KR100864168B1 - vertical multi gas supply system - Google Patents

vertical multi gas supply system Download PDF

Info

Publication number
KR100864168B1
KR100864168B1 KR1020030101842A KR20030101842A KR100864168B1 KR 100864168 B1 KR100864168 B1 KR 100864168B1 KR 1020030101842 A KR1020030101842 A KR 1020030101842A KR 20030101842 A KR20030101842 A KR 20030101842A KR 100864168 B1 KR100864168 B1 KR 100864168B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
cabinet
supply
semiconductor device
gas supply
Prior art date
Application number
KR1020030101842A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20050071045A (en
Inventor
권영관
김태환
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020030101842A priority Critical patent/KR100864168B1/en
Publication of KR20050071045A publication Critical patent/KR20050071045A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100864168B1 publication Critical patent/KR100864168B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Abstract

수직 다중 가스 공급 시스템을 제시한다. 본 발명의 일 관점에 따르면, 다수의 반도체 소자 제조용 장비들에 요구되는 가스를 저장하는 가스 용기가 설치되는 캐비넷(cabinet), 및 캐비넷 내부의 가스 용기 상측에 도입되어 가스 용기로부터 다수의 반도체 소자 제조용 장비들에 가스를 배분하여 공급하는 가스 배분 공급 배관부를 포함하여 구성된다. A vertical multiple gas supply system is presented. According to an aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a cabinet in which a gas container storing gas required for a plurality of semiconductor device fabrication equipments is installed; And a gas distribution supply piping part for distributing and supplying the gas to the devices.

가스 공급 시스템, VMBGas supply system, VMB

Description

수직 다중 가스 공급 시스템{vertical multi gas supply system}A vertical multi gas supply system

도 1a 및 도 1b는 종래의 다중 가스 공급 시스템을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면들이다. FIGS. 1A and 1B are schematic views illustrating a conventional multiple gas supply system.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 수직 다중 가스 공급 시스템을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. 2 is a schematic view illustrating a vertical multiple gas supply system according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체 소자 제조 장비에 관한 것으로, 특히, 수직 다중 가스 공급 시스템(vertical multi gas supply system)에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor device manufacturing equipment, and more particularly, to a vertical multi gas supply system.

현재 반도체 소자 제조 공정에는 다양한 가스의 사용이 요구된다. 이에 따라, 반도체 공정에 사용되는 가스 중 중앙 공급식으로 제공되는 가스를 제외하고는, 가스 용기(bottle)를 포함하는 가스 캐비넷(gas cabinet)을 이용하여 가스 용기로부터 주 장비에 가스를 직접적으로 공급하고 있다. Currently, the use of various gases is required for semiconductor device manufacturing processes. Thereby, except for the gas supplied in a central supply type among the gases used in the semiconductor processing, a gas cabinet including a gas bottle is used to directly supply the gas from the gas container to the main equipment .

하지만, 가스의 압력에 따라 가스 용기 하나 당 주 장비 하나씩 연결하여 이용하는 것이 아니라, VMB(Valve Manifold Box) 장비를 이용하여 가스 용기 한 개에 2 혹은 3대 이상의 장비를 연결하여 사용하고 있다. However, according to the pressure of the gas, one or two or more units are connected to one gas container by using a VMB (Valve Manifold Box) equipment, instead of using one main unit for each gas container.                         

하지만, 거리가 먼 가스 룸(gas room)에서 오는 가스의 경우를 제외하고, 서브 팹(sub FAB)에 설치하는 가스 캐비넷의 경우 VMB를 추가로 설치하면, 서브 팹의 공간 확보가 사실상 어렵게 된다. 그리고, VMB를 추가로 구매해야 하는 문제가 발생하고, 안전 상의 문제를 무시하고 밸브 박스(valve box)를 사용하게 되면, 안정 규정을 무시하게 되는 결과가 발생하게 된다. However, in the case of a gas cabinet installed in a sub FAB, except for the gas coming from a gas room which is far from the center, it is practically difficult to secure the sub-fab space by installing a VMB. In addition, if the VMB is purchased separately, and the valve box is used in disregard of the safety problem, the safety regulation is ignored.

도 1a 및 도 1b는 종래의 다중 가스 공급 시스템을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면들이다. FIGS. 1A and 1B are schematic views illustrating a conventional multiple gas supply system.

도 1a를 참조하면, 종래의 다중 가스 공급 시스템은 서브 팹에 가스 캐비넷(10)이 설치되고, 클린 룸(clean room)에 설치된 여러 대의 장비들(31, 33, 35)에 가스를 동시에 배분하여 공급하게 된다. 이때, 가스 공급 경로 중간에 가스 배분을 위한 VMB(20)가 도입되고 있다. Referring to FIG. 1A, a conventional multiple gas supply system includes a gas cabinet 10 installed in a sub-fab, gas is simultaneously distributed to a plurality of equipment 31, 33, and 35 installed in a clean room . At this time, the VMB 20 for gas distribution is introduced in the middle of the gas supply path.

물론, 도 1b에 제시된 바와 같이 VMB(20) 대신에 단순한 밸브 박스(25)를 설치하여 가스 분배를 구현할 수도 있으나, 반도체 소자 제조 공정에 사용되는 가스들은 위험 성분을 포함한 가스들이 다분하므로, 이러한 밸브 박스(25)의 사용은 가스 누설(gas leakage) 발생 또는 누설 가스 검출 등이 미비하여 적절하지 못하다. Of course, as shown in FIG. 1B, a simple valve box 25 may be provided in place of the VMB 20 to implement the gas distribution. However, since the gases used in the semiconductor device manufacturing process are gas containing dangerous components, The use of the box 25 is not suitable because of the occurrence of gas leakage or leakage gas detection.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 여러 반도체 소자 제조용 장비들로 가스를 배분 공급할 수 있는 개선된 다중 가스 공급 시스템을 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide an improved multi-gas supply system capable of distributing and supplying gas to various semiconductor device manufacturing equipment.

상기의 기술적 과제들을 달성하기 위한 본 발명의 일 관점은, 다수의 반도체 소자 제조용 장비들에 요구되는 가스를 저장하는 가스 용기가 설치되는 캐비넷(cabinet), 및 상기 캐비넷 내부의 상기 가스 용기 상측에 도입되어 상기 가스 용기로부터 상기 다수의 반도체 소자 제조용 장비들에 상기 가스를 배분하여 공급하는 가스 배분 공급 배관부를 포함하는 다중 가스 공급 시스템을 제시한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, the method comprising: providing a cabinet in which a gas container storing gas required for a plurality of semiconductor device manufacturing equipment is installed; And a gas distribution supply pipe portion for distributing the gas from the gas container to the plurality of semiconductor device manufacturing equipment.

상기 가스 배분 공급 배관부는 상기 가스 용기로부터 제공되는 가스를 상기 다수의 반도체 소자 제조용 장비들 각각에 배분하는 다수의 가스 공급 배관들, 및 상기 가스 공급 배관들에 설치되어 상기 가스의 공급을 배분하는 운행 밸브들을 포함하여 구성될 수 있다. Wherein the gas distribution supply piping portion includes a plurality of gas supply pipes for distributing the gas provided from the gas container to each of the plurality of semiconductor device manufacturing equipment, and a plurality of gas supply pipes installed in the gas supply pipes to distribute the supply of the gas Valves.

상기 캐비넷 내에 누설될 수 있는 가스를 검출하기 위한 가스 검출기를 더 포함하여 구성될 수 있다. And a gas detector for detecting a gas leakable in the cabinet.

상기 캐비넷 내에 질소 가스를 제공하기 위한 가스 공급관은 더 포함하여 구성될 수 있다. And a gas supply pipe for supplying nitrogen gas into the cabinet.

상기 질소 가스를 제공하기 위한 가스 공급관은 상기 가스 배분 공급 배관부도 연결되는 것일 수 있다. The gas supply pipe for supplying the nitrogen gas may be connected to the gas distribution supply pipe portion.

상기 캐비넷 내에 밸브 구동을 위한 질소 가스를 공급하기 위한 가스 공급관을 더 포함하여 구성될 수 있다. And a gas supply pipe for supplying nitrogen gas for driving the valve in the cabinet.

본 발명에 따르면, 여러 반도체 소자 제조용 장비들로 가스를 배분 공급할 수 있는 개선된 다중 가스 공급 시스템을 제공하는 데 있다.According to the present invention, there is provided an improved multi-gas supply system capable of distributing and supplying gas to various semiconductor device manufacturing equipment.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안되며, 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것으로 해석되는 것이 바람직하다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the embodiments of the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth hereinbelow, To provide a more complete description of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 수직 다중 가스 공급 시스템을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. 2 is a schematic view illustrating a vertical multiple gas supply system according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 수직 다중 가스 공급 시스템은 외관을 이루는 캐비넷(100) 내에 가스 용기(200)가 설치되게 구성된다. 이러한 가스 용기(200)는 가스의 연속적 공급 등을 위해서 보조 용기를 포함하여 적어도 2개 정도 설치되며, 이러한 가스 용기(200)로부터 가스의 이송을 위한 제1 공급 배관(410)이 연결된다. 이러한 제1 공급 배관(410)에는 제어 밸브(300)가 설치되어 가스 용기(200)로부터의 가스의 공급이 통제된다. Referring to FIG. 2, the vertical multiple gas supply system according to the embodiment of the present invention is configured such that a gas container 200 is installed in a cabinet 100 forming an outer appearance. At least two such gas containers 200 are provided for the continuous supply of the gas and the like, and a first supply pipe 410 for transferring the gas from the gas container 200 is connected. A control valve 300 is provided in the first supply pipe 410 to control the supply of gas from the gas container 200.

이러한 제1 공급 배관(410)에는 다수의 제2 공급 배관들(431, 433, 435, 437)들이 연결되고, 제2 공급 배관들(431, 433, 435, 437)에는 각각의 제2 공급 배관들(431, 433, 435, 437) 개개로 가스들의 분배 공급을 위한 운행 밸브들(330)이 설치된다. 이러한 운행 밸브(330)들의 선택적 작동에 의해서, 제2 공급 배관들(431, 433, 435, 437) 각각에 연결되는 클린 룸 내에 설치된 반도체 소자 제조용 장비들(610, 620, 630, 640)에 가스가 배분 공급된다. A plurality of second supply pipes 431, 433, 435 and 437 are connected to the first supply pipe 410 and two second supply pipes 431, 433, 435 and 437 are connected to the second supply pipes 431, 433, The valves 431, 433, 435, and 437 are provided with operation valves 330 for distributing and supplying gases, respectively. 620, 630, and 640 installed in the clean room connected to the respective second supply pipes 431, 433, 435, and 437 by the selective operation of these travel valves 330. [ Is distributed.

한편, 이러한 제2 공급 배관들(431, 433, 435, 437)에는 질소 가스 등을 제공하기 위한 제3 가스 배관(440)이 연결될 수 있다. 이러한 제3 가스 배관(440)에는 압력 게이지(pressure gauge:350)가 설치되어 질소 가스의 압력을 검출하게 된 다. 그리고, 제3 가스 배관(440)에는 제4 가스 배관(450)이 연결되어 질소 가스 등을 공급하게 된다. 제4 가스 배관(450)은 캐비넷(100) 내에 가스 누설 검사에 요구되는 질소 가스 등을 제공하는 역할도 함께 겸하게 설치된다. Meanwhile, a third gas pipe 440 for supplying nitrogen gas or the like may be connected to the second supply pipes 431, 433, 435, and 437. A pressure gauge 350 is installed in the third gas pipe 440 to detect the pressure of the nitrogen gas. A fourth gas pipe 450 is connected to the third gas pipe 440 to supply nitrogen gas or the like. The fourth gas piping 450 also serves to provide nitrogen gas or the like required for gas leakage inspection in the cabinet 100 as well.

그리고, 캐비넷(100) 내에 도입되는 여러 밸브들의 구동을 위한 질소 가스의 공급을 위한 제5가스 배관(460) 및 이러한 질소 가스의 배기를 위한 제6가스 배관(470)이 더 캐비넷(100)에 설치된다. 또한, 캐비넷(100) 내에 발생될 수 있는 누설 가스의 검출을 위해 누설 가스 검출기(490)가 캐비넷(100) 내에 설치된다. A fifth gas pipe 460 for supplying nitrogen gas for driving various valves introduced into the cabinet 100 and a sixth gas pipe 470 for exhausting the nitrogen gas are further connected to the cabinet 100 Respectively. Also, a leakage gas detector 490 is installed in the cabinet 100 for detecting the leakage gas that may be generated in the cabinet 100. [

이와 같은 다중 가스 공급 장치는 실질적으로 가스 저장을 위한 가스 용기(200) 상측에 가스 분배를 위한 가스 배분 공급 배관부(150)가 수직하게 배치된 구조로 구성된다. Such a multi-gas supply apparatus is constructed such that a gas distribution supply piping section 150 for gas distribution is vertically arranged above the gas container 200 for gas storage.

이와 같은 다중 가스 공급 장치는 종래의 VMB(도 1a의 20)의 별도 설치 없이 가스를 여러 반도체 소자 제조용 장비들에 배분할 수 있다. 이에 따라, 서브 팹 영역에 VMB(20)를 설치할 필요가 없어 VMB 설치에 따른 비용을 절감할 수 있고, 또한, VMB 설치에 따른 가스 검출기의 필요 수량을 절감할 수 있다. 또한, VMB 설치에 따라 요구되는 서브 팹 영역의 공간을 절감할 수 있다. 이에 따라 서브 팹 영역의 공간 확보가 됨에 따라 공간 관리가 보다 양호해질 수 있다. 즉, 훅 라인(hook line)의 일원화로 팹 환경이 우수해질 수 있다. Such a multi-gas supply device can distribute gas to equipment for manufacturing various semiconductor devices without installing a conventional VMB (20 in FIG. 1A). Accordingly, it is not necessary to install the VMB 20 in the subfab area, so that the cost of installing the VMB can be reduced, and the required number of gas detectors according to the installation of the VMB can be reduced. In addition, it is possible to save the space of the sub-fab area required by installing the VMB. As a result, the space of the subfab area can be secured and the space management can be improved. In other words, the fab environment can be improved by unifying the hook line.

이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims.

상술한 본 발명에 따르면, 별도의 VMB없이 가스 배분 공급이 가능하여 비용 절감을 구현할 수 있다. VMB의 도입이 필요없어 팹 공간이 효율적으로 관리될 수 있다.According to the present invention described above, it is possible to provide gas distribution without a separate VMB, thereby realizing cost reduction. Since the introduction of VMB is not necessary, the fab space can be efficiently managed.

Claims (6)

다수의 반도체 소자 제조용 장비들에 요구되는 가스를 저장하는 가스 용기가 설치되는 캐비넷(cabinet);A cabinet in which a gas container storing gas required for a plurality of semiconductor device manufacturing equipment is installed; 상기 캐비넷 내부의 상기 가스 용기 상측에 도입되어 상기 가스 용기로부터 상기 다수의 반도체 소자 제조용 장비들에 상기 가스를 배분하여 공급하는 가스 배분 공급 배관부; 및A gas distribution supply piping part introduced into the cabinet inside the cabinet for dispensing the gas from the gas container to the plurality of semiconductor device manufacturing equipment; And 상기 캐비넷 내에 밸브 구동을 위한 질소 가스를 공급하기 위한 제1가스 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 가스 공급 시스템. And a first gas supply pipe for supplying nitrogen gas for driving the valve in the cabinet. 제 1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 가스 배분 공급 배관부는 상기 가스 용기로부터 제공되는 가스를 상기 다수의 반도체 소자 제조용 장비들 각각에 배분하는 다수의 가스 공급 배관들; 및Wherein the gas distribution supply piping portion includes a plurality of gas supply lines for distributing the gas provided from the gas container to each of the plurality of semiconductor device manufacturing equipment; And 상기 가스 공급 배관들에 설치되어 상기 가스의 공급을 배분하는 운행 밸브들을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 가스 공급 시스템. And delivery valves installed on the gas supply lines to distribute the supply of the gas. 제 1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 캐비넷 내에 누설될 수 있는 가스를 검출하기 위한 가스 검출기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 가스 공급 시스템.Further comprising a gas detector for detecting gases that may leak into the cabinet. 제 1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 캐비넷 내에 질소 가스를 제공하기 위한 제2가스 공급관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 가스 공급 시스템.Further comprising a second gas supply line for providing nitrogen gas into the cabinet. 제 4항에 있어서, 5. The method of claim 4, 상기 질소 가스를 제공하기 위한 제2가스 공급관은 상기 가스 배분 공급 배관부도 연결되는 것을 특징으로 하는 다중 가스 공급 시스템.And the second gas supply pipe for supplying the nitrogen gas is also connected to the gas distribution supply pipe portion. 제 4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 제2가스 공급관에는 질소 가스의 압력을 검출할 수 있는 압력 게이지가 배치된 것을 포함하는 다중 가스 공급 시스템.And a pressure gauge capable of detecting the pressure of nitrogen gas is disposed in the second gas supply pipe.
KR1020030101842A 2003-12-31 2003-12-31 vertical multi gas supply system KR100864168B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030101842A KR100864168B1 (en) 2003-12-31 2003-12-31 vertical multi gas supply system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030101842A KR100864168B1 (en) 2003-12-31 2003-12-31 vertical multi gas supply system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050071045A KR20050071045A (en) 2005-07-07
KR100864168B1 true KR100864168B1 (en) 2008-10-16

Family

ID=37261036

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030101842A KR100864168B1 (en) 2003-12-31 2003-12-31 vertical multi gas supply system

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100864168B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100941424B1 (en) * 2007-07-27 2010-02-11 주식회사 케이씨텍 Gas supplier and method for thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980026257A (en) * 1996-10-08 1998-07-15 김광호 Test Method for Leakage of Pressurized Gas in Gas Supply System Used in Semiconductor Manufacturing Process
KR19980027605A (en) * 1996-10-17 1998-07-15 문정환 Gas supply of semiconductor equipment
KR200240881Y1 (en) 2001-05-10 2001-10-15 동부전자 주식회사 Unified gas cabinet
KR20020049146A (en) * 2000-12-19 2002-06-26 박종섭 A gas supply cabinet for fabricating semiconductor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980026257A (en) * 1996-10-08 1998-07-15 김광호 Test Method for Leakage of Pressurized Gas in Gas Supply System Used in Semiconductor Manufacturing Process
KR19980027605A (en) * 1996-10-17 1998-07-15 문정환 Gas supply of semiconductor equipment
KR20020049146A (en) * 2000-12-19 2002-06-26 박종섭 A gas supply cabinet for fabricating semiconductor
KR200240881Y1 (en) 2001-05-10 2001-10-15 동부전자 주식회사 Unified gas cabinet

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050071045A (en) 2005-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102791359B (en) Ventilating gas management system and method
US7694691B2 (en) Gas delivery system with integrated valve manifold functionality for sub-atmospheric and super-atmospheric pressure applications
KR102023794B1 (en) Shared gas panels in plasma processing systems
US20140283788A1 (en) Fuel system with leakage detection means
JPH07148427A (en) Gas supply device with cylinder
US20170062243A1 (en) Storage Facility
WO2017022330A1 (en) Purge device, purge stocker, and method for feeding purge gas
KR20150072831A (en) Air pressure distributor for fluid supply
US6026843A (en) Valve box manifold system and distribution method
KR100864168B1 (en) vertical multi gas supply system
US20100116205A1 (en) Process equipment architecture
JP4663235B2 (en) Fluid transfer device and base plate
US20060174942A1 (en) High purity chemical delivery system
KR101425441B1 (en) Apparatus for distributing processing gas having air leakage testing function
JP4304323B2 (en) Gas supply system
KR100941424B1 (en) Gas supplier and method for thereof
JPH02146400A (en) Cylinder cabinet
KR20150081934A (en) Gas interface box for semiconductor and display manufacturing facilities
JP5260981B2 (en) Vacuum processing equipment
US20180320825A1 (en) Pivotable touchscreen for a gas-distribution facility
KR101612020B1 (en) Toxic gas storage facility
JP2006233882A (en) Production system
JP2002181653A (en) Gas detection system
KR20230104072A (en) Gas box with cross-flow exhaust system
JPH07263292A (en) Gas leak monitor system

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee