KR100871812B1 - 나노 임프린트 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 TFT-LCD와 같은 디스플레이 장치용 편광판을 제조하기 위해 사용되는 블랭크 마스크와 나노 임프린트(Nano Imprint) 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 1층 내지 4층 구조의 박막과 포토레지스트가 코팅된 다양한 블랭크 마스크를 형성하고, 상기 각 블랭크 마스크를 이용하여 서로 다른 두께의 압착패턴과, 수지경화패턴 및 반압착패턴을 형성하는 나노 임프린트 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이에 따르면, 패턴의 결함 검사가 용이함은 물론, 기판을 손상시키지 않으며, 나노 임프린트 공정시 고분자 수지막과의 점착을 줄일 수 있게 된다. 아울러, 상기 압착패턴, 수지경화패턴 및 반압착패턴의 얼라인 문제를 해결할 수 있다.
나노 임프린트, 두께변조 마스크, 블랭크 마스크, 마스크 단축 공정, 점착방지막

Description

나노 임프린트 마스크 및 그 제조방법{Nano imprint mask and method for manufacturing thereof}
도 1은 종래의 나노 임프린트 마스크를 이용한 임프린트 공정의 개략적인 단면도.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 제1 내지 제6 블랭크 마스크의 단면도.
도 3a 내지 도3c는 본 발명인 나노 임프린트 마스크를 개략적으로 도시한 단면도.
본 발명의 제1 내지 제3 나노 임프린트 마스크의 제조방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도.
도 7 및 도 8은 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도.
도 9 및 도 10은 제3 및 제4 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도 및 평면도.
도 11은 본 발명의 제5 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도.
도 12는 제6 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도 및 평면도.
도 13 및 도 14는 제7 및 제 8 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도 및 평면도.
도 15 본 발명의 제 제 8 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도.
도 16은 본 발명의 나노 임프린트 마스크에 의한 임프린트 공정을 개략적으로 도시한 단면도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
1 : 투명기판 2 : 압착막
3 : 반사방지막 4, 8 : 제1 및 제2 포토레지스트
5 : 반압착막 6: 식각저지막
7 : 점착방지막 30 : TFT 기판
31 : TFT막 32 : 광경화성 수지 또는 열가소성 수지
200 : 나노 임프린트 마스크 230 : 압착패턴
231, 232: 압착패턴의 압착패턴의 측면
235: 압착패턴의 상면
251, 252: 반압착패턴의 압착패턴의 측면
255: 반압착패턴의 상면
250 : 반압착패턴 270 : 수지경화패턴
500 : 소스 패턴 501 : 드레인 패턴
502 : 채널 패턴 503a, 503b : 셀프 얼라인 개구부
본 발명은 TFT-LCD와 같은 디스플레이 장치용의 TFT(Thin Film Transistor) 및 편광판 등을 제조하기 위해 사용하는 블랭크 마스크와 나노 임프린트(Nano Imprint) 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 1층 내지 4층 구조의 박막과 포토레지스트가 코팅된 블랭크 마스크와, 상기 각 블랭크 마스크를 이용하여 서로 다른 두께의 압착패턴과, 수지경화패턴 및 반압착패턴이 형성된 나노 임프린트 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, TFT-LCD(Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display) 및 PDP(Plasma Display Panel) 등의 평판 디스플레이 제품은 사진공정(Lithography)에 의한 미세 회로 패턴을 형성하여 제조된다. 이러한 사진공정에 사용되는 노광장치는 가격이 워낙 고가인데다 평판 디스플레이 제품의 제조시 사진공정에 소요되는 재료비가 높아 전체적으로 평판 디스플레이 제품의 제조비용을 높이는 원인이 된다.
따라서 상기의 제조비용을 감소하기 위하여 많은 기술개발이 진행되고 있다. 예를 들면 TFT-LCD의 경우 슬릿 마스크(Slit Mask)등의 그레이톤 마스크(Graytone)를 이용한 마스크 단축 공정이 적용되고 있으며 최근에는 5회의 사진공정을 거치는 5-마스크 공정에서 4회의 사진공정을 거치는 3-마스크 공정이 적용되고 있는 추세이다.
그러나 여전히 사진공정을 실시하여야만 하기 때문에 평판 디스플레이 제품의 제조비용 감소에 한계점으로 작용하는 문제점이 있었다. 또한 현재의 사진공정 장비의 해상도의 한계로 인하여 미세 패턴을 형성하는데 문제점이 있으며 TFT-LCD 분야의 경우 2㎛ 이하의 패턴을 형성하기 어려운 문제점이 있었다.
상기의 문제점을 해결하기 위하여 최근, 평판 디스플레이 분야에도 나노 임프린트(Nano Imprint)기술이 각광받고 있으며, 도 1과 함께 설명한다.
도 1은 종래의 나노 임프린트 마스크를 이용한 임프린트 공정의 개략적인 단면도이다.
상기의 나노 임프린트 기술은, 도 1a 내지 도 1c에 도시된 바와 같이, 일정한 높이의 패턴이 형성된 나노 임프린트 마스크(또는 스탬프 마스크, 100)를 사용하여 광경화성 또는 열가소성 수지(32)를 압착 및 경화시킨다.
이때, 상기 광경화성 또는 열가소성 수지(32)는 기판(10) 상에 적층된 제1 및 제2 박막(11, 12) 상에 위치하며, 상기 나노 임프린트 마스크(100)의 일측 상기 패턴 전면과 맞닿아 압착된다. 이어서, 상기 패턴이 형성되어 있지 않은 나노 임프린트 마스크(100)의 타측에 자외선을 조사하거나, 가열 후 냉각하여 상기 광경화성 또는 열가소성 수지(32)에 상기 패턴이 전사되도록 한다. 상기의 나노 임프린트 기술은 반도체 분야의 경우 0.1㎛ 이하의 패턴을 형성할 수 있는 기술로 개발되고 있기 때문에 평판 디스플레이 제품의 제조에 사용하는 경우 종래의 사진공정에 의한 해상도의 한계를 극복할 수 있으며 사진공정에 비하여 제조비용이 절감된다.
그러나 상기 종래의 나노 임프린트 기술은 TFT-LCD 제조시 마스크 단축 공정 을 수행할 수 없는 문제점이 있었다. 또한 투명기판을 건식식각하여 평판 디스플레이 제조용 나노 임프린트 마스크를 제조하는 경우 패턴의 검사가 어렵고 또한 반도체용 나노 임프린트 마스크와 달리 대면적의 기판에 건식식각을 수행해야 하는 등의 마스크 제조시의 어려움이 있으며 특히, 투명기판을 건식식각 공정을 수행하게 되면 고가의 투명기판의 재사용이 불가능하여 제조 단가가 높아지는 문제점이 있었다. 또한 나노 임프린트 공정시 나노 임프린트 마스크와 광경화성 또는 열가소성 수지와의 점착에 의한 마스크의 오염으로 인하여 패턴의 불량을 일으키는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 마스크 단축 공정을 위해 1층 내지 4층 구조의 박막과 포토레지스트가 코팅된 블랭크 마스크와, 상기 블랭크 마스크를 이용하여 두께변조 가능한 나노 임프린트 마스크 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 패턴의 검사가 쉬운 나노 임프린트 마스크를 제공할 수 있게 하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 건식식각 방법을 사용하지 않는 두께변조 나노 임프린트 블랭크 마스크와 나노 임프린트 마스크 및 그 제조 방법을 제공할 수 있게 하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 셀프 얼라인이 가능하여 1차 패턴과 2차 패턴의 얼라인 문제가 없는 블랭크 마스크와 나노 임프린트 마스크 및 그 제조 방법을 제 공할 수 있게 하는 것이다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은, 제조 공정의 단축으로 보다 저가격의 나노 임프린트 마스크를 제공할 수 있게 하는 것이다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은, 광경화성 또는 열가소성 수지와의 점착이 작은 나노 임프린트 마스크를 제공할 수 있게 하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 기술적인 구성으로서, 본 발명의 블랭크 마스크는, 투명기판 상에 압착막, 반압착막/압착막, 압착막/반사방지막, 반압착막/압착막/반사방지막 중에서 선택된 어느 하나에 제1 포토레지스트를 형성한 블랭크 마스크에 있어서, 상기 투명기판은 평탄도가 0.1 내지 50 μm이고, 열팽창률이 1× 10-7/℃ 내지 1× 10-5/℃인 것을 특징으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 기술적인 구성으로서, 본 발명의 나노 임프린트 마스크는, 상기 블랭크 마스크를 리소그래피 공정으로 패턴을 형성한 나노 임프린트 마스크에 있어서, 상기 패턴은 압착패턴, 반압착패턴 및 수지경화패턴으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 기술적인 구성으로서, 본 발명의 나노 임프린트 마스크의 제조방법은, (a) 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 블랭크 마스크를 준비하는 단계, (b) 제1 포토레지스트를 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, (c) 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 블랭크 마스크를 식각하는 단계, (d) 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단 계, (e) 상기 (a) 내지 (d) 단계에 의한 블랭크 마스크의 전면에 제2 포토레지스트를 코팅하는 단계, (f) 상기 제2 포토레지스트를 노광 및 현상하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, (g) 상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계, 및 (h) 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하여 압착패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 기술적인 구성으로서, 본 발명의 나노 임프린트 마스크의 또 다른 제조방법은, (a) 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 블랭크 마스크를 준비하는 단계, (b) 제1 포토레지스트를 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, (c) 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계, (d) 상기 제1 포토레지스트 패턴의 일부만 제거하는 단계, (e) 상기 일부만 제거된 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계, 및 (f) 상기 제1 포토레지스트 패턴의 나머지를 제거하여 압착패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하기로 한다.
먼저, 본 발명에 따른 블랭크 마스크의 몇몇 실시예에 대해 설명한다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 제1 내지 제6 블랭크 마스크의 단면도이다.
도 2a 내지 도 2f를 참조하면, 후술되는 블랭크 마스크의 제1 내지 제6 블랭크 마스크에 있어서 공통사항으로는, 블랭크 마스크의 투명기판(1) 상(1)에 압착 막(2), 반압착막(5)/압착막(2), 압착막(2)/반사방지막(3), 반압착막(5)/압착막(2)/반사방지막(3) 중에서 선택된 어느 하나에 제1 포토레지스트(4)를 형성한다. 이때, 상기 투명기판(1)은 평탄도가 0.1 내지 50 μm이고, 열팽창률이 1× 10-7/℃ 내지 1× 10-5/℃인 것으로 한다.
만일, 상기 투명기판(1)의 열팽창률이 5× 10-5/℃ 이상이 되면 열가소성 수지를 이용하는 나노 임프린트 공정시 열팽창에 의한 패턴의 위치 이동이 발생하여 패턴 불량을 일으키게 되고, 1× 10-7/℃ 이하의 열팽창률 가지는 물질은 거의 없으며 열팽창률 감소에 의한 패턴 불량률 감소 효과가 거의 없다.
상기 투명기판(1)은 진공 또는 대기압 하에서 50℃ 내지 800℃로 가열하는 방법, 진공 중에서 플라즈마에 노출시키는 방법 또는 자외선이나 적외선에 노출시키는 방법 중 어느 한 방법으로 최대 120분 동안 전처리하도록 한다. 이는, 상기 투명기판(1) 표면의 수분량을 크게 줄임으로써, 상기 반압착막(5), 압착막(2), 또는 반사방지막(3)과의 접착력을 높인다.
상기 투명기판(1), 반압착막(5), 압착막(2) 또는 반사방지막(3)의 표면 거칠기는 중심선 평균 조도를 기준으로 0.1nmRMS 내지 50nmRMS인 것으로 한다. 만일, 상기 중심선 평균 조도가 50nmRMS 이상이 되면, 상기 나노 임프린트 마스크가 평판 디스플레이 제조에 사용되는 경우 광경화성 또는 열가소성 수지(32)와의 점착력이 커지게 되고, 그에 따라 상기 나노 임프린트 마스크의 표면이 광경화성 또는 열가소성 수지(32)의 잔류물에 의해 오염되어 불량률이 높아지는 문제가 발생한다.
상기 반압착막(5), 압착막(2) 또는 반사방지막(3)은 코발트, 탄탈륨, 텅스 텐, 몰리브덴, 크롬, 바나듐, 팔라듐, 티타늄, 니오븀, 아연, 하프늄, 게르마늄, 알루미늄, 플래티늄(Pt), 망간, 철, 실리콘, 니켈, 카드뮴, 지르코늄, 마그네슘, 리튬, 셀렌, 구리, 이트륨, 황, 인듐, 주석, 인디움틴옥사이드 으로 이루어진 군으로부터 선택된 1~6 종으로 이루어진 것으로 한다. 이때, 상기 반사방지막(3)은 실리콘, 질소, 탄소, 산소 중 적어도 1종 이상 더 포함하기도 한다.
상기 압착막(2) 또는 반사방지막(3)은, 더욱 바람직하게는 크롬 또는 크롬 화합물이고, 상기 반압착막(5)은 탄탈륨 또는 탄탈륨 화합물로 이루어지도록 한다.
상기 압착막(2) 또는 반사방지막(3)은 반압착막(5)과의 습식식각비가 3 이상인 것으로 하고, 반사율 차이가 패턴 검사파장 300nm 내지 700nm에서 5 내지 50%인 것으로 한다.
상기 반사방지막(3)은 상기 압착막(2)과 동일한 식각 특성을 갖도록 하여CAN(Ceric Ammonium Nitrate), NaOH 및 KOH에서 식각되도록 하고, 상기 반압착막(5)은 가열된 NaOH 및 KOH에서 식각되도록 한다.
상기 압착막(2), 반압착막(5)/압착막(2), 압착막(2)/반사방지막(3), 반압착막(5)/압착막(2)/반사방지막(3)은 10 내지 50000nm 두께로 형성한다.
상기 투명기판(1)과 상기 압착막(2), 상기 반압착막(5)과 상기 압착막(2) 사이에 식각저지막(6)을 포함하기도 한다. 이때, 상기 식각저지막(6)은 상기 압착막(2)과의 식각비가 3 이상인 것으로 한다.
아울러, 상기 압착막(2)은 동일 두께의 반사방지막(3)으로 대체될 수도 있다. 이때, 본래 반사방지막(3)을 포함하고 있는 경우, 상기 압착막(2)을 대신하는 반사방지막(3)과 동시에 형성된다.
이하 상기와 같은 공통사항을 갖는 제1 내지 제6 블랭크 마스크에 대해 보다 상세하게 설명한다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 상기 제1 블랭크 마스크는, 상기 투명기판(1)과 제1 포토 레지스트(4) 사이에 압착막(2)을 적층한다.
여기서, 상기 압착막(2)은 상기 제1 포토레지스트(4)를 코팅하기 위해 적층되는 층으로서, 그 두께는 5nm 내지 5000nm 범위로 구성한다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 제2 블랭크 마스크는, 상기 제1 블랭크 마스크에 있어서, 상기 투명기판(1)과 압착막(2) 사이에 반압착막(5)을 적층한다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 제3 및 제4 블랭크 마스크는, 각각 상기 제1 및 제2 블랭크 마스크에 있어서, 상기 압착막(2)과 제1 포토레지스트(4) 사이에 반사방지막(3)을 적층한다.
이때, 상기 반사방지막(3)은 나노 임프린트 마스크 제조시 스탠딩 웨이브 효과(Standing Wave Effect)를 감소시켜 패턴의 크기를 쉽게 제어하는 목적으로 적층되며, 식각의 편의를 위하여 그 하부의 압착막(2)을 이루는 물질과 동일한 식각 특성을 갖도록 함이 바람직하다.
제5 및 제6 블랭크 마스크는, 각각 상기 제3 및 제4 블랭크 마스크에 있어서, 상기 투명기판(1)과 압착막(2) 사이 및 상기 반압착막(5)과 상기 압착막(2) 사이에 각각 식각저지막(6)을 적층한 구조이다.
이때, 상기 식각저지막(6)은 그 상부에 적층된 압착막(2)과의 식각비를 3 이 상으로 하여 구성함이 바람직하다.
이하, 본 발명의 나노 임프린트 마스크에 대해 보다 상세하게 설명한다.
도 3a 내지 도3c는 본 발명인 나노 임프린트 마스크를 개략적으로 도시한 단면도이다. 이때, 상기 나노 임프린트 마스크는 상기 제1 내지 제6 블랭크 마스크 중 어떤 블랭크 마스크를 원재료로 해도 되므로, 도면 상에는 상기 나노 임프린트 마스크 내부의 적층 구조는 표시하지 않고 중간층(9)이라 정의한다.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 본 발명에 따른 나노 임프린트 마스크(200)는 압착패턴(230), 반압착패턴(250), 및 수지경화패턴(270)을 가지게 되며, 이는 리소그래피 공정에 사용되는 그레이톤 마스크의 투과 패턴, 차광 패턴, 및 반투과 패턴 또는 슬릿 패턴에 각각 대응된다.
상기 각 패턴의 높이는, 상기 나노 임프린트 마스크(200)의 저면을 기준으로 상기 압착패턴(230)이 200nm 내지 20000nm로 가장 높고, 상기 반압착패턴(250)이 상기 압착패턴(230)보다 50nm 내지 15000nm 낮으며, 상기 수지경화패턴(270)이 상기 가장 낮게 형성된다.
아울러, 상기 압착패턴(230), 반압착패턴(250) 및 수지경화패턴(270)은 전면에 5nm 내지 500nm 두께의 점착방지막(7)을 형성하기도 한다. 만일, 상기 점착방지막(6)을 5nm 이하의 두께로 하는 경우 점착 방지의 역할이 제한되며, 500nm 이상의 두께로 적층하는 경우 스텝 커버리지가 너무 커지기 때문에 패턴의 크기를 제어하기 어렵게 된다.
또한, 상기 점착방지막(7)은 코발트, 탄탈륨, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 바나 듐, 팔라듐, 티타늄, 니오븀, 아연, 하프늄, 게르마늄, 알루미늄, 플래티늄, 망간, 철, 실리콘, 니켈, 카드뮴, 지르코늄, 마그네슘, 리튬, 셀렌, 구리, 이트륨, 황, 인듐, 주석, 인디움틴옥사이드으로 이루어진 군으로부터 선택된 1~6 종으로 이루어진다. 이때, 상기 점착방지막(7)은 실리콘, 질소, 탄소, 산소 중 적어도 1종 이상 더 포함하기도 한다.
상기 점착방지막(7) 대신, 상기 압착패턴(230), 반압착패턴(250) 및 수지경화패턴(270)을 50 내지 1000℃에서 가열하는 방법, 100nm 내지 400nm 파장의 자외선을 조사하는 방법, 600nm 내지 3000nm 파장의 적외선을 조사하는 방법, 또는 0.1nm 내지 1nm 파장의 X-ray를 조사하는 방법 중 어느 한 방법으로 표면처리하기도 한다.
이때, 상기 표면처리는, 진공 또는 대기압에서 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 불소(F), 염소(Cl) 중 어느 1종 이상과, 아르곤(Ar), 헬륨(He), 네온(Ne), 크세논(Xe), 크립톤(Kr) 중 어느 1종 이상을 포함하여 실시한다.
한편, 도 3d를 참조하면, 본 발명에 따른 나노 임프린트 마스크(200)는 상기 압착패턴(230) 및 반압착패턴(250)의 모서리 각이 둔각이 되도록 형성한다. 이때, 상기 압착패턴(230) 또는 상기 반압착패턴(250)의 상면(235 또는 255)은 측면(231, 232 또는 251, 252)과 90 내지 140 °의 각을 이룬다.
이는, 상기 나노 임프린트 마스크(200)를 이용하여 반복적으로 임프린트 공정을 수행할 때, 상기 압착패턴(230) 및 반압착패턴(250)의 패턴모서리 부분이 파손되는 문제를 감소시키고 마스크와 수지가 잘 분리되도록 하여 마스크의 오염을 방지한다.
다음으로, 본 발명의 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 대해 보다 상세하게 설명한다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 제1 내지 제3 나노 임프린트 마스크의 제조방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도이다.
도 4a 내지 도 4h를 참조하면, 상기 제1 나노 임프린트 마스크의 제조방법은, (a) 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 블랭크 마스크를 준비하는 단계, (b) 제1 포토레지스트(4)를 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성하는 단계, (c) 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 이용하여 블랭크 마스크를 식각하는 단계, (d) 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 제거하는 단계, (e) 상기 (a) 내지 (d) 단계에 의한 블랭크 마스크의 전면에 제2 포토레지스트(8)를 코팅하는 단계, (f) 상기 제2 포토레지스트(8)를 노광 및 현상하여 제2 포토레지스트(8) 패턴을 형성하는 단계, (g) 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계, 및 (h) 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 제거하여 압착패턴(230)을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
도 5a 내지 도 5i를 참조하면, 상기 제2 나노 임프린트 마스크의 제조방법은, 상기 제1 나노 임프린트 마스크의 제조방법의 상기 (d) 단계 이후에 반압착막(5)을 형성한 후 (e)~(h)단계를 실시한다.
상기 제2 나노 임프린트 마스크의 제조방법은, (a)블랭크 마스크를 준비하는 단계와, (b)상기 제1 포토레지스트(4)를 1차 노광 및 현상하여 제1 포토레지스 트(4) 패턴을 형성하는 단계와, (c)상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계와, (d)상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 제거하는 단계와, (e)상기 (a) 내지 (d) 단계에 의한 블랭크 마스크의 일측 전면에 상기 반압착막(5)을 형성하는 단계와, (f)상기 (a) 내지 (e) 단계에 의한 블랭크 마스크의 일측 전면에 제2 포토레지스트(8)를 코팅하는 단계와, (g)상기 제2 포토레지스트(8)를 2차 노광 및 현상하여 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 형성하는 단계와, (h)상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계, 및 (i)상기 제 2 포토레지스트(8) 패턴을 제거하여 상기 압착패턴(230)을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 제1 및 제2 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 있어서, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴은 상기 수지경화패턴(270)을, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴은 상기 반압착패턴(250)을 각각 형성하기 위한 패턴일 수 있다. 또한, 상기와 반대로 제1 포토레지스트(4) 패턴은 상기 반압착패턴(250)을, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴은 상기 수지경화패턴(270)을 각각 형성하기 위한 패턴일 수도 있다.
아울러, 상기 (h) 단계에서 상기 블랭크 마스크를 더 식각하여 상기 압착패턴(230)의 두께를 조절할 수 있다.
또한, 상기 제1, 제2 포토레지스트(8) 패턴은 상기 블랭크 마스크의 상면에서 서로 다른 위치에 형성하거나, 상기 제1포토레지스트(8) 패턴은 상기 블랭크 마스크의 상면에서 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴이 형성될 위치를 포함한다.
이러한 나노 임프린트 마스크(200)의 제조방법에 따르면, 상기 압착패 턴(230), 반압착패턴(250), 및 수지경화패턴(270)과 의 얼라인 문제가 해결되어 셀프 얼라인 기능을 갖게 된다.
도 6a 내지 도 6f를 참조하면, 상기 제2 나노 임프린트 마스크의 제조방법은, (a) 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 블랭크 마스크를 준비하는 단계, (b) 제1 포토레지스트(4)를 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성하는 단계, (c) 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계, (d) 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 일부만 제거하는 단계, (e) 상기 일부만 제거된 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계, (f) 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 나머지를 제거하여 압착패턴(230)을 형성하는 단계를 포함하여 하여 구성된다.
이때, 상기 (b) 또는 (d) 단계에서 상기 제1 포토레지스트(4)는 두께 방향으로 일부분만 노광한다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 블랭크 마스크, 본 발명의 나노 임프린트 마스크 및 그 제조방법을 조합하여 몇몇 실시예를 설명하기로 한다.
여기서는, 상기 도 3b 및 도3c와 같은 형상의 나노 임프린트 마스크와 그 공정은 거의 같으므로, 상기 도3a와 같은 형상의 나노 임프린트 마스크에 역점을 두고 설명하기로 한다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도이다.
도 7a 내지 도 7h를 참조하면, 먼저 제1 실시예에 따른 나노 임프린트 마스 크는 상기 제3 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제1 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 따라 제조된다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 먼저 상기 제3 블랭크 마스크를 준비한다.
이어서, 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 제3 블랭크 마스크의 제1 포토레지스트(4)를 1차 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 반사방지막(3), 압착막(2), 및 투명기판(1)을 차례로 식각한다.
이어서, 도 7c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 제거한 후, 상기 전 단계에 의한 블랭크 마스크의 일측 전면에 제2 포토레지스트(8)를 코팅한다.
이어서, 도 7d에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8)를 2차 노광 및 현상하여 제2 포토레지스트(8) 패턴을 형성한다.
이어서, 도 7e에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 이용하여 상기 반사방지막(3), 압착막(2), 및 투명기판(1)을 차례로 식각한다.
마지막으로, 도 7g에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 제거하여 상기 압착패턴(230)을 형성한다.
다음으로, 도 8을 참조하면, 제2 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는 상기 제1 실시예와 마찬가지로 제3 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제1 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 따라 제조된다.
도8에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 제조공정은, 상기 도7a 내지 7f에 도시된 바와 같은 공정에 준하며, 상기 도 7g에 도시된 공정은 생략한다.
본 실시예에서 상기 제1 실시예와 상이한 점은, 먼저 상기 제1 블랭크 마스크를 준비하는 단계에서 상기 압착막(2)의 두께를 보다 두껍게 형성한다는 것이다. 또한, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 상기 블랭크 마스크 식각시, 상기 반사방지막(3) 및 압착막(2)을 차례로 식각하고, 상기 투명기판(1)은 식각에서 제외된다.
상기한 바와 같이, 제2 실시예에 따른 나노 임프린트의 제조방법은, 상기 1 실시예와 달리 1회의 투명기판(1) 식각공정만으로 제조 가능하며 상기 압착막(2)이 제거되지 않기 때문에 상기 압착패턴(230)의 검사가 용이한 장점이 있다.
도 9 및 도 10은 제3 및 제4 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도 및 평면도이다.
도 9a 내지 도 9e를 참조하면, 제3 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는 상기 제4 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제1 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 따라 제조된다.
도 9a에 도시된 바와 같이, 먼저 상기 제4 블랭크 마스크를 준비한다.
이어서, 도 9b의 상단에 도시된 바와 같이, 상기 제4 블랭크 마스크의 제1 포토레지스트(4)를 1차 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 반사방지막(3), 압착막(2), 및 반 압착막(5)을 차례로 식각한다.
상기 제1 포토레지스트(4) 패턴에 의한 식각은, 상기 도 9b의 상단에 도시된 바와 같이, 좌측 및 우측에 상기 투명기판(1)만으로 이루어진 수지경화패턴(270)을 형성하게 된다. 상기 좌측 및 우측 수지경화패턴(270)은, 상기 도 9b의 하단에 도시된 바와 같이 각각 소스 및 드레인 패턴(500, 501)에 해당한다.
이어서, 도 9c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 제거한 후, 상기 전 단계에 의한 블랭크 마스크의 일측 전면에 제2 포토레지스트(8)를 코팅한다.
이어서, 도 9d에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8)를 2차 노광 및 현상하여 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 형성하고, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 상기 반사방지막(3) 및 압착막(2)을 차례로 식각한다.
상기 제2 포토레지스트(8) 패턴의 일부 영역은, 상기 도 9d에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 일부 영역과 중복된다. 또한, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴에 의한 식각은, 상기 도 9d의 하단에 도시된 바와 같이, 셀프 얼라인 개구부(503a)를 형성하고, 아울러 상기 반압착패턴(250)을 형성하게 된다. 이때, 상기 중복된 패턴 영역은 상기 식각시 더 이상 식각되지 않아 상기 투명기판(1)만으로 이루어지며, 상기 식각 후 드러난 반압착막(5)은 채널 패턴(502)에 해당한다.
마지막으로, 도 9e에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 제거하여 상기 압착패턴(230)을 형성한다.
상기 제2 포토레지스트(8) 제거는, 상기 도 9e의 상단에 도시된 바와 같이, 좌측단 및 우측단에 상기 반사방지막(3), 압착막(2), 반압착막(5) 및 투명기판(1)만으로 이루어진 상기 압착패턴(230)의 상면이 드러나도록 한다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는, 상기 채널 패턴은 셀프 얼라인되어 얼라인 오차가 크게 줄어 거의 0에 가깝게 된다.
다음으로, 도 10a 내지 도 9f를 참조하면, 제4 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는 상기 제4 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제1 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 따라 제조된다.
도 10a에 도시된 바와 같이, 먼저 상기 제4 블랭크 마스크를 준비한다.
이어서, 도 10b에 도시된 바와 같이, 상기 제4 블랭크 마스크의 제1 포토레지스트(4)를 1차 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 반사방지막(3) 및 압착막(2)을 차례로 식각한다.
상기 제1 포토레지스트(4) 패턴에 의한 식각은, 상기 도 10b에 도시된 바와 같이, 상기 투명기판(1) 상에 적층된 상기 반압착막(5)의 상면이 드러나게 되면서 셀프 얼라인 개구부(503a)를 형성하게 된다.
이어서, 도 10c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 제거한 후, 상기 전 단계에 의한 블랭크 마스크의 일측 전면에 상기 제2 포토레지스트(8)를 코팅한다.
이어서, 도 10d에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8)를 2차 노광 및 현상하여 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 형성한다.
이어서, 도 10e에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 하여 상기 반사방지막(3), 압착막(2), 및 반압착막(5)을 차례로 식각한다.
상기 제2 포토레지스트(8) 패턴의 일부 영역은, 상기 도 10e에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 일부 영역과 중복된다. 또한, 상기 제2 포토레지스트 패턴(8)에 의한 식각은, 상기 도 10e의 상단에 도시된 바와 같이, 상기 좌측 및 우측에 상기 투명기판(1)만으로 이루어진 수지경화패턴(270)을 형성하게 된다. 이때, 상기 좌측 및 우측 수지경화패턴(270)은, 상기 도 10e의 하단에 도시된 바와 같이 각각 소스 및 드레인(500, 501) 패턴에 해당한다.
마지막으로, 도 10f에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 제거하여 상기 압착패턴(230)을 형성한다.
상기 제2 포토레지스트(8) 제거는, 상기 도 10f의 상단에 도시된 바와 같이, 좌측단 및 우측단에 상기 반사방지막(3), 압착막(2), 반압착막(5) 및 투명기판(1)으로 이루어진 상기 압착패턴(230)의 상면이 드러나도록 한다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 제4실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는, 상기 소스,드레인,채널 패턴(500 내지 502)이 셀프 얼라인되어 얼라인 오차가 크게 줄어 거의 0에 가깝게 된다.
도 11은 본 발명의 제5 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도이다.
도 11a 내지 도 11f를 참조하면, 제5 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는 상기 제6 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제1 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 따라 제조된다.
도 11a에 도시된 바와 같이, 먼저 상기 제6 블랭크 마스크를 준비한다.
이어서, 도 11b에 도시된 바와 같이, 상기 제6 블랭크 마스크의 제1 포토레지스트(4)를 1차 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 반사방지막(3), 압착막(2), 식각저지막(6), 및 반압착막(5)을 차례로 식각한다.
이어서, 도 11c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 제거한다.
이어서, 도 11d에 도시된 바와 같이, 상기 전 단계에 의한 블랭크 마스크의 일측 전면에 제2 포토레지스트(8)를 코팅한다.
이어서, 도 11e에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8)를 2차 노광 및 현상하여 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 형성하고, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 상기 반사방지막(3) 및 압착막(2)을 차례로 식각한다.
마지막으로, 도 11f에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 제거하여 상기 압착패턴(230)을 형성한다.
도 12는 제6 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도 및 평면도이다.
도 12a 내지 도 12f를 참조하면, 제6 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는 상기 제1 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제2 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 따라 제조된다.
도 12a에 도시된 바와 같이, 먼저 상기 제1 블랭크 마스크를 준비한다.
이어서, 도 12b에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4)를 1차 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 압착막(2)을 식각한다.
상기 제1 포토레지스트(4) 패턴에 의한 식각은, 상기 도 12b에 도시된 바와 같이, 상기 투명기판(1)의 상면이 드러나게 되면서 셀프 얼라인 개구부(503a)를 형성하게 된다.
이어서, 도 12c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 제거한 후, 상기 전 단계에 의한 블랭크 마스크의 일측 전면에 반압착막(5)을 형성하고, 상기 전 단계에 의한 블랭크 마스크의 일측 전면에 제2 포토레지스트(8)를 코팅한다.
이어서, 도 12d에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8)를 2차 노광 및 현상하여 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 형성한다.
이어서, 도 12e에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 상기 반압착막(5) 및 압착막(2)을 식각한다.
상기 제2 포토레지스트(8) 패턴의 일부 영역은, 상기 도 12e에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 일부 영역과 중복된다. 또한, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴에 의한 식각은, 상기 도 12e의 상단에 도시된 바와 같이, 상기 좌측 및 우측에 상기 투명기판(1)만으로 이루어진 상기 수지경화패턴(270)을 형성하게 된다. 이때, 상기 좌측 및 우측 수지경화패턴(270)은, 상기 도 12e의 하단에 도시된 바와 같이 각각 소스 및 드레인 패턴(500, 501)에 해당한다.
마지막으로, 도 12f에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 포토레지스트(8) 패턴을 제거한다.
상기 제2 포토레지스트(8) 제거는, 상기 도 12f의 상단에 도시된 바와 같이, 좌측단 및 우측단에 상기 반압착막(5), 압착막(2) 및 투명기판(1)으로 이루어진 상기 압착패턴(230)이 드러나도록 한다. 또한 상기 반압착막(5)과 투명기판(`)으로 이루어진 상기 반압착패턴(250)이 드러나도록 한다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 제4실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는, 상기 소스,드레인,채널 패턴(500 내지 502)이 셀프 얼라인되어 얼라인 오차가 크게 줄어 거의 0에 가깝게 된다.
도 13 및 도 14는 제7 및 제 8 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도 및 평면도이다.
도 13a 내지 도 13e를 참조하면, 제7 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는 상기 제4 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제3 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 따라 제조된다.
도 13a에 도시된 바와 같이, 먼저 상기 제4 블랭크 마스크를 준비한 후, 상기 제1 포토레지스트(4)를 1차 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성한다.
이어서, 도 13b에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 상기 반사방지막(3), 압착막(2), 및 반압착막(5)을 식각한다.
상기 제1 포토레지스트(4) 패턴에 의한 식각은, 상기 도 13에 도시된 바와 같이, 좌측 및 우측에 상기 투명기판(1)만으로 이루어진 상기 수지경화패턴(270)을 형성하게 된다.
이어서, 도 13c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 일부만 제거한다.
이어서, 도 13d에 도시된 바와 같이, 상기 일부만 제거된 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 반사방지막(3) 및 압착막(2)을 식각한다.
상기 일부가 제거된 제1 포토레지스트(4) 패턴에 의한 식각은, 상기 도 13d에 도시된 바와 같이, 상기 반압착막(5)의 상면이 드러나도록 하여 상기 반압착패턴(250)을 형성한다.
마지막으로, 도 13e에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 나머지를 제거하여 상기 압착패턴(230)을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
상기 제2 포토레지스트(8) 제거는, 상기 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 반사방지막(3), 압착막(2) 및 반압착막(5)으로 이루어진 상기 압착패턴(230)이 드러나도록 한다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 제4실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는, 상기 소스,드레인,채널 패턴(500 내지 502)이 셀프 얼라인되어 얼라인 오차가 크게 줄어 거의 0에 가깝게 된다.
다음으로, 도 14a 내지 도 14f를 참조하면, 제8 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는 상기 제1 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제3 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 따라 제조된다.
도 14a에 도시된 바와 같이, 먼저 상기 제1 블랭크 마스크를 준비한다.
이어서, 도 14b에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4)를 1차 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성한다.
이어서, 도 14c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 압착막을 식각한다.
이어서, 도 14d에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 일부만 제거한다.
이어서, 도 14e에 도시된 바와 같이, 상기 일부만 제거된 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 압착막(2)을 식각한다.
마지막으로, 도 14f에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 나머지를 제거하여 상기 압착패턴(230)을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
아울러, 상기 제1 내지 제 9 실시예의 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 있어서, 상기 압착패턴(230), 반압착패턴(250), 및 수지경화패턴(270)의 전면에 점착방지막(7)을 형성하는 공정이 추가되기도 한다.
도 15 본 발명의 제 제 8 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도이다.
도 15를 참조하면, 제4 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제1 나노 임프 린트 마스크의 제조방법에 따라 제조한 후, 마지막으로 상기 나노 임프린트 마스크(200)의 패턴 전면에 점착방지막(7)을 형성한다.
상기한 바와 같이, 상기 점착방지막(7)의 형성시 그 재료는 상기 제1 내지 제6 블랭크 마스크 중 어느 한 블랭크 마스크를 선택하여 사용 가능하다. 또한 그 제조 방법은 상기 제1 내지 제 3 나노 임프린트 마스크의 제조방법 중 어느 한 방법을 선택하여 사용가능하다.
다음은 도 16에 도시한 바와 같이 본 발명의 나노 임프린트 마스크에 의한 임프린트 공정에 대해 개략적으로 설명한다.
도 16a에 도시된 바와 같이, 먼저 TFT 기판(30) 위에 열가소성 수지(32)를 도포한다.
이어서, 도 16b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 나노 임프린트 마스크(200)를 사용하여 압착하여, 상기 나노 임프린트 마스크(100)를 가열한 후 냉각하여 열가소성 수지(2)의 패턴을 경화시킨다. 그리고, 상기 나노 임프린트 마스크(200)를 들어 올리면, 상기 TFT 기판 상의 TFT 막(31) 위에 상기 열가소성 수지(32)가 거의 없는 패턴과, 상기 열가소성 수지(32)가 1000nm 두께로 형성된 패턴, 및 상기 열가소성 수지(32)가 300nm 두께로 형성된 패턴이 동시에 형성된다.
이때, 열가소성 수지(32) 대신 광경화성 수지를 도포하고 압착한 다음 두께변조 나노 임프린트 마스크(200) 뒤편에서 자외선을 조사하는 방법으로 상기 광경화성 수지를 경화시키는 방법을 사용하여도 그 결과는 동일하다.
이어서, 도 16c에 도시된 바와 같이, 상기 TFT 막(31)을 건식식각 방법으로 얇은 두께의 열가소성 수지(2)를 제거하여 소스 패턴, 드레인 패턴의 TFT막(31) 표면을 노출시켰다. 그 다음 노출된 상기 TFT막(31)을 식각하여 소스 패턴, 드레인 패턴을 형성한다.
이어서, 도 16d에 도시된 바와 같이, 애슁(Ashing)을 실시하여 상기 반압착패턴(250)에 의해 형성된 얇은 두께의 상기 열가소성 수지(32)를 제거하여 상기 채널 패턴의 TFT 막(31) 표면이 노출되도록 한다.
마지막으로, 도 16e에 도시된 바와 같이, 상기 TFT 막(31)에 채널 패턴을 식각한다.
이로써, 별도의 노광 공정 없이 잔류하는 열가소성 수지(32)를 제거하는 것이 가능하게 된다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
상술한 바와 같이 본 발명의 두께변조 나노 임프린트 마스크용 블랭크 마스크 및 두께변조 나노 임프린트 마스크는 다음과 같은 효과를 제공한다.
첫째, TFT-LCD 제조시 사진공정의 해상도 한계를 극복할 수 있고 동시에 마스크 단축공정이 가능한 두께변조 나노 임프린트 블랭크 마스크와 두께변조 나노 임프린트 마스크 및 그 제조 방법을 제공한다.
둘째, 패턴의 결함 검사가 쉽고 공정이 단순화된 두께변조 나노 임프린트 블랭크 마스크와 두께변조 나노 임프린트 마스크 및 그 제조 방법을 제공한다.
셋째, 투명기판(1)을 식각하지 않음으로 인하여 제조원가가 절감되고 패턴의 결함 검사가 쉬우며 압착패턴(300a)과 반압착패턴(300c)의 두께 제어가 쉬운 두께변조 나노 임프린트 블랭크 마스크와 두께변조 나노 임프린트 마스크 및 그 제조 방법을 제공한다.
넷째, 셀프 얼라인 기능으로 인하여 압착막 패턴 및 수지경화패턴과 반압착패턴의 얼라인이 정밀하고 오차가 작은 두께변조 나노 임프린트 블랭크 마스크와 두께변조 나노 임프린트 마스크 및 그 제조 방법을 제공한다.
다섯째, 셀프 얼라인 기능을 가지며 제조 공정이 단축되어 제조 원가가 절감된 두께변조 나노 임프린트 블랭크 마스크와 두께변조 나노 임프린트 마스크 및 그 제조 방법을 제공한다.
여섯째, 점착방지막(6) 코팅으로 광경화성 수지 또는 열가소성 수지와의 점착이 작음으로 인하여 나노 임프린트 공정시 불량이 적게 발생하는 두께변조 나노 임프린트 블랭크 마스크와 두께변조 나노 임프린트 마스크 및 그 제조 방법을 제공한다.

Claims (36)

  1. 투명기판 상에 압착막, 반압착막/압착막, 압착막/반사방지막, 반압착막/압착막/반사방지막 중에서 선택된 어느 하나에 제1 포토레지스트를 형성한 블랭크 마스크에 있어서,
    상기 투명기판은 평탄도가 0.1 내지 50 μm이고, 열팽창률이 1× 10-7/℃ 내지 1× 10-5/℃인 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 압착막, 반압착막/압착막, 압착막/반사방지막, 반압착막/압착막/반사방지막은 10 내지 50000nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 반압착막, 압착막 또는 반사방지막은 코발트, 탄탈륨, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 바나듐, 팔라듐, 티타늄, 니오븀, 아연, 하프늄, 게르마늄, 알루미늄, 플래티늄(Pt), 망간, 철, 실리콘, 니켈, 카드뮴, 지르코늄, 마그네슘, 리튬, 셀렌, 구리, 이트륨, 황, 인듐, 주석, 인디움틴옥사이드 으로 이루어진 군으로부터 선택된 1~6 종으로 이루어진 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 반압착막, 압착막 또는 반사방지막은 실리콘, 질소, 탄소, 산소 중 적어도 1종 이상 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 압착막 또는 반사방지막은 크롬 또는 크롬 화합물이고, 반압착막은 탄탈륨 또는 탄탈륨 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 압착막 또는 반사방지막은 반압착막과의 습식식각비가 3 이상인 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 압착막 또는 반사방지막은 CAN(Ceric Ammonium Nitrate), NaOH 및 KOH에서 식각되고, 반압착막은 가열된 NaOH 및 KOH에서 식각되는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 투명기판은 진공 또는 대기압 하에서 50℃ 내지 800℃로 가열하는 방법, 진공 중에서 플라즈마에 노출시키는 방법 또는 자외선이나 적외선에 노출시키는 방법 중 어느 한 방법으로 최대 120분 동안 전처리하는 것을 특징으로 하는 블 랭크 마스크.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 투명기판, 반압착막, 압착막 또는 반사방지막의 표면 거칠기는 중심선 평균 조도를 기준으로 0.1nmRMS 내지 50nmRMS인 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 반압착막과 압착막의 반사율 차이는 패턴 검사파장 300nm 내지 700nm에서 5 내지 50%인 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 반사방지막은 상기 압착막과 동일한 식각 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  12. 상기 제 1항에 있어서,
    상기 투명기판과 상기 압착막, 상기 반압착막과 상기 압착막 사이에 식각저지막을 포함하는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 식각저지막은 상기 압착막과의 식각비가 3 이상인 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  14. 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압착막은 동일 두께의 반사방지막으로 대체되는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  15. 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 블랭크 마스크를 리소그래피 공정으로 패턴을 형성한 나노 임프린트 마스크에 있어서,
    상기 패턴은 압착패턴, 반압착패턴 및 수지경화패턴으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 압착패턴, 반압착패턴, 수지경화패턴의 높이가 서로 다른 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 압착패턴 및 반압착패턴의 상면은 측면과 90 내지 140 °의 각을 이루는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크.
  18. 제 15항에 있어서,
    상기 압착패턴과 반압착패턴은 높이가 각각 200nm 내지 20000nm, 50nm 내지 15000nm 인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크.
  19. 제 15항에 있어서,
    상기 압착패턴, 반압착패턴 및 수지 경화 패턴은 전면에 5nm 내지 500nm 두께의 점착방지막을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 점착방지막은 코발트, 탄탈륨, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 바나듐, 팔라듐, 티타늄, 니오븀, 아연, 하프늄, 게르마늄, 알루미늄, 플래티늄, 망간, 철, 실리콘, 니켈, 카드뮴, 지르코늄, 마그네슘, 리튬, 셀렌, 구리, 이트륨, 황, 인듐, 주석, 인디움틴옥사이드으로 이루어진 군으로부터 선택된 1~6 종으로 이루어진 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 점착방지막은 실리콘, 질소, 탄소, 산소 중 적어도 1종 이상 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  22. 제 15항에 있어서,
    상기 압착패턴, 반압착패턴 및 수지경화패턴을 50 내지 1000℃에서 가열하는 방법, 100nm 내지 400nm 파장의 자외선을 조사하는 방법, 600nm 내지 3000nm 파장의 적외선을 조사하는 방법, 또는 0.1nm 내지 1nm 파장의 X-ray를 조사하는 방법 중 어느 한 방법으로 표면처리 하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크.
  23. 제 22항에 있어서,
    상기 표면처리는, 진공 또는 대기압에서 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 불소(F), 염소(Cl) 중 어느 1종 이상과, 아르곤(Ar), 헬륨(He), 네온(Ne), 크세논(Xe), 크립톤(Kr) 중 어느 1종 이상을 포함하여 실시하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크.
  24. (a) 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 블랭크 마스크를 준비하는 단계;
    (b) 제1 포토레지스트를 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    (c) 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 블랭크 마스크를 식각하는 단계;
    (d) 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;
    (e) 상기 (a) 내지 (d) 단계에 의한 블랭크 마스크의 전면에 제2 포토레지스트를 코팅하는 단계;
    (f) 상기 제2 포토레지스트를 노광 및 현상하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    (g) 상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계; 및
    (h) 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하여 압착패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.
  25. 제 24항에 있어서,
    상기 (d) 단계 이후에 반압착막을 형성한 후 (e)~(h) 단계를 실시하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.
  26. 제 24항에 있어서,
    상기 제1 포토레지스트 패턴은 수지경화패턴을, 상기 제2 포토레지스트 패턴은 반압착 패턴을 식각하기 위한 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.
  27. 제 24항에 있어서,
    상기 제1 포토레지스트 패턴은 반압착패턴을, 상기 제2 포토레지스트 패턴은 수지경화패턴을 식각하기 위한 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.
  28. 제 24항에 있어서,
    상기 (h) 단계에서 상기 블랭크 마스크를 더 식각하여 압착패턴의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.
  29. 제 24항에 있어서,
    상기 제1포토레지스트 패턴은 상기 블랭크 마스크의 상면에서 상기 제2 포토레지스트 패턴이 형성될 위치를 포함하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.
  30. 제 24항에 있어서,
    상기 (d) 단계 이후에 반압착막을 형성한 후 (e)~(h)단계를 실시하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.
  31. (a) 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 블랭크 마스크를 준비하는 단계;
    (b) 제1 포토레지스트를 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    (c) 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계;
    (d) 상기 제1 포토레지스트 패턴의 일부만 제거하는 단계;
    (e) 상기 일부만 제거된 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계;
    (f) 상기 제1 포토레지스트 패턴의 나머지를 제거하여 압착패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.
  32. 제 31항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 포토레지스트는,
    산소 플라즈마에 노출시키는 애슁(Ashing) 방법, 노광시킨 후 현상하는 방법, 노광시키지 않고 현상하는 방법, 황산(H2SO4)을 포함하는 용액을 사용하는 방법, 용매(Solvent)를 사용하는 방법 중 어느 한 방법을 사용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.
  33. 제 31항에 있어서,
    상기 (b) 또는 (d) 단계에서 상기 제1 포토레지스트는 두께 방향으로 일부분만 노광하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.
  34. 제 25항 내지 제 29항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (d) 단계 이후에 반압착막을 형성한 후 (e)~(h)단계를 실시하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.
  35. 제 24항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 포토레지스트는,
    산소 플라즈마에 노출시키는 애슁(Ashing) 방법, 노광시킨 후 현상하는 방법, 노광시키지 않고 현상하는 방법, 황산(H2SO4)을 포함하는 용액을 사용하는 방법, 용매(Solvent)를 사용하는 방법 중 어느 한 방법을 사용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.
  36. 제 25항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 포토레지스트는,
    산소 플라즈마에 노출시키는 애슁(Ashing) 방법, 노광시킨 후 현상하는 방법, 노광시키지 않고 현상하는 방법, 황산(H2SO4)을 포함하는 용액을 사용하는 방법, 용매(Solvent)를 사용하는 방법 중 어느 한 방법을 사용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002114537A (ja) * 2000-10-04 2002-04-16 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラス基板熱処理用セッター
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002114537A (ja) * 2000-10-04 2002-04-16 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラス基板熱処理用セッター
KR20070027466A (ko) * 2005-09-06 2007-03-09 캐논 가부시끼가이샤 몰드, 임프린트 방법 및 칩의 제조방법

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