KR100875043B1 - 밀리미터파 송수신기 패키지 및 밀리미터파 송수신기 조립체 제작 방법 - Google Patents

Abstract

밀리미터파 송수신기 패키지가 제공된다. RF 통과 커버를 구비하는 송수신기의 전자, RF 및 지지 부품용 하우징이 다층 구조로 수직으로 적층된다. 채널이 형성된 RF 하우징이 하우징 상에 위치되는 부품들을 최소화함으로써 5:1로 감소시킨다. 조절기/제어기의 설계 및 위치는 표면 장착 부품의 사용을 가능하게 하고, 단순화된 DC 및 RF 인터페이스는 설계 효율과 비용 감소에 더욱 기여한다. 또한, 비용은 재료의 적절한 선택 및 적용을 통해 감소된다. 밀리미터파 모듈 조립체를 위한 일반적인 하우징은 설계 변경없이 20 내지 40GHz 범위의 주파수를 수용하여, 모듈 특성을 개선시킨다.

밀리미터파 송수신기 패키지, RF 하우징, 조절기/제어기, 인터페이스, 표면 장착 부품

Description

밀리미터파 송수신기 패키지 및 밀리미터파 송수신기 조립체 제작 방법{A MILLIMETER WAVE TRANSCEIVER PACKAGE AND A METHOD OF MAKING A MILLIMETER WAVE TRANSCEIVER ASSEMBLY}

본 장치는 일반적으로 전자 모듈용 패키징에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 밀리미터파(millimeter wave) 장치의 단일 모듈, 즉 송신기 또는 수신기를 수납하는 패키징 구조에 관한 것이다.

밀리미터파(MMW) 송수신기의 주요 구성요소들은 모놀리식 밀리미터파 집적 회로(MMIC) 칩, 접속 기판, 하우징 및 DC 조절기/제어기이다. 전체 통과 대역에 걸쳐 일관된 성능을 나타내는 광대역 앰프를 설계 및 조립하는 것은 어렵다. 이득 불규칙성 및 피크와, 입력 및 출력 임피던스의 큰 변화와, 가진동은 발생되는 문제들의 예이다.

모놀리식 밀리미터파 집적 회로(MMIC) 장치들은 상기 문제들에 대한 저비용의 해결책이 된다. MMIC 칩 및 기판의 가격은 개선된 생산량과 상업적 전기 통신 응용의 증가된 수요에 의해 지난 몇 년 동안 꾸준하게 하락해 왔다. 그러나, 예컨대, 열 팽창 계수(CTE)의 일치 및 열 전도성 요구조건이 패키징용 재료의 선택을 제한하여 비용 감소를 어렵게 하기 때문에, 하우징 및 조절기/제어기의 두 영역은 유사한 비용 감소를 누리지 못했다.

참고로 본원에 합체되었으며 스톡톤 등에 허여된 미국 특허 제4,490,721호는 박막 및 IC 제작 기술을 사용하여 단일 기판 상에 MMIC 구성요소의 제작 및 그들의 상호 연결을 개시하고 있다.

참고로 본원에 합체되었으며 리치 3세 등에 허여된 미국 특허 제5,945,941호는 펄스식 레이더 장치 및 비용과 중량이 감소되고 효율과 신뢰도가 향상된 전력 분배 시스템을 사용하는 방법을 개시하고 있다. 전력 분배 시스템은 중간 전력 변환기 및 초단파(VHF) 조절기/변조기 유닛을 통해 270 VDC 전원으로부터 전력을 분배하는 레이더 장치로 제공된다. 비용은 효율이 증가된 전기 구성 요소들을 사용하여 감소된다.

참고로 본원에 합체되었으며 우드브리지 등에 허여된 미국 특허 제5,493,305호는 조립의 자동화에 의해 생산량을 증가시키기 위한 MMIC 칩의 수직 다중층 배열을 개시하고 있다.

본 발명은 재료의 적절한 선택과 적용을 통해 MMW 하우징의 비용을 감소시키는 것에 관한 것이다. 조절기/제어기의 비용은 표면 장치 부품 및 단순화된 DC 및 RF 인터페이스의 사용을 통해 감소될 수 있다. 예시적인 실시예들은 설계 변경 없이 20 내지 40 GHz의 주파수를 수용하여 모듈 방식을 개선한 MMW 모듈 조립을 위한 일반적인 하우징을 제공한다.

본 발명에 따른 예시적인 밀리미터파 송수신기는 수직으로 적층된 평면 하우징의 다중층식 구조체를 포함한다. 전기 하우징 및 표면 장착 보드에 대한 커버는 수직 적층체의 제1 에지에 위치된다. 표면 장착 보드는 제2 층으로서 위치된다. 제3 층은 알루미늄으로 제작되고 조절기/제어기를 포함하는 전기 하우징이다. RF 구성요소는 구리 텅스텐으로 이루어진 제4 층에 수용된다. 복수의 상호 연결된 채널들은 기계가공에 의해 또는 채널이 형성된 층과 편평한 기부층을 연결함으로써 하우징의 평면에 오목하게 된다. MMIC 칩들과 접속 기판들만이 복수의 채널 내에 배치된다. 코바(Kovar)로 이루어진 RF 커버는 수직 적층체의 제2 에지에 배치되어 MMIC 칩들과 접속 기판 위로 밀봉 커버를 형성한다.

본 발명의 다른 목적 및 장점들은 유사한 번호들이 유사한 요소들을 지시하는 첨부된 도면과 관련하여 양호한 실시예들의 이하의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.

도1은 상부 및 전방에서 본, 채널이 형성된 하우징의 분해 사시도이다.

도2는 바닥 및 후방에서 본, 채널이 형성된 하우징의 분해 사시도이다.

도3은 상부 및 전방에서 본, 평판 하우징의 분해 사시도이다.

도4는 바닥 및 후방에서 본, 평판 하우징의 분해 사시도이다.

도1은 다중층식 구조체가 수직으로 적층된 예시적 MMW 송수신기 패키지의 사시도이다. 제1 실시예에서, 채널이 형성된 MMW 하우징(2)은 수직 적층체의 제1 에지(4) 상에 RF 커버(6)를 갖는다. RF 커버(6)는 채널이 형성된 MMW 하우징(2) 내에 놓이게 될 송수신기의 주파수를 통과시킨다. 도시된 실시예에서, RF 커버(6)는 RF 하우징(10)인 제2 층 위에 위치설정된 대체로 장방형이고 평면인 시트(8)의 형태로 도시되고 있다. RF 커버(6)를 위한 적절한 재료의 예들은 코바, 니켈, 코발트 및 철이다. RF 하우징(10)은 적절한 열 전도성 및 열 팽창 계수를 제공하는 적절한 재료로 이루어진다. 도시된 실시예에서, 적절한 재료는 구리 텅스텐이다. RF 하우징(10)은 모놀리식 구조체이며 RF 커버(6)를 향해 위치된 제1 평면(14)을 갖는다. RF 커버(6)의 형상에 상응하는 내부 리세스식 에지(16)가 제1 평면(14) 상에 형성된다. 리세스식 에지(16)가 제공되어 RF 커버(6)는 RF 하우징(10)과 정합한다. 채널이 형성된 커넥터들과 MMIC 칩들의 위치설정을 위한 위치를 각각 제공하는 채널(12)과 웰(well)(13)은 RF 하우징(10)의 제1 평면(14) 상에 있다.

수직의 채널이 형성된 MMW 하우징(2)의 제3 층은 전기 하우징(24)이다. 전기 하우징(24)은 알루미늄과 같은 적절한 재료로 이루어질 수 있어, 공학적 강도와 적절한 열 및 도전성 특성을 제공한다. 전기 하우징(24)의 제1 평면(26)은 RF 하우징(10)의 제2 평면(18)과 인접한다. 전기 하우징(24)의 제2 평면(28)은 후속층, 표면 장착 보드(32)의 위치 설정을 위해 리세스식 에지(30)를 구비한다. 표면 장착 보드(32)는 단일 조절 회로 및 제어 기능과 같은 구성 요소를 수용한다. 구성 요소들은 종래의 기술을 사용하여 장착된 표면들이다. 마지막으로, 전기 하우징 커버(34)가 채널이 형성된 MMW 하우징(2)의 제2 에지(5)에 위치된다.

다중층식 채널이 형성된 MMW 하우징(2)은 개별 층들의 네 개의 코너부 각각에 위치설정된 (도시되지 않은) 커넥터에 의해 보유되고 조립된다. RF 하우징(10)은 전기 하우징(24) 내의 관통 구멍(38)과 전기 하우징 커버(34) 내의 관통 구멍(40)에 상응하는 코너부들에 위치설정된 관통 구멍(36)을 갖는다. 관통부(42), 예컨대 DC 관통부는 RF 하우징(10)과 전기 하우징(24) 사이에 제공되어 전기 접속을 제공한다. 이들 관통부(42)들은 전기 하우징(24) 내의 상응하는 관통 구멍(44)들과 정합한다. 인터페이스(46)는 다중 채널이 형성된 MMW 하우징(2) 및/또는 다른 구성요소 사이의 접속을 제공한다. 인터페이스(46)는 예컨대, 볼트(50)로 RF 하우징(10)에 장착되는 도파관(48)의 형태일 수 있다. 다르게는, 인터페이스(46)는 동축 인터페이스(52)를 포함할 수 있다. 또한, 동축 인터페이스(52)는 RF 하우징(10)에 연결된다.

도2는 도1의 채널이 형성된 MMW 하우징(2)의 확대 사시도이다. 도2는 하부 후방 에지로부터 본 도면이다. 이 도면에서, 전기 하우징(24)의 제2 평면(28) 상의 리세스식 에지(30)는 명확하게 관찰된다. 또한, 커넥터(54)는 전기 하우징(24) 내에 수용되어 MMW 모듈 내에서 기능을 제어하도록 사용되는, 컴퓨터 인터페이스와 같은 보조 장비와 dc 신호를 접속하기 위한 지점을 제공한다.

도3은 채널이 형성된 MMW 하우징(102)의 제2 실시예의 확대 사시도이다. 채널이 형성된 MMW 하우징(102)은 수직으로 적층된 다중층식 구조체를 포함한다. RF 커버(106)는 수직 적층체의 제1 에지(104) 상에 제공된다. RF 커버(106)는 채널이 형성된 MMW 하우징(102) 내에 놓이게 될 송수신기의 주파수를 통과시킨다. 도시된 실시예에서, RF 커버(106)는 RF 하우징(110)인 제2 층 위에 위치설정되는 코바(108)의 대체로 장방형이고 평면인 시트의 형태로 도시된다. RF 하우징(110)은 채널이 형성된 RF 섹션(160) 및 평판(170)인 두 개의 개별 섹션을 포함한다. RF 섹션(160) 및 평판(170) 모두는 구리 텅스텐과 같이 적절한 열 전도성 및 열 팽창 계수를 제공하는 적절한 재료로 이루어질 수 있다. RF 섹션(160)은 RF 커버(106)를 향해 위치설정된 제1 평면(114)을 갖는다. RF 커버(106)의 형상에 상응하는 내부 리세스식 에지(116)는 제1 평면(114) 상에 형성된다. 리세스식 에지(116)는 RF 커버(106)가 RF 하우징(110)과 정합하여 조립될 때 주위 밀봉을 형성하도록 제공된다. RF 섹션(160)의 본체 내의 채널(112)과 웰(113)은 채널이 형성된 커넥터들과 MMIC 칩들을 각각 수용한다.

다른 실시예들은 RF 하우징(10, 110) 상에 MMIC 칩과 접속 기판 외에도 전기 용량성 요소 및 저항성 요소들과 같은 구성요소들을 포함할 수 있다.

독립적인 RF 섹션(160)과 평판(170)은 RF 하우징(110) 내에 RF 구성요소를 설치하기 위해 표면 장착 기술을 사용할 수 있으며, 이는 MMIC 칩을 고정하고 채널이 형성된 MMW 하우징(102)을 조립하기 위한 에폭시의 증착을 간단하게 하여 생산을 용이하게 하고 비용을 감소시킨다. 또한, RF 하우징(110)의 개별 구성요소(160, 170)는 주조될 수 있으며, 또한 더 비싼 재료 작성 기술에 비해 비용을 감소시킨다.

평판(170)의 제1 평면(171) 상에 돌출 립부(172)가 제공된다. 립부(172)는 RF 섹션(160)의 제2 평면(115)의 내부 리세스(162)와 정합한다. 외부 리세스(164)는 평판(170)의 외부 치수와 일치한다. RF 섹션(160)과 평판(170)은 기계적 수단 또는 접착 수단에 의해 결합될 수 있다.

수직의 채널이 형성된 MMW 하우징(102)의 제3 층은 전기 하우징(124)이다. 전기 하우징(124)은 공학적 강도와 적절한 열 및 도전성 특성을 제공하는 알루미늄과 같은 적절한 재료로 이루어질 수 있다. 전기 하우징(124)의 제1 평면(126)은 RF 하우징(110)의 평판(170)의 제2 평면(174)과 인접한다. 전기 하우징(124)의 제2 평면(128)은 후속층, 표면 장착 보드(132)의 위치설정을 위해 리세스식 에지(130)를 구비한다. 마지막으로, 전기 하우징 커버(134)는 채널이 형성된 MMW 하우징(102)의 제2 에지(105)에 위치설정된다.

다중층식 채널이 형성된 MMW 하우징(102)은 개별 층들의 네 개의 코너 각각에 위치된 (도시되지 않은) 커넥터들에 의해 함께 보유되고 조립된다. RF 하우징(110)은 전기 하우징(124) 내의 관통 구멍(138)과 전기 하우징 커버(134) 내의 관통 구멍(140)에 상응하는 RF 섹션(160)의 코너들에 위치설정된 관통 구멍(136)을 갖는다. 관통부(142), 예컨대 DC 관통부는 전기 하우징(124)과 RF 하우징(110)의 평판(170) 사이에 제공되어 전기 접속을 제공한다. 이들 관통부(142)는 전기 하우징(124) 내의 상응하는 관통 구멍(144)과 정합한다. 인터페이스(146)는 홈이 형성된 다중 채널이 형성된 MMW 하우징(102) 및/또는 다른 구성요소들 사이의 접속을 형성하도록 제공된다. 인터페이스(146)는 예컨대, 볼트(150)로 RF 하우징(110)의 RF 섹션(160)에 장착되는 도파관(148)의 형태일 수 있다. 다르게는, 인터페이스(146)는 동축 인터페이스(152)를 포함할 수 있다. 또한, 동축 인터페이스(152)는 RF 하우징(10)의 RF 섹션(160)에 접속된다.

도4는 도3의 채널이 형성된 MMW 하우징(102)의 확대 사시도이다. 도4는 하부 후방 에지로부터 본 도면이다. 이 도면에서, RF 섹션(160)의 제2 평면(115), 내부 리세스(162) 및 외부 리세스(164)가 더욱 잘 도시되었다. 또한, 관통부(142)는 평판(170)의 제2 평면(174) 상에 있을 수 있다. 전기 하우징(124)의 제2 평면(128) 상의 리세스식 에지(130)가 명확하게 도시되었다. 이 리세스는 표면 장착 보드(132)를 전기 하우징(124)에 정합하기 위해 제공되었다. 또한, 커넥터(154)는 전기 하우징(124) 내에 수용된다.

전기 하우징(24, 124) 상의 조절기/제어기는 큰 표면 장착 부품으로 구성될 수 있다. 또한, 조절기/제어기는 큰 체적과 높은 열 전도성으로 인해 제2 열 싱크로 기능한다.

RF 하우징으로부터 몇몇 장치의 재배치로 인해, 채널이 형성된 MMW 하우징(2, 102)의 RF 채널(12, 13)들은 하우징 모듈에 대한 어떠한 변화 없이 20 내지 40 GHz의 주파수를 수용하도록 더욱 크게 제작될 수 있다. 이것은 MMW 하우징이 사용될 때 탄력적인 적용이 가능하게 한다.

MMIC 다이 및 박막 기판이 RF 하우징(10, 110)에 부착되는 방법은 은-기재 도전성 에폭시를 사용하는 것이다. 과도한 에폭시는 단락을 유발하지만, 에폭시가 부족하면 칩이 떨어지고 모듈 신뢰성에 영향을 줄 수 있다.

다른 방법들은 에폭시 양을 제어하도록 사용되었다. 작은 채널폭을 갖는 모놀리식 하우징의 미세한 공차에서 자동식 에폭시 증착의 사용은 매우 도전적인 것이었다. 조밀한 RF 채널에서, 나선형 및 도트 패턴이 상기 어려움을 극복하기 위해 사용되었으며, 에폭시 증착의 가장 일반적인 방법 중 하나이다. 제안된 평판 하우징(30)은 에폭시 스크리닝(screening)을 사용할 수 있어, 용이하게 제어될 수 있는 장점을 가지며 비용을 절감할 수 있다.

하우징:

GaAs MMIC 칩들은 칩들이 동일한 온도 범위에 걸쳐 유사하게 팽창되도록 장착되는 표면을 요구하는 사용 중에 직면하는 온도 범위에 걸쳐 팽창 및 수축한다. 칩과 하우징 사이에 밀접하게 잘 맞는 열 팽창 계수를 갖지 못하면, 칩 크래킹, 표면 분리 및 손상을 초래한다. 또한, 칩들은 상당한 양의 열을 발생시키며 열을 신속하게 제거하도록 충분히 높은 열 전도성을 갖는 하우징 및 패키징 재료를 요구한다. 열의 효율적인 제거는 MMIC 칩의 수명을 연장하는데 기여한다.

이 특징들은 가능한 재료의 선택을 제한한다. 적절한 재료의 몇몇 예들은 구리 텅스텐(CuW), 알루미늄 탄화 규소(Al-SiC), 알루미늄 그래파이트(Al-graphite) 및 구리 몰리브덴(CuMo)을 포함한다.

하우징으로 사용하는 대표적인 재료의 예는 CuW이다. CuW의 원료는 비교적 비용이 저렴한 이점이 있고, 합금은 일반적으로 180-200W/mK의 높은 열 전도율을 갖는다. 또한, CuW의 열팽창 계수는 MMIC 칩의 열팽창 계수와 하우징의 다른 영역에 일반적으로 사용되는 재료들의 열팽창 계수와 근사하게 매치된다. 그러나, 이러한 재료는 매우 단단하여 기계가공을 어렵게 한다. 비용을 줄이기 위해, 이러한 재료를 위해 필요한 기계가공 작업은 최소화되어야 한다.

조절기/제어기:

채널이 형성된 MMW 하우징(2, 102)에 사용되는 CuW 재료의 양을 최소화하는 것은 비용을 감소시킨다. 본 발명의 채널이 형성된 MMW 하우징(2, 102)의 사용은 RF 하우징(10, 110)을 위해 사용되는 CuW의 양을 5:1로 감소시킨다. 하우징이 상술한 임의의 다른 적절한 재료로 제작될 때, 재료의 유사한 감소가 이루어진다.

예를 들어, 사용된 CuW의 양을 감소시키기 위해, 본 발명은 조절기/제어기 기판을 RF 하우징(10, 110) 밖으로 이동하여, RF 하우징(10, 110)의 제2 평면(18, 118)에 인접하는 전기 하우징(24, 124)에 위치시킨다. DC 및 제어 신호는 전기 하우징(24, 124) 내의 관통부(42, 142), 예컨대 유리 관통부를 통해 밀봉된 RF MMIC 영역으로 이동된다. 관통부는 RF 섹션의 바이어스(vias) 내에 위치되어 제위치에 납땜되는 유리 도체이다. 관통부(42, 142)는 약 6.35 내지 7.11mm(250 내지 280mils)의 거리에 걸쳐 제2 평면(18, 118) 또는 RF 하우징(10, 110) 밖으로 연장된다. 관통부(42, 142)의 사용은 인터페이스(46, 146)의 선택과는 독립적이고, 채널이 형성된 MMW 하우징(2, 102)이 모듈 하우징 또는 내부 회로에 대한 변화 없이 동축 인터페이스(52, 152) 또는 도파관 인터페이스(48, 148) 중 어느 하나를 갖게 한다. 이러한 교환능은 모듈방식을 개선시키고 비용을 감소시킨다.

표면 장착 기술의 저비용의 이점뿐만 아니라, 본 발명의 채널이 형성된 MMW 하우징(2, 102)의 구조는 DC 신호가 RF 하우징(10, 110) 내에서 사용되는 곳과 매우 가까운 근접도로 DC 신호가 이용 가능하게 한다. DC 신호와 RF 하우징(10, 110)의 근접도는 전력 관리와 넓게 이격된 부품들 사이의 이동과 관련된 신호 감쇠를 최소화함에 있어서 중요하다. 일반적으로, 이격 거리는 0.05 내지 0.13mm(2 내지 5mils) 이고, 바람직한 최대값인 0.25mm(10mils) 이하로 최소화되어야 한다.

제조

본 발명과 일치하는 MMW 하우징은 이하의 방법으로 제작된다. MMIC 및 접속 기판은 채널이 형성된 RF 하우징(10, 110) 위로 에폭시 수지로 접착되고, 전자 부품은 전기 하우징(24, 124) 상에 표면 장착된다. 전기 하우징(24, 124)은 제1 평면(26, 126) 상에 금도금되고, 모놀리식 RF 하우징(10)은 제2 평면(18) 상에 금도금된다. 다르게는, 채널이 형성된 RF 섹션(160)과 평판(170)으로 이루어지는 RF 하우징(110)은 평판(170)의 제2 평면(174) 상에 금도금된다. 그후, 각각의 금도금면은 전기 하우징(24, 124) 내의 대응 구멍(44, 144) 안으로 위치되는 관통부(42, 142), 예컨대 DC 관통부와 연결된다. 열 시트는 전기 하우징(24, 124)과 RF 하우징(10, 110) 사이에 위치되어, 열 접촉부와 밀봉부를 제공한다. 일 실시예에서, 열 시트는 금속 포일이다. 열 시트의 사용은 임의의 치수 오차와 부품의 표면 마감을 보완한다. 다음으로, RF 커버(6, 106)가 RF 하우징(10, 110)의 제1 평면(14, 114) 상의 리세스식 에지(16, 116) 내에 배치된다. 그후, 표면 장착 보드(32, 132)는 전기 하우징(24, 124)의 제2 평면(28, 128) 상의 리세스식 에지(30, 130) 내에 위치된다. 전기 하우징 커버(34, 134)는 표면 장착 보드(32, 132) 위에 위치된다. 그후, 조립된 채널이 형성된 MMW 하우징(2, 102)은 코너의 나사 구멍(40, 140)에 위치된 커넥터를 사용하여 함께 체결된다. 마지막으로, 인터페이스 커넥터(46, 146)는 나사식 체결구에 의해 부착된다.

본 발명의 대표적인 실시예는 비용을 감소시키는, 하우징 조립체 및 상기 하우징 조립체 내로 조절기/제어기의 통합을 위한 우수한 해결책을 제공한다. 비용 절감의 요구를 만족시키도록 설계된 금속의 조합을 사용하여 하우징 해결책이 제공된다. 하우징용으로 사용된 재료는 하우징 내의 특징부의 기능과 잘 맞는다. 또한, 고 비용의 재료의 이점을 필요로 하는 특징부들만이 고 비용의 재료로 구성된 영역 내에 수납된다.

일반적으로 RF 섹션 내에 있는 조절기/제어기는 또한 그것이 마이크로-전자 회로로 제작되므로 비교적 고비용이었다. 제안된 패키징 개념은 조절기/제어기를 작은 RF 섹션 밖으로 이동시켜, 이러한 적용을 위해 더 낮은 비용의 표면 장착 부품의 사용을 가능하게 한다.

설계는 또한 20 내지 40GHz의 주파수 범위를 지원할 수 있는 통상의 패키지를 제공한다.

본 발명이 바람직한 실시예와 관련하여 기술되었지만, 첨부된 청구의 범위에서 한정된 바와 같이, 본 발명의 기술사상 및 범위로부터 벗어남이 없이 기술분야에서 숙련된 자들에게 부가, 감축, 변경 및 대체가 이루어질 수 있음을 이해할 수 있다.

Claims (19)

1. 밀리미터파 송수신기 패키지이며,

   복수의 리세스식 채널 및 웰이 배치되는 제1 평면과, 표면 관통부를 갖는 제2 평면을 포함하는 RF 하우징과,

   상기 RF 하우징의 상기 제2 평면에 인접하는 제1 평면을 포함하고, 조절기/제어기와 상기 RF 하우징의 상기 관통부에 대응하는 관통 구멍을 갖는 전기 하우징과,

   상기 전기 하우징의 제2 평면 상의 리세스식 에지 내에 위치되는 표면 장착 보드를 포함하는 밀리미터파 송수신기 패키지.
2. 제1항에 있어서,

   상기 RF 하우징과 상기 전기 하우징이 수직으로 적층되어 다층으로 이루어진 구조체의 제1 에지에 배치되는 RF 커버와,

   상기 다층으로 이루어진 구조체의 제2 에지에 위치되는 상기 표면 장착 보드 및 상기 전기 하우징을 위한 커버와,

   상기 RF 하우징 상에 장착되는 인터페이스 유닛을 포함하는 밀리미터파 송수신기 패키지.
3. 제2항에 있어서, 상기 RF 하우징은 상기 RF 커버에 인접하는 제1 평면을 구비하여 제2 층으로서 위치되고, 상기 전기 하우징은 제3 층으로서 위치되고, 상기 표면 장착 보드는 상기 제3 층에 인접하는 제4 층으로서 위치되는 밀리미터파 송수신기 패키지.
4. 제1항에 있어서, 상기 복수의 채널 및 웰이 상호 연결되는 밀리미터파 송수신기 패키지.
5. 제1항에 있어서, MMIC 칩과, 접속 기판만이 복수의 채널 및 웰 내에 배치되는 밀리미터파 송수신기 패키지.
6. 제1항에 있어서, 상기 RF 하우징은 구리 텅스텐, 알루미늄 탄화 규소, 알루미늄 그래파이트 및 구리 몰리브덴으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 재료로 형성되는 밀리미터파 송수신기 패키지.
7. 제1항에 있어서, 상기 전기 하우징은 알루미늄인 밀리미터파 송수신기 패키지.
8. 제1항에 있어서, 상기 RF 커버는 코바로 제작되는 밀리미터파 송수신기 패키지.
9. 제1항에 있어서, 상기 RF 커버는 상기 상호연결되는 채널 및 웰 내의 상기 MMIC 칩 및 접속 기판 위에 배치되어 상기 MMIC 칩 및 접속 기판을 밀봉하는 밀리미터파 송수신기 패키지.
10. 제2항에 있어서, 상기 인터페이스 유닛은 동축 인터페이스인 밀리미터파 송수신기 패키지.
11. 제2항에 있어서, 상기 인터페이스 유닛은 도파관 인터페이스인 밀리미터파 송수신기 패키지.
12. 제1항에 있어서, 상기 조절기/제어기는 상기 RF 하우징 하부의 상기 전기 하우징 내에 배치되는 밀리미터파 송수신기 패키지.
13. 제1항에 있어서, 상기 관통부는 유리 도체이고, 상기 전기 하우징 상에 배치되는 부품 및 상기 RF 하우징 상에 배치되는 부품 사이에 전기적인 접촉을 제공하는 밀리미터파 송수신기 패키지.
14. 밀리미터파 송수신기 조립체 제작 방법이며,

    제1 평면 상에 복수의 채널 및 웰을 갖고 제2 평면 상에 DC 관통부를 갖는 모놀리식 RF 하우징을 형성하는 단계와,

    상기 RF 하우징의 금도금된 제2 평면 상에 에폭시를 이용하여 복수의 MMIC 및 접속 기판을 배치하는 단계와,

    상기 복수의 채널 및 웰을 상기 RF 하우징의 금도금된 상기 제2 평면과 연결하는 단계와,

    전기 하우징의 제1 평면 상에 복수의 전자 부품을 표면 장착하는 단계와,

    상기 전기 하우징과 상기 RF 하우징 사이에 열 시트를 배치하는 단계와,

    상기 RF 하우징의 상기 DC 관통부가 상기 전기 하우징의 대응 구멍과 잘 맞도록 상기 RF 하우징의 상기 제2 평면과 상기 전기 하우징의 상기 제1 평면을 연결하는 단계와,

    상기 RF 하우징의 상기 제1 평면 상의 리세스식 에지 내에 RF 커버를 배치하는 단계와,

    상기 전기 하우징의 상기 제2 평면 상의 리세스식 에지 내에 표면 장착 보드를 배치하는 단계와,

    상기 표면 장착 보드 위로 전기 하우징 커버를 배치하는 단계와,

    상기 밀리미터파 송수신기 조립체를 함께 체결하는 단계와,

    인터페이스를 상기 RF 하우징에 연결하는 단계를 포함하는, 밀리미터파 송수신기 조립체 제작 방법.
15. 제14항에 있어서, 상기 RF 하우징의 상기 제1 평면 상에 배치되는 상기 복수의 채널 및 웰이 상호연결되는, 밀리미터파 송수신기 조립체 제작 방법.
16. 밀리미터파 송수신기 조립체 제작 방법이며,

    RF 하우징의 RF 섹션의 제1 평면 상에 배치되고, 상호연결되는 복수의 채널 및 웰을 형성하는 단계와,

    상기 RF 하우징의 평판 층의 제2 평면 상에 복수의 DC 관통부를 형성하는 단계와,

    복수의 개개의 다이를 평판에 연결함으로써 상기 RF 하우징을 형성하는 단계와,

    복수의 MMIC 및 접속 기판을 배치하고 상기 복수의 MMIC 및 접속 기판을 에폭시로 고정하는 단계와,

    전기 하우징의 제1 평면 상에 복수의 전자 부품을 표면 장착하는 단계와,

    상기 전기 하우징의 상기 제1 평면을 금도금하는 단계와,

    상기 전기 하우징과 상기 RF 하우징 사이에 열 시트를 배치하는 단계와,

    상기 RF 하우징의 상기 DC 관통부가 상기 전기 하우징의 대응 구멍과 잘 맞도록 상기 RF 하우징의 상기 평판의 상기 제2 평면과 상기 전기 하우징의 상기 제1 평면을 연결하는 단계와,

    상기 RF 하우징의 상기 제1 평면 상의 리세스식 에지 내에 RF 커버를 배치하는 단계와,

    상기 전기 하우징의 상기 제2 평면 상의 리세스식 에지 내에 표면 장착 보드를 배치하는 단계와,

    상기 표면 장착 보드 위로 전기 하우징 커버를 배치하는 단계와,

    상기 밀리미터파 송수신기 조립체를 함께 체결하는 단계와,

    인터페이스 수단을 상기 RF 하우징에 연결하는 단계를 포함하는, 밀리미터파 송수신기 조립체 제작 방법.
17. 제16항에 있어서, 상기 개개의 다이는 주조에 의해 형성되는, 밀리미터파 송수신기 조립체 제작 방법.
18. 제16항에 있어서, 상기 복수의 개개의 다이를 상기 평판에 연결하는 단계는, 은-기재 에폭시로 연결되는, 밀리미터파 송수신기 조립체 제작 방법.
19. 제16항에 있어서, 상기 복수의 개개의 다이를 상기 평판에 연결하는 단계는, 나선형 패턴, 도트 패턴 및 스크리닝으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 방법으로 연결되는, 밀리미터파 송수신기 조립체 제작 방법.

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