KR100868632B1 - 이미지센서 및 그 제조방법 - Google Patents
이미지센서 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100868632B1 KR100868632B1 KR1020070047587A KR20070047587A KR100868632B1 KR 100868632 B1 KR100868632 B1 KR 100868632B1 KR 1020070047587 A KR1020070047587 A KR 1020070047587A KR 20070047587 A KR20070047587 A KR 20070047587A KR 100868632 B1 KR100868632 B1 KR 100868632B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- region
- electron transfer
- transistor
- photodiode
- transfer gate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 74
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이미지센서는 기판상에 형성된 소자분리영역과 액티브 영역; 상기 액티브 영역에 형성된 포토다이오드 영역과 트랜지스터 영역; 상기 액티브 영역에 형성된 전자전달 트랜지스터; 및 상기 전자전달 트랜지스터와 전기적으로 연결되며 상기 전자전달 트랜지스터의 측면의 상기 포토다이오드 영역과 상기 소자분리영역의 경계에 형성된 전자전달 게이트;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이미지센서, 씨모스 이미지센서, 포토다이오드
Description
도 1 내지 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지센서의 제조공정도.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지센서의 평면도.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 이미지센서의 평면도.
본 발명의 실시예는 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게 전하결합소자(charge coupled device: CCD)와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)(CIS)로 구분된다.
씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
종래기술에 의한 CIS소자는 빛 신호를 받아서 전기 신호로 바꾸어 주는 포토 다이오드(Photo Diode) 영역(미도시)과, 이 전기 신호를 처리하는 트랜지스터 영역(미도시)으로 구분할 수 있다.
한편, CMOS 이미지 센서는 포토다이오드(photodiode)에 빛이 입사하고 이 빛에 의해 발생하는 전자를 전압으로 바꿔주는 소자이다. 포토다이오드에 생성되는 전자는 4Tr일 경우 전송트랜지스터(transfer transistor)(Tx), 3Tr일 경우 리셋(reset transistor)(Rx)를 통해 전자를 전송하게 되는데 이러한 트랜지스터의 특성에 따라 전자의 전달 특성이 달라진다.
특히 전자가 트랜지스터와 거리가 멀 경우 미처 전달되지 못하는 전자들이 발생하게 되어 이미지를 만들어 내는데 영향을 미치게 된다.
본 발명의 실시예는 전자의 전달 특성이 개선될 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이미지센서는 기판상에 형성된 소자분리영역과 액티브 영역; 상기 액티브 영역에 형성된 포토다이오드 영역과 트랜지스터 영역; 상기 액티브 영역에 형성된 전자전달 트랜지스터; 및 상기 전자전달 트랜지스터와 전기적으로 연결되며 상기 전자전달 트랜지스터의 측면의 상기 포토다이오드 영역과 상기 소자분리영역의 경계에 형성된 전자전달 게이트;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이미지센서의 제조방법은 기판상에 액티브 영역과 소자분리영역을 정의하는 단계; 상기 액티브 영역에 포토다이오드 영역과 트랜지스터영역을 형성하는 단계; 상기 소자분리영역과 상기 포토다이오드 영역의 경계에 선택적으로 전자전달 게이트를 형성하는 단계; 및 상기 전자전달 게이트와 연결하여 상기 트랜지스터영역 상에 전자전달 트랜지스터를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명의 실시예에 의하면 전자전송기능을 하는 트랜지스터의 측면에 전자전달 통로를 형성함으로써 전자의 전달 특성이 현저히 개선될 수 있으며, 포토다이오드에 생성된 전자를 미리 모이게 하므로 전송되지 못하는 전자가 없어지므로 이미지 래깅(Image lagging) 특성이 개선될 수 있고, 유실되는 전자가 감소하므로 저조도 특성 또한 개선될 수 있는 장점이 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명의 실시 예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/아래(on/under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/아래는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
(제1 실시예)
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지센서 단면도이다.
본 발명의 실시예는 트랜지스터의 개수에 따라 1Tr형, 2Tr형, 3Tr형, 4Tr형, 5Tr형 등에 적용이 가능하다.
예를 들어, 3Tr형은 1개의 포토다이오드와 3개의트랜지스터(리셋트랜지스터, 드라이브트랜지스터, 셀렉트랜지스터)로 구성되며, 4Tr형은 1개의 포토다이오드와 4개의 트랜지스터(트랜스퍼트랜지스터, 리셋트랜지스터, 드라이브트랜지스터, 셀렉트랜지스터)로 구성된다.
본 발명의 실시예는 3Tr형 또는 4Tr형에 대해 예를 들어 설명하나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지센서(도 5 참조)는 기판(110)(도 3 참조)상에 형성된 소자분리영역(120)과 액티브 영역(145); 상기 액티브 영역(145)에 형성된 포토다이오드 영역(130)과 트랜지스터 영역(140); 상기 액티브 영역(145)에 형성된 전자전달 트랜지스터(150); 및 상기 전자전달 트랜지스터(150)와 전기적으로 연결되며 상기 전자전달 트랜지스터(150)의 측면의 상기 포토다이오드 영역(130)과 상기 소자분리영역(120)의 경계에 형성된 전자전달 게이트(152);를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 전자전달 트랜지스터(150)는 4Tr형의 경우 트랜스퍼 트랜지스터일 수 있으며, 상기 전자전달 게이트(152)는 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 양측에 형성될 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지센서에 의하면 전자전송기능을 하는 트랜지스터의 측면에 전자전달 통로를 할 수 있는 전자전달 게이트를 형성함으로써 전자의 전달 특성이 현저히 개선될 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 의하면 포토다이오드에 생성된 전자를 미리 모이게 하므로 전송되지 못하는 전자가 없어지므로 이미지 래깅(Image lagging) 특 성이 개선될 수 있다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 의하면 유실되는 전자가 감소하므로 저조도 특성 또한 개선될 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지센서의 제조공정을 설명한다.
우선, 도 1과 같이 기판(110)상에 액티브 영역(145)과 소자분리영역(120)을 정의한다. 상기 소자분리영역(120)은 얕은 소자분리막(Shallow Trench Isolation: STI) 또는 로코스(LOCOS) 등으로 형성할 수 있다.
이후, 상기 액티브 영역(145)에 포토다이오드 영역(130)과 트랜지스터영역(140)을 형성한다. 상기 포토다이오드 영역(130)은 포토다이오드가 형성되는 영역이며, 트랜지스터 영역(140)은 각종 트랜지스터가 형성될 영역이다. 상기 포토다이오드 영역(130)과 상기 트랜지스터 영역(140)에는 소정의 이온주입이 이루어진다.
다음으로, 도 2와 같이 상기 소자분리영역(120)과 상기 포토다이오드 영역(130)의 경계를 선택적으로 노출하는 제1 감광막(210)을 형성한다.
다음으로, 도 3과 같이 상기 제1 감광막(210)을 식각마스크로 하여 상기 노출된 포토다이오드 영역(130)의 일부를 식각하여 제1 디봇(D1)을 형성한다.
도 3은 도 2의 I-I'선에 따른 단면도이다. 이때, I-I'선에서 I영역에 식각에 의해 형성되는 제1 디봇(D1)은 식각이 발생하지 않은 영역(I')의 제2 디봇(D2)에 비해 홈의 깊이가 깊다.
상기 소자분리 영역(120)의 깊이가 약 0.3 내지 0. 4㎛ 인 경우, 상기 제1 디봇(D1)의 깊이는 약 0.1㎛ 이하가 됨으로써 상기 제1 디봇(D1)에 후술하는 전자전달 게이트(152)를 적당한 깊이까지 형성하여 우수한 전자전달 효과를 하면서도 전자전달 트랜지스터(150)의 채널에는 영향을 미치지 않을 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 디봇(D1)의 깊이는 0.01 내지 0.1 ㎛ 이하 일 수 있다.
다음으로, 도 4와 같이 상기 식각된 포토다이오드 영역(130)에 전자전달 게이트(152)를 형성한다.
상기 전자전달 게이트(152)는 전자를 효과적으로 전달할 수 있는 전도체로서 구리, 알루미늄, 은 등이 가능하며, 본 발명의 실시예에서는 폴리 실리콘을 예로 들고 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
예들 들어, 폴리실리콘을 증착시킨 후 평탄화공정 예를 들어, CMP 공정 혹은 건식식각에 의한 에치백(Etch-back) 시키면 도 4와 같이 제1 디봇(D1)에는 폴리실리콘이 남게되어 전자전달 게이트(152)가 형성된다.
다음으로, 도 5와 같이 상기 전자전달 게이트(152)와 연결하여 상기 포토다이오드 영역(130) 상에 전자전달 트랜지스터(150)를 형성한다. 이때, 본 발명의 제1 실시예에서는 상기 전자전달게이트(152)를 형성 후 전자전달 트랜지스터(150)를 형성하는 공정을 예로 들고 있으나, 전자전달 트랜지스터(150)를 형성 후 전자전달게이트(152)를 형성하는 공정도 가능하다.
예들 들어, 게이트 절연막(미도시)를 형성한 후, 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극으로 사용될 전도체, 예들 들어 폴리실리콘을 패터닝하면 도 5와 같이 트랜스퍼 트랜지스터인 전자전달 트랜지스터(150)가 형성되고, 그 양 옆으로 도 4에서 형성시킨 제1 디봇(D1)내의 전자전달 게이트(152)와 연결되게 된다.
결과적으로 트랜스퍼 트랜지스터인 전자전달 트랜지스터(150)에 전압이 인가되어 트랜지스터가 온(on)되기 전에, 제1 디봇(D1)에 채워진 전자전달 게이트(152)로 인해 전자전달 트랜지스터(150)의 채널(channel)보다 앞서 인버전(inversion)이 발생하고, 전자전달 게이트(152)에 포토다이오드 영역(130)에서 생성된 전자가 미리 모이게 된다.
이렇게 모인 전자들은 전자전달 트랜지스터(150)가 완전히 온(on)되면 전자전달 트랜지스터(150)의 채널(channel)을 통해 전달되게 된다.
본 발명의 제1 실시예에 의하면 포토다이오드에 생성된 전자를 미리 모이게 하므로 전송되지 못하는 전자가 없어지므로 이미지 래깅(Image lagging) 특성이 개선될 수 있다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 의하면 유실되는 전자가 감소하므로 저조도 특성 또한 개선될 수 있다.
(제2 실시예)
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지센서의 평면도이다.
본 발명의 제2 실시예는 제1 실시예와 달리 3Tr 씨모스 이미지센서 등에서 전자전송 트랜지스터의 형성위치가 다른 경우이다.
본 발명의 제2 실시예에서 상기 전자전달 트랜지스터는 리셋 트랜지스터(160)일 수 있으며,
전자전달 게이트(162)는 상기 리셋 트랜지스터(160)의 일측 및 상기 트랜지스터 영역(140)과 상기 소자분리영역(120)의 경계에도 형성될 수 있다.
본 발명의 제2 실시예는 상기 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있다.
본 발명의 제2 실시예는 리셋 트랜지스터(160)의 일측 및 상기 트랜지스터 영역(140)과 상기 소자분리영역(120)의 경계에도 전자전달 게이트(162)가 형성됨으로써 포토다이오드 영역(130)에서 모인 전자들을 더욱 효율적으로 전자전송 트랜지스터로 전송함으로써 전자의 전달 특성이 현저히 개선될 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 제2 실시예에 의하면 포토다이오드에 생성된 전자를 미리 모이게 하므로 전송되지 못하는 전자가 없어지므로 이미지 래깅(Image lagging) 특성이 개선될 수 있으며, 유실되는 전자가 감소하므로 저조도 특성 또한 개선될 수 있다.
(제3 실시예)
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 이미지센서의 평면도이다.
본 발명의 제3 실시예는 제1 실시예와 달리 전자전달 게이트(154)가 상기 포토다이오드 영역(130)과 상기 소자분리영역(120)의 경계선의 전체 영역에 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제3 실시예는 상기 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있다.
본 발명의 제3 실시예는 전자전달 게이트(154)가 상기 포토다이오드 영 역(130)과 상기 소자분리영역(120)의 경계선의 전체 영역에 형성됨으로써 포토다이오드 영역(130)에서 모인 전자들을 더욱 효율적으로 전자전송 트랜지스터로 전송함으로써 전자의 전달 특성이 현저히 개선될 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 제3 실시예에 의하면 포토다이오드에 생성된 전자를 미리 모이게 하므로 전송되지 못하는 전자가 없어지므로 이미지 래깅(Image lagging) 특성이 개선될 수 있으며, 유실되는 전자가 감소하므로 저조도 특성 또한 개선될 수 있다.
본 발명은 전술한 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 하기 된 청구항의 권리범위에 속하는 범위 안에서 다양한 다른 실시예가 가능하다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법에 의하면 전자전송기능을 하는 트랜지스터의 측면에 전자전달 통로를 형성함으로써 전자의 전달 특성이 현저히 개선될 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 의하면 포토다이오드에 생성된 전자를 미리 모이게 하므로 전송되지 못하는 전자가 없어지므로 이미지 래깅(Image lagging) 특성이 개선될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 의하면 유실되는 전자가 감소하므로 저조도 특성 또한 개선될 수 있다.
Claims (8)
- 기판상에 형성된 소자분리영역과 액티브 영역;상기 액티브 영역에 형성된 포토다이오드 영역과 트랜지스터 영역;상기 트랜지스터 영역에 형성된 전자전달 트랜지스터; 및상기 전자전달 트랜지스터와 전기적으로 연결되며 상기 전자전달 트랜지스터의 측면의 상기 포토다이오드 영역과 상기 소자분리영역의 경계에 형성된 전자전달 게이트;를 포함하며,상기 전자전달 게이트는상기 포토다이오드 영역과 상기 소자분리영역의 경계가 일부 제거된 홈에 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제1 항에 있어서,상기 전자전달 트랜지스터는 트랜스퍼 트랜지스터이며,상기 전자전달 게이트는 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 양측에 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제1 항에 있어서,상기 전자전달 트랜지스터는 리셋 트랜지스터이며,상기 전자전달 게이트는 상기 리셋 트랜지스터의 일측 및 상기 트랜지스터 영역과 상기 소자분리영역의 경계에도 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제1 항에 있어서,상기 전자전달 게이트는상기 포토다이오드 영역과 상기 소자분리영역의 경계선의 전체 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 기판상에 액티브 영역과 소자분리영역을 정의하는 단계;상기 액티브 영역에 포토다이오드 영역과 트랜지스터영역을 형성하는 단계;상기 소자분리영역과 상기 포토다이오드 영역의 경계에 선택적으로 전자전달 게이트를 형성하는 단계; 및상기 전자전달 게이트와 연결하여 상기 트랜지스터영역 상에 전자전달 트랜지스터를 형성하는 단계;를 포함하며,상기 전자전달 게이트를 형성하는 단계는,상기 포토다이오드 영역과 상기 소자분리영역의 경계가 일부 제거된 홈에 전자전달 게이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
- 제5 항에 있어서,상기 소자분리영역과 상기 포토다이오드 영역의 경계에 선택적으로 전자전달 게이트를 형성하는 단계는,상기 소자분리영역과 상기 포토다이오드 영역의 경계를 선택적으로 노출하는 제1 감광막을 형성하는 단계;상기 제1 감광막을 식각마스크로 하여 상기 노출된 포토다이오드 영역의 일부를 식각하는 단계;상기 식각된 포토다이오드 영역에 전자전달 게이트 물질을 형성하는 단계; 및상기 전자전달 게이트 물질을 평탄화하여 상기 식각된 포토다이오드 영역에 전자전달 게이트를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조방법.
- 제5 항에 있어서,상기 소자분리영역과 상기 포토다이오드 영역의 경계에 선택적으로 전자전달 게이트를 형성하는 단계는,상기 소자분리영역과 상기 트랜지스터 영역의 경계에도 선택적으로 전자전달 게이트를 더 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
- 제5 항에 있어서,상기 소자분리영역과 상기 포토다이오드 영역의 경계에 선택적으로 전자전달 게이트를 형성하는 단계는,상기 포토다이오드 영역과 상기 소자분리영역의 경계선의 전체 영역에 전자전달 게이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070047587A KR100868632B1 (ko) | 2007-05-16 | 2007-05-16 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070047587A KR100868632B1 (ko) | 2007-05-16 | 2007-05-16 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100868632B1 true KR100868632B1 (ko) | 2008-11-12 |
Family
ID=40284197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070047587A KR100868632B1 (ko) | 2007-05-16 | 2007-05-16 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100868632B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020103594A1 (zh) * | 2018-11-22 | 2020-05-28 | 宁波飞芯电子科技有限公司 | 一种像素单元、传感器以及传感阵列 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060020941A (ko) * | 2004-09-01 | 2006-03-07 | 엠텍비젼 주식회사 | 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃 |
| KR20060034926A (ko) * | 2004-10-20 | 2006-04-26 | 삼성전자주식회사 | 비평면 구조의 트랜지스터를 구비한 ｃｍｏｓ 이미지 센서및 그 제조 방법 |
-
2007
- 2007-05-16 KR KR1020070047587A patent/KR100868632B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060020941A (ko) * | 2004-09-01 | 2006-03-07 | 엠텍비젼 주식회사 | 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃 |
| KR20060034926A (ko) * | 2004-10-20 | 2006-04-26 | 삼성전자주식회사 | 비평면 구조의 트랜지스터를 구비한 ｃｍｏｓ 이미지 센서및 그 제조 방법 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020103594A1 (zh) * | 2018-11-22 | 2020-05-28 | 宁波飞芯电子科技有限公司 | 一种像素单元、传感器以及传感阵列 |
| CN111211138A (zh) * | 2018-11-22 | 2020-05-29 | 宁波飞芯电子科技有限公司 | 一种像素单元、传感器以及传感阵列 |
| CN111211138B (zh) * | 2018-11-22 | 2023-11-24 | 宁波飞芯电子科技有限公司 | 一种像素单元、传感器以及传感阵列 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100748342B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| KR100720503B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100619396B1 (ko) | 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| JP4384113B2 (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサ | |
| US20080157141A1 (en) | Cmos device and method of manufacturing the same | |
| US10510542B2 (en) | Gate electrodes with notches and methods for forming the same | |
| TWI381481B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
| CN108630713A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| US7598553B2 (en) | CMOS image sensor and method of manufacturing thereof | |
| JP2009071310A (ja) | イメージセンサー及びその製造方法 | |
| US8071417B2 (en) | Image sensor and fabrication method thereof | |
| US20070145443A1 (en) | CMOS Image Sensor and Method of Manufacturing the Same | |
| US8154095B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| KR100868632B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100708866B1 (ko) | 이미지 센서의 제조 방법 | |
| US20100164046A1 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| KR100640977B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| KR100850859B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| US20090050892A1 (en) | Cmos image sensor and method for manufacturing the same | |
| KR20140006595A (ko) | 씨모스 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| US20100079639A1 (en) | Image Sensor and Method for Manufacturing the Same | |
| CN101715074A (zh) | 图像传感器及其制造方法 | |
| KR20070071018A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100870823B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100718776B1 (ko) | 시모스 이미지센서 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20111020 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121026 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |