KR100868795B1 - 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버 - Google Patents

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Abstract

반도체 소자 제조용 로드 락 챔버가 제공된다. 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버는, 기판을 로딩하고 펌핑 작업과 벤팅 작업이 이루어지는 챔버와, 챔버의 프런트 엔드 모듈과 인접한 측면에 설치되며 기판을 프런트 엔드 모듈로 또는 프런트 엔드 모듈로부터 이송하는 경로인 제1 이송 도어와, 챔버의 전달 챔버와 인접한 측면에 설치되며 기판을 공정 챔버로 또는 공정 챔버로부터 이송하는 경로인 제2 이송 도어와, 챔버 내에 설치되며 기판을 지지하는 기판 척과, 챔버 내에 설치되며 기판 척을 포함하는 사각형 공간을 형성하기 위해 챔버 내부를 제1 및 2 공간으로 분할하는 슬릿 도어와, 챔버 내부를 진공 상태로 형성하기 위해 챔버 내부의 공기를 배출시키는 제1 및 2 펌핑 라인 및 챔버 내부의 압력을 조절하기 위해 챔버 내부로 벤팅용 가스를 공급하는 제1 및 2 벤팅 라인을 포함한다.
기판, 로드 락 챔버, 슬릿 도어, 펌핑, 벤팅

Description

반도체 소자 제조용 로드 락 챔버 {A load-lock chamber for manufacturing semiconductor device}
도 1은 종래의 기판 애싱 장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버에서 제1 펌핑 라인의 연결 상태를 설명하기 위한 A-A' 단면도이다.
도 4는 도 2의 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버에서 제1 벤팅 라인의 연결 상태를 설명하기 위한 A-A' 단면도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버의 구동 방법을 보여주는 순서도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 로드포트 200: 프런트 엔드 모듈
210: 제1 이송용 로봇 300: 로드 락 챔버
310: 챔버 320: 제1 이송 도어
330: 제2 이송 도어 340: 기판 척
350: 슬릿 도어 360a, 360b: 제1 및 2 펌핑 라인
370a, 370b: 제1 및 2 벤팅 라인 400: 전달 챔버
410: 제2 이송용 로봇 500: 공정 챔버
본 발명은 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정 중 웨이퍼 가공 공정에는 감광액 도포 공정(Photoresist Coating), 현상 공정(Develop & Bake), 식각 공정(Etching), 화학기상증착 공정(Chemical Vapor Deposition), 애싱 공정(Ashing) 등이 있으며, 각각의 여러 단계의 공정을 수행하는 과정에서 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위한 공정으로 약액(Chemical) 또는 순수(Deionized Water)를 이용한 세정 공정(Wet Cleaning Process)이 있다.
이 중 애싱 공정은 식각 공정에서 마스크로 사용된 포토레지스트 패턴을 제거하기 위한 공정이다. 애싱 공정은 주로 산소(O2)가스를 이용한 플라즈마 방식과 반응성이 강한 오존(O3)을 이용하는 방식 등을 사용하고 있다.
도 1은 종래의 기판 애싱 장치를 나타낸 평면도이다.
반도체 소자 제조용 애싱 장비는 복수의 로드포트(Load port, 100)와, 프런트 엔드 모듈(EFEM, Equipment front end module, 200)과, 제1 이송용 로봇(210)과, 로드 락 챔버(300)와, 전달 챔버(400)와, 제2 이송용 로봇(410) 및 복수의 공 정 챔버(500)를 포함한다.
각각의 로드포트(100)에 복수의 기판이 적재되면, 기판은 제1 이송용 로봇(210)에 의해 프런트 엔드 모듈(200)을 거쳐 로드 락 챔버(300)로 이송된다. 프런트 엔드 모듈(200)은 기판을 정렬시켜서, 로드포트(100)로부터 로드 락 챔버(300)로 이송하는 역할을 한다. 로드 락 챔버(300)는 프런트 엔드 모듈(200)을 거쳐 기판이 이송되면 불순물을 제거하기 위해 내부 기체를 착출하여 진공 상태로 만든다. 진공 상태가 이루어지면 기판은 전달 챔버(400)를 통하여 제2 이송용 로봇(410)에 의해 각각의 공정 챔버(500)로 이송되며, 공정 챔버(500)에서 애싱 공정이 이루어진다. 공정 챔버(500)에서 애싱 공정이 완료되면 기판은 다시 제2 이송용 로봇(410)에 의해 로드 락 챔버(300)로 이송된다. 기판이 이송되면, 로드 락 챔버(300)는 상압으로 맞추는 공정과 더불어 기판에 대한 냉각 공정을 함께 수행한다.
로드 락 챔버(300)는 프런트 엔드 모듈(200)과 전달 챔버(400)를 연결하며 이들간에 운반되는 기판을 중간 적재하는 부분으로, 일반적으로 두 개의 로드 락 챔버(300a, 300b)를 사용한다. 그리고 이들 로드 락 챔버(300) 중 제 1 로드 락 챔버(300a)는 프런트 엔드 모듈(200)에서 전달 챔버(400)를 통해 각 공정 챔버(500)로 반입될 기판을 중간 적재하는 로더(loader)로, 제 2 로드 락 챔버(300b)는 공정 챔버(500)로부터 전달 챔버(400)를 거쳐 저장부로 반출되는 기판을 중간 적재하는 언로더(unload) 역할을 할 수 있다.
한편, 프런트 엔드 모듈(200)은 대기압에 노출되는 것에 반해 전달 챔 버(400)와 공정 챔버(500)는 진공 환경을 가지게 되는데, 로드 락 챔버(300)는 프런트 엔드 모듈(200) 측의 상압 상태와 전달 챔버(400) 측의 진공압 상태를 중재하기 위해 펌핑(Pumping)과 벤팅(Venting) 작업을 통해 진공 상태가 되거나 상압 상태가 된다.
그러나, 종래의 로드 락 챔버는 다음과 같은 문제점이 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일반적으로 로드 락 챔버는 풋프린트(Footprint) 문제와 이송 로봇의 픽앤플레이스(Pick and place) 문제로 인해 사다리꼴 형상을 가지게 된다. 또한, 펌핑 작업을 위한 펌핑 라인과 벤팅 작업을 위한 벤팅 라인이 챔버의 측면의 소정 부위에 연결되어 있다.
이러한 이유 때문에 펌핑 또는 벤팅 작업을 하게 되면 챔버 내의 모든 부분에 균일한 작업이 이루어지지 않아 기판이 슬라이딩되는 문제가 발생하고 있다. 또한, 펌핑 또한 벤팅 작업을 반복함에 따라 시간이 많이 소모되므로 결국 생산량 향상에도 제약이 있게 된다.
본 발명은 상기한 문제점을 개선하기 위해 고안된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 로드 락 챔버 내에 슬릿 도어를 설치하여 챔버 내 공간을 분할하여 사각형 공간 내에서 펌핑 및 벤팅 작업이 이루어지게 함으로써 기판의 슬라이딩 현상을 방지하는 것이다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것 이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버는, 기판을 로딩하고 펌핑 작업과 벤팅 작업이 이루어지는 챔버와, 상기 챔버의 프런트 엔드 모듈과 인접한 측면에 설치되며 상기 기판을 상기 프런트 엔드 모듈로 또는 상기 프런트 엔드 모듈로부터 이송하는 경로인 제1 이송 도어와, 상기 챔버의 전달 챔버와 인접한 측면에 설치되며 상기 기판을 공정 챔버로 또는 상기 공정 챔버로부터 이송하는 경로인 제2 이송 도어와, 상기 챔버 내에 설치되며 상기 기판을 지지하는 기판 척과, 상기 챔버 내에 설치되며 상기 기판 척을 포함하는 사각형 공간을 형성하기 위해 상기 챔버 내부를 제1 및 2 공간으로 분할하는 슬릿 도어와, 상기 챔버 내부를 진공 상태로 형성하기 위해 상기 챔버 내부의 공기를 배출시키는 제1 및 2 펌핑 라인 및 상기 챔버 내부의 압력을 조절하기 위해 상기 챔버 내부로 벤팅용 가스를 공급하는 제1 및 2 벤팅 라인을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다
이하, 본 발명의 실시예들에 의하여 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버를 설명하기 위한 도면들을 참고하여 본 발명에 대해 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버를 나타낸 평면도이다.
두 개의 로드 락 챔버(300a, 300b)는 대칭적으로 같은 형상과 구조를 가지게 되므로, 여기서는 하나의 로드 락 챔버(300a)에 대해서만 설명하기로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버는, 챔버(310)와, 제1 이송 도어(320)와, 제2 이송 도어(330)와, 기판 척(340)과, 슬릿 도어(350)와 제1 및 2 펌핑 라인(360a, 360b) 및 제1 및 2 벤팅 라인(370a, 370b)을 포함한다.
챔버(310)는 기판(10)이 로딩되어 펌핑 작업과 벤팅 작업이 이루어지는 로드 락 챔버(300) 내 공간을 의미한다.
제1 이송 도어(320)는 챔버(310)의 일측면인 프런트 엔드 모듈(200)과 인접하는 부위에 형성된다. 제1 이송 도어(320)는 개폐가 가능한 구조이며, 공정을 진행할 기판(10)을 프런트 엔드 모듈(200)로부터 로딩하거나 공정이 끝난 기판(10)을 프런트 엔드 모듈(200)로 언로딩할 때에는 개방된다. 또한, 제1 이송 도어(320)는 챔버(310) 내부로 펌핑 작업 또는 벤팅 작업을 할 때에는 차단된다. 제1 이송 도어(320)의 개폐는 실린더 등과 같은 액츄에이터(도시되지 않음)를 통해 이루어진 다.
제2 이송 도어(330)는 챔버(310)의 다른 측면, 즉, 제1 이송 도어(320)의 상대편 측면인 전달 챔버(400)와 인접하는 부위에 형성된다. 제2 이송 도어(330)는 개폐가 가능한 구조이며, 공정을 진행할 기판(10)을 전달 챔버(400)로 이송하거나 공정이 끝난 기판(10)을 로드 락 챔버(300)로 이송할 때에는 개방된다. 또한, 제2 이송 도어(330)는 챔버(310) 내부로 펌핑 작업 또는 벤팅 작업을 할 때에는 차단된다. 제2 이송 도어(330)의 개폐는 실린더 등과 같은 액츄에이터(도시되지 않음)를 통해 이루어진다.
기판 척(340)은 챔버(310) 내에 설치되어 있으며, 로드 락 챔버(300) 내로 로딩된 기판(10)을 지지한다. 또는, 복수개의 척을 로드 락 챔버(300) 내에 설치하여 복수개의 웨이퍼가 로드 락 챔버(300) 내에서 지지할 수도 있다. 다른 실시예에 의하면, 기판 척(340)은 복수의 기판(10)을 적재한 카세트 자체가 로딩될 수도 있다.
슬릿 도어(350)는 챔버(310) 내에 설치되어 있으며 개폐를 통하여 챔버(310) 내부의 전체 공간을 제1 및 2 공간(311, 312)으로 분할한다. 제1 공간(311)은 챔버(310) 내부의 전체 공간 중 기판 척(340)을 포함하는 사각형 공간을 의미하며, 제2 공간(312)은 그 외 나머지 공간을 의미한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 슬릿 도어(350)는 개폐를 통하여 사다리꼴 형상의 챔버(310) 내부의 공간을 사각형의 제1 공간(311)과 삼각형의 제2 공간(312)으로 분할한다. 제1 공간(311)의 형상이 정사각형인 것이 바람직하나, 이에 국한되지는 않는다.
슬릿 도어(350)는 공정을 진행할 기판(10)이 챔버(310) 내로 이송되거나 공정이 끝난 기판(10)이 챔버(310)로부터 반출될 때에는 개방되고, 챔버(310) 내부에서 펌핑 작업 또는 벤팅 작업을 할 때에는 차단된다.
한편, 슬릿 도어(350)의 개폐를 위해 슬릿 도어(350)를 구동시키는 슬릿 도어 구동부가 구비될 수 있다. 슬릿 도어 구동부는 실린더 등과 같은 액츄에이터(도시되지 않음)로 구성될 수 있다.
제1 및 2 펌핑 라인(360a, 360b)은 챔버(310) 내부를 진공 상태로 형성하기 위해 챔버(310) 내부의 공기(365)를 배출시켜 진공압을 제공하는 역할을 한다. 즉, 기판(10)이 전달 챔버(400)를 통해 각각의 공정 챔버(500)로 전달되기 전에 챔버(310) 내부를 진공 상태로 형성한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제1 펌핑 라인(360a)은 기판 척(340)을 포함하는 제1 공간(311)과 연결이 되고, 제2 펌핑 라인(360b)은 제2 공간(312)과 연결된다.
도 3은 도 2의 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버에서 제1 펌핑 라인의 연결 상태를 설명하기 위한 A-A' 단면도이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 바람직하게는 제1 펌핑 라인(360a)은 제1 공간(311) 내의 기판 척(340)의 중심부의 상부 또는 하부에 연결된다. 종래의 펌핑 라인은 챔버(310)의 측면의 소정 부위에 연결되어 챔버(310) 내의 모든 부분에 대해 균일한 펌핑 작업이 이루어지지 않았다. 그러나, 제1 펌핑 라인(360a)을 기판 척(340)의 중심부 상부 또는 하부에 연결함으로써 펌핑 작업이 제1 공간(311) 내의 모든 부분에서 균일하게 이루어질 수 있다. 따라서, 펌핑 작업 중 배출되는 챔 버(310) 내부의 공기(365)의 대류에 의한 영향을 균일하게 받음으로써 기판(10)이 슬라이딩 되는 문제를 해결할 수 있고, 따라서 펌핑 작업에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다.
또한, 제1 펌핑 라인(360a)과 제2 펌핑 라인(360b)이 제1 공간(311)과 제2 공간(312)에 각각 연결됨으로써, 로드 락 챔버(300)와 인접한 프런트 엔드 모듈(200) 또는 전달 챔버(400)의 상태에 따라 개별적인 압력 조절이 가능하게 된다.
제1 펌핑 라인(360a)은 챔버(310) 내부를 진공 상태로 형성하기 위해 진공 펌프(361)에 연결된다. 바람직하게는, 진공 펌프(361)로서 드라이 펌프를 사용할 수 있다. 드라이 펌프는 주로 화학 기상 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) 장치나 식각(Eching) 장치 등에서 활성 가스의 배기 및 고온 진공 배기에 사용되며, 불활성 가스의 배기 펌프로 사용되기도 한다.
한편, 제1 펌핑 라인(360a)에는 진공 펌프(361)로 이어지는 배관 상에 펌핑 제어 밸브(362)를 설치할 수 있다. 펌핑 제어 밸브(362)는 진공 펌프(361)의 펌핑에 의해 제공되는 진공압을 제어하는 역할을 한다. 또한, 펌핑 제어 밸브(362)를 제어하는 펌핑 제어부(도시되지 않음)가 구비될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 제2 펌핑 라인(360b)도 제1 펌핑 라인(360a)과 같이 진공 펌프와 펌핑 제어 밸브가 설치된다.
제1 및 2 벤팅 라인(370a, 370b)은 챔버(310) 내부의 압력을 조절하기 위해 챔버(310) 내부로 벤팅용 가스(375)를 공급하는 역할을 한다. 즉, 로드 락 챔버(300)의 내부를 프런트 엔드 모듈(200)의 상압 상태에 대응하는 압력 상태로 만 들기 위해 벤팅용 가스(375)를 공급한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제1 벤팅 라인(370a)은 기판 척(340)을 포함하는 제1 공간(311)과 연결이 되고, 제2 벤팅 라인(370b)은 제2 공간(312)과 연결된다.
도 4는 도 2의 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버에서 제1 벤팅 라인의 연결 상태를 설명하기 위한 A-A' 단면도이다.
도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 바람직하게는 제1 벤팅 라인(370a)은 제1 공간(311) 내의 기판 척(340)의 중심부의 상부 또는 하부에 연결된다. 종래의 벤팅 라인 역시 챔버(310)의 측면의 소정 부위에 연결되어 챔버(310) 내의 모든 부분에 대해 균일한 벤팅 작업이 이루어지지 않았다. 그러나, 제1 벤팅 라인(370a)을 기판 척(340)의 중심부 상부 또는 하부에 연결함으로써 벤팅 작업이 제1 공간(311) 내의 모든 부분에서 균일하게 이루어질 수 있다. 따라서, 벤팅 작업 중 유입되는 벤팅용 가스(375)의 대류에 의한 영향을 균일하게 받음으로써 기판(10)이 슬라이딩 되는 문제를 해결할 수 있고, 따라서 벤팅 작업에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다.
또한, 제1 벤팅 라인(370a)과 제2 벤팅 라인(370b)이 제1 공간(311)과 제2 공간(312)에 각각 연결됨으로써, 로드 락 챔버(300)와 인접한 프런트 엔드 모듈(200) 또는 전달 챔버(400)의 상태에 따라 개별적인 압력 조절이 가능하게 된다.
바람직하게는, 벤팅용 가스(375)로 질소(N2) 가스를 사용할 수 있다. 한편, 벤팅용 가스(375)를 공급함으로써 공정을 마친 고온의 기판(10)을 냉각시키는 역할도 함께 할 수 있다.
한편, 제1 벤팅 라인(370a)에는 벤팅용 가스 공급부(371)로 이어지는 배관 상에 벤팅 제어 밸브(372)를 설치할 수 있다. 벤팅 제어 밸브(372)는 벤팅용 가스 공급부(371)에서 공급되는 벤팅용 가스(375)의 플로우(flow)량을 제어하는 역할을 한다. 또한, 벤팅 제어 밸브(372)를 제어하는 벤팅 제어부(도시되지 않음)가 구비될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 제2 벤팅 라인(370b)도 제1 벤팅 라인(370a)과 같이 벤팅용 가스(375) 공급부와 벤팅 제어 밸브가 설치된다.
제1 펌핑 라인(360a)과 제1 벤팅 라인(370a), 또는 제2 펌핑 라인(360b)과 제2 벤팅 라인(370b)은 챔버(310)의 상부 또는 하부에 서로 인접하게 설치되거나, 각각 챔버(310)의 상부와 하부에 따로 설치될 수 있다.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버의 작용을 설명하면 다음과 같다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버의 구동 방법을 보여주는 순서도이다.
먼저 제1 이송 도어(320)와 슬릿 도어(350)가 개방되고 제2 이송 도어(330)가 차단된 상태에서, 제1 이송용 로봇(210)이 기판(10)을 프런트 엔드 모듈로부터 챔버(310) 내로 로딩한다(S501).
기판(10)이 로딩되면 제1 이송 도어(320)를 차단하여 챔버(310) 내부를 밀폐된 상태로 형성하고, 슬릿 도어(350)를 차단하여 제1 공간(311)과 제2 공간(312)을 형성하게 된다(S502). 제1 이송 도어(320)를 차단한 후 슬릿 도어(350)를 차단하는 것이 바람직하나, 반대의 경우도 가능하다.
챔버(310) 내부가 밀폐되면, 진공 펌프(361)와 펌핑 라인 상의 펌핑 제어 밸브(362)를 제어하여 챔버(310) 내부의 공기(365)를 배출 시킴으로써 진공압을 제공하는 펌핑 작업이 이루어진다(S503). 챔버(310) 내부를 진공 상태로 형성하기 위해서는 벤팅용 가스(375)를 공급하기 위한 벤팅 라인 상의 벤팅 제어 밸브(372)를 차단한 상태에서 펌핑 라인 상의 펌핑 제어 밸브(362)를 개방하는 것이 바람직하다.
펌핑 작업을 하는 것과 동시에 챔버(310) 내부의 압력 상태를 측정한다. 측정한 압력이 설정된 진공압 수준 즉, 공정 챔버(500)나 전달 챔버(400)에 대응하는 진공 상태에 이를 때까지 펌핑 작업을 계속하게 된다(S504).
챔버(310) 내부의 진공 상태가 일정 수준에 이르면 슬릿 도어(350)와 제2 이송 도어(330)를 개방한다(S505). 슬릿 도어(350)를 개방한 후 제2 이송 도어(330)를 개방하는 것이 바람직하나, 반대의 경우도 가능하다.
제2 이송 도어(330)가 개방되면, 챔버(310)에 인접한 전달 챔버(400) 내의 제2 이송용 로봇(410)을 제어함으로써 기판(10)을 공정 진행에 필요한 공정 챔버(500)로 이송시킨다(S506).
공정 챔버(500)에서 해당 공정을 마친 기판(10)은 제2 이송용 로봇(410)에 의해 챔버(310) 내로 다시 이송된다(S507).
기판(10)이 챔버(310) 내로 이송되면, 제2 이송 도어(330)를 차단하여 챔버(310) 내부를 밀폐된 상태로 형성하고, 슬릿 도어(350)를 차단하여 다시 제1 공간(311)과 제2 공간(312)을 형성한다(S508). 제2 이송 도어(330)를 차단한 후 슬릿 도어(350)를 차단하는 것이 바람직하나, 반대의 경우도 가능하다.
챔버(310) 내부가 밀폐되면, 벤팅 라인 상의 벤팅 제어 밸브(372)를 제어하여 챔버(310) 내부로 벤팅용 가스(375)를 제공하는 벤팅 작업이 이루어진다(S509). 챔버(310) 내부를 상압 상태로 형성하기 위해서는 펌핑 라인 상의 펌핑 제어 밸브(362)를 차단하여 더 이상 진공압이 제공되지 않는 상태에서 벤팅 라인 상의 벤팅 제어 밸브(372)를 개방하여 벤팅용 가스(375)를 제공하는 것이 바람직하다.
벤팅 작업을 하는 것과 동시에 챔버(310) 내부의 압력 상태를 측정한다. 측정한 압력이 프런트 엔드 모듈(200)과 동일한 수준의 상압에 이를 때까지 벤팅 작업을 계속하게 된다(S510).
챔버(310) 내부의 상태가 프런트 엔드 모듈(200)의 상압 상태에 대응하는 압력 상태를 이루면 슬릿 도어(350)와 제1 이송 도어(320)를 개방한다(S511). 슬릿 도어(350)를 개방한 후 제1 이송 도어(320)를 개방하는 것이 바람직하나, 반대의 경우도 가능하다.
제1 이송 도어(320)가 개방되면, 기판(10)을 챔버(310)로부터 프런트 엔드 모듈(200)로 언로딩한 후(S512), 상기와 같은 일련의 과정을 반복 수행하게 된다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변 형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
상기한 바와 같은 본 발명의 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버에 따르면 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상 있다.
첫째, 로드 락 챔버 내에 슬릿 도어를 설치하여 챔버 내 공간을 분할하여 사각형 공간 내에서 펌핑 및 벤팅 작업이 이루어지게 함으로써 기판의 슬라이딩 현상을 방지하는 것이다.
둘째, 펌핑 및 벤팅 작업 시간을 줄여 전체 생산량을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

Claims (5)

  1. 기판을 로딩하고 펌핑 작업과 벤팅 작업이 이루어지는 챔버;
    상기 챔버의 프런트 엔드 모듈과 인접한 측면에 설치되며 상기 기판을 상기 프런트 엔드 모듈로 또는 상기 프런트 엔드 모듈로부터 이송하는 경로인 제1 이송 도어;
    상기 챔버의 전달 챔버와 인접한 측면에 설치되며 상기 기판을 공정 챔버로 또는 상기 공정 챔버로부터 이송하는 경로인 제2 이송 도어;
    상기 챔버 내에 설치되며 상기 기판을 지지하는 기판 척;
    상기 챔버 내에 설치되며, 상기 펌핑 작업 또는 상기 벤팅 작업이 이루어지는 동안 상기 챔버 내에 상기 기판 척을 포함하는 사각형 공간을 형성하기 위해 상기 챔버 내부를 제1 및 제2 공간으로 분할하는 슬릿 도어;
    상기 챔버 내부를 진공 상태로 형성하기 위해 상기 챔버 내부의 공기를 배출시키는 제1 및 제2 펌핑 라인; 및
    상기 챔버 내부의 압력을 조절하기 위해 상기 챔버 내부로 벤팅용 가스를 공급하는 제1 및 제2 벤팅 라인을 포함하는 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 펌핑 라인과 상기 제1 벤팅 라인은 상기 제1 공간과 연결되고, 상기 제2 펌핑 라인과 상기 제2 벤팅 라인은 상기 제2 공간과 연결되는 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 펌핑 라인과 상기 제1 벤팅 라인은 상기 제1 공간 내의 상기 기판 척의 중심부의 상부 또는 하부에 연결되는 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 슬릿 도어를 개폐시키는 슬릿 도어 구동부를 더 포함하는 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 벤팅용 가스는 질소 가스인 반도체 소자 제조용 로드 락 챔버.
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JP2001068524A (ja) 1999-08-30 2001-03-16 Asm Japan Kk マルチチャンバロードロック装置のシール機構
JP2003068819A (ja) 2001-07-16 2003-03-07 Applied Materials Inc デュアルウエハロードロック
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KR20050117329A (ko) * 2004-06-10 2005-12-14 삼성전자주식회사 유량제어기를 갖는 반도체 제조장치의 로드록 챔버

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