KR100861432B1 - 인버터를 동작시키기 위한 방법, 및 상기 방법을 실행하기위한 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전자적으로 제어되는 인버터를 동작시키기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은, 상기 인버터가 SEPIC 변환기로서 동작하도록 출력 교류 전압의 양의 반파(positive half-wave) 동안에 제어되고, CUK 변환기로서 동작하도록 출력 교류 전압의 음의 반파 동안에 제어되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 전자적으로 제어되는 인버터를 동작시키기 위한 방법 및 상기 방법을 실행하기 위한 장치에 관한 것이다.
전자적으로 제어되는 인버터들은 예컨대 "IEEE Transactions on industrial Electronics"(Vol.IE-32, No.3, 1985, 186 내지 191쪽"에 기재된 US-Z.:C.M.Penalver 등의 "Microprocessor Control of DC/AC Static Converters"에 공지되어 있고, 그 인버터들은 예컨대 태양 전지들에 의해 생성되는 직류 전류를 변환하기 위해 태양 발전 시스템들에서 사용되는데, 이는 상기 직류 전류가 공중 AC 전력 네트워크에 공급될 수 있게 하는 방식으로 이루어진다. 단지 이러한 방식에서는 태양으로부터 생성되는 에너지가 실질적으로 무제한적으로 사용되는 것이 보장된다.
인버터들을 여러 응용분야에 적용한 결과들 중 하나로는 특정 응용을 위한 승압 변환기들(step-up converters), 승압/강압 변환기들 및 강압 변환기들의 기본적인 파생 타입들의 개선이 이루어졌다. Sanjaya Maniktala에 의해서 2002년 10월 17일에 정기간행물 EDN에 기재되어 공표된 기사 "Slave converters power auxiliary outputs"가 일예로서 여기서 인용되는데, 상기 기사에서는 기본 인버터 타입들의 상이한 가능한 결합이 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 종래기술에 공지된 인버터들을 더욱 개선시키는 것이다.
본 발명에 따르면, 상기 목적은 처음에 언급된 타입의 방법을 통해 달성되는데, 인버터는 SEPIC 변환기로서 동작하도록 출력 교류 전압의 양의 반파(positive half-wave) 동안에 제어되고, 또한 인버터는 CUK 변환기로서 동작하도록 출력 교류 전압의 음의 반파 동안에 제어된다.
SEPIC 및 CUK 변환기의 기능들의 창의적인 결합은 특별히 저손실 인버터를 유도하며 태양 발전 시스템에서 사용하기에 특별히 적합하다.
인버터가 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 반도체 스위치로 형성되는 반도체 브릿지 회로를 포함하는데, 그 중 반도체 브릿지 회로의 제 1 출력은 인버터의 교류 전류 출력의 제 1 단자에 접속되고, 반도체 브릿지 회로의 제 2 출력은 인버터의 교류 전류 출력의 제 2 단자에 접속되는 것이 유리하고, 또한 제 1 사이드는 직류 전류 소스의 양의 폴에 접속되고 제 2 사이드는 제 5 반도체 스위치를 통해서 직류 전류 소스의 음의 폴에 접속되는 제 1 쵸크가 제공되는 것이 유리하고, 제 1 쵸크 및 제 5 반도체 스위치 간의 접속점이 제 1 커패시터를 통해서 제 2 쵸크의 제 1 단자 및 다이오드의 애노드에 접속되는 것이 유리하고, 제 2 쵸크의 제 2 단자는 브릿지 회로의 제 1 입력에 접속되고 다이오드의 캐소드는 브릿지 회로의 제 2 입력에 접속되는 것이 유리하며, 직류 전류 소스의 음의 폴이 교류 전류 출력의 제 2 단자에 접속되는 것이 유리하다.
게다가, 마이크로제어기들을 통해서 제 2 및 제 3 반도체 스위치들이 출력 교류 전류의 양의 반파 동안에 영구적으로 스위칭 온 되고, 제 1 및 제 4 반도체 스위치들이 영구적으로 스위칭 오프되며, 제 5 반도체 스위치가 펄스식으로 스위칭되는 것이 유리하고, 또한 출력 교류 전류의 음의 반파 동안에, 제 1 및 제 4 반도체 스위치들이 영구적으로 스위칭 온 되고, 제 2 및 제 3 반도체 스위치들이 영구적으로 스위칭 오프되며, 제 5 반도체 스위치가 펄스식으로 스위칭되는 것이 유리하다.
반도체 스위치들을 제어하기 위해 적절히 프로그래밍된 마이크로제어기가 제공되는 것이 유용하다.
본 발명은 도면들을 참조하여 아래에서 상세히 설명된다.
도 1은 통상적인 인버터의 회로도를 나타내는 도면.
도 2는 n-채널 배리어 층 MOSFET들이 사용될 때 통상적인 인버터의 회로도를 나타내는 도면.
도 3 및 도 4는 출력 교류 전류의 양의 반파 동안에 통상적인 인버터에서의 전류 흐름 및 스위칭 상태들을 나타내는 도면.
도 5 및 도 6은 출력 교류 전류의 음의 반파 동안에 통상적인 인버터의 전류 흐름 및 스위칭 상태들을 나타내는 도면.
도 7은 반도체 스위치들을 위한 통상적인 동작 신호들의 신호 타이밍을 나타내는 도면.
도면들에 도시된 인버터들은 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 반도체 스위치들(S1, S2, S3, S4)로 구성되는 반도체 브릿지 회로를 포함한다. 제 1 및 제 2 반도체 스위치들(S1, S2)의 접속으로 형성되는 반도체 브릿지 회로의 제 1 출력은 인버터의 교류 전류 출력(UOUT)의 제 1 단자에 접속된다. 제 3 및 제 4 반도체 스위치들(S3, S4)의 접속으로 형성되는 반도체 브릿지 회로의 제 2 출력은 인버터의 교류 전류 출력(UOUT)의 제 2 단자에 접속된다. 또한, 제 1 쵸크(L1)가 제공되는데, 그것의 제 1 사이드는 직류 전류 소스(UIN)의 양의 폴에 접속되고, 제 2 사이드는 직류 전류 소스(UIN)의 음의 폴에 제 5 반도체 스위치(S5)를 통해서 접속된다. 제 1 쵸크(L1) 및 제 5 쵸크 반도체 스위치(S5) 간의 접속이 제 1 커패시터(CC)를 통해서 제 2 쵸크(L2)의 제 1 단자 및 다이오드(D1)의 애노드에 연결되고, 제 2 쵸크(L2)의 제 2 단자는 제 1 및 제 3 반도체 스위치들(S1, S3)의 접속에 의해 형성되는 브릿지 회로(S1, S2, S3, S4)의 제 1 입력에 연결된다.
제 1 및 제 2 쵸크(L1, L2)는 공통 코어를 가질 수 있다.
다이오드(D1)의 캐소드는 제 2 및 제 4 반도체 스위치들(S2, S4)의 접속에 의해서 형성되는 브릿지 회로(S1, S2, S3, S4)의 제 2 입력에 접속된다. 또한, 직류 전류 소스(UIN)의 음의 폴은 교류 전류 출력(UOUT)의 제 2 단자에 접속된다.
n-채널 배리어 층(MOSFETs)이 반도체 스위치들(S1, S2, S3, S4, S4)로서 사용될 때는, 설치의 방침이 주시되어야 한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 다이오드 심볼은 점선으로 도시되어 있다.
본 발명의 이러한 실시예에서, 다이오드(D2)의 사용은 유리하지만, 그것의 기능은 적절한 방식으로 반도체 스위치들을 제어함으로써 또한 구현될 수 있다.
반도체 스위치들은 마이크로제어기들(미도시)에 의해서 제어된다.
이 경우에는, 본 발명에 따라, 제 2 및 제 3 반도체 스위치들(S2, S3)의 출력 교류 전류가 양의 반파 동안에 영구적으로 스위칭 온 되고, 제 1 및 제 4 반도체 스위치들(S1, S4)의 출력 교류 전류는 영구적으로 스위칭 오프되는 반면에, 제 5 반도체 스위치는 펄스식으로 스위칭된다.
출력 교류 전류의 음의 반파 동안에는, 제 1 및 제 4 반도체 스위치들(S1, S4)이 영구적으로 스위칭 온 되고, 제 2 및 제 3 반도체 스위치들(S2, S3)은 영구적으로 스위칭 오프되며, 제 5 반도체 스위치(S5)는 펄스식으로 스위칭된다.
도 3의 경우는 인버터가 출력 전압의 양의 반파 동안에 직류 전류 소스(UIN)로부터 전기 에너지를 수용하는 상태를 나타낸다. 이를 위해서, 제 5 반도체 스위치(S5)는 폐쇄되고, 그럼으로써 제 1 쵸크(L1)를 통해 직류 전류 소스(UIN)의 양의 폴과 제 1 반도체 스위치(S1) 사이에 전류 경로가 형성된다. 제 2 회로에는 제 5 및 제 3 반도체 스위치들(S5 및 S3) 및 제 2 코일(L2)을 통해 커패시터(CC)에 저장된 에너지가 공급된다.
이 상태에서, 제 1 쵸크(L1)는 에너지를 저장하는데, 그 에너지는, 도 4에 도시된 바와 같이, 제 5 반도체 스위치(S5)가 오픈된 이후에, 제 1 반도체 다이오드(D1) 및 제 2 반도체 브릿지 회로를 통해서 교류 전류 출력(UOUT) 및 동시에 제 1 커패시터(CC)에 출력된다.
제 2 쵸크(L2)에 저장되는 에너지는, 제 5 반도체 스위치(S5)가 오픈된 이후에, 반도체 다이오드(D1) 및 반도체 브릿지 회로를 통해서 교류 전류 출력(UOUT)에 출력된다.
이러한 경우에 생성된 회로들은 한 편에서는 직류 전류 소스(UIN)의 양의 폴로부터 제 1 쵸크(L1), 제 1 커패시터(CC), 다이오드(D1), 제 2 반도체 스위치(S2)를 통해서 교류 전류 출력(UOUT)으로 진행하고, 또한 교류 전류 네트워크를 통해서 직류 전류 소스(UIN)의 음의 폴로 진행하고, 다른 한 편에서는, 제 2 쵸크(L2)로부터 다이오드(D1) 및 제 2 반도체 스위치(S2)를 통해서 교류 전류 출력(UOUT)으로 진행하고, 또한 교류 전류 네트워크 및 제 3 반도체 스위치(S3)를 통해서 제 2 쵸크(L2)로 다시 진행한다.
출력 교류 전류의 음의 반파 동안의 스위칭 상태가 도 5 및 도 6을 참조하여 이제 설명된다. 또한 도 7을 통해 알 수 있는 바와 같이, 제 5 반도체 스위치(S5)는 그 기간 동안에는 펄스식으로 스위칭되고, 제 1 및 제 3 반도체 스위치들(S1, S3)은 영구적으로 온 되고, 제 2 및 제 4 반도체 스위치들(S2, S4)은 영구적으로 오프된다. 이는, 본 발명에 따르면 CUK 변환기로 알려진 것의 기능이 출력 교류 전류의 음의 반파 동안에 실행된다는 것을 의미한다.
이와 관련해서, 도 5는 제 5 반도체 스위치(S5)가 클로즈된 경우의 상황을 나타낸다. 전류 경로가 제 1 쵸크(L1) 및 제 5 반도체 스위치(S5)를 통해서 직류 전류 소스(UIN)의 양의 폴과 직류 전류 소스의 음의 폴 사이에 형성되고, 제 2 전류 경로가 제 2 쵸크(L2), 제 1 커패시터(Cc), 제 5 반도체 스위치(S5), 출력 교류 전류 네트워크(UOUT) 및 제 1 반도체 스위치(S1)를 통해서 형성된다.
그 다음의 스위칭 과정에서는 도 6에 도시된 바와 같이 제 5 반도체 스위치(S5)가 오픈된다.
따라서, 상기 회로들은 한 편에서는 직류 전류 소스(UIN)의 양의 폴로부터 제 1 쵸크(L1), 제 1 커패시터(CC), 다이오드(D1) 및 제 4 반도체 스위치(S4)를 통해서 직류 전류 소스(UIN)의 음의 폴로 진행하고, 다른 한 편에서는 제 2 쵸크(L2), 다이오드(D1), 제 4 반도체 스위치(S4), 출력 교류 전류 네트워크(UOUT) 및 제 1 반도체 스위치(S1)를 통해 형성된다.
도 7은 반도체 스위치들(S1, S2, S3, S4 및 S5)을 위한 제어 신호들의 통상적인 신호 타이밍 파형들을 나타낸다.
Claims (4)
- 반도체 스위치들(S1, S2, S3, S4), 쵸크들(L1, L2), 커패시터들(CC) 및 다이오드들(D1, D2)을 포함한 여러 회로 엘리먼트들을 구비하는 전자적으로 제어되는 인버터를 동작시키기 위한 방법으로서,직류 전류 소스(UIN)의 음의 폴은 교류 전류 출력(UOUT)의 중성 단자(N)에 접속되고, 상기 인버터의 각각의 회로 엘리먼트들은 SEPIC 변환기 엘리먼트들 및 CUK 변환기의 엘리먼트들로서 번갈아 동작하고,상기 인버터는 상기 회로 엘리먼트들이 SEPIC 변환기의 기능을 실행하도록 출력 교류 전류의 양의 반파(positive half-wave) 동안에 제어되고,상기 인버터는 상기 회로 엘리먼트들이 CUK 변환기의 기능을 수행하도록 출력 교류 전류의 음의 반파 동안에 제어되는 것을 특징으로 하는,인버터 동작 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 인버터는 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 반도체 스위치들(S1, S2, S3, S4)로 형성되는 반도체 브릿지 회로를 포함하는데, 상기 반도체 브릿지 회로의 제 1 출력은 인버터의 교류 전류 출력(UOUT)의 제 1 단자에 접속되고, 상기 반도체 브릿지 회로의 제 2 출력은 인버터의 교류 전류 출력(UOUT)의 제 2 단자에 접속되고,제 1 사이드는 직류 전류 소스(UIN)의 양의 폴에 접속되고 제 2 사이드는 제 5 반도체 스위치(S5)를 통해서 직류 전류 소스(UIN)의 음의 폴에 접속되는 제 1 쵸크(L1)가 제공되고,상기 제 1 쵸크(L1) 및 상기 제 5 반도체 스위치(S5) 간의 접속점이 제 1 커패시터(CC)를 통해서 제 2 쵸크(L2)의 제 1 단자 및 다이오드(D1)의 애노드에 접속되고,상기 제 2 쵸크(L2)의 제 2 단자는 브릿지 회로(S1, S2, S3, S4)의 제 1 입력에 접속되고, 상기 다이오드(D1)의 캐소드는 브릿지 회로(S1, S2, S3, S4)의 제 2 입력에 접속되며,상기 직류 전류 소스(UIN)의 음의 폴이 교류 전류 출력(UOUT)의 제 2 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는, 인버터 동작 방법.
- 제 2항에 있어서,상기 출력 교류 전류의 양의 반파 동안에는 마이크로제어기들에 의해서, 상기 제 2 및 제 3 반도체 스위치들(S2, S3)은 영구적으로 스위칭 온 되고 상기 제 1 및 제 4 반도체 스위치들(S1, S4)은 영구적으로 스위칭 오프되며, 상기 제 5 반도체 스위치(S5)는 펄스식으로 스위칭되고,상기 출력 교류 전류의 음의 반파 동안에는 제 1 및 제 4 반도체 스위치들(S1, S4)이 영구적으로 스위칭 온 되고, 제 2 및 제 3 반도체 스위치들(S2, S3)은 영구적으로 스위칭 오프되며, 제 5 반도체 스위치(S5)는 펄스식으로 스위칭되는 것을 특징으로 하는, 인버터 동작 방법.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 기재된 바와 같은 방법을 실행하기 위한 인버터로서,상기 반도체 스위치들을 제어하기 위해 적절히 프로그래밍되는 마이크로제어기가 제공되는 것을 특징으로 하는, 인버터.
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| KR101613398B1 (ko) | 2015-07-08 | 2016-04-18 | 정영선 | 자동차의 혼유방지장치 |
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| US20020097011A1 (en) * | 2001-01-24 | 2002-07-25 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gleuhlampen Mbh | Lamp ballast with sepic converter |
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2005
- 2005-07-11 KR KR1020067026721A patent/KR100861432B1/ko not_active IP Right Cessation
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