KR100871582B1 - Ａｃ 필드들을 이용한, 나노미터-스케일 성분들의 선택적정렬 - Google Patents

Ａｃ 필드들을 이용한, 나노미터-스케일 성분들의 선택적정렬 Download PDF

Info

Publication number
KR100871582B1
KR100871582B1 KR1020047016424A KR20047016424A KR100871582B1 KR 100871582 B1 KR100871582 B1 KR 100871582B1 KR 1020047016424 A KR1020047016424 A KR 1020047016424A KR 20047016424 A KR20047016424 A KR 20047016424A KR 100871582 B1 KR100871582 B1 KR 100871582B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nanometer
electrodes
scale components
providing
scale
Prior art date
Application number
KR1020047016424A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040111513A (ko
Inventor
에이. 나가하라래리
암래니이스라매사
챨리스 리웬스테인저스틴
Original Assignee
모토로라 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 모토로라 인코포레이티드 filed Critical 모토로라 인코포레이티드
Publication of KR20040111513A publication Critical patent/KR20040111513A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100871582B1 publication Critical patent/KR100871582B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
    • B03C—MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
    • B03C5/00—Separating dispersed particles from liquids by electrostatic effect
    • B03C5/02—Separators
    • B03C5/022—Non-uniform field separators
    • B03C5/026—Non-uniform field separators using open-gradient differential dielectric separation, i.e. using electrodes of special shapes for non-uniform field creation, e.g. Fluid Integrated Circuit [FIC]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D13/00—Electrophoretic coating characterised by the process
    • C25D13/18—Electrophoretic coating characterised by the process using modulated, pulsed, or reversing current
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C30B29/605—Products containing multiple oriented crystallites, e.g. columnar crystallites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Saccharide Compounds (AREA)

Abstract

AC 필드들을 이용하여 나노미터-스케일 성분들(22)을 선택적으로 정렬 및 위치시키는 개선되고 신규한 방법이 제공된다. 본 방법은 나노미터-스케일 성분들을 포함하는 환경에서 전계를 생성하기 위해 단일 전극(12)에서 또는 복수의 전극들(12,14) 사이에서 교류 전류(AC) 필드를 제공하는(60) 단계들을 포함하는 테스트 전극들을 브리지하는데 있어 나노미터-스케일 성분들의 보다 정교한 조작을 제공한다. 나노미터-스케일 성분들을 요구된 위치로 정렬 또는 위치시키기 위해 전계가 제공된다.
전자 빔 리소그래피, 나노미터-스케일 성분, 브리지, 유전전기영동력.

Description

ＡＣ 필드들을 이용한, 나노미터-스케일 성분들의 선택적 정렬{SELECTIVELY ALIGNING NANOMETER-SCALE COMPONENTS USING AC FIELDS}
본 발명은 전자 분자들의 이송 측정들(transport measurements)을 용이하게 하기 위한 어셈블리 기술에 관한 것으로, 특히 교류 전류(AC) 전계들을 이용하여 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키고 어셈블리하는 방법에 관한 것이다.
분자 전자공학은 빠르게 성장하고 있는 분야이며, Si 기술이 접근하고 있는 소형화 제한을 해소하기 위한 수단을 제공하고 있다. 고유한 기능성을 갖는 분자들 및 나노미터-스케일 성분들은 분자 전자공학들을 위한 가능한 후보들로서 고려된다. 분자 전자공학이 당면한 도전들 중에 하나는 분자들의 정보/기능성을 "외부" 세계에 전달하는 것이다. 이를 달성하기 위해, 분자들과 같은 나노미터-스케일 성분들을 금속 전극들에 선택적으로 배치시키고 "배선(wire)"하도록 간단하고 튼튼한 처리가 개발될 필요가 있다. 테스트될 후보 분자들을 "짜맞추고(hook-up)", 후보 분자들의 기능성을 판정하기 위한 빠른 스크리닝 방법(screening method)이 또한 분자 전자공학에 대해 중요한 스텝으로서 고려된다.
분자 전자공학의 실행가능성(feasibility)에 접근하는 것은 나노-스케일 성분들의 잠재적인 응용들을 위해 아주 많은 나노-스케일 성분들의 스크리닝을 필요로 한다. 주요한 도전은 분자들의 이송 특성들을 판정하기 위해 분자들을 전기적으로 접촉하게 하는 것이다. 예를 들면, 분자 시스템들의 통상적인 치수들은 전자 빔 리소그래피(electron beam lithography)의 해상도 제한들보다 훨씬 아래에 있다. 비록 다양한 제조 접근법들이 제안되어 왔지만, 작은 수의 분자들을 측정하는 빠르고 단순한 방법들은 여전히 도전으로 남아 있다.
분자 전자기술에 있어서 이송 측정들을 위한 접근법들 중 하나는 단독으로 행동하는 나노입자로, 제어된 경로내의 전극들을 브리지(bridge)하도록 하는 정전기적 트래핑(electrostatic trapping)을 이용한다. 정전기적 트래핑에서, 나노입자들은 인가된 직류 전류(DC) 전계에 의해 분극화되고, 상기 전계가 최소인 전극들 사이의 갭(gap)쪽으로 끌어당겨진다. 예를 들면, 한가지 접근법은 DNA, 탄소 나노튜브들, 또는 다른 나노입자들을 전극들의 쌍 쪽으로 끌어당기도록 DC 바이어스의 사용을 개시한다. 인가된 전계와 같은 DC 바이어스의 사용은 원하지 않은 오염물들을 포함하는 충전된 분자들을 끌어당겨, 전극들을 브리지하고 그 결과 전극들에 대한 비-특정 선택성(non-specific selectivity)을 야기한다.
따라서, 본 발명의 목적은, DC 필드들로 이미 달성된 것에 비하여, 단일의 전극 상에, 또는 복수의 전극들 사이에 나노미터-스케일 성분들을 배치하는데 있어 보다 큰 제어 및 보다 큰 선택성을 달성하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 테스트 전극들을 브리지하는데 있어 나노미터-스케일의 보다 정확한 조작을 제공하는 AC 필드들을 이용하여 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키기 위한 방법을 제공하는 것이다.
발명의 개요
이러한 필요성들은, AC 필드들을 이용하여 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키기 위한 방법을 제공함으로써 실질적으로 만족된다. 본 방법은 나노미터-스케일 성분들을 포함하는 환경에서 전계를 생성하기 위해 적어도 하나의 전극에 교류 전류(AC) 필드를 제공하는 단계들을 포함하는 테스트 전극들을 브리지하는데 있어 나노미터-스케일 성분들의 보다 정교한 조작을 제공한다. 그러므로, 전계는 나노미터-스케일 성분들을 요구된 위치로 끌어당긴다.
본 발명의 이전 및 이후의 보다 많은 목적들 및 이점들은 도면들과 관련하여 취해진 바람직한 실시예의 상세한 설명으로부터 기술분야의 당업자에게는 명백해 질 것이다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 나노미터-스케일 성분을 선택적으로 정렬 및 위치시키는 방법의 단계들을 보여주는 단순화된 단면도.
도 3은 본 발명의 선택적 정렬 방법에 따른 나노미터-스케일 성분의 선택적 정렬을 보여주는 단순화된 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 복수의 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키는 대안의 방법을 보여주는 단순화된 단면도.
도 5는 본 발명에 따라 두 개의 전극들을 사용한 솔루션(solution)(또는 환경)에서 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키는 대안의 방법을 보여주는 단순화된 단면도.
도 6은 본 발명에 따라 단일 전극을 사용한 솔루션에서 선택적으로 정렬 및 위치시키는 대안의 방법을 보여주는 단순화된 단면도.
도 7은 본 발명에 따라 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키는 방법의 단계들을 보여주는 단순화된 흐름도.
전자 나노미터-스케일 성분들의 선택적인 정렬 및 이송 측정들을 용이하게 하기 위해 교류 전류(AC) 전계를 사용하는 분자 어셈블리 기술이 개시된다. 설명을 위해, 용어 나노미터-스케일 성분들은 나노입자들(nanoparticles), 나노튜브들(nanotubes), 나노배선들(nanowires), 나노로드들(nanorods), 합성 폴리머들(synthetic polymers), 합성 분자들(synthetic molecules), 및 DNA 분자들 및 단백질 등을 포함하는 바이오분자들(biomolecules)을 포함하도록 의도된다. 진폭 및 주파수의 적절한 선택과 함께, AC 바이어스의 사용은 탄소 나노튜브들과 유기 및 무기 오염물들을 포함하는 솔루션과 같은, 솔루션에서 다른 오염물 종류들에 대해 요구된 나노미터-스케일 성분들의 배치를 극적으로 개선한다.
이하, 간단화된 단면도로 도시된 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 나노미터-스케일 성분들의 선택적 정렬을 위해 사용되는 어셈블리된 구조와, 선택적 정렬을 제공하기 위한 상기 구조를 이용하는 방법이 도시된다. 더 상세히는, 도시된 도 1은 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키는 방법의 제 1 단계이며, 여기에서 제공되는 것은 (현재 논의되는) 두 개 이상의 전극들을 포함하는 분자 어셈블리(10)이다. 이 특정 실시예의 어셈블리(10)는 절연 재료(18)로 코팅된 반도체 재료(16)를 포함하는 기판(17)을 포함한다. 기판(17)이 절연 특성들을 제공하는 임의의 글래스 플라스틱 세라믹(glass plastic ceramic) 또는 임의의 유전체 재료와 같은, 단일 층의 절연 재료로서 형성되는 대안의 실시예가 본 명세서에 의해 예상된다는 것을 이해해야 한다. 절연 재료의 기판(17)을 형성함으로써, 도 1의 층(18)과 같은, 반도체 층 또는 도전층의 상부에 형성된 개별 절연층에 대한 필요성이 제거된다.
도 1 및 도 2에 도시된 실시예에서, 반도체 재료(16)는 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs), 게르마늄(Ga), 실리콘 카바이드(SiC), 인듐 아세나이드(InAs) 등과 같은, 기술분야에 공지된 임의의 반도체 재료를 포함하는 것으로 개시된다. 절연 재료(18)는 실리콘 다이옥사이드(SiO2), 실리콘 나이트라이드(SiN) 등과 같은 절연 특성들을 제공하는 임의의 물질을 포함하는 것으로 개시된다. 반도체 재료(16)와 절연 재료(18)는 함께 도 1 및 도 2에 도시된 것과 같은 기판(17)을 형성한다. 이 특정 실시예에서, 어셈블리(10)는 절연 재료(18)의 최상부 표면에 형성된 제 1 전극(12) 및 제 2 전극(14)을 포함한다. 금속 전극들(12,14)의 제조는 산화된 실리콘 기판(17) 상에 포토리소그래피와 전자 빔 리소그래피를 조합 사용함으로써 실행된다. 전극들(12,14)의 미세 형태들은 표준 리프트오프(standard liftoff) 기술을 사용하여 표준 PMMA 저항 처리(resist process)에 의해 패터닝된다. 전극들(12,14)은 그것들 사이에 갭(20)을 정의하고 AC 전계의 인가(도 2에 도시됨)를 제공하도록 형성된다.
동작 동안, 도 2에 도시된 바와 같이, AC 필드가 전극들(12,14) 사이에 인가되어, 필드 및/또는 필드 기울기(field gradient)가 가장 강한 갭(20) 쪽으로 물 상태 환경(aqueous environment:23) 내에서 부유된 나노미터-스케일 성분(22)의 이동을 일으킨다. 나노미터-스케일 성분들이 포함되는 물 상태 또는 가스 상태와 같은, 임의의 환경의 사용이 본 발명에 의해 예상된다는 것을 이해해야 한다. 더 특별히는, 도 2는 전극들(12,14) 사이에 트랩된(trapped) 80nm Au 나노입자(22)를 도시한다. 이러한 접촉 저항은 일반적으로 1 내지 3kΩ사이에서 변한다. 이것은 나노입자(22)가 갭(20)보다 큰 경우를 나타낸다. 나노입자(22)가 갭(20)을 브리지하자마자, 갭(20)의 전계는 부가적인 입자들의 축적을 방지하도록 감소한다.
AC 필드를 인가하여, 나노입자(22)를 트랩하기 직전에, 기판(17)은 자외선(UV) 오존(ozone)에 30분 동안 세정되고, 이어서 산화된 Au를 제거하기 위해 20분간 에탄올에 담겨진다. 나노입자 어셈블리는 프로브 스테이션(probe station) 상에서 실행된다. 워터(water)에서 상업적으로 이용가능한 Au 콜라이드의 드롭(drop)(~ 5 μL)이 기판 상에 투여되고, 1MHz 내지 10 MHz의 범위에 걸치는 AC 바이어스(24)(0.5 ~ 2.5V, 피크 대 피크)가 기능 발생기(function generator)를 사용하여 전극들(12,14)에 인가된다. AC 바이어스의 진폭, 주파수, 및 트래핑 시간(trapping time)은 나노미터-스케일 성분들의 성질 및 농도에 의존하여 그리고 나노미터-스케일 성분들이 포함되는 유전체 환경에 의존하여 변할 수 있다는 것을 이해해야 한다. 이 특정 예에서의 트래핑 시간은 통상 5와 30초 사이이다. 원리적으로, 나노입자들이 갭에 트랩하도록 직류 전류(DC) 필드를 사용할 수 있지만, 이러한 DC 필드는 AC 필드에 비하여 훨씬 낮은 성공률(success rate)을 야기하므로, 여기에서 선택되는 필드가 아니다. AC 필드의 영향하에서, 나노입자(들)(22)는 그들을 갭(20)에서 발견된 최대 필드 기울기의 방향으로 당기는 유전전기영동력(dielectrophoretic force)을 경험한다. 이 기술을 사용하여, 통상적으로 크기가 40 내지 100nm 범위에 있는 나노입자(22) 또는 복수의 나노입자들은 대략 100%의 수율(yield)로 갭(20)에 트랩된다. 나노입자가 트랩한 후, 어셈블리(10)는 1분 동안 고순도 이온제거된 워터(deionized water)(18MΩcm)를 갖는 비커(beaker)에 놓이고, 그후에 건조되도록 회전된다. 어셈블리(10)를 린스(rinse)하는 목적은 초과 솔루션 및 나노미터-스케일 성분들을 제거하기 위한 것이다.
이하, 도 3을 참조하면, 10'으로 참조된 디바이스인, 임의의 셀프-어셈블리된 단층(self-assembled monolayer: SAM)을 포함하는, 도 1 및 도 2의 디바이스(10)의 대안의 실시예가 도시되어 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 성분들과 유사한 도 3의 모든 성분들은 서로 다른 실시예를 나타내도록 부가된 프라임(prime)을 가 지며 유사한 번호들로 지정되어 있다는 것을 유의해야 한다. 또한, SAM 층이 여기에서 설명되는 동안, 테스트 분자를 표면에 부착시키는 수단을 포함하는 임의의 처리가 본 명세서에 의해 예상된다는 것을 이해해야 한다.
디바이스(10')는 임의의 셀프-어셈브리된 단층(SAM)(15)을 포함한다. 단층(15)은 흥미있는 테스트 나노미터-스케일 성분, 보다 상세하게는, 미리 패터닝된 전극들(12',14') 사이에 형성된 갭(20')을 포함하는 미리 패터닝된 전극들(12',14')의 쌍 상에 분자(19)로 형성된다. 이 특정한 실시예에서, SAM(15)을 포함하는 분자들(19)은 동일한 분자 타입의 전극(12',14') 상에 형성되며, 전극(12')의 상부에 SAM(15)을 형성하는 분자들(19)이 전극(14')의 상부에 SAM(15)을 형성하는 분자들과 같은 타입인 것을 의미한다. 대안으로는, SAM을 포함하는 분자들은 전극들 상에 다른 분자 타입들로 형성될 수 있으며, 하나의 전극의 상부 상에 SAM을 형성하는 분자들을 의미하며, 다른 전극의 상부 상에 SAM을 형성하는 분자들과는 다르다. 부가적으로, 임의의 SAM(15)이 단일 전극 상에 형성될 수 있다는 것이 예상된다.
이 특정한 실시예에서, 전자 빔 리소그래피가 골드 전극들(gold electrodes)(12',14') 사이에 갭(20')을 정의하는 골드 전극들(12',14')을 제조하기 위해 사용된다. 본딩 패드들(bonding pads)(도시되지 않음)을 포함하는 보다 큰 형태들의 전극들(12',14')은 본딩을 용이하게 하도록 비교적 두꺼운 Au 층을 형성하기 위해 포토리소그래피를 이용하여 정의된다. SAM(15)을 포함하는 분자들(19)은 골드(Au)에 대해 높은 친화력을 갖는 것으로 알려진 시올(thiol) 접미어들(terminations)을 가지며, 그러므로, 골드(Au)의 얇은 층(20nm)은 전극들(12',14')의 미세 형태들을 위해 사용된다. 도 3에 도시된 이러한 특정 실시예에서, 티타늄(titanium: Ti) 응착층의 사용은 Au 전극-나노입자 접촉에 대한 모호함(ambiguity)을 방지하기 위해서 금속 증착(metal evaporation) 동안 의도적으로 회피된다. 원리적으로, 금속의 선택 및 다양한 금속 응착층들의 포함은 분자를 전극들(12,'14')에 속박하는 분자의 부착 절반(attachment moiety)에 의존한다. 셀프-어셈블리된 단층(SAM)의 대안의 실시예가 본 명세서에 의해 예상되며, 여기에서 SAM은 전극을 브리지하기 전에 나노미터-스케일 성분 상에 직접 형성된다. 나노미터-스케일 성분들의 표면 상에 직접적으로 SAM을 제조하는 것은 도 3에 도시된 바와 같이 SAM(15)의 형성에 대한 필요성을 제거한다.
도 3에 도시된 바와 같이, AC 전계(24)의 인가는, 이 특정 실시예에서 금속성 나노입자(22')로써 예시되는 나노미터-스케일 성분을 전극들(12',14') 사이에 형성된 갭(20')의 브리징(bridging)에 제공한다. 도 1 및 도 2에 대해 설명된 실시예와 유사하게, 이러한 접근법은 전자 나노미터-스케일 성분들의 직접적인 측정을 위해 통상적으로 요구되는 극히 협소한 갭들(1-2nm)을 제조하기 위한 필요성을 경감시킨다. 설명된 바와 같은, 처리는 나노입자들을 통해 직렬로 접속된 분자들의 두 개의 분리된 어레이들을 야기한다.
제조 동안, SAM(15) 형성 전에, 기판(17')은 우선, 앞에서 설명된 바와 같이 UV 오존 처리 및 에탄올 담금(ethanol soak)을 이용하여 세정되고, 바로 이어서 글로브 박스(glove box)로 이송된다. Au 전극들(12',14')에 대한 테스트 분자의 셀프-어셈블리는 피라냐 솔루션(piranha solution)(3:1 H2SO4:H2O2)에 의해 세정된 글래스 밀봉 병(glass sealing vial)에서 수행된다. 새롭게 증류된 테트라하이드로퓨랜(tetrahydrofuran: THF)의 10mL 내의 테스트 나노미터-스케일 성분의 1.0mM 솔루션이 시올(thiol)의 디프로텍션(deprotection)을 촉진하도록 Ar 살포된 암모늄 하이드록사이드(ammonium hydroxide)의 10μL로 처리된다. 어셈블리(10')가 상기 솔루션에 배치되고, 18-24 시간 동안 상온에서 SMA(15)의 형성이 진행된다. 다음으로, 어셈블리(10')는 글로브 박스의 밖으로 이송되고, Au 콜로이드들(22')의 AC 트래핑 및 후속 전기 측정들을 위해 즉시 사용된다. 마지막으로, 어셈블리(10')는 글로브 박스 밖으로 이송되며, Au 콜로이드(22')를 AC 트랩하고 후속하는 전기적인 측정들에 즉시 사용된다.
또 다른 예에서, 도 4에 도시된 바와 같이, 2 이상의 나노입자들(22')이 브리징 갭(20")에서 자주 발견된다. 도 1 내지 도 3에 도시된 성분들과 유사한 도 4의 모든 성분들이 유사한 번호들로 지정되며 서로 다른 실시예를 나타내도록 부가된 더블 프라임을 갖는다는 것에 유의해야 한다. 이러한 타입의 Au 전극 나노입자 어셈블리(10")의 저항은 통상적으로 100kΩ내지 수백MΩ사이에서 변한다. 나노입자가 형성된 갭(20")보다 작은 크기를 가질 때, 많은 나노입자들(22")은 갭 영역(20")에 모인다.
이하, 간단화된 단면도로 도시된 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키는 또 다른 방법이 도시된다. 더 상세히는, 도 5에는, 복수의 나노미터-스케일 성분들(36)을 포함한 솔루션(34)을 보유하는 콘테이너(32)에 담겨진 어셈블리(30)가 도시된다. 어셈블리(30)는 제 1 전극(40) 및 제 2 전극(42)을 자신의 일부로서 형성하는 프로브들(38)을 포함한다. 프로브들(38)은 AC 필드(44)를 제공하기 위한 수단과 전기적으로 통한다. 동작 동안, AC 바이어스(44)를 전달하기 위한 수단은 전극들(40,42)에 전계를 전달한다. 다시, AC 바이어스(44)의 진폭, 주파수 및 트래핑 시간은, 나노미터-스케일 성분들(36)의 성질 및 농도와 나노미터-스케일 성분들(36)이 포함되는 유전체 환경에 의존하여 변할 수 있다는 것을 이해해야 한다. AC 필드(44)의 영향하에서, 나노입자(들)(36)는 전극들(40,42) 사이에 형성된 갭(46)에서 발견되는 최대 필드 세기의 방향으로 자신들을 당기는 유전전기영동력을 경험한다.
이하, 간단화된 단면도로 도시된 도 6을 참조하면, 복수의 나노미터-스케일 성분들(36')을 포함하는 솔루션을 보유하는 콘테이너(32')에 담겨진 단일 프로브 어셈블리(30')가 도시된 본 발명에 따른 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키는 또 다른 방법이 도시되어 있다. 도 1 내지 도 3에 도시된 성분들과 유사한 도 6의 모든 성분들은 유사한 번호들로 지정되며, 서로 다른 실시예를 나타내는 부가된 프라임을 갖는 다는 것에 유의해야 한다. 어셈블리(30')는 일반적으로 도 1 및 도 2의 전극들과 유사한 것으로 형성된 단일 전극(40')을 형성하는 단일 프로브(38')를 포함한다. 프로브(38')는 AC 필드(44')를 제공하기 위한 수단과 전기적으로 통한다. 동작 동안, AC 바이어스(44')를 전달하기 위한 수단은 전극들(40')에 전계를 전달한다. 다시, AC 바이어스(44')의 진폭, 주파수 및 트래핑 시간은, 나노미터-스케일 성분들(36')의 성질 및 농도와 나노미터-스케일 성분들(36')이 포함되는 유전체 환경에 의존하여 변할 수 잇다는 것을 이해해야 한다. AC 필드(44')의 영향하에서, 나노입자(들)(36')는 프로브(38'), 보다 특별하게는 전극(40')의 방향으로 자신들을 당기는 유전전기영동력을 경험한다. 이 기술을 이용하여, 나노입자(36') 또는 복수의 나노입자들이 프로브(38') 상에 형성된다.
이하, 간단화된 흐름도로 도시된 도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 나노미터-스케일 성분들(50)을 선택적으로 정렬 및 위치시키는 방법에서의 단계들이 도시되어 있다. 초기에, 기판 재료가 제공되고(52), 필요하다면 표면을 갖는 절연 재료로 코딩된다(54). 다음으로, 일반적으로 도 1 내지 도 6에 설명된 전극들과 유사한 적어도 하나의 전극이 표준 실리콘 처리 기술을 이용하여 기판 상에 형성된다(56). 전극들을 형성하는 단계(56)는, 앞서 설명된 바와 같이, 적어도 두 개의 전극들이 형성될 때 전극들 사이에 갭의 형성을 포함할 수 있다. 선택적 정렬 처리 동안, 적어도 하나의 전극이 나노미터-스케일 성분들을 포함하는 환경과 접촉하여 위치된다(58). AC 필드가 적어도 하나의 전극에 인가되어, 솔루션 내에 포함된 나노미터-스케일 성분들이 적어도 하나의 전극을 축적시키게 하거나, 또는 2 이상의 전극들 사이에 형성된 갭을 브리지하게 한다(60). 이송 측정이 그후에 행해진다.
결국, 우리는 본 명세서에서 전자 나노미터-스케일 성분들의 이송 측정들을 허용하는 어셈블리 기술을 제공한다. 앞의 액티브 배치 방법들이 보고되었으며, 이는 두 개의 전극들 사이에 나노미터-스케일 성분들을 트랩하기 위해 DC 바이어스를 인가하는 것을 포함한다. 일정한 DC 바이어스가 인가되므로, 전기삼투력들(electroosmotic forces)로 인해 확산하는 종류들(species)뿐만 아니라 적절한 고유 전하(inherent charge)를 갖는 임의 종류들이 전극들에 부착된다. 많은 예들에 서, 흥미있는 종류들은 적당한 농도에서 쉽게 정제되거나 얻어지지 않을 수 있다. 본 명세서에는, 비교적 단순하고, 나노미터-스케일 성분들의 AC 트래핑을 사용하는 신규한 접근법이 개시되었다. 이러한 처리는 나노미터-스케일 성분들을 정렬 및 위치시킬 수 있다. 진폭 및 주파수를 적절히 선택하므로, AC 바이어스의 사용은 솔루션에서 다른 오염물 종류들에 대한 요구된 나노미터-스케일 성분들의 배치를 극적으로 개선한다. 그러므로, 이 기술은 잠재적으로 다양한 전자 나노미터-스케일 성분들을 특징지우는 빠르고 용이한 방법을 가능하게 한다.
본 발명에 따른 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키는 방법에서의 특정 단계들을 도시하고 설명하였지만, 기술분야의 당업자들에게는 그러한 처리에 대한 또 다른 변형들 및 개선들이 가능할 것이다. 그러므로, 본 발명은 도시된 특정 단계들에 제한되지 않으며, 첨부된 청구의 범위는 본 발명의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않는 모든 변형들을 포괄하도록 의도된다는 것을 이해해야 한다.

Claims (15)

  1. 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키기 위한 방법에 있어서:
    기판 재료를 제공하는 단계;
    상기 기판 재료의 최상부 표면 상에 2 이상의 전극들을 패터닝하는 단계로서, 상기 2 이상의 전극들 사이에는 갭이 형성되는, 상기 패터닝 단계;
    상기 2 이상의 전극들과 접촉하는 환경을 제공하는 단계로서, 상기 환경은 40 내지 100 나노미터 사이의 크기를 갖는 나노미터-스케일 성분들을 포함하는, 상기 접촉 환경 제공 단계; 및
    상기 2 이상의 전극들 사이에 교류 전류(AC) 필드를 제공하여, 상기 2 이상의 전극들 사이에 형성된 상기 갭에서 상기 나노미터-스케일 성분들을 트랩(trap)하는 단계를 포함하는, 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판을 제공하는 단계는 반도체 재료로 형성된 평평한 기판을 제공하는 단계를 포함하는, 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키기 위한 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 기판 재료의 최상부 표면 상에 2 이상의 전극들을 패터닝하는 단계는 리소그래피 기술들을 이용하여 패터닝하는 단계를 포함하는, 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키기 위한 방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 테스트 나노미터-스케일 성분의 셀프-어셈블리된 단층(self-assembled monolayer: SAM)을, 상기 2 이상의 전극들 중 적어도 하나의 최상위 표면 상에 제조하는 단계를 더 포함하는, 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키기 위한 방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키기 위한 방법에 있어서:
    반도체 재료를 제공하는 단계;
    상기 반도체 재료의 최상부 표면 상에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층의 최상부 표면 상에 2 이상의 전극들을 패터닝하는 단계로서, 상기 2 이상의 전극들 사이에는 갭이 형성되는, 상기 패터닝 단계;
    테스트 분자의 셀프-어셈블리된 단층(SAM)을, 상기 2 이상의 전극들 중 적어도 하나의 최상부 표면 상에 형성하는 단계;
    상기 2 이상의 전극들과 접촉하는 환경을 제공하는 단계로서, 상기 환경은 40 내지 100 나노미터 사이의 크기를 갖는 나노미터-스케일 성분들을 포함하는, 상기 접촉 환경 제공 단계; 및
    전계를 생성하기 위해 상기 2 이상의 전극들 사이에 교류 전류(AC) 필드를 제공하여, 상기 2 이상의 전극들 사이에 형성된 상기 갭에서 상기 테스트 나노미터-스케일 성분과 매칭하는 적어도 하나의 나노미터-스케일 성분을 트랩하는 단계를 포함하는, 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키기 위한 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 반도체 재료를 제공하는 단계는 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs), 게르마늄(Ga), 실리콘 카바이드(SiC), 인듐 아세나이드(InAs) 중 하나로 형성된 반도체 재료를 제공하는 단계를 포함하는, 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키기 위한 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 반도체 재료의 최상부 표면 상에 절연층을 형성하는 단계는 실리콘 다이옥사이드(SiO2)와 실리콘 나이트라이드(SiN) 중 적어도 하나로 이루어진 절연층을 형성하는 단계를 포함하는, 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키기 위한 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 2 이상의 전극들을 패터닝하는 단계는 리소그래피 기술들을 이용하여 패터닝하는 단계를 포함하는, 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키기 위한 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 테스트 분자의 셀프-어셈블리된 단층(SAM)을 형성하는 단계는 상기 환경 내에 포함된 나노미터-스케일 성분 상에 SAM을 형성하는 단계를 포함하는, 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키기 위한 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 2 이상의 전극들과 접촉하는 나노미터-스케일 성분들을 포함하는 환경을 제공하는 단계는 콜로이드 금속 나노미터-스케일 성분들(colloidal metal nanometer-scale components)을 함유하는 환경을 제공하는 단계를 포함하는, 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키기 위한 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 전계를 생성하기 위해 상기 2 이상의 전극들 사이에 교류 전류(AC)를 제공하여, 상기 2 이상의 전극들 사이에 형성된 상기 갭에서 상기 테스트 나노미터-스케일 성분과 매칭하는 적어도 하나의 나노미터-스케일 성분을 트랩하는 단계는, 상기 갭을 브리지(bridge)하도록 복수의 나노미터-스케일 성분들을 트랩하는 단계를 포함하는, 나노미터-스케일 성분들을 선택적으로 정렬 및 위치시키기 위한 방법.
KR1020047016424A 2002-04-16 2003-04-02 Ａｃ 필드들을 이용한, 나노미터-스케일 성분들의 선택적정렬 KR100871582B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/123,740 2002-04-16
US10/123,740 US6879143B2 (en) 2002-04-16 2002-04-16 Method of selectively aligning and positioning nanometer-scale components using AC fields
PCT/US2003/010368 WO2003089690A1 (en) 2002-04-16 2003-04-02 Selectively aligning nanometer-scale components using ac fields

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040111513A KR20040111513A (ko) 2004-12-31
KR100871582B1 true KR100871582B1 (ko) 2008-12-02

Family

ID=28790803

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020047016424A KR100871582B1 (ko) 2002-04-16 2003-04-02 Ａｃ 필드들을 이용한, 나노미터-스케일 성분들의 선택적정렬

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6879143B2 (ko)
EP (1) EP1495163B1 (ko)
JP (1) JP2005523386A (ko)
KR (1) KR100871582B1 (ko)
CN (1) CN100381616C (ko)
AT (1) ATE411414T1 (ko)
AU (1) AU2003221802A1 (ko)
DE (1) DE60324126D1 (ko)
WO (1) WO2003089690A1 (ko)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7662265B2 (en) * 2000-10-20 2010-02-16 Massachusetts Institute Of Technology Electrophoretic assembly of electrochemical devices
US7455757B2 (en) * 2001-11-30 2008-11-25 The University Of North Carolina At Chapel Hill Deposition method for nanostructure materials
US7252749B2 (en) * 2001-11-30 2007-08-07 The University Of North Carolina At Chapel Hill Deposition method for nanostructure materials
EP1496012A4 (en) * 2002-03-08 2008-06-18 Nat Inst Inf & Comm Tech DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A CONDUCTIVE NANOTHANE
US7381316B1 (en) * 2002-04-30 2008-06-03 Northwestern University Methods and related systems for carbon nanotube deposition
CA2584508A1 (en) * 2002-05-09 2003-11-09 Institut National De La Recherche Scientifique Method for producing single-wall carbon nanotubes
US7082683B2 (en) * 2003-04-24 2006-08-01 Korea Institute Of Machinery & Materials Method for attaching rod-shaped nano structure to probe holder
US7785922B2 (en) 2004-04-30 2010-08-31 Nanosys, Inc. Methods for oriented growth of nanowires on patterned substrates
US20070014148A1 (en) * 2004-05-10 2007-01-18 The University Of North Carolina At Chapel Hill Methods and systems for attaching a magnetic nanowire to an object and apparatuses formed therefrom
US20070178658A1 (en) * 2004-06-21 2007-08-02 Kelley Tommie W Patterning and aligning semiconducting nanoparticles
CN1311231C (zh) * 2004-07-19 2007-04-18 中国科学院物理研究所 一种安装和操纵单个线形纳米材料的装置
US20080044775A1 (en) * 2004-11-12 2008-02-21 Seung-Hun Hong Method for Aligning or Assembling Nano-Structure on Solid Surface
KR100736361B1 (ko) 2004-11-12 2007-07-06 재단법인서울대학교산학협력재단 미끄러운 분자막을 이용하여 고체표면에 나노구조를 위치 및 정렬시키는 방법, 및 그 응용
US20080193678A1 (en) * 2005-07-15 2008-08-14 Korea Institute Of Machinery & Materials Attaching Method of Nano Materials Using Langmuir-Blodgett
US20070246364A1 (en) * 2005-08-26 2007-10-25 Amlani Islamshah S Selectively placing catalytic nanoparticles of selected size for nanotube and nanowire growth
CA2624778A1 (en) * 2005-12-29 2007-11-22 Nanosys, Inc. Methods for oriented growth of nanowires on patterned substrates
US7741197B1 (en) 2005-12-29 2010-06-22 Nanosys, Inc. Systems and methods for harvesting and reducing contamination in nanowires
US8264137B2 (en) * 2006-01-03 2012-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Curing binder material for carbon nanotube electron emission cathodes
CN101042977B (zh) * 2006-03-22 2011-12-21 清华大学 碳纳米管场发射电子源及其制造方法以及一场发射阵列
CN100573783C (zh) * 2006-04-05 2009-12-23 清华大学 碳纳米管场发射电子源的制造方法
US7294560B1 (en) 2006-11-28 2007-11-13 Motorola, Inc. Method of assembling one-dimensional nanostructures
US20080149970A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Thomas Shawn G Multi-gated carbon nanotube field effect transistor
GB0708381D0 (en) * 2007-04-30 2007-06-06 Nokia Corp Method for forming a semiconductor structure
GB0818403D0 (en) * 2008-10-08 2008-11-12 Univ Leuven Kath Aqueous electrophoretic deposition
WO2010040648A2 (en) * 2008-10-06 2010-04-15 Katholieke Universiteit Leuven, K.U.Leuven R&D Functional layers of biomolecules and living cells, and a novel system to produce such
WO2011067961A1 (ja) * 2009-12-02 2011-06-09 独立行政法人科学技術振興機構 流路デバイス及びそれを含むサンプル処理装置
CN101924028B (zh) * 2010-09-02 2012-02-29 上海交通大学 基于介电泳技术的碳化硅纳米线定向有序排布方法
CN102431964B (zh) * 2011-12-15 2014-08-13 北京石油化工学院 可控生成量子点或量子线的方法
EP2889900B1 (en) * 2013-12-19 2019-11-06 IMEC vzw Method for aligning micro-electronic components using an alignment liquid and electrostatic alignment as well as corresponding assembly of aligned micro-electronic components
US9525147B2 (en) 2014-09-25 2016-12-20 International Business Machines Corporation Fringing field assisted dielectrophoresis assembly of carbon nanotubes

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0987653A2 (en) * 1998-09-17 2000-03-22 International Business Machines Corporation Self assembled nano-devices using DNA

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6652808B1 (en) 1991-11-07 2003-11-25 Nanotronics, Inc. Methods for the electronic assembly and fabrication of devices
US20030087277A1 (en) * 1998-12-23 2003-05-08 Wolfgang Fritzsche Means and methods for detection of binding of members of specific binding pairs
AU6203400A (en) * 1999-06-30 2001-01-31 Penn State Research Foundation, The Electrofluidic assembly of devices and components for micro- and nano-scale integration
WO2002026624A1 (en) 2000-09-29 2002-04-04 President And Fellows Of Harvard College Direct growth of nanotubes, and their use in nanotweezers
CN1128247C (zh) * 2001-04-26 2003-11-19 东南大学 选择性化学镀制备纳米间隙电极的方法
US7455757B2 (en) * 2001-11-30 2008-11-25 The University Of North Carolina At Chapel Hill Deposition method for nanostructure materials
JP2006501486A (ja) * 2002-05-14 2006-01-12 ナノスフェアー　インコーポレイテッド Ｄｎａハイブリダイゼーションおよび特異的結合事象の電気的検出

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0987653A2 (en) * 1998-09-17 2000-03-22 International Business Machines Corporation Self assembled nano-devices using DNA

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Applied Physics Letters 2001; 78(23): 3714-3716.*

Also Published As

Publication number Publication date
US20030194940A1 (en) 2003-10-16
AU2003221802A1 (en) 2003-11-03
EP1495163A1 (en) 2005-01-12
EP1495163B1 (en) 2008-10-15
DE60324126D1 (de) 2008-11-27
JP2005523386A (ja) 2005-08-04
WO2003089690A1 (en) 2003-10-30
KR20040111513A (ko) 2004-12-31
ATE411414T1 (de) 2008-10-15
US6879143B2 (en) 2005-04-12
CN100381616C (zh) 2008-04-16
CN1646734A (zh) 2005-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100871582B1 (ko) Ａｃ 필드들을 이용한, 나노미터-스케일 성분들의 선택적정렬
Klein et al. An approach to electrical studies of single nanocrystals
Li et al. Nanogap electrodes
Vazquez-Mena et al. Resistless nanofabrication by stencil lithography: A review
JP4213668B2 (ja) 分子エレクトロニクスと分子エレクトロニクスに基づいたバイオセンサーデバイスのための半導体装置及びその製造方法
Wouters et al. Nanolithography and nanochemistry: probe‐related patterning techniques and chemical modification for nanometer‐sized devices
Karmakar et al. Nano-electronics and spintronics with nanoparticles
Bezryadin et al. Electrostatic trapping of single conducting nanoparticles between nanoelectrodes
US7494907B2 (en) Nanoscale electronic devices and fabrication methods
Krahne et al. Fabrication of nanoscale gaps in integrated circuits
WO2009108404A2 (en) Bottom-up assembly of structures on a substrate
Kokkoli et al. Interaction forces between hydrophobic and hydrophilic self-assembled monolayers
Howell et al. Mass-fabricated one-dimensional silicon nanogaps for hybrid organic/nanoparticle arrays
Khondaker Fabrication of nanoscale device using individual colloidal gold nanoparticles
Gurevich et al. Scanning gate spectroscopy on nanoclusters
KR20060052558A (ko) 탐침 현미경의 탐침 끝 부분에 나노구조가 선택적으로흡착되는 방법 및 그 탐침이 장착된 탐침 현미경
Amlani et al. Hybrid assembly technique using alternating current field for molecular electronic measurements
Maruccio et al. Nano‐scaled biomolecular field‐effect transistors: prototypes and evaluations
US20070200187A1 (en) Nanowire device and method of making
US20070166837A1 (en) Nanoscale biomolecule sensor and method for operating same
Huang et al. Fabricating Methods and Materials for Nanogap Electrodes
Chu et al. New Fabrication Method for Molecule-Metal Interconnection
Mirkhaydarov InAs nanowire field-effect transistors as RF/microwave switches
Della Torre et al. Interconnection of specific nano-objects by electron beam lithography—A controllable method
Rana Investigation of genetically-engineered β-sheet polypeptides for nanoelectronics

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
E801 Decision on dismissal of amendment
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
E801 Decision on dismissal of amendment
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20071029

Effective date: 20080530

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111028

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee