KR20060020941A - 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포토다이오드가 부정형 도형의 형상으로 형성되고, 트랜스퍼 트랜지스터 및 리셋 트랜지스터의 액티브 영역이 상기 포토다이오드의 일측면으로부터 일자형으로 확장되어 구비되는 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃에 관한 것으로, 단위 화소 내에서 포토다이오드의 점유 영역을 최대화하여 이미지 센서의 특성을 향상시킬 수 있다.
이미지 센서, 수광부, 화소, 포토다이오드

Description

이미지 센서의 단위 화소 레이아웃{Unit pixel layout of image sensor}
도 1은 종래 기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위 화소의 회로도.
도 2는 종래 기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위 화소의 레이아웃을 나타낸 평면도.
도 3은 종래 기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위 화소의 A-A' 단면을 도시한 단면도.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃을 나타낸 평면도.
도 5는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃을 나타낸 평면도.
도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 금속 배선 상태를 나타낸 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
410 : 포토다이오드 영역
420 : 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘
430 : 플로팅 확산 영역
440 : 리셋 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘
450 : 드라이브 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘
460 : 셀렉트 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘
본 발명은 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃에 관한 것으로, 특히 수광부의 면적을 최대화하고, 데이터 리드시 포토다이오드의 노이즈를 최소화하여 화질을 개선할 수 있는 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃에 관한 것이다.
일반적으로 이미지 센서라 함은 광학 영상(Optical image)을 전기 신호로 변환하는 반도체 소자이다. 이중, 전하결합소자(CCD : Charge Coupled Device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 커패시터가 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 커패시터에 저장되고 이동되는 소자이며, CMOS(Complementary MOS) 이미지 센서는 제어 회로 및 신호 처리 회로를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수만큼의 MOS 트랜지스터를 만들고 이를 이용하여 차례차례 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
CMOS 이미지 센서는 아날로그 또는 디지털 TV나 비디오(Video) 등을 주축으로 하는 종래의 이미지 센서 시장에서의 성장뿐 아니라 휴대용 전화기, 디지털 일 렉트릭 스틸 카메라(Digital Electric Still Camera) 등의 성장에 비례하여 그 수요가 점차 증대되고 있다.
일반적으로 종래의 CMOS 이미지 센서의 단위 화소(Unit Pixel)는 하나의 정방형 포토다이오드(PD : Photodiode)와 4개의 NMOS 트랜지스터(트랜스퍼 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 셀렉트 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터)로 구성된다.
그러나, 종래의 CMOS 이미지 센서의 단위 화소는 빛이 입사되어 광전하가 생성될 포토다이오드의 영역이 정방형을 이루고 있어 광전하 전달 효율이 떨어지는 문제점이 있었다. 즉, 포토다이오드에 모여진 광전하는 트랜스퍼 트랜지스터가 턴-온(Turn-On)되면서 플로팅 확산(FD : Floating Diffusion) 영역으로 전달되는데, 정방형 포토다이오드의 모서리 부위에서는 전계가 약하게 걸려 이 지역의 광전하가 플로팅 확산 영역으로 원활하게 전달되지 못하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점은 결국 화질 저하의 원인이 된다.
또한, 종래의 CMOS 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃은 플로팅 확산 영역이 큰 커패시턴스(Capacitance)를 가지고 있어 데이터 변환 효율(Data Conversion Gain , 광전하 한 개가 만들 수 있는 전압의 변화)이 감소되고, 결과적으로 화질 저하의 원인이 되는 문제점도 있었다. 왜냐하면 전압 변화가 크기 위해서는 동일한 광전하량일 때 보다 적은 커패시턴스값을 요구하기 때문이다.
또한, 종래의 CMOS 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃은 리셋 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘, 드라이버 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘 및 셀렉트 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘 등을 포토다이오드 영역에 근접시켜 수광부의 면적을 넓게 구성하였다. 그러나, 이러한 종래의 단위 화소 레이아웃은 데이터를 읽을 때 포토다이오드에 노이즈가 발생하여 화질을 저하시키는 문제점이 있었다. 또한, 이러한 종래의 CMOS 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃은 공정의 마진을 감소시켜 이미지 센서 제품 수율을 낮추는 원인이 된다.
따라서, 상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 단위 화소 내에서 포토다이오드의 점유 영역을 최대화하여 이미지 센서의 특성을 향상시킬 수 있는 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘 영역이 포토 다이오드의 형상에 상응하여 변경되어 포토다이오드와의 오버랩(overlap) 정도를 달리하여 광전하 전달 효율을 최대화할 수 있는 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 플로팅 확산 영역의 위치를 일자형으로 배치하여 면적을 최소화하고, 포토다이오드 영역이 셀렉트 트랜지스터 및 드라이버 트랜지스터와 원거리에 배치되도록 하여 화질을 개선할 수 있는 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃을 제공하는 것이다.
상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 광전하를 생 성하는 포토다이오드를 구비한 이미지 센서의 단위 화소에 있어서, 상기 포토다이오드가 부정형 도형의 형상으로 형성되고, 트랜스퍼 트랜지스터 및 리셋 트랜지스터의 액티브 영역이 상기 포토다이오드의 일측면으로부터 일자형으로 확장되어 구비되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 단위 화소가 제공된다.
상기 부정형 도형은 복수의 꼭지점으로 구성되고, 각각의 꼭지점은 직선으로 연결되는 것을 특징으로 한다.
상기 이미지 센서의 단위 화소는 상기 포토다이오드에 생성된 광전하를 플로팅 확산(FD) 영역으로 전달하는 상기 트랜스퍼 트랜지스터가 상기 포토다이오드의 둘 이상으로 측면에 접하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 이미지 센서의 단위 화소는 상기 포토다이오드의 영역과 오버랩되는 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 일 부분이 사다리꼴 형태로 확장되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 이미지 센서의 단위 화소는 셀렉터 트랜지스터와 드라이버 트랜지스터의 액티브 영역이 상기 포토다이오드의 일측면에서 등거리로 이격되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 이미지 센서의 단위 화소는 두 개층의 배선으로 이루어지고, 상기 포토다이오드의 외곽선을 기준으로 각각 배열되는 금속 배선을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 포토다이오드, 금속 배선, 칼라 필터 및 마이크로 렌즈를 포함하는 이미지 센서의 단위 화소에 있어서, 상기 포토다 이오드가 부정형 도형의 형상으로 형성되고, 상기 금속 배선은 상기 포토다이오드의 외곽선을 기준으로 배열되며, 상기 칼라 필터 및 상기 마이크로 렌즈는 상기 포토다이오드상에 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 단위 화소가 제공된다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 종래 기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위 화소의 회로도이고, 도 2는 종래 기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위 화소의 레이아웃을 나타낸 평면도이며, 도 3은 종래 기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위 화소의 A-A' 단면을 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 일반적으로, CMOS 이미지 센서의 단위 화소(Unit Pixel)는 하나의 포토다이오드(PD : Photodiode, 110)와 네 개의 NMOS(즉, 트랜스퍼 트랜지스터(Tx : Transfer transistor, 120), 리셋 트랜지스터(Rx : Reset Transistor, 140), 드라이브 트랜지스터(Dx : Drive Transistor, 150), 셀렉트 트랜지스터(Sx : Select Transistor, 160))로 구성된다.
트랜스퍼 트랜지스터(120)는 포토다이오드(110)에 집속된 광전하(Photo-generated charge)를 플로팅 확산 (FD : Floating Diffusion) 영역(130)으로 운송하기 위한 수단이고, 리셋 트랜지스터(140)는 원하는 값으로 노드의 전위를 세팅하고 전하를 배출하여 플로팅 확산 영역(130)을 리셋(Reset)시키기 위한 수단이다. 드라이브 트랜지스터(150)는 소스 팔로워 버퍼 증폭기(Source Follower Buffer Amplifier) 역할을 수행하고, 셀렉트 트랜지스터(160)는 스위칭 역할로 어드레싱(Addressing)을 수행한다.
여기서, 트랜스퍼 트랜지스터(120) 및 리셋 트랜지스터(140)는 네이티브 트랜지스터(Native NMOS)를 이용하고 드라이브 트랜지스터(150) 및 셀렉트 트랜지스터(160)는 일반적인 트랜지스터(Normal NMOS)를 이용하며, 리셋 트랜지스터(140)는 CDS(Correlated Double Sampling)를 위한 트랜지스터이다.
도 1에 도시된 바와 같이, CMOS 이미지 센서의 단위 화소(Unit Pixel)는 네이티브 트랜지스터(Native Transistor)를 사용하여 포토다이오드(110) 영역에서 가시광선 파장 대역의 광을 감지한 후 축적한 광전하(Photogenerated charge)를 플로팅 확산 영역(130)으로 운송하고, 결과적으로 드라이브 트랜지스터(150)의 게이트로 전달한 광전하량을 출력단(Vout)을 통해 전기적 신호로 출력한다.
도 2에는 상술한 회로 구성을 가지는 CMOS 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 평면도가 도시되어 있다.
도 2를 참조하면, 포토다이오드 영역(110)은 정방형으로 구성되고, 트랜스퍼 트랜지스터(120)의 게이트 폴리실리콘의 일 측면이 포토다이오드(110)가 형성된 활성 영역의 일측면에 접하여 구성된다. 포토다이오드 영역(110)과 트랜스퍼 트랜지스터(120)의 게이트 폴리실리콘간에는 일정 영역의 오버랩(overlap)이 형성되고, 트랜스퍼 트랜지스터(120)의 게이트 전극의 타 측면 아래 활성 영역에는 플로팅 확산 영역(130)이 형성된다. 포토다이오드(110)는 상대적으로 넓은 면적을 갖고 포토 다이오드(110)로부터 플로팅 확산 영역(130)으로는 병목 효과(bottle neck effect)를 주면서 그 면적이 좁아진다.
또한, 플로팅 확산 영역(130)을 중심으로 90도 꺽여 리셋 트랜지스터(245)의 게이트전극, 드라이브 트랜지스터(150)의 게이트 전극, 셀렉트 트랜지스터(160)의 게이트전극이 소정 간격을 두고 활성 영역 상부를 가로지르면서 배열된다.
CMOS 이미지 센서의 단위 화소는 일반적으로 M1 콘택(Contact)이라 불리우는 다수의 콘택을 구비한다. 구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 트랜스퍼 트랜지스터(120)의 게이트 콘택(Tx CT, 225), 출력단 콘택(Output CT, 280), 전원 전압단 콘택(VDD CT, 290), 플로팅 확산 영역 콘택(FD CT, 235), 드라이브 트랜지스터의 게이트 콘택(Dx CT, 255) 등이 있다. 이중 출력단 콘택(Output CT, 280)과 플로팅 확산 영역 콘택(FD CT, 235)은 필드 산화막 및 게이트에 에워싸여 공정 진행시 오버랩 마진이 부족한 콘택이다.
도 3에는 도 2의 A-A' 단면을 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하면, p형 기판(310)에 p형 에피층(315)이 에피택셜 성장되고, p형 에피층(315)에 소자간 격리를 위한 필드 산화막(320)이 형성되며, p형 에피층(315)상에 스페이서(325)가 양측 벽에 형성된 각 트랜지스터(즉, 트랜스퍼 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터, 셀렉트 트랜지스터)의 각 게이트 전극(330a, 330b, 330c, 330d)이 소정 간격을 두고 배열된다. 필드 산화막(320)의 일측 에지와 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트전극(330a)의 일측 에지에 정렬되면서 p형 에피층(315) 내부에 깊은(deep) n_ 확산층(340)이 형성되고, 깊은 n_ 확산층(340) 상부와 p형 에피층(315) 표면 하부에 스페이서(325)에 정렬되면서 얕은 po 확산층(345)이 형성된다.
이후, 깊은 n_ 확산층(16)과 얕은 po 확산층(18)으로 이루어진 포토다이오드(PD)가 형성되고, 트랜스퍼 게이트(330a)의 타측에 형성된 스페이서(325)에 정렬되면서 p형 에피층(315) 내에 플로팅 확산 영역(350)이 형성된다.
또한, 드라이브 트랜지스터(Dx)와 셀렉트 트랜지스터(Sx)는 p형 웰(355)에 의해 이웃한 트랜지스터들과 격리되고, 리셋 트랜지스터(Rx)와 드라이브 트랜지스터(Dx) 사이의 공통 소스/드레인영역(360)은 전원 전압단(VDD)이고, 셀렉트 트랜지스터(Sx)의 소스 영역(365)은 출력단(output)이다.
드라이브 트랜지스터(Dx)와 셀렉트 트랜지스터(Sx)의 공통 소스/드레인 영역(22)을 포함한 셀렉트 트랜지스터(Sx)의 소스 영역(365), 드라이브 트랜지스터(Dx)의 드레인 영역(360)은 LDD(Lightly Doped Drain) 구조의 소스/드레인 영역이다. 한편, 드라이브 트랜지스터(Dx)의 드레인 영역(360)과 공통 소스/드레인 영역을 이루는 리셋 트랜지스터의 소스 영역(360)은 LDD 구조가 아니다.
상술한 바와 같이, 전압 변화량에 관한 주지의 공식이 ΔV = ΔQ /C이므로, 동일한 광전하량(ΔQ)에 대해 보다 큰 전압 변화량을 얻기 위해서는 플로팅 확산 영역의 커패시턴스(C)가 작아야 한다. 결국, 플로팅 확산 영역에서 전압 변화량(ΔV)은 전압 민감도(Voltage sensitivity)를 나타내며 이는 단위 화소 출력단의 구동 범위의 크기를 결정하고, 이 구동 범위는 입사된 광에 의한 전기적 신호의 변별력을 결정한다. 따라서, 점차 소형화되어가는 단위 화소에서는 플로팅 확산 영역에서의 전압 변화량을 크게 가져갈 수 없어 단위 화소 출력단의 구동 범위도 제한된다.
이제까지 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 종래의 CMOS 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃은 상술한 문제점을 내재하고 있는 것이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃을 나타낸 평면도이고, 도 5는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃을 나타낸 평면도이며, 도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 금속 배선 상태를 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃은 앞서 설명한 종래의 단위 화소 레이아웃과 달리 포토다이오드 영역(410)이 부정형 도형의 형상으로 구성되고, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘(420)이 포토다이오드 영역(410) 외곽의 두 면 이상과 오버랩(overlap)된다. 포토다이오드 영역(410)을 부정형 도형의 형상으로 구성한 이유는 정방형 포토다이오드의 모서리부분에서 전계가 약하게 걸려 플로팅 확산 영역(430)으로 광전하가 효율적으로 전달되지 못하는 문제점을 해소(도 4의 영역 c 참조)하고 수광부의 면적 비율을 최대화하여 이미지 센서의 특성을 향상시키기 위한 것이다. 따라서, 하기의 사항을 만족하는 전제하에서 포토다이오드 영역(410)을 최대화할 수 있는 부정형 도형의 형상이라면 아무런 제한없이 다양하게 구성할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃은 플로팅 확산 영역(430)의 위치를 중앙에서 일자형으로 배치하여 면적을 최소한으로 유지하고 있으며, 리셋 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘(440)의 활성 영역이 포토다이오드 영역(410)으로부터 한쪽 방향으로 확장되어 플로팅 확산 영역을 최소화하도록 구성된다. 이와 같이, 리셋 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘(440)의 활성 영역을 구성함으로써, 본 발명에 따른 단위 화소 레이아웃은 커패시턴스값을 최소화할 수 있고, 결과적으로 동일한 광전하량에 대한 전압 변화량을 크게 하여 데이터 변환 효율을 극대화할 수 있다.
또한 본 발명에 따른 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃은 포토다이오드 영역(410)이 드라이브 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘(450) 및 셀렉트 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘(460)과 일정 거리를 유지하도록 구성된다. 이와 같이, 포토다이오드 영역(410)에서 셀렉트 트랜지스터와 드라이버 트랜지스터를 이격적으로 배치함으로써, 데이터 리드(read)시 포토다이오드(410)로 노이즈 성분이 유입되지 않아 전반적인 화질 개선이 가능하다. 또한, 이와 같은 형태는 단위 화소 레이아웃은 공정 마진을 향상시켜 제조 공정을 수월하게 하고 제조 수율 향상을 도모할 수 있게 한다.
또한, 본 발명에 따른 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃에서 포토다이오드 영역(410)과 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘(420)의 오버랩 정도는 포토다이오드 영역(410)의 형태에 따라 a, b와 같이 가변할 수 있다. 이는 오버랩 정도가 크면 수광 영역이 좁아지며, 오버랩 정도가 작으면 광전하의 전송 효율이 낮아 짐을 방지하기 위한 것이다. 또한, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘(420)이 장방형 형태로 구성되는 경우 모서리 부분에서 전계가 집중될 수 있으므로 이를 방지하기 위해 모서리의 형태를 영역 d와 같이 처리할 수 있다. 다만, 본 발명에 따른 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃은 전송 효율이 열화될 가능성이 있는 포화 특성을 고려하여 도 5의 영역 e에 도시된 바와 같이 오버랩 정도를 가변하되 부분적으로 적용키 위해(즉, 오버랩은 존재하나 수광 영역의 감소를 최소화하기 위해) 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘(430)의 일정 부분의 형태를 변경할 수 있다. 이 경우에도 포화 특성, 전계 효과 등을 고려하여 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘(430)의 변경 형태를 장방형이 아닌 다각형(예를 들어, 사다리꼴)의 형태로 구현할 수 있다.
도 6에는 포토다이오드 영역(410)과 제1 금속 배선(610) 및 제2 금속 배선(620)간의 관계가 도시되어 있다. 각 금속 배선(610, 620)이 수광 영역을 감소시키지 않도록 포토다이오드 영역(410)의 외곽선을 따라 구비됨을 알 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃은 수광 영역이 최대가 되도록 구현된다. 종래에도 수광 영역의 최대 확보를 위해 팔각형 등의 형태로 포토다이오드 영역(410)을 구현한 예가 있으나, 이는 모든 개발사의 요구를 신축적으로 만족할 수 없을 뿐 아니라 픽셀 사이즈가 큰 형태의 이미지 센서(예를 들어, CIF급, VGA급)에서만 적용 가능한 형태로서 최근의 소형 픽셀화 추세에는 적합하지 않은 문제점이 있었다. 그러나, 본 발명에 따른 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃은 각 개발사의 전체 픽셀 구조에 따라 신축적인 대응이 가능할 뿐 아니라 4 x 4 (단위 : 마이크로 미터) 이하의 소형 픽셀에서도 효과적으로 구현될 수 있는 특징을 가진다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 이미지 센서의 단위 화소 레이아웃은 단위 화소 내에서 포토다이오드의 점유 영역을 최대화하여 이미지 센서의 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 폴리실리콘 영역이 포토 다이오드의 형상에 상응하여 변경되어 포토다이오드와의 오버랩(overlap) 정도를 달리하여 광전하 전달 효율을 최대화할 수 있다.
또한, 본 발명은 플로팅 확산 영역의 위치를 일자형으로 배치하여 면적을 최소화하고, 포토다이오드 영역이 셀렉트 트랜지스터 및 드라이버 트랜지스터와 원거리에 배치되도록 하여 화질 개선을 가능하게 한다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 광전하를 생성하는 포토다이오드를 구비한 이미지 센서의 단위 화소에 있어서,
    상기 포토다이오드가 부정형 도형의 형상으로 형성되고, 트랜스퍼 트랜지스터 및 리셋 트랜지스터의 액티브 영역이 상기 포토다이오드의 일측면으로부터 일자형으로 확장되어 구비되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 단위 화소.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 부정형 도형은 복수의 꼭지점으로 구성되고, 각각의 꼭지점은 직선으로 연결되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 단위 화소.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 포토다이오드에 생성된 광전하를 플로팅 확산(FD) 영역으로 전달하는 상기 트랜스퍼 트랜지스터가 상기 포토다이오드의 둘 이상으로 측면에 접하여 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 단위 화소.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 포토다이오드의 영역과 오버랩되는 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 일 부분이 사다리꼴 형태로 확장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 단위 화소.
  5. 제1항에 있어서,
    셀렉터 트랜지스터와 드라이버 트랜지스터의 액티브 영역이 상기 포토다이오드의 일측면에서 등거리로 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 단위 화소.
  6. 제1항에 있어서,
    두 개층의 배선으로 이루어지고, 상기 포토다이오드의 외곽선을 기준으로 각각 배열되는 금속 배선을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 단위 화소.
  7. 포토다이오드, 금속 배선, 칼라 필터 및 마이크로 렌즈를 포함하는 이미지 센서의 단위 화소에 있어서,
    상기 포토다이오드가 부정형 도형의 형상으로 형성되고, 상기 금속 배선은 상기 포토다이오드의 외곽선을 기준으로 배열되며, 상기 칼라 필터 및 상기 마이크로 렌즈는 상기 포토다이오드상에 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 단위 화소.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 부정형 도형은 복수의 꼭지점으로 구성되고, 각각의 꼭지점은 직선으로 연결되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 단위 화소.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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