KR100871020B1 - 증착 챔버용 공정 키트 설계 - Google Patents

증착 챔버용 공정 키트 설계 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 공정 챔버를 위한 공정 키트를 제공한다. 공정 챔버는 진공 공정 챔버이고, 이는 내부 공정 영역을 형성하는 챔버 바디를 포함한다. 공정 영역은 처리를 위한 기판을 수용하고, 또한 공정 키트의 장비 피스를 지지한다. 공정 키트는 공정 챔버의 공정 영역 내에 위치하도록 배치된 펌핑 라이너(410), 및 펌핑 라이너의 외부 지름을 따라 위치하도록 배치된 C-채널 라이너(420)를 포함한다. 펌핑 라이너 및 C-채널 라이너는 공정 영역으로부터 가스를 세척 또는 처리하는 기생 펌핑을 방해하도록 설계된 신규한 결합 특징(414, 424)을 갖는다. 본 발명은 반도체 공정 챔버를 추가로 제공하고, 이는 설명된 키트와 같은 향상된 공정 키트를 갖는다. 한 배열에서, 챔버는 직렬식 공정 챔버이다.

Description

증착 챔버용 공정 키트 설계 {PROCESS KIT DESIGN FOR DEPOSITION CHAMBER}
본 발명은 반도체 기판 공정 시스템에 관한 것이다. 더욱 자세히는, 본 발명은 반도체 기판 공정 시스템을 위한 증착 챔버에 관한 것이다.
직접 회로(IC)는 반도체 기판의 표면 위에 독립된(discrete) 반도체 장치를 형성함에 의해 제조된다. 이러한 기판의 예는 실리콘(Si) 또는 실리콘 다이옥사이드(SiO2) 웨이퍼이다. 반도체 장치는 종종 매우 큰 스케일로 제조되는데, 이 경우 수 천개의 마이크로-전자 장치(예를 들어 트랜지스터, 커패시터, 및 이와 유사한 것)가 하나의 기판 위에 형성된다.
기판 위의 장치를 서로 연결하기 위해, 서로 연결되는 구조의 다층(multi-level) 네트워크가 형성된다. 재료는 층을 이루어 기판 위에 증착되고, 일련의 제어된 단계에서 선택적으로 제거된다. 이러한 방법으로, 다양한 전도층이 서로 연결되고 이에 의해 전자 신호의 전파를 촉진시킨다.
반도체 산업에서 필름을 증착시키는 한 방법으로 화학 기상 증착 또는 "CVD"가 알려져 있다. CVD는 진성(intrinsic) 및 도핑된 비결정성(amorphous) 실리콘, 실리콘 옥사이드, 실리콘 니트리드(nitride), 실리콘 옥시니트리드(oxynitride) 및 이와 유사한 것을 포함하는 다양한 종류의 필름을 증착하는데 사용될 수 있다. 반도체 CVD 공정은 일반적으로 진공 챔버 내에서 원하는 필름을 형성하도록 반응하고 분리되는 선구 가스(precursor gases)를 가열함에 의해 수행된다. 낮은 온도에서 상대적으로 높은 증착률로 필름을 증착시키기 위해, 증착 동안 챔버에서 선구 가스로부터 플라즈마가 형성될 수 있다. 이러한 공정은 플라즈마 강화 화학 기상 증착 또는 "PECVD"로 알려져 있다.
원하는 정교한 치수를 구비한 높은 종횡비 특징을 갖는 신뢰 가능한 형성은 정밀한 패터닝(patterning) 및 차후의 기판의 에칭을 필요로 한다. 기판 위에 더욱 정밀한 패턴을 형성하는데 종종 사용되는 기술이 포토리소그래피(photolithography)이다. 이 기술은 일반적으로 렌즈 또는 "레티클(reticle)"을 통해서 기판 위로 광 에너지를 향하는 것을 포함한다. 종래 포토리소그래피 공정에서, 먼저 포토레지스트(photoresist) 재료가 에칭될 기판층 위에 가해진다. 광 레지스트의 경우에, 레지스트 재료는 자외선 또는 레이저 소스와 같은 "광 에너지" 또는 복사(radiation)에 민감하다. 레지스트 재료는 폴리머를 형성하는 것이 바람직한데, 폴리머는 사용된 광의 특정 파장에 또는 서로 다른 노출 소스에 반응하도록 조정된다.
레지스트가 기판 위로 증착된 후, 광원은 예를 들어 레지스트가 덮인 기판을 향하는 자외선(UV) 광 또는 낮은 X-ray 광을 방출하도록 구동된다. 선택된 광원은 포토레지스트 기판의 조성을 화학적으로 변경시킨다. 그러나 포토레지스트 층은 오직 선택적으로만 노출된다. 이런 점에서, 포토마스크, 또는 "레티클"이 광원과 처리되는 기판 사이에 위치한다. 포토마스크는 기판에 대한 특징의 원하는 배치를 갖도록 패턴을 가지고 있다. 패턴이 있는 포토마스크는 광 에너지가 이를 통해 기판 표면 위에 정밀한 패턴으로 도달하는 것을 가능하게 한다. 이후 노출된 밑에 있는 기판 재료는 기판 표면에서 패턴이 있는 특징을 형성하도록 에칭될 수 있고, 유지된 레지스트 재료는 노출되지 않은 밑에 있는 기판 재료를 위한 보호성 코팅으로서 유지된다. 이러한 방법으로 접촉, 비아(vias), 또는 상호 연결이 정밀하게 형성될 수 있다.
포토레지스트 필름은 실리콘 다이옥사이드(SiO2), 실리콘 옥시니트리드(SiON), 실리콘 니트리드(Si3N4), 및 하프늄 다이옥사이드(HfO2)와 같은 다양한 재료를 포함할 수 있다. 최근에 효과적인 카본계(carbon-based) 필름이 캘리포니아 산타 클라라에 있는 어플라이드 머티어리얼스사(Applied Materials, Inc. of Santa Clara, California)에 의해 개발되었다. 이 필름은 어드밴스드 패터닝 필름(Advanced Patterning Film)TM, 또는 "APF"로서 알려져 있다. APFTM은 일반적으로 비결정성 카본, 또는 "α-카본" 및 SiON의 필름을 일반적으로 포함한다.
카본 층은 일반적으로 카본 소소를 포함한 가스 혼합물로 이루어진 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)에 의해 증착된다. 가스 혼합물은 액체 선구 물질 또는 기체 선구 물질인 카본 소스로부터 형성될 수 있다. 바람직하게, 카본 소스는 기체 탄화수소이다. 예를 들면, 카본 소스는 프로필렌(C3H6)일 수 있다. C3H6의 주입은 공정 챔버 내에서 RF 플라즈마를 생성시킴에 의해 행해진다. 가스 혼합물은 헬륨(He) 또는 아르곤(Ar)과 같은 캐리어(carrier) 가스를 추가로 포함할 수 있다. 카본질 층은 도포 정도에 따라, 약 100Å 내지 약 20,000Å의 두께로 증착될 수 있다.
APMTM과 같은 카본계(또는 "유기의") 필름을 증착하는 공정은 2000A/min 보다 더 큰 증착률과 같이 특히 높은 증착률에서 카본 잔여물을 생산한다. 이러한 점에서, 카본은 기판 위뿐만 아니라 내부 챔버 바디, 기판 지지대, 및 다양한 키트 부품, 예를 들어 라이너(liner) 및 샤워헤드(showerhead) 위에도 증착된다. 차후의 증착 동안, 다른 부품 및 챔버 바디의 벽 위의 필름은 금이 가거나 벗겨질 수 있으며, 이는 오염 입자가 기판 위로 떨어지게 한다. 차례로 이는 기판 위의 레지스터(resistor), 트랜지스터 및 다른 IC 장치에 손상을 가한다.
웨이퍼의 오염 특성을 줄이기 위해 PECVD 챔버는 증착 사이에 미립자를 제거하기 위해 주기적으로 세척되어야만 한다. 세척은 일반적으로 기판 공정 조작 사이에 에칭 가스를 빈 챔버로 통과시킴에 의해 수행된다. 에칭 플라즈마는 니트로젠 트리플루오라이드(nitrogen trifluoride)와 같은 플루오린-함유 가스일 수 있다. 카본계 증착의 경우에, 챔버벽 및 예를 들어 히터, 샤워헤드, 라이너 등과 같은 다양한 키트 부품에 증착된 카본 필름과 반응성이 있는 산소 종(species)이 채택될 수 있다. 이는 "건식 세척" 공정으로서 알려져 있다.
증착 챔버의 건식 세척은 일반적으로 유기성 증착 챔버에서 챔버 벽을 세척하는데 효과적이다. 그러나 산소는 이러한 반응 상태에서 매우 짧은 시간 동안 존 재하며(short-lived) 매우 빨리 비활성 상태로 다시 결합한다. 이는 산소 플라즈마가 예를 들어 환형 압력 링, 히터 구역 등과 같은 주입된 가스의 주요 유동 경로와 떨어진 챔버 바디의 구역에 도달하는 데 있어서 비효과적이라는 것을 의미한다. 따라서 조작자는 기판 처리 공정을 모두 중단시키고 스크럽(scrubbing)을 하기 위해 증착 챔버를 분해할 필요가 있다. 이는 "습식 세척" 공정으로 알려져 있다.
PECVD 증착 챔버가 실레인(silane) 또는 TEOS계 일 때, 중간에 습식 세척 공정을 할 필요가 거의 없다. 그러나 공지된 카본계 PECVD 증착 챔버에서, 습식 세척 공정은 매 수백 기판 공정 사이클 후 필요하다. 공정 챔버 내의 그리고 챔버 벽 상의 다양한 설비물(fixture) 상의 카본 잔여물의 문제는 "기생 펌핑(parasitic pumping)" 현상에 의해 악화된다는 점이 본 발명의 발명자에 의해 관찰되었다. 이는 공정 가스가 공정 챔버의 떨어진 구역에 접근하고 주기적인 분해가 필요하며 챔버 부품의 스크럽이 필요하다는 것을 의미한다. 기판 공정의 이러한 중지는 반도체 제작 공정의 수익성 및 처리량에 장애물이 된다.
따라서, 습식 세척 개입 빈도를 줄이도록 구성된 증착 챔버가 요구된다. 에칭 플라즈마가 효과적인 세척이 어려운 구역에서 카본질 잔여물의 쌓임 및 카본의 침투를 막는 향상된 공정 키트 설계에 대한 추가적인 요구가 있다.
본 발명은 반도체 공정 챔버를 위한 공정 키트를 제공한다. 공정 챔버는 진공 공정 챔버이고, 이는 내부 공정 영역을 형성하는 챔버 바디를 포함한다. 공정 키트는 공정 챔버의 공정 영역 내에 위치하도록 배치된 펌핑 라이너 및 펌핑 라이너의 외부 지름을 따라 위치하도록 배치된 C-채널 라이너를 포함한다. 펌핑 라이너 및 C-채널 라이너는 공정 영역으로부터 가스의 세척 또는 처리의 기생 펌핑을 막도록 설계된다.
일 실시예에서, 펌핑 라이너는 원주형 바디, 펌핑 라이너 바디를 따라 배치된 다수의 펌핑 홀, 펌핑 라이너 바디의 상부면을 따라 원주형으로 위치한 쇼울더(shoulder) 및 펌핑 라이너 바디의 하부면의 방사상 부분을 따라 배치된 하부 립(lip)을 포함한다. 일 실시예에서, C-채널 라이너는 원주형 바디, 상부 아암, 하부 아암, 공정 가스를 수용하기 위한 채널부, 상부 아암을 따라 원주형으로 배치된 상부 립, 및 하부 아암의 방사상 부분을 따라 존재하는 하부 쇼울더를 포함한다. C-채널 라이너의 상부 립은 펌핑 라이너의 쇼울더와 결합(interlock)하도록 배치되고, C-채널 라이너의 하부 쇼울더는 펌핑 라이너의 하부 립과 결합하도록 배치된다.
본 발명은 상기에서 설명된 키트와 같은 결합 공정 키트를 갖는 반도체 공정 챔버를 제공한다. 일 배열에서, 챔버는 직렬식(tandem) 공정 챔버이다. 또한, 챔버는 C-채널 라이너의 채널부와 유체 소통하는 상부 펌핑 포트 라이너를 포함할 수 있다.
첨부된 도면을 참조하여, 상기에서 설명된 본 발명의 특징이 더욱 자세히 이해될 수 있고, 본 발명의 실시예에 대한 더욱 특별한 설명도 도면을 통해 이해된다. 그러나, 첨부된 도면은 본 발명의 전형적인 예를 도시하는 것이지 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 이해되어서는 안된다.
도 1은 예시적인 반도체 공정 시스템의 평면도이다. 공정 시스템은 쌍을 이루는 증착 챔버를 포함하고, 이 증착 챔버는 본 발명의 공정 키트를 수용한다.
도 2는 비교를 위한 예시적인 증착 챔버의 단면도를 도시한다. 도 2의 챔버는 한 쌍의 또는 "직렬식" 챔버이다. 그러나, 여기서 설명된 공정 키트는 하나로 된 챔버 설계에서도 사용될 수 있다.
도 3은 전형적인 챔버 바디의 부분적 단면도이다. 챔버 바디는 가스 유동 경로를 나타내기 위해 개략적으로 도시되었다. 화살표는 챔버 내의 주요 가스 유동 및 기생하는(parasitic) 가스 유동 경로를 도시한다.
도 4는 증착 챔버의 일부분의 사시도이다. 챔버 바디는 기판 공정 영역을 한정하도록 제공되고, 다양한 라이너를 지지하기 위해 제공된다. 물 슬릿 밸브는 챔버 바디에서 도시되고, 슬릿을 통해 물을 제공한다.
도 5는 도 4의 예시적 증착 챔버의 절단 사시도를 도시한다. 도 5에서 상부 라이너 또는 "펌핑 라이너"가 도시되고, 이는 주위의 C-채널 라이너에 의해 지지된다.
도 6은 도 5의 챔버 바디를 도시하고, 절단도로부터 두 노출된 영역을 강조한다. 이 두 단면적은 6A및 6b로서 지정된다.
도 6A는 도 6으로부터 단면 6A의 확대도를 도시한다. 유사하게 도 6B는 단면 6B의 확대도를 도시한다. 각각의 도에서 상부 라이너 및 지지하는 C-채널이 도시된다.
도 7은 도 4의 챔버 바디 일부의 분해도를 도시한다. 이 도에서, 한 실시예로서 공정 키트로부터의 다양한 라이너가 더욱 명확하게 확인될 수 있다.
도 1은 예시적인 반도체 공정 시스템(100)의 평면도이다. 공정 시스템(100)은 공정 챔버(106)를 포함하고, 이는 이하에서 설명될 것처럼 본 발명의 공정 키트를 수용할 것이다. 예시적 챔버(106)는 쌍을 이루며, 이에 의해 공정 처리량을 증가시킨다.
시스템(100)은 일반적으로 다수의 독립적인(distinct) 영역을 포함한다. 제 1 영역은 전단부의 스테이징(staging) 구역(102)이다. 전단부의 스테이징 구역(102)은 공정 중에 웨이퍼 카세트(109)를 지지한다. 차례로 웨이퍼 카세트(109)는 기판 또는 웨이퍼(113)를 지지한다. 로봇과 같은 전단부 웨이퍼 조작기(118)는 웨이퍼 카세트 회전반에 인접한 스테이징 플랫폼에 탑재된다. 다음에, 시스템(100)은 로드락(loadlock) 챔버(120)를 포함한다. 웨이버(113)는 로드락 챔버(120)로 로드되거나 이로부터 언로드된다. 바람직하게, 로드락 챔버(120)에 배치된 로드락 카세트로의 기판(113)의 로딩에 대비하여 전단부 웨이퍼 조작기(118)는 웨이퍼 맵핑(mapping) 시스템을 포함하고, 이는 각각의 웨이퍼 카세트(109)에서 기판(113)을 표시한다(index). 다음에 전달 챔버(130)가 제공된다. 전달 챔버(130)는 로드락 챔버(120)로부터 수용되는 기판(113)을 조작하는 웨이퍼 조작기(138)를 가진다. 웨이퍼 조작기(138)는 전달 챔버(130)의 하부에 탑재되어 있다. 웨이퍼 조작기(138)는 밀봉 가능한 통로(136)를 통해 웨이퍼를 전달한다. 슬릿 밸브 구동기 (134)는 통로(136)를 위한 밀봉 기계를 구동시킨다. 통로(136)는 공정 챔버(140)(도 2에서 도시됨)에서 웨이퍼 통로(236)와 일치하고, 이는 기판 히터 페데스탈(pedestal)(도 2에서 228에서 도시됨) 위에 위치시키기 위해 공정 영역으로 기판(113)을 넣도록 한다.
후단부(108)는 시스템(100)의 작동을 위해 필요한 다양한 지지 유틸리티(utilities)를 가지기 위해 제공된다. 이러한 유틸리티의 예는 가스 패널, 전력 분배 패널, 발전기를 포함한다. 시스템은 CVD, PVD 및 에칭(etch)과 같은 지지하는 챔버 하드웨어 및 다양한 공정을 수용하는데 적합하게 될 수 있다. 이하에서 설명된 실시예는 300mm APF 증착 챔버를 채택한 시스템에 직접 이용될 것이다. 다른 공정 및 챔버 구성은 본 발명에 의해 예측된다.
도 2는 비교를 위한 증착 챔버(200)의 개략적인 단면도이다. 증착 챔버는 카본 도핑된 실리콘 옥사이드 층과 같은, 카본계 기체 물질을 증착시키기 위한 CVD 챔버이다. 이 도면은 어플라이드 머티어리얼스사에 의해 현재 제조된 Producer S® APF 챔버의 특징에 기초한다. Producer® CVD 챔버(200mm 또는 300mm)는 두 개의 고립된 공정 영역을 가지고, 이는 카본 도핑된 실리콘 옥사이드 및 다른 재료를 증착하는데 사용될 수 있다. 두 개의 고립된 공정 영역을 갖는 챔버는 여기서 참조로 인용된 미국 특허 제 5,855,681호에서 설명된다.
챔버(200)는 내부 챔버 구역을 한정하는 바디(202)를 갖는다. 분리된 공정 영역(218 및 220)이 제공된다. 각각의 챔버(218, 220)는 챔버(200) 내에서 기판( 미도시)을 지지하기 위한 페데스탈(228)을 갖는다. 페데스탈(228)은 일반적으로 가열 요소(미도시)를 포함한다. 바람직하게, 페데스탈(228)은 스템(stem, 226)에 의해 각각의 공정 영역(218, 220)에 이동 가능하게 배치되고, 스템은 챔버 바디(202)의 바닥부를 통해 연장되어 드라이브 시스템(203)에 연결된다. 내부적으로 이동 가능한 리프트 핀(미도시)이 페데스탈(228)에 제공되는 것이 바람직하고, 이에 의해 기판이 하부면과 접촉한다. 바람직하게, 지지 링(미도시)도 또한 페데스탈(228) 위에 제공된다. 지지 링은 커버 링 및 캡쳐 링을 포함하는 다중 부품 기판 지지 조립체의 일부일 수 있다. 리프트 핀은 공정 전에 기판을 수용하기 위해 또는 다음 스테이션으로 전달을 위해 증착 후 기판을 들어올리기 위해 링 위에서 작용한다.
공정 영역(218, 220)의 각각은 또한 챔버 리드(204)를 통해 배치된 가스 분배 조립체(208)를 포함하는 것이 바람직하고 이에 의해 가스가 공정 영역(218, 220) 안으로 전달된다. 각각의 공정 영역의 가스 분배 조립체(208)는 가스 입구 통로(240)를 일반적으로 포함하고, 가스 입구 통로는 가스를 샤워헤드 조립체(242)로 전달한다. 샤워헤드 조립체(242)는 환형의 베이스 플레이트(248)로 이루어져 있고, 환형의 베이스 플레이트는 면 플레이트(face plate, 246) 중간에 배치된 차단 플레이트(blocker plate, 244)를 가진다. 샤워헤드 조립체(242)는 다수의 노즐(미도시)을 포함하고, 이를 통해 가스 혼합물이 공정 동안 주입된다. 샤워헤드 조립체(242)는 프로필렌 및 아르곤과 같은 가스를 기판 위에서 아래로 향하게 하고, 이에 의해 비결정성 카본 필름(amorphous carbon film)을 증착시킨다. RF(고주파) 피드쓰루(feedthrough)는 바이어스 전압을 샤워헤드 조립체(242)에 제공하고, 이에 의해 샤워헤드 조립체(242)의 면 플레이트(246) 및 히터 페데스탈(228) 사이에 플라즈마의 생성을 촉진시킨다. 플라즈마 향상 화학 기상 증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition) 동안, 페데스탈(228)은 챔버 벽(202) 내에서 RF 바이어스를 생성하기 위한 캐소오드(cathode)로서 작용할 수 있다. 캐소오드는 전극 전원 공급장치에 전기적으로 연결되어 있고, 이에 의해 증착 챔버(200)에서 용량성 전기장(capacitive electric field)을 생성한다. 일반적으로 RF 전압은 챔버 바디(202)가 전기적으로 접지되어 있는 동안 캐소오드로 가해진다. 페데스탈(228)로 가해진 전력은 기판의 상부면 위에서 네거티브 전압의 형태로 기판 바이어스를 만든다. 이러한 네거티브 전압은 챔버(200)에서 형성된 플라즈마로부터 기판의 상부면으로 이온을 끌어 당기는데 사용된다. 용량성 전기장은 바이어스를 형성하고, 이는 기판을 향하는 유도적으로 형성된 플라즈마 종(species)을 가속화시키고 이에 의해 더욱 수직으로 배향된 이방성 증착 및 세정 동안 기판의 더욱 수직으로 배향된 이방성 에칭을 제공한다.
샤워헤드 조립체(242)를 통해 전달되는 기체 탄화수소는 충실하고(robust), 챔버(200)를 통해 유동할 수 있다. 도 3은 도 2의 챔버 바디(202)의 부분적 단면도를 개략적 형태로 도시한다. 화살표는 챔버(200) 내에서 주요한 및 기생하는 가스 유동 경로를 도시한다. 주요 가스 유동 경로는 Pr 화살표에 의해 표시되고, 기생 가스 유동 경로는 Pa 화살표에 의해 표시된다. 주요 가스 유동 경로(Pr)은 바람직한 유동 경로이고, 기생 가스 유동 경로(Pa)는 바람직하지 못하다. 기생 가스 유동 경로(Pa)는 챔버(200) 내에서 다양한 키트 부품과 접촉할 수 있고 밀봉되지 않은 구역으로 스며들 수 있다. 상기에서 언급된 대로, 증착 챔버(200)의 주기적 습식 세척은 챔버(200) 내에서 밀봉되지 않은 구역 및 다양한 경로로부터 탄소 잔여물에 접근하여 충분히 세척하는데 필요하다.
도 3의 챔버는 매우 개략적이다. 이 도면 및 이 개시 내용으로부터 당업자는, 공정 챔버를 위한 공정 키트를 이루는 다른 하드웨어 및 다양한 라이너 사이의 갭에서 기생 펌핑이 일어날 수 있다는 것을 이해할 것이다. 기생 펌핑이 일어날 수 있는 이러한 구역은, (1) 상부 라이너 및 면 플레이트 사이의 갭; (2) C-채널 라이너 및 상부 라이너 사이의 갭; (3) 슬릿 밸브 채널; (4) C-채널 라이너 및 슬릿 밸브 터널에 있는 중앙 라이너 사이의 갭; (5) 중앙 라이너 및 바닥부 라이너 사이의 갭; (6) 주위의 충진재 및 중앙 라이너 사이의 갭; 등을 포함한다.
도 4는 증착 챔버(400)의 일부의 사시도를 도시한다. 증착 챔버(400)는 일 실시예에서 본 발명의 공정 키트(40)를 포함한다. 챔버 바디(402)는 기판 공정 영역(404)을 한정하도록 제공되고, 공정 키트(40)의 다양한 라이너를 지지하기 위해 제공된다. 웨이퍼 슬릿(406)은 챔버 바디(402)에서 보이며 슬릿을 통해 웨이퍼 통로를 한정한다. 이러한 방법으로 기판은 챔버(400) 밖으로 및 안으로 선택적으로 이동될 수 있다. 빈 챔버 내에 기판은 도시되지 않았다. 슬릿(406)은 문 장치(미도시)에 의해 선택적으로 개방되거나 닫힌다. 문 장치는 챔버 바디(402)에 의해 지지된다. 문은 기판 공정 동안 챔버 환경을 고립시킨다.
챔버 바디(402)는 알루미늄 옥사이드 또는 다른 세라믹 화합물로 제조되는 것이 바람직하다. 세라믹 재료는 낮은 열 전도성 때문에 바람직하다. 챔버 바디(402)는 실린더 또는 다른 형상일 수 있다. 도 4의 예시적 바디(402)는 외부의 다각형 윤곽과 중앙의 내부 지름을 가진다. 그러나 본 발명은 공정 챔버의 어떠한 특별한 구성 또는 크기에 제한되지 아니한다.
언급된 대로, 바디(402)는 일련의 라이너 및 다른 교환 가능한 공정 부품을 지지하도록 배치된다. 이러한 공정 부품은 일반적으로 교체가능하고(disposable), 특별한 챔버의 응용 또는 배치를 위한 특별한 "공정 키트"(40)의 부품이다. 공정 키트는 상부 펌핑 라이너, 중앙 라이너, 하부 라이너, 가스 분배 플레이트, 가스 확산 플레이트, 히터, 샤워 헤드, 또는 다른 부품을 포함할 수 있다. 어떤 라이너는 일체형으로 형성될 수 있으나, 일부 응용에서는 라이너 사이의 열 팽창을 가능하게 하기 위해 서로 쌓여있는 분리된 라이너가 바람직하다. 도 7은 일 실시예에서 공정 키트(40)의 사시도를 제공한다. 공정 키트(40)의 라이너 및 다른 장비는 증착 챔버(400) 위에 분해되어 도시된다. 도 7의 챔버(400)는 이하에서 더욱 상세하게 설명될 것이다.
도 5는 도 4의 예시적 증착 챔버(400)의 절단 사시도를 도시한다. 챔버 바디(402)의 결합구조는 바디(402)의 측부(408) 및 바닥부(409)를 포함하여 더욱 자세하게 도시된다. 개구(405)는 바디(402)의 측부(408)에 형성된다. 개구(405)는 증착, 에칭, 또는 세척 공정 동안 공정 가스를 수용하기 위한 채널로서 작용한다.
기판은 공정 영역(404) 내에 도시되지 않는다. 그러나 기판은 도 2의 페데스탈(228)과 같은 페데스탈 상에서 공정 영역(404) 내에서 지지된다고 이해된다. 페데스탈은 바디(402)의 바닥부(409)에서 개구(407)를 통해 연장하는 샤프트에 의해 지지된다. 또한, 챔버(400)를 위해 가스 공정 시스템(도 5에서 미도시)이 제공된다고 이해된다. 개구(478)는 예시적 챔버(400)에서 가스 도관을 수용하기 위해 제공된다. 도관은 가스를 가스 박스(도 7에서 472에서 도시됨)로 전달한다. 그로부터 가스는 공정 영역(404)으로 전달된다.
증착 챔버를 위한 공정 키트(40)의 일정한 부품을 도 4 및 5에서 볼 수 있다. 이는 상부 펌핑 라이너(410), 지지 원주형 채널 라이너(420), 중앙 라이너(440) 및 바닥부 라이너(450)를 포함한다. 언급된 대로, 이런 라이너(410, 420, 440, 450)는 도 7과 연결하여 더욱 자세하게 설명되고 도시될 것이다. 밀봉 부재(427)는 펌핑 포트 라이너(442)를 구비한 원주형 채널 라이너(420)의 계면(interface)에서 그리고 펌핑 포트 라이너(442)를 구비한 펌핑 라이너(410)의 계면에서 제공되고, 이는 아래 도 6A와 연결하여 더욱 자세하게 도시되고 설명될 것이다.
도 6은 도 5의 챔버 바디(402)의 다른 사시도이다. 일정한 경우에 도 5의 참조 번호가 반복된다. 도 6은 단면도로부터 두 노출 구역을 강조하기 위해 제공된다. 이 두 단면 구역은 구역(6A) 및 구역(6B)이다. 구역(6A 및 6B)에서 도시된 챔버(400)의 특징은 도 6A 및 6B의 개별적인 확대 단면도에서 더욱 자세히 도시된다. 이러한 특징은 이하에서 상세히 설명될 것이다.
도 7은 챔버 바디 일부(400)의 분해도를 제공한다. 이 경우에 챔버 바디(400)는 직렬식 공정 챔버를 나타낸다. 예는 어플라이드 머티어리얼스 사에 의해 제조된 Producer S 챔버이다. 프로세스 키트(40)의 다양한 부품은 바디(402)의 우측부 상의 공정 영역(404)으로부터 위로 솟아올라 도시된다.
도 7에서 도시된 장비의 첫 번째 아이템은 상부 커버(470)다. 상부 커버(470)는 공정 영역(404) 내에 중심적으로 위치하고, 챔버 뚜껑(미도시)을 통해 돌출한다. 상부 커버(470)는 일정한 가스 전달 장비를 지지하기 위한 플레이트로서 작용한다. 이러한 장비는 가스 박스(472)를 포함를 포함하고, 가스 박스는 가스 공급 도관(미도시)를 통해 가스를 받는다.(도관은 도 5에서 도시된 것처럼 챔버 바디(402)의 바닥부(409)에서 개구(478)를 통해 끼워진다.) 가스 박스(472)는 가스를 가스 입력부(476)로 주입한다. 가스 입력부(476)는 아암(arm)을 형성하고 이는 상부 커버(470)의 중앙을 넘어 연장된다. 이러한 방법으로, 공정 및 세척 가스는 기판 위에서 공정 영역(404)으로 중심적으로 주입될 수 있다.
RF 전력은 가스 박스(472)로 공급된다. 이는 공정 가스로부터 플라즈마를 생성시킨다. 일정한 전압 경도기(constant voltage gradient, 474)는 가스 박스(472) 및 가스 입력부(476) 사이에 배치된다. 일정한 전압 경도기(474), 즉 "CVG"는, 공정 영역(404) 내에서 가스가 가스 박스(472)로부터 접지된 페데스탈을 향하여 이동할 때 전력 레벨을 제어한다.
상부 커버(470)의 바로 아래에 차단 플레이트(480)가 있다. 차단 플레이트(480)는 상부 커버(470) 아래에서 동일 중심을 갖도록 위치한 플레이트를 형성한다. 차단 플레이트(480)는 다수의 볼트 홀(482)를 포함한다. 볼트 홀(482)은 관통 개구로서 작용하고, 이를 통해 스크류 또는 다른 커넥터가 차단 플레이트(480) 를 상부 커버(470)에 고정하기 위해 위치할 수 있다. 차단 플레이트(480) 및 상부 커버(470) 사이에는 공간이 있다. 이 공간에서 공정 동안 가스가 분배되고, 이후 다수의 천공(484)에 의해 차단 플레이트(480)를 통해 전달된다. 이러한 방법으로 공정 가스는 챔버(400)의 공정 영역(404)으로 균일하게 전달될 수 있다. 또한, 차단 플레이트(480)는 가스가 확산될 때 가스에 대한 높은 압력 강하를 제공한다.
샤워헤드(490)는 차단 플레이트(480) 아래에 있다. 샤워헤드(490)는 상부 커버(470) 아래에서 중심이 같게 위치한다. 샤워헤드(490)는 가스를 아래를 향하여 기판(미도시)위로 향하도록 다수의 노즐(미도시)을 포함한다. 면 플레이트(496) 및 절연링(498)은 샤워헤드(490)에 고정된다. 절연링(498)은 챔버 바디(402)로부터 샤워헤드(490)를 전기적으로 절연시킨다. 절연링(498)은 매끄럽고 상대적으로 내열성인 테프론 또는 세라믹과 같은 재료로 제작되는 것이 바람직하다.
샤워헤드(490) 아래에는 상부 라이너, 또는 "펌핑 라이너"(410)가 배치된다. 도 7의 실시예에서, 펌핑 라이너(410)는 그 주위에 배치된 다수의 펌핑 홀(412)을 갖는 원주형 바디를 형성한다. 도 7의 배열에서, 펌핑 홀(412)은 동등 거리만큼 공간적으로 떨어져 있다. 웨이퍼 처리 공정 동안, 진공은 상부 라이너(410)의 뒷부분으로부터 뽑아지고, 펌핑 홀(412)을 통해 그리고 채널 구역(422) 안으로 가스가 끌어진다(도 6A 및 6B에서 더욱 자세하게 도시됨). 펌핑 홀(412)은 도 3의 개략도에서 묘사된 것처럼, 가스를 처리하기 위한 주요 유동 경로를 제공한다.
도 6A 및 6B의 확대된 단면도를 보면, 상부 라이너(410)의 특징이 더욱 쉽게 관찰될 수 있다. 도 6A는 도 6으로부터 단면 구역 6A의 확대도를 제공한다. 비슷 하게 도 6B는 도 6으로부터 구역 6B의 확대된 단면도를 제공한다. 펌핑 라이너(410)는 이 확대된 모양의 각각에서 관찰 가능하다.
펌핑 라이너(410)는 원주형 바디(410')를 한정하고 다수의 펌핑 포트(412)를 지지하도록 제공된다. 도 7의 배열에서, 펌핑 라이너(410)는 상부 표면 구역 상에 상부 립(414)를 포함하고 하부 표면 구역을 따라 하부 쇼울더(shoulder, 416)를 포함한다. 일 태양에서, 상부 립(414)은 상부 라이너(410)의 반경으로부터 외부로 향하여 연장되고, 하부 쇼울더(416)는 방사상으로 내부로 향하여 연장된다. 상부 립(414)은 원주 방향으로 배치된다. 그러나, 하부 쇼울더(416)는 상부 라이너(410)를 원주형으로 에워싸지 아니하고 상부 펌핑 포트 라이너(442) 구역에서 개방된다.
도 5로 돌아가면, 챔버(400)는 원주형 채널 라이너(420)를 인접하여 포함한다. 원주형 채널 라이너(420)는 도 6B의 확대된 단면도에서 더욱 상세하게 관찰되는 구성을 갖는다.
도 6B를 다시 보면, 원주형 채널 라이너(420)는 상부 아암(421), 하부 아암(423), 및 중간 채널 구역(422)을 갖는다. 상부 아암(421)은 거기에 형성된 상부 쇼울더(424)를 갖는다. 상부 쇼울더(424)는 펌핑 라이너(410)의 상부 립(414)을 수용하도록 구성된다. 동시에 하부 아암(423)은 상부 라이너(410)의 하부 쇼울더(416)를 수용하도록 구성된다. 상부 라이너(410) 및 원주형 채널 라이너(420) 사이의 결합 장치는 원하지 않은 기생 펌핑을 거의 줄이는 우회 계면(circuitous interface)을 제공한다. 이러한 방법으로 가스가 챔버(400)의 처리 영역(404)으로 부터 그리고 펌핑 라이너(410)의 펌핑 홀(412)을 통해 배출됨에 따라, 가스는 원주형 채널 라이너(420)를 통해 빠져나가는 것이 바람직하고, 상부 라이너(410) 및 원주형 채널 라이너(420) 사이의 계면에서는 없어지지 않는다.
펌핑 라이너(410)의 상부 립(414) 및 원주형 채널 라이너(420)의 상부 쇼울더(424) 사이의 결합 관계는 오직 예시적일 뿐이다. 유사하게 펌핑 라이너(410)의 하부 쇼울더(416) 및 원주형 채널 라이너(420)의 하부 립(426) 사이의 결합 관계는 오직 예시적일 뿐이다. 이런 관점에서, 펌핑 라이너(410) 및 원주형 채널 라이너(420) 사이의 어떠한 결합 장치 배열을 포함하는 것은 본 발명의 범위 내이고, 이는 처리, 세척 또는 에치 가스의 기생 펌핑을 방해한다. 제한의 의도 없이 예를 들자면, 펌핑 라이너(410)의 상부 립(414) 및 하부 쇼울더(416)는 상부 라이너(410)의 반경으로부터 밖으로 향하여 연장되도록 배치될 수 있다. 이러한 배열에서, 원주형 채널 라이너(420)의 하부 립(426)은 펌핑 라이너(410)의 하부 쇼울더(416)와 결합하도록 재배치될 것이다.
도 6A 및 6B 및 7 의 공정 키트(40) 배열에서, 상부 쇼울더(424)는 상부 아암(421)을 따라 원주형으로 배치된다. 이러한 이유 때문에, 상부 쇼울더(424)는 도 6A 및 6B 모두에서 관찰 가능하다. 그러나 하부 립(426)은 원주형 채널 라이너(420)의 원주형으로 에워싸지 않고 상부 펌핑 포트 라이너(442)의 구역에서 개방된다. 따라서 반경부는 개방되고, 이에 의해 펌핑 포트 라이너 개구(429)를 형성한다.
도 6에서 제공된 절단 사시도로부터 표시된 것처럼 구역 6A 및 6B는 챔버 (400)의 대향하는 단부를 도시한다. 구역 6A로부터의 절단부는 "펌핑 포트 라이너"(442, 444)로 지칭되는 가스 배출 포트를 포함한다. 상부 펌핑 포트 라이너(442)는 원주형 채널 라이너(420) 아래에 제공된다. 이때 하부 펌핑 포트 라이너(444)가 상부 포트 라이너(442)와 유체 소통되도록 제공된다. 이때 가스는 배출 시스템에 의해 공정 챔버(400)로부터 그리고 하부 펌핑 포트 라이너(444) 밖으로 배출될 수 있다.
펌핑 포트 라이너(442, 444)의 구역에서 기생 펌핑을 추가로 제한하기 위해 밀봉 부재(427)가 원주형 채널 라이너(420) 및 상부 펌핑 포트 라이너(442) 사이의 계면에 제공되고, 상부 라이너(410) 및 상부 펌핑 포트 라이너(442) 사이의 계면에 제공된다. 밀봉 부재는 도 7 및 도 6B 모두에서 관찰 가능하다. 바람직하게, 밀봉 부재(427)는 상부 펌핑 포트 라이너(442)를 에워싸는 원형 링을 형성한다. 밀봉 부재(427)는 테프론 재료로 제작되는 것이 바람직하고, 그렇지 않은 경우 매우 폴리싱된(polished) 표면을 포함한다. 밀봉(427)은 원주형 채널 라이너(420)가 펌핑 포트 라이너(442, 444)와 결합하는 것을 추가로 가능하게 하고 가스 누출을 제한하는 것을 가능하게 한다.
도 7로 돌아가면, 중앙 라이너(440)는 원주형 채널 라이너(420) 아래에서 인접하여 위치한다. 중앙 라이너(440)는 슬릿(432)의 높이에서 공정 영역(404)에 존재한다. 중앙 라이너(440)가 C-형상 라이너이고 원형이 아니라는 것은 도 7로부터 관찰될 수 있다. 중앙 라이너(440)의 개방 구역은 웨이퍼를 수용하기 위해 배치된 것이고, 이에 의해 웨이퍼는 공정 챔버(400) 안으로 들어온다. 중앙 라이너(440) 는 도 6A 및 6B에서 부분적으로 관찰 가능한데 C-채널 라이너(420) 및 상부 라이너(410) 아래에 존재한다.
바닥부 라이너(450)도 도 7에서 관찰 가능하다. 도 7의 배열에서, 바닥부 라이너(450)는 챔버(400)내에서 중앙 라이너(440) 아래에 배치된다. 바닥부 라이너(450)는 챔버(400)의 바닥면(409) 및 중앙 라이너(440) 사이에 존재한다.
선택된 라이너가 서로 일체형을 이루는 공정 키트를 이용하는 것은 본 발명의 범위에 있다는 점을 주목해야 한다. 예를 들면, 중앙 라이너(440)는 바닥부 라이너(450)와 일체형으로 형성될 수 있다. 유사하게 상부 라이너(410)는 원주형 채널 라이너(420)와 일체화될 수 있다. 그러나, 예를 들어 라이너(410, 420, 440, 450)와 같은 다양한 라이너는 분리되는 것도 바람직하다. 이는 가열 공정 동안 열 팽창에 의해 발생하는 크랙킹(cracking)의 위험을 거의 줄인다. 원주형 채널 라이너(420) 및 분리되나 결합하는 펌핑 라이너(410)의 채택은 공정 챔버 공정 키트를 위한 향상되고 신규한 배열을 제공한다.
도 7에서 관찰되는 추가적인 공정 키트 아이템은 충진재(430) 및 압력 동일화 포트 라이너(436)를 포함한다. 충진재(430)는 중앙 라이너(440) 및 바닥부 라이너(450) 주위에 위치하고, 이에 의해 이러한 라이너(440, 450)의 외부 지름 및 주위 챔버 바디(402) 사이의 공간을 채운다. 충진재(430)의 존재는 라이너(440, 450) 뒤의 카본 잔여물의 수집의 채널링(channeling)을 도와주고, 이는 라이너(440, 450) 뒤에서 잔여물이 형성되지 않도록 해준다.
중앙 라이너(440)와 유사하게 충진재(430)는 완전히 원주형이 아니다. 이러 한 관점에서, 충진재(430)에 개방부가 포함되고, 이에 의해 두 공정 영역(404) 사이에 유체 소통을 제공한다. 압력 동일화 포트 라이너(436)는 오리피스(orifice)의 크기를 한정함에 의해 두 공정 영역(404) 사이의 유체 소통을 제어한다. 압력 동일화 포트 라이너(436)의 존재는 두 공정 영역(404) 사이의 압력이 동일하게 유지되는 것을 보장한다.
충진재(430), 압력 동일화 포트 라이너(436), 상부 펌핑 포트 라이너(442) 및 하부 펌핑 포트 라이너(444)는 매우 매끄러운 재료로 코팅되는 것이 바람직하다. 예를 들어 윤이 나는 알루미늄 코팅이 있다. 예를 들어 15Ra(거칠음 평균) 미만의 매우 매끄러운 표면을 갖는 다른 재료는 표면 위에 증착물이 쌓이는 것을 줄이는 것을 돕는다. 이러한 매끄러운 재료는 폴리싱된 알루미늄, 폴리머 코팅, 테프론, 세라믹 및 석영일 수 있다.
챔버 부품 위의 증착을 줄이는 것을 추가로 돕기 위해 슬릿 밸브 라이너(434)가 슬릿(432)을 따라 제공된다. 유사하게 슬릿 밸브 라이너(434)도 상기에서 언급된 것과 같은 매우 매끄러운 재료로 제작되는 것이 바람직하다.
증착 또는 에칭 공정 동안, 공정 영역(404)은 가열되는 것이 바람직하다. 이를 위해, 히터(미도시)는 웨이퍼를 지지하기 위한 페데스탈을 구비하여 제공된다. 히터 페데스탈은 도 7의 챔버 배열(400)에서 462로 표기된다. 히터는 플라즈마 세척 공정 동안 110℃를 초과하는 온도로 구동되는 것이 특히 바람직하다. 대안적으로, 세척 가스로 오존을 사용하는 것이 가능한데, 오존은 플라즈마를 분리되는 것을 필요로 하지 않는다. 오존이 사용되는 않는 예에서, 챔버 바디를 가열하 는 것이 특히 바람직하고, 이에 의해 세척율을 증가시킨다.
도 7로 다시 돌아가면, 페데스탈 조립체(460)가 제공된다. 페데스탈 조립체(460)는 공정 동안 기판을 지지하는 것을 도와준다. 페데스탈 조립체(460)는 히터 플레이트(462) 뿐만 아니라 그 주위에 배치된 리프트 후프(466), 핀 리프트(464), 및 샤프트(468)를 포함한다. 핀 리프트(464) 및 리프트 후프(466)는 히터 플레이트(462) 위로 웨이퍼를 들어올리는 것을 선택적으로 도와준다. 핀 홀(467)은 리프트 핀(미도시)을 수용하기 위해 히터 플레이트(462) 내에 배치된다.
도 7의 AFPTM 챔버(400)는 예시적이고, 본 발명의 개량은 PECVD를 수행할 수 있는 어떠한 증착 챔버에서 실행 가능하다. 따라서 본 발명의 다른 실시예가 제공될 수 있다. 예를 들면, 펌핑 라이너(410)는 원주형 채널 라이너(420)의 내부 지름보다 작은 내부 지름을 가질 수 있다. 상부 펌핑 라이너(410)를 위한 이러한 감소된 치수는 펌핑 포트(405)의 내부 지름을 감소시키도록 하고, 이에 의해 펌핑 포트(405)를 통해 그리고 공정 영역(404) 밖으로 이동하는 가스의 속도를 증가시킨다. 가스 속도는 증가되는 것이 바람직하고, 이는 잔여물을 함유한 카본이 챔버 표면 위에 쌓일 기회를 감소시킨다. 또한, 라이너는 매우 매끄러운 표면을 갖는 재료로 제작되는 것이 바람직하다. 이는 표면 위에 비결정성 카본 증착물이 쌓이는 것을 감소시키도록 한다. 또한, 이러한 재료의 예는 폴리싱된 알루미늄, 폴리머 코팅, 테프론, 세라믹, 및 석영을 포함한다.
증착물을 함유한 카본은 따뜻한 표면보다 차가운 표면 위에서 더 빨리 쌓아 진다. 이런 현상 때문에, 증착물을 함유한 카본은 증착 챔버와 관련된 펌핑 시스템 상에서 우선적으로 쌓이는 경향이 있다. 펌핑 시스템은 80℃를 넘는 온도로 가열되는 것이 바람직하고, 이에 의해 우선적인 쌓임을 줄인다. 대안적으로 또는 추가적으로, 콜드 트랩(cold trap)이 펌핑 시스템 안에 일체화되어 설치될 수 있고, 이에 의해 반응하지 않은 선구 물질을 함유한 카본 및 부산물을 함유한 카본을 수집할 수 있다. 콜드 트랩은 규칙적인 유지 기간마다 세척 또는 교체될 수 있다.
상기의 내용은 본 발명의 실시예에 직접 이용되지만, 본 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예는 기본적인 범위를 벗어나지 않고 고안될 수 있다. 예를 들면, 진공 공정 챔버용 키트의 일 실시예가 제공되는데, 이는 공정 챔버의 공정 구역 내에 위치하도록 배치된 원주형 펌핑 라이너 및 펌핑 라이너의 외부 지름을 따라 위치하도록 배치된 원주형 채널 라이너를 포함한다. 펌핑 라이너는 상부면 및 하부면을 갖는 원주형 바디 및 바디를 따라 배치된 다수의 펌핑 홀을 포함할 수 있다. 원주형 채널은 상부면 및 하부면을 갖는 원주형 바디를 포함하고, 원주형 상부 아암은 원주형 채널 라이너의 바디부의 상부면에 가까이 배치되며, 하부 아암은 원주형 채널 라이너의 바디부의 선택된 방사상 부분 주위에 배치되고, 하부 아암은 원주형 채널 라이너의 바디부의 바닥 단부를 따라 있으며, 원주형 채널 라이너의 채널부는 바디부, 상부 아암, 하부 아암 및 펌핑 라이너의 외부 지름 사이에 형성된다. 상부 결합 구조는 원주형 채널 라이너의 상부 아암 및 펌핑 라이너의 상부 아암 사이에 제공된다. 유사하게, 하부 결합 구조는 원주형 채널 라이너의 하부면 및 펌핑 라이너의 하부면 사이에 제공된다. 상부 및 하부 결합 구조는 웨이퍼의 공정 동안 공정 영역 내에서 기생 펌핑을 방해하도록 해준다.
일 실시예에서, 공정 키트는 공정 챔버에 위치하고, 이는 펌핑 포트를 포함하며, 펌핑 포트는 C-채널 라이너의 펌핑 포트 라이너 개구와 유체 소통한다.

Claims (15)

  1. 내부 공정 영역을 형성하는 챔버 바디를 포함하는 진공 공정 챔버용 키트로서,
    상기 공정 챔버의 공정 영역 내에 위치하도록 배치되고 상부면 및 하부면을 갖는 원주형 바디를 포함하며 상기 바디가 상기 바디를 따라 배치된 다수의 펌핑 홀을 갖는 펌핑 라이너;
    상기 펌핑 라이너의 외부 지름을 따라 위치하도록 배치된 C-채널 라이너;
    상기 C-채널 라이너 및 상기 펌핑 라이너 아래에 위치하도록 배치된 중앙 라이너; 및
    상기 중앙 라이너 아래에 위치하도록 배치된 하부 라이너
    를 포함하고, 상기 C-채널라이너는
    상부면 및 하부면을 갖는 원주형 바디부,
    상기 C-채널 라이너의 바디부의 상부면에 인접하여 배치된 원주형 상부 아암(arm),
    상기 C-채널 라이너의 선택된 방사상 부분 주위에 배치되고, 상기 C-채널 라이너의 바디부의 바닥면을 따라 배치된 하부 아암, 및
    상기 C-채널 라이너의 바디부, 상기 상부 아암, 상기 하부 아암, 및 상기 펌핑 라이너의 외부 지름 사이에 형성된 상기 C-채널 라이너의 채널
    부를 포함하며,
    상기 C-채널 라이너는 펌핑 포트 라이너 개구를 가지고,
    상부 결합 구조(interlocking feature)는 상기 C-채널 라이너의 상부 아암과 상기 펌핑 라이너의 상부면 사이에 형성되며,
    하부 결합 구조는 상기 C-채널 라이너의 하부 아암 및 상기 펌핑 라이너의 하부면 사이에 형성되고,
    상기 상부 및 하부 결합 구조가 상기 공정 영역 내에서 기생(parasitic) 펌핑을 막아주는 것을 특징으로 하는,
    진공 공정 챔버용 키트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 펌핑 라이너가 상기 C-채널 라이너 위에 위치하도록 배치되는 것을 특징으로 하는,
    진공 공정 챔버용 키트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 결합 구조가,
    상기 펌핑 라이너 바디의 상부면을 따라 원주형으로 위치한 립(lip); 및
    상기 상부 아암을 따라 원주형으로 배치되고 상기 펌핑 라이너 바디의 상기 립과 결합하도록 배치된 상기 C-채널 라이너의 상부 쇼울더(shoulder)를 포함하는,
    진공 공정 챔버용 키트.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 결합 구조가,
    상기 펌핑 라이너 바디의 하부면의 방사상 부분을 따라 배치된 하부 쇼울더; 및
    상기 하부 아암의 방사상 부분을 따라 배치되고 상기 펌핑 라이너의 하부 쇼울더와 결합하도록 배치된 C-채널 라이너의 하부 립을 포함하는,
    진공 공정 챔버용 키트.
  5. 내부 공정 영역을 형성하는 챔버 바디를 포함하는 진공 공정 챔버용 키트로서,
    상기 공정 챔버의 공정 영역 내에 위치하도록 배치된 펌핑 라이너로서,
    원주형 바디를 따라 배치된 다수의 펌핑 홀을 갖는 원주형 바디,
    상기 펌핑 라이너 바디의 상부면을 따라 원주형으로 위치한 립, 및
    상기 펌핑 라이너 바디의 하부면의 방사상 부분을 따라 배치된 하부 쇼울더를 포함하는
    펌핑 라이너; 및
    상기 공정 챔버의 공정 영역 내에서 상기 펌핑 라이너 바디의 외부 지름을 따라 위치하도록 배치된 C-채널 라이너로서,
    원주형 바디,
    상부 아암,
    하부 아암,
    상기 펌핑 라이너의 바디, 상기 C-채널 라이너의 바디, 하부 아암, 및 상부 아암에 의해 형성된 채널부,
    상기 상부 아암을 따라 원주형으로 배치되고 상기 펌핑 라이너 바디의 립과 결합하도록 배치된 상기 C-채널 라이너의 상부 쇼울더, 및
    상기 하부 아암의 방사상 부분을 따라 배치되고 상기 펌핑 라이너의 하부 쇼울더와 결합하고 또한 펌핑 포트 라이너 개구를 제공하도록 배치된 상기 C-채널 라이너의 하부 립을 포함하는
    C-채널 라이너를 포함하는,
    진공 공정 챔버용 키트.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 공정 영역에서 상기 C-채널 라이너 및 상기 펌핑 라이너 아래에 위치하도록 배치된 중앙 라이너를 추가로 포함하는,
    진공 공정 챔버용 키트.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 공정 영역에서 상기 중앙 라이너 아래에 위치하도록 배치된 하부 라이너를 추가로 포함하는,
    진공 공정 챔버용 키트.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 진공 공정 챔버가 상기 C-채널 라이너의 펌핑 포트 라이너 개구와 유체 소통하는 펌핑 포트 라이너를 추가로 포함하는,
    진공 공정 챔버용 키트.
  9. 내부 공정 영역을 형성하는 챔버 바디 및 공정 챔버 내에 배치된 공정 키트를 포함하는 기판 처리를 위한 진공 공정 챔버로서,
    상기 공정 챔버의 공정 영역 내에 위치하도록 배치된 펌핑 라이너로서,
    원주형 바디를 따라 배치된 다수의 펌핑 홀을 갖는 원주형 바디,
    상기 펌핑 라이너 바디의 상부면을 따라 원주형으로 배치된 립, 및
    상기 펌핑 라이너 바디의 하부면의 방사상 부분을 따라 배치된 하부 쇼울더를 포함하는
    펌핑 라이너; 및
    상기 공정 챔버의 공정 영역 내에서 상기 펌핑 라이너 바디의 외부 지름을 따라 위치하도록 배치된 C-채널 라이너로서,
    원주형 바디,
    상부 아암,
    하부 아암,
    상기 펌핑 라이너의 바디, 상기 C-채널 라이너의 바디, 하부 아암 및 상부 아암에 의해 형성된 채널부,
    상기 상부 아암을 따라 원주형으로 배치되고 상기 펌핑 라이너의 립과 결합하도록 배치된 상기 C-채널 라이너의 상부 쇼울더, 및
    상기 하부 아암의 방사상 부분을 따라 배치되고 상기 펌핑 라이너의 하부 쇼울더와 결합하고 또한 펌핑 포트 라이너 개구를 제공하도록 배치된 상기 C-채널 라이너의 하부 립을 포함하는
    C-채널 라이너를 포함하는,
    기판 처리를 위한 진공 공정 챔버.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 C-채널 라이너의 펌핑 포트 라이너 개구와 유체 소통하는 펌핑 포트 라이너를 추가로 포함하는,
    기판 처리를 위한 진공 공정 챔버.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 펌핑 포트 라이너를 구비한 상기 C-채널 라이너의 계면 및 상기 펌핑 포트 라이너를 구비한 상기 펌핑 라이너의 계면 사이에 밀봉을 제공하는 밀봉 부재를 추가로 포함하는,
    기판 처리를 위한 진공 공정 챔버.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 밀봉 부재가 폴리싱된 알루미늄, 폴리머 코팅, 테프론(Teflon), 세라믹 및 석영으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 제작된 하나 이상의 외부면을 갖는 것을 특징으로 하는,
    기판 처리를 위한 진공 공정 챔버.
  13. 기판을 처리하기 위한 직렬식(tandem) 진공 공정 챔버로서,
    챔버 바디 내에 제공되고 서로 유체 소통을 하는 한 쌍의 내부 공정 영역을 갖는 챔버 바디; 및
    상기 각각의 내부 공정 영역 내에 배치된 공정 키트로서,
    상기 개별적인 공정 영역 내에 위치하도록 배치된 펌핑 라이너로서,
    원주형 바디를 따라 배치된 다수의 펌핑 홀을 갖는 원주형 바디,
    상기 펌핑 라이너 바디의 상부면을 따라 원주형으로 위치한 립, 및
    상기 펌핑 라이너 바디의 하부면의 방사상 부분을 따라 배치된 하부 쇼울더를 포함하는
    펌핑 라이너;
    상기 공정 영역 내에서 상기 펌핑 라이너 바디의 외부 지름을 따라 위치하도록 배치된 C-채널 라이너로서,
    원주형 바디,
    상부 아암,
    하부 아암,
    상기 펌핑 라이너의 바디, 상기 C-채널 라이너의 바디, 상기 하부 아암, 및 상기 상부 아암에 의해 형성되는 채널부,
    상기 상부 아암을 따라 원주형으로 배치되고 상기 펌핑 라이너의 립과 결합하도록 배치된 상기 C-채널 라이너의 상부 쇼울더, 및
    상기 하부 아암의 방사상 부분을 따라 배치되고 상기 펌핑 라이너의 하부 쇼울더와 결합하고 또한 펌핑 포트 라이너 개구를 제공하도록 배치된 상기 C-채널 라이너의 하부 립을 포함하는
    C-채널 라이너; 및
    각각이 개별적인 펌핑 포트 라이너 개구와 유체 소통하는 한 쌍의 상부 펌핑 포트 라이너를 포함하는,
    공정 키트를 포함하는,
    기판을 처리하기 위한 직렬식 진공 공정 챔버.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 내부 공정 영역이 압력 동일화 포트 라이너를 통해 서로 유체 소통을 유지하는 것을 특징으로 하는,
    기판을 처리하기 위한 직렬식 진공 공정 챔버.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 압력 동일화 포트 라이너의 하나 이상의 외부면이 폴리싱된 알루미늄, 폴리머 코팅, 테프론, 세라믹, 및 석영으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 매끄러운 재료로 제작되는 것을 특징으로 하는,
    기판을 처리하기 위한 직렬식 진공 공정 챔버.
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