KR100867458B1

KR100867458B1 - Substrate processing system

Info

Publication number: KR100867458B1
Application number: KR1020070022402A
Authority: KR
Inventors: 에이이치 니시무라
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2006-03-08
Filing date: 2007-03-07
Publication date: 2008-11-06
Also published as: CN101034662A; TW200741825A; KR20070092152A; JP2007242869A

Abstract

본 발명의 과제는 기판의 이면에 상처가 생기는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 시스템을 제공하는 것이다. 기판 처리 시스템(10)은, 진공계 기판 반송 장치인 트랜스퍼 모듈(11)과, 상기 트랜스퍼 모듈(11)의 주위에 있어서 방사상으로 배치된 4개의 프로세스 모듈(12 내지 15)을 구비하며, 프로세스 모듈(12)이 웨이퍼(W)의 이면에 CVD 처리에 의해 CF계 보호막을 형성하고, 프로세스 모듈(13)이 웨이퍼(W)에 RIE 처리를 실시하고, 프로세스 모듈(14)이 웨이퍼(W)의 이면에 형성된 보호막을 애싱 처리에 의해 제거한다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing system capable of preventing the back of the substrate from being damaged. The substrate processing system 10 includes a transfer module 11, which is a vacuum substrate transfer device, and four process modules 12 to 15 disposed radially around the transfer module 11. 12) a CF protective film is formed on the back surface of the wafer W by the CVD process, the process module 13 performs the RIE process on the wafer W, and the process module 14 is the back surface of the wafer W. The protective film formed in this is removed by ashing treatment.

Description

Substrate Processing System {SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시하는 단면도,1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing system according to a first embodiment of the present invention;

도 2는 웨이퍼의 이면에 CF계 보호막을 형성하는 프로세스 모듈의 개략 구성을 도시하는 단면도,2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a process module for forming a CF protective film on the back surface of a wafer;

도 3은 웨이퍼에 RIE 처리를 실시하는 프로세스 모듈의 개략 구성을 도시하는 단면도,3 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a process module that performs RIE processing on a wafer;

도 4는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시하는 단면도,4 is a sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing system according to a second embodiment of the present invention;

도 5는 웨이퍼의 이면에 감광성 수지로 이루어지는 보호막을 형성하는 코팅 유닛의 개략 구성을 도시하는 단면도,5 is a sectional view showing a schematic configuration of a coating unit for forming a protective film made of photosensitive resin on the back surface of a wafer;

도 6은 웨이퍼의 이면으로부터 감광성 수지로 이루어지는 보호막을 제거하는 클리닝 유닛의 개략 구성을 도시하는 단면도.6 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a cleaning unit for removing a protective film made of a photosensitive resin from the back surface of a wafer.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

W : 웨이퍼 S, S' : 처리 공간W: wafer S, S ': processing space

10 : 기판 처리 시스템 11 : 트랜스퍼 모듈10 substrate processing system 11 transfer module

12, 13, 14, 15 : 프로세스 모듈 16 : 로더 모듈12, 13, 14, 15: process module 16: loader module

81 : 코팅 유닛 82 : 클리닝 유닛81: coating unit 82: cleaning unit

83 : 웨이퍼 반전 유닛83: wafer reversing unit

본 발명은 기판 처리 시스템에 관한 것으로, 특히 기판을 정전 흡착하는 정전 척을 갖는 에칭 장치를 구비하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing system, and more particularly, to a substrate processing system having an etching apparatus having an electrostatic chuck for electrostatically adsorbing a substrate.

기판으로서의 웨이퍼의 표면에 플라즈마를 이용하여 소망의 패턴의 배선 홈이나 비아홀(via hole)을 형성하는 기판 처리 시스템은 웨이퍼의 표면에 소망의 패턴의 레지스트 막을 형성하는 포토레지스트 장치와, 웨이퍼의 표면에 에칭 처리, 예컨대 RIE(Reactive Ion Etching; 반응성 이온 에칭) 처리를 실시하는 에칭 장치와, 레지스트 막을 제거하는 세정 장치를 구비한다. 여기에서, 포토레지스트 장치는 감광성 수지를 웨이퍼의 표면에 도포하는 코팅기(coater)와, 감광성 수지를 감광하는 스테퍼(stepper)와, 웨이퍼의 표면으로부터 경화하지 않은 감광성 수지를 제거하는 현상기(developer)를 갖는다. 또한, 에칭 장치는 웨이퍼를 수용하고 또한 플라즈마가 생성된 수용실과, 상기 수용실내에 배치되어서, 웨이퍼에 에칭 처리가 실시되는 동안, 웨이퍼를 정전 흡착하는 정전 척을 갖는다(예컨대, 특허문헌 1 참조).A substrate processing system that forms wiring grooves or via holes in a desired pattern by using plasma on the surface of a wafer as a substrate, includes a photoresist apparatus for forming a resist film of a desired pattern on the surface of a wafer, and a surface of the wafer. An etching apparatus which performs an etching process, for example, a reactive ion etching (RIE) process, and the cleaning apparatus which removes a resist film are provided. Here, the photoresist apparatus includes a coater for applying photosensitive resin to the surface of the wafer, a stepper for photosensitive photosensitive resin, and a developer for removing uncured photosensitive resin from the surface of the wafer. Have In addition, the etching apparatus includes a storage chamber that accommodates a wafer and generates plasma, and an electrostatic chuck that is disposed in the storage chamber and electrostatically adsorbs the wafer while the wafer is subjected to the etching process (see Patent Document 1, for example). .

스테퍼에서는 소망의 패턴의 자외선광 등을 웨이퍼의 표면에 있어서의 감광성 수지에 조사하지만, 최근 소망의 패턴의 미세화에 따라 단파장, 예컨대 파장이 193㎚의 자외선광이 사용된다. 파장이 짧으면 초점 심도(深度)도 작아지고, 허용되는 웨이퍼의 평면도, 경사도 작아진다. 또한, 스테퍼에서는 복수의 핀형상의 돌기가 웨이퍼의 이면을 지지하므로, 웨이퍼의 이면의 상처, 이물질 등이 웨이퍼의 평면도, 경사에 큰 영향을 미친다.In the stepper, ultraviolet light having a desired pattern or the like is irradiated to the photosensitive resin on the surface of the wafer. However, in accordance with the recent miniaturization of the desired pattern, short wavelengths such as ultraviolet light having a wavelength of 193 nm are used. If the wavelength is short, the depth of focus is also reduced, and the flatness and inclination of the acceptable wafer are also reduced. In addition, in the stepper, a plurality of pin-shaped protrusions support the back surface of the wafer, so that scratches, foreign matters, and the like on the back surface of the wafer have a great influence on the flatness and the slope of the wafer.

그런데, 웨이퍼에 있어서 복잡한 반도체 디바이스용의 배선 구조, 전극 구조를 실현하기 위해서, 웨이퍼에는 기판 처리 시스템에 의해 에칭 처리가 반복하여 실시되지만, 에칭 처리시마다 웨이퍼는 정전 척에 의해 정전 흡착된다. 정전 척의 표면은 산화이트륨(Y₂O₃)으로 덮여지기 때문에, 흡착한 실리콘(Si)으로 이루어지는 웨이퍼의 이면에 상처가 생기는 일이 있다. 또한, 정전 척 표면에 존재하는 이물질이 웨이퍼의 이면에 전사하여 부착되는 일이 있다.By the way, in order to realize the wiring structure and electrode structure for a complicated semiconductor device in a wafer, an etching process is repeatedly performed by a substrate processing system, but every time an etching process, a wafer is electrostatically attracted by an electrostatic chuck. Since the surface of the electrostatic chuck is covered with yttrium oxide (Y ₂ O ₃ ), scratches may occur on the back surface of the wafer made of adsorbed silicon (Si). In addition, foreign matter present on the surface of the electrostatic chuck may be transferred to and attached to the back surface of the wafer.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제 2005-347620 호 공보 [Patent Document 1] Japanese Patent Laid-Open No. 2005-347620

그러나, 웨이퍼의 이면에 부착된 이물질은 세정액 등을 사용한 습식(wet) 세정에 의해 제거할 수 있지만, 웨이퍼의 이면의 상처를 효과적으로 제거하는 방법은 알려져 있지 않다. 그리고, 전술한 바와 같이 웨이퍼 이면의 상처에 의해 허용되는 웨이퍼의 평면도를 유지할 수 없게 될 우려가 있다. 따라서, 웨이퍼가 정전 척 에 흡착될 때에 웨이퍼의 이면에 상처가 생기는 것을 방지할 필요가 있다.However, although foreign matter adhering to the back surface of the wafer can be removed by wet cleaning using a cleaning liquid or the like, a method of effectively removing the wound on the back surface of the wafer is not known. As described above, there is a fear that the plan view of the wafer allowed by the wound on the back surface of the wafer cannot be maintained. Therefore, it is necessary to prevent the scratch on the back surface of the wafer when the wafer is attracted to the electrostatic chuck.

본 발명의 목적은 기판의 이면에 상처가 생기는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 시스템을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing system capable of preventing the back of the substrate from being damaged.

상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 1에 기재된 기판 처리 시스템은, 기판에 플라즈마 에칭 처리를 실시하는 에칭 장치와, 상기 에칭 장치가 접속된 진공계 기판 반송 장치를 구비하며, 상기 에칭 장치는 상기 기판을 정전 흡착하는 정전 척을 갖고, 상기 정전 척은 기판의 이면과 접촉하는 기판 처리 시스템으로서, 상기 플라즈마 에칭 처리가 실시되기 전의 상기 기판의 이면에 보호막을 형성하는 보호막 형성 장치와, 상기 플라즈마 에칭 처리가 실시된 후의 상기 기판의 이면으로부터 상기 보호막을 제거하는 보호막 제거 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the said objective, the substrate processing system of Claim 1 is equipped with the etching apparatus which performs a plasma etching process to a board | substrate, and the vacuum system board | substrate conveying apparatus with which the said etching apparatus was connected, The said etching apparatus electrostatics the said board | substrate. The electrostatic chuck has an electrostatic chuck to adsorb, and the electrostatic chuck is a substrate processing system in contact with the back surface of the substrate, the protective film forming apparatus forming a protective film on the back surface of the substrate before the plasma etching process is performed, and the plasma etching process is performed. And a protective film removing device for removing the protective film from the back surface of the substrate after being finished.

청구항 2에 기재된 기판 처리 시스템은, 청구항 1에 기재된 기판 처리 시스템에 있어서, 상기 보호막 형성 장치가 증착 처리에 의해 상기 보호막을 형성하는 것을 특징으로 한다.The substrate processing system of Claim 2 is the substrate processing system of Claim 1 WHEREIN: The said protective film forming apparatus forms the said protective film by vapor deposition process, It is characterized by the above-mentioned.

청구항 3에 기재된 기판 처리 시스템은, 청구항 2에 기재된 기판 처리 시스템에 있어서, 상기 증착 처리가 CVD 처리인 것을 특징으로 한다.The substrate processing system of Claim 3 is the substrate processing system of Claim 2 WHEREIN: The said vapor deposition process is CVD process, It is characterized by the above-mentioned.

청구항 4에 기재된 기판 처리 시스템은, 청구항 1에 기재된 기판 처리 시스템에 있어서, 상기 진공계 기판 반송 장치에 접속된 대기계 기판 반송 장치를 구비하며, 상기 보호막 형성 장치가 상기 대기계 기판 반송 장치에 접속되고, 또한 도포 처리에 의해 상기 보호막을 형성하는 것을 특징으로 한다.The substrate processing system of Claim 4 is a substrate processing system of Claim 1 WHEREIN: The atmospheric substrate conveyance apparatus connected to the said vacuum system substrate conveyance apparatus is provided, The said protective film formation apparatus is connected to the said atmospheric system substrate conveyance apparatus, In addition, the protective film is formed by a coating treatment.

청구항 5에 기재된 기판 처리 시스템은, 청구항 1에 기재된 기판 처리 시스 템에 있어서, 상기 보호막 제거 장치가 애싱 처리에 의해 상기 보호막을 제거하는 것을 특징으로 한다.The substrate processing system of Claim 5 is a substrate processing system of Claim 1 WHEREIN: The said protective film removal apparatus removes the said protective film by an ashing process. It is characterized by the above-mentioned.

청구항 6에 기재된 기판 처리 시스템은, 청구항 1에 기재된 기판 처리 시스템에 있어서, 상기 진공계 기판 반송 장치에 접속된 대기계 기판 반송 장치를 구비하며, 상기 보호막 제거 장치가 상기 대기계 기판 반송 장치에 접속되고, 또한 습식 세정 처리에 의해 상기 보호막을 제거하는 것을 특징으로 한다.The substrate processing system of Claim 6 is a substrate processing system of Claim 1, Comprising: The atmospheric substrate transfer apparatus connected to the said vacuum substrate transfer apparatus is provided, The said protective film removal apparatus is connected to the said atmospheric substrate transfer apparatus, And the protective film is removed by a wet cleaning process.

이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring drawings.

우선, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템에 대하여 설명한다.First, the substrate processing system which concerns on 1st Embodiment of this invention is demonstrated.

도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment.

도 1에 있어서, 기판 처리 시스템(10)은, 평면에서 보아 6각형의 트랜스퍼 모듈(11)(진공계 기판 반송 장치)과, 해당 트랜스퍼 모듈(11)의 주위에 있어서 방사상으로 배치된, 반도체 디바이스용의 웨이퍼(이하, 단지 「웨이퍼」라고 함)(기판)(W)에 소정의 처리를 실시하는 4개의 프로세스 모듈(12 내지 15)과, 장방형 형상의 공통 반송실로서의 로더 모듈(loader module)(16)과, 트랜스퍼 모듈(11) 및 로더 모듈(16) 사이에 배치되어, 트랜스퍼 모듈(11) 및 로더 모듈(16)을 연결하는 2개의 로드록 모듈(load-lock module)(17, 18)을 구비한다.In FIG. 1, the substrate processing system 10 is a semiconductor device for semiconductor devices arrange | positioned radially around the hexagonal transfer module 11 (vacuum system substrate conveying apparatus) and this transfer module 11 in plan view. Four process modules 12 to 15 that perform a predetermined process on a wafer (hereinafter simply referred to as "wafer") (substrate) W, and a loader module as a rectangular common transport chamber ( 16 and two load-lock modules 17 and 18 disposed between the transfer module 11 and the loader module 16 to connect the transfer module 11 and the loader module 16. It is provided.

트랜스퍼 모듈(11) 및 각 프로세스 모듈(12 내지 15)은 내부의 압력이 진공으로 유지되고, 트랜스퍼 모듈(11)과 각 프로세스 모듈(12 내지 15)은 각각 진공 게이트 밸브(19 내지 22)를 거쳐서 접속된다.The internal pressure of the transfer module 11 and each of the process modules 12 to 15 is maintained in a vacuum, and the transfer module 11 and each of the process modules 12 to 15 respectively pass through the vacuum gate valves 19 to 22. Connected.

기판 처리 시스템(10)에서는, 로더 모듈(16)의 내부 압력이 대기압으로 유지되는 한편, 트랜스퍼 모듈(11)의 내부 압력은 진공으로 유지된다. 그 때문에, 각 로드록 모듈(17, 18)은, 각각 트랜스퍼 모듈(11)과의 연결부에 진공 게이트 밸브(23, 24)를 구비하는 동시에, 로더 모듈(16)과의 연결부에 대기 게이트 밸브(25, 26)를 구비함으로써, 그 내부 압력을 조정가능한 진공 예비 반송실로서 구성된다. 또한, 각 로드록 모듈(17, 18)은 로더 모듈(16) 및 트랜스퍼 모듈(11) 사이에 있어서 주고받는 웨이퍼(W)를 일시적으로 탑재하기 위한 웨이퍼 탑재대(27, 28)를 갖는다.In the substrate processing system 10, the internal pressure of the loader module 16 is maintained at atmospheric pressure while the internal pressure of the transfer module 11 is maintained at vacuum. Therefore, each of the load lock modules 17 and 18 includes the vacuum gate valves 23 and 24 at the connection portion with the transfer module 11, respectively, and the standby gate valve (at the connection portion with the loader module 16). By providing 25, 26, it is comprised as a vacuum preliminary conveyance chamber which can adjust the internal pressure. In addition, each loadlock module 17, 18 has wafer mounts 27, 28 for temporarily mounting a wafer W exchanged between the loader module 16 and the transfer module 11.

트랜스퍼 모듈(11)은 그 내부에 배치된 굴신(屈伸) 및 선회가능하게 이루어진 개구리 다리형(frog-leg type)의 반송 아암(29)을 갖고, 해당 반송 아암(29)은 각 프로세스 모듈(12 내지 15)이나 각 로드록 모듈(17, 18) 사이에 있어서 웨이퍼(W)를 반송한다.The transfer module 11 has a conveying arm 29 of a frog-leg type, which is flexibly and pivotally arranged therein, and the conveying arm 29 has each process module 12. To 15) and the wafers W are transported between the load lock modules 17 and 18.

로더 모듈(16)에는, 전술한 로드록 모듈(17, 18) 이외에, 25장의 웨이퍼(W)를 수용하는 용기로서의 FOUP(Front Opening Unified Pod)(30)가 각각 탑재되는 3개의 FOUP 탑재대(31)가 접속되어 있다.In addition to the loadlock modules 17 and 18 described above, the loader module 16 includes three FOUP mounts each having a FOUP (Front Opening Unified Pod) 30 serving as a container for holding 25 wafers W ( 31) is connected.

로드록 모듈(17, 18)은 로더 모듈(16)의 길이방향에 있어서의 측벽에 접속되는 동시에 로더 모듈(16)을 사이에 두고 3개의 FOUP 탑재대(31)와 대향하도록 배치 된다.The load lock modules 17 and 18 are connected to the side wall in the longitudinal direction of the loader module 16 and are arranged to face the three FOUP mounts 31 with the loader module 16 therebetween.

로더 모듈(16)은, 내부에 배치되고, 웨이퍼(W)를 반송하는 스칼라(scalar)형 듀얼 아암형의 반송 아암 기구(32)와, 각 FOUP 탑재대(31)에 대응하도록 측벽에 배치된 웨이퍼(W)의 투입구로서의 3개의 로드 포트(33)를 갖는다. 반송 아암 기구(32)는 FOUP 탑재대(31)에 탑재된 FOUP(30)로부터 웨이퍼(W)를 로드 포트(33)를 경유하여 취출하고, 해당 취출된 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(17, 18)로 반출입한다.The loader module 16 is arranged inside the sidewalls so as to correspond to each of the FOUP mounts 31 and the scalar dual arm type transfer arm mechanism 32 that carries the wafer W. It has three load ports 33 as an inlet of the wafer W. As shown in FIG. The transfer arm mechanism 32 takes out the wafer W from the FOUP 30 mounted on the FOUP mount 31 via the load port 33, and loads the taken out wafer W into the loadlock module 17. , 18) to import and export.

기판 처리 시스템(10)에서는, 프로세스 모듈(12 내지 15)중, 프로세스 모듈(12)(보호막 형성 장치)이 웨이퍼(W)의 이면에 후술하는 CF계 보호막을 형성하고, 프로세스 모듈(13)(에칭 장치)이 웨이퍼(W)에 RIE 처리를 실시하고, 프로세스 모듈(14)(보호막 제거 장치)이 웨이퍼(W)의 이면에 형성된 보호막을 제거한다. 기판 처리 시스템(10)에 있어서, 웨이퍼(W)는 프로세스 모듈(12), 프로세스 모듈(13) 및 프로세스 모듈(14)의 순서로 반송된다.In the substrate processing system 10, of the process modules 12 to 15, the process module 12 (protective film forming apparatus) forms a CF protective film described later on the back surface of the wafer W, and the process module 13 ( The etching apparatus performs RIE processing on the wafer W, and the process module 14 (protective film removing apparatus) removes the protective film formed on the back surface of the wafer W. As shown in FIG. In the substrate processing system 10, the wafer W is conveyed in the order of the process module 12, the process module 13, and the process module 14.

도 2는 웨이퍼의 이면에 CF계 보호막을 형성하는 프로세스 모듈의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a process module for forming a CF protective film on the back surface of a wafer.

도 2에 있어서, 프로세스 모듈(12)은 웨이퍼(W)를 수용하는 하우징 형상의 수용실로서의 챔버(34)와, 해당 챔버(34)의 천장부(35)에 배치된 웨이퍼 흡착부(36)와, 챔버(34)의 저면부(37)에 웨이퍼 흡착부(36)와 대향하도록 배치되고, 또한 해당 웨이퍼 흡착부(36)와 소정의 간격만큼 이격되어 배치된 전극(38)과, 챔버(34)내의 가스 등을 외부로 배출하는 배기관(39)을 구비한다.In FIG. 2, the process module 12 includes a chamber 34 as a housing-shaped accommodation chamber that accommodates the wafer W, a wafer adsorption portion 36 disposed on the ceiling 35 of the chamber 34, and a chamber 34. And the electrode 38 disposed on the bottom portion 37 of the chamber 34 so as to face the wafer adsorption portion 36 and spaced apart from the wafer adsorption portion 36 by a predetermined interval. Exhaust pipe (39) for discharging gas and the like into the outside is provided.

웨이퍼 흡착부(36)는 원기둥형상의 돌출물이며, 저면으로 개구된 복수의 진 공 흡착 구멍(도시하지 않음)을 갖는다. 챔버(34)내에 반입된 웨이퍼(W)는 웨이퍼 흡착부(36)의 복수의 진공 흡착 구멍에 의해 진공 흡착되어, 웨이퍼 흡착부(36)의 저면에 유지된다. 또한, 웨이퍼 흡착부(36)는 하면에 내열 수지, 예컨대 폴리이미드로 이루어지는 완충막(40)을 갖는다. 따라서, 웨이퍼(W)의 표면은 완충막(40)을 거쳐서 웨이퍼 흡착부(36)의 저면에 접촉하므로, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 배선 홈이나 비아홀의 형상이 붕괴되는 일이 없다. 또한, 웨이퍼 흡착부(36)는 히터(도시하지 않음)를 내장하고, 웨이퍼(W)의 이면에 보호막이 형성되는 동안, 해당 웨이퍼(W)의 온도를 소정의 온도로 유지한다.The wafer adsorption portion 36 is a cylindrical protrusion, and has a plurality of vacuum adsorption holes (not shown) opened to the bottom. The wafer W carried into the chamber 34 is vacuum-adsorbed by the plurality of vacuum suction holes of the wafer suction unit 36, and is held on the bottom surface of the wafer suction unit 36. In addition, the wafer adsorption part 36 has the buffer film 40 which consists of a heat resistant resin, for example, polyimide, on the lower surface. Therefore, since the surface of the wafer W is in contact with the bottom surface of the wafer adsorption portion 36 via the buffer film 40, the shape of the wiring groove or via hole formed in the surface of the wafer W is not collapsed. The wafer adsorption unit 36 incorporates a heater (not shown) and maintains the temperature of the wafer W at a predetermined temperature while the protective film is formed on the back surface of the wafer W. As shown in FIG.

전극(38)은 테이블 형상의 도전성 부재로 이루어지고, 웨이퍼 흡착부(36)와 대향하는 면(상면)에 있어서 복수의 가스 분출 구멍(도시하지 않음)을 갖는다. 또한, 전극(38)에는 고주파 전원(41)이 정합기(matcher)(42)를 거쳐서 접속되어 있고, 해당 고주파 전원(41)은 소정의 고주파 전력을 전극(38)에 공급한다. 이에 의해, 전극(38)은 웨이퍼 흡착부(36) 및 전극(38) 사이에 있는 처리 공간(S)에 고주파 전력을 인가한다. 또한, 정합기(42)는 전극(38)으로부터의 고주파 전력의 반사를 저감하여 고주파 전력의 전극(38)으로의 공급 효율을 최대로 한다.The electrode 38 is made of a table-shaped conductive member and has a plurality of gas ejection holes (not shown) on the surface (upper surface) facing the wafer adsorption portion 36. In addition, a high frequency power supply 41 is connected to the electrode 38 via a matcher 42, and the high frequency power supply 41 supplies a predetermined high frequency power to the electrode 38. As a result, the electrode 38 applies high frequency power to the processing space S between the wafer adsorption portion 36 and the electrode 38. The matching unit 42 also reduces the reflection of the high frequency power from the electrode 38 to maximize the supply efficiency of the high frequency power to the electrode 38.

또한, 챔버(34)의 측벽에는, 웨이퍼 흡착부(36)에 의해 흡착된 웨이퍼(W)에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)의 반출입구(43)가 마련되고, 반출입구(43)에는 해당 반출입구(43)를 개폐하는 진공 게이트 밸브(19)가 장착되어 있다.In addition, the sidewalls of the chamber 34 are provided with a carrying in and out of the wafer W at positions corresponding to the wafers W adsorbed by the wafer adsorption unit 36, and corresponding to the carrying in and out with 43. The vacuum gate valve 19 which opens and closes the carry-out and exit 43 is attached.

프로세스 모듈(12)에서는, CVD(Chemical Vapor Deposition; 화학적 증착) 처리에 의해 웨이퍼(W)의 이면에 보호막을 형성한다. 구체적으로는, 전극(38)에 있 어서의 복수의 가스 분출 구멍으로부터 증착성의 처리 가스, 예컨대 CF계 가스가 처리 공간(S)에 공급되고, 고주파 전력이 처리 공간(S)에 인가되었을 때에, CF계 가스로부터 라디칼(radical)이나 이온이 발생하고, 해당 라디칼 등이 웨이퍼 흡착부(36)에 흡착되어 있는 웨이퍼(W)의 이면에 부착·퇴적하여 CF계 보호막을 형성한다. 이때, 잉여의 라디칼 등은 배기관(39)에 의해 외부로 배출된다.In the process module 12, a protective film is formed on the back surface of the wafer W by CVD (Chemical Vapor Deposition). Specifically, when a vapor deposition process gas, such as a CF-based gas, is supplied to the processing space S from a plurality of gas ejection holes in the electrode 38, and high frequency power is applied to the processing space S, Radicals and ions are generated from the CF gas, and the radicals and the like adhere and deposit on the back surface of the wafer W adsorbed by the wafer adsorption unit 36 to form a CF protective film. At this time, excess radicals and the like are discharged to the outside by the exhaust pipe 39.

프로세스 모듈(12)로 형성되는 보호막의 두께는 10㎛ 이하이면 좋고, 바람직하게는 약 1㎛인 것이 좋다. 또한, 형성되는 보호막의 종류는 CF계 보호막에 한정되지 않고, 비정질 카본(amorphous carbon)으로 이루어지는 보호막이어도 좋다.The thickness of the protective film formed of the process module 12 should just be 10 micrometers or less, Preferably it is about 1 micrometer. In addition, the kind of protective film formed is not limited to a CF type protective film, A protective film which consists of amorphous carbon may be sufficient.

도 3은 웨이퍼에 RIE 처리를 실시하는 프로세스 모듈의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a process module that performs RIE processing on a wafer.

도 3에 있어서, 프로세스 모듈(13)은 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버(44)를 갖고, 해당 챔버(44)내에는 웨이퍼를 탑재하는 탑재대로서의 원기둥형상의 서셉터(45)가 배치되어 있다.In FIG. 3, the process module 13 has a chamber 44 that houses the wafer W, and a cylindrical susceptor 45 as a mounting table on which the wafer is mounted is disposed in the chamber 44. have.

프로세스 모듈(13)에서는, 챔버(44)의 내측벽과 서셉터(45)의 측면에 의해, 서셉터(45) 상방의 가스를 챔버(44) 외부로 배출하는 유로로서 기능하는 측방향 배기로(46)가 형성된다. 이 측방향 배기로(46)의 도중에는 배플판(47)이 배치된다.In the process module 13, a lateral exhaust path serving as a flow path for discharging gas above the susceptor 45 to the outside of the chamber 44 by the inner wall of the chamber 44 and the side surface of the susceptor 45. 46 is formed. A baffle plate 47 is disposed in the middle of the lateral exhaust passage 46.

배플판(47)은 다수의 구멍을 갖는 판형상 부재이며, 챔버(44)를 상부와 하부로 구획하는 칸막이판으로서 기능한다. 배플판(47)에 의해 구획된 챔버(44)의 상부(48)에는, 웨이퍼(W)를 탑재하는 서셉터(45) 등이 배치되어, 플라즈마가 발생한다. 이하, 챔버(44)의 상부를 「반응실」이라고 칭한다. 또한, 챔버(44)의 하부 [이하, 「배기실(매니폴드)」이라고 함](51)에는 챔버(44)내의 가스를 배출하는 러핑(roughing) 배기관(49) 및 메인 배기관(50)이 개구된다. 러핑 배기관(49)에는 DP(드라이 펌프; Dry Pump)(도시하지 않음)가 접속되고, 메인 배기관(50)에는 TMP(터보 분자 펌프; Turbo Molecular Pump)(도시하지 않음)가 접속된다. 또한, 배플판(47)은 반응실(48)의 후술하는 처리 공간(S')에 있어서 발생하는 이온이나 라디칼을 포착 또는 반사하여 이들 매니폴드(51)로의 누설을 방지한다.The baffle plate 47 is a plate-like member having a plurality of holes, and functions as a partition plate for partitioning the chamber 44 into an upper part and a lower part. In the upper part 48 of the chamber 44 partitioned by the baffle plate 47, the susceptor 45 etc. which mount the wafer W are arrange | positioned, and a plasma is generated. Hereinafter, the upper part of the chamber 44 is called "reaction chamber." In addition, a roughing exhaust pipe 49 and a main exhaust pipe 50 for discharging gas in the chamber 44 are provided in the lower portion of the chamber 44 (hereinafter referred to as an “exhaust chamber (manifold)”) 51. Opening. A DP (dry pump) (not shown) is connected to the rough exhaust pipe 49, and a TMP (turbo molecular pump) (not shown) is connected to the main exhaust pipe 50. In addition, the baffle plate 47 traps or reflects ions and radicals generated in the process space S 'which will be described later in the reaction chamber 48 to prevent leakage to these manifolds 51.

러핑 배기관(49), 메인 배기관(50), DP 및 TMP 등은 배기 장치를 구성하고, 러핑 배기관(49) 및 메인 배기관(50)은 반응실(48)의 가스를 매니폴드(51)를 거쳐서 챔버(44)의 외부로 배출한다. 구체적으로는, 러핑 배기관(49)은 챔버(44)내를 대기압으로부터 저진공 상태까지 감압하고, 메인 배기관(50)은 러핑 배기관(49)과 협동하여 챔버(44)내를 대기압으로부터 저진공 상태보다 낮은 압력인 고진공 상태[예컨대, 133Pa(1Torr) 이하]까지 감압한다.The rough exhaust pipe 49, the main exhaust pipe 50, the DP and the TMP constitute an exhaust device, and the rough exhaust pipe 49 and the main exhaust pipe 50 pass the gas of the reaction chamber 48 through the manifold 51. Discharge to the outside of the chamber 44. Specifically, the rough exhaust pipe 49 depressurizes the inside of the chamber 44 from the atmospheric pressure to the low vacuum state, and the main exhaust pipe 50 cooperates with the rough exhaust pipe 49 to lower the vacuum in the chamber 44 from the atmospheric pressure. The pressure is reduced to a higher vacuum state (for example, 133 Pa (1 Torr or less)) which is a lower pressure.

서셉터(45)에는 하부 고주파 전원(52)이 정합기(53)를 거쳐서 접속되어 있고, 해당 하부 고주파 전원(52)은 소정의 고주파 전력을 서셉터(45)에 공급한다. 이에 의해, 서셉터(45)는 하부 전극으로서 기능한다. 또한, 정합기(53)는 서셉터(45)로부터의 고주파 전력의 반사를 저감하여 고주파 전력의 서셉터(45)로의 공급 효율을 최대로 한다.The lower high frequency power supply 52 is connected to the susceptor 45 via the matching unit 53, and the lower high frequency power supply 52 supplies predetermined high frequency power to the susceptor 45. As a result, the susceptor 45 functions as a lower electrode. The matching unit 53 also reduces the reflection of the high frequency power from the susceptor 45 to maximize the supply efficiency of the high frequency power to the susceptor 45.

서셉터(45)의 상부에는, 전극판(54)을 내부에 갖는 절연성 부재, 예컨대 산화이트륨, 알루미나(Al₂O₃)나 실리카(SiO₂)로 이루어지는 원판형상의 정전 척(55)이 배치되어 있다. 서셉터(45)가 웨이퍼(W)를 탑재할 때, 해당 웨이퍼(W)는 정전 척(55)상에 배치된다. 전극판(54)에는 직류 전원(56)이 전기적으로 접속되어 있다. 전극판(54)에 부(負)의 직류 전압이 인가되면, 웨이퍼(W)의 이면에는 정(正) 전위가 발생하고, 또한 웨이퍼의 표면에는 부 전위가 발생한다. 그리고, 전극판(54) 및 웨이퍼(W)의 이면 사이에 전위차가 생기고, 해당 전위차에 기인하는 쿨롱력 또는 존슨·라벡력에 의해 웨이퍼(W)는 정전 척(55)의 상면에 흡착 유지된다.Above the susceptor 45, an insulating member having an electrode plate 54 therein, for example, a disk-shaped electrostatic chuck 55 made of yttrium oxide, alumina (Al ₂ O ₃ ) or silica (SiO ₂ ) is disposed. It is. When the susceptor 45 mounts the wafer W, the wafer W is disposed on the electrostatic chuck 55. The DC power supply 56 is electrically connected to the electrode plate 54. When a negative DC voltage is applied to the electrode plate 54, a positive potential is generated on the back surface of the wafer W, and a negative potential is generated on the surface of the wafer. Then, a potential difference occurs between the electrode plate 54 and the back surface of the wafer W, and the wafer W is adsorbed and held on the upper surface of the electrostatic chuck 55 by the Coulomb force or the Johnson-Label force due to the potential difference. .

또한, 서셉터(45)의 상방에는, 정전 척(55)에 흡착 유지된 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 원환형상의 포커스 링(57)이 배치된다. 이 포커스 링(57)은 처리 공간(S')에 노출되고, 해당 처리 공간(S')에 있어서 플라즈마를 웨이퍼(W)의 표면을 향해서 수렴시켜서, RIE 처리의 효율을 향상시킨다.Further, above the susceptor 45, an annular focus ring 57 is arranged to surround the wafer W adsorbed and held by the electrostatic chuck 55. The focus ring 57 is exposed to the processing space S ', and the plasma is converged toward the surface of the wafer W in the processing space S', thereby improving the efficiency of the RIE process.

또한, 서셉터(45)의 내부에는, 예컨대 원주방향으로 연장하는 환형의 냉매실(72)이 마련된다. 이 냉매실(72)에는, 칠러(chiller) 유닛(도시하지 않음)으로부터 냉매용 배관(58)을 거쳐서 소정 온도의 냉매, 예컨대 냉각수나 갈덴(galden)이 순환 공급되고, 해당 냉매의 온도에 의해 정전 척(55)에 흡착 유지된 웨이퍼(W)의 처리 온도가 제어된다.In addition, an inside of the susceptor 45 is provided with an annular coolant chamber 72 extending in the circumferential direction, for example. The refrigerant chamber 72 is circulated and supplied from a chiller unit (not shown) via a refrigerant pipe 58, for example, a cooling water or galden, at a predetermined temperature, and the temperature of the refrigerant is changed. The processing temperature of the wafer W adsorbed and held by the electrostatic chuck 55 is controlled.

정전 척(55)의 웨이퍼(W)가 흡착 유지되는 부분(이하, 「흡착면」이라고 함)에는, 복수의 전열 가스 공급 구멍(59)이 개구되어 있다. 이들 복수의 전열 가스 공급 구멍(59)은 전열 가스 공급 라인(60)을 거쳐서 전열 가스 공급부(도시하지 않음)에 접속되고, 해당 전열 가스 공급부는 전열 가스로서의 헬륨 가스를 전열 가스 공급 구멍(59)을 거쳐서 흡착면 및 웨이퍼(W)의 이면의 간극에 공급한다. 흡착면 및 웨이퍼(W)의 이면의 간극에 공급된 헬륨 가스는 웨이퍼(W)의 열을 정전 척(55)을 거쳐서 서셉터(45)에 전열한다.A plurality of electrothermal gas supply holes 59 are opened in a portion where the wafer W of the electrostatic chuck 55 is adsorbed and held (hereinafter, referred to as a "adsorption surface"). The plurality of heat transfer gas supply holes 59 are connected to a heat transfer gas supply unit (not shown) via the heat transfer gas supply line 60, and the heat transfer gas supply unit transfers helium gas as the heat transfer gas to the heat transfer gas supply hole 59. It supplies to the clearance gap between an adsorption surface and the back surface of the wafer W via the process. The helium gas supplied to the gap between the suction surface and the back surface of the wafer W transfers heat of the wafer W to the susceptor 45 via the electrostatic chuck 55.

또한, 서셉터(45)의 흡착면에는, 정전 척(55)으로부터 돌출가능한 리프트 핀으로서의 복수의 푸셔 핀(pusher pin)(61)이 배치되어 있다. 이들 푸셔 핀(61)은, 모터(도시하지 않음)와 볼 나사(도시하지 않음)를 거쳐서 접속되어, 볼 나사에 의해 직선운동으로 변환된 모터의 회전운동에 기인하여 흡착면으로부터 자유롭게 돌출한다. 웨이퍼(W)에 RIE 처리를 실시하기 위해서 웨이퍼(W)를 흡착면에 흡착 유지할 때에는, 푸셔 핀(61)은 서셉터(45)에 수용되고, RIE 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 챔버(44)로부터 반출할 때에는, 푸셔 핀(61)은 정전 척(55)으로부터 돌출하여 웨이퍼(W)를 서셉터(45)로부터 이격시켜서 상방으로 들어올린다.In addition, a plurality of pusher pins 61 as lift pins protruding from the electrostatic chuck 55 are disposed on the suction surface of the susceptor 45. These pusher pins 61 are connected via a motor (not shown) and a ball screw (not shown), and protrude freely from the suction surface due to the rotational motion of the motor converted into linear motion by the ball screw. When the wafer W is adsorbed and held on the adsorption surface in order to perform the RIE process on the wafer W, the pusher pins 61 are accommodated in the susceptor 45 and the chamber W is subjected to the RIE process. When unloading from 44, the pusher pin 61 protrudes from the electrostatic chuck 55, lifts the wafer W apart from the susceptor 45, and lifts it upwards.

챔버(44)[반응실(48)]의 천장부에는, 서셉터(45)와 대향하도록 가스 도입 샤워헤드(62)가 배치되어 있다. 가스 도입 샤워헤드(62)에는 정합기(63)를 거쳐서 상부 고주파 전원(64)이 접속되어 있고, 상부 고주파 전원(64)은 소정의 고주파 전력을 가스 도입 샤워헤드(62)에 공급하므로, 가스 도입 샤워헤드(62)는 상부 전극으로서 기능한다. 또한, 정합기(63)의 기능은 전술한 정합기(53)의 기능과 동일하다.At the ceiling of the chamber 44 (reaction chamber 48), a gas introduction shower head 62 is disposed to face the susceptor 45. An upper high frequency power supply 64 is connected to the gas introduction shower head 62 via a matching unit 63, and the upper high frequency power supply 64 supplies a predetermined high frequency power to the gas introduction shower head 62. Introduction showerhead 62 functions as an upper electrode. In addition, the function of the matcher 63 is the same as the function of the matcher 53 mentioned above.

가스 도입 샤워헤드(62)는 다수의 가스 구멍(65)을 갖는 천장 전극판(66)과, 해당 천장 전극판(66)을 착탈가능하게 지지하는 전극 지지체(67)를 갖는다. 또한, 해당 전극 지지체(67)의 내부에는 버퍼실(68)이 마련되고, 이 버퍼실(68)에는 처리 가스 도입관(69)이 접속되어 있다. 가스 도입 샤워헤드(62)는 처리 가스 도입 관(69)으로부터 버퍼실(68)에 공급된 처리 가스를 가스 구멍(65)을 경유하여 챔버(44)[반응실(48)]내에 공급한다.The gas introduction shower head 62 has a ceiling electrode plate 66 having a plurality of gas holes 65, and an electrode support 67 for detachably supporting the ceiling electrode plate 66. In addition, a buffer chamber 68 is provided inside the electrode support 67, and a processing gas introduction pipe 69 is connected to the buffer chamber 68. The gas introduction shower head 62 supplies the process gas supplied from the process gas introduction pipe 69 to the buffer chamber 68 into the chamber 44 (reaction chamber 48) via the gas hole 65.

또한, 챔버(44)의 측벽에는, 푸셔 핀(61)에 의해 서셉터(45)로부터 상방으로 들어올려진 웨이퍼(W)의 높이에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)의 반출입구(70)가 마련되고, 반출입구(70)에는, 해당 반출입구(70)를 개폐하는 진공 게이트 밸브(20)가 장착되어 있다.Moreover, the carrying-out opening 70 of the wafer W is provided in the side wall of the chamber 44 at the position corresponding to the height of the wafer W lifted upward from the susceptor 45 by the pusher pin 61. As shown in FIG. In addition, the vacuum inlet / outlet 70 is equipped with a vacuum gate valve 20 that opens and closes the inlet / outlet 70.

이 프로세스 모듈(13)의 챔버(44)내에서는, 전술한 바와 같이, 서셉터(45) 및 가스 도입 샤워헤드(62)에 고주파 전력을 공급하여, 서셉터(45) 및 가스 도입 샤워헤드(62) 사이의 처리 공간(S')에 고주파 전력을 인가함으로써, 해당 처리 공간(S')에 있어서 가스 도입 샤워헤드(62)로부터 공급된 처리 가스를 고밀도의 플라즈마로 하여 이온이나 라디칼을 발생시켜서, 해당 이온 등에 의해 웨이퍼(W)에 RIE 처리를 실시한다.In the chamber 44 of this process module 13, as described above, high frequency power is supplied to the susceptor 45 and the gas introduction shower head 62, so that the susceptor 45 and the gas introduction shower head ( By applying high frequency power to the processing space S 'between the 62, the ions and radicals are generated by making the processing gas supplied from the gas introduction shower head 62 in the processing space S' into a high density plasma. RIE treatment is performed on the wafer W by the ions and the like.

프로세스 모듈(14)은 프로세스 모듈(13)과 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 그 구성에 대한 설명은 생략한다.The process module 14 has the same configuration as the process module 13. Therefore, the description of the configuration is omitted.

프로세스 모듈(14)에서는, 프로세스 모듈(13)에 의해 RIE 처리를 실시한 웨이퍼(W)가 챔버(44)내에 반입되어서 푸셔 핀(61)에 지지되면, 가스 도입 샤워헤드(62)로부터 산소(O₂) 가스가 처리 공간(S')에 도입된다. 이때, 푸셔 핀(61)은 웨이퍼(W)를 서셉터(45)로부터 상방으로 들어올린 그대로의 상태에서 지지한다. 따라서, 웨이퍼(W)의 이면의 하방에도 공간이 존재한다.In the process module 14, when the wafer W subjected to the RIE process by the process module 13 is loaded into the chamber 44 and supported by the pusher pin 61, oxygen O is discharged from the gas introduction shower head 62. ₂ ) The gas is introduced into the processing space S '. At this time, the pusher pin 61 supports the wafer W in a state of being lifted upward from the susceptor 45. Therefore, a space exists below the back surface of the wafer W. As shown in FIG.

또한, 서셉터(45) 및 가스 도입 샤워헤드(62)에 고주파 전력이 공급되어서, 서셉터(45) 및 가스 도입 샤워헤드(62) 사이의 처리 공간(S')에 고주파 전력이 인가되면, 처리 공간(S')의 산소 가스로부터 플라즈마가 발생하여 산소 라디칼이 발생한다. 이때, 웨이퍼(W)의 이면의 하방의 공간에도 산소 라디칼이 들어가고, 해당 산소 라디칼은 웨이퍼(W)의 이면에 있어서의 CF계 보호막을 분해·제거한다(애싱 처리).In addition, when high frequency power is supplied to the susceptor 45 and the gas introduction shower head 62, and high frequency power is applied to the processing space S 'between the susceptor 45 and the gas introduction shower head 62, Plasma is generated from oxygen gas in the processing space S 'to generate oxygen radicals. At this time, oxygen radicals enter the space below the back surface of the wafer W, and the oxygen radical decomposes and removes the CF protective film on the back surface of the wafer W (ashing treatment).

또한, 프로세스 모듈(14)에서는 산소 라디칼에 의해 CF계 보호막을 제거했지만, 처리 공간(S')에 있어서 불소 라디칼을 발생시켜서, 해당 불소 라디칼에 의해 웨이퍼(W)의 이면에 있어서의 CF계 보호막을 분해·제거하여도 좋거나, 또는 처리 공간(S')에 오존 가스를 공급하여 해당 오존 가스에 의해 CF계 보호막을 분해·제거하여도 좋다.In addition, although the CF system protective film was removed by the oxygen radical in the process module 14, the fluorine radical was generated in the processing space S ', and the CF system protective film on the back surface of the wafer W by the fluorine radical. May be decomposed and removed, or the CF protective film may be decomposed and removed by supplying ozone gas to the processing space S '.

도 1로 돌아가서, 기판 처리 시스템(10)은 각 구성요소, 예컨대 트랜스퍼 모듈(11), 프로세스 모듈(12 내지 15)이나 로더 모듈(16)의 동작을 제어하는 시스템 콘트롤러(도시하지 않음)와, 로더 모듈(16)의 길이방향에 대한 일단부에 배치된 조작 패널(operation panel)(71)을 구비한다.Returning to FIG. 1, the substrate processing system 10 includes a system controller (not shown) that controls the operation of each component, such as the transfer module 11, the process modules 12 to 15, or the loader module 16, and An operation panel 71 is disposed at one end in the longitudinal direction of the loader module 16.

조작 패널(71)은, 예컨대 LCD(Liquid Crystal Display; 액정 디스플레이)로 이루어지는 표시부를 갖고, 해당 표시부는 기판 처리 시스템(10)의 각 구성요소의 동작 상황을 표시한다.The operation panel 71 has a display section made of, for example, a liquid crystal display (LCD), and the display section displays the operation status of each component of the substrate processing system 10.

전술한 기판 처리 시스템(10)에 따르면, RIE 처리가 실시되기 전의 웨이퍼(W)의 이면에 CVD 처리에 의해 CF계 보호막이 형성되고, RIE 처리가 실시된 후의 웨이퍼(W)의 이면으로부터 애싱 처리에 의해 CF계 보호막이 제거되므로, CF계 보호막을 확실하게 형성할 수 있는 동시에, 해당 CF계 보호막을 확실하게 제거할 수 있다. 또한, 프로세스 모듈(13)에 있어서 정전 척(55)은 웨이퍼(W)의 이면에 형성된 CF계 보호막과 접촉한다. 따라서, 웨이퍼(W)가 정전 척(55)에 흡착될 때에 웨이퍼(W)의 이면에 상처가 생기는 것을 방지할 수 있고, 또한 웨이퍼(W)와 정전 척의 밀착성이 향상하기 때문에, 웨이퍼(W)의 온도 제어성을 향상할 수 있다.According to the substrate processing system 10 described above, a CF protective film is formed on the back surface of the wafer W before the RIE processing is performed by CVD processing, and ashing processing from the back surface of the wafer W after the RIE processing is performed. Since the CF protective film is removed, the CF protective film can be reliably formed and the CF protective film can be reliably removed. In the process module 13, the electrostatic chuck 55 is in contact with the CF protective film formed on the back surface of the wafer W. As shown in FIG. Therefore, when the wafer W is adsorbed by the electrostatic chuck 55, a wound can be prevented from occurring on the back surface of the wafer W, and the adhesion between the wafer W and the electrostatic chuck is improved, so that the wafer W The temperature controllability of can be improved.

기판 처리 시스템(10)에서는, 프로세스 모듈(12)은 CVD 처리에 의해 CF계 보호막을 형성하므로, 해당 프로세스 모듈(12)은 진공계 처리 장치이다. 여기에서, 웨이퍼(W)에 RIE 처리를 실시하는 프로세스 모듈(13)도 진공계 처리 장치이며, 트랜스퍼 모듈(11)은 진공계 기판 반송 장치이기 때문에, 트랜스퍼 모듈(11)을 거쳐서 프로세스 모듈(12) 및 프로세스 모듈(13)을 접속할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 이면에 있어서의 CF계 보호막의 형성 및 웨이퍼(W)의 RIE 처리를 연속해서 원활하게 실행할 수 있다.In the substrate processing system 10, since the process module 12 forms a CF protective film by CVD processing, the process module 12 is a vacuum processing apparatus. Here, the process module 13 which performs the RIE process on the wafer W is also a vacuum processing apparatus, and since the transfer module 11 is a vacuum substrate conveying apparatus, the process module 12 and the transfer module 11 are carried out. The process module 13 can be connected. As a result, the formation of the CF protective film on the back surface of the wafer W and the RIE process of the wafer W can be continuously and smoothly performed.

또한, 기판 처리 시스템(10)에서는, 프로세스 모듈(14)은 애싱 처리에 의해 보호막을 제거하므로, 프로세스 모듈(14)은 진공계 처리 장치이다. 여기에서, 프로세스 모듈(13)도 진공계 처리 장치이며, 트랜스퍼 모듈(11)은 진공계 기판 반송 장치이기 때문에, 트랜스퍼 모듈(11)을 거쳐서 프로세스 모듈(13) 및 프로세스 모듈(14)을 접속할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 RIE 처리 및 CF계 보호막의 제거를 연속해서 원활하게 실행할 수 있다.In the substrate processing system 10, since the process module 14 removes the protective film by ashing, the process module 14 is a vacuum processing apparatus. Here, since the process module 13 is also a vacuum processing apparatus and the transfer module 11 is a vacuum substrate conveyance apparatus, the process module 13 and the process module 14 can be connected through the transfer module 11. As a result, the RIE process of the wafer W and the removal of the CF protective film can be performed smoothly and continuously.

또, 전술한 기판 처리 시스템(10)에서는, 프로세스 모듈(12)이 CVD 처리에 의해 CF계 보호막을 형성했지만, 보호막은 CF계 보호막에 한정되지 않는다. 또한, 보호막의 형성 방법도 CVD 처리에 한정되지 않고, 증착을 이용하는 것이라면 좋고, 예컨대 PVD(Physical Vapor Deposition; 물리적 증착) 처리여도 좋다.In the substrate processing system 10 described above, the process module 12 forms a CF protective film by CVD treatment, but the protective film is not limited to the CF protective film. In addition, the formation method of a protective film is not limited to CVD process, What is necessary is just to use vapor deposition, for example, PVD (Physical Vapor Deposition) process may be sufficient.

다음에, 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템에 대해서 설명한다.Next, the substrate processing system which concerns on 2nd Embodiment of this invention is demonstrated.

본 실시형태는, 그 구성이나 작용이 전술한 제 1 실시형태와 기본적으로 동일하며, 보호막 형성 장치 및 보호막 제거 장치가 전술한 제 1 실시형태와 상이할 뿐이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하고, 이하에 제 1 실시형태와 상이한 작용에 대해서만 설명을 실행한다.This embodiment is basically the same in structure and operation as the first embodiment described above, and the protective film forming apparatus and the protective film removing apparatus are only different from the first embodiment described above. Therefore, description is abbreviate | omitted about the same structure and it demonstrates only about the operation different from 1st Embodiment below.

도 4는 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.4 is a sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment.

도 4에 있어서, 기판 처리 시스템(80)에서는, 로더 모듈(16)(대기계 기판 반송 장치)에는, 전술한 로드록 모듈(17, 18) 및 FOUP 탑재대(31) 이외에, 웨이퍼(W)를 표리(表裏) 반전시키는 웨이퍼 반전 유닛(83)을 거쳐서, 웨이퍼(W)의 이면에 감광성 수지로 이루어지는 보호막을 형성하는 코팅 유닛(81)(보호막 형성 장치)이 접속되고, 또한 웨이퍼(W)의 이면으로부터 상기 보호막을 제거하는 클리닝 유닛(82)(보호막 제거 장치)이 접속되어 있다. 구체적으로는, 코팅 유닛(81)은 로더 모듈(16)의 길이방향에 대한 일단부에 배치되고, 클리닝 유닛(82)은 3개의 FOUP 탑재대(15)와 병렬로 배치된다. 기판 처리 시스템(80)에 있어서, 웨이퍼(W)는 코팅 유닛(81), 프로세스 모듈(13) 및 클리닝 유닛(82)의 순서로 반송된다.In FIG. 4, in the substrate processing system 80, the loader module 16 (large machine substrate conveying apparatus) is provided with a wafer W in addition to the above-described load lock modules 17 and 18 and the FOUP mount 31. The coating unit 81 (protective film forming apparatus) which forms the protective film which consists of photosensitive resin on the back surface of the wafer W is connected via the wafer inversion unit 83 which inverts the front and back, and the wafer W is further connected. A cleaning unit 82 (protective film removing device) for removing the protective film from the back surface of the substrate is connected. Specifically, the coating unit 81 is disposed at one end in the longitudinal direction of the loader module 16, and the cleaning unit 82 is disposed in parallel with the three FOUP mounts 15. In the substrate processing system 80, the wafer W is conveyed in the order of the coating unit 81, the process module 13, and the cleaning unit 82.

도 5는 웨이퍼의 이면에 감광성 수지로 이루어지는 보호막을 형성하는 코팅 유닛의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a coating unit for forming a protective film made of photosensitive resin on the back surface of a wafer.

도 5에 있어서, 코팅 유닛(81)은 웨이퍼(W)를 수용하는 하우징 형상의 수용실로서의 챔버(84)와, 해당 챔버(84)의 중앙부에 배치된 스핀 척(86)과, 해당 스핀 척(86)을 둘러싸도록 배치된 환형의 컵(85)과, 도포액 토출 장치(87)를 구비한다.In FIG. 5, the coating unit 81 includes a chamber 84 as a housing-shaped accommodation chamber that accommodates the wafer W, a spin chuck 86 disposed in the center of the chamber 84, and the spin chuck. An annular cup 85 disposed so as to surround 86 and a coating liquid discharge device 87 are provided.

스핀 척(86)은 웨이퍼(W)를 탑재하는 탑재대(88)와, 해당 탑재대(88)의 하부로부터 하방으로 연장하는 샤프트(89)로 이루어진다. 샤프트(89)는 탑재대(88)의 상면이 수평으로 되도록 탑재대(88)를 지지한다. 탑재대(88)는 상면에 있어서 개구되는 복수의 진공 흡착 구멍(도시하지 않음)을 갖는다. 탑재대(88)에 탑재된 웨이퍼(W)는 복수의 진공 흡착 구멍에 의해 탑재대(88)의 상면에 진공 흡착된다. 또한, 탑재대(88)는 상면에 수지로 이루어지는 완충막(도시하지 않음)을 갖는다. 여기에서, 웨이퍼(W)는 챔버(84)에 반입되기 전에, 웨이퍼 반전 유닛(83)에 의해 표리가 반전된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 표면은 완충막을 거쳐서 탑재대(88)의 상면에 진공 흡착되므로, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 배선 홈이나 비아홀의 형상이 붕괴되는 일이 없다.The spin chuck 86 includes a mounting table 88 on which the wafer W is mounted, and a shaft 89 extending downward from the lower portion of the mounting table 88. The shaft 89 supports the mounting table 88 so that the upper surface of the mounting table 88 is horizontal. The mounting table 88 has a plurality of vacuum suction holes (not shown) that are opened on the upper surface. The wafer W mounted on the mounting table 88 is vacuum-adsorbed to the upper surface of the mounting table 88 by a plurality of vacuum suction holes. In addition, the mounting table 88 has a buffer film (not shown) made of resin on its upper surface. Here, the front and rear surfaces are inverted by the wafer inversion unit 83 before the wafer W is carried into the chamber 84. Therefore, since the surface of the wafer W is vacuum-adsorbed to the upper surface of the mounting table 88 via the buffer film, the shape of the wiring groove and the via hole formed in the surface of the wafer W do not collapse.

또한, 웨이퍼(W)의 이면은 챔버(84)내의 공간에 폭로된다. 샤프트(89)는 모터(도시하지 않음)에 의해 해당 샤프트(89)의 중심축을 중심으로 회전한다. 따라서, 탑재대(88)의 상면에 진공 흡착된 웨이퍼(W)는 수평면내에서 회전한다. 또한, 샤프트(89)는 에어 실린더(도시하지 않음) 등에 의해 승강가능하게 이동한다.In addition, the back surface of the wafer W is exposed to the space in the chamber 84. The shaft 89 is rotated about the central axis of the shaft 89 by a motor (not shown). Therefore, the wafer W vacuum-adsorbed to the upper surface of the mounting table 88 rotates in the horizontal plane. In addition, the shaft 89 moves up and down by an air cylinder (not shown) or the like.

컵(85)은 환형의 용기로서, 상부가 전체 원주에 걸쳐서 개구되는 개구부(90) 를 갖는다. 탑재대(88)에 진공 흡착된 웨이퍼(W)가 하강했을 때에, 개구부(90)는 해당 웨이퍼(W)의 주연부를 수용한다. 또한, 컵(85)은 바닥부에 잉여액 배출관(91)을 갖는다.The cup 85 is an annular container and has an opening 90 whose top is opened over the entire circumference. When the wafer W vacuum-adsorbed to the mounting table 88 descends, the opening portion 90 accommodates the periphery of the wafer W. As shown in FIG. In addition, the cup 85 has a surplus liquid discharge pipe 91 at the bottom.

도포액 토출 장치(87)는 탑재대(88)의 상면에 진공 흡착된 웨이퍼(W)에 대향하도록 배치된 노즐(92)과, 해당 노즐(92) 및 도포액을 공급하는 도포액 공급 장치(도시하지 않음)를 서로 접속하는 도포액 공급관(93)과, 노즐(92)이 착탈가능하게 장착된 노즐 유지체(94)와, 해당 노즐 유지체(94)를 선단에 갖는 노즐 스캔 아암(95)을 갖는다. 노즐 스캔 아암(95)은 챔버(84)의 바닥부에 부설된 가이드 레일(96)에 의해 수평 이동가능한 수직 지지 부재(97)의 상단에 장착되어 있어, 수직 지지 부재(97)와 일체적으로 도면중 깊이방향으로 자유롭게 이동한다.The coating liquid discharge device 87 includes a nozzle 92 disposed to face the wafer W vacuum-adsorbed to the upper surface of the mounting table 88, and a coating liquid supply device for supplying the nozzle 92 and the coating liquid ( A nozzle scan arm 95 having a coating liquid supply pipe 93 for connecting each other (not shown), a nozzle holder 94 on which the nozzle 92 is detachably attached, and a nozzle holder 94 at the tip. Has The nozzle scan arm 95 is mounted on the upper end of the vertical support member 97 that is horizontally movable by the guide rail 96 attached to the bottom of the chamber 84, thereby integrally with the vertical support member 97. Freely move in the depth direction in the figure.

또한, 챔버(84)의 측벽에는, 스핀 척(86)에 의해 상방으로 들어올려진 웨이퍼(W)의 높이에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)의 반출입구(98)가 마련된다.The sidewall of the chamber 84 is provided with a carrying in / out port 98 of the wafer W at a position corresponding to the height of the wafer W lifted upward by the spin chuck 86.

코팅 유닛(81)에서는, 수평면내에 있어서 회전하는 웨이퍼(W)의 이면을 향하여 노즐(92)이 도포액, 예컨대 감광성 수지액을 토출한다. 토출된 도포액은 웨이퍼(W)의 이면에 도달하면, 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 이면에 균일하게 퍼진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 이면에 균일하게 감광성 수지가 도포된다(스핀 코트 처리). 이때, 남겨진 감광성 수지액은 컵(85)에 의해 포착되어, 잉여액 배출관(91)에 의해 외부로 배출된다.In the coating unit 81, the nozzle 92 discharges a coating liquid, for example, a photosensitive resin liquid, toward the rear surface of the wafer W that rotates in the horizontal plane. When the discharged coating liquid reaches the back surface of the wafer W, it is uniformly spread on the back surface of the wafer W by centrifugal force. Thereby, the photosensitive resin is apply | coated uniformly to the back surface of the wafer W (spin coat process). At this time, the remaining photosensitive resin liquid is captured by the cup 85 and discharged to the outside by the excess liquid discharge pipe 91.

또한, 코팅 유닛(81)은 웨이퍼(W)의 이면에 자외선광을 조사하는 UV 램프(도시하지 않음) 등을 구비하고, 웨이퍼(W)의 이면에 도포된 감광성 수지를 감광하여 경화시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 이면에 보호막이 형성된다.Moreover, the coating unit 81 is equipped with the UV lamp (not shown) etc. which irradiate an ultraviolet light to the back surface of the wafer W, and hardens by photosensitive resin apply | coated on the back surface of the wafer W. As shown in FIG. As a result, a protective film is formed on the back surface of the wafer (W).

코팅 유닛(81)에서 사용되는 감광성 수지로서는, 예컨대 카르복실기를 갖고, 산가가 30∼220KOHmg/g의 셀룰로오스 유도체를 포함하는 수지가 해당한다.As the photosensitive resin used in the coating unit 81, for example, a resin having a carboxyl group and containing a cellulose derivative having an acid value of 30 to 220 KOHmg / g corresponds.

또한, 코팅 유닛(81)에 있어서 웨이퍼(W)의 이면에 도포되는 도포액은 열경화성 수지액, 예컨대 폴리이미드를 포함하는 수지액이어도 좋고, 이 경우 코팅 유닛(81)은 UV 램프 대신에 웨이퍼(W)의 이면을 가열하는 히터를 갖는다.In addition, the coating liquid applied to the back surface of the wafer W in the coating unit 81 may be a thermosetting resin liquid, for example, a resin liquid containing polyimide, and in this case, the coating unit 81 may be a wafer (instead of a UV lamp). It has a heater which heats the back surface of W).

코팅 유닛(81)에서 이면에 보호막이 형성된 웨이퍼(W)는 챔버(84)로부터 반출되면 웨이퍼 반전 유닛(83)에 의해 표리가 반전되어, 더욱이 로더 모듈(16)에 의해 반송된다.When the wafer W having the protective film formed on the back surface of the coating unit 81 is unloaded from the chamber 84, the front and back surfaces are reversed by the wafer reversing unit 83, and further, the wafer W is conveyed by the loader module 16.

도 6은 웨이퍼의 이면으로부터 감광성 수지로 이루어지는 보호막을 제거하는 클리닝 유닛의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a cleaning unit for removing a protective film made of photosensitive resin from the back surface of a wafer.

도 6에 있어서, 클리닝 유닛(82)은 웨이퍼(W)를 수용하는 하우징 형상의 수용실로서의 챔버(99)와, 해당 챔버(99)의 저면부(100)에 배치된 탑재대(101)와, 탑재대(101)와 소정의 간격만큼 이격되어서 탑재대(101)에 대향하도록 배치된 헤드(102)와, 챔버(99)내의 후술하는 세정액 등을 외부로 배출하는 배출관(103)을 구비한다.In FIG. 6, the cleaning unit 82 includes a chamber 99 as a housing-shaped accommodation chamber that accommodates the wafer W, a mounting table 101 disposed in the bottom portion 100 of the chamber 99, and And a head 102 which is spaced apart from the mounting table 101 by a predetermined interval to face the mounting table 101, and a discharge pipe 103 for discharging the cleaning liquid described later in the chamber 99 to the outside. .

탑재대(101)는 원기둥형상의 돌출물이며, 상면에 복수의 세정액 분사부(104)를 갖는다. 탑재대(101)의 상면에는 복수의 리프트 핀(105)이 배치되어 있다. 리프트 핀(105)은 챔버(99)에 반입된 웨이퍼(W)의 이면에 접촉하여 해당 웨이퍼(W)를 지지한다. 또한, 각 리프트 핀(105)은 탑재대(101)의 상면으로부터 돌출가능하기 때문에, 리프트 핀(105)은 웨이퍼(W)를 도면중 상하방향으로 이동할 수 있다. 웨이퍼(W)의 이면의 보호막을 제거할 때에는, 리프트 핀(105)은 웨이퍼(W)가 헤드(102) 및 탑재대(101)의 중간점에 위치하도록 웨이퍼(W)를 이동하고, 웨이퍼(W)의 반출입할 때에는, 리프트 핀(105)은 웨이퍼(W)가 챔버(99)의 측벽에 마련된 웨이퍼(W)의 반출입구(106)에 대응하는 높이에 위치하도록 웨이퍼(W)를 이동한다. 또한, 헤드(102)는 대략 원판형상의 부재로 이루어지고, 하면에 복수의 세정액 분사부(107)를 갖는다.The mounting table 101 is a cylindrical protrusion and has a plurality of cleaning liquid jetting portions 104 on its upper surface. A plurality of lift pins 105 are disposed on the upper surface of the mounting table 101. The lift pin 105 contacts the rear surface of the wafer W carried in the chamber 99 to support the wafer W. As shown in FIG. In addition, since each lift pin 105 can protrude from the upper surface of the mounting table 101, the lift pin 105 can move the wafer W in the up and down direction in the figure. When removing the protective film on the back surface of the wafer W, the lift pin 105 moves the wafer W so that the wafer W is located at the midpoint between the head 102 and the mounting table 101, and the wafer ( At the time of carrying in and out of W), the lift pin 105 moves the wafer W such that the wafer W is located at a height corresponding to the entry and exit 106 of the wafer W provided on the sidewall of the chamber 99. . In addition, the head 102 is made of a substantially disk-shaped member, and has a plurality of cleaning liquid jetting portions 107 on the lower surface.

클리닝 유닛(82)에서는, 리프트 핀(105)에 의해 지지된 웨이퍼(W)의 이면을 향하여 세정액 분사부(104)로부터 세정액이 분사되는 동시에, 해당 웨이퍼(W)의 표면을 향해서도 세정액 분사부(107)로부터 세정액이 분사된다. 세정액으로서는, 예컨대 알칼리 수용액, 과산화수소수나 황산화수가 해당한다. 세정액은 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 레지스트 막을 용해하여 제거하는 동시에, 웨이퍼(W)의 이면에 형성된 감광성 수지로 이루어지는 보호막을 용해하여 제거한다(습식 세정 처리).In the cleaning unit 82, the cleaning liquid is injected from the cleaning liquid jetting unit 104 toward the rear surface of the wafer W supported by the lift pin 105, and the cleaning liquid jetting unit is also directed toward the surface of the wafer W. The cleaning liquid is injected from 107. As a washing | cleaning liquid, alkali aqueous solution, hydrogen peroxide water, and sulfated water correspond, for example. The cleaning liquid dissolves and removes the resist film formed on the surface of the wafer W, and dissolves and removes the protective film made of the photosensitive resin formed on the back surface of the wafer W (wet cleaning process).

전술한 기판 처리 시스템(80)에 따르면, RIE 처리가 실시되기 전의 웨이퍼(W)의 이면에 스핀 코트 처리(도포 처리)에 의해 감광성 수지로 이루어지는 보호막이 형성되고, RIE 처리가 실시된 후의 웨이퍼(W)의 이면으로부터 세정액에 의한 용해에 의해 해당 보호막이 제거되므로, 감광성 수지로 이루어지는 보호막을 간편하게 또한 확실하게 형성할 수 있는 동시에, 해당 보호막을 간편하게 또한 확실하게 제거할 수 있다. 또한, 프로세스 모듈(13)에 있어서 정전 척(55)은 웨이퍼(W)의 이면에 형성된 감광성 수지로 이루어지는 보호막과 접촉한다. 따라서, 웨이 퍼(W)가 정전 척(55)에 흡착될 때에 웨이퍼(W)의 이면에 상처가 생기는 것을 방지할 수 있고, 또한 웨이퍼(W)와 정전 척의 밀착성이 향상하기 때문에, 웨이퍼(W)의 온도 제어성을 향상할 수 있다.According to the substrate processing system 80 described above, a protective film made of a photosensitive resin is formed on the back surface of the wafer W before the RIE processing is performed by spin coating processing (coating processing), and the wafer after the RIE processing has been performed ( Since the protective film is removed from the back surface of W) by dissolution with a cleaning liquid, the protective film made of the photosensitive resin can be easily and reliably formed, and the protective film can be easily and reliably removed. In the process module 13, the electrostatic chuck 55 is in contact with a protective film made of photosensitive resin formed on the back surface of the wafer W. As shown in FIG. Therefore, when the wafer W is attracted to the electrostatic chuck 55, it is possible to prevent scratches on the back surface of the wafer W, and the adhesion between the wafer W and the electrostatic chuck is improved. Thus, the wafer W The temperature controllability of) can be improved.

기판 처리 시스템(80)에서는, 코팅 유닛(81)이 스핀 코트 처리시, 이물질, 예컨대 웨이퍼(W)로부터 비산한 감광성 수지에 기인하는 미세한 입자를 발하는 경우가 있지만, 코팅 유닛(81)은 로더 모듈(16)에 접속되어서 직접 트랜스퍼 모듈(11)에 접속되지 않기 때문에, 코팅 유닛(81)이 발하는 이물질이 트랜스퍼 모듈(11)을 거쳐서 에칭 장치인 프로세스 모듈(13)에 침입하는 것을 방지할 수 있다.In the substrate processing system 80, the coating unit 81 may emit fine particles due to foreign matter, for example, photosensitive resin scattered from the wafer W during the spin coating process, but the coating unit 81 may be loaded with a loader module. Since it is connected to (16) and not directly connected to the transfer module 11, foreign matter emitted by the coating unit 81 can be prevented from entering the process module 13, which is an etching apparatus, via the transfer module 11. .

또한, 기판 처리 시스템(80)에서는, 클리닝 유닛(82)이 세정액에 의해 보호막을 용해하여 제거할 때, 세정액이 클리닝 유닛(82)으로부터 비산하는 경우가 있지만, 클리닝 유닛(82)은 로더 모듈(16)에 접속되어서 직접 트랜스퍼 모듈(11)에 접속되지 않기 때문에, 세정액 등이 트랜스퍼 모듈(11)을 거쳐서 프로세스 모듈(13)에 침입하는 것을 방지할 수 있다.In addition, in the substrate processing system 80, when the cleaning unit 82 dissolves and removes the protective film by the cleaning liquid, the cleaning liquid may sometimes scatter from the cleaning unit 82, but the cleaning unit 82 may include a loader module ( Since it is connected to 16 and not directly connected to the transfer module 11, it is possible to prevent the cleaning liquid or the like from entering the process module 13 via the transfer module 11.

또, 전술한 기판 처리 시스템(80)에 있어서, 웨이퍼(W)의 이면에 형성된 감광성 수지로 이루어지는 보호막을 애싱 처리에 의해 제거하여도 좋다. 이 경우, 해당 보호막의 제거는 프로세스 모듈(14)에 의해 실행된다.Moreover, in the above-mentioned substrate processing system 80, you may remove the protective film which consists of photosensitive resin formed in the back surface of the wafer W by an ashing process. In this case, the protective film is removed by the process module 14.

또한, 기판 처리 시스템(80)이 웨이퍼 반전 유닛(83)을 구비하고 있지 않아도 좋고, 이 경우 코팅 유닛은 수평면내에 있어서 회전하는 웨이퍼(W)의 하방으로부터 해당 웨이퍼(W)의 이면을 향하여 감광성 수지액을 내뿜는 노즐을 갖는 것이 바람직하다. 감광성 수지액은 점착성을 갖기 때문에, 웨이퍼(W)의 이면에 부착되 어, 더욱이 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 이면에 균일하게 퍼진다.In addition, the substrate processing system 80 does not need to be equipped with the wafer reversal unit 83, and in this case, a coating unit is photosensitive resin toward the back surface of the said wafer W from below the rotating wafer W in a horizontal plane. It is desirable to have a nozzle that flushes liquid. Since the photosensitive resin liquid has adhesiveness, it adheres to the back surface of the wafer W, and is further uniformly spread on the back surface of the wafer W by centrifugal force.

더욱이, 웨이퍼(W)의 이면의 보호막을 전술한 스핀 코트 처리에 의해 형성하는 대신에, 웨이퍼(W)의 이면에 수지 시트를 부착하는 것에 의해서 형성하여도 좋다.Further, instead of forming the protective film on the back surface of the wafer W by the spin coating process described above, it may be formed by attaching a resin sheet to the back surface of the wafer W. FIG.

또, 전술한 각 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치에 있어서 에칭 처리가 실시되는 기판은 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, LCD(Liquid Crystal Display)나 FPD(Flat Panel Display; 평판 디스플레이) 등에 사용하는 각종 기판이나, 포토마스크(photomask), CD 기판, 프린트 기판 등이어도 좋다.In addition, the board | substrate to which an etching process is performed in the substrate processing apparatus in each embodiment mentioned above is not limited to a semiconductor wafer, Various board | substrates used for LCD (Liquid Crystal Display), FPD (Flat Panel Display), etc. Or a photomask, a CD substrate, a printed substrate, or the like.

청구항 1에 기재된 기판 처리 시스템에 따르면, 플라즈마 에칭 처리가 실시되기 전의 기판의 이면에 보호막이 형성되고, 플라즈마 에칭 처리가 실시된 후의 기판의 이면으로부터 보호막이 제거되므로, 정전 척은 기판의 이면에 형성된 보호막과 접촉한다. 따라서, 기판이 정전 척에 흡착될 때에 기판의 이면에 상처가 생기는 것을 방지할 수 있다.According to the substrate processing system of Claim 1, since a protective film is formed in the back surface of a board | substrate before a plasma etching process is performed, and a protective film is removed from the back surface of a board | substrate after a plasma etching process, an electrostatic chuck is formed in the back surface of a board | substrate. Contact with the protective film. Therefore, when a board | substrate is adsorb | sucked by an electrostatic chuck, it can prevent that a wound arises on the back surface of a board | substrate.

청구항 2에 기재된 기판 처리 시스템에 따르면, 보호막 형성 장치는 증착 처리에 의해 보호막을 형성하므로, 해당 보호막을 확실하게 형성할 수 있다.According to the substrate processing system of Claim 2, since a protective film forming apparatus forms a protective film by vapor deposition process, the protective film can be reliably formed.

청구항 3에 기재된 기판 처리 시스템에 따르면, 보호막 형성 장치는 CVD 처리에 의해 보호막을 형성하므로, 보호막 형성 장치는 진공계 처리 장치이다. 여기에서, 에칭 장치도 진공계 처리 장치이기 때문에, 진공계 기판 반송 장치를 거쳐서 보호막 형성 장치 및 에칭 장치를 접속할 수 있다. 그 결과, 보호막의 형성 및 기판의 플라즈마 에칭 처리를 연속해서 원활하게 실행할 수 있다.According to the substrate processing system of Claim 3, since a protective film forming apparatus forms a protective film by CVD process, a protective film forming apparatus is a vacuum system processing apparatus. Here, since an etching apparatus is also a vacuum system processing apparatus, a protective film forming apparatus and an etching apparatus can be connected through a vacuum substrate transfer apparatus. As a result, formation of a protective film and the plasma etching process of a board | substrate can be performed continuously and smoothly.

청구항 4에 기재된 기판 처리 시스템에 따르면, 보호막 형성 장치는 도포 처리에 의해 보호막을 형성하므로, 보호막을 간편하게 형성할 수 있다. 또한, 보호막 형성 장치는 도포 처리시 이물질을 발하는 경우가 있지만, 보호막 형성 장치는 대기계 기판 반송 장치에 접속되어서 직접 진공계 기판 반송 장치에 접속되지 않기 때문에, 보호막 형성 장치가 발하는 이물질이 진공계 기판 반송 장치를 거쳐서 에칭 장치에 침입하는 것을 방지할 수 있다.According to the substrate processing system of Claim 4, since a protective film forming apparatus forms a protective film by an application | coating process, a protective film can be formed easily. In addition, although a protective film forming apparatus may give off a foreign material at the time of a coating process, since a protective film forming apparatus is connected to an atmospheric substrate conveyance apparatus and is not directly connected to a vacuum system substrate conveying apparatus, the foreign substance which a protective film forming apparatus emits is a vacuum substrate conveyance apparatus. It is possible to prevent the intrusion into the etching apparatus through.

청구항 5에 기재된 기판 처리 시스템에 따르면, 보호막 제거 장치는 애싱 처리에 의해 보호막을 제거하므로, 보호막 제거 장치는 진공계 처리 장치이다. 여기에서, 에칭 장치도 진공계 처리 장치이기 때문에, 진공계 기판 반송 장치를 거쳐서 에칭 장치 및 보호막 제거 장치를 접속할 수 있다. 그 결과, 기판의 플라즈마 에칭 처리 및 보호막의 제거를 연속해서 원활하게 실행할 수 있다.According to the substrate processing system of Claim 5, since a protective film removal apparatus removes a protective film by ashing process, a protective film removal apparatus is a vacuum system processing apparatus. Here, since an etching apparatus is also a vacuum system processing apparatus, an etching apparatus and a protective film removal apparatus can be connected through a vacuum substrate transfer apparatus. As a result, the plasma etching process and removal of a protective film of a board | substrate can be performed continuously and smoothly.

청구항 6에 기재된 기판 처리 시스템에 따르면, 보호막 제거 장치는 습식 세정 처리에 의해 보호막을 제거하므로, 보호막을 간편하게 제거할 수 있다. 또한, 습식 세정 처리시에, 세정액이 보호막 제거 장치로부터 비산하는 경우가 있지만, 보호막 제거 장치는 대기계 기판 반송 장치에 접속되어서 직접 진공계 기판 반송 장치에 접속되지 않기 때문에, 세정액 등이 진공계 기판 반송 장치를 거쳐서 에칭 장치에 침입하는 것을 방지할 수 있다.According to the substrate processing system of Claim 6, since a protective film removal apparatus removes a protective film by a wet washing process, a protective film can be removed easily. In addition, although the washing | cleaning liquid may scatter from a protective film removal apparatus at the time of a wet washing process, since a protective film removal apparatus is connected to an atmospheric substrate conveyance apparatus and is not directly connected to a vacuum-based substrate conveyance apparatus, a cleaning liquid etc. are vacuum substrate transfer apparatuses. It is possible to prevent the intrusion into the etching apparatus through.

Claims

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An etching apparatus for performing a plasma etching treatment on a substrate, and a vacuum substrate transfer apparatus to which the etching apparatus is connected, the etching apparatus includes an electrostatic chuck for electrostatically adsorbing the substrate, and the electrostatic chuck is in contact with the back surface of the substrate. In the substrate processing system,

A protective film forming apparatus for forming a protective film on the back surface of the substrate before the plasma etching treatment is performed by a vapor deposition process;

And a protective film removing device for removing the protective film from the back surface of the substrate after the plasma etching process is performed.

Substrate processing system.

The method of claim 2,

The deposition process is characterized in that the CVD process

Substrate processing system.

An atmospheric substrate transfer apparatus connected to the vacuum substrate transfer apparatus,

A wafer inversion device connected to the atmospheric substrate transfer device for inverting a wafer;

A protective film forming apparatus connected to the wafer reversing apparatus and forming a protective film on the back surface of the substrate before the plasma etching treatment is performed;

Substrate processing system.

The method of claim 2,

The protective film removing device removes the protective film by ashing.

Substrate processing system.

The method of claim 2,

The protective film removing device is connected to the air carrier substrate conveying device, and the protective film is removed by a wet cleaning process.

Substrate processing system.