KR100867888B1 - Duct for Semiconductor Testing Handler and Testing Handler comprising the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 테스트트레이에 담겨진 반도체 소자들이 테스트 조건에 상응하는 항온으로 유지되도록 송풍장치로부터 공급되는 유체의 온도를 조절하는 온도조성부; 온도가 조절된 상기 유체가 상기 반도체 소자들에 전달되도록 테스트보드측으로 개방된 본체; 상기 본체의 내측에 설치되고, 상기 유체의 전달방향을 전환하여 상기 유체가 반도체 소자들이 상기 테스트트레이에 담겨진 각 구역별로 전달되도록 복수개의 유로를 형성하는 유로형성부; 및 상기 복수개의 유로를 통해 흐르는 상기 유체 각각의 유량을 조절하는 유량조절부를 포함하는 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트 및 이를 포함하는 테스트 핸들러에 관한 것으로서,The present invention includes a temperature composition for adjusting the temperature of the fluid supplied from the blower so that the semiconductor devices contained in the test tray is maintained at a constant temperature corresponding to the test conditions; A main body opened to a test board side such that the temperature-controlled fluid is delivered to the semiconductor devices; A flow path forming unit installed inside the main body and configured to change a flow direction of the fluid so as to form a plurality of flow paths such that the fluid is transferred to each of the regions contained in the test tray; And a duct for a semiconductor device test handler including a flow rate controller configured to adjust a flow rate of each of the fluids flowing through the plurality of flow paths.
본 발명에 따르면, 반도체 소자들이 담겨진 테스트트레이의 각 구역별로 온도가 조절된 유체의 유량을 조절하여 공급함으로써, 각 구역별로 상이한 온도로 변화된 반도체 소자들을 테스트 조건에 상응하는 항온으로 효율적으로 유지시킬 수 있으며, 그에 따라 테스트 결과의 정확성 및 수율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, by controlling the flow rate of the temperature-controlled fluid for each zone of the test tray containing the semiconductor devices, it is possible to efficiently maintain the semiconductor devices changed to a different temperature for each zone at a constant temperature corresponding to the test conditions As a result, the accuracy and yield of test results can be improved.
덕트, 핸들러, 테스트트레이, 반도체 Duct, Handler, Test Tray, Semiconductor
Description
도 1은 종래의 반도체 소자 테스트 핸들러 및 상기 핸들러와 접합하여 반도체 소자를 테스트하는 테스트장치의 구성을 개략적으로 나타낸 평면도1 is a plan view schematically illustrating a conventional semiconductor device test handler and a test apparatus for testing a semiconductor device by bonding to the handler.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트의 사시도2 is a perspective view of a duct for a semiconductor device test handler according to an embodiment of the present invention;
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트의 분해사시도3 is an exploded perspective view of a duct for a semiconductor device test handler according to an embodiment of the present invention;
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트에서 유체가 흐르는 상태를 개략적으로 나타낸 단면도Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing a fluid flow state in the duct for the semiconductor device test handler according to an embodiment of the present invention
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러 및 상기 핸들러와 접합하여 반도체 소자를 테스트하는 테스트장치의 구성을 개략적으로 나타낸 평면도FIG. 5 is a plan view schematically illustrating a configuration of a semiconductor device test handler and a test device for testing a semiconductor device by bonding to the handler according to another embodiment of the present invention; FIG.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러에서 상하로 적층되게 설치되는 덕트의 배열상태를 나타낸 사시도Figure 6 is a perspective view showing the arrangement of the duct is installed to be stacked up and down in the semiconductor device test handler according to another embodiment of the present invention
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러에서 덕트 및 콘택트푸싱유닛의 결합사시도7 is a perspective view of a combination of the duct and the contact pushing unit in the semiconductor device test handler according to another embodiment of the present invention
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
1, 1a, 1b : 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트 2, 2a, 2b : 송풍장치1, 1a, 1b: Ducts for semiconductor
3 : 온도조성부 4 : 본체 4a : 내측공간 4b : 양측벽 3: Temperature Composition Part 4:
5, 5a, 5b, 5c : 유로형성부 6, 6a, 6b : 유량조절부 7, 7a, 7b : 유로전환부5, 5a, 5b, 5c: flow
8, 8a, 8b : 지지구 21 : 회전날개 22 : 회전축 41 : 연통공 42 : 수용부 8, 8a, 8b:
42a : 홈 43 : 유량조절고정공 44 : 유량조절안내공 45 : 유로전환고정공 42a: groove 43: flow control fixed hole 44: flow control guide hole 45: flow path conversion fixed hole
46 : 유로전환안내공 47 : 지지구안내공 51 : 곡면체 46: euro conversion guide 47: support guide 51: curved body
61, 61a, 61b : 유량조절회전축 62 : 유량조절이동구 71 : 유로전환회전축 61, 61a, 61b: flow control rotation shaft 62: flow control movement port 71: flow path switching rotation shaft
72 : 유로전환이동구 10 : 반도체 소자 테스트 핸들러72: flow path switching port 10: semiconductor device test handler
11 : 차단부 12 : 분리부 13 : 제1챔버 14 : 테스트부 15 : 제2챔버 DESCRIPTION OF
16 : 테스트보드 141 : 콘택트푸싱유닛 1411 : 구동유닛 A, B, C : 유로16: test board 141: contact pushing unit 1411: drive unit A, B, C: flow path
100 : 종래의 반도체 소자 테스트 핸들러 101 : 제1챔버 102 : 테스트부
103 : 제2챔버 104 : 테스트보드 1021 : 콘택트푸싱유닛103: second chamber 104: test board 1021: contact pushing unit
본 발명은 반도체 소자 테스트용 핸들러에 관한 것으로서, 상세하게는 테스트할 복수개의 반도체 소자에 항온 조건을 만들어 주기 위한 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트 및 이를 포함하는 테스트 핸들러에 관한 것이다.The present invention relates to a handler for testing semiconductor devices, and more particularly, to a duct for a semiconductor device test handler for creating a constant temperature condition in a plurality of semiconductor devices to be tested and a test handler including the same.
일반적으로, 메모리 혹은 비메모리 반도체 소자 및 이들을 적절히 하나의 기 판상에 회로적으로 구성한 모듈 아이씨(Module IC)들은 생산 후 여러가지 테스트 과정을 거친 후 출하된다.In general, memory ICs or non-memory semiconductor devices and module ICs having them configured appropriately on a substrate are shipped after various tests after production.
상기 메모리 또는 비메모리 반도체 소자 등의 전자부품(이하, '반도체 소자'라 함)은 테스트장치에 전기적으로 접속되어 특성이 검사되는데, 상기 테스트장치에 반도체 소자들이 접속되도록 공급하는 장치가 핸들러 장치이다.Electronic components such as memory or non-memory semiconductor elements (hereinafter, referred to as "semiconductor elements") are electrically connected to a test apparatus and their characteristics are inspected. An apparatus for supplying semiconductor devices to the test apparatus is a handler apparatus. .
이와 같은 핸들러는 복수개의 반도체 소자들을 한꺼번에 테스트하고, 그 테스트 결과에 따라 등급별로 분류한다.Such a handler tests a plurality of semiconductor devices at once and classifies them according to the test results.
최근에는 상온 상태에서의 반도체 소자의 성능뿐만 아니라, 극한상태에서의 반도체 소자의 성능을 검사할 수 있도록, 전열히터 및 액화질소 분사시스템 등을 통해 고온 및 저온의 극한 상태의 환경을 조성할 수 있는 밀폐된 챔버를 구비하는 테스트 핸들러가 개발되고 있다.Recently, in order to examine not only the performance of semiconductor devices at room temperature, but also the performance of semiconductor devices in extreme conditions, an extreme temperature environment of high temperature and low temperature can be created through an electric heater and a liquid nitrogen injection system. Test handlers with closed chambers have been developed.
이를 위해 테스트될 반도체 소자들은 테스트트레이에 장착되어 테스트된다.To this end, the semiconductor devices to be tested are mounted in a test tray and tested.
상기 테스트트레이에는 보통 하나의 반도체 소자가 저장되는 케리어 모듈이 복수개 배열되어 있으며, 케리어 모듈 내에 반도체 소자가 고정 및 해제될 수 있도록 저장된다.The test tray is usually arranged with a plurality of carrier modules in which one semiconductor element is stored, and stored in the carrier module so that the semiconductor elements can be fixed and released.
도 1은 종래의 반도체 소자 테스트 핸들러 및 상기 핸들러와 접합하여 반도체 소자를 테스트하는 테스트장치의 구성을 개략적으로 나타낸 평면도이다.FIG. 1 is a plan view schematically illustrating a conventional semiconductor device test handler and a test apparatus for testing a semiconductor device by bonding to the handler.
특히, 도 1은 테스트 핸들러의 챔버부 및 상기 핸들러와 직접 접합하는 테스트장치의 테스트보드의 평면도를 도시한다. 상기 핸들러의 챔버부는 제1챔버(101), 테스트부(102), 및 제2챔버(103)를 포함한다.In particular, FIG. 1 shows a plan view of a chamber portion of a test handler and a test board of a test apparatus in direct contact with the handler. The chamber portion of the handler includes a
상기 제1챔버(101)에서 테스트트레이(T)는 한 스텝씩 이송되면서 가열 또는 냉각되고, 상기 테스트트레이(T)에 담겨진 반도체 소자들이 테스트 조건에 상응하는 온도로 조절된다.In the
상기 제1챔버(101)로부터 테스트 가능 온도로 조절된 테스트트레이(T)는 테스트부(102)로 이송된다. 이어서, 상기 테스트트레이(T)는 테스트부(102)의 일측에 형성된 콘택트푸싱유닛(1021)에 의해 테스트보드(104) 쪽으로 밀려 상기 테스트트레이(T)에 담겨진 반도체 소자들이 전기적인 테스트를 받는다.The test tray T adjusted to the testable temperature from the
상기 테스트보드(104)에 의한 반도체 소자의 전기적 테스트가 종료되면, 상기 콘택트푸싱유닛(1021)이 테스트트레이(T)로부터 해제되고, 상기 테스트트레이(T)는 제2챔버(103)로 이송된다.When the electrical test of the semiconductor device by the
상기 제2챔버(103)로 이송된 테스트트레이(T)는 제2챔버(103) 내에서 한 스텝씩 이송되면서 상온으로 복원된다.The test tray T transferred to the
여기서, 상기 테스트부(102)에 위치한 테스트트레이(T)에 담겨진 반도체 소자들은 항온으로 유지된 상태에서 테스트가 이루어져야 한다.Here, the semiconductor devices contained in the test tray T located in the
그러나, 실제적으로 테스트트레이(T)에 담겨진 반도체 소자들은 테스트트레이(T)가 상기 제1챔버(101)에서 테스트부(102)로 이송되는 도중, 상기 테스트보드(104) 측으로 이송되는 도중, 또는 테스트보드(104)에 전기적으로 접속되는 도중에 부분적인 열손실이 발생하여, 항온이 유지되지 못한 채 테스트가 이루어질 수 있다.However, in practice, the semiconductor devices contained in the test tray T may be transferred to the
이것은 하나의 테스트트레이(T)에 담겨진 반도체 소자들이라 하더라도, 그 테스트 등급을 신뢰할 수 없다는 것을 의미한다.This means that even if the semiconductor devices are contained in one test tray T, the test class is not reliable.
이러한 문제는, 반도체 소자들이 집적화되어 소형화되면서 하나의 테스트트레이(T)에 많은 수의 반도체 소자들이 담겨지게 됨에 따라 더 큰 문제로 부각되고 있다.This problem is becoming a bigger problem as semiconductor devices are integrated and miniaturized, so that a large number of semiconductor devices are contained in one test tray T.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서,The present invention has been made to solve the above problems,
본 발명의 목적은 테스트트레이에 담겨진 반도체 소자들이 테스트 조건에 상응하는 항온으로 유지된 상태에서 테스트가 수행되도록 하는 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트 및 이를 포함하는 테스트 핸들러를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a duct for a semiconductor device test handler and a test handler including the same so that the test is performed while the semiconductor devices contained in the test tray are maintained at a constant temperature corresponding to the test conditions.
본 발명의 다른 목적은 최근 반도체 소자들이 집적화되어 더 소형화되는 추세에 부응하여 정확한 테스트 결과를 도출해 낼 수 있도록 하며, 그에 따라 테스트의 신뢰성 및 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트 및 이를 포함하는 테스트 핸들러를 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to meet the trend of recent integration of semiconductor devices and to miniaturize to obtain accurate test results, and thus to include a duct for a semiconductor device test handler that can improve the reliability and yield of the test Its purpose is to provide a test handler.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트 및 이를 포함하는 테스트 핸들러는 하기와 같은 구성을 포함한다.The duct for the semiconductor device test handler and the test handler including the same according to the present invention for achieving the above object of the present invention includes the following configuration.
본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트는 테스트트레이에 담겨진 반도체 소자들이 테스트 조건에 상응하는 항온으로 유지되도록 송풍장치로부터 공급되는 유체의 온도를 조절하는 온도조성부; 온도가 조절된 상기 유체가 상기 반도체 소자들에 전달되도록 테스트보드측으로 개방된 본체; 상기 본체의 내측에 설치되고, 상기 유체의 전달방향을 전환하여 상기 유체가 반도체 소자들이 상기 테스트트레이에 담겨진 각 구역별로 전달되도록 복수개의 유로를 형성하는 유로형성부; 및 상기 복수개의 유로를 통해 흐르는 상기 유체 각각의 유량을 조절하는 유량조절부를 포함한다.A duct for a semiconductor device test handler according to an embodiment of the present invention includes a temperature composition unit configured to adjust a temperature of a fluid supplied from a blower so that semiconductor devices contained in a test tray are maintained at a constant temperature corresponding to a test condition; A main body opened to a test board side such that the temperature-controlled fluid is delivered to the semiconductor devices; A flow path forming unit installed inside the main body and configured to change a flow direction of the fluid so as to form a plurality of flow paths such that the fluid is transferred to each of the regions contained in the test tray; And a flow rate controller configured to adjust a flow rate of each of the fluids flowing through the plurality of flow paths.
따라서, 테스트트레이에 담겨진 복수개의 반도체 소자들이 각 구역별로 상이한 온도로 변화된 경우에도, 각 구역별로 상이한 유량의 유체가 전달되도록 조절하여 반도체 소자들을 테스트 조건에 상응하는 항온으로 유지시킬 수 있으며, 그에 따라 테스트 결과의 정확성 및 수율을 향상시킬 수 있다.Therefore, even when a plurality of semiconductor devices contained in the test tray are changed to different temperatures in each zone, the semiconductor devices may be maintained at a constant temperature corresponding to the test conditions by adjusting the fluid to be transferred at different flow rates in each zone. Improve the accuracy and yield of test results.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러는 테스트트레이에 담겨진 반도체 소자들을 테스트 조건에 상응하는 온도로 조절하는 제1챔버; 상기 제1챔버로부터 이송된 테스트트레이에 담겨진 반도체 소자들을 테스트보드에 접속시키는 콘택트푸싱유닛을 가지는 테스트부; 상기 콘택트푸싱유닛에 결합되고, 상기 콘택트푸싱유닛과의 결합면 사이로 유체가 누설되는 것을 차단하는 차단부를 포함하며, 상기 테스트트레이에 담겨진 반도체 소자들을 항온으로 유지시키는 덕트; 및 상기 테스트부로부터 테스트 완료된 테스트트레이를 이송받아 상온으로 복원시키는 제2챔버를 포함한다.According to another aspect of the present invention, a semiconductor device test handler includes: a first chamber configured to adjust semiconductor devices contained in a test tray to a temperature corresponding to a test condition; A test unit having a contact pushing unit for connecting semiconductor elements contained in a test tray transferred from the first chamber to a test board; A duct coupled to the contact pushing unit and including a blocking unit for preventing fluid from leaking between the mating surfaces of the contact pushing unit and maintaining the semiconductor elements contained in the test tray at a constant temperature; And a second chamber that receives the test tray that has been tested from the test unit and restores the test tray to room temperature.
따라서, 온도가 조절된 유체를 테스트트레이에 담겨진 반도체 소자들에 전달하는 과정에서 발생할 수 있는 열손실을 최소화하여, 작업의 효율성 향상 및 작업시간 지연을 최소화할 수 있다.Therefore, heat loss that may occur in the process of transferring the temperature-controlled fluid to the semiconductor devices contained in the test tray may be minimized, thereby improving work efficiency and minimizing work time delay.
여기서, 본 발명은 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트에 관한 일실시예, 및 상기 덕트를 포함하는 반도체 소자 테스트 핸들러에 관한 다른 실시예로 구분된다.Here, the present invention is divided into an embodiment of a duct for a semiconductor device test handler, and another embodiment of a semiconductor device test handler including the duct.
이하에서는 상술한 실시예 중에서 일실시예로서, 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트의 구성에 관한 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of the configuration of the duct for the semiconductor device test handler as an embodiment of the above-described embodiment will be described in detail.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트의 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트의 분해사시도이며, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트에서 유체가 흐르는 상태를 개략적으로 나타낸 단면도이다.2 is a perspective view of a duct for a semiconductor device test handler according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is an exploded perspective view of a duct for a semiconductor device test handler according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an embodiment of the present invention. A cross-sectional view schematically showing a state in which a fluid flows in a duct for a semiconductor device test handler according to an embodiment.
도 2 및 도 3을 참고하면, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트(1)는 송풍장치(2), 온도조성부(3), 본체(4), 유로형성부(5), 유량조절부(6), 유로전환부(7), 및 지지구(8)를 포함한다.2 and 3, a
상기 송풍장치(2)는 본체(4)의 외측에 결합되어 상기 본체(4)의 내측으로 유체를 공급하고, 복수개의 회전날개(21)가 구비되어 회전축(22)을 중심으로 회전하면서 상기 본체(4)의 내측으로 유체를 공급하며, 상기 유체는 공기가 이용될 수 있다.The
상기 온도조성부(3)는 본체(4)의 내측에 설치되어 송풍장치(2)로부터 공급되는 유체의 온도를 가열 또는 냉각하고, 테스트트레이에 담겨진 반도체 소자들이 테스트조건에 상응하는 항온으로 유지되도록 상기 유체의 온도를 조절하며, 전열히터 또는 액화질소분사시스템 등이 이용될 수 있다.The
상기 본체(4)는 송풍장치(2)로부터 공급받은 상기 유체를 테스트보드측으로 전달할 수 있도록 내측공간(4a)을 규정하면서 테스트보드측으로 개방되게 형성된다. 또한, 상기 본체(4)는 온도조성부(3)에 의해 온도가 조절된 유체를 상기 테스트보드측으로 전달하며, 연통공(41), 수용부(42), 유량조절고정공(43), 유량조절안내공(44), 유로전환고정공(45), 유로전환안내공(46), 및 지지구안내공(47)을 포함한다.The
상기 연통공(41)은 본체(4)의 상측에 형성된 사각판형의 관통공으로서, 상기 송풍장치(2)로부터 공급되는 유체를 상기 본체(4)의 내측공간(4a)으로 유입하는 통로이다.The
상기 수용부(42)는 본체(4)의 내측에서 상기 온도조성부(3)를 수용하고, 본체(4)의 양측벽(4b)에 형성되는 '⊂'형상의 홈(42a)을 포함하여, 상기 홈(42a)을 통해 상기 온도조성부(3)가 외부에 구비된 전원부(도시되지 않음)와 연결될 수 있도록 한다.The
상기 유량조절고정공(43)은 본체(4)의 양측벽(4b)에 형성되는 관통공으로서, 상기 유량조절부(6)가 회전가능하게 결합된다.The flow rate
상기 유량조절안내공(44)은, 도 2 내지 도 4를 참고하면, 본체(4)의 양측벽(4b)에서 상기 유량조절고정공(43)의 상측 근방에 형성되는 관통공이다. 또한, 상기 유량조절안내공(44)은 유량조절고정공(43)을 기준으로 양측방으로 수평하게 일정 길이 연장되어 형성되는 장방형의 관통공이고, 상기 유량조절부(6)의 회전시 이동거리를 규정하며, 상기 유량조절부(6)의 이동경로를 안내한다.2 to 4, the flow rate adjusting
한편, 상기 유량조절안내공(44) 및 유량조절고정공(43)은 유량조절부(6)가 구비되는 개수에 따라 그에 상응하는 개수로 형성되는 것이 바람직하다. 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이 두 개의 유량조절부(6)가 구비되는 경우, 상기 본체(4)의 양측벽(4b)에서 일정 거리 이격되어 두 쌍의 유량조절안내공(44) 및 유량조절고정공(43)이 형성될 수 있다.On the other hand, the flow
또한, 이 경우 복수개의 상기 유량조절안내공(44)은 복수개의 유량조절부(6)의 회전시 상호간에 간섭이 발생하지 않도록, 동일한 수평선상에 배열되는 복수개의 상기 유량조절고정공(43)으로부터 각각 상이한 거리로 이격되어 형성되는 것이 바람직하다.In addition, in this case, the plurality of flow control guide holes 44 are arranged on the same horizontal line so that the mutual flow does not occur when the plurality of
상기 유로전환고정공(45)은 본체(4)의 양측벽(4b)에 형성되는 관통공으로서, 상기 유로전환부(7)가 회전가능하게 결합된다.The flow path switching fixing
상기 유로전환안내공(46)은 본체(4)의 양측벽(4b)에서 상기 유로전환고정공(45)으로부터 일정 거리 이격되어 형성되는 관통공이다. 또한, 상기 유로전환안내공(46)은 유로전환고정공(45)을 기준으로 상하로 수직하게 일정 길이 연장되어 형성되는 장방형의 관통공이고, 상기 유로전환부(7)의 회전시 이동거리를 규정하며, 상기 유로전환부(7)의 이동경로를 안내한다.The flow path switching
상기 지지구안내공(47)은 본체(4)의 양측벽(4b)에 형성되는 관통공으로서, 상기 지지구(8)가 이동가능하게 결합된다. 또한, 상기 지지구안내공(47)은 지지구(8)의 이동시 이동거리를 규정하면서 이동경로를 안내할 수 있도록 수평하게 일정 길이 연장되어 형성되는 장방형의 관통공으로 형성되는 것이 바람직하다.The
도 3 및 도 4를 참고하면, 상기 유로형성부(5)는 본체(4)의 내측공간(4a)에 설치되고, 소정의 경사각을 이루면서 절곡되는 곡면체(51)를 포함하여 상기 본체(4)의 내측공간(4a)으로 공급되는 상기 유체를 테스트부에 있는 테스트트레이로 향하도록 전달방향을 전환한다. 또한, 상기 유로형성부(5)는 내측공간(4a)을 구분하면서 복수개의 유로를 형성하고, 그에 따라 상기 온도조성부(3)를 거쳐 온도가 조절된 유체가 상기 테스트트레이의 각 구역별로 전달되도록 한다.3 and 4, the flow
이러한, 상기 유로형성부(5)는 상술한 바와 같이 테스트트레이에 담겨진 반도체 소자들이 테스트트레이가 테스트부로 이송되는 도중, 테스트보드측으로 이송되는 도중, 또는 테스트보드에 전기적으로 접속되는 도중에 부분적인 열손실이 발생하여 온도변화가 발생할 수 있기 때문에 구비되는 것이다.As described above, the flow
따라서, 상기 유로형성부(5)는 도 4에 도시된 바와 같이, 테스트트레이의 하측, 중간측, 및 상측에 온도가 조절된 유체를 각각 전달할 수 있도록 제1유로(A), 제2유로(B), 및 제3유로(C)를 형성하는 제1유로형성부(5a), 제2유로형성부(5b), 및 제3유로형성부(5c)를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 이 경우 상기 제1유로형성부(5a), 제2유로형성부(5b), 및 제3유로형성부(5c)는 복수개의 유로(A, B, C)를 형성하기 위해서, 도 3에 도시된 바와 같이, 각각 상이한 크기로 형성되는 것이 바람직하다.Therefore, as shown in FIG. 4, the flow
한편, 상기 유로형성부(5)가 구비되는 개수 및 그에 따라 형성되는 유로의 개수는 사용자가 테스트트레이에 담겨진 반도체 소자들을 구역별로 나누어 전달하고자 하는 영역의 개수와 상응하는 개수로 형성될 수 있다.Meanwhile, the number of the flow
도 3을 참고하면, 상기 유량조절부(6)는 전체적으로 사각판형으로 형성되고, 상기 유로형성부(5)에 의해 형성되는 복수개의 유로를 통해 흐르는 상기 유체 각각의 유량을 조절한다. 따라서, 상기 유량조절부(6)는 반도체 소자들을 테스트트레이에 담겨진 각 구역별로 온도를 조절할 수 있도록 하고, 유량조절회전축(61) 및 유량조절이동구(62)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the flow
이러한 상기 유량조절부(6)는 도 4를 참고하면, 반도체 소자들이 테스트트레이에 담겨진 구역별 위치에 따라 상이한 온도로 변화될 수 있기 때문에, 복수개의 유로(A, B, C) 각각의 개방면적을 조절하여 상기 유로(A, B, C)를 통해 흐르는 상기 유체 각각의 유량을 조절한다. 따라서, 구역별로 상이한 온도로 변화된 반도체 소자들은 테스트 조건에 상응하는 항온으로 유지된다. 이 경우, 상기 유량조절부(6)는 복수개의 유로(A, B, C) 각각의 개방면적에 따라 테스트트레이의 각 구역별로 전달되는 유체의 유량을 보다 정확하고 효율적으로 조절할 수 있도록, 각 유로(A, B, C)의 입구측에 설치되는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 4, the flow
상기 유량조절회전축(61)은 도 3 및 도 4를 참고하면, 본체(4)의 유량조절고정공(43)에 회전가능하게 결합되는 돌기로서, 상기 유량조절부(6)의 회전축으로서 기능한다. 따라서, 상기 유량조절부(6)가 유량조절회전축(61)을 중심으로 회전하면서 상기 복수개의 유로(A, B, C) 각각의 개방면적을 조절할 수 있도록 하여, 유체의 흐름을 저해하지 않으면서 상기 유체 각각의 유량을 조절할 수 있도록 한다.3 and 4, the flow rate
또한, 상기 유량조절회전축(61)은 복수개의 유로(A, B, C)의 경계선상에 설치되는 것이 바람직하다. 이는 상기 제1유량조절부(6a) 및 제2유량조절부(6b)를 각각 상기 제2유로형성부(5b) 및 제3유로형성부(5c)와 동일선상에서 구비되도록 설치 하기 위함이다. 이에 따라, 상기 제1유량조절부(6a)는 제1유량조절회전축(61a)을 중심으로 회전하면서 상기 제1유로(A) 및 제2유로(B)의 개방면적을 조절하고, 상기 제2유량조절부(6b)는 제2유량조절회전축(61b)을 중심으로 회전하면서 상기 제2유로(B) 및 제3유로(C)의 개방면적을 조절할 수 있다. 따라서, 상기 유로(A, B, C)가 형성되는 개수보다 적은 개수의 유량조절부(6)를 구비할 수 있어 제조비용의 절감 및 작업의 효율성을 향상시킬 수 있다. 또한, 이 경우 상기 제2유로(B)는 제1유량조절부(6a) 및 제2유량조절부(6b)에 의해 개방면적이 조절되므로, 더 다양한 개방면적으로 조절될 수 있어, 유체의 유량 및 그에 따른 반도체 소자들에 대한 온도 조절의 정확성을 보다 향상시킬 수 있는 것이다.In addition, the flow rate
상기 유량조절이동구(62)는 유량조절안내공(44)에 이동하게 삽입되는 돌기로서, 상기 유량조절부(6)의 회전시 유량조절안내공(44)에 삽입된 상태에서 이동하면서 상기 복수개의 유로(A, B, C)를 통해 흐르는 유체의 유량이 조절되도록 한다.The flow rate control opening (62) is a protrusion inserted to move to the flow rate
또한, 상기 유량조절이동구(62)는 상술한 바와 같이 복수개의 유량조절부(6)의 회전시 상호간에 간섭이 발생하지 않도록, 상기 유량조절안내공(44) 및 유량조절고정공(43)과 마찬가지로 상기 유량조절회전축(61)으로부터 상이한 거리로 이격되어 복수개가 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1유량조절부(6a) 및 제2유량조절부(6b)는 각각 상이한 크기로 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the flow rate
도 3 및 도 4를 참고하면, 상기 유로전환부(7)는 전체적으로 사각판형으로 형성되고, 상기 본체(4)에 회전가능하게 결합되어 상기 유체의 전달방향 및 유량을 조절하며, 유로전환회전축(71) 및 유로전환이동구(72)를 포함한다.3 and 4, the flow
또한, 상기 유로전환부(7)는 회전하면서 상기 제3유로(C)의 입구측(D)의 개방면적을 조절함과 동시에, 상기 제3유로(C)의 출구측(E)으로 배출되는 유체의 전달방향을 조절한다. 따라서, 상기 제3유로(C)를 통해 테스트트레이에 담겨진 반도체 소자들의 마지막 열측으로 배출되는 상기 유체의 전달방향을 더 효율적으로 조절할 수 있다. 이 경우, 상기 유로전환부(7)는 상측으로 회전하면(7a) 상기 제3유로(C)를 통해 배출되는 유체의 전달방향을 테스트트레이의 중심방향으로 향하도록 전환시킬 수 있고, 하측으로 회전하면(7b) 상기 제3유로(C)를 통해 배출되는 유체의 전달방향을 테스트트레이의 외측으로 분산시킬 수 있다.In addition, the flow
상기 유로전환회전축(71)은 유로전환고정공(45)에 회전가능하게 결합되는 돌기로서, 상기 유로전환부(7)의 회전축으로서 기능한다. 따라서, 상기 유로전환부(7)가 유로전환회전축(71)을 중심으로 회전하면서 상기 유체의 전달방향 및 유량을 조절할 수 있도록 하여, 유체의 흐름을 저해하지 않도록 한다.The flow path switching
상기 유로전환이동구(72)는 유로전환안내공(46)에 이동가능하게 삽입되는 돌기로서, 상기 유로전환부(7)의 회전시 유로전환안내공(46)에 삽입된 상태에서 이동하면서 상기 제3유로(C)를 통해 흐르는 유체의 전달방향 및 유량이 조절되도록 한다.The flow
한편, 도시되지는 않았지만, 상기 유량조절부(6) 및 유로전환부(7)는 각 회전축에 구동부(도시되지 않음)를 구비하여, 상기 구동부가 제공하는 구동력에 의해 회전할 수 있으며, 상기 구동부는 모터가 사용될 수 있다.On the other hand, although not shown, the flow
도 3 및 도 4를 참고하면, 상기 지지구(8)는 지지구안내공(47)에 이동가능하 게 삽입되고, 상기 제1유로형성부(5a)의 일단 저면을 지지하여 상기 제1유로(A)를 통해 배출되는 유체가 테스트트레이의 중심방향으로 향하도록 한다. 따라서, 온도가 조절된 유체가 상기 테스트트레이에 담겨진 반도체 소자들에 전체적으로 전달될 수 있도록 한다.3 and 4, the
또한, 상기 지지구(8)는 제1유로형성부(5a)의 일단을 지지하면서 상기 지지구안내공(47)에 삽입된 상태에서 이동할 수 있도록 구현되어, 상기 제1유로(A)를 통해 배출되는 유체가 테스트트레이의 중심방향으로 향하는 정도를 조절할 수 있도록 한다.In addition, the
한편, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트(1)는 제어부(도시되지 않음)를 추가로 포함할 수 있는데, 상기 제어부는 복수개의 유로(A, B, C)를 통해 흐르는 상기 유체의 전달방향 및 유량을 조절할 수 있도록 상기 유량조절부(6) 및 유로전환부(7)를 제어한다.On the other hand, the semiconductor device
또한, 상기 제어부는 테스트트레이의 각 구역별로 설치된 온도센서로부터 온도정보를 수신하고, 해당 온도정보를 분석하여 반도체 소자들의 온도가 구역별로 변화된 정도를 판단한다. 그에 따라, 상기 제어부는 유량조절부(6) 및 유로전환부(7)의 회전 정도를 조절함으로써, 테스트트레이에 담겨진 반도체 소자들을 테스트 조건에 상응하는 항온으로 유지시킬 수 있다. 이 경우, 상기 제어부는 유량조절회전축(61) 및 유로전환회전축(71)에 연결된 상기 구동부를 제어함으로써, 상기 유량조절부(6) 및 유로전환부(7)의 회전정도 및 그에 따른 복수개의 유로(A, B, C) 각각의 개방면적을 조절할 수 있다. 따라서, 반도체 소자들이 담겨진 테스트트레이 의 각 구역별로 상이한 유량의 유체를 공급함으로써 구역별로 상이한 온도로 변화된 반도체 소자들을 테스트 조건에 상응하는 항온으로 유지시킬 수 있다.In addition, the controller receives temperature information from a temperature sensor installed in each zone of the test tray, and analyzes the corresponding temperature information to determine the degree of change of the temperature of the semiconductor devices for each zone. Accordingly, the controller may maintain the semiconductor devices contained in the test tray at a constant temperature corresponding to the test conditions by adjusting the rotation degree of the flow
이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트(1)의 결합관계 및 작동관계에 대한 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of the coupling relationship and the operating relationship of the
도 2 및 도 3을 참고하면, 상기 송풍장치(2)는 본체(4)의 연통공(41)을 통해 내측공간(4a)으로 유체를 공급할 수 있도록 상기 본체(4)의 외측에 결합되고, 상기 온도조성부(3)는 송풍장치(2)로부터 공급되는 유체를 가열 또는 냉각할 수 있도록 본체(4)의 수용부(42)에 결합된다.2 and 3, the
상기 유로형성부(5)는 각각 테스트트레이의 하측, 중간측, 및 상측을 향하는 제1유로(A), 제2유로(B), 및 제3유로(C)를 형성할 수 있도록 제1유로형성부(5a), 제2유로형성부(5b), 및 제3유로형성부(5c)가 본체(4)의 내측공간(4a)에 결합된다. 이 경우 상기 제1유로형성부(5a)는 그 일단 저면이 상기 지지구(8)에 지지되도록 결합되고, 상기 지지구(8)는 본체(4)의 지지구안내공(47)에 이동가능하게 결합된다.The flow
상기 유량조절부(6)는 본체(4)의 내측공간(4a)에서 제1유로(A) 및 제2유로(B)의 입구측 경계면상에 제1유량조절부(6a)의 제1유량조절회전축(61a)이 회전가능하게 결합되고, 제2유로(B) 및 제3유로(C)의 입구측 경계면상에 제2유량조절부(6b)의 제2유량조절회전축(61b)이 회전가능하게 결합된다. 이 경우 상기 제1유량조절회전축(61a) 및 제2유량조절회전축(61b)은 제2유로형성부(5b) 및 제3유로형성 부(5c)와 각각 동일선상에 설치되고, 상기 유량조절이동구(62)가 유량조절안내공(44)에 이동가능하게 삽입된 상태에서, 상기 유량조절회전축(61)이 유량조절고정공(43)에 회전가능하게 결합된다.The flow
상기 유로전환부(7)는 유로전환이동구(72)가 본체(4)의 유로전환안내공(46)에 이동가능하게 삽입된 상태에서, 상기 유로전환회전축(71)이 본체(4)의 유로전환고정공(45)에 회전가능하게 결합된다.The flow
도 4를 참고하면, 상기와 같이 결합된 상태에서, 상기 송풍장치(2)가 회전축(22)을 중심으로 회전하면서 회전날개(21)에 의해 상기 본체(4)의 내측으로 유체를 공급하면,Referring to FIG. 4, in the coupled state as described above, when the
상기 유체는 연통공(41)을 통해 본체(4)의 내측공간(4a)으로 공급되고, 상기 온도조성부(3)에 의해 테스트트레이에 담겨진 반도체 소자들을 테스트 조건에 상응하는 항온으로 유지시킬 수 있는 온도로 가열 또는 냉각된다.The fluid is supplied to the
온도가 조절된 상기 유체는 상기 제1유량조절부(6a), 제2유량조절부(6b), 및 유로전환부(7)에 의해 상기 제1유로(A), 제2유로(B), 및 제3유로(C) 각각의 개방면적에 상응하는 유량으로 공급되어 테스트보드측에 위치한 테스트트레이로 배출된다. 이 경우, 상기 제3유로(C)를 통해 배출되는 유체는 상기 유로전환부(7)에 의해 그 전달방향이 전환되어 배출된다.The fluid whose temperature is controlled is controlled by the first flow
상기 제어부는 수신된 온도정보로부터 테스트트레이의 각 구역별로 상이한 온도로 변화된 반도체 소자들을 테스트 조건에 상응하는 항온으로 유지시킬 수 있도록 상기 유량조절부(6) 및 유로전환부(7)의 회전정도를 조절한다.The controller controls the degree of rotation of the flow
또한, 상기 제1유로(A)를 통해 배출되는 유체는 상기 지지구(8)가 제1유로형성부(5a)의 일단을 지지하는 정도에 따라 테스트트레이의 중심방향으로 향하는 정도가 조절되어 배출된다.In addition, the fluid discharged through the first flow path (A) is discharged by adjusting the degree toward the center of the test tray according to the extent that the support (8) supports one end of the first flow path forming portion (5a) do.
상기와 같은 작동관계를 통해, 상기 반도체 소자들은 테스트 조건에 상응하는 항온으로 유지된 상태에서 테스트보드에 접속되도록 하여, 반도체 소자들에 대한 테스트 결과의 정확성 및 수율을 향상시킬 수 있다.Through such an operation relationship, the semiconductor devices can be connected to the test board while being maintained at a constant temperature corresponding to the test conditions, thereby improving the accuracy and yield of the test results for the semiconductor devices.
이하에서는 상술한 실시예 중에서 다른 실시예로서, 반도체 소자 테스트 핸들러의 구성에 대한 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, as another embodiment of the above-described embodiment, a preferred embodiment of the configuration of the semiconductor device test handler will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
여기서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러는 상술한 일실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트와 대략 일치하는 구성이 존재하므로, 이에 대한 상세한 설명은 본 발명의 요지를 흐리지 않기 위해 생략하기로 하며, 차이점이 있는 구성만을 설명하기로 한다.Here, since the semiconductor device test handler according to another embodiment of the present invention has a configuration that is substantially coincident with the duct for the semiconductor device test handler according to the above-described embodiment, a detailed description thereof will not be obscure the subject matter of the present invention. It will be omitted, only the configuration with differences will be described.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러 및 상기 핸들러와 접합하여 반도체 소자를 테스트하는 테스트장치의 구성을 개략적으로 나타낸 평면도이다.5 is a plan view schematically illustrating a configuration of a semiconductor device test handler and a test device for testing a semiconductor device by bonding to the handler according to another embodiment of the present invention.
특히, 도 5는 테스트 핸들러의 챔버부 및 상기 핸들러와 직접 접합하는 테스트장치의 테스트보드의 평면도를 도시한다.In particular, FIG. 5 shows a plan view of a chamber portion of a test handler and a test board of a test apparatus directly bonded to the handler.
도 5를 참고하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러(10)는 제1챔버(13), 테스트부(14), 제2챔버(15)를 포함하여 이루어지는 챔버부, 및 덕트(1)를 포함한다.Referring to FIG. 5, a semiconductor
한편, 상기 반도체 소자 테스트 핸들러(10)는, 도시되지는 않았지만, 챔버부와 테스트트레이(T)를 교환하면서 반도체 소자들에 대한 소팅작업을 수행하는 장치를 포함하여 이루어진다. 여기서, 소팅작업을 수행하는 장치는 테스트할 반도체 소자를 테스트트레이(T)의 캐리어 모듈에 저장하고, 테스트 완료된 반도체 소자를 그 테스트 결과에 따라 등급별로 분류할 수 있다. 이러한 소팅작업을 수행하는 장치는 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에게 자명한 사항이므로, 이에 대한 상세한 설명은 본 발명의 요지를 흐리지 않기 위해 생략하기로 한다.Although not shown, the semiconductor
상기 제1챔버(13)는 테스트트레이(T)를 한 스텝씩 이송하면서 테스트트레이(T)에 담겨진 반도체 소자들을 테스트 조건에 상응하는 온도로 가열 또는 냉각한다.The
상기 테스트부(14)는 제1챔버(13)로부터 테스트 가능 온도로 조절된 테스트트레이(T)를 이송받고, 콘택트푸싱유닛(141)에 의해 테스트트레이(T)에 담겨진 반도체 소자들을 테스트보드(16)에 접속시킨다.The
상기 콘택트푸싱유닛(141)은 Y축으로 선형운동하면서, 테스트부(14)에 있는 테스트트레이(T)에 담겨진 반도체 소자들을 상기 테스트보드(16)에 전기적으로 접속시키고, 테스트가 완료되면 가압력을 해제한다.The
한편, 상기 콘택트푸싱유닛(141)은 한번에 복수개의 테스트트레이(T)에 담겨진 반도체 소자들을 테스트보드(16)에 접속시킬 수 있도록 복수개가 구비될 수 있다. 이 경우, 상기 콘택트푸싱유닛(141)은 상하로 적층되게 복수개가 설치되거나, 수평으로 복수개가 설치될 수 있다. 여기서, 상기 콘택트푸싱유닛(141)은 상하로 적층되게 복수개가 설치되는 것이 수평으로 복수개가 설치되는 것보다 전체 핸들러 장비의 폭을 줄일 수 있는 장점이 있다.Meanwhile, the
상기 제2챔버(15)는 테스트부(14)로부터 테스트 완료된 테스트트레이(T)를 이송받고, 상기 테스트트레이(T)를 한 스텝씩 이송하면서 반도체 소자들을 상온으로 복원시킨다.The
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러에서 상하로 적층되게 설치되는 덕트의 배열상태를 나타낸 사시도이고, 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러에서 덕트 및 콘택트푸싱유닛의 결합사시도이다.FIG. 6 is a perspective view illustrating an arrangement of ducts stacked up and down in a semiconductor device test handler according to another embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a view illustrating ducts and contacts in a semiconductor device test handler according to another embodiment of the present invention. Combined perspective view of the pushing unit.
도 5 내지 도 7을 참고하면, 상기 덕트(1)는 콘택트푸싱유닛(141)에 결합되고, 온도가 조절된 유체를 테스트부(14)에 있는 테스트트레이(T)에 전달한다. 5 to 7, the
이 경우, 상기 덕트(1)는 유체의 유량을 조절하여 반도체 소자들이 테스트트레이(T)에 담겨진 각 구역별로 전달함으로써, 반도체 소자들을 테스트 조건에 상응하는 항온으로 유지시키며, 상술한 일실시예와 구별되는 차단부(11) 및 분리부(12)를 포함한다.In this case, the
한편, 상기 덕트(1)는 콘택트푸싱유닛(141)이 상술한 바와 같이 복수개가 구비되는 경우, 그에 상응하는 개수로 구비되며, 전체 핸들러 장비의 폭을 줄일 수 있도록 상하로 적층되게 설치되는 것이 바람직하다.On the other hand, the
또한, 이 경우 상기 덕트(1)는 도 6에 도시된 바와 같이, 상측에 설치되는 하나의 덕트(1a) 및 하측에 설치되는 다른 하나의 덕트(1b)가 상호간에 반대되는 배열방향으로 적층되게 설치되는 것이 바람직하다. 이를 보다 상세히 살펴보면, 상측에 설치되는 덕트(1a)는 송풍장치(2a)가 상측에 구비되고 지지구(8a)가 하측에 구비된 배열방향으로 설치되나, 하측에 설치되는 덕트(1b)는 송풍장치(2b)가 하측에 구비되고 지지구(8b)가 상측에 구비된 배열방향으로 설치되는 것이다.In this case, as shown in FIG. 6, the
도 6 및 도 7을 참고하면, 상기 차단부(11)는 전체적으로 사각판형으로서, 일측은 본체(4)의 양측벽(4b)에 결합되고, 타측은 상기 콘택트푸싱유닛(141)에 결합되며, 그에 따라 상기 콘택트푸싱유닛(141)과의 결합면 사이로 온도가 조절된 유체가 누설되는 것을 차단한다. 따라서, 상기 차단부(11)는 덕트(1)를 통해 상기 유체가 테스트트레이에 담겨진 반도체 소자들로 배출되는 과정에서 열손실이 발생하는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 최소화된 열손실로 인해 더 효율적으로 반도체 소자들을 테스트 조건에 상응하는 항온으로 유지시킬 수 있으며, 이러한 작업에 소요되는 시간지연을 최소화할 수 있다.Referring to FIGS. 6 and 7, the blocking
상기 분리부(12)는 전체적으로 'ㄷ'형상의 사각판형으로서, 상측에 설치되는 하나의 덕트(1a) 및 하측에 설치되는 다른 하나의 덕트(1b) 간을 구분하고, 상기 차단부(11)와 마찬가지로 덕트(1) 및 콘택트푸싱유닛(141) 간의 결합면 사이로 상기 유체가 누설되는 것을 차단하며, 그에 따른 열손실을 최소화할 수 있다.The separating
도 7에서 미설명 도면부호는 구동유닛(1411)으로서 상기 콘택트푸싱유닛(141)에 구동력을 제공한다. 상기 콘택트푸싱유닛(141)은 구동유닛(1411)에 의해 제공되는 구동력으로 이동하면서 반도체 소자들을 테스트보드(16, 도 5에 도시됨)에 접속시킬 수 있고, 테스트가 완료되면 다시 상기 구동유닛(1411)에 의해 제공되 는 구동력으로 이동하면서 가압력을 해제할 수 있다.In FIG. 7, non-explained reference numerals provide a driving force to the
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the art that various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those who have knowledge.
본 발명은 앞서 본 구성, 결합관계 및 작동관계에 의해 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.The present invention can achieve the following effects by the above configuration, coupling relationship and operation relationship.
본 발명은 반도체 소자들이 담겨진 테스트트레이의 각 구역별로 온도가 조절된 유체의 유량을 조절하여 공급함으로써, 각 구역별로 상이한 온도로 변화된 반도체 소자들을 테스트 조건에 상응하는 항온으로 유지시킬 수 있으며, 그에 따라 테스트 결과의 정확성 및 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.According to the present invention, by controlling the flow rate of the temperature-regulated fluid in each zone of the test tray in which the semiconductor devices are contained, the semiconductor devices changed to different temperatures in each zone can be maintained at a constant temperature corresponding to the test conditions. The effect is to improve the accuracy and yield of the test results.
본 발명은 덕트를 통해 배출되는 온도가 조절된 유체가 테스트트레이에 담겨진 반도체 소자들에 전달되는 과정에서 발생될 수 있는 열손실을 최소화하여, 작업의 효율성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 작업시간 지연을 최소화할 수 있는 효과를 이룰 수 있다.The present invention minimizes heat loss that may occur in the process of transferring the temperature-controlled fluid discharged through the duct to the semiconductor devices contained in the test tray, thereby improving work efficiency and delaying work time. The effect can be minimized.
본 발명은 유량조절부 및 유로전환부가 그 회전축을 중심으로 회전하면서 복수개의 유로를 통해 흐르는 각 유체의 전달방향 및 유량을 조절할 수 있도록 구현함으로써, 유체의 흐름을 저해하지 않으면서 각 유체가 전체적으로 균일하게 반도체 소자들에 전달되도록 하여 작업의 효율성을 극대화할 수 있는 효과를 가진다.The present invention implements to control the flow direction and the flow rate of each fluid flowing through a plurality of flow paths while rotating the flow rate control unit and the flow path switching unit about the rotation axis, so that each fluid is uniform throughout without disturbing the flow of the fluid It is possible to maximize the efficiency of the work to be delivered to the semiconductor devices.
Claims (13)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070029699A KR100867888B1 (en) | 2007-03-27 | 2007-03-27 | Duct for Semiconductor Testing Handler and Testing Handler comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070029699A KR100867888B1 (en) | 2007-03-27 | 2007-03-27 | Duct for Semiconductor Testing Handler and Testing Handler comprising the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080087450A KR20080087450A (en) | 2008-10-01 |
KR100867888B1 true KR100867888B1 (en) | 2008-11-10 |
Family
ID=40150097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070029699A KR100867888B1 (en) | 2007-03-27 | 2007-03-27 | Duct for Semiconductor Testing Handler and Testing Handler comprising the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100867888B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104730442A (en) * | 2010-11-24 | 2015-06-24 | 泰克元有限公司 | Test Handler |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101029063B1 (en) * | 2008-12-30 | 2011-04-15 | 미래산업 주식회사 | Contact Unit and Test Handler using the same |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0536786A (en) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method and apparatus for burn-in |
JPH1130642A (en) | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Testing set of integrated circuit |
KR20020017267A (en) * | 2000-08-29 | 2002-03-07 | 김정곤 | A test handler for testing semiconductor device |
KR20020044278A (en) * | 2000-12-05 | 2002-06-15 | 정문술 | Handler for testing device |
-
2007
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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---|---|---|---|---|
CN104730442A (en) * | 2010-11-24 | 2015-06-24 | 泰克元有限公司 | Test Handler |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080087450A (en) | 2008-10-01 |
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