 피드백부(230)는 일정한 속도로 동작하며, 이에 따라 발진부(미도시)로 일정한 주파수를 갖는 신호가 피드백된다. 즉, 도 2의 오실레이터(200)의 발진주파수는 고정되게 되므로, 오실레이터(200)는 주파수 안정도가 좋다는 장점이 있으나, 발진주파수를 가변시킬 수 없다는 단점이 있다.
따라서 피드백부(230)의 동작속도, 즉 동작주파수를 가변시킴으로써 발진주파수를 가변시킬 필요성이 있다. 피드백부의 동작주파수를 가변시킬 수 있는 경우, 가변되는 피드백부의 동작주파수에 맞는 발진자를 사용함으로써 오실레이터의 발진주파수를 가변시킬 수 있을 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 오실레이터 내부셀의 블록도이다. 오실레이터(300)는 발진부(미도시), 피드백부(330), 및 주파수제어부(340)를 구비한다. 또한, 오실레이터(300)는 입력제어부(210)를 더 구비할 수 있으며, 버퍼링부(320)를 더 구비할 수도 있다.
발진부(미도시), 입력제어부(310), 버퍼링부(320), 및 피드백부(330)의 구조 및 동작은 도 2의 발진부(미도시), 입력제어부(210), 버퍼링부(220), 및 피드백부(230)와 동일하므로, 이하에서는 주파수제어부(340) 및 주파수제어부(340)와 피드백부(330) 상호 간의 동작 및 구조를 중심으로 설명한다.
주파수제어부(340)는 주파수제어신호(CTRL)에 응답하여 피드백부(330)를 흐르는 전류량을 조절함으로써 피드백부(330)의 동작속도, 즉 동작주파수를 제어한 다. 본 발명의 실시예에서 주파수제어부(340)는 피드백부(340)의 동작주파수가 발진부(미도시)에 구비되는 발진자(미도시)의 발진주파수와 일치되도록 피드백부(330)를 흐르는 전류량을 조절한다.
예를 들어, 주파수제어부(340)는 주파수제어신호(CTRL)에 응답하여 피드백부(330)로부터 전류를 싱크(sink)함으로써 피드백부(330)를 흐르는 전류량을 조절할 수 있을 것이다.
예를 들어, 주파수제어부(340)에서 싱크하는 전류량이 크면 피드백부(330)를 흐르는 전류량은 작아지므로 피드백부(330)의 동작속도(동작주파수)는 감소할 것이다. 반대로 주파수제어부(340)에서 싱크하는 전류량이 작으면 피드백부(330)를 흐르는 전류량은 커지므로 피드백부(330)의 동작속도(동작주파수)는 증가할 것이다.
이 경우 주파수제어부(340)는 주파수제어신호(CTRL)에 응답하여 일정한 전류를 싱크하기 위한 전류원을 구비할 것이다.
이하 도 5의 예시적인 회로를 참조하여 주파수제어부의 동작에 대해 상세히 설명한다. 도 5의 회로는 예시적인 회로로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 도 5의 회로에 의해 제한되는 것이 아님을 알 것이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 오실레이터 회로의 피드백부와 주파수 제어부에 대한 구체 회로의 일례이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 피드백부(330)는 PMOS 트랜지스터(PI1)와 NMOS 트랜지스터(NI1)가 직렬연결된 기본적인 반전회로이다. PMOS 트랜지스터(PI1)와 NMOS 트랜지스터(NI1)의 게이트는 제 1 노드(A)에 연결되 며, 발진부(미도시)에서 발생된 정현파가 입력된다.
한편, 주파수제어회로(340)는 NMOS 트랜지스터(NC)로 구현될 수 있다. NMOS 트랜지스터(NC)는 피드백부(330)(즉 NMOS 트랜지스터(NI1))에 직렬로 연결된다. 주파수제어신호(CTRL)는 NMOS 트랜지스터(NC)의 게이트로 입력되어 NMOS 트랜지스터(NC)의 동작을 제어한다.
NMOS 트랜지스터(NC)에서, NMOS 트랜지스터(NC)를 흐르는 전류는 게이트로 입력되는 주파수제어신호(CTRL)의 전압레벨에 비례하므로, 주파수제어신호(CTRL)의 전압레벨을 조절함으로써 NMOS 트랜지스터(NC)를 흐르는 전류를 조절할 수 있다.
즉, 주파수제어신호(CTRL)에 응답하여 NMOS 트랜지스터(NC)로부터 접지전압으로 흐르는 전류량, 즉 피드백부(330)로부터 싱크되는 전류량이 조절되며, 이에 따라 피드백부(330)를 흐르는 전류량 또한 조절된다. 이렇게 피드백부(330)를 흐르는 전류량이 조절됨으로서 피드백부(330)의 동작속도(동작주파수)가 제어될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 오실레이터 내부셀의 블록도이다. 오실레이터(400)는 발진부(미도시), 피드백부(430), 주파수제어부(440), 및 버퍼링부(420)를 구비한다. 또한 오실레이터(400)는 입력제어부를 더 구비할 수 있다.
오실레이터(400)는 버퍼링부(420)가 제 1 노드(A)가 아닌 제 2 노드에 연결되는 것을 제외하고 도 3의 오실레이터(300)와 비교와 구성 및 동작이 동일하다. 따라서 이하에서는 도 4 및 도 6을 참조하여 버퍼링부(420)의 연결과 관련된 동작을 중심으로 설명한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 오실레이터 회로의 피드백부의 입출력 파형을 나타내는 다이어그램으로, A는 제 1 노드(A)에 나타나는 파형이고, B는 제 2 노드(B)에 나타나는 파형이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 노드의 정현파는 피드백부(430)에 의해 반전되어 제 2 노드의 구형파로 출력된다.
도 3의 오실레이터(300)의 버퍼링부(320)는 제 2 및 제 3 반전회로(INV2 및 INV3)를 구비하며, 제 2 및 제 3 반전회로(INV2 및 INV3)는 제 1 노드(A)의 정현파를 반전시킴으로써 버퍼링하여 출력한다.
정현파가 낮은 주파수를 갖는 경우, 정현파의 신호레벨은 잡음 등에 의해 흔들릴 수 있으며, 이러한 경우 버퍼링부(320)의 제 2 반전회로(INV2)는 흔들리는 정현파의 신호레벨에 의해 정확하게 동작하지 않을 수 있다.
구체적으로 설명하면, 제 2 반전회로(INV2)는 정현파의 중간레벨(예를 들어 하이레벨과 로우레벨의 중간레벨)을 기준으로 정현파의 상태를 반전시킨다. 잡음 등이 있는 경우 낮은 주파수를 갖는 정현파의 중간레벨은 잡음에 따라 흔들리게 되는데, 이 때 제 2 반전회로(INV2)는 흔들리는 중간레벨에 따라 계속해서 반전동작을 수행하는 오동작을 일으킬 수 있다. 즉, 오실레이터(300)는 파워 잡음 마진(power noise margin)에 취약한 단점이 있다.
도 4의 오실레이터(400)는 이러한 단점을 극복하기 위한 것으로, 버퍼링부(420)는 제 1 노드(A)의 정현파가 아닌 제 2 노드(B)의 구형파를 반전시켜 버퍼링한다. 잡음이 있는 경우에도 구형파의 중간레벨은 잡음에 따라 흔들리지 아니하므로, 오실레이터(400)는 파워 잡음 마진에 강한 특성을 가질 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 오실레이터는 동작주파수를 조절함으로써 다양한 주파수에서 동작할 수 있으며, 잡음 마진을 충분히 확보할 수 있는 장점이 있다.

Claims (13)

  1. 소정의 발진주파수를 갖는 정현파를 발생하는 발진부;
    상기 정현파를 상기 발진부로 피드백하는 피드백부; 및
    주파수 제어신호에 응답하여 상기 피드백부를 흐르는 전류량을 조절함으로써 상기 피드백부의 동작주파수를 제어하는 주파수제어부를 구비하며,
    상기 정현파는 상기 피드백부의 동작주파수에 기반하는 발진주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 오실레이터.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 주파수제어부는,
    상기 동작주파수가 상기 발진주파수와 일치되도록 상기 전류량을 조절하는 것을 특징으로 하는 오실레이터.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 주파수제어부는,
    상기 주파수제어신호에 응답하여 상기 피드백부로부터 전류를 싱크(sink)하는 전류원을 구비하는 것을 특징으로 하는 오실레이터.
  4. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 3 항에 있어서, 상기 주파수 제어부는,
    NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 오실레이터.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 피드백부는,
    상기 정현파를 반전시켜 구형파로 출력하는 반전회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 오실레이터.
  6. 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항에 있어서,
    상기 정현파를 버퍼링하여 출력하는 버퍼링부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 오실레이터.
  7. 제 1 항에 있어서,
    발진인에이블 신호에 응답하여 상기 정현파의 상기 피드백부로의 입력을 제어하는 입력제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 오실레이터.
  8. 소정의 발진주파수를 갖는 정현파를 발생하는 발진부;
    상기 정현파를 반전시켜 구형파를 발생하고 상기 구형파를 상기 발진부로 피드백하는 피드백부;
    주파수 제어신호에 응답하여 상기 피드백부를 흐르는 전류량을 조절함으로써 상기 피드백부의 동작주파수를 제어하는 주파수제어부; 및
    상기 구형파를 버퍼링하여 출력하는 버퍼링부를 구비하며,
    상기 정현파는 상기 피드백부의 동작주파수에 기반하는 발진주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 오실레이터.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 주파수제어부는,
    상기 동작주파수가 상기 발진주파수와 일치되도록 상기 전류량을 조절하는 것을 특징으로 하는 오실레이터.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 주파수제어부는,
    상기 주파수제어신호에 응답하여 상기 피드백부로부터 전류를 싱크(sink)하는 전류원을 구비하는 것을 특징으로 하는 오실레이터.
  11. 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 10 항에 있어서, 상기 주파수 제어부는,
    NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 오실레이터.
  12. 제 8 항에 있어서, 상기 피드백부는,
    상기 정현파를 반전시켜 구형파로 출력하는 반전회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 오실레이터.
  13. 제 8 항에 있어서,
    발진인에이블 신호에 응답하여 상기 정현파의 상기 피드백부로의 입력을 제어하는 입력제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 오실레이터.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8664934B2 (en) 2012-01-27 2014-03-04 Covidien Lp System and method for verifying the operating frequency of digital control circuitry

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5028888A (en) * 1989-11-15 1991-07-02 Level One Communication, Inc. Multistage current-controlled oscillator
US5410278A (en) * 1991-12-19 1995-04-25 Sharp Kabushiki Kaisha Ring oscillator having a variable oscillating frequency
JPH10126155A (ja) * 1996-10-17 1998-05-15 Kawasaki Steel Corp 発振装置
KR100509357B1 (ko) * 2003-08-08 2005-08-22 삼성전자주식회사 온도 독립형 전압 제어 발진기 및 주파수 발생 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4427302A (en) * 1980-06-06 1984-01-24 Citizen Watch Company Limited Timekeeping signal source for an electronic timepiece
US5825777A (en) * 1995-05-05 1998-10-20 Creative Integrated Systems, Inc. Home and small business phone system for operation on a single internal twisted pair line and methodology for operating the same
JP3937781B2 (ja) * 2001-09-26 2007-06-27 ヤマハ株式会社 水晶発振回路
US7046098B2 (en) * 2001-11-27 2006-05-16 Texas Instruments Incorporated All-digital frequency synthesis with capacitive re-introduction of dithered tuning information
US6670833B2 (en) * 2002-01-23 2003-12-30 Intel Corporation Multiple VCO phase lock loop architecture
US6867656B2 (en) * 2002-06-17 2005-03-15 California Institute Of Technology Self-dividing oscillators
EP1496609A1 (en) * 2003-07-07 2005-01-12 Dialog Semiconductor GmbH Enhanced architectures of voltage-controlled oscillators with single inductors (VCO-1L)
JP2006261747A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 Epson Toyocom Corp 圧電発振器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5028888A (en) * 1989-11-15 1991-07-02 Level One Communication, Inc. Multistage current-controlled oscillator
US5410278A (en) * 1991-12-19 1995-04-25 Sharp Kabushiki Kaisha Ring oscillator having a variable oscillating frequency
JPH10126155A (ja) * 1996-10-17 1998-05-15 Kawasaki Steel Corp 発振装置
KR100509357B1 (ko) * 2003-08-08 2005-08-22 삼성전자주식회사 온도 독립형 전압 제어 발진기 및 주파수 발생 방법

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