JP3196370U - センサモジュール - Google Patents
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Abstract
Description
2 第1の遮蔽構造部
3 電極構造部
4 感応材料、測定素子
5 第2の遮蔽構造部
6 保護層
9 トレンチ
10 積層体
31 第1の電極
32 第2の電極、さらなる電極
71 第1の誘電体
72 第1の金属層
73 第2の金属層
74 第2の誘電体
75 第3の金属層
76 貫通孔部
77 貫通孔部
311 電極31のフィンガー
312 縁部
321 電極32のフィンガー
322 縁部
Claims (20)
- センサモジュールであって、
基板(1)を含み、
前記基板(1)上で、異なるレベル面(Nx)に、
導電性の第1の遮蔽構造部(2)と、
導電性の第2の遮蔽構造部(5)と、
所定の特性量を測定するための電極構造部(3)とが配置され、
前記電極構造部(3)は、前記第1の遮蔽構造部(2)と前記第2の遮蔽構造部(5)との間に配置されていることを特徴とする、センサモジュール。 - 前記電極構造部(3)は、異なる電位で動作させるために、少なくとも1つの第1の電極(31)と第2の電極(32)とを含んでいる、請求項1記載のセンサモジュール。
- 前記第1の電極(31)及び前記第2の電極(32)は、同じレベル面(N2)に相互に離間して配置されている、請求項2記載のセンサモジュール。
- 前記第1の電極(31)は、相互に平行に配向され、かつ、相互に離間され、かつ、相互に電気的に接続された複数の電極フィンガー(311)を有し、
前記第2の電極(32)は、相互に平行に配向され、かつ、相互に離間され、かつ、相互に電気的に接続された複数の電極フィンガー(321)を有し、
前記第1の電極(31)の前記電極フィンガー(311)は、前記第2の電極(32)の前記電極フィンガー(321)間の介在空間内に嵌合している、請求項2又は3記載のセンサモジュール。 - 前記第1の電極(31)と前記第2の電極(32)との間に、測定すべき特性量に感応する感応材料(4)が充填されている、請求項2から4いずれか1項記載のセンサモジュール。
- 前記基板(1)は、半導体基板であり、
前記第1の電極(31)及び前記第2の電極(32)に所定の電位を印加し、かつ、測定すべき測定量に対する尺度として前記電極(31,32)間で前記感応材料(4)の抵抗又は静電容量を測定するための、前記半導体基板上に集積された集積回路を含んでいる、請求項5記載のセンサモジュール。 - 前記集積回路は、前記第1及び第2の遮蔽構造部(2,5)を、前記第1及び第2の電極(31,32)とは異なる電位、とりわけアース電位で動作するように構成されている、請求項6記載のセンサモジュール。
- 前記第1の遮蔽構造部(2)、前記第2の遮蔽構造部(5)、及び前記電極構造部(3)は、前記基板(1)上で、CMOS層構造の複数の金属層(72,73,75)から形成されている、請求項1から7いずれか1項記載のセンサモジュール。
- 前記第1の遮蔽構造部(2)は、相互に平行な導電性の複数のフィンガーからなる規則的な配置構成を含んでいる、請求項1から8いずれか1項記載のセンサモジュール。
- 前記第2の遮蔽構造部(5)は、相互に平行な導電性の複数のフィンガーからなる規則的な配置構成を含んでいる、請求項1から9いずれか1項記載のセンサモジュール。
- 前記第1の遮蔽構造部(2)が、前記基板(1)と前記電極構造部(3)との間に配置され、
前記第1の遮蔽構造部(2)のフィンガーが、前記第2の遮蔽構造部(5)のフィンガー間の前記基板(1)方向に突出した空隙内に配置されている、請求項9を引用する請求項10記載のセンサモジュール。 - 前記第2の遮蔽構造部(5)のフィンガーの下方で、前記第2の遮蔽構造部(5)と前記基板(1)との間に、複数の電極フィンガー(311,321)が配置されている、請求項4を引用する請求項9又は請求項11記載のセンサモジュール。
- 前記基板(1)上に相互に平行に配向された複数の積層体(10)を含み、前記各積層体(10)は、少なくとも1つの第1の誘電体(71)と、前記電極構造部(3)のフィンガーと、第2の誘電体(74)と、前記第2の遮蔽構造部(5)のフィンガーと、保護層(6)とからなる配置構成を含み、さらに、
測定すべき特性量に対して感応する感応材料(4)を前記積層体(10)間のトレンチ(9)内と前記積層体(10)上に含んでいる、請求項1から12いずれか1項記載のセンサモジュール。 - 前記積層体(10)は、保護層(6)で覆われている、請求項13記載のセンサモジュール。
- 前記第1の遮蔽構造部(2)は、前記トレンチ(9)の底部に配置され、保護層(6)で覆われている、請求項13又は14記載のセンサモジュール。
- 前記センサモジュールは、湿度センサであり、水分に対して感応する感応材料(4)を前記第1の電極(31)と前記第2の電極(32)との間に含んでいる、請求項2記載のセンサモジュール。
- 前記第1の遮蔽構造部(2)は、複数の貫通孔部(76)を介して相互に導電的に接続された複数の金属層(72,72′,72″)を含んでいる、請求項1から16いずれか1項記載のセンサモジュール。
- 前記第1の遮蔽構造部(2)と前記第2の遮蔽構造部(5)との間に、さらなる電極構造部(3′)が配置されている、請求項1から17いずれか1項記載のセンサモジュール。
- 前記さらなる電極構造部(3′)は、前記電極構造部(3)と導電的に接続されている、請求項18記載のセンサモジュール。
- センサモジュールであって、
基板(1)を含み、
前記基板(1)上で、異なるレベル面(Nx)に、
導電性の遮蔽構造部(5)と、
所定の特性量を測定するための電極構造部(3)とが配置され、
前記電極構造部(3)は、前記遮蔽構造部(5)と前記基板(1)との間に配置されていることを特徴とする、センサモジュール。
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