KR100857591B1 - 정전용량 센서 - Google Patents

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Abstract

정전용량 검출 전극판이 센서 회로부와 일체형으로 집적된 것을 특징으로 하는 정전용량 센서에 대해 개시한다. 본 발명의 또 다른 특징은, 센서 회로부와 정전용량 검출 전극판의 사이에, 센서 회로부를 실드시키도록 실드 전극이 마련되며, 정전용량 검출 전극판과 실드 전극 사이의 기생 커패시턴스를 줄이도록 상쇄전극이 마련된다는 것이다. 본 발명에 의하면, 집적된 정전용량 검출 전극판의 기생 커패시턴스도 최소화시킬 수 있을 뿐 아니라 정전용량 검출 전극판과 센서 회로와의 간섭 효과도 차단할 수 있어서, 미소량의 정전용량 변화도 쉽게 감지하여 주파수의 변화를 크게 유기할 수 있으므로 정전용량의 검출의 정도를 높일 수 있는 정전용량 센서를 얻을 수 있다. 또한, 정전용량 검출 전극판이 센서 회로와 집적되어 소형화된 정전용량 센서를 구현할 수도 있다.
정전용량 센서, 검출 전극판, 일체, 집적, 소형화, 기생 커패시턴스, 상쇄

Description

정전용량 센서 {CAPACITIVE SENSOR}
도 1은 종래기술의 일 예에 따른 정전용량 센서의 블록도;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전용량 센서의 구조를 설명하기 위한 도면;
도 3은 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 정전용량 센서의 블록도;
도 4는 도 3에서 상쇄 전극이 정전용량 검출 전극판과 실드 전극 사이의 기생 커패시턴스를 줄여주는 원리를 설명하기 위한 도면; 및
도 5는 본 발명의 정전용량 센서의 모든 구성요소를 일체로 집적한 후, 몰드 컴파운드를 이용하여 패키지를 한 상태를 나타낸 도면이다.
* 도면 중의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
100: 정전용량 센서
110, 210: 센서 회로부
112: 주파수 발생기
113: 주파수 카운터
114: 기준 주파수 제공기
115: 주파수 변화 연산기
116: 출력 기준값 제공기
117: 출력 기준 비교기
118: 출력기
119: 상쇄전극 구동버퍼
120, 220: 정전용량 검출 전극판
202: 제1 층간 절연체
204: 제2 층간 절연체
206: 제3 층간 절연체
230: 실드 전극
240: 상쇄 전극
500: 몰드 컴파운드
510: 리드선
520: 도전 와이어
본 발명은 정전용량 센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 정전용량 센서의 회로부와 정전용량 검출용 전극판을 일체로 집적한 정전용량 센서에 관한 것이다.
종래기술에 따른 정전용량 센서는 센서 칩 외부에 정전용량 감지판을 설치하 고 이 정전용량 감지판을 이용하여 정전용량의 변화를 감지한다. 이 정전용량의 변화가 미리 설정한 기준치 이상이면 출력을 발생하는 방법으로 정전용량 센서의 역할을 수행한다.
도 1은 이러한 종래기술의 일 예에 따른 정전용량 센서의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 정전용량 센서(100)는 센서 회로부(110)와 그 외부에 설치된 정전용량 검출 전극판(120)으로 이루어진다. 센서 회로부(110)는 주파수 발생기(112), 주파수 카운터(113), 기준 주파수 제공기(114), 주파수 변화 연산기(115), 출력 기준값 제공기(116), 출력 기준 비교기(117) 및 출력기(118)를 포함한다. 정전용량 센서(100)의 동작은 다음과 같다. 정전용량 검출 전극판(120)에 정전용량의 변화가 유기되면, 주파수 발생기(112)에 의해 정전용량에 따라 가변되는 주파수가 발생된다. 발생된 주파수는 주파수 카운터(113)에 의해 기준 주파수 제공기(114)에서 나온 기준 주파수와 비교되어 주파수 변화가 주파수 변화 연산기(115)에서 연산된다. 그 연산된 결과는 출력 기준값 제공기(116)에서 나오는 출력 기준값과 출력 기준 비교기(117)에서 비교하여 조건이 충족되면 출력기(118)에서 출력을 발생시킨다. 이와 같은 구성을 가진 종래기술의 정전용량 센서(100)에서는, 센서 회로부(110)만이 집적되어 센서 집적회로(Integrated Circuit; IC)를 이루고 있을 뿐 센서 회로부(110)와 정전용량 검출 전극판(120)이 따로 구성되어 정전용량의 변화를 감지하였는데, 이렇게 할 경우 정전용량 검출 전극판(120)이 외부 극판으로서 따로 구비되어야 하므로 작은 사이즈의 정전용량 센서를 제작하는 데 많은 어려움이 있었다.
따라서, 정전용량 센서의 사이즈를 줄이기 위한 다른 방편으로, 종래에는 정 전용량 검출 전극판(120)을 센서 회로부(110)에 근접시켜서 배치하기도 하였는데, 이렇게 할 경우 센서 회로부(110)에 사용되는 클럭(clock) 주파수와 정전용량 검출 전극판(120)의 감지 주파수와의 간섭 현상으로 정확한 정전용량의 감지에 어려움이 많았다.
또한, 정전용량 검출 전극판(120)을 센서 회로부(110)에 근접시켜서 배치할 경우, 정전용량 검출 전극판(120)과 센서 회로부(110) 사이의 기생 커패시턴스가 매우 큰 값을 가지므로 정전용량의 변화로 발생되는 주파수의 변화량이 매우 적어진다. 결국, 미소량의 정전용량을 감지할 때 많은 에러를 유발하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 기술적 과제는, 정전용량 센서의 전체 구조가 소형화될 수 있도록 구성요소들이 배치된 정전용량 센서를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 기술적 과제는, 정전용량 검출 전극판을 센서 회로부에 근접시켜서 배치하더라도 센서 회로부에 사용되는 클럭 주파수와 정전용량 검출 전극판의 감지 주파수와의 간섭 현상으로 인한 문제가 발생하지 않는 정전용량 센서를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 기술적 과제는, 정전용량 검출 전극판을 센서 회로부에 근접시켜서 배치하더라도 정전용량 검출 전극판과 센서 회로부 사이의 기생 커패시턴스가 문제를 발생시키지 않는 정전용량 센서를 제공하는 것이다.
상기한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 정전용량 센서는,
유기되는 정전용량의 변화를 감지하기 위한 정전용량 검출 전극판과, 상기 정전용량 검출 전극판에서 감지된 정전용량의 변화에 따른 출력을 발생시키는 센서 회로부를 구비하는 것으로서,
상기 정전용량 검출 전극판이 상기 센서 회로부와 일체형으로 집적된 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 센서 회로부가 실리콘 기판 상에 집적되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 센서 회로부와 상기 정전용량 검출 전극판의 사이에, 상기 센서 회로부를 실드(shield)시키도록 상기 실리콘 기판과 전기적으로 연결되는 실드 전극과, 상기 정전용량 검출 전극판과 상기 실드 전극 사이의 기생 커패시턴스를 줄이도록 상기 센서 회로부에 전기적으로 연결되는 상쇄전극이 순차적으로 집적 형성되어 있으며;
상기 정전용량 검출 전극판, 실드전극 및 상쇄전극의 각각을 절연하는 층간 절연체들을 더 구비하는 것을 더욱 바람직하다.
더욱이, 상기 센서 회로부가 상기 정전용량 검출 전극판에 인가되는 것과 동일한 전압을 상기 상쇄전극에 인가하기 위한 상쇄전극 구동버퍼부를 포함하며, 상기 상쇄전극과 상기 센서 회로부의 구동버퍼부가 서로 연결되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 실리콘 기판, 센서 회로부, 실드전극, 상쇄전극, 정전용량 검출 전극판 및 이들 사이의 층간 절연체들 모두가 집적되되, 상기 정전용량 검출 전극 판이 가장 상부에 놓이도록 단일 패키지 상태로 조립되어, 상기 패키지의 상부에 발생되는 정전용량의 변화를 감지하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전용량 센서의 구조를 설명하기 위한 도면이다. 도 2를 참조하면, 최하단에 실리콘 기판(201)이 있고 실리콘 기판(201) 상에 센서 회로부(210)가 집적 형성된다. 실리콘 기판(201)은 본 정전용량 센서를 작동시킬 때 인가되는 최저 전압의 기준이 되는 접지의 기능을 한다. 센서 회로부(210) 상에는 제1 층간 절연체(202), 실드 전극(230), 제2 층간 절연체(204), 상쇄 전극(240), 제3 층간 절연체(206) 및 정전용량 검출 전극판(220)이 순차적으로 집적 형성되어 있다. 실드 전극(230)은 제1 층간 절연체(202)에 의해 센서 회로부(210)와 전기적으로 절연되어 있으나, 제2 도전 연결선(b)에 의해 실리콘 기판(201)과 전기적으로 도통이 되는 연결을 한다. 따라서, 센서 회로부(210)의 상측은 실드 전극(230)에 의해 접지되며, 센서 회로부(210)의 하측은 실리콘 기판(201)에 의해 접지되기 때문에, 센서 회로부(210)는 실드 전극(230)과 실리콘 기판(201)에 으로 실드(shield)됨을 알 수 있다. 실드 전극(230)의 상측에는 상쇄 전극(240)이 형성되어 있는데, 실드 전극(230)과 상쇄 전극(240)은 제2 층간 절연체(204)에 의해 전기적으로 절연된다. 또한, 상쇄 전극(240)의 상측에는 정전용량 검출 전극판(220)이 형성되어 있는데, 상쇄 전극(240)과 정전용량 검출 전극판(220)은 제3 층간 절연체(206)에 의해 전기적으로 절연된다. 한편, 정전용량 검출 전극판(220) 은 제1 도전 연결선(a)에 의해 센서 회로부(210)에, 상쇄 전극(240)은 제3 도전 연결선(c)에 의해 센서 회로부(210)에 각각 연결된다. 상쇄 전극(240)은 실드 전극(230)과 정전용량 검출 전극판(220)의 기생 커패시턴스를 줄여주어 최상부에 놓인 정전용량 검출 전극판(220)에서 발생하는 기생 커패시턴스를 최소화해 준다. 즉, 정전용량 검출 전극판(220)의 아래에 집적된 전극들과의 커패시턴스를 작게 해줌으로써 정전용량 검출 전극판(220)의 상부에서 변화되는 작은 양의 커패시턴스를 감지하는 데 유리하게 해준다. 요약하자면, 본 발명의 정전용량 센서가 정전용량 검출 전극판(220)에 변화되는 커패시턴스의 변화율에 따른 주파수의 변화율을 감지하므로 정전용량 검출 전극판(220)의 기생 커패시턴스가 작을수록 감지하고자 하는 정전용량의 변화가 작아도 주파수의 변화율이 크게 발생하므로 감지의 정확도를 높일 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 정전용량 센서의 블록도이다. 다른 부분을 명확하게 도시하기 위해, 도 3에는 제1 내지 제3 층간 절연체들(202, 204, 206) 및 실리콘 기판(201)을 나타내지 않았으며, 제1 층간 절연체를 개재시켜 센서 회로부(210)을 덮은 실드 전극(230)은 센서 회로부(210)의 테두리에 나타내었다. 본 실시예의 센서에서, 실드 전극(230)은 센서 회로부(210)를 감싸며 접지역할을 하는 실리콘 기판(201)에 연결되어, 센서 회로부(210)에서 발생하는 노이즈 성분이 외부로 나오는 것을 막아주는 동시에, 가까이에 집적된 정전용량 검출 전극판(220)의 감지 주파수가 센서 회로부(210)에 영향을 주는 것을 막아준다. 정전용량 검출 전극판(220)과 실드 전극(230) 사이의 기생 커패시턴스를 줄여주기 위 한 상쇄 전극(240)은 정전용량 검출 전극판(220)과 실드 전극(230)의 사이에 배치되며, 제2 층간 절연체(204)와 제3 층간 절연체(206)에 의해 인접한 전극과 전기적인 절연상태를 유지한다. 한편, 상쇄 전극 구동버퍼부(119)는 A 지점에서와 동일한 전압파형이 B 지점에 인가하도록 하여 정전용량 검출 전극판(220)과 실드 전극(230) 사이의 기생 커패시턴스를 제거해 준다.
도 4는 도 3에서 상쇄 전극이 정전용량 검출 전극판과 실드 전극 사이의 기생 커패시턴스를 줄여주는 원리를 설명하기 위한 도면으로서, VA는 도 3의 A 지점의 전압 파형을, VB는 도 3의 B 지점의 전압 파형을 각각 나타낸다. 도 3에서 정전용량 검출 전극판(220)과 실드 전극(230)이 유전체를 사이에 두고 집적되면 물리적으로 양 전극 사이에는 커패시턴스가 나타나게 된다. 이 커패시턴스 값은 정전용량 검출 전극판(220)과 실드 전극(230) 사이에 들어가는 유전체의 두께에 반비례하고 전극판의 면적에 비례하여 증가한다. 이 물리적인 커패시턴스 값에 의해 발생하는 효과를 없애기 위해 정전용량 검출 전극판(220)과 실드 전극(230)의 사이에 상쇄 전극(240)을 두고, 상쇄 전극 구동버퍼(119)를 이용하여 정전용량 검출 전극판(220)에 나타나는 전압파형을 상쇄 전극(240)에 동일하게 발생시키면 정전용량 검출 전극판(220)에 인가되는 전류가 상쇄 전극(240)으로 유출입되는 현상을 막을 수 있다. 즉, 정전용량 검출 전극판(220)에 인가되는 전압이 VA라면, 이 전압과 동일한 전압 파형 VB를 만들어 상쇄 전극(240)에 인가하는데, 정전용량 검출 전극판(220)과 상쇄 전극(240) 간의 전압 차는 없으므로, 정전용량 검출 전극판(220)에서 상쇄 전 극(240)으로의 전류의 흐름이 없다. 따라서 정전용량 검출 전극판(220)에 나타나는 기생 커패시턴스가 제거되는 효과를 얻는다.
도 5는 본 발명의 정전용량 센서의 모든 구성요소를 일체로 집적한 후, 몰드 컴파운드(500)를 이용하여 패키지를 한 상태를 나타낸 도면이다. 도 5를 참조하면, 몰드 컴파운드(500) 내부에 도 2에 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 정전용량 센서가 내장되어 있음을 알 수 있다. 필요한 입출력 포트는 리드선(510)까지 도전 와이어(520)를 통하여 전기적으로 연결되며, 패키지 외측에 위치한 리드선(510)들은 최종적으로 집적된 정전용량 센서 칩의 입출력 단자로서 기능한다. 이렇게 패키지된 상태에서 패키지의 상부측의 변화하는 커패시턴스는 부도체인 몰드 컴파운드(500)의 유전율의 영향을 받으면서 정전용량 검출 전극판(220)의 면적에 의존하여 정전용량 센서에 의해 감지된다. 도 5에서 볼 수 있듯이, 본 발명에 따르면, 정전용량 센서의 모든 구성요소들이 일체로 집적된 후에 몰드 컴파운드에 의해 패키지되기 때문에 매우 소형화된 정전용량 센서를 구현할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 집적된 정전용량 검출 전극판의 기생 커패시턴스도 최소화시킬 수 있을 뿐 아니라 정전용량 검출 전극판과 센서 회로와의 간섭 효과도 차단할 수 있어서, 미소량의 정전용량 변화도 쉽게 감지하여 주파수의 변화를 크게 유기할 수 있으므로 정전용량의 검출의 정도를 높일 수 있는 정전용량 센서를 얻을 수 있다. 또한, 정전용량 검출 전극판이 센서 회로와 집적되어 소형화된 정전용량 센서를 구현할 수도 있다.

Claims (5)

  1. 기판 상에 형성되는 센서회로부;
    상기 센서회로부 상에 형성되며 유기되는 정전용량변화를 감지하는 정전용량 검출 전극판;
    상기 센서 회로부를 실드시키도록 상기 센서 회로부와 상기 정전용량 검출 전극판의 사이에 설치되며 상기 기판과 전기적으로 연결되는 실드 전극;
    상기 정전용량 검출 전극판과 상기 실드 전극 사이의 기생 커패시턴스를 줄이도록 상기 정전용량 검출 전극판과 상기 실드 전극 사이에 설치되며 상기 센서 회로부에 전기적으로 연결되는 상쇄전극; 및
    상기 정전용량 검출 전극판, 실드전극, 및 상쇄전극의 사이에 개재되는 층간 절연체들; 를 구비하며, 상기 센서회로부는 상기 정전용량 검출 전극판에서 감지되는 정전용량의 변화에 따른 출력을 발생시키는 것을 특징으로 하는 정전용량 센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판이 실리콘 기판이고, 상기 센서 회로부가 상기 실리콘 기판 상에 집적회로로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전용량 센서.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 센서 회로부가 상기 정전용량 검출 전극판에 인가되는 것과 동일한 전압파형을 상기 상쇄전극에 인가하기 위한 상쇄전극 구동버퍼부를 포함하며, 상기 상쇄전극과 상기 센서 회로부의 구동버퍼부가 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 정전용량 센서.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판이 실리콘 기판이고, 상기 센서 회로부, 실드전극, 상쇄전극, 정전용량 검출 전극판, 및 층간절연체들이 상기 실리콘 기판 상에 집적회로로 형성되어 이루어지되, 상기 정전용량 검출 전극판이 가장 상부에 놓이도록 단일 패키지 상태로 조립되어 상기 패키지의 상부에서 발생되는 정전용량의 변화를 감지하는 것을 특징으로 하는 정전용량 센서.
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KR20040008670A (ko) * 2002-07-19 2004-01-31 주식회사 하이닉스반도체 정전용량식 지문감지센서의 단위화소 및 그를 이용한지문감지장치

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